JPH04218662A - 異方性ナノ複合材料およびその製造方法 - Google Patents
異方性ナノ複合材料およびその製造方法Info
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- JPH04218662A JPH04218662A JP8788591A JP8788591A JPH04218662A JP H04218662 A JPH04218662 A JP H04218662A JP 8788591 A JP8788591 A JP 8788591A JP 8788591 A JP8788591 A JP 8788591A JP H04218662 A JPH04218662 A JP H04218662A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】 本発明は非線形光学効果、偏
光特性、光起電力効果等を有する異方性ナノ複合材料お
よびその製造方法に関するものである。
光特性、光起電力効果等を有する異方性ナノ複合材料お
よびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ナノメートルオーダーの構造単位(金属
粒子や半導体微結晶等)を分散させた複合材料は、非線
形光学効果や偏光特性を利用した応用が検討されている
。
粒子や半導体微結晶等)を分散させた複合材料は、非線
形光学効果や偏光特性を利用した応用が検討されている
。
【0003】ここで、非線形光学効果とは次のような現
象をいう。電場E、振動数ωの光が物質に入射すると、
物質内に電場Eに比例して誘起された振動数ωの正負の
電荷が分離した分極状態の波、すなわち分極波が生じ、
これが波源となって振動数ωの光が発生する。これが通
常の光と物質との相互作用であり、入射光と出射光の振
動数は同じである。ところが、物質によっては電場E、
振動数ωの入射光に対して電場En に比例して誘起さ
れた分極波がかなり強く発生する場合がある。このよう
な物質を非線形光学媒質という。この場合、入射した光
の振動数のn倍の光(入射光とは色の異なる光)が発生
したり、光の強さ(電場)の自乗によって屈折率が変化
したりするなど、特異な現象が起きる。これらを総称し
て非線形光学効果という。非線形光学効果は、レーザー
光の波長変換や光論理素子への応用が検討されている。 このような非線形光学効果は、以下に記載する量子閉じ
込め効果と深く関連している。すなわち、金属や半導体
の微粒子のサイズがナノメートルオーダーになってくる
と(以後ナノ粒子と記載する)、電子や正孔、励起子な
ど、光と物質との相互作用に関係する物質中の量子の自
由な行動が妨げられ、バルク状態とは異なった特異な現
象が生じる。これを量子閉じ込め効果という。このよう
な量子閉じ込め効果が発生すると、強い非線形光学効果
が発現することが知られている。このため、上記のよう
な微粒子の分散された媒質や、ナノメートルオーダーの
構造特徴を有する物質が非線形光学材料として有望視さ
れ、検討が進められている。
象をいう。電場E、振動数ωの光が物質に入射すると、
物質内に電場Eに比例して誘起された振動数ωの正負の
電荷が分離した分極状態の波、すなわち分極波が生じ、
これが波源となって振動数ωの光が発生する。これが通
常の光と物質との相互作用であり、入射光と出射光の振
動数は同じである。ところが、物質によっては電場E、
振動数ωの入射光に対して電場En に比例して誘起さ
れた分極波がかなり強く発生する場合がある。このよう
な物質を非線形光学媒質という。この場合、入射した光
の振動数のn倍の光(入射光とは色の異なる光)が発生
したり、光の強さ(電場)の自乗によって屈折率が変化
したりするなど、特異な現象が起きる。これらを総称し
て非線形光学効果という。非線形光学効果は、レーザー
光の波長変換や光論理素子への応用が検討されている。 このような非線形光学効果は、以下に記載する量子閉じ
込め効果と深く関連している。すなわち、金属や半導体
の微粒子のサイズがナノメートルオーダーになってくる
と(以後ナノ粒子と記載する)、電子や正孔、励起子な
ど、光と物質との相互作用に関係する物質中の量子の自
由な行動が妨げられ、バルク状態とは異なった特異な現
象が生じる。これを量子閉じ込め効果という。このよう
な量子閉じ込め効果が発生すると、強い非線形光学効果
が発現することが知られている。このため、上記のよう
な微粒子の分散された媒質や、ナノメートルオーダーの
構造特徴を有する物質が非線形光学材料として有望視さ
れ、検討が進められている。
【0004】例えば、非線形光学効果を有するナノ粒子
分散複合材料が、ガラスとナノ粒子原料を混ぜ合わせて
溶かした後、適当な温度での再熱処理によりガラス中に
ナノ粒子を析出させて製造され(NEW GLASS
Vol.3,No.4,41(1989))、ある
いはガラスとナノ粒子原料を同時に蒸着し、基板上に両
物質を堆積させると、ガラスからなる薄膜中にナノ粒子
が析出することがあり、この現象のみ、あるいはさらに
再熱処理を組み合わせてナノ粒子分散複合材料を製造し
たりしている。(光技術コンタクト Vol.27,
No.7 389(1989))。
分散複合材料が、ガラスとナノ粒子原料を混ぜ合わせて
溶かした後、適当な温度での再熱処理によりガラス中に
ナノ粒子を析出させて製造され(NEW GLASS
Vol.3,No.4,41(1989))、ある
いはガラスとナノ粒子原料を同時に蒸着し、基板上に両
物質を堆積させると、ガラスからなる薄膜中にナノ粒子
が析出することがあり、この現象のみ、あるいはさらに
再熱処理を組み合わせてナノ粒子分散複合材料を製造し
たりしている。(光技術コンタクト Vol.27,
No.7 389(1989))。
【0005】ところで、このようなナノメートルオーダ
ーの構造単位、例えば微粒子が分散された媒質において
は、各微粒子が発現する非線形光学効果が互いに強め合
うように働かなければ、全体として強い非線形光学効果
が発現しない。例えば、上記のような手法で製造されて
いるナノ粒子分散複合材料では、ナノ粒子のサイズのバ
ラツキが大きく、結晶軸も揃っていない。このため、非
線形光学効果等の特性にもバラツキが生じている(科学
技術庁研究開発局総合研究課監修、昭和63年度科学技
術庁委託調査研究報告「物質・材料の極微少領域におけ
る素機能の計測・評価・制御技術に関する調査」)。
ーの構造単位、例えば微粒子が分散された媒質において
は、各微粒子が発現する非線形光学効果が互いに強め合
うように働かなければ、全体として強い非線形光学効果
が発現しない。例えば、上記のような手法で製造されて
いるナノ粒子分散複合材料では、ナノ粒子のサイズのバ
ラツキが大きく、結晶軸も揃っていない。このため、非
線形光学効果等の特性にもバラツキが生じている(科学
技術庁研究開発局総合研究課監修、昭和63年度科学技
術庁委託調査研究報告「物質・材料の極微少領域におけ
