CN113270251A - 带标记的电感器及带标记的层叠片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供带标记的电感器及带标记的层叠片。带标记的电感器(21)具备:片状的电感器(2),其具备多个布线(7)和埋设多个布线(7)的磁性层(8),和标记(4),其配置在电感器(2)的厚度方向一侧和/或形成于磁性层(8)。
Description
技术领域
本发明涉及带标记的电感器及带标记的层叠片。
背景技术
以往,已知将片状的电感器搭载于电子设备。例如,提出了具备布线和被覆布线的磁性层的电感器(例如参见下述专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-220618号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,有时会在磁性层中形成用于使布线与电子设备电连接的通孔。这时,为了准确识别俯视时的布线的位置,需要对准电感器。但是,专利文献1中,存在无法精度良好地对准电感器的不良情况。
此外,对于要搭载于电子设备的电感器,存在搭载之前用户想要获得关于其的信息的需求。但是,专利文献1的电感器不具备上述信息。因此,存在用户无法事先获得电感器的信息的不良情况。
本发明提供能够精度良好地对准来形成通孔、并且能够可靠地获得制品相关的信息的带标记的电感器及带标记的层叠片。
用于解决问题的方案
本发明(1)包含一种带标记的电感器,其具备:片状的电感器,其具备多个布线和埋设前述多个布线的磁性层;和标记,其配置在前述电感器的厚度方向一侧和/或形成于前述磁性层。
该带标记的电感器具备标记,因此,能够基于标记对带标记的电感器进行对准来形成通孔,或者,能够基于标记识别制品相关的信息从而可靠地获得该信息。
本发明(2)包含(1)所述的带标记的电感器,前述标记在沿厚度方向投影时与前述布线隔开间隔。
该带标记的电感器中,标记与布线隔开间隔。即,标记未配置成与布线在厚度方向一侧相对。因此,标记以不会因布线的存在而发生位置偏移的方式形成。因此,能够更准确地对准带标记的电感器,此外,能够更可靠地获得制品相关的信息。
本发明(3)包含一种带标记的层叠片,其具备:(1)或(2)所述的带标记的电感器,前述标记配置在前述电感器的厚度方向一侧,和配置前述标记的标记层,其配置在前述电感器的前述厚度方向一侧的面。
该带标记的层叠片具备标记,因此,能够基于标记对带标记的层叠片进行对准来形成通孔,或者,能够基于标记识别制品相关的信息,从而可靠地获得该信息。
进而,该带标记的层叠片具备标记层,因此,能够可靠地具备标记。
本发明(4)包含(3)所述的带标记的层叠片,其中,前述标记层的材料为树脂组合物。
该带标记的层叠片中,标记层的材料为树脂组合物,因此,容易形成标记。
本发明(5)包含(4)所述的带标记的层叠片,其中,前述树脂组合物为热固化性树脂组合物,所述带标记的层叠片满足下述试验(a)~试验(e)中的至少任一个试验。
试验(a):将前述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ1。其后,将样品在含有硫酸铜5水合物66g/L、硫酸浓度180g/L、氯50ppm、Top Lucinaα的硫酸铜镀覆溶液200mL中在25℃下浸渍120分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ2。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ1-μ2|/μ1×100
试验(b):将前述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ3。其后,将样品在含有硫酸55g/L的酸活性水溶液200mL中在25℃下浸渍1分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ4。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ3-μ4|/μ3×100
试验(c):将前述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ5。其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Reduction solutionSecuriganth P 200mL中在45℃下浸渍5分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ6。
利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ5-μ6|/μ5×100
试验(d):将前述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ7。其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的ConcentrateCompact CP 200mL中在80℃下浸渍15分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ8。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ7-μ8|/μ7×100
