KR20210104578A - 적층 시트 - Google Patents

적층 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20210104578A
KR20210104578A KR1020210019028A KR20210019028A KR20210104578A KR 20210104578 A KR20210104578 A KR 20210104578A KR 1020210019028 A KR1020210019028 A KR 1020210019028A KR 20210019028 A KR20210019028 A KR 20210019028A KR 20210104578 A KR20210104578 A KR 20210104578A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sample
magnetic permeability
mark
mhz
laminated sheet
Prior art date
Application number
KR1020210019028A
Other languages
English (en)
Inventor
게이스케 오쿠무라
요시히로 후루카와
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20210104578A publication Critical patent/KR20210104578A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/025—Electric or magnetic properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/20—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H01F2017/002—Details of via holes for interconnecting the layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F2017/0066—Printed inductances with a magnetic layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H01F2017/048—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core with encapsulating core, e.g. made of resin and magnetic powder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0162—Silicon containing polymer, e.g. silicone
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

적층 시트(13)는, 복수의 배선(7), 및 복수의 배선(7)을 매설하는 자성층(8)을 구비하는 시트상의 인덕터(2)와, 인덕터(2)의 두께 방향 일방면에 배치되는 마크 형성 가능층(15)을 구비한다.

Description

적층 시트{LAMINATED SHEET}
본 발명은 적층 시트에 관한 것이다.
종래, 시트상의 인덕터는, 전자 기기에 탑재되는 것이 알려져 있다. 그와 같은 인덕터로서, 배선과, 배선을 피복하는 자성층을 구비하는 인덕터가 제안되어 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조).
일본 특허공개 2019-220618호 공보
그런데, 자성층에, 배선이 전자 기기와 전기적으로 접속하기 위한 비아를 형성하는 경우가 있다. 그때, 평면시(視)에 있어서의 배선의 위치를 정확하게 인식하기 위해서, 인덕터를 얼라인먼트할 필요가 있다. 그러나, 특허문헌 1에서는, 인덕터를 정밀도 좋게 얼라인먼트할 수 없다는 문제가 있다.
또한, 전자 기기에 탑재해야 할 인덕터는, 그것에 관한 정보를 탑재 전에 유저가 취득하고 싶은 요구가 있다. 그러나, 특허문헌 1의 인덕터는, 상기한 정보를 구비하지 않는다. 그 때문에, 유저가 인덕터의 정보를 사전에 취득할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명은, 정밀도 좋게 얼라인먼트하여, 비아를 형성할 수 있고, 또는 제품에 관한 정보를 확실하게 취득할 수 있는 적층 시트를 제공한다.
본 발명 (1)은, 복수의 배선, 및 상기 복수의 배선을 매설하는 자성층을 구비하는 시트상의 인덕터와, 상기 인덕터의 두께 방향 일방면에 배치되는 마크 형성 가능층을 구비하는 것을 특징으로 하는, 적층 시트를 포함한다.
이 적층 시트는, 마크 형성 가능층을 구비한다. 그 때문에, 마크 형성 가능층에 마크를 형성하면, 이러한 마크에 기초하여, 적층 시트를 얼라인먼트하여, 비아를 형성하고, 또는 마크에 기초하여, 제품에 관한 정보를 인식하여, 이러한 정보를 확실하게 취득할 수 있다.
본 발명 (2)는, 상기 마크 형성 가능층의 재료는, 수지 조성물인, (1)에 기재된 적층 시트를 포함한다.
이 적층 시트에서는, 마크 형성 가능층의 재료가, 수지 조성물이므로, 마크의 형성이 용이하다.
본 발명 (3)은, 상기 수지 조성물이, 열경화성 수지 조성물이고, 하기 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족하는, (2)에 기재된 적층 시트를 포함한다.
