CN101795067A - 恒压电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种恒压电路，具体提供了对输出负载或电流消耗不敏感的高性能恒压电源，并即使不使用恒流二极管等，也能够通过使用少数的部件，提供非常稳定的电源。所述恒压电路包括：第一晶体管，其电流通路连接于电源输入端与输出端之间；第一电阻，其设置于所述第一晶体管的集电极与基极之间；第二电阻，其设置于所述第一晶体管的发射极与第一节点之间；第三电阻，其连接于所述第一节点与低电位之间；第二晶体管，其集电极连接于所述第一晶体管的基极，其基极连接于所述第一节点，并根据第一节点的电位进行切换；以及齐纳二极管，其反向设置于所述第二晶体管的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

Description

恒压电路

技术领域

本发明涉及一种恒压电路，对于电压输入变化，其能够提供恒定的电压，并对变动的交流输出电压范围提供稳定的直流电源。

背景技术

在通常情况下，为了将交流电转换成直流电，交流直流转换器广泛使用于电子仪器中。因此，根据交流输入电压的范围，向需要直流电源的多个内部电子部件提供稳定的电源，需要使用多种恒压电路。尤其在漏电断路器中，交流输入电压的范围非常宽，达到80～450V。

因此，如图1所示，使用将交流电压转换成直流电压的交流直流转换器10，然而为了针对因交流特性而产生的正弦波引起的纹波(Ripple)和范围广的交流输入而提供稳定的直流电源，需要使用恒压电路20。

在漏电断路器30的恒压电路20中，为了减少部件数量及减少成本，将恒流二极管(Current Regulative Diode：CRD)与齐纳二极管(Zener Diode：ZD)并联，并为了降低至所需直流电压，N个并联对(CRD1～CRDn)(ZD1～ZDn)，和为最终所需电压的限制用齐纳二极管(ZD_LIM)，连接于漏电检测电路部33和断路器37的直流电源端。零序电流互感器(Zero Current Transformer)31中检测到的异常电流，被漏电检测电路部33检测，启动跳闸开关35，并通过设置在断路器37内部的跳闸线圈，最终切断电源。

在图1中，假设交流直流转换器10的输出电压为V(t)，则第一齐纳二极管ZD1的输出，减少相当于齐纳二极管ZD1的电压Vzd1下降量，从而变成V(t)-Vzd1，接下来，第二齐纳二极管ZD2的输出变成V(t)-Vzd1-Vzd2，最后，第n齐纳二极管ZDn的输出减少至V(t)-Vzd1-Vzd2-...-Vzdn。而并联于各个齐纳二极管(ZD1～ZDn)的多个恒流二极管(CRD1～CRDn)对电流进行限流，从而避免需求以上的过载电流流入。

最终，限制用齐纳二极管(ZD_LIM)在需要直流电源的多个内部电子部件中，即在漏电断路器30中将直流电压限制至漏电检测电路部33所需的直流电压Vzd_lim，从而在电压达到Vzd_lim以上的情况下，对交流直流转换器10中生成的纹波或噪音进行部分消除。

在图1中，若连接于恒压电路部20输出端的漏电断路器30的阻抗为Zout，则如图2所示，恒流二极管(CRD)中流过的电流I_CRD恒定，因此根据欧姆定律，输出电压随着阻抗的降低而降低。即，如图3所示，随着输出负载端的电流消耗，恒压电路部20的输出电压发生变化，而将上述输出电压作为电源使用的电路，在运行电压以下有可能不运行或发生误动作。尤其在漏电断路器30的情况下，当连接于输出端的漏电检测电路部33和断路器37等发生漏电情况时，电流消耗增加，而为了防止上述恒压电路部20的输出电压变化而引起的误动作或不运行，需要向通过零序电流互感器31检测非常微小电流的漏电检测电路部33供给稳定的电源。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种恒压电路，具体为提供对输出负载或电流消耗不敏感的高性能恒压电源，即使不使用恒流二极管等，也可通过使用少数的部件，供给非常稳定的电源。

为了实现上述目的，本发明的恒压电路，其特征在于，包括：多个晶体管，其电流通路串联在电源输入端与输出端之间，并输出恒定电压；多个电阻，其设置在上述多个晶体管的各个基极之间；多个分压电阻，其串联在上述多个晶体管中靠近输出端一侧的最末晶体管的发射极与低电位之间；下拉晶体管，其集电极连接于上述最末晶体管的基极，其基极连接于上述多个分压电阻的共同节点，并根据共同节点的电位进行切换；以及齐纳二极管，其反向设置于上述下拉晶体管的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

更具体地，其特征在于，上述多个电阻中，设置在电源输入端一侧的第一个电阻，连接在第一个晶体管的集电极与基极之间，并且通过上述多个晶体管输出的恒定电压，被提供为漏电断路器的动作电源。

为了实现上述目的，本发明中的另一种恒压电路，其特征在于，包括：第一晶体管，其电流通路连接于电源输入端与输出端之间，并输出恒定电压；第一电阻，其设置于上述第一晶体管的集电极与基极之间；第一二极管，其正向设置于上述第一晶体管的发射极与第一节点之间；多个分压电阻，其串联在上述第一节点与低电位之间；第二二极管，其正向连接于上述第一节点与第一晶体管的基极之间；第二晶体管，其集电极连接在上述第一晶体管的基极，其基极连接在多个分压电阻的共同节点，并根据共同节点的电位进行切换；以及齐纳二极管，其反向设置于上述第二晶体管的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

本发明特征在于，上述第一晶体管输出的恒定电压，作为漏电断路器的动作电源被提供，上述第一电阻，决定被施加到上述第一晶体管的基极和上述第二晶体管的集电极的电流量。

为了实现所述目的，本发明的又一种恒压电路，其特征在于，包括：第一晶体管，其发射极连接于电源输入端，其集电极与基极形成二极管连接；第二晶体管，其发射极连接于电源输入端一侧，其基极与上述第一晶体管的基极共同连接；第一电阻，其连接于电源输入端与上述第二晶体管的发射极之间；第三晶体管，其集电极连接于上述第一晶体管的集电极，其发射极连接于输出端，并输出恒定电压；第二电阻，其设置于上述第二晶体管的集电极与第三晶体管的基极之间；多个分压电阻，其连接于上述第三晶体管的发射极与低电位之间；第四晶体管，其集电极连接于上述第三晶体管的基极，其基极连接于多个分压电阻的共同节点，并根据共同节点的电位进行切换；以及齐纳二极管，其反向设置于上述第四晶体管的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

更具体地，本发明特征在于，上述第一晶体管与第二晶体管结合成电流镜(Current Mirror)结构，以组成恒流电路，并且上述第三晶体管输出的恒定电压，被提供为漏电断路器的动作电源。

附图说明

以下参照附图，通过不限定本发明的实施例，对本发明进行进一步的详细说明，并且在部分附图中相同的要素使用相同的符号。

图1所示为基于现有技术的具备恒压电路的漏电断路器的电路模块图。

图2所示为图1的恒压电路的输出电压与电阻之间关系的图表。

图3所示为图1的恒压电路的输出波形的图表。

图4为本发明的一实施例中，具备恒压电路的漏电断路器的电路模块图。

图5为分别显示根据本发明的恒压电路的输入波形和输出波形的图表。

图6为本发明的另一实施例中，具备恒压电路的漏电断路器的电路模块图。

图7为本发明的又一实施例中，具备恒压电路的漏电断路器的电路模块图。

图8为本发明的又一实施例中，具备恒压电路的漏电断路器的电路模块图。

具体实施方式

以下参照附图，对本发明的实施例进行详细说明。附图仅用于说明实施例，以更加明确说明本发明的原理和概念。

图4为本发明的一实施例中，具备恒压电路的漏电断路器的电路模块图，具有交流直流转换器100、恒压电路部110、以及漏电断路器200等。

交流直流转换器100，将外部供给的交流电源转换成直流，并输出至恒压电路部。

恒压电路部110，对来自交流直流转换器100的直流电压进行调节，使输出电压保持稳定，并向漏电断路器200输出动作电压。现有的恒压电路部110，如图1所示，恒流二极管(Current Regulative Diode：CRD)与齐纳二极管(ZD)并联，并为了下降至所需的直流电压，由N个并联对和为最终所需电压的限制用齐纳二极管(ZD_LIM)组成。然而，在本发明中，如图4所示，由少数个晶体管Q11、Q12和电阻R11～R13以及齐纳二极管ZD11组成。

即，恒压电路部110包括：第十一晶体管Q11，其电流通路连接在输入电源一侧的交流直流转换器100的输出端与恒压电路部110的输出端之间，并输出恒定电压；第十一电阻R11，其设置在上述第十一晶体管Q11的集电极与基极之间；第十二电阻R12，其设置在上述第十一晶体管Q11的发射极与第十一节点Nd11之间；第十三电阻R13，其连接于上述第十一节点Nd11与低电位之间；第十二晶体管Q12，其集电极连接在上述第十一晶体管Q11的基极，其基极连接于第十一节点Nd11，并根据第十一节点Nd11的电位进行切换；以及齐纳二极管ZD11，其反向设置于上述第十二晶体管Q12的发射极与低电位之间，用于稳定第十一晶体管Q11的基极一侧的电压。

另外，漏电断路器200包括：零序电流互感器210、漏电检测电路部230、及断路器270。

上述零序电流互感器(Zero Current Transformer)210，对输入或输出至负载的由于线路上的不平衡(谐波、负载不平衡、漏电、线路故障等)而发生的零序电流进行检测，并将其转换成电压形态。

漏电检测电路部230，判断来自上述零序电流互感器210的信号是否高于等于预先设定的基准值，从而判断是否发生漏电，当发生漏电时起动跳闸开关250。上述跳闸开关250，可使用类似可控硅整流器(Silicon ControlledRectifier：SCR)的晶闸管(Thyristor)或晶体管(Transistor)。

断路器270被构成为，随着上述跳闸开关250的起动，内部跳闸线圈进行动作，从而切断从外部输入并提供给负载的交流电源的输出。

适用于漏电断路器200的恒压电路部110的动作如下。

将上述恒压电路部110的齐纳二极管ZD11的齐纳电压Vzd11与第十二晶体管Q12的基极-发射极间电压Vbe12相加得到的电压Vzd11+Vbe12，固定第十三电阻R13的两端电压Vr13，并且第十二电阻R12中流过的电流为第十二晶体管Q12的基极中流过的电流Ib12与第十三电阻R13中流过的电流Ir13之和。然而第十二晶体管Q12的基极中流过的电流Ib12在通常情况下非常小，可以忽略不计，因此第十二电阻R12中流过的电流等于第十三电阻R13中流过的电流。因此，施加在第十二电阻R12两端的电压下降，由第十二电阻R12和第十三电阻R13中流过的电流决定。

因此，恒压电路部110的输出电压，仅由齐纳二极管ZD11的电压、和第十二电阻R12与第十三电阻R13之比R12/R13决定。与输出负载的变化或电流消耗变化无关地，输出电流流过第十一晶体管Q11。上述第十一电阻R11，用于决定第十一晶体管Q11的基极电流和第十二晶体管Q12的集电极电流。即，恒压电路部110用于将交流直流转换器100输出的直流电压，降低或稳压至漏电断路器200所需的电压，该恒压电路部110中，齐纳二极管ZD11的齐纳电压Vzd11与第十二晶体管Q12的基极-发射极间电压Vbe12相加得到的电压Vzd11+Vbe12，被施加至第十三电阻R13，第十三电阻R13中流过的电流Ir13由如下数学式1表示。

【数学式1】

$\mathrm{Ir}13=\frac{\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12}{R13}$

其中，Ir13为第十三电阻R13中流过的电流，Vzd11为被施加至齐纳二极管ZD11的电压，Vbe12为第十二晶体管Q12的基极与发射极之间的电压，R13为第十三电阻R13的电阻值。

与此同时，由于第十二晶体管Q12的基极中流过的电流非常小，可以忽略不计，因此第十二电阻R12中流过的电流Ir12，可通过下述数学式2得到。

【数学式2】

$\mathrm{Ir}12\≅\mathrm{Ir}13=\frac{\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12}{R13}$

因此，施加于第十二电阻R12的电压Vr12，如数学式3所示。

【数学式3】

$\mathrm{Vr}12=\mathrm{Ir}12\×R12\≅\mathrm{Ir}13\×R12=\frac{\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12}{R13}\×R12$

其中，Ir12为第十二电阻R12中流过的电流量，R12为第十二电阻R12的电阻值。

因此，恒压电路部110的输出电压Vout可如下述数学式4简单表示。

【数学式4】

$\mathrm{Vout}=\mathrm{Vr}12+\mathrm{Vr}13=\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12+\frac{\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12}{R13}\×R12=(\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12)\×(1+\frac{R12}{R13})$

其中，Vr13为施加于第十三电阻R13的电压，R13为第十三电阻R13的电阻值。

图4中，第十一电阻R11，用于决定第十一晶体管Q11的基极电流Ib11和第十二晶体管Q12的集电极电流Ic12。若将交流直流转换器100的输出电压设为VCC，则施加在第十一电阻R11两端的电压Vr11，如下数学式5所示，而流过第十一电阻R11的电流Ir11，如下数学式6所示。

【数学式5】

$\mathrm{Vr}11=\mathrm{VCC}-\mathrm{Vr}12-\mathrm{Vbe}11=\mathrm{VCC}-\frac{\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12}{R13}\×R12-\mathrm{Vbe}11$

其中，Vr11为施加在第十一电阻R11的电压，Vbe11为第十一晶体管Q11的基极与发射极之间的电压，Vbe12为第十二晶体管Q12的基极与发射极之间的电压。

【数学式6】

$\mathrm{Ir}11=\mathrm{Ib}11+\mathrm{Ic}12=\frac{\mathrm{Vr}11}{R11}=\frac{\mathrm{VCC}-\frac{\mathrm{Vzd}11+\mathrm{Vbe}12}{R13}\×R12-\mathrm{Vbe}11}{R11}$

通过上述多个数学式可知，通过本发明的恒压电路部110输出的电压，由齐纳二极管ZD11、第十一电阻R11、以及第十二电阻R12与第十三电阻R13之比R12/R13决定，并通过第十一晶体管Q11和第十二晶体管Q12始终保持稳定。

因此，即使输出一侧的负载或电流产生变化，在恒压电路部110的运行范围内，也能够与外部连接电路相互独立地，使输出电压保持恒定。此外，即使在输入电压范围非常大的情况下，第十一晶体管Q11的发射极电压通过齐纳二极管ZD11、第十一电阻R11、第十二电阻R12、和第十三电阻R13的值而被固定，使第十一晶体管Q11的集电极与发射极之间的电压Vce11变为Vce11(t)＝VCC(t)-Vr11-Vr12，从而具有对输出电压不会产生影响的运行结构，因此恒压电路部110的输出电压如图5所示，始终保持稳定。

即，基于本发明的恒压电路部110，如图5所示，与现有技术(图3)不同地，随着输出负载一侧的电流消耗，输出电压不会变化并保持稳定。

另一方面，图4中第十一晶体管Q11的集电极与发射极之间的电压Vce11下降，为交流直流转换器100的输出电压与恒压电路部110的输出电压之差。然而恒压电路部110的输入非常大，而第十一晶体管Q11的集电极与发射极之间的电压Vce11超出击穿电压(Breakdown Voltage)时，第十一晶体管Q11可能被破坏。为了防止上述情况发生，恒压电路部110可构成为如图6所示。

图6中的漏电断路器200的组成与图4相同，因此不再说明。

图6中的恒压电路部120，包括：多个晶体管Q21a～Q21n，其电流通路串联在交流直流转换器100的输出端与恒压电路部110的输出端之间，并输出恒定电压；多个电阻R21a～R21n，其设置在上述多个晶体管Q21a～Q21n的基极之间。其中，上述多个电阻中的第一个电阻R21a连接于第一晶体管Q21a的集电极与基极之间。

另外，恒压电路部120，还包括：第二十二电阻R22，其设置于上述多个晶体管Q21a～Q21n中最末晶体管Q21n的发射极与第二十一节点Nd21之间；第二十三电阻R23，其连接于上述第二十一节点Nd21与低电位之间；下拉用的第二十二晶体管Q22，其集电极连接于上述最末晶体管Q21n的基极，其基极连接于第二十一节点Nd21，并根据第二十一节点Nd21的电位进行切换，从而使上述最末晶体管Q21n的基极端的电位下拉至低电位；以及齐纳二极管ZD21，其反向设置于上述第二十二晶体管Q22的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

如上述，将恒压电路部120的第21a至第21n晶体管Q21a～Q21n的电流通路串联，并将第21a至第21n电阻R21a～R21n分别追加连接在上述晶体管Q21a～Q21n的基极上，由此产生各晶体管Q21a～Q21n的集电极与发射极之间的电压，即Vce21a、Vce21b、...等的电压下降，从而使第21n晶体管Q21n的集电极与发射极之间的电压Vce21n不会超出击穿电压。

即，在恒压电路部120的输入较大的情况下，为使第21n晶体管Q21n的集电极与发射极之间的电压Vce21n不超出击穿电压(Breakdown Voltage)，如图6所示的恒压电路部120，额外地连接Q21a与R21a、Q21b与R21b、...等和保护电路，从而，如下数学式7，使第21n晶体管Q21n的集电极与发射极之间的电压降低而不超出击穿电压。

【数学式7】

Vce21n(t)＝VCC(t)-Vce21a(t)-Vce21b(t)-…-Vr21a-Vr21b

当电源被关闭(Turn-off)时，如图4和图6组成的恒压电路部110、120的输出电压，因晚于交流直流转换器100的输出进行放电而电压电平高时，可构成如图7所示的恒压电路部130。

如图7所示的恒压电路部130，其包括：第三十一晶体管Q31，其电流通路连接在输入电源一侧的交流直流转换器100的输出端与恒压电路部130的输出端之间，并输出恒定电压；第三十一电阻R31，其设置在上述第三十一晶体管Q31的集电极与基极之间；第三十一二极管D31，其正向设置于上述第三十一晶体管Q31的发射极与第三十一节点Nd31之间；第三十二电阻R32，其连接于上述第三十一节点Nd31与第三十二节点Nd32之间；第三十三电阻R33，其连接于上述第三十二节点Nd32与低电位之间；第三十二二极管D32，其正向连接于上述第三十一节点Nd31与第三十一晶体管Q31的基极之间；第三十二晶体管Q32，其集电极连接于上述第三十一晶体管Q31的基极，其基极连接于第三十二节点Nd32，并根据第三十二节点Nd32的电位进行切换；以及齐纳二极管ZD31，其反向设置于上述第三十二晶体管Q32的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

因此，如图7所示，恒压电路部130的输出电压通过第三十一二极管D31和第三十二二极管D32进行放电，从而可防止反向电压施加至第三十一晶体管Q31的基极与发射极之间，导致第三十一晶体管Q31被击穿的现象。

即，当电源被关闭(Turn-off)时，恒压电路部130的输出电压晚于输入电压放电，而输出电压的电平暂时高于输入电压的情况下，反向电压施加至第三十一晶体管Q31的基极与发射极之间的PN结，从而可能会导致晶体管Q31破坏。为了防止其发生，在图7的恒压电路部130中，将第三十二二极管D32与第三十一晶体管Q31的基极与发射极之间的PN结反向连接，使瞬间的反向电压沿二极管D32的正向流过而放电。

如图4、图6及图7构成的恒压电路部110、120、130，为了防止连接于输出端的多个电路的负载电流被固定，或者防止过载电流流过，需要设置恒流电路。在此情况下，可构成成如图8所示的恒压电路部140。

如图8所示的恒压电路部140，其包括：第四十一晶体管Q41，其发射极连接于输入电源一侧即交流直流转换器100的输出端，其集电极与基极形成二极管连接；第四十二晶体管Q42，其发射极连接于输入电源一侧即交流直流转换器100的输出端一侧，其基极与上述第四十一晶体管Q41的基极共同连接；第四十一电阻R41，其连接于输入电源一侧与上述第四十二晶体管Q42的发射极之间；第四十三晶体管Q43，其集电极连接于上述第四十一晶体管Q41的集电极，其发射极连接于恒压电路部110的输出端，输出恒定电压；第四十二电阻R42，其设置于上述第四十二晶体管Q42的集电极与第四十三晶体管Q43的基极之间；第四十三电阻R43，其设置于上述第四十三晶体管Q43的发射极与第四十一节点Nd41之间；第四十四电阻R44，其连接于上述第四十一节点Nd41与低电位之间；第四十四晶体管Q44，其集电极连接于上述第四十三晶体管Q43的基极，其基极连接于第四十一节点Nd41，并根据上述第四十一节点Nd41的电压进行切换；以及齐纳二极管ZD41，其反向设置于上述第四十四晶体管Q44的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

如图8所示，恒压电路部140的第四十一晶体管Q41与第四十二晶体管Q42结合成电流镜结构，并且连接于第四十二晶体管Q42的第四十一电阻R41，是以限制恒流电路的电流为目的追加设置的。

即，在恒压电路部140需要恒流电源的情况下，使用集电极与基极形成二极管连接(diode connected)的第四十一晶体管Q41，和基极与上述第四十一晶体管Q41的基极共同连接的第四十二晶体管Q42，构成恒流电路。并通过第四十一晶体管Q41形成负反馈(negative feedback)，使电流恒定，其中第四十一晶体管Q41被二极管连接成，第四十一晶体管Q41的基极与发射极之间的电压Vbe41，等于第四十二晶体管Q42的基极与发射极间电压Vbe42与施加在第四十一电阻R41两端的电压Vr41之和。

另外，省略了图6、图7及图8的各个恒压电路部120、130、140的详细动作的说明，其运行大致与图4的恒压电路部110相同，因此仅对与图4的恒压电路部110有差别的构成进行说明。

本发明中，以应用于漏电断路器200的恒压电路110、120、130、140为例进行了说明，但并不限定于此，也可适用于与电源相关的所有设备。

综上所述，本发明的恒压电路，其提供了对输出负载或电流消耗不敏感的高性能恒压电源，并实现了使用少数部件也能够供给稳定电源的恒压电路。

因此，与现有的恒压电路相比，使用部件少，有利于降低成本，并去除了现有技术中使用的恒流二极管等，因此与连接于负载一侧的电路的电流消耗或负载变化无关地，能够输出稳定的恒定电压，因此不仅提高了产品可靠性，还能够从根本上防止因恒压电源的输出变化而发生的误动作。

上述本发明中，以理想实施例为重点进行了详细说明，本领域的普通技术人员，在本发明的实质性技术范围内，能够实现本发明的上述详细说明和不同形态的实施例。本发明的实质性技术范围记载在权利要求书中，并与其同等范围内的所有不同点，均应包含在本发明中。

Claims (9)

1.一种恒压电路，其特征在于，包括：

多个晶体管，其电流通路串联在电源输入端与输出端之间，并输出恒定电压；

多个电阻，其设置于所述多个晶体管的各个基极之间；

多个分压电阻，其串联在所述多个晶体管中靠近输出端一侧的最末晶体管的发射极与低电位之间；

下拉晶体管，其集电极连接于所述最末晶体管的基极，该下拉晶体管的基极连接于所述多个分压电阻的共同节点，并根据共同节点的电位进行切换；以及

齐纳二极管，其反向设置于所述下拉晶体管的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

2.如权利要求1所述恒压电路，其特征在于，

所述多个电阻中设置在电源输入端一侧的第一个电阻，连接在第一个晶体管的集电极与基极之间。

3.如权利要求1所述恒压电路，其特征在于，

从所述多个晶体管输出的恒定电压，被提供为漏电断路器的动作电源。

4.一种恒压电路，包括：

第一晶体管，其电流通路连接于电源输入端与输出端之间，并输出恒定电压；

第一电阻，其设置于所述第一晶体管的集电极与基极之间；

第一二极管，其正向设置于所述第一晶体管的发射极与第一节点之间；

多个分压电阻，其串联于所述第一节点与低电位之间；

第二二极管，其正向连接于所述第一节点与第一晶体管的基极之间；

第二晶体管，其集电极连接于所述第一晶体管的基极，该第二晶体管的基极连接于多个分压电阻的共同节点，并根据共同节点的电位进行切换；以及

齐纳二极管，其反向设置于所述第二晶体管的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

5.如权利要求4所述恒压电路，其特征在于，

从所述第一晶体管输出的恒定电压，被提供为漏电断路器的动作电源。

6.如权利要求4所述恒压电路，其特征在于，

所述第一电阻决定被施加到所述第一晶体管的基极和所述第二晶体管的集电极的电流量。

7.一种恒压电路，包括：

第一晶体管，其发射极连接于电源输入端，其集电极与基极形成二极管连接；

第二晶体管，其发射极连接于电源输入端一侧，其基极与所述第一晶体管的基极共同连接；

第一电阻，其连接于电源输入端与所述第二晶体管的发射极之间；

第三晶体管，其集电极连接于所述第一晶体管的集电极，其发射极连接于输出端，并输出恒定电压；

第二电阻，其设置于所述第二晶体管的集电极与第三晶体管的基极之间；

多个分压电阻，其连接于所述第三晶体管的发射极与低电位之间；

第四晶体管，其集电极连接于所述第三晶体管的基极，该第四晶体管的基极连接于多个分压电阻的共同节点，根据共同节点的电位进行切换；以及

齐纳二极管，其反向设置于所述第四晶体管的发射极与低电位之间，用于稳定电压。

8.如权利要求7所述的恒压电路，其特征在于，

所述第一晶体管与所述第二晶体管结合成电流镜结构，以组成恒流电路。

9.如权利要求7所述的恒压电路，其特征在于，

从所述第三晶体管输出的恒定电压，被提供为漏电断路器的动作电源。

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