TW200821260A - Cleaning member, delivery member with cleaning function, and method of cleaning substrate processing apparatus - Google Patents

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Yoshinori Yoshida
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Description

200821260 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】
本發明係關於用以除去細微異物之清潔構件、具清潔功 能之搬送構件、以及❹有上述清潔構件或上述具清潔功 能之搬送構件之基板處理裝置之清潔方法。更詳細而言， 本發明係關於用以自例如半導體、平板顯示器、印刷基 板、基板處理裝置等不耐細微異物之基板或裝置除去該異 物之清潔構件，具有±述清料件之具清潔功能之搬送構 件’以及使用有上述清潔構件或上述具清潔功能之搬送構 件之基板處理裝置的清潔方法。 【先前技術】 於半導體、平板顯示器、印刷基板等之製造裝置或檢查 裝置等不耐異物之各種基板處理裝置等中…面使各搬送 系統與基板物理性接觸’ 一面進行搬送。此時，若異物附 者於基板或搬送系、统，則異物會逐—污染後續之基板，因 此’必須定期地停止裝置1裝置進行清洗處理。其結 果，存在基板處理裝置之使用效率降低之問題、或需大量 勞力來對基板處理裝置進行清洗處理之問題。 里 為解決上述問題，已提出有如下方法（參照專利文獻 〇 ’即，精由搬送板狀構件而除去附著⑨基板背面之異 物。根據此種方法’由於無須停止基板處理裝置以進行清 洗處理，故而可解決基板處理裝置之❹效率降低之門 題。然而，利用上述方法，無法充分地除去細微異物。 另-方面’已提出有如下方法(參照專利文獻2)，即， 122552.doc 200821260 :固定有㈣物質之基板作為清潔構件而搬送至基板處理 裝置内’藉此清潔並除去附著於該處理裝置内之異物。上 述方法除了具有專利文獻1中揭示之方法之優點之外，其 除去異物之性能優良，因此，上述方法可解決基板處理裝 置之使用效率降低之問題、或需大量勞力來對基板處理^ 置進行清洗處理之問題。 〜 如上所述，利用具有黏性物f之清潔構件來清潔並除去
”物之方法係可有效除去異物之方法，但有可能產生如下 門題黏f生物貝牢固黏著於清潔部位而無法剝》落；或 著劑殘留於清潔部位，反而使清潔部位受到污染。又一 為防止黏性殘留物而降低黏著㈣，存在除去主要異物: 除塵性變差之問題。 作為除去異物之方法，於使乙醇滲入碎布後進行卷 拭之方法（乙醇擦栻）中，存在異物會殘留或無法均勾地户 去異物等除塵性變差之問題。 * 取近，於不耐細微異物之基板或裝置上成為問題之該！ 物之尺寸已達到次微米(1 _以下德。利用上述方法 以確實地除去上述次微米尺寸之異物。 、 為除去粒徑為數十微米左右之異物，已提出有一種清铁 晶因，該清洗晶圓藉由光阻劑㈣削研磨而於表面上 有數十微米見方$ a 、、之2圖案（參照專利文獻3)。然而，對於上 言，藉由將異物保持於點圖案之空隙部分中 而除去異物’因此，可除結徑為數十微米左 但難以充分除去尺寸為次微米之細微異物。 122552.doc 200821260 專利文獻日本專利特開平1 1-87458號公報 專利文獻2:日纟專利特開號公報 專利文獻3:日本專利特開2〇〇心咖的號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題]
