CN101490954B - 噪声滤波器阵列 - Google Patents
噪声滤波器阵列 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101490954B CN101490954B CN2007800263433A CN200780026343A CN101490954B CN 101490954 B CN101490954 B CN 101490954B CN 2007800263433 A CN2007800263433 A CN 2007800263433A CN 200780026343 A CN200780026343 A CN 200780026343A CN 101490954 B CN101490954 B CN 101490954B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductor
- noise filter
- filter array
- inductance adjustment
- resonant circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- 101100489713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND1 gene Proteins 0.000 abstract description 16
- 101100489717 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND2 gene Proteins 0.000 abstract description 15
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N helicin Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC=CC=C1C=O BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/075—Ladder networks, e.g. electric wave filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1716—Comprising foot-point elements
- H03H7/1725—Element to ground being common to different shunt paths, i.e. Y-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1766—Parallel LC in series path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
- H01F2017/0026—Multilayer LC-filter
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0073—Printed inductances with a special conductive pattern, e.g. flat spiral
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
本发明提供一种整体维持简单的结构、并消除多个滤波器元件之间相互间的特性偏差的噪声滤波器阵列。由具有线圈和电容器的LC并联谐振电路及LC串联谐振电路构成的滤波器元件(F1~F4)并列设置为阵列状而整体形成,并且将构成各滤波器元件(F1~F4)的接地用的电容器(C12~C42),将其接地侧电极(9)相对于各信号侧电极(8)共同地对置配置,并且对于以该电容器来构成LC串联谐振电路的电感调整用导体(L0),经由转接孔(7)进行连接,并且使从电感调整用导体(L0)的与转接孔(7)的连接位置到接地端子(GND1、GND2)的长度相对于各滤波器元件(F1~F4)成为相等。
Description
技术领域
本发明涉及由具有线圈和电容器的LC并联谐振电路及LC串联谐振电路构成的多个滤波器元件配置为阵列状而整体形成的噪声滤波器阵列。
背景技术
例如,在移动电话中存在各种通信方式(GSM方式、DCS方式、PCS方式等)。而且,为了防止这些通信方式中使用的各通信频带中的接收灵敏度恶化,在各通信频带中有效除去噪声成为必要。
作为一个例子,进行900MHz附近或1.8GHz附近的各通信频带的噪声除去后,在噪声滤波器中要求经较宽的范围来取得衰减。为了构成具有这样的宽的衰减特性的滤波器,可考虑对接地的电容器赋予电感,构成2谐振型的滤波器。
在此,在以往技术中,如图13所示,提出具有与在信号线上设置的线圈L1并联形成寄生电容器C1而构成的LC并联谐振电路PR、在信号线与接地之间串联了电容器C2和线圈L2的LC串联谐振电路SR的2谐振型的滤波器元件(例如,参照专利文献1)。
如果配置多个这样的以往的2谐振型的滤波器元件,就成为例如具有图14所示的等效电路的阵列构造。另外,这里,作为一个例子,表示了设置4个滤波器元件的情形。
在图14所示的阵列构造中,用虚线围住的LC串联谐振电路的部分都接地,所以为了进一步简化构造,可考虑将包含各LC串联谐振电路的线圈进行共同化。而且,此时,例如成为图15所示的结构。
即,图15所示的噪声滤波器阵列,对各个滤波器元件个别地设置了构成各滤波器元件的LC串联谐振电路的电容器C12~C42的信号侧电极,而另一方面,在这些各电容器C12~C42的接地侧电极上共同地连接了起到作为电感线圈的作用的导体L0,所以具有构造简化的特征。