る素機能の計測・評価・制御技術に関する調査」)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】少なくとも1種以上の
ナノメートルオーダーの物質を、その配向方向を揃えて
間隔をおいて多数分散させた複合材料およびその製造方
法を提供することを課題とする。
ナノメートルオーダーの物質を、その配向方向を揃えて
間隔をおいて多数分散させた複合材料およびその製造方
法を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】(第1発明の構成)本発
明は、少なくとも1種以上の物質が三次元領域に間隔を
おいて多数分散し、その形態が異方的であり、その配向
方向が揃っていて、形態の厚さが平均的に数nmであり
、長さが平均的に数10nmであることを特徴とする異
方性ナノ複合材料に関するものである。
明は、少なくとも1種以上の物質が三次元領域に間隔を
おいて多数分散し、その形態が異方的であり、その配向
方向が揃っていて、形態の厚さが平均的に数nmであり
、長さが平均的に数10nmであることを特徴とする異
方性ナノ複合材料に関するものである。
【0008】(第2発明の構成)本発明は、減圧容器内
において、基板面上に蒸着する物質の融点の低い方の1
/3以下の温度を設定した基板の面法線に対し30〜8
9度傾斜した方向を中心とする方向から一方の物質を、
それと30度以上異なる方向を中心とする方向から他方
の物質を基板面上に同時に蒸着することを特徴とする異
方性ナノ複合材料の製造方法に関するものである。
において、基板面上に蒸着する物質の融点の低い方の1
/3以下の温度を設定した基板の面法線に対し30〜8
9度傾斜した方向を中心とする方向から一方の物質を、
それと30度以上異なる方向を中心とする方向から他方
の物質を基板面上に同時に蒸着することを特徴とする異
方性ナノ複合材料の製造方法に関するものである。
【発明の効果】(第1発明の効果)
【0009】本発明に係るナノ複合材料は、少なくとも
1種以上のナノメートルオーダーの微細な物質が三次元
領域に間隔をおいて多数分散し、しかもそれらの物質が
異方的で、その配列方向が揃っているので、ナノ粒子に
基づく非線形光学効果を強調することができる。この結
果、光双安定性、位相共役波発生等の高効率な材料とし
て用いることも可能である。
1種以上のナノメートルオーダーの微細な物質が三次元
領域に間隔をおいて多数分散し、しかもそれらの物質が
異方的で、その配列方向が揃っているので、ナノ粒子に
基づく非線形光学効果を強調することができる。この結
果、光双安定性、位相共役波発生等の高効率な材料とし
て用いることも可能である。
【0010】また本複合材料は優れた偏光特性を示す。
従来の平行に配列した導体ワイヤーより構成される(ワ
イヤー)グリッド偏光子では、ワイヤーの間隔が入射光
の波長より短い時、偏光子として作用し、ワイヤーに対
して平行な偏光成分は反射し、垂直な偏光成分は透過す
るという原理を用いている。しかし、上記ワイヤー間隔
は、レーザーの2光束干渉により形成される干渉縞をフ
ォトレジストに記録するホログラフィック露光法とイオ
ンビームエッチング法を用いてもせいぜい数100nm
オーダーであり、使用できる波長範囲は近赤外領域まで
で、可視光領域にすることは難しい。本複合材料は、ナ
ノメートルオーダーの構造のため、グリット偏光子と同
じ原理に基づき、より短波長まで使用できる偏光板とす
ることができる。
イヤー)グリッド偏光子では、ワイヤーの間隔が入射光
の波長より短い時、偏光子として作用し、ワイヤーに対
して平行な偏光成分は反射し、垂直な偏光成分は透過す
るという原理を用いている。しかし、上記ワイヤー間隔
は、レーザーの2光束干渉により形成される干渉縞をフ
ォトレジストに記録するホログラフィック露光法とイオ
ンビームエッチング法を用いてもせいぜい数100nm
オーダーであり、使用できる波長範囲は近赤外領域まで
で、可視光領域にすることは難しい。本複合材料は、ナ
ノメートルオーダーの構造のため、グリット偏光子と同
じ原理に基づき、より短波長まで使用できる偏光板とす
ることができる。
【0011】また、ナノメートルオーダーの厚さの、2
種類の半導体を用いて本発明に係るナノ複合材料を構成
した場合、偏平なナノメートルオーダーの異方性粒子が
交互に密接して光起電力素子を構成し、丁度微細なヘテ
ロ接合太陽電池が無数に直列接続したような効果を生じ
、電流出力を落とさずに、大電圧を発生できる高出力太
陽電池を構成できる。また、本複合材料は複屈折性を発
現することもできる。(第2発明の効果)
種類の半導体を用いて本発明に係るナノ複合材料を構成
した場合、偏平なナノメートルオーダーの異方性粒子が
交互に密接して光起電力素子を構成し、丁度微細なヘテ
ロ接合太陽電池が無数に直列接続したような効果を生じ
、電流出力を落とさずに、大電圧を発生できる高出力太
陽電池を構成できる。また、本複合材料は複屈折性を発
現することもできる。(第2発明の効果)
【0012】
本発明の製造方法によれば、従来不可能であった異方性
を有するナノメートルオーダーの寸法がほぼ揃った粒子
を配向性を持たせて多数分散させた異方性ナノ複合材料
を製造することができる。また、本製造方法は、複雑な
工程によらず気相から膜として基板上に析出させた時点
で異方性ナノ複合材料を形成でき、簡易である。また、
大面積化も可能である。
本発明の製造方法によれば、従来不可能であった異方性
を有するナノメートルオーダーの寸法がほぼ揃った粒子
を配向性を持たせて多数分散させた異方性ナノ複合材料
を製造することができる。また、本製造方法は、複雑な
工程によらず気相から膜として基板上に析出させた時点
で異方性ナノ複合材料を形成でき、簡易である。また、
大面積化も可能である。
【実施例】(第1発明の具体例)
【0013】前記第1発明をさらに具体化した具体例に
ついて説明する。本具体例に係る異方性ナノ複合材料は
、少なくとも1種以上の物質を用いる。その組織は、無
機質の酸化物質、(MgO、Al2 O3 、SiO、
SiO2 TiO2 、V2 O5 、CuO、ZnO
、GeO2 、ZnO2 、Nb2 O5 、MoO3
、In2 O3 、SnO2 、HfO2 、Ta2
O5 、WO3 、Bi2 O3 、La2 O3
、CeO2 等)フッ化物質(CaF2 、CeF2
、MgF2 等)、半導体(CdS、CdSe、CdT
e、GaAs、Ge、ZnTe、ZnS等)、金属(F
e、Co、Ni、Au、Ag、Al、Pt、Ca等)か
ら構成される。通常は、これら各組成の2種類の物質を
次に例示するように組み合わせて用いる。 ■ 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物
質が半導体又は金属である場合。かかる組成の複合材料
は非線形光学効果等を示す。 ■ 一つの物質が半導体であり、他の物質も同様に半
導体であるが初めの物質とは異なる半導体である場合。 かかる組成の複合材料は、光起電力素子等として用いる
