JP2021129105A - マーク付きインダクタおよびマーク付き積層シート - Google Patents
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Abstract
【課題】精度よくアライメントして、ビアを形成でき、または、製品に関する情報を確実に取得できるマーク付きインダクタおよびマーク付き積層シートを提供する。【解決手段】マーク付きインダクタは、複数の配線7および複数の配線7を埋設する磁性層8を備えるシート状のインダクタ2と、インダクタ2の厚み方向一方側に配置され、および/または、磁性層8上に形成されるマーク4が設けらるマーク形成可能層15と、を備える。【選択図】図2
Description
本発明は、マーク付きインダクタおよびマーク付き積層シートに関する。
従来、シート状のインダクタは、電子機器に搭載されることが知られている。例えば、配線と、配線を被覆する磁性層とを備えるインダクタが提案されている(例えば、下記特許文献1参照。)。
しかるに、磁性層に、配線が電子機器と電気的に接続するためのビアを形成する場合がある。その際、平面視における配線の位置を正確に認識するために、インダクタをアライメントする必要がある。しかし、特許文献1では、インダクタを精度よくアライメントできないという不具合がある。
また、電子機器に搭載すべきインダクタは、それに関する情報を搭載前にユーザーが取得したい要求がある。しかし、特許文献1のインダクタは、上記した情報を備えない。そのため、ユーザーがインダクタの情報を事前に取得できないという不具合がある。
本発明は、精度よくアライメントして、ビアを形成でき、または、製品に関する情報を確実に取得できるマーク付きインダクタおよびマーク付き積層シートを提供する。
本発明(1)は、複数の配線、および、前記複数の配線を埋設する磁性層を備えるシート状のインダクタと、前記インダクタの厚み方向一方側に配置され、および/または、前記磁性層に形成されるマークとを備える、マーク付きインダクタを含む。
このマーク付きインダクタは、マークを備えるので、マークに基づいて、マーク付きインダクタをアライメントして、ビアを形成したり、または、マークに基づいて、製品に関する情報を認識して、かかる情報を確実に取得できる。
本発明(2)は、前記マークは、厚み方向に投影したときに、前記配線と間隔が隔てられている、(1)に記載のマーク付きインダクタを含む。
このマーク付きインダクタでは、マークは、配線と間隔が隔てられている。つまり、マークは、配線の厚み方向一方側に対向配置されていない。そのため、マークは、配線の存在に基づく位置ずれがなく形成される。そのため、マーク付きインダクタをより一層正確にアライメントでき、また、製品に関する情報をより確実に取得できる。
本発明(3)は、(1)または(2)に記載され、前記マークが前記インダクタの厚み方向一方側に配置されるマーク付きインダクタと、前記インダクタの前記厚み方向一方面に配置されており、前記マークが配置されるマーク層とを備える、マーク付き積層シートを含む。
このマーク付き積層シートは、マークを備えるので、マークに基づいて、マーク付き積層シートをアライメントして、ビアを形成したり、または、マークに基づいて、製品に関する情報を認識して、かかる情報を確実に取得できる。
さらに、このマーク付き積層シートは、マーク層を備えるので、マークを確実に備えることができる。
本発明(4)は、前記マーク層の材料は、樹脂組成物である、(3)に記載のマーク付き積層シートを含む。
このマーク付き積層シートでは、マーク層の材料が、樹脂組成物であるので、マークの形成が容易である。
本発明(5)は、前記樹脂組成物が、熱硬化性樹脂組成物であり、下記試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足する、(4)に記載のマーク付き積層シートを含む。
試験(a):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ1を求める。その後、サンプルを、硫酸銅5水和物66g/L、硫酸濃度180g/L、塩素50ppm、トップルチナαを含有する硫酸銅めっき溶液200mLに、25℃で、120分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ2を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ1−μ2|/μ1×100
試験(b):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(b):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ3−μ4|/μ3×100
試験(c):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。
下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(c):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。
下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ5−μ6|/μ5×100
試験(d):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(d):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ7−μ8|/μ7×100
試験(e):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(e):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ9−μ10|/μ9×100
このマーク付き積層シートは、試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足するので、薬液を用いるプロセス加工に対する安定性に優れる。