시험 (a): 상기 적층 시트를 3cm각(角)으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ1을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 구리 5수화물 66g/L, 황산 농도 180g/L, 염소 50ppm, 톱 루치나 α(TOP LUCINA α)를 함유하는 황산 구리 도금 용액 200mL에, 25℃에서, 120분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ2를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ1-μ2｜/μ1×100
시험 (b): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ3을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 55g/L를 함유하는 산 활성 수용액 200mL에, 25℃에서, 1분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ4를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ3-μ4｜/μ3×100
시험 (c): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ5를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬(Atotech Japan)사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P(Reduction　Solution Securiganth　P) 200mL에, 45℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ6을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ5-μ6｜/μ5×100
시험 (d): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ7을 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP(Concentrate Compact CP) 200mL에, 80℃에서, 15분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ8을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ7-μ8｜/μ7×100
시험 (e): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ9를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P(Swelling Dip Securiganth　P) 200mL에, 60℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ10을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ9-μ10｜/μ9×100
이 적층 시트는, 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족하므로, 약액을 이용하는 프로세스 가공에 대한 안정성이 우수하다.
본 발명의 적층 시트는, 정밀도 좋게 얼라인먼트하여, 비아를 형성할 수 있고, 또는 제품에 관한 정보를 확실하게 취득할 수 있다.
[도 1] 도 1A∼도 1C는, 본 발명의 적층 시트의 일 실시형태의 제조 공정 및 가공 태양의 평면도이며, 도 1A가 적층 시트, 도 1B가 마크를 형성하는 공정, 도 1C가 비아를 형성하는 공정이다.
[도 2] 도 2A∼도 2D는, 본 발명의 적층 시트의 일 실시형태의 제조 공정 및 가공 태양의 정단면도이며, 도 2A가 인덕터, 도 2B가 적층 시트, 도 2C가 마크를 형성하는 공정, 도 2D가 비아를 형성하는 공정이다.
[도 3] 도 3은, 마크의 변형예의 확대 단면도이다.
[도 4] 도 4는, 마크의 변형예의 확대 단면도이다.
[도 5] 도 5는, 마크의 변형예의 확대 단면도이다.
[도 6] 도 6은, 마크의 변형예의 평면도이다.
[도 7] 도 7은, 도 1B에 나타내는 마크 부가 적층 시트의 변형예(마크가 로트 번호인 변형예)의 평면도이다.
<일 실시형태>
본 발명의 적층 시트의 일 실시형태를, 도 1A 및 도 2B를 참조하여 설명한다.
이 적층 시트(13)는, 소정 두께를 갖고, 두께 방향에 대해서 직교하는 면 방향으로 연장되는 시트 형상을 갖는다. 예를 들면, 적층 시트(13)는, 평면시 대략 직사각 형상을 갖는다. 적층 시트(13)는, 시트상의 인덕터(2)와, 마크 형성 가능층(15)을 구비한다.
인덕터(2)는, 평면시에 있어서, 적층 시트(13)와 동일한 외형 형상을 갖는다. 구체적으로는, 인덕터(2)는, 평면시에 있어서, 4개의 변(5)을 포함하는 대략 직사각 형상을 갖는다.
또한, 인덕터(2)는, 복수의 배선(7)과, 자성층(8)을 구비한다.
복수의 배선(7)은, 서로 간격이 띄워져 이웃한다. 복수의 배선(7)은, 병행한다. 복수의 배선(7)은, 이웃하는 방향과 두께 방향에 직교하는 방향을 따라 연장된다. 배선(7)의 형상, 치수, 구성, 재료, 처방(충전율, 함유 비율 등) 등은, 예를 들면, 일본 특허공개 2019-220618호 공보 등에 기재된다. 바람직하게는, 배선(7)은, 배선(7)을 따르는 방향에 직교하는 방향을 따르는 단면에 있어서, 대략 원형상을 이루고 있고, 그 직경의 하한이, 예를 들면, 25μm이고, 또한 직경의 상한이, 예를 들면, 2,000μm이다. 배선(7)은, 바람직하게는, 도체로 이루어지는 도선과, 도선의 주면을 피복하는 절연막을 포함한다. 이웃하는 배선(7)의 간격의 하한은, 예를 들면, 10μm, 바람직하게는 50μm이고, 또한 이웃하는 배선(7)의 간격의 상한은, 예를 들면, 5,000μm, 바람직하게는 3,000μm이다. 이웃하는 배선(7)의 간격에 대한, 배선(7)의 직경의 비(직경/간격)의 상한은, 예를 들면, 200, 바람직하게는 50이고, 또한 하한이, 예를 들면, 0.01, 바람직하게는 0.1이다.