ことができる。 ■ 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物
質が金属である場合。この組み合わせの複合材料は偏光
板等として用いることができる。 ■ 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物
質が一の物質と同様の酸化物又はフッ化物であるが、一
の物質として使用したものとは異なる酸化物又はフッ化
物である場合。この様な組成の2種類のナノメートルオ
ーダーの物質が三次元領域に多数分散した複合材料は、
複屈折性を示し、位相板等に用いることができる。
ついて説明する。本具体例に係る異方性ナノ複合材料は
、少なくとも1種以上の物質を用いる。その組織は、無
機質の酸化物質、(MgO、Al2 O3 、SiO、
SiO2 TiO2 、V2 O5 、CuO、ZnO
、GeO2 、ZnO2 、Nb2 O5 、MoO3
、In2 O3 、SnO2 、HfO2 、Ta2
O5 、WO3 、Bi2 O3 、La2 O3
、CeO2 等)フッ化物質(CaF2 、CeF2
、MgF2 等)、半導体(CdS、CdSe、CdT
e、GaAs、Ge、ZnTe、ZnS等)、金属(F
e、Co、Ni、Au、Ag、Al、Pt、Ca等)か
ら構成される。通常は、これら各組成の2種類の物質を
次に例示するように組み合わせて用いる。 ■ 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物
質が半導体又は金属である場合。かかる組成の複合材料
は非線形光学効果等を示す。 ■ 一つの物質が半導体であり、他の物質も同様に半
導体であるが初めの物質とは異なる半導体である場合。 かかる組成の複合材料は、光起電力素子等として用いる
ことができる。 ■ 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物
質が金属である場合。この組み合わせの複合材料は偏光
板等として用いることができる。 ■ 一つの物質が酸化物又はフッ化物であり、他の物
質が一の物質と同様の酸化物又はフッ化物であるが、一
の物質として使用したものとは異なる酸化物又はフッ化
物である場合。この様な組成の2種類のナノメートルオ
ーダーの物質が三次元領域に多数分散した複合材料は、
複屈折性を示し、位相板等に用いることができる。
【0014】また、物質は異方的であって、異方的形態
の厚さが平均的に数nmであり、長さが平均的に数10
nmであることが必要である。また、この異方性物質は
その配向方向が揃っていなければならない。配向してい
なければ偏光特性、非線形光学効果を発現させることが
できない。その構造の代表例を模式的に図1〜3に、ま
た写真で図8〜10、図13に示す。
の厚さが平均的に数nmであり、長さが平均的に数10
nmであることが必要である。また、この異方性物質は
その配向方向が揃っていなければならない。配向してい
なければ偏光特性、非線形光学効果を発現させることが
できない。その構造の代表例を模式的に図1〜3に、ま
た写真で図8〜10、図13に示す。
【0015】図1は2種類の物質(黒色部2と白色部3
で表現)が密接して多数分散し、黒色部の平均的厚さが
数nm、平均的長さが数10nmである場合である。1
は基板である。
で表現)が密接して多数分散し、黒色部の平均的厚さが
数nm、平均的長さが数10nmである場合である。1
は基板である。
【0016】図2は平均的厚さ数nm、平均的長さ数1
0nm、高さは基板面から膜表面に至る物質が空隙を介
して多数分散し、2種類の板状の物質が対向して貼り合
わされた状態となっている場合である。
0nm、高さは基板面から膜表面に至る物質が空隙を介
して多数分散し、2種類の板状の物質が対向して貼り合
わされた状態となっている場合である。
【0017】図3は平均的厚さ数nm、平均的長さ10
nm、高さは基板面から膜表面に至る物質が互いにその
一部が密接して基板面法線に対し傾斜して多数分散して
いる場合である。また、2種類の板状の物質が互いに対
向して貼り合わされた1対の形となっており、長さ方向
において隣合った一対の物質の間隔が形成されている。
nm、高さは基板面から膜表面に至る物質が互いにその
一部が密接して基板面法線に対し傾斜して多数分散して
いる場合である。また、2種類の板状の物質が互いに対
向して貼り合わされた1対の形となっており、長さ方向
において隣合った一対の物質の間隔が形成されている。
【0018】また、図8〜10および図13は膜面の構
造を示したものであり、比較的 暗い部分と、比較的
明るい部分とが交互に基板面上を埋め尽くしている。前
記各領域は種々の形状を有しており、それらの形状を全
体的に平均して捉えると縦方向に延びた平均的厚さが数
nm、平均的長さが数10nmである。また、前記各領
域を個々に捉えた場合、大部分その形状は平均的厚さが
数nm、平均的長さが数10nmである。(第2発明の
具体例)
造を示したものであり、比較的 暗い部分と、比較的
明るい部分とが交互に基板面上を埋め尽くしている。前
記各領域は種々の形状を有しており、それらの形状を全
体的に平均して捉えると縦方向に延びた平均的厚さが数
nm、平均的長さが数10nmである。また、前記各領
域を個々に捉えた場合、大部分その形状は平均的厚さが
数nm、平均的長さが数10nmである。(第2発明の
具体例)
【0019】前記第2発明をさらに具体化した具体例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0020】本具体例に係る異方性ナノ複合材料の製造
方法は、図4に示すような装置を用いて実施する。
方法は、図4に示すような装置を用いて実施する。
【0021】減圧容器8のほぼ中央に基板1が設置され
る。該基板は、加熱装置11によって適宜加熱される。 ナノメートルオーダーの複合構造を持つ物質の蒸着は、
小型スパッタ蒸発源4および7によって行う。
る。該基板は、加熱装置11によって適宜加熱される。 ナノメートルオーダーの複合構造を持つ物質の蒸着は、
小型スパッタ蒸発源4および7によって行う。
【0022】小型スパッタ蒸発源4は、基板の面法線2
0に対し30〜89度傾斜した方向30に設置され、そ
の方向30と基板面内方位で30度以上異なり、基板面
法線20に対し−89〜89度傾斜した方向6に小型ス
パッタ蒸発源7を設置する。例えば、スパッタ蒸発源7
は基板の面法線20と方向30の張る平面上でスパッタ
蒸発源4と反対側に基板面法線20に対し0〜89度傾
けて設置する。両スパッタ蒸発源で放電を行って、ター
ゲット12から三次元物質を基板面上に同時に蒸着し、
膜を形成する。スパッタ蒸発源4および7の投入電力比
を変えると形成されるナノメートルオーダーの複合構造
を持つ物質の数密度を変えずに厚さを変化させることが
できる。また、両スパッタ蒸発源への投入電力比を変え
ると蒸着物質の傾斜角度を変化させることもできる。そ
の際、両スパッタ蒸発源の間の角度を変えずに基板面法
線を基板面法線20と方向30の張る平面内で傾けると