可是,虽然具有图15所示的构造的噪声滤波器阵列能简化整体构造,但是从各滤波器元件F1~F4的电容器C12~C42经由导体L0到达接地端子GND的距离各不相同(例如从电容器C12到接地端子GND的距离与从电容器C22到接地端子GND的距离不同),在各滤波器元件F1~F4上电感值成为不同的值,作为结果,有在各滤波器元件F1~F4之间,在滤波器特性上产生偏差的问题。
专利文献1:特开平9-266430号公报
发明内容
本发明是为了解决所述的课题而提出的,其目的在于,提供整体是简单的结构,并且消除了多个滤波器元件相互之间的特性偏差的噪声滤波器阵列。
为了实现所述的目的,本技术方案1的噪声滤波器阵列,将多个由具有线圈和电容器的LC并联谐振电路及LC串联谐振电路构成的滤波器元件设置为阵列状而整体形成,其特征在于:相对于构成各滤波器元件的所述LC串联谐振电路的接地用的电容器的信号侧电极,共同地对置配置一个所述接地用的电容器的接地侧电极,所述接地侧电极,经由转接孔,对由与所述接地用的电容器构成所述LC串联谐振电路的电感调整用导体进行了连接,并且,
构成为从所述电感调整用导体与所述转接孔的连接位置到接地端子的长度,对于所述各滤波器元件,成为相等。
此外,技术方案2的噪声滤波器阵列将多个由具有线圈和电容器的LC并联谐振电路及LC串联谐振电路构成的滤波器元件设置为阵列状而整体形成,其特征在于:
该噪声滤波器阵列具有层叠构造,其中,相对于构成2个滤波器元件的所述LC串联谐振电路的接地用的电容器的信号侧电极,共同地对置配置了一个所述接地用的电容器的接地侧电极,所述接地侧电极,经由转接孔,对由与所述接地用的电容器构成所述LC串联谐振电路的电感调整用导体进行了连接,并且,
构成为从所述电感调整用导体与所述转接孔的连接位置到接地端子 的长度,对于所述各滤波器元件,成为相等,并且,所述滤波器元件,以所述电感调整用导体作为分界,在层叠构造的层叠方向上的两侧各配置了2个元件,所述2个元件并列地配置在与所述层叠方向正交的方向上。
此外,技术方案3的噪声滤波器阵列的特征在于:所述电感调整用导体是弯曲状或线状的导体,以点对称或线对称的方式而形成。
此外,技术方案4的噪声滤波器阵列的特征在于:所述电感调整用导体与所述转接孔的连接点,位于所述各接地端子成为点对称或线对称的中心位置上。
此外,技术方案5的噪声滤波器阵列的特征在于:所述接地端子形成在点对称或线对称的位置上,并且形成多个所述转接孔,所述电感调整用导体与各转接孔的连接点,位于从所述各接地端子成为点对称或线对称的中心位置仅离开了相等距离的位置上。
此外,技术方案6的噪声滤波器阵列的特征在于:具有层叠构造,所述各滤波器元件,以所述电感调整用导体作为分界,仅被设置在所述电感调整用导体的层叠方向的单侧。
此外,技术方案7的噪声滤波器阵列的特征在于:所述各滤波器元件为4个元件,且该4个元件彼此并列地配置在与所述层叠方向正交的方向上。
此外,技术方案8的噪声滤波器阵列的特征在于:构成所述LC并联谐振电路和所述LC串联谐振电路的用于形成线圈的导体,将位置错开而形成,以便在厚度方向上彼此不重叠。
此外,技术方案9的噪声滤波器阵列的特征在于:在构成所述LC串联谐振电路的所述接地用的电容器的各信号侧电极一侧也设置了电感调整用导体。
根据技术方案1,无需特别复杂的结构,就可容易地实现由多个具有线圈和电容器的LC并联谐振电路及LC串联谐振电路整体形成的噪声滤波器阵列。此外,各滤波器元件由LC并联谐振电路和LC串联谐振电路构成,且由接地用的电容器和电感调整用导体构成了LC串联谐振电路,所以能容易地构成具有多个2谐振型的滤波器元件的噪声滤波器阵列。
而且,构成彼此并列设置的各滤波器元件的接地用的电容器的接地侧电极经由转接孔,与电感调整用导体连接,并且构成为从该电感调整用导体的与转接孔的连接位置到接地端子的长度,对于各滤波器元件成为相等,所以能减少各滤波器元件之间的电感值的偏差。
此外,在技术方案2时,将2个滤波器元件,以电感调整用导体作为分界,设置在该层叠方向的两侧,所以能减少两侧的滤波器元件之间的磁性的影响,并且能使彼此并列而邻接的各滤波器元件的线圈中所产生的磁通量分布成为大致相等,能进一步降低各滤波器元件之间的电感值的偏差。
此外,能高效地构成具有4个滤波器元件的噪声滤波器阵列。
此外,技术方案3的噪声滤波器阵列中,电感调整用导体是弯曲状或线状的导体,并以点对称或线对称的方式而形成,所以不仅在降低各滤波器元件之间的电感值的偏差上有效,还能将通过电镀形成电感调整用导体时的导体形成时的电镀厚度的偏差抑制在较小,能谋求削减成本。
此外,如技术方案4的噪声滤波器阵列那样,当将电感调整用导体与转接孔的连接点位于各接地端子成为点对称或线对称的中心位置上时,不仅在降低各滤波器元件之间的电感值的偏差上有效,而且转接孔有一个即可,所以能削减成本,并且能容易地调整谐振型频率。
此外,也能根据需要,形成多个转接孔。这时,通过采用技术方案5所记载的噪声滤波器阵列的结构,能降低各滤波器元件之间的电感值的偏差。
此外,如技术方案6的噪声滤波器阵列那样,当多个各滤波器元件,以电感调整用导体作为分界,只在该层叠方向的单侧设置时,部件的厚度变薄,能谋求小型化。
此外,如技术方案7的噪声滤波器阵列那样,将所述滤波器元件4个彼此并列地配置,从而能构成具有4个滤波器元件的噪声滤波器阵列。
此外,技术方案8的噪声滤波器阵列中,构成LC并联谐振电路及LC串联谐振电路的用于形成线圈的导体,是在厚度方向彼此不重叠地将位置错开而形成的,所以部件的厚度方向的厚度被均匀化,其结果,能缓和制造时的内部应力,能抑制、防止在彼此邻接的层的用于形成线圈的导体之间发生龟裂,能提高制品的成品率。
此外,技术方案9的噪声滤波器阵列,在构成LC串联谐振电路的接地用的电容器的各信号侧电极一侧也设置了电感调整用导体,所以能将各滤波器元件的LC串联谐振电路的电感值设定得较大,能将该谐振电路更低频化。此外,还能个别地设定各滤波器元件的电感值。
