JP4634220B2 - 偏光制御素子および光学素子 - Google Patents

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Description

本発明は、光計測、光通信、光記録などに利用可能な偏光制御素子および光学素子に関するものである。
従来、偏光子や波長板などの偏光制御素子は、各種の光学システムを構成する上で必要不可欠な部品であり、光計測や光記録などさまざまな光学装置に広く利用されている。このうち偏光子は入射光を互いに直交する2つの偏光成分に分離し、その一方の偏光成分のみを通過させ、他の偏光成分を吸収または分散させる機能を有する素子である。一方、波長板は入射光の偏光状態を変化させる、すなわち直線偏光を楕円偏光に変換したり、反対に楕円偏光を直線偏光に変換することのできる光学素子である。
上記波長板を構成する材料としては、水晶や方解石など複屈折性を有する結晶が用いられる。ここで、複屈折性結晶のP偏光成分に対する屈折率をnp、S偏光成分に対する屈折率をnsとし、光軸方向の厚みをtとすると、この物質中を通る光線の各偏光成分に(np−ns)tの光路差が生じる。この光路差がたとえば波長の1/2になると二分の一波長板(half−wave plate)となり、1/4になると四分の一波長板(quarter−wave plate)となる。しかし、実際には複屈折性を有する物質の種類は少なく、屈折率差(np−ns)はいくつかの限定された値しかとることができない。そのため、光路差をコントロールできる因子はその厚さのみであり、サイズおよび偏光性能の自由度は非常に低いものであった。
なお、P偏光とは、入射光の光軸と、偏光分離多層膜の法線を含む平面を定義し、電界の振動面がこの平面と平行である偏光成分を示す。また、S偏光とは、電界の振動面がこの平面と直交する偏光成分である。
このような四分の一波長板は、たとえばSTN(Super Twisted Nematic)液晶や有機EL(electroluminescence)ディスプレイに利用されている。STN液晶では、液晶分子のねじれ角が大きいため液晶セルに対して電圧無印加状態での外観の色相が白色でなく緑色から黄赤色となっている。また、選択電圧印加状態での色相が黒色でなく青色となり、色彩的の見ずらいものとなっている。一方、有機ELディスプレイでは外光が電極に反射し、視認性が低下する。そこで、このような不具合を解消するために偏光子と四分の一波長板をディスプレイの前面に貼り付ける方法が用いられている。このときに使用される波長板は軽量化やコスト性を考慮した場合、有機薄膜を積層した位相差フィルムが多く用いられている。この位相差フィルムは、ヨウ素や有機染料などを含ませた高分子のフィルムを特定方向に延伸したものであり、ポリビニルアルコールやポリカーボネ−トの透明性の樹脂フィルムを積層させたものが一般的である。
また、異方性を有する2種類以上の合金を分散させることにより、さまざまな波長に対して偏光特性を制御しつつ、かつ小型で高性能の偏光素子を実現している偏光素子が開示されている(たとえば、特許文献1参照)。また、高分子フィルム上に形成したゼラチン層をラビング処理して液晶性化合物層を形成すると遅相軸方向がラビング方向と異なるという現象を利用し、位相差フィルム遅相軸と偏光フィルムの吸収軸をずらすことで効率よく楕円偏光フィルムを作製する技術が開示されている(たとえば、特許文献2参照)。また、半導体または金属の細線をリフトオフ法を用いて大面積に形成することによって透過率および偏光率を大幅に向上させ、かつ着色がないために輝度の高いディスプレイを実現する技術が開示されている(たとえば、特許文献3参照)。
特開平8−304625号公報 特開2002−122733号公報 特開平10−153706号公報
しかしながら、上記に示されるような従来の技術にあっては、以下に記述するような問題点があった。特許文献1に開示されている技術にあっては、異方性を有する金属粒子を島状に作製することで透過率の高い偏光子を実現しているものの、位相差を発生させることができない。また、特許文献3に開示されている偏光素子についても位相板としての機能を有していないので、位相差を発生させることができない。一方、特許文献2に開示されている位相差フィルムにあっては、有機多層膜を利用した波長板をディスプレイに応用する場合、耐熱性が低いため、長時間の使用によって劣化が進行し、特性の劣化や光効率の低下を招来させることになる。そのため、使用温度条件がきびしく使用環境の温度上昇を防止するための冷却手段が必要となる。したがって、冷却に起因して埃が付着し異常画像を発生させるとともに、照射光量を大きくすることができないといった問題点があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、位相差を発生させる波長板を実現すると共に、耐熱性に優れた偏光制御素子を提供することを第1の目的とする。
また、耐熱性に優れ、位相補償機能を複合した光学素子を提供することを第2の目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、誘電体基板上に、第一の金属粒子と前記第一の金属粒子とは異なる金属または合金で形成された第二の金属粒子のパターンを前記誘電体基板上に沿って2次元的に連続的に形成し、前記第一の金属粒子と前記第二の金属粒子の大きさは、100nm以下であることを特徴とす