ナノメートルオーダーの複合構造の傾斜角度をゼロにす
ることができる。
0に対し30〜89度傾斜した方向30に設置され、そ
の方向30と基板面内方位で30度以上異なり、基板面
法線20に対し−89〜89度傾斜した方向6に小型ス
パッタ蒸発源7を設置する。例えば、スパッタ蒸発源7
は基板の面法線20と方向30の張る平面上でスパッタ
蒸発源4と反対側に基板面法線20に対し0〜89度傾
けて設置する。両スパッタ蒸発源で放電を行って、ター
ゲット12から三次元物質を基板面上に同時に蒸着し、
膜を形成する。スパッタ蒸発源4および7の投入電力比
を変えると形成されるナノメートルオーダーの複合構造
を持つ物質の数密度を変えずに厚さを変化させることが
できる。また、両スパッタ蒸発源への投入電力比を変え
ると蒸着物質の傾斜角度を変化させることもできる。そ
の際、両スパッタ蒸発源の間の角度を変えずに基板面法
線を基板面法線20と方向30の張る平面内で傾けると
ナノメートルオーダーの複合構造の傾斜角度をゼロにす
ることができる。
【0023】基板は2種類の蒸着物質の融点の低い方の
1/3以下の温度に加熱する。この範囲内の高い温度
で加熱すると蒸着物質が基板上で移動し易くなり、ナノ
メートルオーダーの物質はお互いに密接しやすくなる。 逆に低い温度で蒸着を行うと図2の如く空隙が多くなる
。
1/3以下の温度に加熱する。この範囲内の高い温度
で加熱すると蒸着物質が基板上で移動し易くなり、ナノ
メートルオーダーの物質はお互いに密接しやすくなる。 逆に低い温度で蒸着を行うと図2の如く空隙が多くなる
。
【0024】また、両スパッタ蒸発源から同一の物質を
蒸着した場合は図6に示すように該物質からナノメート
ルオーダーの物質が空隙を介して多数分散した構造とな
る。(実施例1)
蒸着した場合は図6に示すように該物質からナノメート
ルオーダーの物質が空隙を介して多数分散した構造とな
る。(実施例1)
【0025】本発明に係る異方性ナノ複合材料を製造し
、その特性を調べた。
、その特性を調べた。
【0026】異方性ナノ複合材料は図4に示した装置を
用いて製造した。減圧容器8内の中央部に設けた基板1
の面法線20に対し70度傾斜した方向30にSiO2
ターゲットを搭載した小型スパッタ蒸発源4を設置し
、20と30の張る平面上で基板の面法線20に対し方
向30と反対側に70度傾斜した方向6にCdTeター
ゲットを搭載した小型スパッタ蒸発源7を設置する。密
閉容器内のAr濃度を5×10−3mmHgとし、両ス
パッタ蒸発源で放電を開始した。SiO2 ターゲット
への投入電力を220W、CdTeターゲットへの投入
電力を180Wとし、10分間の蒸着を行い、加熱装置
11によって150℃に加熱した基板面上にSiO2
とCdTeを同時に蒸着した。
用いて製造した。減圧容器8内の中央部に設けた基板1
の面法線20に対し70度傾斜した方向30にSiO2
ターゲットを搭載した小型スパッタ蒸発源4を設置し
、20と30の張る平面上で基板の面法線20に対し方
向30と反対側に70度傾斜した方向6にCdTeター
ゲットを搭載した小型スパッタ蒸発源7を設置する。密
閉容器内のAr濃度を5×10−3mmHgとし、両ス
パッタ蒸発源で放電を開始した。SiO2 ターゲット
への投入電力を220W、CdTeターゲットへの投入
電力を180Wとし、10分間の蒸着を行い、加熱装置
11によって150℃に加熱した基板面上にSiO2
とCdTeを同時に蒸着した。
【0027】形成された膜を走査電顕(SEM)、透過
電顕(TEM)によって観察したところ、異方性ナノ複
合構造が形成されており、それを模式的に図1に示した
。黒色で示した部分は偏平で、平均的厚さは3nm、平
均的な幅は20nm、高さは約500nmで、膜厚全体
を貫通している。この黒色の物質は、入射方向に直角に
配向し、かつ基板面法線に対し、蒸着源4側に6度傾斜
していた。
電顕(TEM)によって観察したところ、異方性ナノ複
合構造が形成されており、それを模式的に図1に示した
。黒色で示した部分は偏平で、平均的厚さは3nm、平
均的な幅は20nm、高さは約500nmで、膜厚全体
を貫通している。この黒色の物質は、入射方向に直角に
配向し、かつ基板面法線に対し、蒸着源4側に6度傾斜
していた。
【0028】この膜表面からのX線回析によってその組
成を調べたところ、CdTeに対応する回折線が検出さ
れた。
成を調べたところ、CdTeに対応する回折線が検出さ
れた。
【0029】該異方性ナノ複合材料の表面から、プロー
ブ光を入射し、直線偏光として光吸収スペクトルを測定
した。結果を図5に示す。プローブ光の偏光方向と、C
dTeからなる三次元領域に存在する物質の配向方向が
、一致する場合の透過光強度が曲線1、直交する場合の
透過光強度が曲線2である。比較のためにCdTe多結
晶体の吸収スペクトルを曲線3に示す。
ブ光を入射し、直線偏光として光吸収スペクトルを測定
した。結果を図5に示す。プローブ光の偏光方向と、C
dTeからなる三次元領域に存在する物質の配向方向が
、一致する場合の透過光強度が曲線1、直交する場合の
透過光強度が曲線2である。比較のためにCdTe多結
晶体の吸収スペクトルを曲線3に示す。
【0030】図から明らかなように曲線1は多結晶体の
曲線3に近いが、曲線2の吸収端は曲線1のそれよりも
高エネルギー側にシフトしている。これは本実施例に係
る異方性ナノ複合構造による量子閉じ込め効果の異方性
を反映したものである。このように本異方性ナノ複合材
料の寸法がほぼ揃いかつ、結晶軸の方向が揃っているの
で高い効果の非線形光学効果の発現が可能となり、この
材料にレーザー光を入射したところ各ナノ粒子から発生
した高調波の間に位相差がほとんど生じないため高調波
を高い効率で発生させることができた。(実施例2)
曲線3に近いが、曲線2の吸収端は曲線1のそれよりも
高エネルギー側にシフトしている。これは本実施例に係
る異方性ナノ複合構造による量子閉じ込め効果の異方性
を反映したものである。このように本異方性ナノ複合材
料の寸法がほぼ揃いかつ、結晶軸の方向が揃っているの
で高い効果の非線形光学効果の発現が可能となり、この
材料にレーザー光を入射したところ各ナノ粒子から発生
した高調波の間に位相差がほとんど生じないため高調波
を高い効率で発生させることができた。(実施例2)
【
0031】本実施例は異方性ナノ複合材料を光学偏光板
、すなわちランダムな偏光の光から直線偏光を取り出す
基本的光学要素に適用した例を示す。
0031】本実施例は異方性ナノ複合材料を光学偏光板
、すなわちランダムな偏光の光から直線偏光を取り出す
基本的光学要素に適用した例を示す。
【0032】実施例1と同一の装置を用い小型スパッタ
蒸発源4にSiO2ターゲットを用い、小型スパッタ蒸
発源7にAlターゲットを搭載し、両ターゲットへの投
入電力をそれぞれ200W、基板を室温に保った以外は
実施例1と同一条件で基板上にSiO2 およびAlを
同時蒸着した。
蒸発源4にSiO2ターゲットを用い、小型スパッタ蒸
