CN101501823A - 清洁部件、带清洁功能的搬送部件以及基板处理装置的清洁方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物的清洁部件。并且，本发明提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及一种使用了该清洁部件或该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。本发明的清洁部件具有在表面设置有多个柱状结构的凸部的层状部件，其中，该柱状结构的凸部是碳类纳米结构体。

Description

清洁部件、带清洁功能的搬送部件以及基板处理装置的清洁方法
技术领域
本发明涉及用于除去微细的异物的清洁部件、带清洁功能的搬送部件、以及使用了该清洁部件或该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。更详细而言，本发明涉及用于从例如半导体、平板显示器、印刷基板、基板处理装置等忌避微细异物的基板或装置除去该异物的清洁部件、具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及使用了该清洁部件或该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。
背景技术
在半导体、平板显示器、印刷基板等制造装置或检查装置等、忌避异物的各种基板处理装置等中，一边使各搬送系统与基板物理接触，一边进行搬送。此时，如果在基板或搬送系统上附着有异物，则使后续的基板一个接着一个地遭受污染，因而需要定期停止装置进行清洁处理。其结果，存在基板处理装置的运转率下降的问题、以及为施行基板处理装置的清洁处理而需要大量劳力的问题。
为了解决这样的问题，提出了一种通过搬送板状部件而除去附着于基板背面的异物的方法(参照专利文献1)。如果采用这样的方法，则不需要停止基板处理装置对其进行清洁处理，所以可以解决基板处理装置的运转率降低的问题。然而，采用该方法不能充分地除去微细的异物。
另一方面，提出了一种通过将固定有粘合性物质的基板作为清洁部件向基板处理装置内搬送而清洁除去附着于该处理装置内的异物的方法(参照专利文献2)。该方法除了具有在专利文献1中记载的方法的优点之外，其对异物的除去性也优良，因此，基板处理装置的运转率下降的问题、以及为施行基板处理装置的清洁处理而需要大量劳力的问题均被解决。
如上所述，用具有粘合性物质的清洁部件清洁除去异物的方法，作为有效地除去异物的方法，是一种优良的方法，但是，担心产生粘合性物质因过于结实地粘合在清洁部位而不能被剥离下来的问题，并担心产生粘合剂残存于清洁部位，反而使其污染的问题。此外，在为了防止残存粘合剂而使粘合力降低的情况下，存在有重要的异物除尘性恶化的问题。
另外，就作为异物的除去方法的、使乙醇浸透于废纱后擦拭的方法(乙醇擦拭)而言，存在异物残存和在异物除去中产生斑点等除尘性恶化的问题。
最近，在忌避微细异物的基板和装置中成为问题的该异物的尺寸，已经成为亚微米(1μm以下)级。就上述的方法而言，难以可靠地除去这些亚微米尺寸的异物。
为了除去具有数十微米左右的粒径的异物，提出了一种清洁晶片，该清洁晶片利用光致抗蚀剂或切削研磨而在表面形成有数十微米见方前后的点图形(参照专利文献3)。但是，对于该清洁晶片而言，由于通过点图形的空隙部分保持异物而除去该异物，所以仅能够除去具有数十微米左右的粒径的异物，而难以充分地除去亚微米尺寸的微细异物。
专利文献1：日本特开平11-87458号公报
专利文献2：日本特开平10-154686号公报
专利文献3：日本特开2004-63669号公报
发明内容
本发明的课题在于，提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物的清洁部件。并且提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及一种使用了该清洁部件或该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。
本发明的发明人为了解决上述课题而进行了深入的研究，结果发现，通过在清洁部件具有的层状部件的表面设置多个作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部，能够解决上述的课题，从而完成了本发明。
本发明的清洁部件具有在表面设置有多个柱状结构的凸部的层状部件的清洁部件，其中，该柱状结构的凸部是碳类纳米结构体。