この請求項1の発明によれば、金属の種類による光のプラズモン共鳴波長の違いを利用して透過光または反射光に位相差を生じさせ、かつ金属粒子で構成させることで耐熱性を向上させることが可能になる。
また、請求項2にかかる発明は、前記金属粒子のパターンは、異種金属でL字形状とすることを特徴とする。
この請求項2の発明によれば、請求項1において、金属粒子のパターンを異種金属でL字形状とすることにより、その形状に異方性をもたせて金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることが可能になる。
また、請求項3にかかる発明は、前記金属の材料をAg,Auとした場合、前記Agの粒子半径を25nm、前記Auの粒子半径を25nmとすることを特徴とする。
この請求項3の発明によれば、請求項1または2において、使用する光源波長に対して所望のプラズモン共鳴が効率よく発生するように設計された大きさの金属粒子を選択することにより、金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることが可能になる。
また、請求項4にかかる発明は、レンズの表面または裏面に、第一の金属粒子と前記第一の金属粒子とは異なる金属または合金で形成された第二の金属粒子のパターンを誘電体基板上に沿って2次元的に連続的に形成し、前記第一の金属粒子と前記第二の金属粒子の大きさは、100nm以下であることを特徴とする。
この請求項4の発明によれば、位相補償するための金属粒子のパターンをレンズ面に形成することにより、位相補償およびレンズの機能を一体化した光学素子が実現する。
また、請求項5にかかる発明は、前記金属粒子のパターンは、異種金属でL字形状とすることを特徴とする。
この請求項5の発明によれば、請求項4において、レンズ面に、金属粒子のパターンを異種金属でL字形状とすることにより、その形状に異方性をもたせて金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることが可能になる。
また、請求項6にかかる発明は、前記金属の材料をAg,Auとした場合、前記Agの粒子半径を25nm、前記Auの粒子半径を25nmとすることを特徴とする。
この請求項6の発明によれば、請求項4または5において、レンズ面に形成する金属および光源波長に応じて適切な共鳴が生じるような粒子サイズを選択することで、金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることが可能になる。
本発明(請求項1)にかかる偏光制御素子は、金属の種類による光のプラズモン共鳴波長の違いを利用して透過光または反射光に位相差を生じさせ、かつ金属粒子で構成させることで耐熱性に優れた偏光制御素子を提供することができるという効果を奏する。
また、本発明(請求項2)にかかる偏光制御素子は、請求項1において、金属粒子のパターンを異種金属でL字形状とすることにより、その形状に異方性をもたせて金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることができるという効果を奏する。
また、本発明(請求項3)にかかる偏光制御素子は、請求項1または2において、使用する光源波長に対して所望のプラズモン共鳴が効率よく発生するように設計された大きさの金属粒子を選択することにより、金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることができるという効果を奏する。
また、本発明(請求項4)にかかる光学素子は、位相補償するための金属粒子のパターンをレンズ面に形成することにより、位相補償およびレンズの機能を一体化した小型で薄型の光学素子を提供することができるという効果を奏する。
また、本発明(請求項5)にかかる光学素子は、請求項4において、レンズ面に、金属粒子のパターンを異種金属でL字形状とすることにより、その形状に異方性をもたせて金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることができるという効果を奏する。
また、本発明(請求項6)にかかる光学素子は、請求項4または5において、レンズ面に形成する金属および光源波長に応じて適切な共鳴が生じるような粒子サイズを選択することで、金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることが可能になるとともに、透過光または反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる偏光制御素子および光学素子の最良な実施の形態を詳細に説明する。
(実施の形態)
この第1の実施の形態では、誘電体基板上に、2種類以上の金属あるいは合金からなる金属粒子のパターンを連続的に形成させることで、金属の種類による光のプラズモン共鳴波長の違いを利用して透過光あるいは反射光に位相差を生じさせるとともに、波長板の機能を実現可能にするものである。また、金属粒子で構成することにより、有機多層膜のものに対して耐熱性に優れた偏光制御素子を提供するものである。