発源7にAlターゲットを搭載し、両ターゲットへの投
入電力をそれぞれ200W、基板を室温に保った以外は
実施例1と同一条件で基板上にSiO2 およびAlを
同時蒸着した。
【0033】形成された膜の構造をSEMならびにTE
Mで調べたところ異方性ナノ複合構造を有しており、そ
の構造を模式的に図2に示した。該構造は平均的な厚さ
が5nm、平均的長さが30nm、高さは約1,500
nmで基板面から膜表面に到る物質が三次元領域に存在
し、その物質が平均的幅5nmの空隙を介して多数分散
していた。この物質の各々はほぼ同一厚さの板状のSi
O2 とAlが貼り合わされた形となっている。また、
入射方向に直角な方向に配向している。異方性ナノメー
トルオーダーの物質が配向しているため、可視光に対し
優れた偏光特性を示した。
Mで調べたところ異方性ナノ複合構造を有しており、そ
の構造を模式的に図2に示した。該構造は平均的な厚さ
が5nm、平均的長さが30nm、高さは約1,500
nmで基板面から膜表面に到る物質が三次元領域に存在
し、その物質が平均的幅5nmの空隙を介して多数分散
していた。この物質の各々はほぼ同一厚さの板状のSi
O2 とAlが貼り合わされた形となっている。また、
入射方向に直角な方向に配向している。異方性ナノメー
トルオーダーの物質が配向しているため、可視光に対し
優れた偏光特性を示した。
【0034】従来、偏光板としては、ポリビニルアルコ
ール等の高分子の膜を一方向へ引張、径をnm以下とし
ランダムな方向に向いていたこの高分子をその方向に並
ばせ異方性を持たせ、これをヨード、メチレンブルー等
の二色性をもつ染料で染め、ガラス又はプラスチックの
板に貼り付けたもの(二色性型偏光子)がある。この二
色性型偏光子は偏光特性がそれほど良くなく、また熱に
弱い上、紫外線劣化等の樹脂特有の問題を有していた。
ール等の高分子の膜を一方向へ引張、径をnm以下とし
ランダムな方向に向いていたこの高分子をその方向に並
ばせ異方性を持たせ、これをヨード、メチレンブルー等
の二色性をもつ染料で染め、ガラス又はプラスチックの
板に貼り付けたもの(二色性型偏光子)がある。この二
色性型偏光子は偏光特性がそれほど良くなく、また熱に
弱い上、紫外線劣化等の樹脂特有の問題を有していた。
【0035】また、半導体微細加工技術を用い、SiO
2 等の基板表面に数100nm周期の周期的条溝を蝕
刻し、その溝の側面に斜めから数nmの厚さのAl等の
金属を蒸着した後、溝以外の平面に付着したAlをイオ
ンミリングを用いて除去し、アスペクト比の大きな偏光
子(グレーティング型偏光素子)を製造している。この
グレーティング型偏光素子は、周期的条溝を、光の干渉
縞を利用してフォトレジストをホログラフィック露光し
て作るため、大面積化は困難である。また、プロセスが
複雑なため、コストが高く、ディスプレイなどへの応用
には向かない。さらに条溝の周期と近い可視光の短波長
領域では、光が散乱してしまい、効率が落ちる。
2 等の基板表面に数100nm周期の周期的条溝を蝕
刻し、その溝の側面に斜めから数nmの厚さのAl等の
金属を蒸着した後、溝以外の平面に付着したAlをイオ
ンミリングを用いて除去し、アスペクト比の大きな偏光
子(グレーティング型偏光素子)を製造している。この
グレーティング型偏光素子は、周期的条溝を、光の干渉
縞を利用してフォトレジストをホログラフィック露光し
て作るため、大面積化は困難である。また、プロセスが
複雑なため、コストが高く、ディスプレイなどへの応用
には向かない。さらに条溝の周期と近い可視光の短波長
領域では、光が散乱してしまい、効率が落ちる。
【0036】本実施例に係る異方性ナノ複合材料は、優
れた偏光特性を示し、無機物質を使用しているため耐久
性にも優れている。また、偏光板を本実施例に係る製造
方法で製造すると、従来の寸法の場合に比較し、一回の
成膜で薄膜型偏光板が形成でき、低コストで簡易である
とともに、大面積化にも問題がない。(実施例3)
れた偏光特性を示し、無機物質を使用しているため耐久
性にも優れている。また、偏光板を本実施例に係る製造
方法で製造すると、従来の寸法の場合に比較し、一回の
成膜で薄膜型偏光板が形成でき、低コストで簡易である
とともに、大面積化にも問題がない。(実施例3)
【0
037】本実施例は、異方性ナノ複合材料を光の照射に
よって起電力を発生する光起電力素子に適用した例を示
す。
037】本実施例は、異方性ナノ複合材料を光の照射に
よって起電力を発生する光起電力素子に適用した例を示
す。
【0038】実施例1と同一の装置を用い、小型スパッ
タ蒸発源4にCdSターゲットを、他の小型スパッタ蒸
発源7にCdTeターゲットを搭載し、基板を室温に保
持し、CdSターゲットの投入電力を220W、CdT
eターゲットの投入電力を180Wとした以外は、実施
例1と同一条件で基板上にCdSとCdTeを同時に蒸
着した。
タ蒸発源4にCdSターゲットを、他の小型スパッタ蒸
発源7にCdTeターゲットを搭載し、基板を室温に保
持し、CdSターゲットの投入電力を220W、CdT
eターゲットの投入電力を180Wとした以外は、実施
例1と同一条件で基板上にCdSとCdTeを同時に蒸
着した。
【0039】形成された膜の構造をSEMならびにTE
Mで調べたところ、異方性ナノ複合構造を有しており、
その構造を模式的に図3に示した。この構造は平均的厚
さ5nm、平均的長さ30nm、高さは約500nmで
基板面から膜表面にわたり三次元領域に多数分散してお
り、該物質はその偏平な方向が入射方向に直角な方向に
なるように配列し、かつ基板面法線に対し、蒸発源4側
に5度傾斜していた。また、該物質は蒸着粒子の入射面
に直角な方向に互いにその一部が密接して連なっている
。この物質はほぼ同じ厚さの板状のCdSとCdTeが
貼り合わさった形を呈する。
Mで調べたところ、異方性ナノ複合構造を有しており、
その構造を模式的に図3に示した。この構造は平均的厚
さ5nm、平均的長さ30nm、高さは約500nmで
基板面から膜表面にわたり三次元領域に多数分散してお
り、該物質はその偏平な方向が入射方向に直角な方向に
なるように配列し、かつ基板面法線に対し、蒸発源4側
に5度傾斜していた。また、該物質は蒸着粒子の入射面
に直角な方向に互いにその一部が密接して連なっている
。この物質はほぼ同じ厚さの板状のCdSとCdTeが
貼り合わさった形を呈する。
【0040】本実施例に係る異方性ナノ複合材料を用い
た光起電力素子は、非常に大きな短絡電流を取り出すこ
とができた。
た光起電力素子は、非常に大きな短絡電流を取り出すこ
とができた。
【0041】従来、光起電力素子として、特開昭59−
129479公報には、ガラス基板上に透明電極、Cd
S、CdTe、対電極の各薄膜を上記順序で積層し、ガ
ラス側からの光照射により光起電力を発生する光電池が
提案されている。この光電池は、開路起電圧が750m
Vと小さく、電圧を得るためには多数の積層板を直列接
続しなければならず、大面積が必要となる欠点があった
。また、特公昭60−9179公報には、ガラス基板上
