KR102565000B1 - 나노 구조를 이용한 광학 위상차판 및 이를 포함하는 디스플레이 - Google Patents

나노 구조를 이용한 광학 위상차판 및 이를 포함하는 디스플레이 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 상에 나노 구조체가 수직으로 형성되고, 상기 나노 구조체의 종횡비가 1 이상인 나노 구조를 이용한 광학 위상차판 및 이를 포함하는 디스플레이에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 비스듬한 각도로 입사하는 빛의 편광 상태 조절을 위하여 상기 나노 구조체의 높이, 간격, 또는 배열을 조절하여 목적에 맞게 면 내(in-plane) 및 면 외(out-of-plane) 리타데이션(retardation)의 크기를 조절할 수 있으며, 상기 나노 구조체와 주변 매질의 굴절률 차이를 조절하여 위상차의 광학 분산(dispersion)을 조절할 수 있다.

Description

나노 구조를 이용한 광학 위상차판 및 이를 포함하는 디스플레이{Optical waveplate using nano structure and display including the same}
본 발명은 기판 상에 나노 구조체가 수직으로 형성되고, 상기 나노 구조체의 종횡비가 1 이상인 나노 구조를 이용한 광학 위상차판 및 이를 포함하는 디스플레이에 관한 것이다.
유기 EL(Ｏrganic Ｅlectro Ｌuminescence) 화상 표시 장치 등의 플랫 패널 디스플레이는 통상적으로, 평면상의 화상 표시면을 갖는다. 플랫 패널 디스플레이의 화상 표시면은, 화상을 표시할 때에도, 표시하지 않을 때에도, 그대로 평면상의 상태이었다.
이와 같은 플랫 패널 디스플레이에는,　위상차판이 자주 사용되고 있다. 예를 들어 유기 EL 화상 표시 장치에서는, 화상 표시 장치를 구성하는 전극에서의 광 반사를 방지하기 위해,　위상차판을 편광판과 조합한 원 편광판이 사용되고 있다.
이와 같은　위상차판에는, 역파장 분산성을 나타내는　위상차판이, 가시광의 넓은 파장 범위에서 동등한 위상차 성능을 발휘하는 점에서 바람직하다. 역파장 분산성을 나타내는　위상차판으로서, 역파장 분산성을 나타내는 중합성 액정 화합물을 수평 방향으로 배향시킨 상태에서 중합 경화시킨 수평 배향 액정 경화막으로 이루어지는　위상차판이 알려져 있다.
위상차판은, 액정 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치 등의 표시 장치의 구성 요소로서 널리 사용되고 있다. 이와 같은　위상차판은, 일반적으로 원하는 파장 영역(예를 들어, 가시 영역의 전체)에 있어서 원하는 리타데이션(예를 들어, 1/4 파장 또는 1/2 파장)을 일정하게 나타내는 것이 요구된다.
최근, 위상차판으로는 연신 필름이나 액정 분자 배향시킨 λ/4 판 등이 사용되고, 그 중에서도 장파장일수록 복굴절성이 커지는 성질 (역파장 분산 특성)을 나타내는 λ/4 판이 바람직하게 사용되고 있다. 또, 경사 방향으로부터 본 경우의 반사 색상 변화를 억제하는 목적으로, 봉상 액정을 수직 배향시킨 상태에서 중합 경화시킨 수직 배향 액정 경화막을 추가로 구비한 원편광판이 일본공개특허 제2015-163935호에 기재되어 있다.
또한, 미세한 파상의 요철로 이루어지는 요철 패턴이 표면에 형성되어 요철 패턴의 평균 피치가 가시광선의 파장 이하의 요철 패턴 형성 시트는 반사 방지체나　위상차판　등의 광학 소자로서 이용할 수 있는 것이 알려져 있다. 이러한 요철 패턴 형성 시트를 제조하는 방법으로서 패턴 마스크를 사용하는 가시광선에 의한 포토리소그라피 법이나, 보다 미세 가공이 가능한 자외선 레이저(laser) 조사법이나 전자선 리소그래피 법이 알려져 있다. 이들 방법에서는, 기판상에 형성된 레지스트층을 가시광선, 자외선 레이저광 혹은 전자선으로 노광해 현상해 레지스트패턴층을 형성하고, 이 레지스트패턴층을 마스크로서 건식 식각법 등에 의해 요철 형상을 형성한다.
이와 관련하여, 일본공개특허 제2008-304651호에는 미세 요철 시트의 제조 방법으로서 CD 방향의 가열 수축성 필름을 이용하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 방법으로는 머신 폭방향으로 수축시키기 때문에, 광폭인 제조 장치가 될뿐더러 큰 주름 발생을 방지하기 위해서 양엣지로 클립을 장비한 특수한 제조기가 필요하고 생산성이 떨어지며, 얻어지는 미세 요철 형상은 주로 MD 방향만 가능한 문제점이 있다.