図1は、本発明の実施の形態にかかる偏光制御素子の構成を示す説明図である。この図において、符号1はガラスなどの透明材料でなる誘電体基板、符号2は第1の金属粒子、符号3は第1の金属粒子とは異なる第2の金属粒子である。ここでは、図示するように、偏光制御素子10は、誘電体基板1上に、第1の金属粒子2と第2の金属粒子3を所定の規則性を持たせて配置する。この第1の金属粒子2と第2の金属粒子3は、たとえばEB(電子ビームリソグラフィ)やフォトリソグラフィとスパッタ・エッチングなどのプロセスを複合させて形成する。
つぎに上記の偏光制御素子10の製造プロセスを図2を参照し説明する。まず、ガラスなどの透明材料の誘電体基板1を用意し(工程1)、この誘電体基板1に対してレジスト6をスピンコートなどの方法によって塗布する(工程2)。続いて、EB(電子ビームリソグラフィ)などを用いて一部のみが残るようにレジスト6を露光しリンスする(工程3)。その後、基板の一部が凸形状1aとなるように、たとえばRIE(反応性ドライエッチング)などによりエッチングを行う(工程4)。この凸形状1aがその後のプロセスを行うための基準マークとなる。この基準マークを有する基板に再びレジスト6を塗布し(工程5)、第1の金属粒子2を形成したい部分のレジスト6を除去するよう基準マークを位置基準にして露光しリンスする(工程6)。続いて、この基板に対して第1の金属粒子2をスパッタリングあるいは蒸着などのプロセスで成膜し(工程7)、その後、レジスト6の除去に伴うリフトオフによって所望の金属粒子以外の金属を除去する(工程8)。続いて、凸形状1aが隠れない程度の厚さになるように再度レジスト6を塗布する(工程9)。ついで、再び基準マークを位置基準として第2の金属粒子3を形成したい部分のレジスト6を除去するようにEB(電子ビーム)露光しリンスする(工程10)。その後、上記工程7と同様に第2の金属粒子3を成膜し(工程11)、リフトオフによって余分な金属を除去することにより所望のパターンを有した偏光制御素子10が完成する(工程12)。
なお、上記のプロセスでは2種類の金属粒子を形成する例について説明したが、3種類以上の金属粒子でパターンを形成したい場合は、上記工程9〜工程12のプロセスを繰り返し実行する。
上記の金属粒子の材料は、使用する光源波長と所望の位相補償機能に応じて選択する。たとえば、Au,Ag,Al,Pt,Ni,Cr,Cu,Feなどの金属材料が考えられる。また、これら金属の合金であってもよい。
以上のようにして第1の金属粒子2と第2の金属粒子3が形成された誘電体基板1に対して光を照射すると、各金属微粒子の局在表面プラズモン共鳴周波数に依存し、電界に振幅比や位相差が生じる。そのため、各金属粒子からの光が重畳された反射光あるいは透過光の偏光成分にも位相差が生じ、偏光状態が変換される。ここで、プラズモンとは金属中における電子の集団運動のことである。
すなわち、図3に示すように、第1の金属粒子2と第2の金属粒子3が形成された誘電体基板1の偏光制御素子10に対して、たとえばY軸方向の直線偏光4を入射すると、この偏光制御素子10を通過した光5は楕円光となる。
このような構成からなる光学素子(偏光制御素子10)の表面で発生している局在表面プラズモンは近接場光とも呼ばれ、波長サイズ以下の領域に局在している。そのため、近接場光素子として用いることで回折限界以下の分解能で計測、分析を行ったり、光リソグラフィに応用することで従来よりも微細なパターニングを行うことが可能になる。特に、後者に関しては、近接場光の非断熱過程による作用のため、レジストと反応しないような可視光源でも感光させることができ、短波長光源やそれに対応した光学素子が不要になるので、装置の低コスト化を図ることが可能になるなどの効果がある。また、光リソグラフィ以外の加工方法へも応用可能であり、たとえば光CVD(Chemical Vapor Deposition)やナノ構造の自己組織化などがあげられる。
なお、近接場光は物体表面にまとわりついた光であり、物体から離れるにしたがって強度が指数関数的に減少し、物体表面から100ナノメートル程度しか広がらない特性をもつものである。また、表面プラズモン光は、物体の表面でのみ伝播する光であり、局在プラズモン光は、非常に微小な粒子や先端がとがった局所的な領域に存在する光である。
ところで、第1の金属粒子2と第2の金属粒子3とを図1のように並列のパターンで配置したが、これとは異なる配置でもよい。たとえば、図4に示すように、第1の金属粒子2と第2の金属粒子3との異種金属をL字状となるようなパターンで配置する。すなわち、第1の金属粒子2と第2の金属粒子3とを図示するようにL字状に形成する。このとき、X方向およびY方向の異方性によって金属粒子間に発生する電界の振幅比や位相差の変化が大きくなるため、偏光状態の設計自由度も大きくなる。すなわち、金属粒子をL型の異方性を持たせることで、金属粒子で発生する電界の振幅比や位相差をより大きくすることができ、透過光あるいは反射光の各偏光成分の位相差を大きくすることができ、偏光状態の設計自由度が大きい偏光制御素子を提供することができる。