在优选的实施方式中，上述碳类纳米结构体是碳纳米管。
在优选的实施方式中，上述碳类纳米结构体的直径的最大部分的长度为100nm以下。
在优选的实施方式中，上述碳类纳米结构体的突出部分的长度为50μm以下。
在优选的实施方式中，上述层状部件表面的碳类纳米结构体的密度为1.0×109个/cm2以上。
在优选的实施方式中，上述清洁部件用于除去基板上的异物。
在优选的实施方式中，上述清洁部件用于除去基板处理装置内的异物。
根据本发明的另一方面，提供一种带清洁功能的搬送部件。该带清洁功能的搬送部件具有搬送部件和在该搬送部件的至少一个面设置的上述清洁部件。
根据本发明的再一方面，提供一种基板处理装置的清洁方法。本发明的基板处理装置的清洁方法之一包括向基板处理装置内搬送上述清洁部件的步骤。本发明的基板处理装置的另一清洁方法包括向基板处理装置内搬送上述带清洁功能的搬送部件的步骤。
发明的效果
如果根据本发明，则能够提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物的清洁部件。并能够提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及一种使用了该清洁部件或该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。
上述那样的效果能够通过在清洁部件具有的层状部件的表面设置多个作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部而体现。这样的效果尤其能够通过亚微米级的微细异物与碳类纳米结构体在立体上的彼此牵扯、以及亚微米级的微细异物与碳类纳米结构体之间的范德华力而有效地体现。
附图说明
图1是采用本发明的优选实施方式得到的清洁部件的概略截面图。
图2是采用本发明的优选实施方式得到的带清洁功能的搬送部件的概略截面图。
符号说明
10   支撑体
20   清洁层
30   作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部
50   搬送部件
100  清洁部件
200  带清洁功能的搬送部件
具体实施方式
A.清洁部件
本发明的清洁部件具有层状部件。作为本发明的层状部件，只要是具有层状结构的部件，则能够采用任意适当的部件。优选如下述所说明的支撑体、清洁层、搬送部件。
图1(a)、(b)、(c)是作为本发明的优选实施方式的清洁部件的概略截面图。
在图1(a)的实施方式中，清洁部件100具有作为层状部件的支撑体10和设置在其表面的作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部30。凸部30可以在支撑体10的至少一个面设置。即，既可以仅在一个面设置，也可以在两个面设置。
在图1(b)的实施方式中，清洁部件100具有支撑体10和作为层状部件的清洁层20。支撑体10根据目的可以省略。清洁层20在其表面配置有多个作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部30。在图1(b)的实施方式中，在清洁层20设置在支撑体10之上的情况下，设置清洁层20的面可以在支撑体10的至少一个面上设置。即，既可以仅在一个面设置，也可以在两个面设置。另外，既可以在整个面设置，也可以仅在端面(边缘部)等一部分设置。
在图1(c)的实施方式中，清洁部件100具有作为层状部件的搬送部件50和设置在其表面的作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部30。凸部30可以在搬送部件50的至少一个面设置。即，既可以仅在一个面设置，也可以在两个面设置。在图1(c)的实施方式中，因为在搬送部件的表面设置有作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部，所以能够通过原样向基板处理装置内搬送来进行基板处理装置的清洁。
上述碳类纳米结构体的凸部30具有柱状结构。作为本发明中所说的柱状结构，不仅包括严格的柱状结构，而且也包括大致柱状的结构。例如，可以优选地列举圆柱状结构、棱柱状结构、锥状结构、纤维状结构等。另外，上述柱状结构的截面形状，遍及整个凸部既可以均匀，也可以不均匀。而且，凸部可以沿大致直线突出，也可以沿曲线突出。
作为上述碳类纳米结构体，例如，可以列举碳纳米管、碳纳米纤维。优选碳纳米管。作为碳纳米管，既可以采用单层碳纳米管，也可以采用多层碳纳米管。从机械强度等观点考虑，优选多层碳纳米管。