本發明之課題在於提供如下之清潔構件 簡便、確實、充分地除去細微異物，較佳的是 米級之異物，而不會於清潔部位產生污染。進而，本發明 ^课題在於提供具有上述清潔構件之具清潔錢之搬送構 件、以及使用有上述清潔構件或具清潔功能之搬送構件之 基板處理裝置之清潔方法。 [解決問題之技術手段] 為解決上述問題，本發明者等專心、研究之後，發現於青 潔構件所具有之層狀構件之表面設置複數個碳系奈米構： 體’即，設置複數個柱狀構造之凸部，藉此可解決上述問 題’從而完成了本發明。 本务明之清潔構件具有層狀構件，該層狀構件於表面且 備複數個柱狀構造之凸部，其中上述柱狀構造之凸部為碳 系奈米構造體。 於較佳實施形悲中，上述碳系奈米構造體為碳奈米管。 於車乂佳實施形悲中，上述碳系奈米構造體之直徑之最大 部分之長度為100 nm以下。 於車又佳實施形態中，上述碳系奈米構造體之突出部分之 長度為50 μπι以下。 122552.doc 200821260 於較佳實施形態中，上述層狀構件表面之 太 體之密度為1.0X109個/em2以上。 人”不只構造 於較佳實施形態十，上述、、主 物。 上述^ 办構件用於除去基板上之異 述清潔構件用於除去基板處理裝 於較佳實施形態中，上 置内之異物。 /發明之其他形態提供具清潔功能之搬送構件。兮呈、主 減功能之搬送構件具有搬送 月 之至少-面上之上述清潔構:件以“置於該搬送構件 明其他形態提供基板處理裝置之清潔方法。本發 、尹至理裝置之"'個清潔方法包括將上述清潔構件搬 一 褒置内之步驟。本發明之基板處理裝置之又 /月/糸方法包括將上述且清、、架 肖/糸功旎之搬送構件搬送至基板 處理叙置内之步驟。 [發明之效果] 根據本發明，可提供如 便、確實、充分地除去细微显Γ件’該清潔構件可簡 較佳的是可除去次微米 :之異物’而不會於清潔部位產生污染。進而，本發明可 k供具有上述清潔構件之1、生、切 /、β /糸功能之搬送構件、以及使 用有上述清潔構件或上诚主 理裝置之清潔方法。 U功叙搬送構件之基板處 太2潔構件所具有之層狀構件之表面，設置複數個碳系 、 後歎個柱狀構造之凸部，藉此，可顯
現出上述效果。尤盆,rh U 八猎由久镞米級之細微異物與碳系奈 122552.doc 200821260 米構造體之立體性糾纏，或藉由次 么女' 、、、田械異物與碳 糸奈米構造體之間之凡得瓦力，可有 巧双粑顯現出上述效 果。 【實施方式】 Α·清潔構件 =明之清潔構件具有層狀構件。對於本發明之 =:=係：有層狀構造之構件，則可採用任意適當 車乂仫的疋，如下所述，本發明之層狀 體、清潔層、以及搬送構件。 霉件為支持 圖1〇3)、圖1⑷係作為本發明之較佳實施形態之 /月 >糸構件之概略剖面圖。 =⑷之實施„中，清潔構件轉有域體ι〇與柱 :構…部30,上述支持體1〇係層狀構件，上述柱狀構 &之凸部30係上述支持體 ^ ^㈣1G之表面所具有之碳系奈米構造 體。凸。卩30可設置於支持體1〇之至少一面。 可僅設置於支持體1(χ 而 、 〇Ρ 3〇 叉荇體10之-面，亦可設置於支持體1〇之兩個 面。 =圖1(b)之實施形態中，清潔構件⑽具有支持體⑽ 作：層狀構件之清潔層20。可根據目的而省略支持體；。、 於清潔層20之表面具有複數個碳系奈米構造體，即且有複 數個柱狀構造之凸㈣。於圖1(b)之實施形態中，當清潔复 層20設置於支持體10上時，設置清、，# 體Η)之至卜面设置於支持 亦即’设置清潔層2〇之面可僅設置 於支持體1〇之一面，亦可設置於支持體此兩個面。又， 122552.doc 200821260 可設置於支持體10之整個面，亦可僅設置於端面（邊緣部） 荨之一部分。 於圖1(c)之實施形態中’冑潔構件100具有搬送構件5〇與 柱狀構造之凸部30，上述搬送構件5〇係層狀構件，上述柱 ’ _造之凸部3〇係上述搬送構件50之表面所具有之碳系奈 米構造體。凸部30可設置於搬送構件5〇之至少一面。S - _，凸部可僅設置於搬送構件50之一面，亦可設置於搬 _ 达構件5〇之兩個面。於圖_之實施形態中，於搬送構件 纟面設置碳系奈米構造體’即設置柱狀構造之凸部，直接 搬送至基板處理裝置内，藉此可對基板處理裝置 潔。 月 上述碳系奈米構造體之凸部3〇具有柱狀構造。嚴密而 言，本發明中所謂之柱狀構造不僅包括柱狀之構造，:包 括大致柱狀之構造。例如，可列舉圓柱狀構造、棱柱狀構 =、錐狀構造、以及纖維狀構造等。又，對於上述柱狀構 _ $之剖面形狀而言，凸部可整體較為均句，亦可不均句。 進而’凸部可大致沿直線地突出，亦可沿曲線地突出。 . 為上述碳系奈米構造體’例如，可列舉碳奈米管、奈 =灭纖維。上述碳系奈米構造體較佳為碳奈米管。作為碳 • ^官，可採用單層碳奈米管’亦可採用多層碳奈米管。 考慮到機械性強度等，較佳的是多層碳奈米管。 本&明可提供如下之清潔構件’該清潔構件採用碳系太 柱=料為清潔構件之層狀構件之表面所具有之複數: 柱狀知的凸部，藉此，可簡便、確實、充分地除去細微 122552.doc 200821260 異物，較佳的是可除去次微米級之異物，而不會於清潔部 位產生污染。