자성층(8)은, 적층 시트(13)의 인덕턴스를 향상시킨다. 자성층(8)은, 평면시에 있어서, 인덕터(2)와 동일한 외형 형상을 갖는다. 자성층(8)은, 면 방향으로 연장되는 판형상을 갖는다. 또한, 자성층(8)은, 단면시에서, 복수의 배선(7)을 매설한다. 자성층(8)은, 일방면(9)과, 타방면(10)과, 내주면(11)을 갖는다.
일방면(9)은, 자성층(8)에 있어서의 두께 방향 일방면을 형성한다.
타방면(10)은, 자성층(8)에 있어서의 두께 방향 타방면을 형성한다. 타방면(10)은, 일방면(9)의 두께 방향 타방측으로 간격이 띄워진다.
내주면(11)은, 일방면(9) 및 타방면(10)과 두께 방향으로 간격이 띄워진다. 내주면(11)은, 두께 방향에 있어서, 일방면(9) 및 타방면(10) 사이에 위치한다. 또한, 내주면(11)은, 복수의 배선(7)이 이웃하는 방향에 있어서, 서로 대향하는 2개의 외측면(18) 사이에 위치한다. 내주면(11)은, 배선(7)의 외주면에 접촉한다.
자성층(8)은, 바인더와, 자성 입자를 포함한다. 구체적으로는, 자성층(8)의 재료는, 바인더와 자성 입자를 함유하는 자성 조성물이다.
바인더로서는, 예를 들면, 아크릴 수지 등의 열가소성 수지, 예를 들면, 에폭시 수지 조성물 등의 열경화성 수지를 들 수 있다. 아크릴 수지는, 예를 들면, 카복실기 함유 아크릴산 에스터 코폴리머를 포함한다. 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면, 주제인 에폭시 수지(크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등)와, 에폭시 수지용 경화제(페놀 수지 등)와, 에폭시 수지용 경화 촉진제(이미다졸 화합물 등)를 포함한다. 바인더로서는, 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 각각 단독 사용하거나 또는 병용할 수 있고, 바람직하게는 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 병용한다. 자성 조성물에 있어서의 바인더의 체적 비율은, 후술하는 자성 입자의 체적 비율의 잔부이다.
자성 입자는, 예를 들면, 바인더 중에 분산된다. 본 실시형태에 있어서, 자성 입자는, 예를 들면, 대략 편평 형상을 갖는다. 한편, 대략 편평 형상은, 대략 판형상을 포함한다. 한편, 자성 입자는, 대략 구형상, 대략 침형상을 가져도 된다. 바람직하게는, 자성 입자는, 대략 편평 형상을 갖는다.
자성 입자는, 대략 편평 형상을 갖는 경우에는, 그 편평률(편평도)의 하한은, 예를 들면, 8, 바람직하게는 15이고, 또한 상한은, 예를 들면, 500, 바람직하게는 450이다. 편평률은, 예를 들면, 자성 입자의 메디안 직경을 자성 입자의 평균 두께로 나눈 어스펙트비로서 산출된다.
자성 입자의 메디안 직경의 하한은, 예를 들면, 3.5μm, 바람직하게는 10μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 200μm, 바람직하게는 150μm이다. 자성 입자는, 대략 편평 형상을 갖는 경우에는, 그 평균 두께의 하한은, 예를 들면, 0.1μm, 바람직하게는 0.2μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 3.0μm, 바람직하게는 2.5μm이다.
또한, 자성 입자의 재료는, 금속류이다. 금속류로서는, 연자성체, 경자성체 등의 자성체를 들 수 있다. 바람직하게는, 양호한 인덕턴스를 확보하는 관점에서, 연자성체를 들 수 있다.
연자성체로서는, 예를 들면, 1종류의 금속 원소를 순물질의 상태로 포함하는 단일 금속체, 예를 들면, 1종류 이상의 금속 원소(제 1 금속 원소)와, 1종류 이상의 금속 원소(제 2 금속 원소) 및/또는 비금속 원소(탄소, 질소, 규소, 인 등)의 공융체(혼합물)인 합금체를 들 수 있다. 이들은 단독 사용하거나 또는 병용할 수 있다.