このマーク付き積層シートは、試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足するので、薬液を用いるプロセス加工に対する安定性に優れる。
本発明(6)は、前記マークは、前記磁性層の厚み方向を貫通する貫通孔である、(1)に記載のマーク付きインダクタを含む。
このマーク付きインダクタでは、磁性層に絶縁層を配置しても、厚み方向他方側からの視認性を確保できる。
本発明のマーク付きインダクタおよびマーク付き積層シートは、精度よくアライメントして、ビアを形成でき、または、製品に関する情報を確実に取得できる。
<一実施形態>
本発明のマーク付き積層シートの一実施形態を、図1Bおよび図2Cを参照して説明する。
本発明のマーク付き積層シートの一実施形態を、図1Bおよび図2Cを参照して説明する。
このマーク付き積層シート1は、所定厚みを有し、厚み方向に対して直交する面方向に延びるシート形状を有する。例えば、マーク付き積層シート1は、平面視略矩形状を有する。マーク付き積層シート1は、シート状のインダクタ2と、マーク層3と、マーク4とを備える。
インダクタ2は、平面視において、マーク付き積層シート1と同一の外形形状を有する。具体的には、インダクタ2は、平面視において、4つの辺5を含む略矩形状を有する。
また、インダクタ2は、複数の配線7と、磁性層8とを備える。
複数の配線7は、互いに間隔が隔てて隣り合う。複数の配線7は、並行する。複数の配線7は、隣り合う方向と厚み方向とに直交する方向に沿って延びる。配線7の形状、寸法、構成、材料、処方(充填率、含有割合など)などは、例えば、特開2019−220618号公報などに記載される。好ましくは、配線7は、配線7に沿う方向に直交する方向に沿う断面において、略円形状をなしており、その直径の下限が、例えば、25μmであり、また、直径の上限が、例えば、2,000μmである。配線7は、好ましくは、導体からなる導線と、導線の周面を被覆する絶縁膜とを含む。隣り合う配線7の間隔の下限は、例えば、10μm、好ましくは、50μmであり、また、隣り合う配線7の間隔の上限は、例えば、5,000μm、好ましくは、3,000μmである。隣り合う配線7の間隔に対する、配線7の直径の比(直径/間隔)の上限は、例えば、200、好ましくは、50であり、また、下限が、例えば、0.01、好ましくは、0.1である。
磁性層8は、マーク付き積層シート1のインダクタンスを向上させる。磁性層8は、平面視において、インダクタ2と同一の外形形状を有する。磁性層8は、面方向に延びる板形状を有する。また、磁性層8は、断面視で、複数の配線7を埋設する。磁性層8は、一方面9と、他方面10と、内周面11とを有する。
一方面9は、磁性層8における厚み方向一方面を形成する。
他方面10は、磁性層8における厚み方向他方面を形成する。他方面10は、一方面9の厚み方向他方側に間隔が隔てられる。
内周面11は、一方面9および他方面10と厚み方向に間隔が隔てられる。内周面11は、厚み方向において、一方面9および他方面10の間に位置する。また、内周面11は、複数の配線7が隣り合う方向において、互いに対向する2つの外側面18の間に位置する。内周面11は、配線7の外周面に接触する。
磁性層8は、バインダと、磁性粒子とを含む。具体的には、磁性層8の材料は、バインダと磁性粒子とを含有する磁性組成物である。
バインダとしては、例えば、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂、例えば、エポキシ樹脂組成物などの熱硬化性樹脂が挙げられる。アクリル樹脂は、例えば、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマーを含む。エポキシ樹脂組成物は、例えば、主剤であるエポキシ樹脂(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など)と、エポキシ樹脂用硬化剤(フェノール樹脂など)と、エポキシ樹脂用硬化促進剤(イミダゾール化合物など)とを含む。
バインダとしては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂をそれぞれ単独使用または併用することができ、好ましくは、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を併用する。磁性組成物におけるバインダの体積割合は、後述する磁性粒子の体積割合の残部である。
バインダとしては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂をそれぞれ単独使用または併用することができ、好ましくは、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を併用する。磁性組成物におけるバインダの体積割合は、後述する磁性粒子の体積割合の残部である。
磁性粒子は、例えば、バインダ中に分散する。本実施形態において、磁性粒子は、例えば、略扁平形状を有する。なお、略扁平形状は、略板形状を含む。なお、磁性粒子は、略球形状、略針形状を有してもよい。好ましくは、磁性粒子は、略扁平形状を有する。
磁性粒子は、略扁平形状を有する場合には、その扁平率(扁平度)の下限は、例えば、8、好ましくは、15であり、また、上限は、例えば、500、好ましくは、450である。扁平率は、例えば、磁性粒子のメジアン径を磁性粒子の平均厚さで除したアスペクト比として算出される。
磁性粒子のメジアン径の下限は、例えば、3.5μm、好ましくは、10μmであり、また、上限は、例えば、200μm、好ましくは、150μmである。磁性粒子は、略扁平形状を有する場合には、その平均厚みの下限は、例えば、0.1μm、好ましくは、0.2μmであり、また、上限は、例えば、3.0μm、好ましくは、2.5μmである。
また、磁性粒子の材料は、金属類である。金属類としては、軟磁性体、硬磁性体などの磁性体が挙げられる。好ましくは、良好なインダクタンスを確保する観点から、軟磁性体が挙げられる。