在本发明中，作为在清洁部件具有的层状部件的表面设置的多个柱状结构的凸部，使用碳类纳米结构体，由此能够提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物的清洁部件。这样的效果尤其能够通过亚微米级的微细异物与碳类纳米结构体在立体上的彼此牵扯、以及亚微米级的微细异物与碳类纳米结构体之间的范德华力而有效地体现。
作为上述碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的突出方向与层状部件的表面形成的角度，在能够达到本发明的目的的范围内，能够采用任意适当的角度。例如，既可以采用凸部从层状部件的表面略垂直地突出的形态，也可以采用凸部从层状部件的表面倾斜地突出的形态。
碳类纳米结构体的直径的最大部分的长度优选为100nm以下，更优选为1～100nm，进一步优选为1～80nm，特别优选为5～60nm，最优选为10～50nm。通过使碳类纳米结构体的直径的最大部分的长度在上述的范围内，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物。再者，本发明中所说的“碳类纳米结构体的直径的最长部分的长度”，意指柱状结构的碳类纳米结构体的截面的直径之中最长部分的长度。例如，在截面为大致圆形的情况下，意指该大致圆的直径部分的长度。
碳类纳米结构体的突出部分的长度优选为50μm以下，更优选为1～50μm，进一步优选为1～40μm，特别优选为5～40μm，最优选为5～30μm。通过使碳类纳米结构体的突出部分的长度在上述的范围内，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物。
碳类纳米结构体的直径的最大部分的长度或突出部分的长度，可以通过任意适当的测定方法测定。从测定的容易程度等的方面考虑，可以优选列举利用了扫描式电子显微镜(SEM)的测定方法。通过利用了扫描式电子显微镜(SEM)的测定，例如，在SEM观察试样台粘贴在表面设置有多个作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的层状部件，从侧面方向观察，能够求得作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的突出部分的长度。
在本发明中，上述层状部件表面的碳类纳米结构体的密度优选为1.0×109个/cm2以上，更优选为5.0×109个/cm2以上，进一步优选为1.0×1010个/cm2以上。上述层状部件表面的碳类纳米结构体的密度的上限优选为1.0×1014个/cm2以下，更优选为1.0×1013个/cm2以下，进一步优选为1.0×1012个/cm2以下。通过使上述层状部件表面的碳类纳米结构体的密度在上述的范围内，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物。
在本发明中，作为在层状部件的表面形成作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的方法，在能够达到本发明的目的的范围内，能够采用任意适当的方法。例如，能够采用激光蒸发法、电弧放电法、化学气相沉积(CVD)法等形成。
如果采用激光蒸发法，则通过向混合有镍/钴等催化剂的碳照射YAG激光的强脉冲光，能够形成纯度较高的单层碳纳米管(SWCNT)。另外，通过改变条件能够控制管径。
如果采用电弧放电法，则通过在比大气压稍低压力的氩或氢的气氛下，在碳棒之间施行20V/50A左右的电弧放电，能够在阴极堆积物中形成多层碳纳米管(MWCNT)。另外，当在碳棒中混合镍/钴等催化剂施行电弧放电时，能够在作为黑烟附着于容器内侧的物质中，生成单层碳纳米管(SWCNT)。如果采用电弧放电法，则能够形成缺陷少且品质优良的碳纳米管。
如果采用化学气相沉积(CVD)法，则通过使用甲烷或乙炔等烃、一氧化碳、乙醇等作为原料、在500～1000℃下使其与催化剂金属微粒接触，能够形成碳纳米管。如果采用化学气相沉积(CVD)法，则通过催化剂金属的种类及其配置方法、碳化合物的种类等条件的改变，能够形成多层碳纳米管(MWCNT)和单层碳纳米管(SWCNT)的任意一种。如果采用化学气相沉积(CVD)法，则通过在特定的基板上配置催化剂金属微粒，可以容易地制得略垂直于基板面取向的碳纳米管，适合用于本发明。
在本发明中，优选使碳类纳米结构体从层状部件表面沿一定的方向取向。通过使碳类纳米结构体从层状部件的表面沿一定的方向取向，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物。