尤其，藉由次微米級之細微異物與碳系奈米 構=體之立體性糾纏，或藉由次微米級之細微異物與碳系 奈米構造體之間之凡得瓦力，可有效地顯現出上述效果。 為上述故系奈米構造體之柱狀構造之凸部之突出方向 :層狀構件之表面所成的角I，於可達成本發明之目的之 ^内可採用任意適當之角度。例如，可為凸部自層狀 構件之表面大致垂直地突出之形態，亦可為凸部自層狀構 件之表面傾斜地突出之形態。 、碳系奈米構造體之直徑之最大部分之長度較佳為1〇〇⑽ 以下，更好為1〜100 nm，進而好為卜80 nm，尤其好為 I 60 nm，最好為1〇〜5〇 nm。因碳系奈米構造體之直徑之 最大部分之長度處於上述範圍，故可簡便、確實、充=地 除去細微異物’較佳的是可除去次微米級之異物。再者， 本^月中所5月「碳系奈米構造體之直徑之最大部分之長 度」，係指柱狀構造之碳系奈米構造體之剖面之直徑中最 長部分的長度。例 >，當剖面為大致圓狀時，上述^碳系
奈米構造體之直徑之最大部分之异声 ^ / A 一 刀之長度」係才曰该大致圓形之 直徑部分之長度。 碳系奈米構造體之突出部分之長度較佳為5〇 以下， :好為叫’進而好為“〇，，尤其好為5〜4 — 最好為5〜30 μιη。因碳系奈米構造體之突出部分之長产處 :塊圍，故可簡便、確實、充分地除去細微異二： 佳是可除去次微米級之異物。 122552.doc -12· 200821260 可精由任意適當之測定方法，來測定碳系奈米構造體之 〜：之取大部分之長度或突出部分之長度。考慮到測定之 :易度專，較佳的是’列舉使用掃描式電子顯微鏡 cannmg Eleetn)n黯敗啊）而進行之測定。使 用掃描式電子顯微鏡（SEM)來進行測定時，例如，將層狀 構件貼附至随觀察試料台，並自側方進行觀察，藉I， 可求出作為碳系奈米構造體之柱狀構造之凸部之突出部八 其中於上述層狀構件之表面，設置有複數個作： 石厌糸示米構造體之柱狀構造之凸部。 =明巾’上述層狀構件表面之碳系奈米構造體之密度 車父仏W.GxW個W以上，更好為5Gx1()9個/⑽2以上，進 而好為hOxH)、^以上。上述層狀構件表面之碳系奈 米構造體之密度之上限較佳為1〇χΐ〇14個以下，更好 為副013個/em2以下，進而好為個W以下。因 上述層狀構件表面之碳系奈米構造體之密度處於上述範 圍，故可簡便、確實、充分地除去細微異物，較佳的是可 除去次微米級之異物。 本毛明中’作為於層狀構件表面形成作為碳系奈米構造 體之柱狀構造之凸部的方法，於可達成本發明之目的之範 圍内’可採用任意適當之方法。例如，可藉由雷射蒸發 法、電弧放電法、以及化學氣相沈積(CVD，— vapour deposit)法等來形成上述凸部。 根據雷射蒸鍍法，對混合㈣/料觸媒之碳照射娜 (yttrium aluminum garnet ^ Λν ^ ^ w銘石彳田石）雷射之強脈衝光， 122552.doc 200821260 藉此可形成純度較高之單層碳奈米管（SWCNT，single walled carbon nanotube)。又，可藉由改變條件來控制碳奈 米管之直徑。 根據電孤放電法，於壓力稍低於大氣壓之氬或氫環境 ， 下，於碳棒之間進行2〇 V/50 A左右之電弧放，藉此，可 於陰極沈積物中形成多層碳奈米管（MWCNT，mum waiid ~ carbon nanotube)。又，若於碳棒中混合鎳/鈷等觸媒並進 _ 行電弧放電，則可於作為灰塵而附著於容器内侧之物質中 生成單層碳奈米管（SWCNT)。根據電弧放電法，可形成缺 陷少且品質優良之碳奈米管。 根據化學氣相沈積（CVD)法，以甲烷或乙炔等碳氫化合 物 氧化兔、以及乙醇等為原料，使該原料於 5 00 loot) c與觸媒金屬微粒子接觸，藉此，可形成碳奈米 管。若使用化學氣相沈積（CVD)法，則藉由改變觸媒金屬 之種類及其配置方法、碳化合物之種類等條件，可形成多 _ 層碳奈米管（MWCNT)，亦可形成單層碳奈米管 (SWCNT)。又，根據化學氣相沈積（CVD)法，藉由將觸媒 金屬微粒子配置於特定之基板上，可容易地獲得大致垂直 • 配向於基板面之碳奈米管，因此於本發明中，較佳的是使 ^ 用上述化學氣相沈積法。 本發明中，較佳的是，使碳系奈米構造體自層狀構件表 面朝固定方向配向。