に厚さ数100nmのCdTeを斜め蒸着した異方性ナ
ノ複合材料を用いた光起電力素子が提案されている。 この斜め蒸着して配向性を持たせたCdTe膜表面
に、基板法線と蒸着粒子の入射方向を含む平面(入射面
)に直角な方向に伸びた金電極を任意の間隔で2本蒸着
した基本構成で、電極間隔1cmあたり100V以上の
光起電力を発生させ得るが、大電流を取り出せない欠点
があった。
129479公報には、ガラス基板上に透明電極、Cd
S、CdTe、対電極の各薄膜を上記順序で積層し、ガ
ラス側からの光照射により光起電力を発生する光電池が
提案されている。この光電池は、開路起電圧が750m
Vと小さく、電圧を得るためには多数の積層板を直列接
続しなければならず、大面積が必要となる欠点があった
。また、特公昭60−9179公報には、ガラス基板上
に厚さ数100nmのCdTeを斜め蒸着した異方性ナ
ノ複合材料を用いた光起電力素子が提案されている。 この斜め蒸着して配向性を持たせたCdTe膜表面
に、基板法線と蒸着粒子の入射方向を含む平面(入射面
)に直角な方向に伸びた金電極を任意の間隔で2本蒸着
した基本構成で、電極間隔1cmあたり100V以上の
光起電力を発生させ得るが、大電流を取り出せない欠点
があった。
【0042】本実施例によって製造した膜に、従来のC
dTe光起電力素子と同様な構成で電極を配置し、光起
電力素子とし、光を照射したところ、開路電圧は電極間
隔1cm当たり約40V、短絡電流は同じ形状のCdT
e起電力素子の約200倍となった。その機構は不明で
あるが、CdTe起電力素子と同様、CdS/CdTe
型光電池が直列接続された形となったためと考えられ、
短絡電流が大きくとれる理由はCdSの光導電性のため
と考えられる。(実施例4)
dTe光起電力素子と同様な構成で電極を配置し、光起
電力素子とし、光を照射したところ、開路電圧は電極間
隔1cm当たり約40V、短絡電流は同じ形状のCdT
e起電力素子の約200倍となった。その機構は不明で
あるが、CdTe起電力素子と同様、CdS/CdTe
型光電池が直列接続された形となったためと考えられ、
短絡電流が大きくとれる理由はCdSの光導電性のため
と考えられる。(実施例4)
【0043】本実施例4は、異方性ナノ複合材料を光学
位相板、すなわち、物質の複屈折性を利用し、〔直線偏
光→円偏光(特に 1/4波長板と呼ばれる)〕、ある
いは、〔直線偏光→それと相直交する直線偏光(特に
1/2波長板と呼ばれる)〕など光の偏光状態の変換を
行う基本光学要素に適用した例を示す。
位相板、すなわち、物質の複屈折性を利用し、〔直線偏
光→円偏光(特に 1/4波長板と呼ばれる)〕、ある
いは、〔直線偏光→それと相直交する直線偏光(特に
1/2波長板と呼ばれる)〕など光の偏光状態の変換を
行う基本光学要素に適用した例を示す。
【0044】実施例1と同一の装置を用い、小型スパッ
タ蒸発源4および7ともにTa2 O5 のターゲット
を搭載し、基板を室温に保持し、両ターゲットへの投入
電力を200Wとし、放電時間を30分とした以外は、
実施例と同一の条件で基板上にTa2 O5 膜を蒸着
した。
タ蒸発源4および7ともにTa2 O5 のターゲット
を搭載し、基板を室温に保持し、両ターゲットへの投入
電力を200Wとし、放電時間を30分とした以外は、
実施例と同一の条件で基板上にTa2 O5 膜を蒸着
した。
【0045】形成された膜の構造をSEMおよびTEM
で調べたところ、異方性ナノ複合構造を有しており、そ
の構造を模式的に図6に示した。すなわち、平均的厚さ
5nm、平均的長さ30nm、膜厚に相当する高さは1
,500nmである物質が基板に垂直に平均的幅3nm
の空隙を介して多数分散していた。また、この異方性を
有する物質はその偏平な方向が蒸着物質の入射方向に直
角になるように配向していた。
で調べたところ、異方性ナノ複合構造を有しており、そ
の構造を模式的に図6に示した。すなわち、平均的厚さ
5nm、平均的長さ30nm、膜厚に相当する高さは1
,500nmである物質が基板に垂直に平均的幅3nm
の空隙を介して多数分散していた。また、この異方性を
有する物質はその偏平な方向が蒸着物質の入射方向に直
角になるように配向していた。
【0046】本実施例に係る異方性ナノ複合材料薄膜は
、良好な複屈折性を示し、単層でもその複屈折性は基板
面法線方向に最大であった。
、良好な複屈折性を示し、単層でもその複屈折性は基板
面法線方向に最大であった。
【0047】従来の無機複屈折薄膜は、基板表面に斜め
に蒸着した第1層を形成後、蒸発源に対して基板を反転
した後、第2の斜めの蒸着層を形成しており、工程が複
雑になる欠点があったが、本実施例では1回の成膜で簡
易に製造できる。(実施例5)
に蒸着した第1層を形成後、蒸発源に対して基板を反転
した後、第2の斜めの蒸着層を形成しており、工程が複
雑になる欠点があったが、本実施例では1回の成膜で簡
易に製造できる。(実施例5)
【0048】本実施例は図4に示した装置を一部改良し
た装置を用い、量子サイズ効果及び光学異方性を期待で
きる異方性ナノ複合構造の形成例を示す。
た装置を用い、量子サイズ効果及び光学異方性を期待で
きる異方性ナノ複合構造の形成例を示す。
【0049】本実施例5の異方性ナノ複合構造は、図7
に示した装置を用いて作製した。図7の装置に於いては
、図1の装置に比べターゲットを基板に近づけ、成膜効
率の向上を図った。しかしこれにより基板に入射する蒸
着物質の入射角の広がりが大きくなってしまう。そこで
、基板設置位置をA位置からB位置に変更し、基板位置
から見込むターゲットの見込み角を最小限に抑えるよう
にしてある。
に示した装置を用いて作製した。図7の装置に於いては
、図1の装置に比べターゲットを基板に近づけ、成膜効
率の向上を図った。しかしこれにより基板に入射する蒸
着物質の入射角の広がりが大きくなってしまう。そこで
、基板設置位置をA位置からB位置に変更し、基板位置
から見込むターゲットの見込み角を最小限に抑えるよう
にしてある。
【0050】スパッタ蒸着源7にZnTeターゲットを
、スパッタ蒸着源4にSiO2 ターゲットを搭載する
。減圧容器8内のAr濃度を5×10−3mmHgとし
、両スパッタ蒸発源で放電を開始した。ZnTeターゲ
ットへの投入電力を10W、SiO2 ターゲットへの
投入電力を300Wとし、室温に保った基板面上にZn
TeとSiO2 を同時に蒸着した。蒸着量はZnTe
とSiO2 が重量比で1:1となるようにし、入射角
はそれぞれ55度とした。
、スパッタ蒸着源4にSiO2 ターゲットを搭載する
。減圧容器8内のAr濃度を5×10−3mmHgとし
、両スパッタ蒸発源で放電を開始した。ZnTeターゲ
ットへの投入電力を10W、SiO2 ターゲットへの
投入電力を300Wとし、室温に保った基板面上にZn
TeとSiO2 を同時に蒸着した。蒸着量はZnTe
とSiO2 が重量比で1:1となるようにし、入射角
はそれぞれ55度とした。
【0051】図8、図9、図10は形成された膜の透過