일본 공개특허공보 제2015-163935호 일본공개특허 제2008-304651호
본 발명은 기판 상에 나노 구조체가 수직으로 형성되고, 상기 나노 구조체의 종횡비가 1 이상인 나노 구조를 이용한 광학 위상차판 및 이를 포함하는 디스플레이를 제공하고자 한다.
본 발명은 상기 나노 구조체에 의해 위상차가 발생하여 이방성뿐만 아니라 등방성 물질의 사용이 가능한 광학 위상차판을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여,
본 발명은 일실시예에서, 기판 상에 장축이 수직으로 형성된 나노 구조체; 상기 나노 구조체를 둘러싸는 주변부 매질을 포함하며, 상기 나노 구조체의 종횡비가 1 이상인 나노 구조를 이용한 광학 위상차판을 제공한다.
상기 기판은 석영 기판을 포함하는 것일 수 있다.
상기 나노 구조체는 다수의 나노 구조체가 상기 기판 상에 무작위 또는 균일하게 배열된 ZnO 나노로드를 포함하는 것일 수 있다.
상기 주변부 매질은 공기, 고분자, 산화물 중 1 종 이상을 포함하는 것일 수 있다.
상기 나노 구조체와 주변부 매질의 굴절률 차이를 조절하여 위상차의 광학 분산을 조절하는 것일 수 있다.
상기 나노 구조체의 배열을 조절하여 광학 위상차판의 면 내(in-plane) 및 면 외(out-of-plane)의 위상차(retardation)를 조절하는 것일 수 있다.
상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 외부광의 평균 반사율을 60% 이상 감소시키는 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 일실시예에서, 상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판을 포함하는 디스플레이를 제공한다.
본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 나노 구조체의 장축이 기판에 수직한 것을 포함하며 나노 구조체의 폭에 대한 높이의 비율이 1 이상인 고종횡비를 가지는 것을 특징으로 하는 것으로, 기존 위상차판과 달리 이방성뿐만 아니라 복굴절 갖지 않는 등방성 물질 등 다양한 물질이 사용 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 비스듬한 각도로 입사하는 빛의 편광 상태 조절을 위하여 상기 나노 구조체의 높이, 간격, 또는 배열을 조절하여 목적에 맞게 면 내(in-plane) 및 면 외(out-of-plane) 리타데이션(retardation)의 크기를 조절할 수 있으며, 상기 나노 구조체와 주변 매질의 굴절률 차이를 조절하여 위상차의 광학 분산(dispersion)을 조절할 수 있다.
도 1a는 본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판의 모식도를 나타낸 것이다.
도 1b는 본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판의 편광 변화를 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 (a) AFM으로 측정한 ZnO 시드 코팅 웨이퍼의 단면 높이 프로파일 및 (b) 가시 파장 범위에서 석영 및 ZnO 시드 코팅 웨이퍼의 투과율을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다른 아연 전구체로 합성된 ZnO NR의 상부 SEM 이미지이다[(a), (b): 각각 3 시간 및 6 시간의 성장 시간에 ZnON-NT 샘플의 상부 SEM 이미지; (c), (d): 각각 3 시간, 6 시간의 성장 시간에 ZnON-AC 샘플의 상부 SEM 이미지, 스케일 바는 500 nm이다].
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 다른 아연 전구체로 합성된 ZnO NR의 측면(60°) SEM 이미지이다[(a), (b): 각각 3 시간, 6 시간의 성장 시간에 ZnON-NT 샘플의 측면 SEM 이미지; (c), (d): 각각 3 시간, 6 시간의 성장 시간에 ZnON-AC 샘플의 측면 SEM 이미지, 스케일 바는 500 nm이다].
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 AFM 지형 데이터에서 계산한 (a) ZnON-NT 및 (b) ZnO-AC 샘플의 주기 주파수이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 (a) ZnON-NT 및 (b) ZnO-AC 샘플의 XRD 패턴이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 AFM으로 측정한 (a) ZnON-NT 샘플의 표면 형상, (b) ZnON-AC 샘플, 및 (c) ZnO NRs 층의 두께 대 성장 시간을 나타낸 것이고, (c)의 오차는 5 % 미만이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 (a) ZnON-NT 및 (b) ZnO-AC 샘플의 투과율(Transmittance, TR)을 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 (a) ZnON-NT 샘플, (b) ZnON-AC 샘플, (c) 서로 다른 전구체를 사용하는 ZnO NR층 두께에 대한 550 nm 파장에서의 리타데이션 분산 값을 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 3 시간 동안 성장시킨 샘플의 상면 SEM 이미지이다[(a) 하소 전 ZnON-NT, (b) 하소 후 ZnON-NT, (c) 하소 전 ZnON-AC, (d) 하소 후 ZnON-AC, 스케일 바는 500 nm 이다].
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 하소 후 ZnO NR 샘플의 XRD 패턴이다[(a) ZnO-NT, (b) ZnON-AC].
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 하소 전과 후의 ZnO NR 샘플의 투명도를 나타낸 것이다[(a) ZnON-NT, (b) ZnON-AC; 점선(ome-10-12-3315-i001): 하소 전, 실선(ome-10-12-3315-i002): 하소 후].