軟磁性体としては、例えば、1種類の金属元素を純物質の状態で含む単一金属体、例えば、1種類以上の金属元素(第1金属元素)と、1種類以上の金属元素(第2金属元素)および/または非金属元素(炭素、窒素、ケイ素、リンなど)との共融体(混合物)である合金体が挙げられる。これらは、単独または併用することができる。
単一金属体としては、例えば、1種類の金属元素(第1金属元素)のみからなる金属単体が挙げられる。第1金属元素としては、例えば、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、その他、軟磁性体の第1金属元素として含有することが可能な金属元素の中から適宜選択される。
また、単一金属体としては、例えば、1種類の金属元素のみを含むコアと、そのコアの表面の一部または全部を修飾する無機物および/または有機物を含む表面層とを含む形態、例えば、第1金属元素を含む有機金属化合物や無機金属化合物が分解(熱分解など)された形態などが挙げられる。後者の形態として、より具体的には、第1金属元素として鉄を含む有機鉄化合物(具体的には、カルボニル鉄)が熱分解された鉄粉(カルボニル鉄粉と称される場合がある)などが挙げられる。なお、1種類の金属元素のみを含む部分を修飾する無機物および/または有機物を含む層の位置は、上記のような表面に限定されない。なお、単一金属体を得ることができる有機金属化合物や無機金属化合物としては、特に制限されず、軟磁性体の単一金属体を得ることができる公知乃至慣用の有機金属化合物や無機金属化合物から適宜選択することができる。
合金体は、1種類以上の金属元素(第1金属元素)と、1種類以上の金属元素(第2金属元素)および/または非金属元素(炭素、窒素、ケイ素、リンなど)との共融体であり、軟磁性体の合金体として利用することができるものであれば特に制限されない。
第1金属元素は、合金体における必須元素であり、例えば、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)などが挙げられる。なお、第1金属元素がFeであれば、合金体は、Fe系合金とされ、第1金属元素がCoであれば、合金体は、Co系合金とされ、第1金属元素がNiであれば、合金体は、Ni系合金とされる。
第2金属元素は、合金体に副次的に含有される元素(副成分)であり、第1金属元素に相溶(共融)する金属元素であって、例えば、鉄(Fe)(第1金属元素がFe以外である場合)、コバルト(Co)(第1金属元素がCo以外である場合)、ニッケル(Ni)(第1金属元素Ni以外である場合)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)、銅(Cu)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ストロンチウム(Sr)、各種希土類元素などが挙げられる。これらは、単独使用または2種以上併用することができる。
非金属元素は、合金体に副次的に含有される元素(副成分)であり、第1金属元素に相溶(共融)する非金属元素であって、例えば、ホウ素(B)、炭素(C)、窒素(N)、ケイ素(Si)、リン(P)、硫黄(S)などが挙げられる。これらは、単独使用または2種以上併用することができる。
合金体の一例であるFe系合金として、例えば、磁性ステンレス(Fe−Cr−Al−Si合金)(電磁ステンレスを含む)、センダスト(Fe−Si−Al合金)(スーパーセンダストを含む)、パーマロイ(Fe−Ni合金)、Fe−Ni−Mo合金、Fe−Ni−Mo−Cu合金、Fe−Ni−Co合金、Fe−Cr合金、Fe−Cr−Al合金、Fe−Ni−Cr合金、Fe−Ni−Cr−Si合金、ケイ素銅(Fe−Cu−Si合金)、Fe−Si合金、Fe−Si―B(−Cu−Nb)合金、Fe−B−Si−Cr合金、Fe−Si−Cr−Ni合金、Fe−Si−Cr合金、Fe−Si−Al−Ni−Cr合金、Fe−Ni−Si−Co合金、Fe−N合金、Fe−C合金、Fe−B合金、Fe−P合金、フェライト(ステンレス系フェライト、さらには、Mn−Mg系フェライト、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Cu−Zn系フェライト、Cu−Mg−Zn系フェライトなどのソフトフェライトを含む)、パーメンジュール(Fe−Co合金)、Fe−Co−V合金、Fe基アモルファス合金などが挙げられる。
合金体の一例であるCo系合金としては、例えば、Co−Ta−Zr、コバルト(Co)基アモルファス合金などが挙げられる。
合金体の一例であるNi系合金としては、例えば、Ni−Cr合金などが挙げられる。
なお、上記した磁性組成物のより詳細な処方については、特開2014−165363号公報などに記載される。
磁性組成物における磁性粒子の体積割合の下限は、例えば、40体積%、好ましくは、50体積%、より好ましくは、60体積%であり、また、上限は、例えば、95体積%、好ましくは、90体積%である。
インダクタ2の厚みの下限は、例えば、30μm、好ましくは、40μmであり、また、インダクタ2の厚みの上限は、例えば、2,500μm、好ましくは、2,000μmである。
また、マーク付き積層シート1の厚みに対するインダクタ2の厚みの比の下限は、例えば、0.1、好ましくは、0.3、より好ましくは、0.7であり、また、上限が、例えば、0.999、好ましくは、0.990、より好ましくは、0.980である。
マーク層3は、次に説明するマーク4が形成されている層である。マーク層3は、面方向に延びるシート形状を有する。具体的には、マーク層3は、平面視において、マーク付き積層シート1と同様の外形形状を有する。マーク層3は、磁性層8の一方面9に配置されている。具体的には、マーク層3は、一方面9の全部に接触している。
マーク層3の材料は、特に限定されず、例えば、樹脂組成物、金属、セラミックスなどが挙げられ、好ましくは、樹脂組成物が挙げられる。マーク層3の材料が樹脂組成物であれば、次に説明するマーク4の形成が容易である。
樹脂組成物は、例えば、樹脂を必須成分として含有し、粒子を任意成分として含有する。
樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂などの硬化性樹脂、例えば、熱可塑性樹脂などの可塑性樹脂が挙げられる。