附图说明
图1是表示本发明的实施例1的噪声滤波器阵列的外观的立体图。
图2是本发明的实施例1的噪声滤波器阵列的分解立体图。
图3是本发明的实施例1的噪声滤波器阵列的电等效电路图。
图4是表示与图2的分解立体图对应地重新配置图3的电等效电路图的电等效电路图。
图5是表示关于实施例1的结构的噪声滤波器阵列,测量了插入电感调整用导体时和不插入时的插入损失特性的结果的一个例子的特性图。
图6是表示关于实施例1的结构的噪声滤波器阵列,设置电感调整用导体,测量了针对各滤波器元件的插入损失特性的结果的特性图。
图7是本发明的实施例2的噪声滤波器阵列的分解立体图。
图8是本发明的实施例3的噪声滤波器阵列的分解立体图。
图9是本发明的实施例4的噪声滤波器阵列的分解立体图。
图10是本发明的实施例5的噪声滤波器阵列的分解立体图。
图11是本发明的实施例6的噪声滤波器阵列的分解立体图。
图12是本发明的实施例7的噪声滤波器阵列的分解立体图。
图13是以往的由LC并联谐振电路和LC串联谐振电路构成的2谐振型的滤波器元件的电等效电路图。
图14是表示将以往的4个2谐振型的滤波器元件排列为阵列状时的一个例子的电等效电路图。
图15是表示为了简化图14所示的结构,将线圈共同化时取得的噪声滤波器阵列的电等效电路图。
符号的说明
in1~in4-输入端子;out1~out4-输出端子;GND、GND1、GND2-接地端子;F1~F4-滤波器元件;PR1~PR4-LC并联谐振电路;L11~L41-线圈;L1~L4-线圈;C11~C41-寄生电容器;L0-电感调整用导体;L01~L03-电感调整用导体;L12~L42-电感调整用导体;C12~C42-电容器;1-层叠体;2-外部电极;3-方向性识别标志;5-线圈导体; 6-绝缘薄片;7-转接孔;8-信号侧电极;9-接地侧电极。
具体实施方式
以下,表示本发明的实施例,更详细地说明作为其特征之处。
实施例1
图1是表示本发明实施例1的噪声滤波器阵列的外观的立体图,图2是该噪声滤波器阵列的分解立体图,图3是该噪声滤波器阵列的电等效电路图,图4是与图2的分解立体图对应地重新配置表示图3的电等效电路图的电等效电路图。
下面,参照图1~图4,说明实施例1的噪声滤波器阵列。
本实施例1的噪声滤波器阵列具有层叠由钛酸钡等陶瓷电介质材料或铁氧体等陶瓷磁性体材料构成的四边形状的绝缘薄片、而整体烧成的长方体状的层叠体1。而且,在层叠体1的周围侧面形成用于形成端子的外部电极2,且配置在长边一侧的前后的侧面上的外部电极2作为信号的输入端子in1~in4和输出端子out1~out4而形成。此外,短边一侧的左右的侧面的外部电极2作为接地端子GND1、GND2而形成。
而且,在层叠体1的上面,在从中央稍微偏移的位置形成有方向性识别标志3。
此外,在层叠体1内,与所述4个输入端子in1~in4、输出端子out1~out4相对应地整体形成4元件的2谐振型的滤波器元件F1~F4。另外,滤波器元件F1~F4夹持后面描述的电感调整用导体L0,在部件的厚度方向(层叠方向)两侧各配置2个元件。即在比电感调整用导体L0更上方处,在与厚度方向正交的方向上并列设置了2个滤波器元件F2、F3,此外,在比电感调整用导体L0更下方处,在与厚度方向正交的方向上并列设置了2个滤波器元件F1、F4。
各滤波器元件F1~F4具备LC并联谐振电路PR1~PR4、接地用的电容器C12~C42、和起到作为电感线圈的作用的一个电感调整用导体L0(图4)。而且,由在接地用的电容器C12~C42和各接地用的电容器C12~C42中共同的一个电感调整用导体L0构成各滤波器元件F1~F4的LC串联谐振电路。
所述LC并联谐振电路PR1~PR4,如图2所示,由层叠形成螺旋状的线圈导体5的多个各绝缘薄片6并且将各层的线圈导体5经由转接孔7电连接而形成螺旋状的线圈L11~L41、和伴随着该线圈的形成而必然产生的寄生电容而引起的寄生电容器C11~C41构成。而且,形成各线圈L11~L41的线圈导体5的一端侧分别连接在构成输入端子in1~in4的外部电极2上,另一端侧分别连接在形成层叠体1的输出端子out1~out4的外部电极2上。
另外,用于形成LC并联谐振电路PR1~PR4的各线圈L11~L41的各线圈导体5在厚度方向上彼此不重叠地将位置错开而形成。据此,层叠体1的厚度方向上的厚度被均匀化,其结果,能缓和制造层叠体1时的内部应力,能抑制在彼此邻接的线圈导体5之间产生龟裂,能提高制品的成品率。
另一方面,构成各LC串联谐振电路的接地用的电容器C12~C42是将形成在绝缘薄片6上的信号侧电极8和接地侧电极9经由该绝缘薄片6彼此对置配置而形成的,信号侧电极8与并联谐振电路PR1~PR4个别地对应而设置,而另一方面,接地侧电极9相对于彼此并列设置的2个信号侧电极8,共同地对置配置。
而且,信号侧电极8的一端在绝缘薄片6的里侧的一端部被引出,分别连接在形成输出端子out~out4的外部电极2上。此外,接地侧电极9经由转接孔7电连接在电感调整用导体L0上。
此外,电感调整用导体L0具有弯曲的形状,形成点对称形状。而且,该电感调整用导体L0在绝缘薄片6的左右的端部被引出,连接在形成各接地端子GND1、GND2的外部电极2上。另外,在实施例1的噪声滤波器阵列中,从电感调整用导体L0的与转接孔7的连接位置到接地端子GND1、GND2的长度构成为针对各滤波器元件F1~F4成为相等。即在实施例1中,该电感调整用导体L0的与转接孔7的连接点成为各接地端子GND1、GND2为点对称时的中心位置。
这样,在实施例1中,彼此并列设置的电容器C22及C32的接地侧电极9、电容器C12及C42的接地侧电极9成为共同的,该共同的接地侧电极9经由转接孔7连接在电感调整用导体L0上,连接点成为各接地端子GND1、GND2为点对称时的中心位置,所以从彼此并列的元件F2、F3的电容器C22、C32到各接地端子GND1、GND2的距离、以及从彼此并列的元件F1、F4的电容器C12、C42到各接地端子GND1、GND2的距离都相等。因此,能减少各滤波器元件F1~F4之间的电感值的偏差。