단일 금속체로서는, 예를 들면, 1종류의 금속 원소(제 1 금속 원소)만으로 이루어지는 금속 단체를 들 수 있다. 제 1 금속 원소로서는, 예를 들면, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 그 밖의, 연자성체의 제 1 금속 원소로서 함유하는 것이 가능한 금속 원소 중에서 적절히 선택된다.
또한, 단일 금속체로서는, 예를 들면, 1종류의 금속 원소만을 포함하는 코어와, 그 코어의 표면의 일부 또는 전부를 수식하는 무기물 및/또는 유기물을 포함하는 표면층을 포함하는 형태, 예를 들면, 제 1 금속 원소를 포함하는 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물이 분해(열분해 등)된 형태 등을 들 수 있다. 후자의 형태로서, 보다 구체적으로는, 제 1 금속 원소로서 철을 포함하는 유기 철 화합물(구체적으로는, 카보닐 철)이 열분해된 철분(粉)(카보닐 철분이라고 칭해지는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. 한편, 1종류의 금속 원소만을 포함하는 부분을 수식하는 무기물 및/또는 유기물을 포함하는 층의 위치는, 상기와 같은 표면으로 한정되지 않는다. 한편, 단일 금속체를 얻을 수 있는 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물로서는, 특별히 제한되지 않고, 연자성체의 단일 금속체를 얻을 수 있는 공지 내지 관용의 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물로부터 적절히 선택할 수 있다.
합금체는, 1종류 이상의 금속 원소(제 1 금속 원소)와, 1종류 이상의 금속 원소(제 2 금속 원소) 및/또는 비금속 원소(탄소, 질소, 규소, 인 등)의 공융체이고, 연자성체의 합금체로서 이용할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
제 1 금속 원소는, 합금체에 있어서의 필수 원소이고, 예를 들면, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni) 등을 들 수 있다. 한편, 제 1 금속 원소가 Fe이면, 합금체는 Fe계 합금이 되고, 제 1 금속 원소가 Co이면, 합금체는 Co계 합금이 되고, 제 1 금속 원소가 Ni이면, 합금체는 Ni계 합금이 된다.
제 2 금속 원소는, 합금체에 부차적으로 함유되는 원소(부성분)이고, 제 1 금속 원소에 상용(공융)하는 금속 원소로서, 예를 들면, 철(Fe)(제 1 금속 원소가 Fe 이외인 경우), 코발트(Co)(제 1 금속 원소가 Co 이외인 경우), 니켈(Ni)(제 1 금속 원소가 Ni 이외인 경우), 크로뮴(Cr), 알루미늄(Al), 규소(Si), 구리(Cu), 은(Ag), 망가니즈(Mn), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 인듐(In), 저마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 스트론튬(Sr), 각종 희토류 원소 등을 들 수 있다. 이들은 단독 사용하거나 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
비금속 원소는, 합금체에 부차적으로 함유되는 원소(부성분)이고, 제 1 금속 원소에 상용(공융)하는 비금속 원소로서, 예를 들면, 붕소(B), 탄소(C), 질소(N), 규소(Si), 인(P), 황(S) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 사용하거나 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
합금체의 일례인 Fe계 합금으로서, 예를 들면, 자성 스테인리스(Fe-Cr-Al-Si 합금)(전자 스테인리스를 포함한다), 센더스트(Fe-Si-Al 합금)(슈퍼 센더스트를 포함한다), 퍼말로이(Fe-Ni 합금), Fe-Ni-Mo 합금, Fe-Ni-Mo-Cu 합금, Fe-Ni-Co 합금, Fe-Cr 합금, Fe-Cr-Al 합금, Fe-Ni-Cr 합금, Fe-Ni-Cr-Si 합금, 규소 구리(Fe-Cu-Si 합금), Fe-Si 합금, Fe-Si―B(-Cu-Nb) 합금, Fe-B-Si-Cr 합금, Fe-Si-Cr-Ni 합금, Fe-Si-Cr 합금, Fe-Si-Al-Ni-Cr 합금, Fe-Ni-Si-Co 합금, Fe-N 합금, Fe-C 합금, Fe-B 합금, Fe-P 합금, 페라이트(스테인리스계 페라이트, 나아가서는 Mn-Mg계 페라이트, Mn-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트, Ni-Zn-Cu계 페라이트, Cu-Zn계 페라이트, Cu-Mg-Zn계 페라이트 등의 소프트 페라이트를 포함한다), 퍼멘듀르(Fe-Co 합금), Fe-Co-V 합금, Fe기 어모퍼스 합금 등을 들 수 있다.