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 하소 전후의 ZnO NR 샘플의 리타데이션 분산을 나타낸 것이다[(a) ZnON-NT, (b) ZnON-AC; 점선(ome-10-12-3315-i001): 하소 전, 실선(ome-10-12-3315-i002): 하소 후].
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 기존의 CP 필름과 ZnO NR층이 있는 CP 필름이 부착된 OLED 패널에서 반사율을 계산하여 나타내었다[(a) 기존 LP + QWP 및 (b) LP + ZnO NR + QWP 레이어].
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 구체적으로 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
디스플레이용 위상차판으로는 연신 필름 및 복굴절 물질을 활용한 위상차판이 많이 알려져 있으며, 나노 구조를 이용한 위상차판은 1차원 격자(요철) 구조를 활용한 방법이 알려져 있을 뿐, 장축이 기판에 수직한 나노 구조가 무작위 또는 균일하게 배열된 2차원 격자 구조의 위상차판은 활발히 연구되지 않았으며, 이를 활용해 면 외 리타데이션을 이용한 나노 구조 위상차판은 고안된 바가 없다.
이에, 본 발명은 기판 상에 나노 구조체가 수직으로 형성되고, 상기 나노 구조체의 종횡비가 1 이상인 나노 구조를 이용한 광학 위상차판 및 이를 포함하는 디스플레이를 제공하고자 한다.
특히, 상기 나노 구조체로 산화아연 나노로드(ZnO Nanorod)를 포함한다.
상기 산화 아연(ZnO)은 높은 이동성과 작은 역전류를 가진 매력적인 반도체 재료로 널리 사용되었다. 이 물질은 우수한 전기적, 광학적, 전기 광학적, 기계적 및 화학적 특성으로 인해 많은 과학 분야에서 중요한 역할을 한다. 합성 조건을 변경함으로써 미세 구, 나노입자, 나노로드, 나노튜브, 나노벨트, 나노니들, 나노펠릿, 등 다양한 형태의 ZnO를 얻을 수 있다. 나노 플레이트, 나노 플라워, 눈송이 등 다양한 종류의 ZnO 동소체 중에서 ZnO 나노로드(NR)는 발광 다이오드 및 레이저, 광 검출기, 광촉매 응용, 태양 전지, 가스 센서, 전력 나노 발전기에 폭넓게 적용되어 많은 관심을 받고 있다. ZnO는 광학적으로 투명하기 때문에 다양한 종류의 전기 광학 응용 분야에서 큰 잠재력을 가지고 있다. ZnO NR의 넓은 밴드갭(약 3.37 eV) 속성은 단파장 전기 광학 애플리케이션에 사용할 수 있습니다. ZnO의 높은 엑시톤 결합 에너지(약 60 meV)는 실온 UV 레이저 제조에 적합하다.
이하, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명은 기판 상에 장축이 수직으로 형성된 나노 구조체; 상기 나노 구조체를 둘러싸는 주변부 매질을 포함하며, 상기 나노 구조체의 종횡비가 1 이상인 나노 구조를 이용한 광학 위상차판을 제공한다.
도 1a는 본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판의 모식도를 나타낸 것이고, 도 1b는 본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판의 편광 변화를 나타낸 모식도이다.
도 1a에 나타낸 바와 같이, 상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 기판 상에 나노 구조체의 장축이 수직으로 형성되고, 상기 나노 구조체의 폭에 대한 높이의 비율이 1 이상인 고종횡비를 가지는 것을 특징으로 한다. 상기 나노 구조체에 의해 위상차가 발생하여 이방성뿐만 아니라 등방성 물질의 사용이 가능하다.
상기 1 이상의 고종횡비를 가지는 나노 구조체는 폭 또는 간격이 빛의 파장보다 작은 것을 특징으로 하며, 가시광선 기준 폭이 400 nm 이하이고, 높이가 10 nm 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 나노 구조체의 폭은 10 내지 400 nm, 10 내지 300 nm, 10 내지 200 nm, 10 내지 100 nm, 10 내지 50 nm, 100 내지 400 nm, 200 내지 400 nm 또는 300 내지 400 nm일 수 있고, 높이는 10 내지 1,000 nm, 100 내지 1,000 nm, 200 내지 1,000 nm, 400 내지 1,000 nm, 600 내지 1,000 또는 800 내지 1,000 nm일 수 있다.
상기 나노 구조체와 주변부 매질의 굴절률 차이를 조절하여 위상차의 광학 분산을 조절하는 것일 수 있다.
상기 나노 구조체의 배열을 조절하여 광학 위상차판의 면 내(in-plane) 및 면 외(out-of-plane)의 위상차(retardation)를 조절하는 것일 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 복굴절 물질이 아닌 나노 구조체에 의해 리타데이션(위상차, retardation)이 발생하며, 빛이 기판(광축)에 기울어진 방향으로 입사될 때 편광 변화가 발생한다.