電子顕微鏡(TEM)像を3段階の観察倍率で示したも
のである。観察は膜面法線方向からなされており、蒸着
方位は各図とも水平方向であり、ZnTeが左側から、
SiO2 が右側から入射している。図8は膜面が特徴
ある微細な構造で一様に埋め尽くされていることを示し
ており、更に拡大した図9では、比較的暗い部分と比較
的明るい部分とが交互に基板面上を埋め尽くしているこ
とが明確に示されていて、前記各領域は種々の形状を呈
しているが、全体的に見たそれらの形状並びに個々に捉
えた場合の大部分の形状は共に縦方向に延びた平均的幅
が数nm、平均的長さが数10nmであり、本発明に係
る異方性ナノ複合構造が実現していることを示している
。 更に拡大した図10では、上記縦方向に延びた平均的厚
さが数nm、平均的長さが数10nmの比較的暗い領域
及びその周囲に格子像が観察され、その格子間隔がZn
Teのそれに対応することから、この領域はナノメート
ルオーダーのZnTe微結晶から構成されていることが
わかる。
電子顕微鏡(TEM)像を3段階の観察倍率で示したも
のである。観察は膜面法線方向からなされており、蒸着
方位は各図とも水平方向であり、ZnTeが左側から、
SiO2 が右側から入射している。図8は膜面が特徴
ある微細な構造で一様に埋め尽くされていることを示し
ており、更に拡大した図9では、比較的暗い部分と比較
的明るい部分とが交互に基板面上を埋め尽くしているこ
とが明確に示されていて、前記各領域は種々の形状を呈
しているが、全体的に見たそれらの形状並びに個々に捉
えた場合の大部分の形状は共に縦方向に延びた平均的幅
が数nm、平均的長さが数10nmであり、本発明に係
る異方性ナノ複合構造が実現していることを示している
。 更に拡大した図10では、上記縦方向に延びた平均的厚
さが数nm、平均的長さが数10nmの比較的暗い領域
及びその周囲に格子像が観察され、その格子間隔がZn
Teのそれに対応することから、この領域はナノメート
ルオーダーのZnTe微結晶から構成されていることが
わかる。
【0052】一方、比較的明るい領域の中心部には格子
像が観察されず、非結晶質に典型的な像であり、SiO
2 に対応している。このような構造では、半導体微粒
子ZnTe内で量子閉じ込め効果が生じ、非線形光学効
果の発現が期待される。図11はこの試料内で量子閉じ
込め効果が生じ、分光透過スペクトルが正面から蒸着(
基板温度250℃)したバルクのZnTeより光子のエ
ネルギーで高エネルギー側にシフトしていることを示す
実測データである。縦軸は透過率Tと光子のエネルギー
hωの積の自乗、横軸はhωである。バルク実測値が実
線のカーブであるのに対し、本実施例に係るZnTe−
SiO2 異方性ナノ複合材料の実測値は高エネルギー
側にシフトしている。さらに、異方性ナノ複合構造の偏
平な方向にプローブ光の直線偏光を平行になるようにし
て測定した破線のカーブより、プローブ光の直線偏光方
向を垂直になるようにして測定した一点鎖線のカーブの
方がシフト量が大きく、量子閉じ込め効果に異方性が反
映されていることを示している。図12は同試料の分光
透過率を、図8の縦方向に直線偏光した入射光で測定し
た場合と、図8の横方向に直接偏光した入射光で測定し
た場合とで、別々に示したものである。図8に示された
構造異方性を反映し、前者の方が透過率が低い。このよ
うに、マクロ的な特性も本実施例に係る異方性ナノ複合
構造が実現していることを示している。(実施例6)
像が観察されず、非結晶質に典型的な像であり、SiO
2 に対応している。このような構造では、半導体微粒
子ZnTe内で量子閉じ込め効果が生じ、非線形光学効
果の発現が期待される。図11はこの試料内で量子閉じ
込め効果が生じ、分光透過スペクトルが正面から蒸着(
基板温度250℃)したバルクのZnTeより光子のエ
ネルギーで高エネルギー側にシフトしていることを示す
実測データである。縦軸は透過率Tと光子のエネルギー
hωの積の自乗、横軸はhωである。バルク実測値が実
線のカーブであるのに対し、本実施例に係るZnTe−
SiO2 異方性ナノ複合材料の実測値は高エネルギー
側にシフトしている。さらに、異方性ナノ複合構造の偏
平な方向にプローブ光の直線偏光を平行になるようにし
て測定した破線のカーブより、プローブ光の直線偏光方
向を垂直になるようにして測定した一点鎖線のカーブの
方がシフト量が大きく、量子閉じ込め効果に異方性が反
映されていることを示している。図12は同試料の分光
透過率を、図8の縦方向に直線偏光した入射光で測定し
た場合と、図8の横方向に直接偏光した入射光で測定し
た場合とで、別々に示したものである。図8に示された
構造異方性を反映し、前者の方が透過率が低い。このよ
うに、マクロ的な特性も本実施例に係る異方性ナノ複合
構造が実現していることを示している。(実施例6)
【
0053】図7の装置を用いてWとSiの同時蒸着膜を
実施例5と同様にして基板面上に形成した。得られた膜
のTEM像を図13に示す。
0053】図7の装置を用いてWとSiの同時蒸着膜を
実施例5と同様にして基板面上に形成した。得られた膜
のTEM像を図13に示す。
【0054】この図では、Wは下方から、Siは上方か
ら蒸着されている。図8とは多少異なるが、やはり本発
明に係る異方性ナノ複合構造が実現していることを示し
ている。同様にしてPtとSiの系や、CuとSiO2
の系等、多くの物質の組み合わせにおいて実現できた
。
ら蒸着されている。図8とは多少異なるが、やはり本発
明に係る異方性ナノ複合構造が実現していることを示し
ている。同様にしてPtとSiの系や、CuとSiO2
の系等、多くの物質の組み合わせにおいて実現できた
。
【0055】図14、図15はCuとSiO2 の系に
おいて実現した本実施例に係る異方性ナノ複合構造によ
る複屈折特性(図14)、偏光特性(図15)を示す。 図14は相直交する二つの偏光板間で試料を面内回転さ
せ透過率の変化を回転角に対してプロットしたものであ
る。各点と原点を結ぶ直線の絶対値が透過光強度を、該
直線とx軸とのなす角度が回転角を示す。
おいて実現した本実施例に係る異方性ナノ複合構造によ
る複屈折特性(図14)、偏光特性(図15)を示す。 図14は相直交する二つの偏光板間で試料を面内回転さ
せ透過率の変化を回転角に対してプロットしたものであ
る。各点と原点を結ぶ直線の絶対値が透過光強度を、該
直線とx軸とのなす角度が回転角を示す。
【0056】試料に複屈折性が無ければ、直交する二つ
の偏光板の効果により透過光は無くなるはずであるが、
試料に複屈折性があると、第1の偏光板で直線偏光にさ
れた入射光は、もし試料の複屈折性の起因となっている
光学異方性の主軸方向が、直線偏光の方向からずれてい
る場合には、その直線偏光が楕円偏光に変換されるため
、第2の偏光板を透過するようになる。この効果は上記
光学異方性の主軸の方向と直線偏光の方向のずれが45
度となったときに最大となるので、透過光強度は試料の
回転角の45度毎に最大、最小を繰り返し、極座標表示
では四葉のクローバ型になる。図15は波長が632.
