WO2008018246A1 - Cleaning member, delivery member with cleaning function, and method of cleaning substrate processing apparatus - Google Patents

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Yuki Sugo
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Description

明 細 書
クリーニング部材 クリーニング機能付搬送部材、および基板処理装置の クリーニング方法
技術分野
[0001] 本発明は、微細な異物を除去するためのクリーニング部材、クリーニング機能付搬 送部材、および該クリーニング部材または該クリーニング機能付搬送部材を用いた基 板処理装置のクリーニング方法に関する。より詳細には、例えば、半導体、フラットパ ネルディスプレイ、プリント基板、基板処理装置など、微細な異物を嫌う基板や装置 力 該異物を除去するためのクリーニング部材、該クリーニング部材を有するタリー二 ング機能付搬送部材、および該クリーニング部材または該クリーニング機能付搬送部 材を用いた基板処理装置のクリーニング方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体、フラットパネルディスプレイ、プリント基板などの製造装置や検査装置など、 異物を嫌う各種の基板処理装置などでは、各搬送系と基板とを物理的に接触させな 力 ¾搬送する。その際、基板や搬送系に異物が付着していると、後続の基板をつぎ つぎと汚染するため、定期的に装置を停止し、洗浄処理する必要がある。その結果、 基板処理装置の稼動率が低下するという問題や基板処理装置の洗浄処理のために 多大な労力が必要となるという問題がある。
[0003] このような問題を克服するため、板状部材を搬送することにより基板裏面に付着す る異物を除去する方法 (特許文献 1参照)が提案されている。このような方法によれば
、基板処理装置を停止させて洗浄処理を行う必要がないので、基板処理装置の稼動 率が低下するという問題は解消される。しかし、この方法では、微細な異物を十分に 除去することはできない。
[0004] 一方、粘着性物質を固着した基板をクリーニング部材として基板処理装置内に搬 送することにより、当該処理装置内に付着した異物をクリーニング除去する方法 (特 許文献 2参照)が提案されている。この方法は、特許文献 1に記載の方法の利点に加 えて異物の除去性にも優れるので、基板処理装置の稼動率が低下するという問題や 基板処理装置の洗浄処理のために多大な労力が必要となるという問題はいずれも解 消される。
[0005] 上記のように、粘着性物質を有するクリーニング部材にて異物をクリーニング除去 する方法は、異物を有効に除去する方法としては優れているが、粘着性物質がタリー ユング部位と強く接着しすぎて剥れないという問題が生じるおそれや、クリーニング部 位に粘着剤残りを起こして逆に汚染させてしまうという問題が生じるおそれがある。ま た、糊残りを防止するために粘着力を低下させた場合、肝心の異物の除塵性に劣る という問題がある。
[0006] また、異物の除去方法として、ウェスにアルコールをしみこませて拭く方法(アルコ ール拭き)では、異物の取り残しや異物除去にムラが生じてしまうなど、除塵性に劣る という問題があった。
[0007] 最近は、微細な異物を嫌う基板や装置で問題となる該異物のサイズがサブミクロン ( 1 /i m以下)レベルとなってきている。上記の方法では、確実にこれらサブミクロンサイ ズの異物を除去することが難しレ、。
[0008] 数十ミクロン程度の粒径を有する異物を除去するために、フォトレジストや切削研磨 によって数十ミクロン角前後のドットパターンを表面に形成したクリーニングウェハが 提案されている(特許文献 3参照)。しかし、このクリーニングウェハにおいては、ドット パターンのスペース部分に異物が保持されることによって異物が除去されるため、数 十ミクロン程度の粒径を有する異物は除去可能であるが、サブミクロンサイズの微細 な異物を十分に除去することは困難である。
特許文献 1:特開平 11 87458号公報
特許文献 2:特開平 10— 154686号公報
特許文献 3:特開 2004— 63669号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] 本発明の課題は、クリーニング部位に汚染を生じることなぐ微細な異物、好ましく はサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提 供することにある。さらに、該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送部材 、および該クリーニング部材または該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理 装置のクリーニング方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0010] 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、クリーニング部材に 備えられた層状部材の表面に、カーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部を複数 設けることによって、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った