또한, 본 발명에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 비스듬한 각도로 입사하는 빛의 편광 상태 조절을 위하여 상기 나노 구조체의 높이, 간격, 또는 배열을 조절하여 목적에 맞게 면 내(in-plane) 및 면 외(out-of-plane) 리타데이션(retardation)의 크기를 조절할 수 있으며, 상기 나노 구조체와 주변 매질의 굴절률 차이를 조절하여 위상차의 광학 분산(dispersion)을 조절할 수 있다.
상기 기판은 석영 기판을 포함하는 것일 수 있다.
상기 기판 및 상기 나노 구조체는 광학적으로 투명하다면 어떠한 물질을 사용해도 제한은 없으나, 본 발명의 광학 위상차판을 반사형으로 사용할 시에는 기판이 금속이나 거울 등의 빛을 반사하는 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 나노 구조체는 다수의 나노 구조체가 상기 기판 상에 무작위 또는 균일하게 배열된 ZnO 나노로드를 포함하는 것일 수 있다. 종래에 디스플레이 부품으로 ZnO 나노 물질을 적용한 사례는 거의 알려진 바 없다. 상기 ZnO 나노로드를 기판에 수직으로 성장시킴으로써 복굴절 형태로 인해 +c 플레이트 특성을 나타낼 수 있다.
상기 주변부 매질은 공기, 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리디메틸실록산[poly(dimethylsiloxane), PDMS] 등의 고분자, SiO2, TiO2, ZrO2, ITO 등의 산화물, 및 석영, 다이아몬드, 사파이어 등의 광물과 유리 등의 광학적으로 투명한 물질 중 1 종 이상을 포함하는 것일 수 있다.
상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 외부광의 평균 반사율을 60% 이상 감소시키는 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 외부광의 평균 반사율을 60 내지 80%, 65 내지 80%, 70 내지 80%, 60 내지 75%, 60 내지 70% 또는 65 내지 75% 감소시키는 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판을 포함하는 디스플레이를 제공한다.
본 발명에 따른 나노 구소를 이용한 광학 위상차판을 포함하는 디스플레이는, 광학 위상차판으로 나노 구조체가 형성된 기판을 사용한 것일 수 있으며, 구체적으로 디스플레이에서 외부 반사를 제거하는데 사용되는 준 원형 편광판 (CP)의 위상차판으로 +c ZnO 나노로드를 사용한 것일 수 있다.
상기 디스플레이는 나노 구조를 이용한 광학 위상차판을 포함함으로써 외부광의 평균 반사율을 60% 이상 감소시키는 것일 수 있다. 또한, 비스듬한 각도로 입사하는 빛의 편광 상태 조절을 위하여 상기 나노 구조체의 높이, 간격, 또는 배열을 조절하여 목적에 맞게 면 내(in-plane) 및 면 외(out-of-plane) 리타데이션(retardation)의 크기를 조절할 수 있으며, 상기 나노 구조체와 주변 매질의 굴절률 차이를 조절하여 위상차의 광학 분산(dispersion)을 조절할 수 있다.
이하 본 발명에 따르는 실시예 등을 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
[실시예]
제조예
1. 재료
아세트산아연 이수화물(Zn (CH3COO) 2.2H2O, 5970-45-6), 2-메톡시에탄올(CH3OCH2CH2OH, 109-86-4), 질산아연 6수화물(Zn (NO3) 2.6H2O, 10196-18-6), 헥사메틸렌테트라민(C6H12N4, 100-97-0), 에탄올아민(NH2CH2CH2OH, 141-43-5)는 Sigma-Aldrich에서 구입하였다. 석영 웨이퍼(2 인치, 500μmT, 29-01502-01)는 iNexus, Inc (한국)에서 구입하였다.
2. ZnO 나노로드(ZnO NR) / 석영 웨이퍼의 합성
2-1. ZnO 시드층(seed layer) / 석영 웨이퍼 준비
아연 전구체 용액의 제조: 용액은 아세트산아연 이수화물 2.2 g을 전구체로 용해시켰고, 안정제로서 에탄올아민(MEA) 0.61 g을 2-에톡시에탄올 100 mL에 용해시켜 수득하였다. 균질하고 투명한 용액이 얻어질 때까지 제조된 용액을 60℃에서 2 시간 동안 교반하였다. 그 후, 용액을 사용하기 전에 실온에서 24 시간 동안 숙성시켰다.
ZnO 시드층의 준비: 석영 웨이퍼를 4 조각/웨이퍼로 자르고 100 mL의 아세톤과 100 mL의 에탄올로 10 분 동안 초음파 처리기를 사용하여 세척하여 표면의 모든 오일을 제거하였다. 그 후 웨이퍼를 탈이온수로 3 회 헹구고 압축 공기로 건조시켰다. 아연 전구체 용액 몇 방울을 세척된 웨이퍼에 뿌린 다음 750 rpm에서 10 초, 1,500 rpm에서 3 초 동안 스핀 코팅하였다. 스핀 코팅 후 웨이퍼를 핫플레이트에서 100℃에서 1 분간 건조시켰다. 코팅 공정을 2 회 반복하여 균일 한 ZnO 시드층을 얻었다. 코팅된 웨이퍼는 유기 잔류물을 제거하기 위해 공기 환경에서 1 시간 동안 300℃ 퍼니스에서 어닐링하였다.