另外,电感调整用导体L0的形状在得到所希望的电感值的基础上,除了设为上述的点对称以外,也能形成为线对称。
此外,通过将电感调整用导体L0的形状变为这样的对称形状,能减小形成导体L0时的电镀厚度的偏差,所以在这点上是有利的。
另外,方向性识别标志3用于能识别该噪声滤波器阵列向电路板进行安装的方向,经由转接孔7与线圈导体5导通。另外,该方向性识别标志3与线圈导体5电导通是为了确保方向性识别标志3的电镀附着性。
在制造所述结构的噪声滤波器阵列时,在各绝缘薄片6上,例如通过丝网印刷等方法,涂敷将Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等作为导电成分的导电性膏来形成线圈导体5、电容器C12~C42的信号侧电极8和接地侧电极9、电感调整用导体L0、方向性识别标志3。转接孔7是使用激光束等形成转接孔用的通孔,并在该通孔内填充将Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等作为导电成分的导电性膏而形成的。然后,如图2所示,通过层叠形成各导体或电极、转接孔等的绝缘薄片6后进行压接而得到层叠体1。
接着,在该层叠体1的侧面形成成为输入端子in1~in4、输出端子out1~out4、接地端子GND1、GND2的外部电极2之后,烧成该层叠体1。然后,在各外部电极2的表面进行镀Ni或镀Sn。据此,得到具有图1所示的构造的长方体状的噪声滤波器阵列。
如上所述,实施例1的噪声滤波器阵列,由于2谐振型的滤波器元件F1~F4具有共同的一个电感调整用导体L0,所以在制造噪声滤波器阵列时,通过改变该导体L0,能容易地进行基于接地用的电容器C12~C42和电感调整用导体L0的串联谐振(2次谐振)频率的调整。
而且,在实施例1的噪声滤波器阵列中,从构成LC串联谐振电路的各电容器C22及C32、C12及C42的接地侧电极9经由转接孔7、电感调整用导体L0到达各接地端子GND1、GND2的距离在各滤波器元件F1~F4上都成为相同,所以能减少各滤波器元件F1~F4之间的电感值的偏差。
此外,实施例1的噪声滤波器阵列,将电容器C12~C42的接地侧电极9作为分界,在其厚度方向(层叠方向)的两侧分别配置了2个滤波器元件F2、F3和F1、F4,所以能减少两侧的滤波器元件F2、F3与F1、F4之间的磁性影响,并且能将彼此并列邻接的各滤波器元件F2、F3和F1、F4的线圈中产生的磁通量分布变为大致相等。据此,能进一步减小各滤波器元件F1~F4之间的电感值的偏差。
图5是表示测量插入电感调整用导体L0时和不插入时的插入损失特性的结果的一个例子的特性图。
如图5所示,可知通过插入电感调整用导体L0,能将各滤波器元件F1~F4的串联谐振(2次谐振)频率调整为所希望的频率(在该例子中,为2GHz)。
图6是表示在实施例1的噪声滤波器阵列中,设置电感调整用导体,测量了针对各滤波器元件F1~F4的插入损失特性的结果的特性图。
从图6可知,通过设置电感调整用导体L0,各滤波器元件F1~F4的插入损失特性几乎成为相同,各滤波器元件F1~F4的特性彼此重叠,表现为1条实线。据此,可知在各滤波器元件之间的串联谐振(2次谐振)的频率的特性上没有差异。
实施例2
图7是本发明实施例2的噪声滤波器阵列的分解立体图。另外,在图7中,与图1~图4赋予相同符号的部分表示与实施例1的结构相同或相当的部分。
在实施例2的噪声滤波器阵列的特征在于,位于由构成各滤波器元件F1~F4的LC串联谐振电路的各电容器C12~C42夹持的位置上的电感调整用导体L0形成为直线状。
在实施例2的噪声滤波器阵列时,从构成LC串联谐振电路的各电容器C22和C32、C12和C42的接地侧电极9经由转接孔7、电感调整用导体L0到达各接地端子GND1、GND2的距离在各滤波器元件F1~F4上都成为相同,所以能减少各滤波器元件F1~F4之间的电感值的偏差。
其它的结构和作用、效果与图1~图4所示的实施例1的情形同样,所以为了避免重复,这里省略详细的说明。
实施例3
图8是本发明实施例3的噪声滤波器阵列的分解立体图。另外,在图8中,与图1~图4赋予相同符号的部分表示与实施例1的结构相同或相当的部分。
在所述实施例1、2中,在一个绝缘薄片6上形成有电感调整用导体L0,但是在实施例3中,经多个(3个)绝缘薄片6,螺旋状地形成有3个电感调整用导体L01~L03,这些电感调整用导体L01~L03经由转接孔7彼此连接。
在实施例3的噪声滤波器阵列时,关于位于中央的电感调整用导体L03,形成为点对称或线对称,并且与转接孔7的连接点成为各接地端子GND1、GND2的对称中心位置。
根据实施例3的噪声滤波器阵列的结构,不仅能减少各滤波器元件F1~F4之间的特性偏差,而且能将各滤波器元件F1~F4的LC串联谐振电路的电感值设定得较大,所以能更低频化。
其它的结构和作用、效果与图1~图4所示的实施例1的情形同样,所以这里省略详细的说明。
实施例4
图9是本发明实施例4的噪声滤波器阵列的分解立体图。另外,在图9中,与图1~图4赋予相同符号的部分表示与实施例1的结构相同或相当的部分。
在所述实施例1~3中,电感调整用导体L0(实施例1、2)、L03(实施例3)在绝缘薄片6的左右的端部引出,连接在形成2个接地端子GND1、GND2的外部电极2上,但是在实施例4中,电感调整用导体L0的一端连接在转接孔7,另一端在绝缘薄片6的单侧的端部被引出,并连接在形成一个接地端子GND的外部电极上。
在实施例4的结构时,当用电解电镀形成电感调整用导体L0时,电镀附着性稍差,但是从构成LC串联谐振电路的各电容器C22和C32、C12和C42的接地侧电极9经由转接孔7、电感调整用导体L0到达接地端子GND的距离在各滤波器元件F1~F4中都成为相同,所以能减少各滤波器元件F1~F4之间的电感值的偏差。