试验(e):将前述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ9。其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Swelling DipSecuriganth P 200mL中在60℃下浸渍5分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ10。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ9-μ10|/μ9×100
该带标记的层叠片满足试验(a)~试验(e)中的至少任一个试验,因此,对使用化学药液的工艺加工的稳定性优异。
本发明(6)包含(1)所述的带标记的电感器,其中,前述标记为贯通前述磁性层的厚度方向的贯通孔。
该带标记的电感器中,即使在磁性层上配置绝缘层,也能够确保自厚度方向另一侧的视觉识别性。
发明的效果
本发明的带标记的电感器及带标记的层叠片能够精度良好地对准来形成通孔,并且,能够可靠地获得制品相关的信息。
附图说明
图1的A~图1的C为本发明的带标记的层叠片的一个实施方式的制造工序的俯视图,图1的A为层叠片、图1的B为带标记的层叠片、图1的C为形成有通孔的带标记的层叠片。
图2的A~图2的D为本发明的带标记的层叠片的一个实施方式的制造工序的正剖面图,图2的A为电感器、图2的B为层叠片、图2的C为带标记的层叠片、图2的D为形成有通孔的带标记的层叠片。
图3为图2的C所示的带标记的层叠片的标记的变形例的放大剖面图。
图4为图2的C所示的带标记的层叠片的标记的变形例的放大剖面图。
图5为图2的C所示的带标记的层叠片的标记的变形例的放大剖面图。
图6为本发明的带标记的电感器的一个实施方式的正剖面图。
图7为图6所示的带标记的电感器的变形例的俯视图。
图8为图6所示的带标记的电感器的变形例的俯视图。
图9为图1的B所示的带标记的层叠片的变形例(标记为批号的变形例)的俯视图。
附图标记说明
1 带标记的层叠片
2 电感器
4 标记
7 布线
8 磁性层
21 带标记的电感器
27 贯通孔
具体实施方式
<一个实施方式>
参照图1的B及图2的C对本发明的带标记的层叠片的一个实施方式进行说明。
该带标记的层叠片1具有规定厚度,具有沿与厚度方向垂直的面方向延伸的片形状。例如,带标记的层叠片1具有俯视大致矩形形状。带标记的层叠片1具备:片状的电感器2、标记层3和标记4。
电感器2在俯视时具有与带标记的层叠片1相同的外形形状。具体而言,电感器2在俯视时具有包含4条边5的大致矩形形状。
此外,电感器2具备多个布线7和磁性层8。
多个布线7相互隔开间隔地相邻。多个布线7平行。多个布线7沿着与相邻的方向和厚度方向垂直的方向延伸。布线7的形状、尺寸、构成、材料、配方(填充率、含有比例等)等例如记载于日本特开2019-220618号公报等中。优选的是,布线7在沿着与沿布线7的方向垂直的方向的剖面中呈大致圆形,其直径的下限例如为25μm,此外,直径的上限例如为2000μm。布线7优选包含由导体形成的导线和被覆导线的周面的绝缘膜。相邻的布线7的间隔的下限例如为10μm、优选为50μm,此外,相邻的布线7的间隔的上限例如为5000μm、优选为3000μm。布线7的直径与相邻的布线7的间隔的比(直径/间隔)的上限例如为200、优选为50,此外,下限例如为0.01、优选为0.1。
磁性层8使带标记的层叠片1的电感提高。磁性层8在俯视时具有与电感器2相同的外形形状。磁性层8具有沿面方向延伸的板形状。此外,磁性层8在剖面视时埋设多个布线7。磁性层8具有:一侧的面9、另一侧的面10和内周面11。
一侧的面9形成磁性层8的厚度方向一侧的面。
另一侧的面10形成磁性层8的厚度方向另一侧的面。另一侧的面10在一侧的面9的厚度方向另一侧隔开间隔。
内周面11沿厚度方向与一侧的面9和另一侧的面10隔开间隔。内周面11在厚度方向上位于一侧的面9和另一侧的面10之间。此外,内周面11在多个布线7相邻的方向上位于彼此相对的2个外侧面18之间。内周面11与布线7的外周面接触。
磁性层8包含粘结剂和磁性颗粒。具体而言,磁性层8的材料为含有粘结剂和磁性颗粒的磁性组合物。
作为粘结剂,可列举出例如丙烯酸类树脂等热塑性树脂、例如环氧树脂组合物等热固化性树脂。丙烯酸类树脂例如包含含羧基丙烯酸酯共聚物。环氧树脂组合物例如包含作为主剂的环氧树脂(甲酚酚醛清漆型环氧树脂等)、环氧树脂用固化剂(酚醛树脂等)、和环氧树脂用固化促进剂(咪唑化合物等)。
作为粘结剂,可以分别单独使用热塑性树脂和热固化性树脂或组合使用它们,优选组合使用热塑性树脂和热固化性树脂。磁性组合物中粘结剂的体积比率为后述的磁性颗粒的体积比率的其余部分。
磁性颗粒例如分散在粘结剂中。在本实施方式中,磁性颗粒具有大致扁平形状。需要说明的是,大致扁平形状包括大致板状。需要说明的是,磁性颗粒也可以具有大致球状、大致针形状。优选的是,磁性颗粒具有大致扁平形状。
磁性颗粒具有大致扁平形状的情况下,其扁平率(扁平度)的下限例如为8、优选为15,此外,上限例如为500、优选为450。扁平率例如以磁性颗粒的中值粒径除以磁性颗粒的平均厚度而得到的长宽比的形式算出。
磁性颗粒的中值粒径的下限例如为3.5μm、优选为10μm,此外,上限例如为200μm、优选为150μm。磁性颗粒具有大致扁平形状时,其平均厚度的下限例如为0.1μm、优选为0.2μm,此外,上限例如为3.0μm、优选为2.5μm。