[0011] 本発明のクリーニング部材は、表面に柱状構造の凸部を複数備えた層状部材を有 するクリーニング部材であって、該柱状構造の凸部がカーボン系ナノ構造体である。
[0012] 好ましい実施形態においては、上記カーボン系ナノ構造体がカーボンナノチュー ブである。
[0013] 好ましい実施形態においては、上記カーボン系ナノ構造体の径の最大部分の長さ 力 S lOOnm以下である。
[0014] 好ましい実施形態においては、上記カーボン系ナノ構造体の突出部分の長さが 50 μ m以!"である。
[0015] 好ましい実施形態においては、上記層状部材表面のカーボン系ナノ構造体の密度 が 1. 0 X 109個/ cm2以上である。
[0016] 好ましい実施形態においては、上記クリーニング部材は、基板上の異物の除去に 用いられる。
[0017] 好ましい実施形態においては、上記クリーニング部材は、基板処理装置内の異物 の除去に用いられる。
[0018] 本発明の別の局面によれば、クリーニング機能付搬送部材が提供される。このタリ 一二ング機能付搬送部材は、搬送部材と、該搬送部材の少なくとも片面に設けられ た上記クリーニング部材とを有する。
[0019] 本発明の別の局面によれば、基板処理装置のクリーニング方法が提供される。本 発明の基板処理装置のクリーニング方法の 1つは、上記クリーニング部材を基板処 理装置内に搬送することを含む。本発明の基板処理装置のクリーニング方法の別の 1つは、上記クリーニング機能付搬送部材を基板処理装置内に搬送することを含む。 発明の効果
[0020] 本発明によれば、クリーニング部位に汚染を生じることなぐ微細な異物、好ましくは サブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提供 すること力 S可能となる。さらに、該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送 部材、および該クリーニング部材または該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板 処理装置のクリーニング方法を提供することが可能となる。
[0021] 上記のような効果は、クリーニング部材に備えられた層状部材の表面に、カーボン 系ナノ構造体である柱状構造の凸部を複数設けることによって発現することが可能と なる。このような効果は、特に、サブミクロンレベルの微細な異物とカーボン系ナノ構 造体との立体的な絡み合レ、や、サブミクロンレベルの微細な異物とカーボン系ナノ構 造体とのファンデルワールス力によって、効果的に発現することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0022] [図 1]本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニング部材の概略断面図であ る。
[図 2]本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニング機能付搬送部材の概略 断面図である。
符号の説明
[0023] 10 支持体
20 クリーニング層
30 カーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部
50 搬送部材
100 クリーニング部材
200 クリーニング機能付搬送部材
発明を実施するための最良の形態
[0024] A.クリーニング部材
本発明のクリーニング部材は、層状部材を有する。本発明における層状部材として は、層状の構造を有する部材であれば任意の適切な部材を採用し得る。好ましくは、 下記に説明するように、支持体、クリーニング層、搬送部材である。
図 1 (a)、(b)、 (c)は、本発明の好ましい実施形態であるクリーニング部材の概略断 面図である。
図 1 (a)の実施形態においては、クリーニング部材 100は、層状部材である支持体 1 0と、その表面に備えられたカーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部 30とを有 する。凸部 30は、支持体 10の少なくとも片面に設ければ良い。すなわち、片面のみ に設けても良いし、両面に設けても良い。
図 1 (b)の実施形態においては、クリーニング部材 100は、支持体 10と、層状部材 であるクリーニング層 20とを有する。支持体 10は、 目的に応じて省略してもよレ、。タリ 一ユング層 20は、その表面に、カーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部 30を 複数備えている。図 1 (b)の実施形態において、クリーニング層 20が支持体 10上に 設けられている場合は、クリーニング層 20を設ける面は支持体 10の少なくとも片面に 設ければ良い。すなわち、片面のみに設けても良いし、両面に設けても良レ、。また、 全面に設けても良いし、端面(エッジ部)などの一部のみに設けても良い。