其它的结构和作用、效果与图1~图4所示的实施例1的情形同样,所以为了避免重复,这里省略详细的说明。
实施例5
图10是本发明实施例5的噪声滤波器阵列的分解立体图。另外,在图10中,与图1~图4赋予相同符号的部分表示与实施例1的结构相同或相当的部分。
在所述实施例1~3中,对于在形成2个接地端子GND1、GND2的外部电极2上连接的电感调整用导体L0,在其中央连接了转接孔7,但是在实施例5中,形成2个转接孔7。而且,构成为电感调整用导体L0与各转接孔7的连接点成为从左右的接地端子GND1、GND2的对称中心仅离开了等距离的位置。
因此,在实施例5时,在将电容器C12~C42的接地侧电极9与电感调整用导体L0的电连接变得可靠的基础上,也能使各滤波器元件F1~F4之间的电感值成为相等,而能减少滤波器特性的偏差。
其它的结构和作用、效果与图1~图4所示的实施例1的情形同样,所以为了避免重复,这里省略详细的说明。
实施例6
图11是本发明实施例6的噪声滤波器阵列的分解立体图。另外,在图11中,与图1~图4赋予相同符号的部分表示与实施例1的结构相同或相当的部分。
在所述实施例1~5中,电感调整用导体L0设置在由构成接地用的电容器C12~C42的上下的接地侧电极9所夹持的位置上,但是在实施例6中,对于这些接地用的电容器C12~C42的各信号侧电极8,个别地设置了电感调整用导体L12~L42,各信号侧电极8与电感调整用导体L12~L42经由转接孔7电连接。
如实施例6那样,当在构成LC串联谐振电路的接地用的电容器C12~C42的各信号侧电极8一侧也配置了电感调整用导体L12~L42时,能将各滤波器元件F1~F4的LC串联谐振电路的电感值设定得比设置了单一的电感调整用导体L0时更大,所以能将该谐振电路更低频化。此外,也能个别地设定各滤波器元件F1~F4的电感值。
其它的结构和作用、效果与图1~图4所示的实施例1的情形同样,所以为了避免重复,这里省略详细的说明。
实施例7
图12是本发明实施例7的噪声滤波器阵列的分解立体图。另外,在图12中,与图1~图4赋予相同符号的部分表示与实施例1的结构相同或相当的部分。
在所述实施例1~6中,将电感调整用导体L0作为分界,在其厚度方向(层叠方向)的两侧配置了2个滤波器元件F2、F3和F 1、F4,但是在实施例7的噪声滤波器阵列中,各滤波器元件F1~F4仅设置在电感调整用导体L0的单侧,在图12中是仅设置在比配置了电感调整用导体L0的层更靠层叠方向的上侧。即各滤波器元件F1~F4沿着与部件的厚度方向正交的方向彼此并列地配置。
在实施例7的噪声滤波器阵列中,各滤波器元件F1~F4全部并列配置,所以各滤波器元件F1~F4的线圈L11~L41中产生的磁通量分布有些不同,各滤波器元件F1~F4之间的电感值的偏差变得容易发生,但是,多个滤波器元件F1~F4只设置了在电感调整用导体L0的单侧,所以具有与实施例1~6相比能减小部件的厚度的特征。
其它的结构和作用、效果与图1~图4所示的实施例1的情形同样,所以为了避免重复,这里省略详细的说明。
另外,虽对个别生产如图1所示的个别部件的情形进行了说明,但是在批量生产时,也可在对多个层叠体进行了整体化的母层叠体的状态下进行了制造之后,为了得到图1所示的层叠体1而切断母层叠体,从而取得个别部件。
此外,在所述实施例1~7中,说明了在层叠了设置有线圈导体5、信号侧电极8、接地侧电极9、转接孔7等的绝缘薄片6之后进行整体烧成的情形,但是绝缘薄片6使用预先烧成的,然后,层叠各绝缘薄片6而压接,也能取得层叠体1。
进而,通过印刷等方法,涂敷膏状的绝缘性材料而形成了绝缘层之后,从该绝缘层之上涂敷膏状的导电性材料来形成线圈导体5或信号侧电极8、接地侧电极9,并在此时,根据需要形成转接孔7,接着,从其上涂敷膏状的绝缘性材料而形成绝缘层,如此依次重复基于绝缘性材料的涂敷的绝缘层的形成和基于导电性材料的涂敷的导体的形成来重叠涂敷,从而能制造层叠构造的噪声滤波器阵列。
此外,所述实施例1~7的噪声滤波器阵列中,说明了具有4个滤波器元件F1~F4的噪声滤波器阵列,但是本发明在滤波器元件的数量上没有特别的制约,也可广泛适用于具有多个滤波器元件的噪声滤波器阵列。
此外,所述实施例1~7的噪声滤波器阵列中,各滤波器元件F1~F4由LC并联谐振电路和LC串联谐振电路构成,但是本发明并不局限于此,也可适用于例如π型或T型等阶梯型的多个滤波器元件排列为阵列状而整体形成的噪声滤波器阵列。
本发明在其它点上,并且不局限于所述实施例,在不脱离发明的宗旨的范围内能进行各种应用、变形。
工业上的可利用性
根据本发明,用简单的结构能得到多个滤波器元件相互间的特性偏差少的噪声滤波器阵列。
因此,本发明的噪声滤波器阵列,例如在一台中使用多个通信频带的移动电话的用于除去各通信频带的噪声的噪声滤波器等的用途中能广泛地利用。
Claims (11)
1.一种噪声滤波器阵列,将多个由具有线圈和电容器的LC并联谐振电路及LC串联谐振电路构成的滤波器元件设置为阵列状而整体形成,其特征在于:
相对于构成各滤波器元件的所述LC串联谐振电路的接地用的电容器的信号侧电极,共同地对置配置一个所述接地用的电容器的接地侧电极,所述接地侧电极,经由转接孔,对由与所述接地用的电容器构成所述LC串联谐振电路的电感调整用导体进行了连接,并且,
构成为从所述电感调整用导体与所述转接孔的连接位置到接地端子的长度,对于所述各滤波器元件,成为相等。
2.根据权利要求1所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
具有层叠构造,所述各滤波器元件,以所述电感调整用导体作为分界,仅被设置在层叠构造的层叠方向上的单侧。