硬化性樹脂としては、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂は、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含む。
主剤としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられ、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの2官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの3官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または2種以上を併用することができる。好ましくは、2官能エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が挙げられる。
エポキシ樹脂のエポキシ当量の下限は、例えば、10g/eq.であり、また、上限は、例えば、1,000g/eq.である。
硬化剤としては、主剤がエポキシ樹脂であれば、例えば、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、レゾール樹脂などの多官能フェノール樹脂が挙げられる。これらは、単独で使用または2種以上を併用することができる。フェノール樹脂として、好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニレン樹脂が挙げられる。主剤がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計の下限が、例えば、0.7当量、好ましくは、0.9当量、また、上限が、例えば、1.5当量、好ましくは、1.2当量である。具体的には、硬化剤の質量部数の下限は、主剤100質量部に対して、例えば、1質量部であり、また、例えば、50質量部である。
硬化促進剤としては、主剤の硬化を促進する触媒(熱硬化触媒)(好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤)であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(2P4MHZ)などのイミダゾール化合物などが挙げられる。硬化促進剤の質量部数の下限は、主剤100質量部に対して、例えば、0.05質量部であり、また、上限が、例えば、5質量部である。
熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン樹脂などが挙げられる。また、熱可塑性樹脂として、親水性ポリマーも挙げられる。
樹脂として、硬化性樹脂および可塑性樹脂のいずれかを単独使用でき、また、それらを併用することもできる。
樹脂組成物における樹脂の質量割合の下限は、例えば、10質量%、好ましくは、30質量%であり、上限は、例えば、90質量%、好ましくは、75質量%である。
粒子は、第1粒子、および、第2粒子からなる群から選択される少なくとも1種類である。
第1粒子は、例えば、略球形状を有する。第1粒子のメジアン径の下限は、例えば、1μm、好ましくは、5μmであり、また、第1粒子のメジアン径の上限は、例えば、250μm、好ましくは、200μmである。第1粒子のメジアン径は、レーザ回折式粒度分布測定装置で求められる。また、第1粒子のメジアン径は、例えば、断面観察による二値化処理によって、求めることもできる。
第1粒子の材料は、特に限定されない。第1粒子の材料としては、例えば、金属類、無機化合物、有機化合物、非金属元素の単体などが挙げられ、マーク4を確実に形成する観点から、好ましくは、無機化合物、非金属元素の単体が挙げられる。
無機化合物は、マーク層3をインク受容層として機能させる場合に樹脂組成物に含まれる。無機化合物としては、例えば、無機フィラーが挙げられ、具体的には、シリカ、アルミナなどが挙げられ、好ましくは、シリカが挙げられる。
非金属元素の単体は、マーク層3をレーザ変色層として機能させる場合に樹脂組成物に含まれる。非金属元素の単体としては、例えば、炭素、ケイ素などが挙げられ、好ましくは、炭素、より好ましくは、カーボンブラックなどが挙げられる。
具体的には、第1粒子として、好ましくは、球形状シリカが挙げられ、また、好ましくは、球形状カーボンブラックが挙げられる。
第2粒子は、例えば、略扁平形状を有する。略扁平形状は、略板形状を含む。
第2粒子の扁平率(扁平度)の下限は、例えば、8、好ましくは、15であり、また、上限は、例えば、500、好ましくは、450である。第2粒子の扁平率は、上記した磁性層8における磁性粒子の扁平率と同じ算出方法で求められる。
第2粒子のメジアン径の下限は、例えば、1μm、好ましくは、5μmであり、また、第2粒子のメジアン径の上限は、例えば、250μm、好ましくは、200μmである。
第2粒子のメジアン径は、第1粒子のそれと同様の方法で求められる。
第2粒子のメジアン径は、第1粒子のそれと同様の方法で求められる。
第2粒子の平均厚みの下限は、例えば、0.1μm、好ましくは、0.2μmであり、また、上限は、例えば、3.0μm、好ましくは、2.5μmである。
第2粒子の材料は、無機化合物である。無機化合物としては、例えば、窒化ホウ素などの熱伝導性化合物などが挙げられる。
具体的には、第2粒子として、好ましくは、扁平形状の窒化ホウ素が挙げられる。
第1粒子および第2粒子は、樹脂組成物に、単独種類が含まれ、または、両方が含まれる。
樹脂100質量部に対する粒子(第1粒子および/または第2粒子)の質量部数の下限は、例えば、10質量部、好ましくは、50質量部であり、また、上限は、例えば、2,000質量部、好ましくは、1,500質量部である。また、樹脂組成物における粒子の含有割合の下限は、例えば、10質量%、また、上限は、例えば、90質量%である。第1粒子および第2粒子の両方が樹脂組成物に含まれる場合には、第1粒子100質量部に対する第2粒子の質量部数の下限は、例えば、30質量部、また、上限は、例えば、300質量部である。