此外,磁性颗粒的材料为金属类。作为金属类,可列举出软磁性体、硬磁性体等磁性体。优选的是,从确保良好的电感的观点出发,可列举出软磁性体。
作为软磁性体,可列举出:例如以纯物质的状态包含1种金属元素的单一金属体,例如作为1种以上金属元素(第1金属元素)与1种以上金属元素(第2金属元素)和/或非金属元素(碳、氮、硅、磷等)的共熔体(混合物)的合金体。这些可以单独使用或组合使用。
作为单一金属体,例如可列举出仅包含1种金属元素(第1金属元素)的金属单质。作为第1金属元素,例如从铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、其它可作为软磁性体的第1金属元素而含有的金属元素中适宜选择。
此外,作为单一金属体,可列举出:例如,具备仅含1种金属元素的芯和对该芯的表面的一部分或全部进行修饰的含有无机物和/或有机物的表面层的形态;例如,包含第1金属元素的有机金属化合物、无机金属化合物发生分解(热分解等)而成的形态等。作为后者的形态,更具体而言,可列举出包含铁作为第1金属元素的有机铁化合物(具体为羰基铁)发生热分解而得到的铁粉(有时称为羰基铁粉)等。需要说明的是,对仅包含1种金属元素的部分进行修饰的含有无机物和/或有机物的层的位置不限定于上述那样的表面。需要说明的是,作为能够得到单一金属体的有机金属化合物、无机金属化合物,没有特别限定,可以从能够得到软磁性体的单一金属体的公知或惯用的有机金属化合物、无机金属化合物中适宜选择。
合金体只要为1种以上金属元素(第1金属元素)与1种以上金属元素(第2金属元素)和/或非金属元素(碳、氮、硅、磷等)的共熔体,并且可作为软磁性体的合金体利用就没有特别限定。
第1金属元素为合金体中的必需元素,例如可列举出铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)等。需要说明的是,第1金属元素为Fe时,合金体视为Fe系合金,第1金属元素为Co时,合金体视为Co系合金,第1金属元素为Ni时,合金体视为Ni系合金。
第2金属元素为在合金体中次要地含有的元素(副成分),为与第1金属元素相容(共熔)的金属元素,例如可列举出铁(Fe)(第1金属元素为Fe以外的元素的情况)、钴(Co)(第1金属元素为Co以外的元素的情况)、镍(Ni)(第1金属元素为Ni以外的元素的情况)、铬(Cr)、铝(Al)、硅(Si)、铜(Cu)、银(Ag)、锰(Mn)、钙(Ca)、钡(Ba)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)、钌(Ru)、铑(Rh)、锌(Zn)、镓(Ga)、铟(In)、锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、钪(Sc)、钇(Y)、锶(Sr)、各种稀土元素等。这些可以单独使用或组合使用2种以上。
非金属元素为在合金体中次要地含有的元素(副成分),为与第1金属元素相容(共熔)的非金属元素,例如可列举出硼(B)、碳(C)、氮(N)、硅(Si)、磷(P)、硫(S)等。这些可以单独使用或组合使用2种以上。
对于作为合金体的一例的Fe系合金,例如可列举出:磁性不锈钢(Fe-Cr-Al-Si合金)(包含电磁不锈钢)、铁硅铝合金(Sendust、Fe-Si-Al合金)(包含超级铁硅铝合金)、坡莫合金(Fe-Ni合金)、Fe-Ni-Mo合金、Fe-Ni-Mo-Cu合金、Fe-Ni-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Cr-Si合金、硅铜(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-B-Si-Cr合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Si-Co合金、Fe-N合金、Fe-C合金、Fe-B合金、Fe-P合金、铁氧体(包含不锈钢系铁氧体、进而Mn-Mg系铁氧体、Mn-Zn系铁氧体、Ni-Zn系铁氧体、Ni-Zn-Cu系铁氧体、Cu-Zn系铁氧体、Cu-Mg-Zn系铁氧体等软磁铁氧体)、波门杜尔合金(Fe-Co合金)、Fe-Co-V合金、Fe基非晶合金等。
对于作为合金体的一例的Co系合金,可列举出例如Co-Ta-Zr、钴(Co)基非晶合金等。
对于作为合金体的一例的Ni系合金,可列举出例如Ni-Cr合金等。
需要说明的是,对于上述磁性组合物的更详细的配方,记载于日本特开2014-165363号公报等中。
磁性组合物中磁性颗粒的体积比率的下限例如为40体积%、优选为50体积%、更优选为60体积%,此外,上限例如为95体积%、优选为90体积%。
电感器2的厚度的下限例如为30μm、优选为40μm,此外,电感器2的厚度的上限例如为2500μm、优选为2000μm。
此外,电感器2的厚度与带标记的层叠片1的厚度的比的下限例如为0.1、优选为0.3、更优选为0.7,此外,上限例如为0.999、优选为0.990、更优选为0.980。
标记层3是形成有以下说明的标记4的层。标记层3具有沿面方向延伸的片形状。具体而言,标记层3在俯视时具有与带标记的层叠片1同样的外形形状。标记层3配置于磁性层8的一侧的面9。具体而言,标记层3与一侧的面9的整个面接触。
标记层3的材料没有特别限定,例如可列举出树脂组合物、金属、陶瓷等,优选列举出树脂组合物。标记层3的材料为树脂组合物时,容易形成以下说明的标记4。
树脂组合物例如含有树脂作为必需成分,含有颗粒作为任选成分。