3.根据权利要求2所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
所述各滤波器元件为4个元件,且该4个元件彼此并列地配置在与所述层叠方向正交的方向上。
4.根据权利要求1所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
构成所述LC并联谐振电路和所述LC串联谐振电路的用于形成线圈的导体,将位置错开而形成,以便在厚度方向上彼此不重叠。
5.根据权利要求1所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
在构成所述LC串联谐振电路的所述接地用的电容器的各信号侧电极一侧,也设置了电感调整用导体。
6.一种噪声滤波器阵列,将多个由具有线圈和电容器的LC并联谐振电路及LC串联谐振电路构成的滤波器元件设置为阵列状而整体形成,其特征在于:
该噪声滤波器阵列具有层叠构造,其中
相对于构成2个滤波器元件的所述LC串联谐振电路的接地用的电容器的信号侧电极,共同地对置配置了一个所述接地用的电容器的接地侧电极,所述接地侧电极,经由转接孔,对由与所述接地用的电容器构成所述LC串联谐振电路的电感调整用导体进行了连接,并且,
构成为从所述电感调整用导体与所述转接孔的连接位置到接地端子的长度,对于所述各滤波器元件,成为相等,并且,所述滤波器元件,以所述电感调整用导体作为分界,在层叠构造的层叠方向上的两侧各配置了2个元件,
所述2个元件并列地配置在与所述层叠方向正交的方向上。
7.根据权利要求1或6所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
所述电感调整用导体是弯曲状或线状的导体,以点对称或线对称的方式而形成。
8.根据权利要求7所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
所述电感调整用导体与所述转接孔的连接点,位于所述各接地端子成为点对称或线对称的中心位置上。
9.根据权利要求7所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
所述接地端子形成在点对称或线对称的位置上,并且形成多个所述转接孔,所述电感调整用导体与各转接孔的连接点,位于从所述各接地端子成为点对称或线对称的中心位置仅离开了相等距离的位置上。
10.根据权利要求6所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
构成所述LC并联谐振电路和所述LC串联谐振电路的用于形成线圈的导体,将位置错开而形成,以便在厚度方向上彼此不重叠。
11.根据权利要求6所述的噪声滤波器阵列,其特征在于:
在构成所述LC串联谐振电路的所述接地用的电容器的各信号侧电极一侧,也设置了电感调整用导体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006205291A JP4811935B2 (ja) | 2006-07-27 | 2006-07-27 | ノイズフィルタアレイ |
JP205291/2006 | 2006-07-27 | ||
PCT/JP2007/063994 WO2008013073A1 (en) | 2006-07-27 | 2007-07-13 | Noise filter array |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101490954A CN101490954A (zh) | 2009-07-22 |
CN101490954B true CN101490954B (zh) | 2011-09-14 |
Family
ID=38981386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007800263433A Active CN101490954B (zh) | 2006-07-27 | 2007-07-13 | 噪声滤波器阵列 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7746197B2 (zh) |
EP (1) | EP2048777B1 (zh) |
JP (1) | JP4811935B2 (zh) |
KR (1) | KR100988660B1 (zh) |
CN (1) | CN101490954B (zh) |
WO (1) | WO2008013073A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5999900B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2016-09-28 | トムソン ライセンシングThomson Licensing | HR−Siシリコン技術におけるフィルタリング回路 |
JP2011238016A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Sony Corp | 非接触通信媒体、アンテナパターン配置媒体、通信装置及びアンテナ調整方法 |
JP5799918B2 (ja) * | 2012-09-05 | 2015-10-28 | 株式会社村田製作所 | フィルタ |
WO2015107922A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 電気回路 |
KR101630031B1 (ko) | 2014-04-02 | 2016-06-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판 |