因碳系奈米構造體自層狀構件表面朝 白配向，故可間便、確實、充分地除去細微異物， 較佳的是可除去次微米級之異物。 122552.doc -14- 200821260 作為使石反系奈米構造體自層狀構件表面朝固定方向配向 之方法’可採用任意適當之方法。作為選擇性地形成朝與 層狀構件表面大致垂直之方向配向之碳奈米管的方法，例 如可例舉如下方法··使用電場型電漿CVD，使碳奈米管 於任思圖案上成長，該任意圖案係由濺鍍、電鑛、塗佈有 機金屬化合物後進行燒成等方法而形成者，且包含沁、 c。’使用噴墨& ,使含有觸媒之液體附著於層狀構件 表面，並使觸媒排列；於對積層有2種以上之不同觸媒全 屬層之多層觸媒金屬圖案使用CVD法之前，對該多層觸媒 金屬圖案進行加熱處理。 ' 可藉由表面分解法’自碳切（Sic)形成碳奈米管。利 用該方法於真空中對SlC進行加熱’藉此可除去以，形 成碳奈米管。㈣該方法形成之碳奈米管存在與基板面大 致垂直地配向之傾向。 上述清潔層之拉伸彈性率於清潔構件之使用溫度範圍 内’較佳為…胳以广更好為㈣剛赂’進而好為 Π)〜H)_MPa。若拉伸彈性率處於上述範圍，則可獲得除 異物理性能與搬送性能平衡之優良之清潔構件。再者，根 據JIS K7127來測定拉伸彈性率。使清潔層之彈性率處於 上述範圍’藉此’可簡便、確實、充分地除去細微異物， 較佳的是可除去次微米級之異物。 對於上述清潔層而言，例如相對㈣晶圓之鏡面之回折 剝離黏著力較佳為〇·2 N/1〇 _寬度以下，進而好為 〇·(Π〜(M0卿mm寬度。若回折剝離黏著力處於上述範 122552.doc •15- 200821260 圍，則清潔層具有良好之 除異物理性能以及搬送性能# 據JISZ〇237來測定回折剥離黏著力。 此。根 於可達成本發明之目的 妁之靶圍内，上述清潔層之 採用任意適當之條件。上 予度可 上述Θ冰層之厚度較佳為 μηι ’更好為5〜1〇〇 ，推 # 進而好為5〜50叫-尤其好為5〜2〇 μιη。若上述清潔層之厚度虛々 又處於上述耗圍，則可簡便、 實、充分地除去細微異物，齡 #又佺的疋可除去次微米 物。 < 呉 較佳的是，上述清潔屉者；^ L ^ α i 糸層只貝上不具有黏著力。此處，所 謂實質上不具有黏著性，係指將黏著之本質視為阻礙滑動 之摩擦時，不存在代㈣著性之功能之壓感性褶。例如， 若根據Dahlquist之基準，則於黏性物質之彈性率處於小於 1 MPa之範圍内，顯現出上述壓感性褶。 、 作為構成上述清潔層之材料，於可達成本發明之目的之 範圍内，可採用任意適當之材料。作為構成清潔層之材料 之具體例’例如，彳列舉聚醯亞胺系樹脂，聚醋系樹脂， 氟系樹脂，丙烯酸系樹脂’環氧系樹脂，聚烯烴系樹脂， 聚氯乙烯、EVA (Ethylene Vinyl細仙，乙烯醋酸=稀 酯）、PEEK (P〇lyetheretherketone，聚醚醚酮）、pMMA (PolWmethylmethacrylate)，聚甲基丙烯酸甲酯）、poM (polyoxy-methylene，聚甲醛）等高分子樹脂，以及石英基 板、玻璃基板m機材料等。尤其，聚醯亞胺系樹 脂、聚醋系樹脂、以及矽具有耐熱性，從而可較佳地被使 用0 122552.doc •16· 200821260 構成上述清潔層之材料，於可達成本發明之目的之範圍 内’可進而含有任意適當之添加劑。作為添加劑之具體 例，可列舉界面活性劑、塑化劑、抗氧化劑、導電性材 料、各外線吸收劑、以及光穩定劑。調整所使用之添加劑 之種類以及/或者量，藉此，可獲得具有與目的相對應之 所期望之特性的清潔層。
清潔層於可達成本發明之目的之範圍内，可藉由任意適 當之方法而形成。例如，可列舉將清潔層形成為單層薄臈 之方法、於支持體上塗佈樹脂之方法、以及另外形成樹脂 層後將該樹脂層貼附至支持體上之方法等。更具體而言， 例如’可列舉使用單層薄膜之方法；使用旋塗法、嘴^法 等，將清潔層直接塗佈至石夕晶圓等支持體（例如，搬送構 件）上之方法，·使用刮刀塗佈法、喷注塗佈法、或凹板塗 佈法等，於PET(P〇lyethyleneterephthalate，聚對苯二甲酸 乙二酯）薄膜或聚醯亞胺薄膜上塗佈形成清潔層之方法