なお、粒子は、樹脂組成物における任意成分であることから、樹脂組成物が、粒子を含有しなくてもよい。
マーク層3の厚みの下限は、例えば、1μm、好ましくは、10μmであり、また、上限は、例えば、1,000μm、好ましくは、100μmである。また、マーク付き積層シート1の厚みにおけるマーク層3の厚みの比の下限は、例えば、0.001、好ましくは、0.005、より好ましくは、0.01であり、また、上限は、例えば、0.5、好ましくは、0.3、より好ましくは、0.1である。
マーク4は、例えば、インダクタ2における複数の配線7の位置情報を報知するマークである。また、マーク4は、ビア16をマーク付き積層シート1に形成するためのアライメントマークである。
マーク4は、マーク層3に形成されている。具体的には、マーク4は、マーク層3の厚み方向一方面に配置されている。マーク4のそれぞれは、例えば、マーク層3の4つの辺5により区画される4つの隅部6のそれぞれに形成されている。マーク4は、平面視において、例えば、略+字形状を有する。
また、マーク4は、マーク層3の厚み方向一方面から厚み方向他方側に向かい、厚み方向途中まで進む凹部である。
また、マーク4は、厚み方向に投影したときに、複数の配線7に対して、隣り合う方向における外側に隔てられている。つまり、マーク4は、厚み方向に投影したときに、複数の配線7と重ならず、複数の配線7に対してずれている。マーク4と、配線7との最短距離Lの下限は、例えば、10μm、好ましくは、50μmであり、また、上限は、例えば、10mm、好ましくは、5mm、より好ましくは、3mmである。
マーク4の寸法は、特に限定されない。配線7が延びる方向におけるマーク4の長さの下限は、例えば、10μm、好ましくは、50μm、より好ましくは、300μmであり、また、上限が、例えば、5mm、好ましくは、2mm、より好ましくは、1mmである。複数の配線7が隣り合う方向におけるマーク4の長さの下限は、例えば、10μm、好ましくは、50μm、より好ましくは、300μmであり、また、上限が、例えば、5mm、好ましくは、2mm、より好ましくは、1mmである。マーク4の上記した寸法が上記した下限以上であれば、マーク4をアライメントマークとして確実に読み取ることができる。マーク4の上記した寸法が上記した上限以下であれば、マーク付き積層シート1を小型にできる。
マーク4の深さの下限は、例えば、1μm、好ましくは、5μmであり、また、上限が、1mmである。マーク層3の厚み(深さ)に対するマーク4の深さの比の下限は、例えば、0.01、好ましくは、0.1であり、また、上限は、例えば、0.9、好ましくは、0.7である。
次に、上記したマーク付き積層シート1の製造方法および加工態様を、図1A〜図2Dを参照して説明する。
この方法では、まず、図2Aに示すように、インダクタ2を準備する。インダクタ2は、例えば、特開2019−220618号公報などに記載される方法によって、準備する。
次いで、この方法では、図1Aおよび図2Bに示すように、マーク形成可能層15を、インダクタ2の厚み方向一方面に配置する。
マーク形成可能層15は、マーク4がまだ設けられていない層であって、次の工程でマーク4を形成することが可能な層である。マーク形成可能層15の材料は、マーク層3の材料と同一である。このマーク形成可能層15をインダクタ2に配置するには、まず、マーク形成可能シート14を準備する。マーク形成可能シート14は、マーク形成可能層15をインダクタ2の一方面9に対して配置する前のシートであり、その材料は、マーク層3の材料と同一である。マーク形成可能シート14を準備するには、上記した材料に溶媒をさらに配合して、ワニスを調製し、これを、剥離シート(図示せず)の表面に塗布および乾燥させる。樹脂が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂は、BステージまたはCステージである。
続いて、マーク形成可能シート14を、インダクタ2の厚み方向一方面に貼付する。具体的には、マーク形成可能シート14の厚み方向他方面を、インダクタ2の厚み方向一方面に接触させる。これによって、マーク形成可能シート14は、マーク形成可能層15に、一方面9に接触する状態で形成される。
その後、樹脂がBステージの熱硬化性樹脂を含有する場合には、加熱によって、熱硬化性樹脂をCステージ化する。
これによって、マーク形成可能層15は、インダクタ2の厚み方向一方面に配置(積層)される。好ましくは、マーク形成可能層15は、磁性層8の一方面9に接着されている。
これによって、インダクタ2と、マーク形成可能層15とを備える積層シート13が作製される。この積層シート13は、マーク4をまだ備えず、マーク付き積層シート1を製造するための部品であって、単独で流通可能なデバイスであって、産業上利用可能である。
その後、この方法では、図1Bおよび図2Cに示すように、マーク4をマーク形成可能層15に形成する。
マーク4の形成方法は、特に限定されず、例えば、ドリル、剪断での打抜き、物理研磨(例えば、サンドブラストなど)、ケミカルエッチングなどが挙げられる。
これによって、マーク形成可能層15は、マーク4が形成されたマーク層3となる。これにより、インダクタ2と、マーク層3と、マーク4とを備えるマーク付き積層シート1が得られる。
マーク付き積層シート1は、例えば、試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足する。
試験(a):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ1を求める。その後、サンプルを、硫酸銅5水和物66g/L、硫酸濃度180g/L、塩素50ppm、奥野製薬工業社製のトップルチナαを含有する硫酸銅めっき溶液200mLに、25℃で、120分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ2を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ1−μ2|/μ1×100