作为树脂,可列举出例如热固化性树脂、活性能量射线固化性树脂等固化性树脂、例如热塑性树脂等塑性树脂。
作为固化性树脂,优选列举出热固化性树脂。热固化性树脂包含主剂、固化剂及固化促进剂。
作为主剂,例如可列举出环氧树脂、有机硅树脂等,优选列举出环氧树脂。作为环氧树脂,可列举出例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、改性双酚S型环氧树脂、联苯型环氧树脂等2官能环氧树脂、例如苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯酚基乙烷型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂等3官能以上的多官能环氧树脂等。这些环氧树脂可以单独使用或组合使用2种以上。优选列举出2官能环氧树脂,更优选列举出双酚A型环氧树脂。
环氧树脂的环氧当量的下限例如为10g/eq.,此外,上限例如为1000g/eq.。
作为固化剂,如果主剂为环氧树脂,则可列举出例如酚醛树脂、异氰酸酯树脂等。作为酚醛树脂,例如可列举出苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、苯酚亚联苯树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等多官能酚醛树脂。它们可以单独使用或组合使用2种以上。作为酚醛树脂,优选列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚亚联苯树脂。主剂为环氧树脂、固化剂为酚醛树脂时,相对于环氧树脂中的环氧基1当量,酚醛树脂中的羟基的合计下限例如为0.7当量、优选为0.9当量,此外,上限例如为1.5当量、优选为1.2当量。具体而言,固化剂的质量份数的下限相对于主剂100质量份例如为1质量份,此外例如为50质量份。
作为固化促进剂,为促进主剂的固化的催化剂(热固化催化剂)(优选为环氧树脂固化促进剂),可列举出例如有机磷系化合物、例如2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑(2P4MHZ)等咪唑化合物等。固化促进剂的质量份数的下限相对于主剂100质量份例如为0.05质量份,此外,上限例如为5质量份。
作为热塑性树脂,例如可列举出丙烯酸类树脂、聚酯树脂、热塑性聚氨酯树脂等。此外,作为热塑性树脂,还可以列举出亲水性聚合物。
作为树脂,可以单独使用固化性树脂及塑性树脂中的任意者,此外,也可以组合使用它们。
树脂组合物中的树脂的质量比例的下限例如为10质量%、优选为30质量%,上限例如为90质量%、优选为75质量%。
颗粒为选自由第1颗粒和第2颗粒组成的组中的至少一种。
第1颗粒例如具有大致球状。第1颗粒的中值粒径的下限例如为1μm、优选为5μm,此外,第1颗粒的中值粒径的上限例如为250μm、优选为200μm。第1颗粒的中值粒径利用激光衍射式粒度分布测定装置来求出。此外,第1颗粒的中值粒径例如也可以通过基于剖面观察的二值化处理来求出。
第1颗粒的材料没有特别限定。作为第1颗粒的材料,例如可列举出金属类、无机化合物、有机化合物、非金属元素的单质等,从可靠地形成标记4的观点出发,优选列举出无机化合物、非金属元素的单质。
无机化合物在使标记层3作为墨接收层起作用时包含在树脂组合物中。作为无机化合物,例如可列举出无机填料,具体而言,可列举出二氧化硅、氧化铝等,优选列举出二氧化硅。
非金属元素的单质在使标记层3作为激光变色层起作用时包含在树脂组合物中。作为非金属元素的单质,例如可列举出碳、硅等,优选列举出碳,更优选列举出炭黑等。
具体而言,作为第1颗粒,优选列举出球状二氧化硅,此外,优选列举出球状炭黑。
第2颗粒例如具有大致扁平形状。大致扁平形状包含大致板状。
第2颗粒的扁平率(扁平度)的下限例如为8、优选为15,此外,上限例如为500、优选为450。第2颗粒的扁平率通过与上述磁性层8中的磁性颗粒的扁平率相同的计算方法来求出。
第2颗粒的中值粒径的下限例如为1μm、优选为5μm,此外,第2颗粒的中值粒径的上限例如为250μm、优选为200μm。第2颗粒的中值粒径通过与第1颗粒的中值粒径同样的方法来求出。
第2颗粒的平均厚度的下限例如为0.1μm、优选为0.2μm,此外,上限例如为3.0μm、优选为2.5μm。
第2颗粒的材料为无机化合物。作为无机化合物,例如可列举出氮化硼等热传导性化合物等。
具体而言,作为第2颗粒,优选列举出扁平形状的氮化硼。
第1颗粒及第2颗粒在树脂组合物中包含单独一种、或者包含两种。
颗粒(第1颗粒和/或第2颗粒)相对于树脂100质量份的质量份数的下限例如为10质量份、优选为50质量份,此外,上限例如为2000质量份、优选为1500质量份。此外,树脂组合物中的颗粒的含有比例的下限例如为10质量%,此外,上限例如为90质量%。在树脂组合物中包含第1颗粒及第2颗粒这两者时,相对于第1颗粒100质量份,第2颗粒的质量份数的下限例如为30质量份,此外,上限例如为300质量份。
需要说明的是,颗粒为树脂组合物中的任选成分,因此,树脂组合物也可以不含有颗粒。
标记层3的厚度的下限例如为1μm、优选为10μm,此外,上限例如为1000μm、优选为100μm。此外,标记层3的厚度与带标记的层叠片1的厚度的比的下限例如为0.001、优选为0.005、更优选为0.01,此外,上限例如为0.5、优选为0.3、更优选为0.1。