2-2. ZnO NR의 성장
ZnO NR은 헥사메틸렌테트라민(HMT)이 존재하는 아세트산아연 또는 질산아연 수용액에서 성장시켰다. 용액 내 아연 이온 및 HMT의 농도는 각각 16 mM 및 25 mM로 유지하였다. 코팅된 웨이퍼를 테프론 홀더로 수직 배향한 다음 준비된 용액 150 mL가 들어있는 테프론 오토 클레이브에 담갔다. 성장 과정에서 준비된 용액을 오븐에서 90℃로 가열하였고 성장 시간의 효과를 평가하기 위해 3, 4, 5 및 6 시간 동안 보관했다. 그런 다음 샘플을 탈이온수로 3 회 헹구어 표면의 잔류 염분을 제거하고 압축 공기로 건조시켰다. 질산아연 및 아세트산아연으로부터 제조된 ZnO NR 샘플은 이하 각각 ZnON-NT 및 ZnON-AC로 명명하였다.
3. 재료 특성화
주사 전자 현미경(SEM, Hitachi S-4300SE, Hitachi, Ltd)을 사용하여 ZnO NR의 표면 형태를 분석하였다. ZnO NR의 구조적 특성은 Cu Kα 방사선(λ = 1.54 Å)에 의한 X-선 회절(XRD, Rigaku Ultima III, Rigaku)을 특징으로 하였다. 표면의 형태와 ZnO NR의 두께는 원자력 현미경(AFM, XE7, Park system)으로 측정하였다. 샘플의 투명도는 UV-VIS 분광 광도계(UV-2600, Shimadzu Corporation)로 측정했다.
면 외 리타데이션(Rth) 분산은 -30°에서 30°까지의 다른 입사각 θ에서 1° 단계로 리타데이션(Re)을 측정하여 얻었다. Rth는 하기 식 1과 같다.
(식 1)
여기서 nx, ny 및 nz는 x, y, z 축을 따른 주요 굴절률이고, d는 ZnO NR 층의 두께이다. 느린 축을 리타더(retarder)가 입사면에 있다고 가정하면, Re(θ)는 하기 식 2와 같다.
(식 2)
굴절률 nx, ny 및 nz는 측정 데이터를 피팅하여 측정하였으며, Rth는 굴절률에서 측정하였다.
실험예
1. ZnO 시드층의 두께와 투명도
도 2는 ZnO 시드층의 표면 지형과 투과율(Transmittance, TR)을 나타낸 것이다. 19 nm 두께의 ZnO 시드층은 도 2의 (a)에 표시된 것처럼 RMS가 2 nm 미만인 AFM을 사용하여 관찰하였다. 스핀 코팅 공정은 동일한 농도의 아세트산아연 전구체(0.1 M)에서 딥코팅 공정에 비해 더 얇은 시드층을 만든다. TR은 UV-Vis 분광법으로 측정하였으며, 도 2의 (b)에서와 같이, 1% 미만으로 약간 감소하였다.
2. 아연 전구체 및 성장 시간이 ZnO NR의 두께 및 광학적 특성에 미치는 영향 측정
다른 아연 전구체로 합성된 ZnO NR의 상부 SEM 이미지는 도 3에 나타내었다. ZnON-NT의 형태는 ZnON-AC의 형태와 분명히 다른 것을 확인할 수 있었다. ZnO NR은 질산아연 전구체에서 무작위로 성장하는 반면, 아세트산아연 전구체에서는 소그룹 모여서 성장하였다. ZnO NR의 직경은 두 전구체 모두에서 약 50 nm였다. ZnO NR의 직경은 ZnO 시드층의 입자 크기에 크게 의존하기 때문에 동일한 ZnO 시드 준비 공정이 두 전구체의 직경이 유사한 이유이다.
도 4는 다른 아연 전구체로 합성된 ZnO NR의 60°에서의 측면 SEM 이미지를 나타내었다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 아세트산아연 전구체 사용과 질산아연 전구체 사용 사이의 ZnO NR의 다른 형태를 나타내었다. ZnON-AC 샘플의 수집된 나노로드 그룹의 증가하는 크기는 성장 시간이 증가함에 따라 상부 및 측면 SEM 이미지 모두에서 관찰되었다. 그러나 ZnON-NT 샘플의 나노로드 크기는 다른 성장 시간에서 유사한 것으로 관찰되었다.
ZnO NR의 크기 증가를 조사하기 위해 샘플 표면의 형태는 AFM으로 특성화되었다[도 5]. ZnO NR의 주기 주파수(period frequency)는 가우스 함수를 통해 추정되었다. ZnON-NT 샘플의 주기 주파수는 모든 반응 시간에서 광대역으로 분산된 반면, ZnON-AC 샘플의 주기 주파수는 반응 시간이 증가함에 따라 낮은 값으로 이동하였다. 이러한 결과는 ZnON-NT 샘플의 ZnO NR의 크기가 ZnON-AC 샘플의 크기보다 더 균일하고 더 크다는 것을 의미한다. 이러한 결과는 SEM 이미지와도 일치하였다.