試験(b):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(b):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ3−μ4|/μ3×100
試験(c):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(c):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ5−μ6|/μ5×100
試験(d):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(d):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ7−μ8|/μ7×100
試験(e):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
試験(e):マーク付き積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ9−μ10|/μ9×100
試験(a)を満足する場合において、試験(a)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(a)を満足する場合において、試験(a)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(a)を満足すれば、マーク付き積層シート1は、電解銅めっきの硫酸銅溶液の浸漬に対する安定性に優れる。
試験(b)を満足する場合において、試験(b)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(b)を満足すれば、マーク付き積層シート1は、酸活性溶液の浸漬に対する安定性に優れる。
試験(c)を満足する場合において、試験(c)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(c)におけるアトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントPは、硫酸水溶液を含有しており、中和液(中和剤、または、中和用水溶液)として用いられる。従って、試験(c)を満足すれば、マーク付き積層シート1は、中和液浸漬に対する安定性に優れる。
試験(d)を満足する場合において、試験(d)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(d)におけるアトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCPは、過マンガン酸カリウム溶液を含有する。従って、試験(d)を満足すれば、マーク付き積層シート1は、デスミア(洗浄)の過マンガン酸カリウム溶液浸漬に対する安定性に優れる。
試験(e)を満足する場合において、試験(e)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(e)におけるアトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントPは、グリコールエーテル類および水酸化ナトリウムを含有する水溶液であって、膨潤液として用いられる。従って、試験(e)を満足すれば、マーク付き積層シート1は、膨潤液浸漬に対する安定性に優れる。
好ましくは、試験(a)〜試験(e)のいずれをも満足する。そのため、マーク付き積層シート1は、電解銅めっきの硫酸銅溶液、酸活性溶液、中和液、デスミア(洗浄)の過マンガン酸カリウム溶液および膨潤液の浸漬に対する安定性に優れ、これらの液を用いる各種プロセスに対する安定性に優れる。
図1Cおよび図2Dに示すように、その後、ビア16をマーク付き積層シート1に形成する。
ビア16の形成では、例えば、マーク4をアライメントマークとして用いて、マーク付き積層シート1をアライメントする。例えば、マーク4(の位置)を、マーク付き積層シート1の厚み方向一方側に配置される認識装置で認識し(読み取り)、このマーク4を基準にして、次に加工を実施する装置に対してマーク付き積層シート1の面方向位置を調整する。
ビア16の形成方法は、特に限定されず、例えば、ドリル、サンドブラストなどの接触式開口、例えば、レーザを用いる非接触式加工などが挙げられる。
ビア16は、例えば、平面視で、配線7と重複する。詳しくは、ビア16は、配線7の厚み方向一方面の中央部を露出し、配線7より厚み方向一方側に位置する磁性層8およびマーク層3の厚み方向を貫通する貫通孔である。ビア16は、平面視(図示せず)略円形状を有する。また、ビア16は、断面視において、厚み方向一方側に向かって従って開口面積が広がるテーパ形状を有する。または、図示しないが、ビア16は、断面視において、厚み方向一方側において開口断面積が同一であるストレート形状を有していてもよい。
その後、ビア16が形成されたマーク付き積層シート1は、例えば、フォトリソグラフィ、めっき(銅めっきなど)などの工程を経て、図示しない導電層が、ビア16から露出する配線7に形成され、電子機器またはや電子部品に搭載・接合される。電子機器または電子部品は、ビア16を介して、配線7と電気的に接続される。
<一実施形態の作用効果>
このマーク付き積層シート1は、マーク4を備えるので、マーク4に基づいて、マーク付き積層シート1をアライメントして、ビア16を形成できる。
このマーク付き積層シート1は、マーク4を備えるので、マーク4に基づいて、マーク付き積層シート1をアライメントして、ビア16を形成できる。
さらに、このマーク付き積層シート1は、マーク層3を備えるので、マーク4を確実に備えることができる。
図示しないが、マーク4が配線7の厚み方向一方側に対向配置されていれば、配線7に存在に起因してマーク4が位置ずれする場合がある。
しかし、このマーク付き積層シート1では、マーク4は、配線7と間隔が隔てられている。つまり、マーク4は、配線7の厚み方向一方側に対向配置されていない。そのため、マーク4は、配線7の存在に起因する位置ずれがなく、形成される。そのため、マーク付き積層シート1をより一層正確にアライメントできる。