标记4例如为报知电感器2中的多个布线7的位置信息的标记。此外,标记4为用于在带标记的层叠片1中形成通孔16的对准标记。
标记4形成于标记层3。具体而言,标记4配置于标记层3的厚度方向一侧的面。各个标记4例如分别形成于被标记层3的4条边5划分的4个角部6。标记4在俯视时例如具有大致+字形状。
此外,标记4是从标记层3的厚度方向一侧的面朝向厚度方向另一侧行进至厚度方向中途的凹部。
此外,标记4在向厚度方向投影时相对于多个布线7在相邻的方向的外侧分隔开。即,标记4在向厚度方向投影时不与多个布线7重叠,而是与多个布线7错开。标记4与布线7的最短距离L的下限例如为10μm、优选为50μm,此外,上限例如为10mm、优选为5mm、更优选为3mm。
标记4的尺寸没有特别限定。布线7延伸的方向上的标记4的长度的下限例如为10μm、优选为50μm,更优选为300μm,此外,上限例如为5mm、优选为2mm,更优选为1mm。在多个布线7相邻的方向上的标记4的长度的下限例如为10μm、优选为50μm,更优选为300μm,此外,上限例如为5mm、优选为2mm,更优选为1mm。标记4的上述尺寸为上述下限以上时,能够可靠地读取标记4作为对准标记。标记4的上述尺寸为上述上限以下时,能够使带标记的层叠片1小型化。
标记4的深度的下限例如为1μm、优选为5μm,此外,上限为1mm。标记4的深度相对于标记层3的厚度(深度)的比的下限例如为0.01、优选为0.1,此外,上限例如为0.9、优选为0.7。
接着,参照图1的A~图2的D对上述带标记的层叠片1的制造方法及加工方式进行说明。
该方法中,首先,如图2的A所示,准备电感器2。电感器2例如通过日本特开2019-220618号公报等中记载的方法来准备。
接着,在该方法中,如图1的A及图2的B所示,将可形成标记的层15配置于电感器2的厚度方向一侧的面。
可形成标记的层15为尚未设置标记4的层,为能够通过接下来的工序形成标记4的层。可形成标记的层15的材料与标记层3的材料相同。将该可形成标记的层15配置于电感器2时,首先,准备可形成标记的片14。可形成标记的片14为将可形成标记的层15配置于电感器2的一侧的面9之前的片,其材料与标记层3的材料相同。在准备可形成标记的片14时,在上述材料中进一步配混溶剂,制备清漆,将其涂布于剥离片(未图示)的表面并进行干燥。树脂含有热固化性树脂时,热固化性树脂为B阶或C阶。
接着,将可形成标记的片14贴附于电感器2的厚度方向一侧的面。具体而言,使可形成标记的片14的厚度方向另一侧的面与电感器2的厚度方向一侧的面接触。由此,可形成标记的片14以与可形成标记的层15中的一侧的面9接触的状态形成。
其后,在树脂含有B阶的热固化性树脂的情况下,通过加热将热固化性树脂C阶化。
由此,可形成标记的层15被配置(层叠)在电感器2的厚度方向一侧的面。优选的是,可形成标记的层15与磁性层8的一侧的面9粘接。
由此,制作具备电感器2和可形成标记的层15的层叠片13。该层叠片13是尚不具备标记4、用于制造带标记的层叠片1的部件,其为可单独流通的构件,可产业上利用。
其后,在该方法中,如图1的B及图2的C所示,在可形成标记的层15上形成标记4。
标记4的形成方法没有特别限定,例如可列举出钻孔、利用切断的冲孔、物理研磨(例如喷砂等)、化学蚀刻等。
由此,可形成标记的层15成为形成有标记4的标记层3。由此,得到具备电感器2、标记层3和标记4的带标记的层叠片1。
带标记的层叠片1例如满足试验(a)~试验(e)中的至少任一个试验。
试验(a):将带标记的层叠片1外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ1。其后,将样品在含有硫酸铜5水合物66g/L、硫酸浓度180g/L、氯50ppm、奥野制药工业株式会社制造的Top Lucinaα的硫酸铜镀覆溶液200mL中在25℃下浸渍120分钟,其后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ2。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ1-μ2|/μ1×100
试验(b):将带标记的层叠片1外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ3。其后,将样品在含有硫酸55g/L的酸活性水溶液200mL中在25℃下浸渍1分钟,其后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ4。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ3-μ4|/μ3×100
试验(c):将带标记的层叠片1外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ5。其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Reduction solutionSecuriganth P 200mL中在45℃下浸渍5分钟,其后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ6。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ5-μ6|/μ5×100