KR101630038B1 (ko) | 2014-05-08 | 2016-06-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판 |
KR101580395B1 (ko) | 2014-05-08 | 2015-12-23 | 삼성전기주식회사 | 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판 |
JP6477608B2 (ja) * | 2016-06-16 | 2019-03-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
JP2018207028A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | Tdk株式会社 | コイル部品及びその製造方法 |
US11573304B2 (en) * | 2018-04-27 | 2023-02-07 | Liturex (Guangzhou) Co. Ltd | LiDAR device with a dynamic spatial filter |
JP7232083B2 (ja) * | 2019-03-05 | 2023-03-02 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ |
CN109884828B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及移动终端 |
JP2020202484A (ja) * | 2019-06-10 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | フィルタモジュール |
JP2021129075A (ja) * | 2020-02-17 | 2021-09-02 | 日東電工株式会社 | 積層シート |
CN113270251A (zh) * | 2020-02-17 | 2021-08-17 | 日东电工株式会社 | 带标记的电感器及带标记的层叠片 |
JP2022149858A (ja) * | 2021-03-25 | 2022-10-07 | 太陽誘電株式会社 | 複合電子部品 |
CN117501392A (zh) * | 2021-08-06 | 2024-02-02 | 摩达伊诺琴股份有限公司 | 复合元件 |
KR20240062537A (ko) * | 2022-11-02 | 2024-05-09 | 주식회사 아모텍 | 적층형 공통 모드 필터 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456481B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-09-24 | Greatbatch-Sierra, Inc. | Integrated EMI filter-DC blocking capacitor |
CN1417941A (zh) * | 2001-11-05 | 2003-05-14 | 三星电机株式会社 | 阵列型降噪滤波器 |
CN1417942A (zh) * | 2001-11-05 | 2003-05-14 | 三星电机株式会社 | 阵列型降噪滤波器 |
JP2004343696A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-12-02 | Tdk Corp | フィルタ回路網およびその設計方法ならびにマルチバンド送信機 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3545405A1 (de) * | 1985-12-19 | 1987-07-02 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung fuer einen einphasen-sperrfilter (breitbandsperre) |
GB8628004D0 (en) * | 1986-11-22 | 1986-12-31 | Emlux Ltd | Filtering electrical signals |
DE4032707A1 (de) * | 1990-10-15 | 1992-04-16 | Siemens Ag | Entstoerfilter fuer eine gradientenspule in einem kernspinresonanz-bildgeraet |
JP2607853Y2 (ja) * | 1993-07-09 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | Lc複合部品アレイ |
JPH09266430A (ja) | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | 積層フィルタ |
JP3223848B2 (ja) * | 1996-08-21 | 2001-10-29 | 株式会社村田製作所 | 高周波部品 |
US6018448A (en) * | 1997-04-08 | 2000-01-25 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
JP4442154B2 (ja) * | 2003-08-13 | 2010-03-31 | 株式会社村田製作所 | 積層型アレイ部品 |
-
2006
- 2006-07-27 JP JP2006205291A patent/JP4811935B2/ja active Active