作為上述支持體，可採用任意適當之支持體。支持體之 厚度於可達成本發明之目的之範圍内，可採用任意適當之 厚度。上述支持體之厚度較佳為500 μη1以下，進而好為 3〜300 μιη，最好為 5〜25〇 μηι。 ” 為提馬上述支持體之表面與相鄰層之密著性、保持陡 等，可對該支持體之表面實施慣用之表面處理，例如，。 實施鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、、σ 離輻射處理等化學性或物理性處理，以及藉由底塗劑 I22552.doc -17- 200821260 如，上述黏性物質）而進行之塗佈處理。 為單層體持體可
内作=支持體之材料，於可達成本發明之目的之範圍 根據目的而採用任意適當之材料。例如，可列舉工 程塑膠或超級工程塑膠之薄膜。作為工程塑膠以及超級工 私塑膠之具體例，可列舉聚醯亞胺、$乙烯、聚對笨二甲 酸乙二_、乙酸纖維素、聚碳酸酿、聚丙稀、以及聚酿 胺。分子量等各物理性’於可達成本發明之目的之範圍 内’可採用任意適當之物理性。支持體之成形方法，於可 達成本發明之目的之範圍内，可採用任意適當之方法。 代表性而t，可預先於上述清潔層上貼合保護薄膜，於 使用時等適當段剝離該保護薄t代表性而t，於形成 清潔層時，或於貼合（壓接）清潔層與支持體時，使用保護 薄膜來保護清潔層。 保護薄膜於可達成本發明之目的之範圍内，可採用任意 適當之薄膜。例如，可列舉塑膠薄膜或聚醯亞胺樹脂薄 膜、氟樹脂薄膜，上述塑膠薄膜包含：聚乙烯、聚丙烯、 聚丁烯、聚丁二烯、以及聚曱基戊烯等聚烯烴、聚氯乙 烯、氣乙烯共聚物、聚對苯二曱酸乙二酯、聚對苯二甲酸 丁二酯、聚胺酯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、 (曱基）乙烯丙烯酸共聚物、（曱基）丙烯酸乙二酯共聚物、 聚苯乙烯、聚碳酸酯等。 較佳的是’根據目的，藉由脫模處理劑等對保護薄膜實 施脫棋處理。對於脫換處理劑而言，例如，可列舉石夕氧系 122552.doc -18- 200821260 •氟系化合物、脂肪酸醯胺系化 合物。尤其好的是矽氧系化合 化合物、長鏈烷基化合物 合物、以及二氧化矽系化 物0 對於聚乙烯、聚丙 戊細等聚稀煙樹脂系 劑，仍具有脫模性， 薄膜。 烯聚丁烯、聚丁二烯、以及聚甲基 之薄臈而言，即使不使用脫模處理 因此，可將上述物質之單體用作保護
保遵薄膜之厚度較隹兔《I ^ 仏為1〜100 μπι，更好為1〇〜1〇〇 保護薄膜之形成方法，於可達成本發明之目的之範圍内， 可採用任意適當之方汰 .,, 方去。例如，可藉由射出成形法、擠壓 成形法、以及吹塑成形法來形成上述保護薄膜。 作為本發明之清潔構件之用途，於本發明之目的之範圍 内，可採用任意適當之用途。較佳的是，將本發明之清潔 構件用於除去基板±之異物，或詩除去基板處理裝置内 之異物。更具體而言，例如，本發明之清潔構件可較佳地 用於對半導體、平板顯示器、印刷基板等之製造裝置或檢 查裝置等不耐細微異物之基板處理裝置進行清潔。作為搬 送至基板處理裝置内而進行清潔時所使用之搬送構件，於 本發明之目的之範圍内’可採用任意適當之搬送構件。具 體而言，例如，可列舉：半導體晶圓、LCD (Liquid CrysW Display，液晶顯示器）、pDp (pia_ d
Pane卜電漿顯示面板）等平板顯示器用基板，以及其他光 碟、MR (Magneto Resistive，磁阻）磁頭等之基板。 本發明中，進行除塵之基板處理裝置無特別限定，例 I22552.doc -19· 200821260 如’可列舉曝光裝置、光阻塗佈裳置、顯影裝置、灰化裝 置、乾式蝕刻裝置、離子注入裝置、pVD (physical Deposition，物理氣相沈積）裝置、cvd裝置、外觀檢查裝 置、以及晶圓探測器等。 B·具清潔功能之搬送構件 圖2係本發明之具清潔功能之搬送構件之概略剖面圖。 如圖2所不，具清潔功能之搬送構件200具有搬送構件5〇與 清潔層20，該清潔層2〇位於搬送構件5〇之至少一面（圖示 例中為一面）。亦即，於該實施形態中，清潔層2〇直楱形 成於搬送構件50上。於裝置内搬送上述具清潔功能之搬送 構件，使该搬送構件移動並與被清洗部位接觸，藉此，可 簡便且確實地清潔並除去附著於上述裝置内之異物，而不 會產生搬送故障。 作為圖1(c)或圖2所示之本發明之搬送構件5〇，根據作為 須除去異物之對象之基板處理裝置的種類，可使用任意適 當之基板。作為具體例’可列舉：半導體晶圓（例如，矽 晶圓）、LCD、PDP等平板顯示器用基板，以及光碟、mr 磁頭等之基板。 