试验(d):将带标记的层叠片1外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ7。其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Concentrate Compact CP200mL中在80℃下浸渍15分钟,其后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ8。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ7-μ8|/μ7×100
试验(e):将带标记的层叠片1外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ9。其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Swelling DipSecuriganth P 200mL中在60℃下浸渍5分钟,其后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ10。利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率。其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下。
磁导率的变化率(%)=|μ9-μ10|/μ9×100
在满足试验(a)的情况下,试验(a)中的样品的磁导率的变化率的上限优选为4%、更优选为3%。
如果满足试验(a),则带标记的层叠片1相对于电镀铜的硫酸铜溶液的浸渍的稳定性优异。
在满足试验(b)的情况下,试验(b)中的样品的磁导率的变化率的上限优选为4%、更优选为3%。
如果满足试验(b),则带标记的层叠片1相对于酸活性溶液的浸渍的稳定性优异。
在满足试验(c)的情况下,试验(c)中的样品的磁导率的变化率的上限优选为4%、更优选为3%。
试验(c)中的Atotech Japan K.K.制造的Reduction solution Securiganth P含有硫酸水溶液,作为中和液(中和剂、或中和用水溶液)使用。因此,如果满足试验(c),则带标记的层叠片1相对于中和液浸渍的稳定性优异。
在满足试验(d)的情况下,试验(d)中的样品的磁导率的变化率的上限优选为4%、更优选为3%。
试验(d)中的Atotech Japan K.K.制造的Concentrate Compact CP含有高锰酸钾溶液。因此,如果满足试验(d),则带标记的层叠片1相对于去沾污(清洗)的高锰酸钾溶液浸渍的稳定性优异。
在满足试验(e)的情况下,试验(e)中的样品的磁导率的变化率的上限优选为4%、更优选为3%。
试验(e)中的Atotech Japan K.K.制造的Swelling Dip Securiganth P为含有二醇醚类和氢氧化钠的水溶液,作为溶胀液使用。因此,如果满足试验(e),则带标记的层叠片1相对于溶胀液浸渍的稳定性优异。
优选试验(a)~试验(e)均满足。由此,带标记的层叠片1相对于电镀铜的硫酸铜溶液、酸活性溶液、中和液、去沾污(清洗)的高锰酸钾溶液和溶胀液的浸渍的稳定性优异,相对于使用这些液体的各种工艺的稳定性优异。
如图1的C及图2的D所示,其后,在带标记的层叠片1中形成通孔16。
在通孔16的形成中,例如,使用标记4作为对准标记,对准带标记的层叠片1。例如,利用配置于带标记的层叠片1的厚度方向一侧的识别装置识别(读取)标记4(的位置),以该标记4为基准,相对于接下来实施加工的装置调整带标记的层叠片1的面方向位置。
通孔16的形成方法没有特别限定,可列举出例如钻孔、喷砂等接触式开口、例如使用激光的非接触式加工等。
通孔16例如在俯视时与布线7重叠。详细而言,通孔16是露出布线7的厚度方向一侧的面的中央部、并贯通相对于布线7位于厚度方向一侧的磁性层8及标记层3的厚度方向的贯通孔。通孔16在俯视(未图示)时具有大致圆形。此外,通孔16在剖面视时具有开口面积随着朝向厚度方向一侧而变宽的锥形形状。或者,虽然未图示,但通孔16也可以在剖面视时具有在厚度方向一侧中开口剖面积相同的笔直形状。
其后,形成有通孔16的带标记的层叠片1经历例如光刻、镀覆(镀铜等)等工序而在从通孔16露出的布线7上形成未图示的导电层,并搭载/接合于电子设备或电子部件。电子设备或电子部件借助通孔16与布线7电连接。
<一个实施方式的作用效果>
该带标记的层叠片1由于具备标记4,因此,能够基于标记4对带标记的层叠片1进行对准来形成通孔16。
进而,该带标记的层叠片1具备标记层3,因此,能够可靠地具备标记4。
虽然未图示,但是,如果标记4在布线7的厚度方向一侧相对配置,则有时会由于布线7的存在而导致标记4发生位置偏移。
但是,在该带标记的层叠片1中,标记4与布线7隔开间隔。即,标记4不与布线7在厚度方向一侧相对配置。因此,标记4以不发生由布线7的存在引起的位置偏移的方式形成。因此,能够更准确地对准带标记的层叠片1。
进而,在该带标记的层叠片1中,标记层3的材料为树脂组合物时,容易形成标记4。
<变形例>
在以下的各变形例中,对于与上述一个实施方式同样的构件和工序,标记相同的附图标记,省略其详细说明。此外,各变形例除了特别记载的以外能够发挥与上述一个实施方式同样的作用效果。进而,可以将一个实施方式和其变形例适宜组合。
