JP2021129075A - 積層シート - Google Patents
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Abstract
【課題】精度よくアライメントして、ビアを形成でき、または、製品に関する情報を確実に取得できる積層シートを提供すること。【解決手段】積層シート１３は、複数の配線７、および、複数の配線７を埋設する磁性層８を備えるシート状のインダクタ２と、インダクタ２の厚み方向一方面に配置されるマーク形成可能層１５とを備える。【選択図】図１
Description
本発明は、積層シートに関する。
従来、シート状のインダクタは、電子機器に搭載されることが知られている。そのようなインダクタとして、配線と、配線を被覆する磁性層とを備えるインダクタが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
しかるに、磁性層に、配線が電子機器と電気的に接続するためのビアを形成する場合がある。その際、平面視における配線の位置を正確に認識するために、インダクタをアライメントする必要がある。しかし、特許文献１では、インダクタを精度よくアライメントできないという不具合がある。
また、電子機器に搭載すべきインダクタは、それに関する情報を搭載前にユーザーが取得したい要求がある。しかし、特許文献１のインダクタは、上記した情報を備えない。そのため、ユーザがインダクタの情報を事前に取得できないという不具合がある。
本発明は、精度よくアライメントして、ビアを形成でき、または、製品に関する情報を確実に取得できる積層シートを提供する。
本発明（１）は、複数の配線、および、前記複数の配線を埋設する磁性層を備えるシート状のインダクタと、前記インダクタの厚み方向一方面に配置されるマーク形成可能層とを備えることを特徴とする、積層シートを含む。
この積層シートは、マーク形成可能層を備える。そのため、マーク形成可能層にマークを形成すれば、かかるマークに基づいて、積層シートをアライメントして、ビアを形成したり、または、マークに基づいて、製品に関する情報を認識して、かかる情報を確実に取得できる。
本発明（２）は、前記マーク形成可能層の材料は、樹脂組成物である、（１）に記載の積層シートを含む。
この積層シートでは、マーク形成可能層の材料が、樹脂組成物であるので、マークの形成が容易である。
本発明（３）は、前記樹脂組成物が、熱硬化性樹脂組成物であり、下記試験（ａ）〜試験（ｅ）のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足する、（２）に記載の積層シートを含む。
試験（ａ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１を求める。その後、サンプルを、硫酸銅５水和物６６ｇ／Ｌ、硫酸濃度１８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｐｐｍ、トップルチナを含有する硫酸銅めっき溶液２００ｍＬに、２５℃で、１２０分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ２を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ１−μ２｜／μ１×１００
試験（ｂ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ３を求める。その後、サンプルを、硫酸５５ｇ／Ｌを含有する酸活性水溶液２００ｍＬに、２５℃で、１分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ４を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｂ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ３を求める。その後、サンプルを、硫酸５５ｇ／Ｌを含有する酸活性水溶液２００ｍＬに、２５℃で、１分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ４を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ３−μ４｜／μ３×１００
試験（ｃ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ５を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントＰ ２００ｍＬに、４５℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ６を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｃ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ５を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントＰ ２００ｍＬに、４５℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ６を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ５−μ６｜／μ５×１００
試験（ｄ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ７を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＣＰ ２００ｍＬに、８０℃で、１５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ８を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｄ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ７を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＣＰ ２００ｍＬに、８０℃で、１５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ８を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ７−μ８｜／μ７×１００