図 1 (c)の実施形態においては、クリーニング部材 100は、層状部材である搬送部 材 50と、その表面に備えられたカーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部 30とを 有する。凸部 30は、搬送部材 50の少なくとも片面に設ければ良い。すなわち、片面 のみに設けても良いし、両面に設けても良レ、。図 1 (c)の実施形態においては、搬送 部材表面にカーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部が設けられているので、そ のまま基板処理装置内に搬送することによって基板処理装置のクリーニング行うこと が可能である。
[0025] 上記カーボン系ナノ構造体の凸部 30は柱状構造を有している。本発明にいう柱状 構造としては、厳密に柱状の構造のみならず略柱状の構造をも含む。例えば、円柱 状構造、多角形柱状構造、コーン状構造、繊維状構造などが好ましく挙げられる。ま た、上記柱状構造の断面形状は、凸部全体にわたって均一であってもよいし不均一 であっても良い。さらに、凸部の突出は、略直線に沿って向かっていても良いし、曲 線に沿って向かっていても良レ、。
[0026] 上記カーボン系ナノ構造体としては、例えば、カーボンナノチューブ、カーボンナノ ファイバーが挙げられる。好ましくは、カーボンナノチューブである。カーボンナノチュ ーブとしては、単層カーボンナノチューブを採用しても良いし、多層カーボンナノチュ ーブを採用しても良い。機械的な強度等の観点からは、多層カーボンナノチューブ が好ましい。
[0027] 本発明においては、クリーニング部材が有する層状部材の表面に備えられた複数 の柱状構造の凸部として、カーボン系ナノ構造体を採用することにより、クリーニング 部位に汚染を生じることなぐ微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡 便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提供することが可能となる。このような 効果は、特に、サブミクロンレベルの微細な異物とカーボン系ナノ構造体との立体的 な絡み合いや、サブミクロンレベルの微細な異物とカーボン系ナノ構造体とのファン デルワールスカによって、効果的に発現することが可能となる。
[0028] 上記カーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部の突出方向と層状部材の表面と の成す角度は、本発明の目的が達成できる範囲で、任意の適切な角度が採用され 得る。例えば、層状部材の表面から凸部が略垂直に突出している形態でも良いし、 層状部材の表面から凸部が傾斜して突出している形態でも良い。
[0029] カーボン系ナノ構造体の径の最大部分の長さは、好ましくは lOOnm以下であり、よ り好ましく ίま:!〜 100nm、さら ίこ好ましく ίま:!〜 80nm、特 ίこ好ましく ίま 5〜60nm、最 も好ましくは 10〜50nmである。カーボン系ナノ構造体の径の最大部分の長さが上 記の範囲にあることにより、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便 、確実、十分に除去し得る。なお、本発明にいう「カーボン系ナノ構造体の径の最大 部分の長さ」とは、柱状構造のカーボン系ナノ構造体の断面における径の中で最も 長い部分の長さを言う。例えば、断面が略円状の場合には、当該略円の直径部分の 長さを言う。
[0030] カーボン系ナノ構造体の突出部分の長さは、好ましくは 50 a m以下であり、より好 ましくは:!〜 50 x m、さらに好ましくは:!〜 40 x m、特に好ましくは 5〜40 μ m、最も 好ましくは 5〜30 a mである。カーボン系ナノ構造体の突出部分の長さが上記の範 囲にあることにより、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、 十分に除去し得る。 [0031] カーボン系ナノ構造体の径の最大部分の長さや突出部分の長さは、任意の適切な 測定方法によって測定すれば良い。測定の容易さ等の点から、好ましくは、走査型 電子顕微鏡(SEM)を用いた測定が挙げられる。走査型電子顕微鏡(SEM)を用い た測定は、例えば、 SEM観察試料台に表面にカーボン系ナノ構造体である柱状構 造の凸部を複数備えた層状部材を貼り付け、側面方向から観察することで、カーボン 系ナノ構造体である柱状構造の凸部の突出部分の長さを求めることが可能である。
[0032] 本発明においては、上記層状部材表面のカーボン系ナノ構造体の密度が、好まし くは 1. 0 X 109個/ cm2以上であり、より好ましくは 5. 0 X 109個/ cm2以上であり、さ らに好ましくは 1. O X 101Q個/ cm2以上である。上記層状部材表面のカーボン系ナ ノ構造体の密度の上限は、好ましくは 1. 0 X 10"個 Zcm2以下であり、より好ましくは 1. 0 X 1013個 Zcm2以下であり、さらに好ましくは 1 . 0 X 1012個/ cm2以下である。 上記層状部材表面のカーボン系ナノ構造体の密度が上記の範囲にあることにより、 微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去し得る。
[0033] 本発明において、層状部材表面にカーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部を 形成する方法としては、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適切な方 法を採用し得る。例えば、レーザー蒸発法、アーク放電法、化学蒸着 (CVD)法など で形成すること力できる。