ZnO 나노시드와 ZnO NR 샘플의 결정 구조는 10 ~ 80° 범위에서 XRD를 통해 조사하였다[도 6]. 2θ = 21.7°에서 비정질 SiO2 웨이퍼의 넓은 피크가 ZnO 나노시드에서 관찰되었다. ZnO NR 샘플의 모든 피크는 ZnO의 표준 피크와 일치하며 [002] 평면에서 34.5°~34.6° 사이에서 상당히 강한 피크를 나타내었다. 다른 피크는 [002] 평면의 피크와 비교할 때 매우 낮은 강도를 가졌다. 이러한 결과는 모든 ZnO NR 샘플이 매우 일관된 c축 방향을 가진 육각형 우르차이트(wurtzite) 구조를 가지고 있음을 의미한다. 성장 시간 6 시간에서 ZnO NR 샘플의 원소 성분은 EDS에 의해 특성화되었다. 샘플은 ZnO NR의 O 및 Zn, 석영 웨이퍼의 Si 및 O, 탄소 테이프의 C, 스퍼터링된 층의 Pt로 구성되어 측정 전 샘플의 전도도를 향상시켰다. 그 결과 순수한 ZnO NR이 아세트산아연과 질산아연 전구체를 모두 사용하여 합성되었음을 확인할 수 있었다.
ZnO NR 층의 두께는 AFM으로 측정하였다[도 7]. 두 전구체 모두 성장 시간에 따라 두께가 선형적으로 증가하였다. 아세트산아연을 전구체로 사용하는 ZnO NR의 성장 속도는 질산아연을 전구체로 사용하는 것보다 빨랐다. 질산아연과 아세트산아연 전구체에서의 다른 성장 속도는 성장 용액에서 음이온의 역할로 설명할 수 있다. 용액에서 Zn2+는 HMT의 가수 분해에서 방출 된 OH-와 반응하여 해리된 Zn(OH)4 2-를 형성한다. Zn(OH)4 2- ZnO NR로 이동하여 NR의 성장을 위해 조립 및 ZnO로 분해된다. 질산아연은 질산 음이온(NO3-)을 방출한 반면, 아세트산아연은 아세트테이트 음이온(CH3COO-)을 방출하였다. 계면활성제의 일종인 아세테이트 이온은 해리된 Zn(OH)4 2-에서 ZnO NR로 향상시키는 물의 장력과 표면 에너지를 감소시켰다. 대조적으로, 질산염 이온은 ZnO NR에서 해리된 Zn(OH)4 2-를 방지하는 물의 장력과 표면 에너지를 증가시켰다.
도 8은 ZnO NR 샘플의 투과율(Transmittance, TR)을 나타낸 것이다. 도 8에 나타낸 바와 같이, ZnO NR층의 TR은 두 전구체의 성장 시간이 증가함에 따라 크게 감소하였다. ZnON-AC 샘플의 TR은 아세트산아연을 전구체로 사용하는 ZnO NR층 두께의 빠른 증가로 인해 ZnON-NT에 비해 성장 기간에 따라 크게 감소하였다. ZnO의 가시광선 흡수는 단파장에서 강하고 장파장에서 약하다. ZnON-NT 샘플에서 성장 시간이 4, 5 및 6 시간인 샘플의 TR은 장파장에서 유사하고 단파장에서 감소하였다. ZnON-NT 샘플의 두께는 성장 기간에 따라 증가하는 것으로 보이지만 산란은 비슷하게 유지되었다. 대조적으로, ZnON-AC 샘플의 투명도는 산란 중심(SEM 이미지) 역할을 하는 더 큰 집합 그룹으로 인해 전체 파장에서 크게 감소하였다.
ZnO NR 샘플의 Rth는 도 9의 (a) 및 (b)에 나타내었다. 빛이 정상적으로 입사되었을 때 Re는 0이었으며, 이는 면내 복굴절이 없음을 의미한다(nx = ny). Re 는 θ와 함께 증가했으며, 이는 nz > nx, ny 및 Rth < 0을 의미한다. 따라서, ZnO NR 층은 광학적으로 +c-플레이트에 해당한다(nz > nx=ny). Re의 절대 크기 파장의 증가에 따라 감소, 즉 양의 분산이 관찰되었다.
550 nm 파장에서 Rth와 층 두께 사이의 관계는 도 9의 (c)에 나타내었다. ZnON-NT 샘플에서 NR의 길이는 유사한 성장 시간을 유지하면서 증가하였다. 따라서 Re의 절대 크기는 성장 시간에 따라 선형적으로 증가한다.