さらに、このマーク付き積層シート1では、マーク層3の材料が、樹脂組成物であれば、マーク4の形成が容易である。
<変形例>
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
マーク4の形状は、上記に限定されない。図示しないが、マーク4の形状として、平面視において、例えば、略V字形状、略X字形状、略L字形状、略I字形状(略直線形状を含む)、略U字形状、略C字形状、略円環形状(略楕円環形状を含む)、略円形状(略楕円形状を含む)、略多角形枠形状(略三角枠形状、略矩形枠形状を含む)、略多角形状(略三角形状、略矩形状を含む)などが挙げられる。
マーク4の位置は、特に限定されず、例えば、図示しないが、隣り合う配線7の間であってもよい。
図3に示すように、マーク形成可能層15は、レーザ変色可能層および/またはインク受容可能層であってもよい。
マーク形成可能層15がレーザ変色可能層である場合には、レーザ変色可能層およびマーク層3は、いずれも、例えば、樹脂として熱硬化性樹脂を含み、第1粒子として球形状カーボンブラックを含んでおり、例えば、黒色を有する。レーザがレーザ変色可能層に照射されると、照射部分における第1粒子(カーボンブラック)が熱分解して除去され、かかる部分の黒色度が低くなる(色が薄くなる)(変色する)。これにより、マーク形成可能層15が、変色したマーク4を有するマーク層3となる。
マーク形成可能層15がインク受容可能層である場合には、インク受容可能層およびマーク層3は、例えば、樹脂として親水性ポリマーを含み、第1粒子として球形状シリカを含む。インク(図示せず)をマーク形成可能層15に印刷し、その後、マーク形成可能層15の親水性ポリマーおよびシリカがインクを吸収する(と親和する)。これにより、マーク形成可能層15が、着色したマーク4を有するマーク層3となる。
図4に示すように、マーク4は、マーク層3を貫通する貫通孔であってよい。
図5に示すように、マーク4は、マーク層3の厚み方向一方面に配置されていてよい。マーク4は、例えば、インクの固形物(好ましくは、紫外線硬化物などの硬化物)からなる。
図6〜図8に示すように、マーク4を、マーク層3ではなく、インダクタ2に直接形成することもできる。この変形例において、インダクタ2と、マーク4とは、マーク付きインダクタ21に備えられる。詳しくは、マーク付きインダクタ21は、マーク層3を備えず、インダクタ2と、マーク4とのみを備える。マーク付きインダクタ21は、マーク付き積層シート1ではない。
図6に示す変形例のマーク付きインダクタ21では、マーク4は、インダクタ2の一方面9に形成されている。マーク4は、磁性層8の一方面9から他方側に向かい、厚み方向途中まで進む磁性凹部26である。磁性凹部26の平面視における寸法は、一実施形態におけるマーク4の寸法と同様である。
図7に示す変形例のマーク付きインダクタ21では、マーク4は、インダクタ2を厚み方向に貫通する貫通孔27である。より具体的には、貫通孔27は、磁性層8を厚み方向に貫通する。貫通孔27の平面視における寸法は、一実施形態におけるマーク4の寸法と同様である。
図6に示す磁性凹部26、および、図7に示す貫通孔27の形成方法としては、例えば、ドリル、サンドブラストなどの接触式加工、例えば、レーザを用いる非接触式加工が挙げられる。好ましくは、加工時間が短いことから、接触式加工が挙げられ、より好ましくは、ドリルが挙げられる。
図6および図7に示す磁性層8の厚み方向一方面9に、例えば、仮想線で示す絶縁層28を配置することができる。絶縁層28は、磁性層8の厚み方向一方面9に接触する。絶縁層28は、面方向に延びる。絶縁層28の材料としては、一実施形態のマーク層3の材料で例示した樹脂組成物が挙げられる。図6において、絶縁層28は、磁性凹部26を充填する。図7において、絶縁層28は、貫通孔27の厚み方向一端縁を閉塞する。図示しないが、貫通孔27は、絶縁層28に用いられる樹脂組成物で充填されていてもよい。
図6に示す磁性凹部26、および、図7に示す貫通孔27を対比すると、図7に示す貫通孔27が好ましい。図7の変形例であれば、仮想線で示す絶縁層28が形成されるときに、厚み方向他方側からの視認性を確保できる。
図示しないが、マーク4を、マーク層3とインダクタ2との両方に設けることができる。
図8に示す変形例のマーク付きインダクタ21では、マーク4は、インダクタ2の隅部6(図6参照)を切り欠くことによって形成されている。マーク4は、隅部6を、厚み方向に、矩形状に切り欠くことによって形成されている。
図9に示すように、また、マーク4は、アライメントマークに代えて、または、アライメントメークとともに、製品としてのマーク付き積層シート1(またはマーク付きインダクタ21)に関する情報を含むことができる。情報は、例えば、マーク付き積層シート1のロット番号、マーク付き積層シート1の透磁率などが挙げられる。
図2Bの1点破線で示すように、マーク形成可能層15を、インダクタ2の一方面9および他方面10に形成することもできる。この変形例では、図2Cに示すように、2つのマーク層3が、一方面9および他方面10のそれぞれに配置されている。2つのマーク層3のそれぞれに、マーク4が形成されている。
2つのマーク層3のそれぞれにマーク4が形成される変形例は、以下の点で、1つのマーク層3のみにマーク4が形成される一実施形態に比べると好適である。
マーク付き積層シート1の厚み方向両側からビア16の形成が必要な場合において、上記した変形例では、ビア16の形成面と、マーク4の認識面とを同一面にすることが出来る。そのため、製造効率を向上できる。対して、ビア16を一方面9に形成し、マーク4が他方面10に形成されているとき、つまり、ビア16の形成面と、マーク4の認識面とが異なる面にあれば、マーク付き積層シート1を厚み方向で裏返したり、または、厚み方向他方側からマーク4を認識したりする必要があり、ビア16を形成する工程が、非常に煩雑になる。
厚み方向一方側のマーク4と、他方側のマーク4とは、その形状および/または形成方法を変えれば、マーク付き積層シート1の厚み方向両面を容易かつ確実に認識できる。