試験（ｅ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ９を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントＰ ２００ｍＬに、６０℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１０を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｅ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ９を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントＰ ２００ｍＬに、６０℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１０を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ９−μ１０｜／μ９×１００
この積層シートは、試験（ａ）〜試験（ｅ）のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足するので、薬液を用いるプロセス加工に対する安定性に優れる。
この積層シートは、試験（ａ）〜試験（ｅ）のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足するので、薬液を用いるプロセス加工に対する安定性に優れる。
本発明の積層シートは、精度よくアライメントして、ビアを形成でき、または、製品に関する情報を確実に取得できる。
＜一実施形態＞
本発明の積層シートの一実施形態を、図１Ａおよび図２Ｂを参照して説明する。
本発明の積層シートの一実施形態を、図１Ａおよび図２Ｂを参照して説明する。
この積層シート１３は、所定厚みを有し、厚み方向に対して直交する面方向に延びるシート形状を有する。例えば、積層シート１３は、平面視略矩形状を有する。積層シート１３は、シート状のインダクタ２と、マーク形成可能層１５とを備える。
インダクタ２は、平面視において、積層シート１３と同一の外形形状を有する。具体的には、インダクタ２は、平面視において、４つの辺５を含む略矩形状を有する。
また、インダクタ２は、複数の配線７と、磁性層８とを備える。
複数の配線７は、互いに間隔が隔てて隣り合う。複数の配線７は、並行する。複数の配線７は、隣り合う方向と厚み方向とに直交する方向に沿って延びる。配線７の形状、寸法、構成、材料、処方（充填率、含有割合など）などは、例えば、特開２０１９−２２０６１８号公報などに記載される。好ましくは、配線７は、配線７に沿う方向に直交する方向に沿う断面において、略円形状をなしており、その直径の下限が、例えば、２５μｍであり、また、直径の上限が、例えば、２，０００μｍである。配線７は、好ましくは、導体からなる導線と、導線の周面を被覆する絶縁膜とを含む。隣り合う配線７の間隔の下限は、例えば、１０μｍ、好ましくは、５０μｍであり、また、隣り合う配線７の間隔の上限は、例えば、５，０００μｍ、好ましくは、３，０００μｍである。隣り合う配線７の間隔に対する、配線７の直径の比（直径／間隔）の上限は、例えば、２００、好ましくは、５０であり、また、下限が、例えば、０．０１、好ましくは、０．１である。
磁性層８は、積層シート１３のインダクタンスを向上させる。磁性層８は、平面視において、インダクタ２と同一の外形形状を有する。磁性層８は、面方向に延びる板形状を有する。また、磁性層８は、断面視で、複数の配線７を埋設する。磁性層８は、一方面９と、他方面１０と、内周面１１とを有する。
一方面９は、磁性層８における厚み方向一方面を形成する。
他方面１０は、磁性層８における厚み方向他方面を形成する。他方面１０は、一方面９の厚み方向他方側に間隔が隔てられる。
内周面１１は、一方面９および他方面１０と厚み方向に間隔が隔てられる。内周面１１は、厚み方向において、一方面９および他方面１０の間に位置する。また、内周面１１は、複数の配線７が隣り合う方向において、互いに対向する２つの外側面１８の間に位置する。内周面１１は、配線７の外周面に接触する。
磁性層８は、バインダと、磁性粒子とを含む。具体的には、磁性層８の材料は、バインダと磁性粒子とを含有する磁性組成物である。
バインダとしては、例えば、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂、例えば、エポキシ樹脂組成物などの熱硬化性樹脂が挙げられる。アクリル樹脂は、例えば、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマーを含む。エポキシ樹脂組成物は、例えば、主剤であるエポキシ樹脂（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など）と、エポキシ樹脂用硬化剤（フェノール樹脂など）と、エポキシ樹脂用硬化促進剤（イミダゾール化合物など）とを含む。バインダとしては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂をそれぞれ単独使用または併用することができ、好ましくは、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を併用する。磁性組成物におけるバインダの体積割合は、後述する磁性粒子の体積割合の残部である。
磁性粒子は、例えば、バインダ中に分散する。本実施形態において、磁性粒子は、例えば、略扁平形状を有する。なお、略扁平形状は、略板形状を含む。なお、磁性粒子は、略球形状、略針形状を有してもよい。好ましくは、磁性粒子は、略扁平形状を有する。
磁性粒子は、略扁平形状を有する場合には、その扁平率（扁平度）の下限は、例えば、８、好ましくは、１５であり、また、上限は、例えば、５００、好ましくは、４５０である。扁平率は、例えば、磁性粒子のメジアン径を磁性粒子の平均厚さで除したアスペクト比として算出される。
磁性粒子のメジアン径の下限は、例えば、３．５μｍ、好ましくは、１０μｍであり、また、上限は、例えば、２００μｍ、好ましくは、１５０μｍである。磁性粒子は、略扁平形状を有する場合には、その平均厚みの下限は、例えば、０．１μｍ、好ましくは、０．２μｍであり、また、上限は、例えば、３．０μｍ、好ましくは、２．５μｍである。
また、磁性粒子の材料は、金属類である。金属類としては、軟磁性体、硬磁性体などの磁性体が挙げられる。好ましくは、良好なインダクタンスを確保する観点から、軟磁性体が挙げられる。
軟磁性体としては、例えば、１種類の金属元素を純物質の状態で含む単一金属体、例えば、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体（混合物）である合金体が挙げられる。これらは、単独または併用することができる。
単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素（第１金属元素）のみからなる金属単体が挙げられる。第１金属元素としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、その他、軟磁性体の第１金属元素として含有することが可能な金属元素の中から適宜選択される。
また、単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素のみを含むコアと、そのコアの表面の一部または全部を修飾する無機物および／または有機物を含む表面層とを含む形態、例えば、第１金属元素を含む有機金属化合物や無機金属化合物が分解（熱分解など）された形態などが挙げられる。後者の形態として、より具体的には、第１金属元素として鉄を含む有機鉄化合物（具体的には、カルボニル鉄）が熱分解された鉄粉（カルボニル鉄粉と称される場合がある）などが挙げられる。なお、１種類の金属元素のみを含む部分を修飾する無機物および／または有機物を含む層の位置は、上記のような表面に限定されない。なお、単一金属体を得ることができる有機金属化合物や無機金属化合物としては、特に制限されず、軟磁性体の単一金属体を得ることができる公知乃至慣用の有機金属化合物や無機金属化合物から適宜選択することができる。
合金体は、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体であり、軟磁性体の合金体として利用することができるものであれば特に制限されない。
第１金属元素は、合金体における必須元素であり、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）などが挙げられる。なお、第１金属元素がＦｅであれば、合金体は、Ｆｅ系合金とされ、第１金属元素がＣｏであれば、合金体は、Ｃｏ系合金とされ、第１金属元素がＮｉであれば、合金体は、Ｎｉ系合金とされる。
第２金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する金属元素であって、例えば、鉄（Ｆｅ）（第１金属元素がＦｅ以外である場合）、コバルト（Ｃｏ）（第１金属元素がＣｏ以外である場合）、ニッケル（Ｎｉ）（第１金属元素Ｎｉ以外である場合）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、各種希土類元素などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。
非金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する非金属元素であって、例えば、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。
合金体の一例であるＦｅ系合金として、例えば、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）（電磁ステンレスを含む）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）（スーパーセンダストを含む）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ―Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ合金、Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｐ合金、フェライト（ステンレス系フェライト、さらには、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトを含む）、パーメンジュール（Ｆｅ−Ｃｏ合金）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ合金、Ｆｅ基アモルファス合金などが挙げられる。
合金体の一例であるＣｏ系合金としては、例えば、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、コバルト（Ｃｏ）基アモルファス合金などが挙げられる。
合金体の一例であるＮｉ系合金としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金などが挙げられる。
なお、上記した磁性組成物のより詳細な処方については、特開２０１４−１６５３６３号公報などに記載される。
磁性組成物における磁性粒子の体積割合の下限は、例えば、４０体積％、好ましくは、５０体積％、より好ましくは、６０体積％であり、また、上限は、例えば、９５体積％、好ましくは、９０体積％である。
インダクタ２の厚みの下限は、例えば、３０μｍ、好ましくは、４０μｍであり、また、インダクタ２の厚みの上限は、例えば、２，５００μｍ、好ましくは、２，０００μｍである。
また、積層シート１３の厚みに対するインダクタ２の厚みの比の下限は、例えば、０．１、好ましくは、０．３、より好ましくは、０．５であり、また、上限が、例えば、０．９、好ましくは、０．８、より好ましくは、０．７である。
マーク形成可能層１５は、次に説明するマーク４を形成することが可能な層である。つまり、マーク形成可能層１５は、マーク４がまだ設けられていない層であり、マーク４がすでに設けられたマーク層３ではない。マーク形成可能層１５は、面方向に延びるシート形状を有する。具体的には、マーク形成可能層１５は、平面視において、積層シート１３と同様の外形形状を有する。マーク形成可能層１５は、磁性層８の一方面９に配置されている。具体的には、マーク形成可能層１５は、一方面９の全部に接触している。
マーク形成可能層１５の材料は、特に限定されず、例えば、樹脂組成物、金属、セラミックスなどが挙げられ、好ましくは、樹脂組成物が挙げられる。マーク形成可能層１５の材料が樹脂組成物であれば、次に説明するマーク４の形成が容易である。
樹脂組成物は、例えば、樹脂を必須成分として含有し、粒子を任意成分として含有する。
樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂などの硬化性樹脂、例えば、熱可塑性樹脂などの可塑性樹脂が挙げられる。
硬化性樹脂としては、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂であれば、マーク形成可能層１５が熱硬化性樹脂の硬化物を含むことができるので、次に説明する浸漬試験における積層シート１３の透磁率の変化率を低減できる。熱硬化性樹脂は、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含む。
主剤としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられ、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。好ましくは、２官能エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が挙げられる。
エポキシ樹脂のエポキシ当量の下限は、例えば、１０ｇ／ｅｑ．であり、また、上限は、例えば、１，０００ｇ／ｅｑ．である。
硬化剤としては、主剤がエポキシ樹脂であれば、例えば、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、レゾール樹脂などの多官能フェノール樹脂が挙げられる。これらは、単独で使用または２種以上を併用することができる。フェノール樹脂として、好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニレン樹脂が挙げられる。主剤がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計の下限が、例えば、０．７当量、好ましくは、０．９当量、また、上限が、例えば、１．５当量、好ましくは、１．２当量である。具体的には、硬化剤の質量部数の下限は、主剤１００質量部に対して、例えば、１質量部であり、また、例えば、５０質量部である。
硬化促進剤としては、主剤の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）（好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。硬化促進剤の質量部数の下限は、主剤１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部であり、また、上限が、例えば、５質量部である。
熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン樹脂などが挙げられる。また、熱可塑性樹脂として、親水性ポリマーも挙げられる。
樹脂として、硬化性樹脂および可塑性樹脂のいずれかを単独使用でき、また、それらを併用することもできる。
樹脂組成物における樹脂の質量割合の下限は、例えば、１０質量％、好ましくは、３０質量％であり、上限は、例えば、９０質量％、好ましくは、７５質量％である。
粒子は、第１粒子、および、第２粒子からなる群から選択される少なくとも１種類である。
第１粒子は、例えば、略球形状を有する。第１粒子のメジアン径の下限は、例えば、１μｍ、好ましくは、５μｍであり、また、第１粒子のメジアン径の上限は、例えば、２５０μｍ、好ましくは、２００μｍである。第１粒子のメジアン径は、レーザ回折式粒度分布測定装置で求められる。また、第１粒子のメジアン径は、例えば、断面観察による二値化処理によって、求めることもできる。
第１粒子の材料は、特に限定されない。第１粒子の材料としては、例えば、金属類、無機化合物、有機化合物、非金属元素の単体などが挙げられ、マーク４を確実に形成する観点から、好ましくは、無機化合物、非金属元素の単体が挙げられる。
無機化合物は、マーク形成可能層１５をインク受容層として機能させる場合に樹脂組成物に含まれる。無機化合物としては、例えば、無機フィラーが挙げられ、具体的には、シリカ、アルミナなどが挙げられ、好ましくは、シリカが挙げられる。
非金属元素の単体は、マーク形成可能層１５をレーザ変色層として機能させる場合に樹脂組成物に含まれる。非金属元素の単体としては、例えば、炭素、ケイ素などが挙げられ、好ましくは、炭素、より好ましくは、カーボンブラックなどが挙げられる。
具体的には、第１粒子として、好ましくは、球形状シリカが挙げられ、また、好ましくは、球形状カーボンブラックが挙げられる。
第２粒子は、例えば、略扁平形状を有する。略扁平形状は、略板形状を含む。
第２粒子の扁平率（扁平度）の下限は、例えば、８、好ましくは、１５であり、また、上限は、例えば、５００、好ましくは、４５０である。第２粒子の扁平率は、上記した磁性層８における磁性粒子の扁平率と同じ算出方法で求められる。
第２粒子のメジアン径の下限は、例えば、１μｍ、好ましくは、５μｍであり、また、第２粒子のメジアン径の上限は、例えば、２５０μｍ、好ましくは、２００μｍである。第２粒子のメジアン径は、第１粒子のそれと同様の方法で求められる。
第２粒子の平均厚みの下限は、例えば、０．１μｍ、好ましくは、０．２μｍであり、また、上限は、例えば、３．０μｍ、好ましくは、２．５μｍである。
第２粒子の材料は、無機化合物である。無機化合物としては、例えば、窒化ホウ素などの熱伝導性化合物などが挙げられる。
具体的には、第２粒子として、好ましくは、扁平形状の窒化ホウ素が挙げられる。
第１粒子および第２粒子は、樹脂組成物に、単独種類が含まれ、または、両方が含まれる。
樹脂１００質量部に対する粒子（第１粒子および／または第２粒子）の質量部数の下限は、例えば、１０質量部、好ましくは、５０質量部であり、また、上限は、例えば、２，０００質量部、好ましくは、１，５００質量部である。また、樹脂組成物における粒子の含有割合の下限は、例えば、１０質量％、また、上限は、例えば、９０質量％である。第１粒子および第２粒子の両方が樹脂組成物に含まれる場合には、第１粒子１００質量部に対する第２粒子の質量部数の下限は、例えば、３０質量部、また、上限は、例えば、３００質量部である。
なお、粒子は、樹脂組成物における任意成分であることから、樹脂組成物が、粒子を含有しなくてもよい。
マーク形成可能層１５の厚みの下限は、例えば、１μｍ、好ましくは、１０μｍであり、また、上限は、例えば、１，０００μｍ、好ましくは、１００μｍである。また、積層シート１３の厚みにおけるマーク形成可能層１５の厚みの比の下限は、例えば、０．００１、好ましくは、０．００５、より好ましくは、０．０１であり、また、上限は、例えば、０．５、好ましくは、０．３、より好ましくは、０．１である。
積層シート１３の厚みの下限は、例えば、４０μｍ、好ましくは、５０μｍであり、また、インダクタ２の厚みの上限は、例えば、３，０００μｍ、好ましくは、２，５００μｍである。
次に、上記した積層シート１の製造方法および加工態様を、図１Ａ〜図２Ｄを参照して説明する。
この方法では、まず、図２Ａに示すように、インダクタ２を準備する。インダクタ２は、例えば、特開２０１９−２２０６１８号公報などに記載される方法によって、準備する。
次いで、この方法では、図１Ａおよび図２Ｂに示すように、マーク形成可能層１５を、インダクタ２の厚み方向一方面に配置する。
マーク形成可能層１５をインダクタ２に配置するには、まず、マーク形成可能シート１４を準備する。マーク形成可能シート１４は、マーク形成可能層１５をインダクタ２の一方面９に対して配置する前のシートであり、その材料は、マーク形成可能層１５の材料と同一である。マーク形成可能シート１４を準備するには、上記した材料に溶媒をさらに配合して、ワニスを調製し、これを、剥離シート（図示せず）の表面に塗布および乾燥させる。樹脂が熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化性樹脂は、ＢステージまたはＣステージである。
続いて、マーク形成可能シート１４を、インダクタ２の厚み方向一方面に貼付する。具体的には、マーク形成可能シート１４の厚み方向他方面を、インダクタ２の厚み方向一方面に接触させる。これによって、マーク形成可能シート１４は、マーク形成可能層１５に、磁性層８の一方面９に接触する状態で形成される。または、ワニスをインダクタ２の一方面９に直接塗布して、マーク形成可能層１５を形成することができる。
その後、樹脂がＢステージの熱硬化性樹脂を含有する場合には、加熱によって、熱硬化性樹脂をＣステージ化する。
これによって、マーク形成可能層１５は、インダクタ２の厚み方向一方面に配置（積層）される。好ましくは、マーク形成可能層１５は、磁性層８の一方面９に接着されている。
これによって、インダクタ２と、マーク形成可能層１５とを備える積層シート１３が得られる。積層シート１３は、好ましくは、インダクタ２と、マーク形成可能層１５とのみを備える。
この積層シート１３は、マーク４をまだ備えず、マーク４を形成するためのマーク形成可能層１５を備えており、単独で流通可能なデバイスであって、産業上利用可能である。
この積層シート１３は、例えば、試験（ａ）〜試験（ｅ）のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足する。
試験（ａ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１を求める。その後、サンプルを、硫酸銅５水和物６６ｇ／Ｌ、硫酸濃度１８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｐｐｍ、トップルチナを含有する硫酸銅めっき溶液２００ｍＬに、２５℃で、１２０分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ２を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ１−μ２｜／μ１×１００
試験（ｂ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ３を求める。その後、サンプルを、硫酸５５ｇ／Ｌを含有する酸活性水溶液２００ｍＬに、２５℃で、１分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ４を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｂ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ３を求める。その後、サンプルを、硫酸５５ｇ／Ｌを含有する酸活性水溶液２００ｍＬに、２５℃で、１分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ４を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ３−μ４｜／μ３×１００
試験（ｃ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ５を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントＰ ２００ｍＬに、４５℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ６を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｃ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ５を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントＰ ２００ｍＬに、４５℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ６を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ５−μ６｜／μ５×１００
試験（ｄ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ７を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＣＰ ２００ｍＬに、８０℃で、１５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ８を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｄ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ７を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＣＰ ２００ｍＬに、８０℃で、１５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ８を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ７−μ８｜／μ７×１００
試験（ｅ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ９を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントＰ ２００ｍＬに、６０℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１０を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
試験（ｅ）：積層シート１３を３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ９を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントＰ ２００ｍＬに、６０℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１０を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ９−μ１０｜／μ９×１００
試験（ａ）を満足する場合において、試験（ａ）におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、４％、より好ましくは、３％である。
試験（ａ）を満足する場合において、試験（ａ）におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、４％、より好ましくは、３％である。
試験（ａ）を満足すれば、積層シート１３は、電解銅めっきの硫酸銅溶液の浸漬に対する安定性に優れる。
試験（ｂ）を満足する場合において、試験（ｂ）におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、４％、より好ましくは、３％である。
試験（ｂ）を満足すれば、積層シート１３は、酸活性溶液の浸漬に対する安定性に優れる。
試験（ｃ）を満足する場合において、試験（ｃ）におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、４％、より好ましくは、３％である。
試験（ｃ）におけるアトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントＰは、硫酸水溶液を含有しており、中和液（中和剤、または、中和用水溶液）として用いられる。従って、試験（ｃ）を満足すれば、積層シート１３は、中和液浸漬に対する安定性に優れる。
試験（ｄ）を満足する場合において、試験（ｄ）におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、４％、より好ましくは、３％である。
試験（ｄ）におけるアトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＣＰは、過マンガン酸カリウム溶液を含有する。従って、試験（ｄ）を満足すれば、積層シート１３は、デスミア（洗浄）の過マンガン酸カリウム溶液浸漬に対する安定性に優れる。
試験（ｅ）を満足する場合において、試験（ｅ）におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、４％、より好ましくは、３％である。
試験（ｅ）におけるアトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントＰは、グリコールエーテル類および水酸化ナトリウムを含有する水溶液であって、膨潤液として用いられる。従って、試験（ｅ）を満足すれば、積層シート１３は、膨潤液浸漬に対する安定性に優れる。
好ましくは、試験（ａ）〜試験（ｅ）のいずれをも満足する。そのため、積層シート１３は、電解銅めっきの硫酸銅溶液、酸活性溶液、中和液、デスミア（洗浄）の過マンガン酸カリウム溶液および膨潤液の浸漬に対する安定性に優れ、これらの液を用いる各種プロセスに対する安定性に優れる。
その後、図１Ｂおよび図２Ｃに示すように、例えば、マーク４をマーク形成可能層１５に形成する。
マーク４の形成方法は、特に限定されず、例えば、ドリル、エッチングなどが挙げられる。
マーク４は、例えば、積層シート１３における複数の配線７の位置情報を報知するマークである。また、マーク４は、次に説明するビア１６を積層シート１３に形成するためのアライメントマークである。
マーク４は、マーク形成可能層１５に形成される。具体的には、マーク４は、マーク形成可能層１５の厚み方向一方面に配置される。マーク４のそれぞれは、例えば、マーク形成可能層１５の４つの辺５により区画される４つの隅部６のそれぞれに形成される。マーク４は、平面視において、例えば、略＋字形状を有する。
また、マーク４は、マーク形成可能層１５の厚み方向一方面から厚み方向他方側に向かい、厚み方向途中まで進む凹部である。
また、マーク４は、厚み方向に投影したときに、複数の配線７に対して、隣り合う方向における外側に隔てられている。つまり、マーク４は、厚み方向に投影したときに、複数の配線７と重ならず、複数の配線７に対してずれている。マーク４と、配線７との最短距離Lの下限は、例えば、１０μｍ、好ましくは、５０μｍであり、また、上限は、例えば、１０ｍｍ、好ましくは、５ｍｍ、より好ましくは、３ｍｍである。
マーク４の寸法は、特に限定されない。配線７が延びる方向におけるマーク４の長さの下限は、例えば、１０μｍ、好ましくは、５０μｍであり、また、上限が、例えば、５ｍｍ、好ましくは、１ｍｍである。複数の配線７が隣り合う方向におけるマーク４の長さの下限は、例えば、１０μｍ、好ましくは、５０μｍであり、また、上限が、例えば、５ｍｍ、好ましくは、１ｍｍである。
マーク４の深さの下限は、例えば、１μｍ、好ましくは、５μｍであり、また、上限が、１ｍｍである。マーク層３の厚み（深さ）に対するマーク４の深さの比の下限は、例えば、０．０１、好ましくは、０．１であり、また、上限は、例えば、０．９、好ましくは、０．７である。
これによって、マーク形成可能層１５は、マーク４が形成されたマーク層３となる。これにより、インダクタ２と、マーク層３と、マーク４とを備えるマーク付き積層シート１が得られる。
図１Ｃおよび図２Ｄに示すように、その後、例えば、ビア１６をマーク付き積層シート１に形成する。
ビア１６の形成では、例えば、マーク４をアライメントマークとして用いて、マーク付き積層シート１をアライメントする。例えば、マーク４を基準にして、次に加工を実施する装置に対してマーク付き積層シート１の面方向位置を調整する。
ビア１６の形成方法は、特に限定されず、例えば、ドリルを用いる接触式開口、例えば、レーザを用いる非接触式加工などが挙げられる。
ビア１６は、例えば、配線７が隣り合う方向に投影したときに、マーク４と重複し、かつ、平面視で、配線７と重複する。詳しくは、ビア１６は、配線７の厚み方向一方面の中央部を露出し、配線７より厚み方向一方側に位置する磁性層８およびマーク層３の厚み方向を貫通する貫通孔である。ビア１６は、平面視（図示せず）略円形状を有する。また、ビア１６は、断面視において、厚み方向一方側に向かって従って開口面積が広がるテーパ形状を有する。
その後、ビア１６が形成されたマーク付き積層シート１は、例えば、フォトリソグラフィ、めっき（銅めっきなど）などの工程を経て、図示しない導電層が、ビア１６から露出する配線７に形成され、電子機器またはや電子部品に搭載・接合される。電子機器または電子部品は、ビア１６を介して、配線７と電気的に接続される。
＜一実施形態の作用効果＞
そして、この積層シート１３は、マーク形成可能層１５を備える。そのため、マーク形成可能層１５にマーク４を形成すれば、マーク４に基づいて、マーク付き積層シート１をアライメントして、ビア１６を形成できる。
そして、この積層シート１３は、マーク形成可能層１５を備える。そのため、マーク形成可能層１５にマーク４を形成すれば、マーク４に基づいて、マーク付き積層シート１をアライメントして、ビア１６を形成できる。
また、この積層シート１３では、マーク形成可能層１５の材料が、樹脂組成物であれば、マーク４の形成が容易である。
さらに、この積層シート１３は、例えば、試験（ａ）〜試験（ｅ）のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足するので、薬液を用いるプロセス加工に対する安定性に優れる。
＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
マーク４の形状は、上記に限定されない。図示しないが、マーク４の形状として、平面視において、例えば、略Ｖ字形状、略Ｌ字形状、略Ｘ字形状、略Ｌ字形状、略Ｉ字形状（略直線形状を含む）、略Ｕ字形状、略Ｃ字形状、略円環形状（略楕円環形状を含む）、略円形状（略楕円形状を含む）、略多角形枠形状（略三角枠形状、略矩形枠形状を含む）、略多角形状（略三角形状、略矩形状を含む）などが挙げられる。
マーク４の位置は、特に限定されず、例えば、図示しないが、隣り合う配線７の間であってもよい。
図３に示すように、マーク形成可能層１５は、レーザ変色可能層および／またはインク受容可能層であってもよい。
マーク形成可能層１５がレーザ変色可能層である場合には、レーザ変色可能層は、例えば、樹脂として熱硬化性樹脂を含み、第１粒子として球形状カーボンブラックを含んでおり、例えば、黒色を有する。レーザが、レーザ変色可能層に照射されると、照射部分における第１粒子（カーボンブラック）が熱分解して除去され、かかる部分の黒色度が低くなる（色が薄くなる）（変色する）。これにより、マーク形成可能層１５が、変色したマーク４を有するマーク層３となる。
マーク形成可能層１５がインク受容可能層である場合には、インク受容可能層は、例えば、樹脂として親水性ポリマーを含み、第１粒子として球形状シリカを含む。インク（図示せず）をインク受容可能層に印刷し、その後、インク受容可能層の親水性ポリマーおよびシリカがインクを吸収する（と親和する）。これにより、マーク形成可能層１５が、着色したマーク４を有するマーク層３となる。
図４に示すように、マーク４は、マーク形成可能層１５を貫通してよい。
図５に示すように、マーク４を、マーク形成可能層１５の厚み方向一方面に配置してよい。マーク４は、例えば、インクの固形物（好ましくは、紫外線硬化物などの硬化物）からなる。
図６に示すように、マーク４は、マーク形成可能層１５の隅部６（図６参照）を切り欠いている。マーク４は、隅部６を、厚み方向に、矩形状に切り欠いている。
また、図７に示すように、マーク４は、アライメントマークに代えて、または、アライメントメークとともに、製品としての積層シート１３に関する情報を含むことができる。情報は、例えば、積層シート１３のロット番号、積層シート１３の透磁率などが挙げられる。
図２Ｂの１点破線で示す変形例では、マーク形成可能層１５は、インダクタ２の一方面９および他方面１０に配置される。この変形例では、図２Ｃに示すようにマーク４が、２つのマーク形成可能層１５のそれぞれに形成される。
なお、ビア１６に、導電層（図示せず）を形成することができる。導電層（図示せず）の材料としては、例えば、銅などの導体材料が挙げられる。導電層形成では、例えば、電解銅めっき液が用いられる。これによって、導電層（図示せず）を備えるマーク付き積層シート１が得られる。
２ インダクタ
７ 配線
８ 磁性層
１３ 積層シート
１５ マーク形成可能層
７ 配線
８ 磁性層
１３ 積層シート
１５ マーク形成可能層
Claims (3)
- 複数の配線、および、前記複数の配線を埋設する磁性層を備えるシート状のインダクタと、
前記インダクタの厚み方向一方面に配置されるマーク形成可能層と
を備えることを特徴とする、積層シート。 - 前記マーク形成可能層の材料は、樹脂組成物であることを特徴とする、請求項１に記載の積層シート。
- 前記樹脂組成物が、熱硬化性樹脂組成物であり、
下記試験（ａ）〜試験（ｅ）のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足することを特徴とする、請求項２に記載の積層シート。
試験（ａ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１を求める。その後、サンプルを、硫酸銅５水和物６６ｇ／Ｌ、硫酸濃度１８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｐｐｍ、トップルチナを含有する硫酸銅めっき溶液２００ｍＬに、２５℃で、１２０分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ２を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ１−μ２｜／μ１×１００
試験（ｂ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ３を求める。その後、サンプルを、硫酸５５ｇ／Ｌを含有する酸活性水溶液２００ｍＬに、２５℃で、１分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ４を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ３−μ４｜／μ３×１００
試験（ｃ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ５を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントＰ ２００ｍＬに、４５℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ６を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ５−μ６｜／μ５×１００
試験（ｄ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ７を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＣＰ ２００ｍＬに、８０℃で、１５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ８を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ７−μ８｜／μ７×１００
試験（ｅ）：前記積層シートを３ｃｍ角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ９を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントＰ ２００ｍＬに、６０℃で、５分浸漬し、その後、サンプルの周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率μ１０を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が５％以下である。
透磁率の変化率（％）＝｜μ９−μ１０｜／μ９×１００
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