합금체의 일례인 Co계 합금으로서는, 예를 들면, Co-Ta-Zr, 코발트(Co)기 어모퍼스 합금 등을 들 수 있다.
합금체의 일례인 Ni계 합금으로서는, 예를 들면, Ni-Cr 합금 등을 들 수 있다.
한편, 상기한 자성 조성물의 보다 상세한 처방에 대해서는, 일본 특허공개 2014-165363호 공보 등에 기재된다.
자성 조성물에 있어서의 자성 입자의 체적 비율의 하한은, 예를 들면, 40체적%, 바람직하게는 50체적%, 보다 바람직하게는 60체적%이고, 또한 상한은, 예를 들면, 95체적%, 바람직하게는 90체적%이다.
인덕터(2)의 두께의 하한은, 예를 들면, 30μm, 바람직하게는 40μm이고, 또한 인덕터(2)의 두께의 상한은, 예를 들면, 2,500μm, 바람직하게는 2,000μm이다.
또한, 적층 시트(13)의 두께에 대한 인덕터(2)의 두께의 비의 하한은, 예를 들면, 0.1, 바람직하게는 0.3, 보다 바람직하게는 0.5이고, 또한 상한이, 예를 들면, 0.9, 바람직하게는 0.8, 보다 바람직하게는 0.7이다.
마크 형성 가능층(15)은, 다음에 설명하는 마크(4)를 형성하는 것이 가능한 층이다. 즉, 마크 형성 가능층(15)은, 마크(4)가 아직 마련되어 있지 않은 층이며, 마크(4)가 이미 마련된 마크층(3)은 아니다. 마크 형성 가능층(15)은, 면 방향으로 연장되는 시트 형상을 갖는다. 구체적으로는, 마크 형성 가능층(15)은, 평면시에 있어서, 적층 시트(13)와 마찬가지의 외형 형상을 갖는다. 마크 형성 가능층(15)은, 자성층(8)의 일방면(9)에 배치되어 있다. 구체적으로는, 마크 형성 가능층(15)은, 일방면(9)의 전부에 접촉하고 있다.
마크 형성 가능층(15)의 재료는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 수지 조성물, 금속, 세라믹스 등을 들 수 있고, 바람직하게는 수지 조성물을 들 수 있다. 마크 형성 가능층(15)의 재료가 수지 조성물이면, 다음에 설명하는 마크(4)의 형성이 용이하다.
수지 조성물은, 예를 들면, 수지를 필수 성분으로서 함유하고, 입자를 임의 성분으로서 함유한다.
수지로서는, 예를 들면, 열경화성 수지, 활성 에너지선 경화성 수지 등의 경화성 수지, 예를 들면, 열가소성 수지 등의 가소성 수지를 들 수 있다.
경화성 수지로서는, 바람직하게는 열경화성 수지를 들 수 있다. 열경화성 수지이면, 마크 형성 가능층(15)이 열경화성 수지의 경화물을 포함할 수 있으므로, 다음에 설명하는 침지 시험에 있어서의 적층 시트(13)의 투자율의 변화율을 저감시킬 수 있다. 열경화성 수지는, 주제, 경화제 및 경화 촉진제를 포함한다.
주제로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 F형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 S형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 등의 2작용 에폭시 수지, 예를 들면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지, 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지 등의 3작용 이상의 다작용 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. 바람직하게는, 2작용 에폭시 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 들 수 있다.
에폭시 수지의 에폭시 당량의 하한은, 예를 들면, 10g/eq.이고, 또한 상한은, 예를 들면, 1,000g/eq.이다.