标记4的形状不限定于上述形状。虽然未图示,但是,作为标记4的形状,在俯视时例如可列举出大致V字形状、大致X字形状、大致L字形状、大致I字形状(包含大致直线形状)、大致U字形状、大致C字形状、大致圆环形状(包含大致楕圆环形状)、大致圆形(包含大致楕圆形状)、大致多边形框形状(包含大致三角框形状、大致矩形框形状)、大致多边形状(包含大致三角形状、大致矩形形状)等。
标记4的位置没有特别限定,例如虽然未图示,但可以为相邻的布线7之间。
如图3所示,可形成标记的层15也可以为可激光变色的层和/或可接收墨的层。
可形成标记的层15为可激光变色的层时,可激光变色的层及标记层3均包含例如热固化性树脂作为树脂,包含球状炭黑作为第1颗粒,例如具有黑色。对可激光变色的层照射激光时,照射部分中的第1颗粒(炭黑)被热分解而去除,该部分的黑色度变低(颜色变浅)(变色)。由此,可形成标记的层15成为具有变色了的标记4的标记层3。
可形成标记的层15为可接收墨的层时,可接收墨的层及标记层3例如包含亲水性聚合物作为树脂,包含球状二氧化硅作为第1颗粒。将墨(未图示)印刷于可形成标记的层15,其后,可形成标记的层15的亲水性聚合物及二氧化硅吸收墨(与墨亲和)。由此,可形成标记的层15成为具有着色了的标记4的标记层3。
如图4所示,标记4可以为贯通标记层3的贯通孔。
如图5所示,标记4也可以配置在标记层3的厚度方向一侧的面。标记4例如由墨的固体物质(优选紫外线固化物等的固化物)形成。
如图6~图8所示,也可以不在标记层3而是在电感器2上直接形成标记4。在该变形例中,在带标记的电感器21中具备电感器2和标记4。详细而言,带标记的电感器21不具备标记层3而仅具备电感器2和标记4。带标记的电感器21不是带标记的层叠片1。
图6所示的变形例的带标记的电感器21中,标记4形成于电感器2的一侧的面9。标记4是自磁性层8的一侧的面9朝向另一侧进展至厚度方向中途为止的磁性凹部26。磁性凹部26的俯视时的尺寸与一个实施方式中的标记4的尺寸相同。
图7所示的变形例的带标记的电感器21中,标记4为在厚度方向贯通电感器2的贯通孔27。更具体而言,贯通孔27在厚度方向上贯通磁性层8。贯通孔27的俯视时的尺寸与一个实施方式中的标记4的尺寸相同。
作为图6所示的磁性凹部26、和图7所示的贯通孔27的形成方法,可列举出:例如钻孔、喷砂等接触式加工、例如使用激光的非接触式加工。从加工时间短的方面出发,优选列举出接触式加工,更优选列举出钻孔。
在图6和图7所示的磁性层8的厚度方向一侧的面9上,例如可以配置虚线所示的绝缘层28。绝缘层28与磁性层8的厚度方向一侧的面9接触。绝缘层28沿面方向延伸。作为绝缘层28的材料,可列举出一个实施方式的标记层3的材料中例示的树脂组合物。图6中,绝缘层28填充磁性凹部26。图7中,绝缘层28将贯通孔27的厚度方向一侧边缘封闭。虽然未图示,但是,贯通孔27也可以被绝缘层28所使用的树脂组合物填充。
将图6所示的磁性凹部26和图7所示的贯通孔27进行对比时,优选图7所示的贯通孔27。如果为图7的变形例,则在形成虚线所示的绝缘层28时,能够确保自厚度方向另一侧的视觉识别性。
虽然未图示,但是也可以将标记4设置于标记层3和电感器2这两者上。
图8所示的变形例的带标记的电感器21中,标记4通过切掉电感器2的角部6(参照图6)而形成。标记4通过将角部6沿厚度方向切成矩形而形成。
另外,如图9所示,标记4可以代替对准标记、或与对准标记一起包含作为制品的带标记的层叠片1(或带标记的电感器21)相关的信息。信息例如可列举出带标记的层叠片1的批号、带标记的层叠片1的磁导率等。
如图2的B的单点虚线所示,也可以将可形成标记的层15形成于电感器2的一侧的面9及另一侧的面10。在该变形例中,如图2的C所示,2个标记层3分别配置于一侧的面9及另一侧的面10。在2个标记层3各自上形成有标记4。
对于在2个标记层3各自上形成有标记4的变形例而言,在以下方面与仅在1个标记层3上形成有标记4的一个实施方式相比是更适合的。
在需要从带标记的层叠片1的厚度方向两侧形成通孔16的情况下,在上述变形例中,能够使通孔16的形成面与标记4的识别面为同一个面。因此,能够提高制造效率。与之相对,在一侧的面9形成通孔16、在另一侧的面10形成标记4时,即通孔16的形成面与标记4的识别面在不同的面时,需要在厚度方向上翻转带标记的层叠片1,或者从厚度方向另一侧识别标记4,形成通孔16的工序变得非常繁杂。
厚度方向一侧的标记4与另一侧的标记4只要改变其形状和/或形成方法,就能够容易且可靠地识别带标记的层叠片1的厚度方向两面。
需要设置多个标记4时,能够有效地利用带标记的层叠片1的厚度方向两个面的空间。即,仅厚度方向一侧的面的空白区域少的情况下,可以有效利用另一个面。
厚度方向一侧的标记4的位置与另一侧的标记4的位置在沿厚度方向投影时如果相同,则使它们的形状不同时,如果使用利用了会透过带标记的层叠片1的能量射线的识别装置(例如X射线识别装置)时,则能够在一次识别过程(拍摄)中得到2个信息。因此,能够提高制造效率。
带标记的层叠片1可以通过将与带标记的层叠片1相比俯视时的尺寸更大的第2带标记的层叠片(未图示)切断而得到。第2带标记的层叠片具有多个与切断前的带标记的层叠片1对应的区域(未图示)。在多个区域各自中设置有标记4。使用标记4将第2带标记的层叠片(未图示)切断,从而得到多个经单片化的带标记的层叠片1。在第2带标记的层叠片(未图示)的多个区域各自中,可以设置通孔16。利用切断装置读取标记4,确定与带标记的层叠片1对应的区域,从而将第2带标记的层叠片(未图示)切断而进行单片化。带标记的层叠片1和第2带标记的层叠片(未图示)均包含在本发明的带标记的层叠片中。