作为使碳类纳米结构体从层状部件表面沿一定的方向取向的方法，可以采用任意适当的方法。作为有选择地形成沿相对于层状部件表面略垂直的方向取向的碳纳米管的方法，例如，可以列举在由采用溅射、电镀、有机金属化合物的涂布后烧制等方法形成的Ni、Fe、Co构成的任意图形上、利用电场施加型等离子体CVD使碳纳米管成长的方法；采用喷墨法使含有催化剂的液体附着于层状部件的表面而使催化剂排列的方法；在采用CVD法处理之前，加热处理由两种以上不同的催化剂金属叠层得到的多层催化剂金属图形的方法等。
通过由碳化硅(SiC)的表面分解法也能够形成碳纳米管。该方法通过在真空中加热SiC而除去Si，从而能够形成碳纳米管。采用该方法形成的碳纳米管具有略垂直于基板面取向的倾向。
上述清洁层的拉伸弹性模量，在清洁部件的使用温度范围内，优选为0.5MPa以上，更优选为1～10000MPa，进一步优选为10～10000MPa。如果拉伸弹性模量为这样的范围，则能够得到异物除去性能与搬送性能的均衡性优良的清洁部件。此外，拉伸弹性模量能够根据JIS K7127测定。通过使清洁层的弹性模量为上述范围，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物。
上述清洁层的例如对硅晶片的镜面180度剥离的粘合力，优选为0.2N/10mm宽以下，进一步优选为0.01～0.10N/10mm宽。如果为这样的范围，则清洁层具有良好的异物除去性能和搬送性能。180度剥离的粘合力根据JIS Z0237测定。
上述清洁层的厚度，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的条件。优选为1～200μm，更优选为5～100μm，进一步优选为5～50μm，特别优选为5～20μm。如果为这样的范围，则能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、优选亚微米级的异物。
上述清洁层优选实质上不具有粘合力。这里，所谓实质上不具有粘合性，意指当将粘合的本质设为作为对滑动的阻力的摩擦时，没有代表粘合性的功能的感压性褶。该感压性褶，如果采用例如Dahlquist的基准，则在粘合性物质的弹性模量为1MPa之内的范围内体现。
作为构成上述清洁层的材料，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的材料。作为构成清洁层的材料的具体例子，例如，可以列举聚酰亚胺类树脂、聚酯类树脂、氟类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚烯烃类树脂、聚氯乙烯、EVA、PEEK、PMMA、POM等高分子树脂；石英基板、玻璃基板、硅等无机材料等。特别是聚酰亚胺类树脂、聚酯类树脂、硅具有耐热性，因而优选使用。
作为构成上述清洁层的材料，在能够达到本发明的目的的范围内，还可以含有任意适当的添加剂。作为添加剂的具体例子，可以列举表面活性剂、增塑剂、抗氧化剂、导电性赋予材料、紫外线吸收剂、光稳定剂。通过调整所使用的添加剂的种类和/或用量，能够获得具有与目的相对应的所期望的特性的清洁层。
作为清洁层，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的方法形成。例如，可以列举作为单层膜形成清洁层的方法；在支撑体上涂布树脂的方法；另外形成树脂层后再粘贴在支撑体上的方法等。更具体而言，例如，可以列举以单层膜使用的方法；采用旋涂法、喷涂法等，在硅晶片等支撑体(例如，搬送部件)上直接涂布清洁层的方法；采用刮刀式涂布法、喷注式涂布法、凹版涂布法等，在PET膜或聚酰亚胺膜上涂装形成而形成清洁层的方法等。
作为上述支撑体，可以采用任意适当的支撑体。支撑体的厚度，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的厚度，优选为500μm以下，进一步优选为3～300μm，最优选为5～250μm。
为了提高上述支撑体的表面与邻接层的密合性、保持性等，可以对该表面施行常用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学或物理处理；利用底涂剂(例如，上述粘合性物质)的涂布处理。另外，支撑体既可以是单层，也可以是多层体。