この図4では、金属粒子を楕円形状としているが、球状の粒子を連続して配置することで擬似的に楕円形状を形成する構成であってもよい。このとき、擬似楕円を形成する粒子の形状は球以外の形状、たとえば半球であるとか多角柱形状などであってもよい。また、パターンに関しても異方性のある配置であればL字以外であってもよく、たとえばT字パターンやV字パターン、卍パターンなどがあげられる。
さて、金属粒子の大きさによって局在プラズモン共鳴波長は異なる。たとえば図5−1のグラフに示すように、ミー散乱理論にしたがった計算の結果、Agの共鳴強度がピークになる波長は、粒子半径がr6(25nm)の場合は340nmであるのに対し、粒子半径r2(5nm)では316nmである。一方、図5−2のグラフに示すようにAuに対してλ500nmの光を照射した場合の共鳴強度は、半径r6(25nm)の粒子では半径r2(5nm)の粒子の3倍以上になる。したがって、使用する金属および光源波長に応じて適切な共鳴が生じるような粒子サイズを選択して設計することで、偏光を所望の状態に変換するような波長板を作製することができる。なお、ミー散乱とは、波長と同程度の大きさの粒子(散乱体)を含む媒質中を光が通過する場合、光の波長とエネルギーは変わらず、進行方向が変化する現象をいう。
つぎに、上述した金属粒子のパターンをレンズ、マイクロレンズアレイ光学素子に形成する例について説明する。図6は、レンズ7上に異なる金属粒子を所定のパターンで形成した例を示す断面図である。すなわち、前述した第1の金属粒子2と第2の金属粒子3とを、たとえば図1あるいは図4に示したようなパターンで配置する。この場合の製造工程は基本的には図2と同様である。従来は、波長板およびレンズで構成されていた光学機能が、ここではレンズと波長板を一体で形成するので、省スペース化を図ることができると共に、光軸調整や焦点調整などに要する作業が容易に行え、これらにかかる時間も短縮される。
図7は、マイクロレンズアレイ光学素子8上に、異なる金属粒子を所定のパターンで形成した例を示す断面図である。すなわち、前述した第1の金属粒子2と第2の金属粒子3とを、たとえば図1あるいは図4に示したようなパターンで配置する。この場合の製造工程は基本的には図2と同様である。従来は、波長板およびマイクロレンズアレイ光学素子で構成されていた光学機能が、ここではマイクロレンズアレイ光学素子と波長板を一体で形成するので、省スペース化を図ることができると共に、光軸調整や焦点調整などに要する作業が容易に行え、これらにかかる時間も短縮することができる。
以上のように、本発明にかかる偏光制御素子および光学素子は、光計測、光通信、光記録などに有用であり、特に、液晶やELなどのディスプレイや視野角の広角化や外乱反射光を低減させる各種の光学機器などに適している。
本発明の実施の形態にかかる偏光制御素子の構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態にかかる偏光制御素子の製造プロセスを示す説明図である。 本発明の実施の形態にかかる偏光制御素子の偏光状態を示す説明図である。 本発明の実施の形態にかかる偏光制御素子における金属粒子のL型配置例を示す説明図である。 Agを金属粒子とした場合における粒子毎の共鳴強度を示すグラフである。 Auを金属粒子とした場合における粒子毎の共鳴強度を示すグラフである。 レンズ面に偏光制御素子を一体形成した例を示す断面図である。 マイクロレンズアレイ光学素子に偏光制御素子を一体形成した例を示す断面図である。
符号の説明
1 誘電体基板
2 第1の金属粒子
3 第2の金属粒子
4 入射光
5 出射光
6 レジスト
7 レンズ
8 マイクロレンズアレイ光学素子
10 偏光制御素子

Claims (6)

  1. 誘電体基板上に、第一の金属粒子と前記第一の金属粒子とは異なる金属または合金で形成された第二の金属粒子のパターンを前記誘電体基板上に沿って2次元的に連続的に形成し、
    前記第一の金属粒子と前記第二の金属粒子の大きさは、100nm以下であることを特徴とする偏光制御素子。
  2. 前記金属粒子のパターンは、異種金属でL字形状とすることを特徴とする請求項1に記載の偏光制御素子。
  3. 前記金属の材料をAg,Auとした場合、前記Agの粒子半径を25nm、前記Auの粒子半径を25nmとすることを特徴とする請求項1または2に記載の偏光制御素子。
  4. レンズの表面または裏面に、第一の金属粒子と前記第一の金属粒子とは異なる金属または合金で形成された第二の金属粒子のパターンを誘電体基板上に沿って2次元的に連続的に形成し、
    前記第一の金属粒子と前記第二の金属粒子の大きさは、100nm以下であることを特徴とする光学素子。
  5. 前記金属粒子のパターンは、異種金属でL字形状とすることを特徴とする請求項4に記載の光学素子。
  6. 前記金属の材料をAg,Auとした場合、前記Agの粒子半径を25nm、前記Auの粒子半径を25nmとすることを特徴とする請求項4または5に記載の光学素子。
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