關於上述具清潔功能之搬送構件之清潔層2〇，可援用上 述A項之清潔層之說明。 可將清潔薄片貼合至搬送構件上，以製造上述具清潔功 能之搬送構件，亦可將清潔層直接設置於搬送構件之至少 一面，以製造上述具清潔功能之搬送構件。亦即，亦可藉 由如下方法來形成清潔層’該方法係指塗佈作為清潔層： 122552.doc -20- 200821260 材料之上述A項中所說明的硬化型樹脂組成物、或具有耐 熱性之高分子樹脂，藉由活化能源來使上述硬化型樹脂組 成物或高分子樹脂硬化，或者於乾燥後，對上述硬化型樹 脂組成㈣高分子樹脂進行高溫熱處理。於形成上述清潔 2之後或者於形成上述清潔層之過程中’較佳的是，於= 清潔層上貼合上述A項中所說明之保護薄膜。 C·清潔方法
本發明之清潔方法包括將本發明之清潔構件(較佳為圖 1⑷所示之實施形態）或者本發明之具清潔功能之搬送構件 搬送至基板處理裝置内之步驟。將本發明之清潔構件(較 佳為圖1(〇所示之實施形態）或者本發明之具清潔功能之搬 达構件搬送至所期望之基板處理裝置内，使本發明之清潔 構件或者本發明之具清潔功能之搬送構件與該被清洗部位 接觸’藉此’可簡便且確實地清潔並除去附著於上述被清 洗部位之異物。 —精由上述清潔方法而被清洗之基板處理裝置無特別限 定。作為基板處理裝置之具體例’除可列舉已於本說明書 中揭丁之衣置之外，亦可列舉：用於形成電路之曝光照射 裝置、光阻塗佈裝置、濺鑛裝置、離子注人裝置、乾式蚀 :裝置、晶圓探測器等各種製造裝置或檢查裝置，以及臭 ^ 機光阻塗佈機、氧化擴散爐、常壓CVD裝置、減 壓㈣裝置、電聚CVD裝置等於高溫下使用之基 裝 置等。 實施例 122552.doc -21· 200821260 以下，藉由實施例來更具體地對本發明加以說明， :明不限於該等實施例。又，實施例中之「部」係重量: [層狀構件表面之碳系奈米構造體之密度] 汁數1 em之層狀構件表面上之作為碳 妊业接、生* n 丁、木構造體之 構&之凸部的數量’藉此測定層狀構件表面之石山备太 米構造體之密度。 （面之妷糸奈
[碳系奈米構造體之直徑之最大部分以及突出部分之長 度] 利用S E Μ自側面觀察層狀構件，藉此測定碳系奈米構造 體之直徑之最大部分以及突出部分之長度。 [除塵性] 以下述方法評價除塵性。亦即，使平均粒子徑為〇·5 _ 之約10000個矽粉末均勻地附著於4吋矽晶圓上。其次，使 具有層狀構件之清潔構件之層狀構件側與附著有矽粉末之 4吋矽晶圓接觸1分鐘，其中，上述層狀構件於表面上具有 作為碳系奈米構造體之柱狀構造之凸部。其後，剝離清潔 構件，利用粒子計數器（KLA tenc〇r製、SurfScan_62〇〇Y來 測定0·5 μιη之石夕粉末粒子之個數，算出除塵率。進行3次 測定，求出0·5 μπι之矽粉末粒子之個數之平均值。 [實施例1〜4] 將鈷/鉬作為觸媒金屬而溶解於乙醇中，將該乙醇塗佈 至矽晶圓上。於25〇。(：進行氧化處理，使金屬微粒子均勻 地形成於矽晶圓上。其後，利用電爐將乙醇加熱至 122552.doc -22· 200821260 700 C，使該乙醇汽化，從而形成垂直地配向於觸媒金屬 上之多層碳奈米管（MWCNT)。藉此，製成具有層狀構件 之清潔構件（1)〜(4)，上述層狀構件於表面上具有複數個作 為碳系奈米構造體之柱狀構造之凸部。 ·、 利用掃描式電子顯微鏡（SEM)，觀察形成於清潔構件 (1)〜(4)之多層碳奈米管構造體。於表i中表示所獲得之多 層碳奈米管構造體之直徑之最大部分及突出部分之長度、 φ 以及層狀構件表面之碳系奈米構造體之密度。進而，亦於 表1中表示清潔構件（1)〜(4)之除塵性。 [比較例1 ] 將於表面上不具有作為碳系奈米構造體之柱狀構造之凸 邛的矽晶圓設為清潔構件（C1)。表丨表示清潔構件之除 塵性。 [表1]
表1表明，實施例1〜4表現出優良之除塵性，相對於北， 比較例1未能獲得充分之除塵性。 [產業上之可利用性] 本發明之清潔構件以及具清潔功能之搬送構件，可較佳 地用於清潔如各種製造裝置或檢查裝置之基板處理裝置。 【圖式簡單說明】 ' 122552.doc -23- 200821260 圖係由本發 件之概略剖面圖。 明之較佳實施形態所獲得之清潔構 圖2係由本發明之較佳 搬送構件之概略剖面圖。 實施形態所獲得之具清潔功能之 【主要元件符號說明】 10 支持體
20 30 50 100 200 清潔層 作為碳系奈米構造體之柱狀構造之凸部 搬送構件 清潔構件 具清潔功能之搬送構件
122552.doc -24-

Claims (1)

  1. 200821260 十、申請專利範圍： -種清潔構件’其係包含層狀構件者 表面具備複數個柱狀構造之凸部；件於 部為碳系奈米構造體。 “狀構‘之凸 2.如請求们之清潔構件，其 奈米管。 1灭糸奈未構造體為石炭 3· 或1 2 3 4 5 6之清潔構件，其中上述碳系奈米構造體之 “之最大部分之長度為100nm以下。 霉、體之 4. 如請求項_之清潔構件，其中 突出部分之長度為5〇_以下。 糸構造體之 5. :::項_之清潔構件’其中上述層狀構 糸示米構造體之密度為^09個/cm2以上。 之厌 6·如請求項！或2之清潔構件，其 物。 降、去基板上之異 7.如請求項1或2之清潔構件，其 U 内之異物。 、除去基板處理裝置 122552.doc 1 潔功能之搬送構件’其具有搬送構件，以及設 2 9種L:構件之至少一面上之請求項7之清潔構件。 3 9· 一種基板處理裝置之清潔方法，其包括將請求項7之青 4 潔構件搬送至基板處理裝置内之步驟。 丨 5 種基板處理裝置之清潔方法，其包括將請求項8之且 6 ^功能之搬送構件搬送至基板處理裝置内之牛驟-
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60132021T2 (de) * 2001-04-09 2008-04-10 Nitto Denko Corp., Ibaraki Etikettenblatt zum reinigen, verfahren zur herstellung eines etikettenblatts, förderelement mit reinigungsfunktion und verfahren zum reinigen einer substratbearbeitungssstation
WO2010120956A2 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 International Test Solutions Wafer manufacturing cleaning apparatus, process and method of use
JP2011112532A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Japan Electronic Materials Corp プローブクリーニング部材
CN101912848B (zh) * 2010-08-25 2012-06-20 清华大学 电致动清洁装置
JP2016043091A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 日東電工株式会社 クリーニング部材
JP6113785B2 (ja) * 2015-05-22 2017-04-12 バンドー化学株式会社 クリーニング装置
CN105496001A (zh) * 2015-12-22 2016-04-20 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种纳米碳晶牙刷及制作方法
JP6549995B2 (ja) * 2016-01-15 2019-07-24 日東電工株式会社 載置部材
JP6616194B2 (ja) * 2016-01-15 2019-12-04 日東電工株式会社 載置部材
JP6742098B2 (ja) * 2016-01-15 2020-08-19 日東電工株式会社 載置部材
JP6879692B2 (ja) * 2016-08-12 2021-06-02 日東電工株式会社 粘着性構造体
WO2018219509A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-06 Asml Netherlands B.V. Particle removal apparatus and associated system