ZnO NR 층에서 리타데이션의 원인은 복굴절(birefringence) 형태와 관련이 있는 것으로 보인다. 균일하게 분포된 정렬 입자를 갖는 등방성 매질의 구성은 복굴절을 나타낼 수 있다. ZnO NR층은 공기 중 평행 정렬된 실린더 형 ZnO NR의 구성으로 가정할 수 있다. 평행 실린더로 구성된 복합 매체는 단축 리타더(retarder)일 수 있으며 광학 축은 실린더의 c축을 따른다. 따라서 ZnO NR은 ZnO NR이 석영 표면(z축)에 수직으로 정렬되기 때문에 c-플레이트로 작동할 수 있다.
3. 하소가 광학적 특성에 미치는 영향
300℃에서 30 분간 하소한 후 ZnO NR의 형태, 투명성 및 지연 분산을 측정하였다. 소성 전과 후 3 시간에 ZnON-NT와 ZnON-AC 샘플의 SEM 이미지는 도 10에 나타내었다. 두 샘플에서 차이점은 관찰되지 않았다.
하소 후 ZnO NR 샘플의 결정 구조는 XRD를 통해 특성화 하였다[도 11]. (002) 평면의 날카로운 피크는 2θ = 34.55°에서 여전히 관찰되었다. 이것은 하소에 의해 c축 방향이 변경되지 않았음을 의미한다. 또한 각각 (100), (101), (102), (110) 및 (103)에 해당하는 31.9°, 36.4°, 47.6°, 62.9° 및 72.6°에서 다른 피크의 강도가 증가하였다. 모든 샘플에서. 이 결과는 ZNO NR의 입자 크기가 작은 결정체의 유착으로 인해 하소 후 증가한다는 것을 의미한다. 그러나 ZnO NR의 TR은 하소 후 변하지 않았다[도 12]. 그 이유는 열수 조건에서 성장하는 동안 ZnO NR 결정(XRD 패턴)의 완벽한 구조가 형성되기 때문이다. 따라서, 구조의 결함이 적고 하소가 구조 복구에 미치는 영향이 적어 TR 증가에 도움이 된다.
도 13은 하소 전후의 ZnO NR 샘플의 Re를 나타낸 것이다. Re의 절대값은 하소 후 측정된 전체 파장에서 약간 증가하였다. 하소 공정은 아마도 ZnO NR의 이방성을 향상시켜 표면 법선 방향을 따라 굴절률을 증가시키는 것으로 사료된다.
4. 디스플레이 위상차판 필름에 적용
디스플레이 위상차판 필름(retarder film)으로 ZnO NR을 적용하였다. 최근 OLED 디스플레이는 다양한 분야에서 널리 사용되고있다. OLED 패널 내부에 금속 음극층이 있기 때문에 외부광이 반사되어 화질이 떨어진다. 외부광의 반사를 없애기 위해 광학적으로 준 원형(quasi circular) 편광판(CP)인 반사방지(Antireflection, AR) 필름을 OLED 디스플레이 패널에 부착한다. 준 원형 편광판은 선형 편광판(LP)과 1/4 파장판(QWP)으로 구성된다. 외부광은 LP와 QWP를 통과한 후 원 편광된다. 금속 음극에 반사된 후 원 편광된 빛의 손이 역전된다. 그러면 역원 편광이 최종적으로 LP에 흡수된다. 이것은 일반적으로 입사되는 빛에 대해 확실히 유효하다. 그러나 비스듬하게 입사되는 빛의 Re는 상기 식 2에서 보이는 것처럼 입사각 θ에 의존하며, 외부광을 완전히 제거할 수 없다.
한편, 식 2에서 (nz2 - nxny) 항이 0이 된다면 Re는 θ와 무관할 수 있음을 알 수 있다. 이 조건은 0 Rth 조건과 거의 동일하므로, QWP의 Rth가 0이면 입사각에 관계없이 외부광을 완전히 제거할 수 있다. 일반적으로 QWP 레이어는 광학적으로 +a 플레이트이며, 그 느린 축은 표면 평면에 있다. +a 플레이트의 Rth도 양수이고 그 크기는 평면 Re의 절반이다. 한편, ZnO NRs는 표면 법선 방향 nz를 따른 굴절률이 다른 것보다 큰 광학적으로 +c 플레이트이다. 따라서 +c 플레이트의 Rth는 음수이다. 따라서 QWP 레이어에 ZnO NR을 적층하여 QWP의 순 Rth를 줄일 수 있다. 실제로 ZnO 적층 QWP의 Rth는 ZnO 층의 두께를 조정하여 0이 될 수 있다.
기존의 CP 필름과 ZnO NR층이 있는 CP 필름이 부착된 OLED 패널에서 반사율을 계산하였다[도 14]. 반사율은 상용 프로그램인 TechWiz LCD 1D(Sanayi System)로 시뮬레이션 하였다. 우리는 계산을 위해 Jones 행렬 방법을 사용했다. 금속 반사경, QWP, LP는 아래에서 위로 연속적으로 적층하였다. 편광판의 투과 축은 0°이고 QWP의 광축은 45°였다. 굴절률 ne, no 및 QWP의 두께는 각각 1.5, 1.4 및 1,375 nm였다. ZnO NR층이 있는 CP 필름의 구조는 기존 CP 필름과 동일하지만, ZnO NR층은 QWP와 LP 사이에 삽입되었다. 굴절률 nz, nx = ny 및 ZnO NR의 두께는 각각 2.15, 1.85 및 188.33 nm였다. ZnO NR 층의 Rth는 56.50 nm였다. 본 발명은 Rth가 Re의 절반에 가장 가깝게 제조된 ZnO NR층의 굴절률과 두께를 사용했다.