作为上述支撑体的材料，在能够达到本发明的目的的范围内，可以对应于目的采用任意适当的材料。例如，可以列举工程塑料或特种工程塑料的膜。作为工程塑料或特种工程塑料的具体例子，可以列举聚酰亚胺、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺。分子量等的各物性，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的物性。支持体的成型方法，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的方法。
在上述清洁层上，代表性地，可以预先粘合保护膜，在使用时等适当的阶段将其剥离。代表性地，可以在形成清洁层时，或者在粘合(压接)清洁层和支撑体时，出于保护清洁层的目的而使用保护膜。
作为保护膜，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的膜。例如，可以列举由聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚氨酯、乙烯—乙酸乙烯共聚物、离聚物树脂、乙烯—(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯—(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯等形成的塑料膜和聚酰亚胺、氟树脂膜。
保护膜优选对应于目的而使用脱模处理剂等施行脱模处理。作为脱模处理剂，例如，可以列举有机硅类化合物、长链烷类化合物、氟类化合物、脂肪酰胺类化合物、二氧化硅类化合物。特别优选有机硅类化合物。
对于聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃树脂类的膜而言，即使不使用脱模剂也具有脱模性，因此，也能够将其单体作为保护膜使用。
保护膜的厚度优选为1～100μm，更优选为10～100μm。保护膜的形成方法，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的方法。例如，能够采用注射成型法、挤出成型法、吹塑成型法形成。
作为本发明的清洁部件的用途，在能够达到本发明的目的的范围内，可以应用于任意适当的用途。优选应用于除去基板上异物、除去基板处理装置内的异物。更具体而言，例如，适合应用于半导体、平板显示器、印刷基板等的制造装置和检查装置等忌避微细异物的基板处理装置的清洁用途。作为在通过被搬送至基板处理装置内而进行清洁时所使用的搬送部件，在能够达到本发明的目的的范围内，可以采用任意适当的搬送部件。具体而言，例如，可以列举半导体晶片、LCD、PDP等平板显示器用基板、其它的光盘、MR磁头等的基板。
在本发明中，作为被施行除尘的基板处理装置，没有特别限定。例如，可以列举曝光装置、抗蚀剂涂布装置、显影装置、灰化装置、干式蚀刻装置、离子注入装置、PVD装置、CVD装置、外观检查装置、晶片探针等。
B.带清洁功能的搬送部件
图2是本发明的带清洁功能的搬送部件的概略截面图。如图2所示，带清洁功能的搬送部件200，具有搬送部件50和处于搬送部件50的至少一个面(附图中显示为一个面)的清洁层20。即，在该实施方式中，在搬送部件50上直接形成清洁层20。通过将这种带清洁功能的搬送部件向装置内搬送，与被清洁部位接触并使其移动，能够不发生由于在上述装置内附着的异物所引起的搬送问题，简便且可靠地清洁除去该异物。
作为如图1(c)和图2所示那样的本发明的搬送部件50，可以对应于作为异物除去对象的基板处理装置的种类而使用任意适当的基板。作为具体例子，可以列举半导体晶片(例如硅晶片)、LCD、PDP等平板显示器用基板、光盘、MR磁头等的基板。
关于上述带清洁功能的搬送部件中的清洁层20，能够援用上述A项中的清洁层的说明。
上述带清洁功能的搬送部件，既可以在搬送部件上粘合清洁片而制造，也可以在搬送部件的至少一个面直接设置清洁层。即，可以采用涂布作为清洁层材料的在上述A项中说明的固化型树脂组成物、或者具有耐热性的高分子树脂，然后利用活化能源使其固化，或者干燥后在高温下将其热处理等方法，形成清洁层。在该清洁层的形成后或形成过程中，优选在该清洁层上粘合在上述A项中说明的保护膜。
C.清洁方法
本发明的清洁方法，包括向基板处理装置内搬送本发明的清洁部件(优选图1(c)所示的实施方式)或本发明的带清洁功能的搬送部件的步骤。通过向所期望的基板处理装置内搬送本发明的清洁部件(优选图1(c)所示的实施方式)或本发明的带清洁功能的搬送部件，并使其接触该基板处理装置的被清洁部位，能够简便且可靠地清洁除去附着在该被清洁部位的异物。
采用上述清洁方法清洁的基板处理装置没有特别限定。作为基板处理装置的具体例子，除了在本说明书已经记载的装置之外，还可以列举电路形成用曝光照射装置、抗蚀剂涂布装置、溅射装置、离子注入装置、干式蚀刻装置、晶片探针等的各种制造装置和检查装置，还可以列举臭氧灰化机、抗蚀剂涂布机、氧化扩散炉、常压CVD装置、减压CVD装置、等离子体CVD装置等在高温下使用的基板处理装置等。