[0034] レーザー蒸着法によれば、ニッケル/コバルトなどの触媒を混ぜた炭素に YAGレ 一ザ一の強いパルス光を照射することで、比較的高い純度の単層カーボンナノチュ ーブ(SWCNT)を形成することができる。また、条件変更により、チューブ径の制御 が可能である。
[0035] アーク放電法によれば、大気圧よりやや低い圧力のアルゴンや水素雰囲気下で、 炭素棒の間に 20VZ50A程度のアーク放電を行うことで、陰極堆積物の中に多層力 一ボンナノチューブ(MWCNT)を形成することができる。また、炭素棒中にニッケル /コバルトなどの触媒を混ぜてアーク放電を行うと、容器の内側にすすとして付着す る物質の中に、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)を生成できる。アーク放電法 によれば、欠陥が少なく品質の良いカーボンナノチューブを形成することができる。
[0036] 化学蒸着 (CVD)法によれば、メタンやアセチレンなどの炭化水素、一酸化炭素、 アルコールなどを原料として、 500〜: 1000°Cで触媒金属微粒子と接触させることに より、カーボンナノチューブを形成することができる。化学蒸着(CVD)法を用いれば 、触媒金属の種類およびその配置の仕方、炭素化合物の種類など、条件の変更によ り、多層カーボンナノチューブ(MWCNT)と単層カーボンナノチューブ(SWCNT) の何れも形成することができる。また、化学蒸着(CVD)法によれば、触媒金属微粒 子を特定の基板上に配置することにより、基板面に略垂直に配向したカーボンナノチ ユーブを得ることが容易であり、本発明において好適に用いられる。
[0037] 本発明においては、カーボン系ナノ構造体を層状部材表面から一定の方向に配向 させること力好ましレ、。層状部材表面からカーボン系ナノ構造体が一定の方向に配 向していることにより、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実 、十分に除去し得る。
[0038] カーボン系ナノ構造体を層状部材表面から一定の方向に配向させる方法としては 、任意の適切な方法が採用され得る。層状部材表面に対して略垂直方向に配向した カーボンナノチューブを選択的に形成する方法としては、例えば、スパッタ、メツキ、 有機金属化合物の塗布後焼成等の方法で形成した Ni, Fe, Coからなる任意のパタ ーンに電界印加型プラズマ CVDを用いてカーボンナノチューブを成長させる方法、 触媒含有液をインクジェット法で層状部材表面に付着させて触媒を配列させる方法、 2種以上の異なる触媒金属層が積層された多層触媒金属パターンを、 CVD法に供 する前に加熱処理する方法などが挙げられる。
[0039] 炭化ケィ素(SiC)から表面分解法により、カーボンナノチューブを形成させることも できる。この方法では、真空中で SiCを加熱することで、 Siが除去され、カーボンナノ チューブを形成することができる。この方法で形成されたカーボンナノチューブは基 板面に対して略垂直に配向する傾向がある。
[0040] 上記クリーニング層の引張弾性率は、クリーニング部材の使用温度領域において 好ましくは 0. 5MPa以上であり、より好ましくは:!〜 lOOOOMPaであり、さらに好ましく は 10〜: !OOOOMPaである。引張弾性率がこのような範囲であれば、異物除去性能と 搬送性能のバランスに優れたクリーニング部材が得られる。なお、引張弾性率は、 JI S K7127に準じて測定される。クリーニング層の弾性率を上記範囲とすることで、微 細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去し得る。
[0041] 上記クリーニング層は、例えばシリコンウェハのミラー面に対する 180度引き剥がし 粘着力力 S、好ましくは 0. 2N/10mm幅以下、さらに好ましくは 0. 01〜0. 10N/1 Omm幅である。このような範囲であれば、クリーニング層は、良好な異物除去性能お よび搬送性能を有する。 180度引き剥がし粘着力は、 JIS Z0237に準じて測定され る。
[0042] 上記クリーニング層の厚みは、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の 適切な条件を採用し得る。好ましくは l〜200 z mであり、より好ましくは 5〜: 100 x m 、さらに好ましくは 5〜50 μ πιであり、特に好ましくは 5〜20 x mである。このような範 囲であれば、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分 に除去し得る。
[0043] 上記クリーニング層は、好ましくは、実質的に粘着力を有しない。ここで、実質的に 粘着性を有しないとは、粘着の本質を滑りに対する抵抗である摩擦としたとき、粘着 性の機能を代表する感圧性タックがないことを意味する。この感圧性タックは、たとえ ば Dahlquistの基準にしたがうと、粘着性物質の弾性率が IMPaまでの範囲で発現 するものである。
[0044] 上記クリーニング層を構成する材料としては、本発明の目的を達成し得る範囲にお いて、任意の適切な材料が採用され得る。クリーニング層を構成する材料の具体例と しては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フッ素系樹脂、アクリル系榭 脂、エポキシ系樹脂、ポリオレフイン系樹脂、ポリ塩化ビニル、 EVA、 PEEK, PMM A、 POM等の高分子樹脂;石英基板、ガラス基板、シリコン等の無機材料;などが挙 げられる。特に、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、シリコンは耐熱性があり、好 適に用いられる。
[0045] 上記クリーニング層を構成する材料は、本発明の目的を達成し得る範囲において、 任意の適切な添加剤をさらに含有し得る。添加剤の具体例としては、界面活性剤、 可塑剤、酸化防止剤、導電性付与材、紫外線吸収剤、光安定化剤が挙げられる。用 いる添加剤の種類および/または量を調整することにより、 目的に応じた所望の特性 を有するクリーニング層が得られる。 [0046] クリーニング層は、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適切な方法に よって形成すれば良い。例えば、クリーニング層を単層フィルムとして形成する方法、 支持体上に樹脂をコーティングする方法、樹脂層を別途形成してから支持体上に貼 着する方法などが挙げられる。より具体的には、例えば、単層フィルムで用いる方法、 クリーニング層をスピンコート法、スプレー法などを用いて、シリコンウェハなどの支持 体 (例えば、搬送部材)上に直接塗布する方法、 PETフィルムや、ポリイミドフィルム 上にコンマコート法や、フアウンテン法、グラビア法などを用いて塗工形成してタリー ニング層を形成する方法などが挙げられる。
[0047] 上記支持体としては、任意の適切な支持体を採用し得る。支持体の厚さは、本発明 の目的を達成し得る範囲において、任意の適切な厚さを採用し得る。好ましくは 500 z m以下、さらに好ましくは 3〜300 μ πι、最も好ましくは 5〜250 μ mである。
[0048] 上記支持体の表面は、隣接する層との密着性,保持性などを高めるために、慣用 の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン 化放射線処理などの化学的または物理的処理,下塗剤(例えば、上記粘着性物質) によるコーティング処理が施されていてもよい。なお、支持体は単層であっても多層 体であってもよい。
[0049] 上記支持体の材料としては、本発明の目的を達成し得る範囲において、 目的に応 じて任意の適切な材料が採用される。例えば、エンジニアリングプラスチックやスーパ 一エンジニアリングプラスチックのフィルムが挙げられる。エンジニアリングプラスチッ クおよびスーパーエンジニアリングプラスチックの具体例としては、ポリイミド、ポリェチ レン、ポリエチレンテレフタレート、ァセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリプロピ レン、ポリアミドが挙げられる。分子量などの諸物性は、本発明の目的を達成し得る範 囲において、任意の適切な物性を採用し得る。支持体の成形方法は、本発明の目的 を達成し得る範囲において、任意の適切な方法を採用し得る。
[0050] 上記クリーニング層には、代表的には、予め保護フィルムが貼り合わせられ、使用 時など適切な段階で剥離され得る。保護フィルムは、代表的には、クリーニング層の 形成時や、クリーニング層と支持体を貼り合わせる(圧着)する際、クリーニング層の 保護を目的として使用され得る。 [0051] 保護フィルムは、本発明の目的を達成し得る範囲において、任意の適切なフィルム が採用される。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポ リメチルペンテンなどのポリオレフイン、ポリ塩化ビエル、塩化ビエル共重合体、ポリエ チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニノレ 共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン'(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン'(メタ) アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネートなどからなるプラスチッ クフィルムやポリイミド、フッ素樹脂フィルムが挙げられる。
[0052] 保護フィルムは、 目的に応じて離型処理剤などで離型処理が施されていることが好 ましレ、。離型処理剤は、例えば、シリコーン系化合物、長鎖アルキル系化合物、フッ 素系化合物、脂肪酸アミド系化合物、シリカ系化合物を挙げることができる。シリコー ン系化合物が特に好ましい。
[0053] ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテンなどの ポリオレフイン樹脂系のフィルムについては、離型処理剤を用いなくとも離型性を有 するので、それ単体を保護フィルムとして使用することもできる。
[0054] 保護フィルムの厚さは、好ましくは:!〜 100 /i mであり、より好ましくは 10〜: 100 μ m である。保護フィルムの形成方法は、本発明の目的を達成し得る範囲において、任 意の適切な方法が採用され得る。例えば、射出成形法、押出成形法、ブロー成形法 により形成すること力 Sできる。