US11434095B2 (en) 2018-02-23 2022-09-06 International Test Solutions, Llc Material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls
JP7224128B2 (ja) * 2018-08-09 2023-02-17 株式会社荏原製作所 基板用洗浄具、基板洗浄装置、基板処理装置、基板処理方法および基板用洗浄具の製造方法
US11638938B2 (en) * 2019-06-10 2023-05-02 Kla Corporation In situ process chamber chuck cleaning by cleaning substrate
US11756811B2 (en) 2019-07-02 2023-09-12 International Test Solutions, Llc Pick and place machine cleaning system and method
US20220367159A1 (en) * 2019-11-01 2022-11-17 Lam Research Corporation Systems and methods for cleaning a showerhead
US11211242B2 (en) 2019-11-14 2021-12-28 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures
US11318550B2 (en) 2019-11-14 2022-05-03 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154686A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JPH1187458A (ja) 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き半導体製造装置
JP4456666B2 (ja) * 2000-06-06 2010-04-28 日東電工株式会社 クリーニングシ―ト、クリーニング機能付き搬送部材及びこれらを用いた基板処理装置のクリーニング方法
US7132161B2 (en) * 1999-06-14 2006-11-07 Energy Science Laboratories, Inc. Fiber adhesive material
US7793668B2 (en) * 2000-06-06 2010-09-14 Nitto Denko Corporation Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them
CN100400185C (zh) * 2000-06-06 2008-07-09 日东电工株式会社 清洁片、使用清洁片的输送件、使用清洁片与输送件的基片处理设备清洁方法
US6872439B2 (en) * 2002-05-13 2005-03-29 The Regents Of The University Of California Adhesive microstructure and method of forming same
US7175762B1 (en) * 2002-06-06 2007-02-13 California Institute Of Technology Nanocarpets for trapping particulates, bacteria and spores
JP2004063669A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置クリーニングウエハとその製造方法、およびそれを用いたクリーニング方法
US7785422B2 (en) * 2004-01-05 2010-08-31 Lewis & Clark College Self-cleaning adhesive structure and methods

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