-
2007
- 2007-07-13 KR KR1020097000451A patent/KR100988660B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-13 CN CN2007800263433A patent/CN101490954B/zh active Active
- 2007-07-13 WO PCT/JP2007/063994 patent/WO2008013073A1/ja active Application Filing
- 2007-07-13 EP EP07790774.9A patent/EP2048777B1/en active Active
-
2009
- 2009-01-12 US US12/352,027 patent/US7746197B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456481B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-09-24 | Greatbatch-Sierra, Inc. | Integrated EMI filter-DC blocking capacitor |
CN1417941A (zh) * | 2001-11-05 | 2003-05-14 | 三星电机株式会社 | 阵列型降噪滤波器 |
CN1417942A (zh) * | 2001-11-05 | 2003-05-14 | 三星电机株式会社 | 阵列型降噪滤波器 |
JP2004343696A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-12-02 | Tdk Corp | フィルタ回路網およびその設計方法ならびにマルチバンド送信機 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100988660B1 (ko) | 2010-10-18 |
JP2008035122A (ja) | 2008-02-14 |
WO2008013073A1 (en) | 2008-01-31 |
US7746197B2 (en) | 2010-06-29 |
JP4811935B2 (ja) | 2011-11-09 |
EP2048777B1 (en) | 2015-04-15 |
US20090108958A1 (en) | 2009-04-30 |
CN101490954A (zh) | 2009-07-22 |
EP2048777A4 (en) | 2009-10-28 |
KR20090031412A (ko) | 2009-03-25 |
EP2048777A1 (en) | 2009-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101490954B (zh) | 噪声滤波器阵列 | |
US7880564B2 (en) | Noise filter array | |
CN104348442B (zh) | 高频模块 | |
US6529102B2 (en) | LC filter circuit and laminated type LC filter | |
CN101490953A (zh) | 噪声滤波器阵列 | |
US9473103B2 (en) | High frequency component | |
US9385682B2 (en) | High frequency component and filter component | |
CN102272868B (zh) | 电子元器件及其制造方法 | |
KR100643145B1 (ko) | 집중 정수형 비상반소자 | |
US6114936A (en) | Multilayer coil and manufacturing method for same | |
JP4665786B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信装置 | |
CN109003778A (zh) | Lc复合部件 | |
JP2006246123A (ja) | 積層型ノイズフィルタ | |
JP2002344276A (ja) | 高周波電力分配・合成回路および高周波電力分配・合成部品 | |
US8400236B2 (en) | Electronic component | |
WO1994022281A1 (en) | Laminated circuit board | |
JP5412833B2 (ja) | 非可逆回路素子及びその中心導体組立体 | |
US4649356A (en) | Compactly constructed electromagnetic delay line | |
CN100566148C (zh) | 噪声滤波器 | |
JP2003087005A (ja) | 多層バンドパスフィルタ及びその製造方法 | |
JP2005051432A (ja) | フィルタ素子及び電子モジュール | |
JP2611718B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005051322A (ja) | フィルタ素子及び電子モジュール | |
JP2008271502A (ja) | フィルタ装置 | |
JP2000357901A (ja) | 対称型積層フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |