JP2009074011A - 粘着テープの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の粘着テープの製造方法は、支持体の表面に該表面からの仰角が90度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を備え、該斜め柱状構造体のアスペクト比が1以上である粘着テープの製造方法であって、該支持体の表面に該斜め柱状構造体を斜め蒸着法によって形成する。
【選択図】図5
Description
(1+cosθ)rL=2√(rS drL d)+2√(rS vrL v)・・・(1)
ただし、式中の各記号は、それぞれ以下の通りである。
θ:接触角
rL:接触角測定液体の表面自由エネルギー
rL d:rLにおける分散力成分
rL v:rLにおける極性力成分
rS d:固体の表面自由エネルギーにおける分散力成分
rS v:固体の表面自由エネルギーにおける極性力成分
斜め柱状構造体の形成は、図5に示す巻き取り式電子ビーム(EB)真空蒸着装置を使用した。蒸着ロールの半径R=300mm、蒸着ロールの中心から蒸着源までの最短距離L1=820mm、遮へい板から蒸着源までの最短距離L2=420mm、蒸着ロールの表面から蒸着源までの最短距離L3=520mmであり、遮へい板の長さは蒸着入射角が60度となるように調整した。支持体としては、厚み25μmのポリイミドフィルム(東レデュポン製、カプトン100H)、蒸発源として二酸化シリコン(SiO2)を用い、チャンバー内到達真空度1×10−4torr、ライン速度0.22m/分、蒸着入射角60度の条件にて作製した。
支持体表面に対して水およびヨウ化メチレンを用いてそれぞれ接触角を測定し、上述の式(1)より表面自由エネルギーを算出した。
斜め柱状構造体のアスペクト比は、表面および断面SEM観察により、斜め柱状構造体表面直径と長さを測定し、長さ/直径として算出した。
斜め柱状構造体の高さは、断面SEM観察により測定した。
粘着テープをステンレス板に2kgのローラーを1往復させて圧着し、貼り合わせた。この試験片を、200℃で1時間放置した後、ステンレス板から90度の方向に粘着テープを引き剥がし、ステンレス板に粘着剤を残すことなく剥離可能か否かを目視により調べた。
8インチシリコンウェハ上に平均粒子径0.5μmのシリコン粉末を粒子数およそ10000個となるように均一に付着させた。次に、斜め柱状構造体を有する粘着テープをシリコン粉末が付着した8インチシリコンウェハ上に貼り合せ、1分間接触させた。1分後、粘着テープを取り除き、パーティクルカウンター(KLA tencor製、SurfScan−6200)にて、0.5μmのシリコン粉末粒子の個数を測定し、除塵率を評価した。測定は三度行い、その平均を求めた。
EB出力(エミッション電流)を300mAとして蒸発源のSiO2を蒸発させ、斜め柱状構造体を支持体上に形成し、粘着テープ(1)を得た。
評価結果を表1に示す。
また、断面SEM写真を図6に示す。
EB出力(エミッション電流)を400mAとした以外は実施例1と同様の方法にて蒸発源のSiO2を蒸発させ、斜め柱状構造体を支持体上に形成し、粘着テープ(2)を得た。
評価結果を表1に示す。
また、断面SEM写真を図7に示す。
EB出力(エミッション電流)を400mA、到達真空度を4×10−5torrとした以外は実施例1と同様の方法にて蒸発源のSiO2を蒸発させ、斜め柱状構造体を支持体上に形成し、粘着テープ(3)を得た。
評価結果を表1に示す。
また、断面SEM写真を図8に示す。
EB出力(エミッション電流)を100mAとした以外は実施例1と同様の方法にて蒸発源のSiO2を蒸発させ、斜め柱状構造体を支持体上に形成した。
評価結果を表1に示す。
EB出力(エミッション電流)を200mAとした以外は実施例1と同様の方法にて蒸発源のSiO2を蒸発させ、斜め柱状構造体を支持体上に形成した。
評価結果を表1に示す。
また、断面SEM写真を図9に示す。
アクリル酸ブチル100部及びアクリル酸3部からなるモノマ―混合液から得たアクリルポリマー100部に対して、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン工業製、商品名:コロネートL)2部、エポキシ系化合物(三菱瓦斯化学製、商品名:テトラッドC)0.6部を均一に混合して、アクリル系粘着剤溶液を調製した。
片面がシリコーン系離型剤にて処理されたポリエステルフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム製、商品名:MRF50、厚み50μm、幅250mm)のシリコーン離型処理面に、上記粘着剤溶液を乾燥後の厚みが10μmとなるようにコーティングして乾燥させ、厚み25μmのポリイミドフィルム(東レデュポン製、カプトン100H)上にラミネートし、粘着テープを作製した。
評価結果を表1に示す。
ライン速度を1.68m/分とした以外は実施例1と同様の方法にて蒸発源のSiO2を蒸発させ、斜め柱状構造体を支持体上に形成し、粘着テープ(4)を得た。
断面SEM写真を図10に示す。
20 集合層
30 斜め柱状構造体
40 蒸着ロール
50 遮へい板
60 蒸着源
100 粘着テープ
Claims (11)
- 支持体の表面に該表面からの仰角が90度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を備え、該斜め柱状構造体のアスペクト比が1以上である粘着テープの製造方法であって、該支持体の表面に該斜め柱状構造体を斜め蒸着法によって形成する、粘着テープの製造方法。
- 前記斜め蒸着法は、真空蒸着装置を用いる、請求項1に記載の粘着テープの製造方法。
- 前記真空蒸着装置内の到達真空度が1×10−3torr以下である、請求項2に記載の粘着テープの製造方法。
- 前記真空蒸着装置内における蒸着材料の蒸着が電子ビームによる加熱・気化によって行われる、請求項2または3に記載の粘着テープの製造方法。
- 前記斜め蒸着法は、ロールで送り出される前記支持体上に蒸着材料を蒸着させて行う、請求項1から4までのいずれかに記載の粘着テープの製造方法。
- 前記斜め蒸着法は、蒸着源と前記支持体との間に部分的な遮へい板を設けることによって該支持体上に蒸着材料を斜め蒸着させる、請求項1から5までのいずれかに記載の粘着テープの製造方法。
- 前記斜め柱状構造体の長さが100nm以上である、請求項1から6までのいずれかに記載の粘着テープの製造方法。
- 前記支持体の表面の単位面積当たりの前記斜め柱状構造体の本数が、1×108本/cm2以上である、請求項1から7までのいずれかに記載の粘着テープの製造方法。
- 前記集合層の表面の水接触角が10度以下である、請求項1から8までのいずれかに記載の粘着テープの製造方法。
- 前記集合層がクリーニング層である、請求項1から9までのいずれかに記載の粘着テープの製造方法。
- 得られる粘着テープが電子部品製造に用いられる、請求項1から10までのいずれかに記載の粘着テープの製造方法。
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