[0055] 本発明のクリーニング部材の用途としては、本発明の目的の範囲内において、任意 の適切な用途を採用し得る。好ましくは、基板上の異物の除去や、基板処理装置内 の異物の除去に用いられる。より具体的には、例えば、半導体、フラットパネルデイス プレイ、プリント基板などの製造装置や検査装置など、微細な異物を嫌う基板処理装 置のクリーニング用途に好適に用いられる。基板処理装置内を搬送させることによつ てクリーニングする場合に用いられる搬送部材としては、本発明の目的の範囲内に おいて、任意の適切な搬送部材を採用し得る。具体的には、例えば、半導体ウェハ 、 LCD、 PDPなどのフラットパネルディスプレイ用基板、その他のコンパクトディスク、 MRヘッドなどの基板が挙げられる。
[0056] 本発明において、除塵が行われる基板処理装置としては特に限定されず、たとえ ば、露光装置、レジスト塗布装置、現像装置、アツシング装置、ドライエッチング装置 、イオン注入装置、 PVD装置、 CVD装置、外観検査装置、ウェハプローバなどがあ げられる。
[0057] B.クリーニング機能付搬送部材
図 2は、本発明におけるクリーニング機能付搬送部材の概略断面図である。図 2に 示すように、クリーニング機能付搬送部材 200は、搬送部材 50と、搬送部材 50の少 なくとも片面(図示例では片面)にクリーニング層 20とを有する。すなわち、この実施 形態においては、クリーニング層 20が搬送部材 50上に直接形成されている。このよ うなクリーニング機能付搬送部材を装置内で搬送し、被洗浄部位に接触 *移動させる ことにより、上記装置内に付着する異物による搬送トラブルを生じることなく簡便かつ 確実にクリーニング除去することができる。
[0058] 図 1 (c)や図 2で示されるような、本発明における搬送部材 50としては、異物除去の 対象となる基板処理装置の種類に応じて任意の適切な基板が用いられる。具体例と しては、半導体ウェハ(例えば、シリコンウェハ)、 LCD、 PDPなどのフラットパネルデ イスプレイ用基板、コンパクトディスク、 MRヘッドなどの基板が挙げられる。
[0059] 上記クリーニング機能付搬送部材におけるクリーニング層 20については、上記 A項 におけるクリーニング層の説明が援用できる。
[0060] 上記クリーニング機能付き搬送部材は、搬送部材上にクリーニングシートを貼り合 わせて製造しても良いし、搬送部材の少なくとも片面にクリーニング層を直接設けて 製造しても良い。すなわち、クリーニング層の材料としての上記 A項で説明した硬化 型の樹脂組成物や、耐熱性を有する高分子樹脂を塗布し、活性エネルギー源により 硬化させたり、乾燥後に高温で熱処理させたりするなどの方法にて、クリーニング層 を形成してもよい。このクリーニング層の形成後または形成過程で、好ましくは、この クリーニング層上に上記 A項で説明した保護フィルムを貼り合わせる。
[0061] C.クリーニング方法
本発明におけるクリーニング方法は、本発明のクリーニング部材 (好ましくは、図 l (c )に示す実施形態)または本発明のクリーニング機能付搬送部材を基板処理装置内 に搬送することを含む。本発明のクリーニング部材 (好ましくは図 1 (c)に示す実施形 態)または本発明のクリーニング機能付搬送部材を所望の基板処理装置内に搬送し 、その被洗浄部位に接触させることにより、当該被洗浄部位に付着した異物を簡便か つ確実にクリーニング除去することができる。
[0062] 上記クリーニング方法により洗浄される基板処理装置は、特に限定されない。基板 処理装置の具体例としては、本明細書ですでに記載した装置に加えて、回路形成用 の露光照射装置、レジスト塗布装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、ドライエツ チング装置、ウェハプローバなどの各種の製造装置ゃ検查装置、さらに、オゾンアツ シヤー、レジストコ一ター、酸化拡散炉、常圧 CVD装置、減圧 CVD装置、プラズマ C VD装置などの高温下で使用される基板処理装置などが挙げられる。
実施例
[0063] 以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施 例によって限定されるものではない。また、実施例における「部」は重量基準である。
[0064] 〔層状部材表面のカーボン系ナノ構造体の密度〕
層状部材表面のカーボン系ナノ構造体の密度は、層状部材表面 lcm2上のカーボ ン系ナノ構造体である柱状構造の凸部の数を数えることにより測定した。
[0065] 〔カーボン系ナノ構造体の径の最大部分および突出部分の長さ〕
カーボン系ナノ構造体の径の最大部分および突出部分の長さは、層状部材を側面 力 SEM観察することにより測定した。
[0066] 〔除塵性〕
除塵性については以下の方法で評価した。すなわち、 4インチシリコンウェハ上に 平均粒子径 0. 5 μ mのシリコン粉末を粒子数およそ 10000個となるように均一に付 着させた。次に、表面にカーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部を備えた層状 部材を有するクリーニング部材の当該層状部材側を、シリコン粉末が付着した 4イン チシリコンウェハ上に 1分間接触させた。その後、クリーニング部材を剥離し、パーテ イタルカウンター(KLA tencor$¾、 SurfScan—6200) T、 0. 5 mのシリコン粉 末粒子の個数を測定し、除塵率を算出した。測定は 3回行い、その平均を求めた。
[0067] 〔実施例:!〜 4〕