多数のマーク4を設ける必要な場合に、マーク付き積層シート1の厚み方向両方面のスペースを有効に活用できる。つまり、厚み方向一方面のみ、空きエリアが少ない場合に、他方面を有効に利用できる。
厚み方向一方側のマーク4の位置と、他方側のマーク4の位置とは、厚み方向において投影したときに、同一であれば、それらの形状を異ならせれば、マーク付き積層シート1を透過するエネルギー線を用いる認識装置(例えば、X線認識装置)を使えば、一度の認識過程(撮像)で2つの情報を得ることができる。そのため、製造効率を向上できる。
マーク付き積層シート1は、マーク付き積層シート1より平面視におけるサイズが大きい第2マーク付き積層シート(図示せず)を、切断して得ることができる。第2マーク付き積層シートは、切断前のマーク付き積層シート1に対応するエリア(図示せず)を複数有する。複数のエリアのそれぞれには、マーク4が設けられている。マーク4を用いて、第2マーク付き積層シート(図示せず)を切断して、複数の個片化されたマーク付き積層シート1を得る。第2マーク付き積層シート(図示せず)の複数のエリアのそれぞれにおいて、ビア16を設けることができる。マーク4を切断装置で読み取って、マーク付き積層シート1に対応するエリアを特定して、第2マーク付き積層シート(図示せず)を切断して個片化する。マーク付き積層シート1および第2マーク付き積層シート(図示せず)のいずれも、本発明のマーク付き積層シートに含まれる。
マーク付きインダクタ21は、マーク付きインダクタ21より平面視におけるサイズが大きい第2マーク付きインダクタ(図示せず)を、切断して得ることができる。第2マーク付きインダクタは、切断前のマーク付きインダクタ21に対応するエリア(図示せず)を複数有する。複数のエリアのそれぞれには、マーク4が設けられている。マーク4を用いて、第2マーク付きインダクタ(図示せず)を切断して、複数の個片化されたマーク付きインダクタ21を得る。マーク4を切断装置で読み取って、マーク付きインダクタ21に対応するエリアを特定して、第2マーク付きインダクタ(図示せず)を切断して個片化する。マーク付きインダクタ21および第2マーク付きインダクタ(図示せず)のいずれも、本発明のマーク付きインダクタに含まれる。
1 マーク付き積層シート
2 インダクタ
4 マーク
7 配線
8 磁性層
21 マーク付きインダクタ
27 貫通孔
2 インダクタ
4 マーク
7 配線
8 磁性層
21 マーク付きインダクタ
27 貫通孔
Claims (6)
- 複数の配線、および、前記複数の配線を埋設する磁性層を備えるシート状のインダクタと、
前記インダクタの厚み方向一方側に配置され、および/または、前記磁性層に形成されるマークと
を備えることを特徴とする、マーク付きインダクタ。 - 前記マークは、厚み方向に投影したときに、前記配線と間隔が隔てられていることを特徴とする、請求項1に記載のマーク付きインダクタ。
- 請求項1または2に記載され、前記マークが前記インダクタの厚み方向一方側に配置されるマーク付きインダクタと、
前記インダクタの前記厚み方向一方面に配置されており、前記マークが配置されるマーク層と
を備えることを特徴とする、マーク付き積層シート。 - 前記マーク層の材料は、樹脂組成物であることを特徴とする、請求項3に記載のマーク付き積層シート。
- 前記樹脂組成物が、熱硬化性樹脂組成物であり、
下記試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足することを特徴とする、請求項4に記載のマーク付き積層シート。
試験(a):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ1を求める。その後、サンプルを、硫酸銅5水和物66g/L、硫酸濃度180g/L、塩素50ppm、トップルチナαを含有する硫酸銅めっき溶液200mLに、25℃で、120分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ2を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ1−μ2|/μ1×100
試験(b):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ3−μ4|/μ3×100
試験(c):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。
下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ5−μ6|/μ5×100
試験(d):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ7−μ8|/μ7×100
試験(e):前記マーク付き積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ9−μ10|/μ9×100 - 前記マークは、前記磁性層の厚み方向を貫通する貫通孔である
ことを特徴とする、請求項1に記載のマーク付きインダクタ。
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CN202110184675.6A CN113270251A (zh) | 2020-02-17 | 2021-02-10 | 带标记的电感器及带标记的层叠片 |
US17/174,997 US20210257149A1 (en) | 2020-02-17 | 2021-02-12 | Mark-including inductor and mark-including laminated sheet |
TW110105347A TW202133202A (zh) | 2020-02-17 | 2021-02-17 | 附標記之電感器及附標記之積層片材 |
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JP2020024307 | 2020-02-17 |
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