8nmの直線偏光による透過率測定に於いて試料を面内
回転させ透過率の変化を回転角に対してプロットしたも
のである。各点と原点を結ぶ直線の絶対値が透過光強度
を、該直線とx軸とのなす角度が回転角を示す。これら
のマクロな特性も円にならず、瓢箪形を示し、本実施例
に係る異方性を有するナノ複合材料が実現していること
を示している。
の偏光板の効果により透過光は無くなるはずであるが、
試料に複屈折性があると、第1の偏光板で直線偏光にさ
れた入射光は、もし試料の複屈折性の起因となっている
光学異方性の主軸方向が、直線偏光の方向からずれてい
る場合には、その直線偏光が楕円偏光に変換されるため
、第2の偏光板を透過するようになる。この効果は上記
光学異方性の主軸の方向と直線偏光の方向のずれが45
度となったときに最大となるので、透過光強度は試料の
回転角の45度毎に最大、最小を繰り返し、極座標表示
では四葉のクローバ型になる。図15は波長が632.
8nmの直線偏光による透過率測定に於いて試料を面内
回転させ透過率の変化を回転角に対してプロットしたも
のである。各点と原点を結ぶ直線の絶対値が透過光強度
を、該直線とx軸とのなす角度が回転角を示す。これら
のマクロな特性も円にならず、瓢箪形を示し、本実施例
に係る異方性を有するナノ複合材料が実現していること
を示している。
【図1】 本発明の実施例1において形成された異方
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
【図2】 本発明の実施例2において形成された異方
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
【図3】 本発明の実施例3において形成された異方
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
【図4】 本発明の異方性ナノ複合材料を製造するた
めの装置の一具体例を示す図である。
めの装置の一具体例を示す図である。
【図5】 光子のエネルギーと透過光強度の関係を示
す図である。
す図である。
【図6】 本発明の実施例4において形成された異方
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
性ナノ複合材料の構造を示す模式図である。
【図7】 本発明の異方性ナノ複合材料を製造するた
めの装置の一具体例を示す図である。
めの装置の一具体例を示す図である。
【図8】 本発明の実施例5において形成された異方
性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
【図9】 本発明の実施例5において形成された異方
性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
【図10】 本発明の実施例5において形成された異
方性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
方性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
【図11】 本発明の実施例5において形成された異
方性ナノ複合材料の光子のエネルギーと、透過率と光子
のエネルギーの積の自乗との関係を示す図である。
方性ナノ複合材料の光子のエネルギーと、透過率と光子
のエネルギーの積の自乗との関係を示す図である。
【図12】 本発明の実施例5において形成された異
方性ナノ複合材料の光子のエネルギーと分光透過率との
関係を示す図である。
方性ナノ複合材料の光子のエネルギーと分光透過率との
関係を示す図である。
【図13】 本発明の実施例6において形成された異
方性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
方性ナノ複合材料の粒子構造を示す図である。
【図14】 本発明の実施例6において形成された異
方性ナノ複合材料の複屈折特性を示す図である。
方性ナノ複合材料の複屈折特性を示す図である。
【図15】 本発明の実施例6において形成された異
方性ナノ複合材料の偏光特性を示す図である。
方性ナノ複合材料の偏光特性を示す図である。
1 ・・・ 基板
2 ・・・ CdTe、Al、CdS、空隙3
・・・ SiO2 、CdTe、Ta2 O5 4、
7 ・・・ 小型スパッタ蒸発源5 ・・・
真空計 8 ・・・ 減圧容器 9 ・・・ 真空ポンプ 10 ・・・ シャッタ 11 ・・・ 加熱装置 12 ・・・ ターゲット
・・・ SiO2 、CdTe、Ta2 O5 4、
7 ・・・ 小型スパッタ蒸発源5 ・・・
真空計 8 ・・・ 減圧容器 9 ・・・ 真空ポンプ 10 ・・・ シャッタ 11 ・・・ 加熱装置 12 ・・・ ターゲット
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくとも1種以上の物質が三次元領
域に間隔をおいて多数分散し、その形態が異方的であり
、その配向方向が揃っていて、その形態の厚さが平均的
に数nmであり、長さが平均的に数10nmであること
を特徴とする異方性ナノ複合材料。 - 【請求項2】 減圧容器内において、基板面上に蒸着
する物質の融点の低い方の1/3以下の温度に設定した
基板の面法線に対し30〜89度傾斜した方向を中心と
する方向から一方の物質を、それと30度以上異なる方
向を中心とする方向から他方の物質を基板面上に同時に
蒸着することを特徴とする異方性ナノ複合材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8788591A JP3259844B2 (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-26 | 異方性ナノ複合材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8025990 | 1990-03-27 | ||
JP2-80259 | 1990-03-27 | ||
JP8788591A JP3259844B2 (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-26 | 異方性ナノ複合材料およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218662A true JPH04218662A (ja) | 1992-08-10 |
JP3259844B2 JP3259844B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=26421296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8788591A Expired - Fee Related JP3259844B2 (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-26 | 異方性ナノ複合材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3259844B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003508813A (ja) * | 1999-09-07 | 2003-03-04 | モックステック | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
JP2005538573A (ja) * | 2002-09-05 | 2005-12-15 | ナノシス・インク. | ナノ構造及びナノ複合材をベースとする組成物 |
JP2006165014A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法、及び色素増感太陽電池の製造方法 |
US7113338B2 (en) | 2003-11-28 | 2006-09-26 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Thin-film structure and method for producing the same |
JP2006330107A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Ricoh Co Ltd | 偏光制御素子および光学素子 |
JP2008503880A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-02-07 | ウルトラドッツ・インコーポレイテッド | ナノ構造材料およびナノ構造材料を含む光起電力素子 |
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JP2009070883A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
JP2009074011A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Nitto Denko Corp | 粘着テープの製造方法 |
JP2009537994A (ja) * | 2006-05-15 | 2009-10-29 | スティオン コーポレイション | 半導体材料を用いた薄膜光電材料のための方法及び構造 |
JP2010523354A (ja) * | 2007-04-02 | 2010-07-15 | レンセラー・ポリテクニック・インスティチュート | 極薄マグネシウムナノブレード |
JP2013079386A (ja) * | 2012-12-04 | 2013-05-02 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ |
JP2016079486A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 株式会社日立製作所 | ナノオーダ構造体の製造方法および製造装置、並びにナノオーダ構造体を有する基板構造体 |
CN112585295A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-30 | Jx金属株式会社 | 溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP8788591A patent/JP3259844B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4672944B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2011-04-20 | モックステック・インコーポレーテッド | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
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JP4634220B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-02-16 | 株式会社リコー | 偏光制御素子および光学素子 |
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US9120671B2 (en) | 2007-04-02 | 2015-09-01 | Rensselaer Polytechnic Institute | Ultrathin magnesium nanoblades |
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JP2016079486A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 株式会社日立製作所 | ナノオーダ構造体の製造方法および製造装置、並びにナノオーダ構造体を有する基板構造体 |
CN112585295A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-30 | Jx金属株式会社 | 溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质 |
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---|---|
JP3259844B2 (ja) | 2002-02-25 |
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