도 14에 나타낸 바와 같이, ZnO NR층을 삽입한 후 OLED 패널의 반사율이 크게 감소하였다. 기존 CP 필름의 최대 빛샘(light leakage)과 평균 반사율은 각각 7.3%와 1.4%였고, 본 발명에 따라 제조된 ZnO NR이 있는 CP 필름은 각각 2.0%와 0.4%였다. 따라서, 최대 및 평균 반사율은 각각 67%와 71% 감소한 것을 알 수 있었다. 반사율의 시야각 의존성은 ZnO NR층을 도입함으로써 훨씬 개선되었다.
정리하면, 본 실시예에서는 ZnO NR을 합성하고 디스플레이 위상차판으로서의 과학적 특성을 실험하였다. 특히, ZnO NR층의 형태와 광학적 특성에 대한 성장 조건의 영향을 실험하였다. 석영 웨이퍼에서 수직으로 성장한 ZnO NR은 Rth의 음의 부호와 함께 +c 플레이트 특성을 나타냈다. ZnO NR의 복굴절은 약 0.3이었으며, 이는 약 50 nm의 더 작은 두께를 가진 디스플레이 적용에 충분히 컸다. ZnO +c 플레이트가 삽입된 준 원형 편광판의 반사 방지 특성은 더 작은 반사율을 나타냈다.

Claims (8)

  1. 기판 상에 장축이 수직으로 형성된 나노 구조체;
    상기 나노 구조체를 둘러싸는 주변부 매질을 포함하며,
    상기 나노 구조체의 종횡비가 1 이상이고,
    상기 1 이상의 고종횡비를 가지는 나노 구조체는 폭 또는 간격이 빛의 파장보다 작은 것으로, 상기 나노 구조체의 폭은 10 내지 400 nm이며,
    상기 주변부 매질은 공기, 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리디메틸실록산[poly(dimethylsiloxane), PDMS], SiO2, TiO2, ZrO2, ITO, 석영, 다이아몬드 및 사파이어의 광학적으로 투명한 물질 중 1 종 이상을 포함하고,
    상기 나노 구조체는 다수의 나노 구조체가 상기 기판 상에 무작위 또는 균일하게 배열된 ZnO 나노로드를 포함하며,
    상기 ZnO 나노로드는 c축 방향을 가진 육각형 우르차이트(wurtzite) 구조를 가지며, 광학적으로 +c 플레이트에 해당하여 양의 분산 특성을 갖는 것인 나노 구조를 이용한 광학 위상차판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 석영 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 이용한 광학 위상차판.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노 구조체와 주변부 매질의 굴절률 차이를 조절하여 위상차의 광학 분산을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 이용한 광학 위상차판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노 구조체의 배열을 조절하여 광학 위상차판의 면 내 및 면 외의 위상차를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 이용한 광학 위상차판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노 구조를 이용한 광학 위상차판은 외부광의 평균 반사율을 60% 이상 감소시키는 것을 특징으로 하는 나노 구조를 이용한 광학 위상차판.
  8. 제 1 항 내지 제 2 항 및 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 나노 구조를 이용한 광학 위상차판을 포함하는 디스플레이.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020154261A1 (en) 2000-12-29 2002-10-24 Kralik John C. Switchable mirrors and retarders based on imbibed nano-column films
KR101944440B1 (ko) * 2016-03-23 2019-01-31 한국과학기술원 3 차원 나노구조체를 이용한 초박막형 위상차 필름, 및 이를 포함하는 디스플레이 디바이스

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5098450B2 (ja) 2007-06-07 2012-12-12 王子ホールディングス株式会社 凹凸パターン形成シートの製造方法および凹凸パターン形成シート
TWI653149B (zh) 2013-08-09 2019-03-11 住友化學股份有限公司 Optical film
KR102049749B1 (ko) * 2018-03-22 2020-01-08 포항공과대학교 산학협력단 유전체 기반 메타표면 홀로그램 장치 및 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102623516B1 (ko) * 2018-09-04 2024-01-10 삼성전자주식회사 메타물질 기반의 반사체와 이를 포함한 광학적 캐비티 구조체 및 수직 공진형 표면 발광 레이저
KR20200129034A (ko) * 2019-05-07 2020-11-17 삼성전자주식회사 메타 렌즈 및 이를 포함하는 광학 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020154261A1 (en) 2000-12-29 2002-10-24 Kralik John C. Switchable mirrors and retarders based on imbibed nano-column films
KR101944440B1 (ko) * 2016-03-23 2019-01-31 한국과학기술원 3 차원 나노구조체를 이용한 초박막형 위상차 필름, 및 이를 포함하는 디스플레이 디바이스

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