触媒金属としてコバルト/モリブデンをエタノールに溶かし、シリコンウェハ上にコー トした。 250°Cにて酸化処理を行い、金属微粒子を均一にシリコンウェハ上に形成さ せた。その後、アルコールを電気炉で 700°Cに熱し、蒸気化させて、触媒金属上に 垂直に配向した多層カーボンナノチューブ(MWCNT)を形成させた。このようにして 、表面にカーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部を複数備えた層状部材を有 するクリーニング部材(1)〜(4)を作製した。
[0068] 走查型電子顕微鏡(SEM)にて、クリーニング部材(1)〜(4)において形成した多 層カーボンナノチューブ構造体を観察した。得られた多層カーボンナノチューブ構造 体の径の最大部分および突出部分の長さ、層状部材表面のカーボン系ナノ構造体 の密度を表 1に示す。さらに、クリーニング部材(1)〜(4)の除塵性をも表 1に示す。
[0069] 〔比較例 1〕
表面にカーボン系ナノ構造体である柱状構造の凸部を備えていないシリコンウェハ をクリーニング部材 (C1)とした。クリーニング部材 (C1 )の除塵性を表 1に示す。
[0070] [表 1]
Figure imgf000016_0001
[0071] 表 1から判るように、実施例 1〜4では優れた除塵性を示すのに対し、比較例 1では 十分な除塵性が得られなかった。
産業上の利用可能性
[0072] 本発明のクリーニング部材およびクリーニング機能付搬送部材は、各種の製造装 置ゃ検查装置のような基板処理装置のクリーニングに好適に用いられる。

Claims

請求の範囲
[1] 表面に柱状構造の凸部を複数備えた層状部材を有するクリーニング部材であって
、該柱状構造の凸部がカーボン系ナノ構造体である、クリーニング部材。
[2] 前記カーボン系ナノ構造体がカーボンナノチューブである、請求項 1に記載のタリ 一ユング部材。
[3] 前記カーボン系ナノ構造体の径の最大部分の長さが lOOnm以下である、請求項 1 または 2に記載のクリーニング部材。
[4] 前記カーボン系ナノ構造体の突出部分の長さが 50 β m以下である、請求項 1から 3 までのレ、ずれかに記載のクリーニング部材。
[5] 前記層状部材表面のカーボン系ナノ構造体の密度が 1. 0 X 109個/ cm2以上であ る、請求項 1から 4までのいずれかに記載のクリーニング部材。
[6] 基板上の異物の除去に用いられる、請求項 1から 5までのいずれかに記載のタリー ニング部材。
[7] 基板処理装置内の異物の除去に用いられる、請求項 1から 5までのいずれかに記 載のクリーニング部材。
[8] 搬送部材と、該搬送部材の少なくとも片面に設けられた請求項 7に記載のタリー二 ング部材とを有する、クリーニング機能付搬送部材。
[9] 請求項 7に記載のクリーニング部材を基板処理装置内に搬送することを含む、基板 処理装置のクリーニング方法。
[10] 請求項 8に記載のクリーニング機能付搬送部材を基板処理装置内に搬送すること を含む、基板処理装置のクリーニング方法。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60132021T2 (de) * 2001-04-09 2008-04-10 Nitto Denko Corp., Ibaraki Etikettenblatt zum reinigen, verfahren zur herstellung eines etikettenblatts, förderelement mit reinigungsfunktion und verfahren zum reinigen einer substratbearbeitungssstation
WO2010120956A2 (en) * 2009-04-14 2010-10-21 International Test Solutions Wafer manufacturing cleaning apparatus, process and method of use
JP2011112532A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Japan Electronic Materials Corp プローブクリーニング部材
CN101912848B (zh) * 2010-08-25 2012-06-20 清华大学 电致动清洁装置
JP2016043091A (ja) * 2014-08-25 2016-04-04 日東電工株式会社 クリーニング部材
JP6113785B2 (ja) * 2015-05-22 2017-04-12 バンドー化学株式会社 クリーニング装置
CN105496001A (zh) * 2015-12-22 2016-04-20 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种纳米碳晶牙刷及制作方法
JP6549995B2 (ja) * 2016-01-15 2019-07-24 日東電工株式会社 載置部材
JP6616194B2 (ja) * 2016-01-15 2019-12-04 日東電工株式会社 載置部材
JP6742098B2 (ja) * 2016-01-15 2020-08-19 日東電工株式会社 載置部材
JP6879692B2 (ja) * 2016-08-12 2021-06-02 日東電工株式会社 粘着性構造体
WO2018219509A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-06 Asml Netherlands B.V. Particle removal apparatus and associated system
US11434095B2 (en) 2018-02-23 2022-09-06 International Test Solutions, Llc Material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls
JP7224128B2 (ja) * 2018-08-09 2023-02-17 株式会社荏原製作所 基板用洗浄具、基板洗浄装置、基板処理装置、基板処理方法および基板用洗浄具の製造方法
US11638938B2 (en) * 2019-06-10 2023-05-02 Kla Corporation In situ process chamber chuck cleaning by cleaning substrate
US11756811B2 (en) 2019-07-02 2023-09-12 International Test Solutions, Llc Pick and place machine cleaning system and method
US20220367159A1 (en) * 2019-11-01 2022-11-17 Lam Research Corporation Systems and methods for cleaning a showerhead
US11211242B2 (en) 2019-11-14 2021-12-28 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures
US11318550B2 (en) 2019-11-14 2022-05-03 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154686A (ja) 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JPH1187458A (ja) 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き半導体製造装置
JP2001351960A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト、及びこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP2004063669A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置クリーニングウエハとその製造方法、およびそれを用いたクリーニング方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7132161B2 (en) * 1999-06-14 2006-11-07 Energy Science Laboratories, Inc. Fiber adhesive material
US7793668B2 (en) * 2000-06-06 2010-09-14 Nitto Denko Corporation Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them
CN100400185C (zh) * 2000-06-06 2008-07-09 日东电工株式会社 清洁片、使用清洁片的输送件、使用清洁片与输送件的基片处理设备清洁方法
US6872439B2 (en) * 2002-05-13 2005-03-29 The Regents Of The University Of California Adhesive microstructure and method of forming same
US7175762B1 (en) * 2002-06-06 2007-02-13 California Institute Of Technology Nanocarpets for trapping particulates, bacteria and spores
US7785422B2 (en) * 2004-01-05 2010-08-31 Lewis & Clark College Self-cleaning adhesive structure and methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154686A (ja) 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JPH1187458A (ja) 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き半導体製造装置
JP2001351960A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Nitto Denko Corp クリーニングシ―ト、及びこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP2004063669A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置クリーニングウエハとその製造方法、およびそれを用いたクリーニング方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2051289A4 *

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