带标记的电感器21可以将与带标记的电感器21相比俯视时的尺寸更大的第2带标记的电感器(未图示)切断而得到。第2带标记的电感器具有多个与切断前的带标记的电感器21对应的区域(未图示)。在多个区域各自中设置有标记4。使用标记4将第2带标记的电感器(未图示)切断,从而得到多个经单片化的带标记的电感器21。利用切断装置读取标记4,确定与带标记的电感器21对应的区域,从而将第2带标记的电感器(未图示)切断而进行单片化。带标记的电感器21和第2带标记的电感器(未图示)均包含在本发明的带标记的电感器中。
需要说明的是,上述发明作为本发明的例示的实施方式提供,其不过是单纯的例示,不做限定性解释。对于本领域技术人员显而易见的本发明的变形例包含在权利要求保护范围内。
Claims (6)
1.一种带标记的电感器,其特征在于,具备:
片状的电感器,其具备多个布线和埋设所述多个布线的磁性层,和
标记,其配置在所述电感器的厚度方向一侧和/或形成于所述磁性层。
2.根据权利要求1所述的带标记的电感器,其特征在于,在沿厚度方向投影时,所述标记与所述布线隔开间隔。
3.根据权利要求1所述的带标记的电感器,其特征在于,所述标记为贯通所述磁性层的厚度方向的贯通孔。
4.一种带标记的层叠片,其特征在于,具备:
权利要求1~3中的任一项所述的带标记的电感器,所述标记配置在所述电感器的厚度方向一侧,和
配置所述标记的标记层,其配置在所述电感器的所述厚度方向一侧的面。
5.根据权利要求4所述的带标记的层叠片,其特征在于,所述标记层的材料为树脂组合物。
6.根据权利要求5所述的带标记的层叠片,其特征在于,所述树脂组合物为热固化性树脂组合物,
所述带标记的层叠片满足下述试验(a)~试验(e)中的至少任一个试验,
试验(a):将所述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ1,其后,将样品在含有硫酸铜5水合物66g/L、硫酸浓度180g/L、氯50ppm、Top Lucinaα的硫酸铜镀覆溶液200mL中在25℃下浸渍120分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ2,利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率,其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下,
磁导率的变化率(%)=|μ1-μ2|/μ1×100;
试验(b):将所述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ3,其后,将样品在含有硫酸55g/L的酸活性水溶液200mL中在25℃下浸渍1分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ4,利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率,其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下,
磁导率的变化率(%)=|μ3-μ4|/μ3×100;
试验(c):将所述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ5,其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Reduction solutionSecuriganth P 200mL中在45℃下浸渍5分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ6,
利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率,其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下,
磁导率的变化率(%)=|μ5-μ6|/μ5×100;
试验(d):将所述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ7,其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Concentrate Compact CP200mL中在80℃下浸渍15分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ8,利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率,其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下,
磁导率的变化率(%)=|μ7-μ8|/μ7×100;
试验(e):将所述带标记的层叠片外形加工成3cm见方,制作样品,求出其在频率10MHz下的相对磁导率μ9,其后,将样品在Atotech Japan K.K.制造的Swelling DipSecuriganth P 200mL中在60℃下浸渍5分钟,之后,求出样品在频率10MHz下的相对磁导率μ10,利用下述式求出浸渍前后的磁导率的变化率,其结果,样品的磁导率的变化率为5%以下,
磁导率的变化率(%)=|μ9-μ10|/μ9×100。
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