实施例
以下，根据实施例更详细地说明本发明，然而，本发明并不限定于这些实施例。另外，实施例中“份”为重量基准。
[层状部件表面的碳类纳米结构体的密度]
层状部件表面的碳类纳米结构体的密度，通过计数层状部件表面1cm2上的作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的数目而测得。
[碳类纳米结构体的直径的最大部分和突出部分的长度]
碳类纳米结构体的直径的最大部分和突出部分的长度，通过利用SEM从侧面观测层状部件而测得。
[除尘性]
采用以下的方法评价除尘性。即，使平均粒径0.5μm的硅粉末在4英寸硅晶片上均匀地附着颗粒数约10000粒。其次，使具有在表面设置有作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的层状部件的清洁部件的该层状部件侧与附着有硅粉末的4英寸硅晶片接触1分钟。然后，剥离清洁部件，使用粒子计数器(KLA tencor制造，SurfScan-6200)测定0.5μm的硅粉末颗粒的个数，算出除尘率。进行三次测定，求得其平均值。
[实施例1～4]
作为催化剂金属，将钴/钼溶解在乙醇中，并将其涂布在硅晶片上。在250℃下进行氧化处理，使金属微颗粒在硅晶片上均匀地形成。然后，使用电炉将乙醇加热至700℃，使其变为蒸气，从而形成在催化剂金属上垂直取向的多层碳纳米管(MWCNT)。如此制得具有在表面设置有多个作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的层状部件的清洁部件(1)～(4)。
利用扫描式电子显微镜(SEM)观察在清洁部件(1)～(4)中形成的多层碳纳米管结构体。得到的多层碳类纳米结构体的直径的最大部分和突出部分的长度、层状部件表面的碳类纳米结构体的密度表示在表1中。此外，清洁部件(1)～(4)的除尘性也表示在表1中。
[比较例1]
将表面上未设置作为碳类纳米结构体的柱状结构的凸部的硅晶片设为清洁部件(C1)。清洁部件(C1)的除尘性表示在表1中。
[表1]
 
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 比较例1
直径的最大部分的长度(nm)                 10 1 50 100 N.A
突出部分的长度(μm)          5 1 30 50 N.A
密度(个/cm2) 1.0×1011 1.0×109 1.0×1012 1.0×109 N.A
除尘性(％) 95 85 90 80 40
根据表1判断，在实施例1～4中，显示出优良的除尘性，与此相对，在比较例1中，未得到充分的除尘性。
产业上利用的可能性
本发明的清洁部件和带清洁功能的搬送部件能够适合用于各种制造装置和检查装置之类的基板处理装置的清洁。

Claims (10)

1.一种清洁部件，其具有在表面设置有多个柱状结构的凸部的层状部件，其特征在于：该柱状结构的凸部是碳类纳米结构体。
2.如权利要求1所述的清洁部件，其特征在于：
所述碳类纳米结构体是碳纳米管。
3.如权利要求1或2所述的清洁部件，其特征在于：
所述碳类纳米结构体的直径的最大部分的长度为100nm以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的清洁部件，其特征在于：
所述碳类纳米结构体的突出部分的长度为50μm以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的清洁部件，其特征在于：
所述层状部件表面的碳类纳米结构体的密度为1.0×109个/cm2以上。
6.如权利要求1～5中任一项所述的清洁部件，其特征在于：
所述清洁部件用于除去基板上的异物。
7.如权利要求1～5中任一项所述的清洁部件，其特征在于：
所述清洁部件用于除去基板处理装置内的异物。
8.一种带清洁功能的搬送部件，其特征在于：
具有搬送部件和在该搬送部件的至少一个面设置的权利要求7所述的清洁部件。
9.一种基板处理装置的清洁方法，其特征在于：
包括向基板处理装置内搬送权利要求7所述的清洁部件的步骤。
10.一种基板处理装置的清洁方法，其特征在于：
包括向基板处理装置内搬送权利要求8所述的带清洁功能的搬送部件的步骤。
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