경화제로서는, 주제가 에폭시 수지이면, 예를 들면, 페놀 수지, 아이소사이아네이트 수지 등을 들 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 페놀 바이페닐렌 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 페놀 수지, 레졸 수지 등의 다작용 페놀 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. 페놀 수지로서, 바람직하게는 페놀 노볼락 수지, 페놀 바이페닐렌 수지를 들 수 있다. 주제가 에폭시 수지이고, 경화제가 페놀 수지이면, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 하한이, 예를 들면, 0.7당량, 바람직하게는 0.9당량, 또한 상한이, 예를 들면, 1.5당량, 바람직하게는 1.2당량이다. 구체적으로는, 경화제의 질량부수의 하한은, 주제 100질량부에 대해서, 예를 들면, 1질량부이고, 또한 예를 들면, 50질량부이다.
경화 촉진제로서는, 주제의 경화를 촉진하는 촉매(열경화 촉매)(바람직하게는, 에폭시 수지 경화 촉진제)이고, 예를 들면, 유기 인계 화합물, 예를 들면, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸(2P4MHZ) 등의 이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 경화 촉진제의 질량부수의 하한은, 주제 100질량부에 대해서, 예를 들면, 0.05질량부이고, 또한 상한이, 예를 들면, 5질량부이다.
열가소성 수지로서는, 예를 들면, 아크릴 수지, 폴리에스터 수지, 열가소성 폴리유레테인 수지 등을 들 수 있다. 또한, 열가소성 수지로서, 친수성 폴리머도 들 수 있다.
수지로서, 경화성 수지 및 가소성 수지 중 어느 하나를 단독 사용할 수 있고, 또한 그들을 병용할 수도 있다.
수지 조성물에 있어서의 수지의 질량 비율의 하한은, 예를 들면, 10질량%, 바람직하게는 30질량%이고, 상한은, 예를 들면, 90질량%, 바람직하게는 75질량%이다.
입자는, 제 1 입자, 및 제 2 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류이다.
제 1 입자는, 예를 들면, 대략 구형상을 갖는다. 제 1 입자의 메디안 직경의 하한은, 예를 들면, 1μm, 바람직하게는 5μm이고, 또한 제 1 입자의 메디안 직경의 상한은, 예를 들면, 250μm, 바람직하게는 200μm이다. 제 1 입자의 메디안 직경은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로 구해진다. 또한, 제 1 입자의 메디안 직경은, 예를 들면, 단면 관찰에 의한 이치화 처리에 의해 구할 수도 있다.
제 1 입자의 재료는, 특별히 한정되지 않는다. 제 1 입자의 재료로서는, 예를 들면, 금속류, 무기 화합물, 유기 화합물, 비금속 원소의 단체 등을 들 수 있고, 마크(4)를 확실하게 형성하는 관점에서, 바람직하게는 무기 화합물, 비금속 원소의 단체를 들 수 있다.
무기 화합물은, 마크 형성 가능층(15)을 잉크 수용층으로서 기능시키는 경우에 수지 조성물에 포함된다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 무기 필러를 들 수 있고, 구체적으로는, 실리카, 알루미나 등을 들 수 있고, 바람직하게는 실리카를 들 수 있다.
비금속 원소의 단체는, 마크 형성 가능층(15)을 레이저 변색층으로서 기능시키는 경우에 수지 조성물에 포함된다. 비금속 원소의 단체로서는, 예를 들면, 탄소, 규소 등을 들 수 있고, 바람직하게는 탄소, 보다 바람직하게는 카본 블랙 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 제 1 입자로서, 바람직하게는 구형상 실리카를 들 수 있고, 또한, 바람직하게는 구형상 카본 블랙을 들 수 있다.
제 2 입자는, 예를 들면, 대략 편평 형상을 갖는다. 대략 편평 형상은, 대략 판형상을 포함한다.
제 2 입자의 편평률(편평도)의 하한은, 예를 들면, 8, 바람직하게는 15이고, 또한 상한은, 예를 들면, 500, 바람직하게는 450이다. 제 2 입자의 편평률은, 상기한 자성층(8)에 있어서의 자성 입자의 편평률과 동일한 산출 방법으로 구해진다.
제 2 입자의 메디안 직경의 하한은, 예를 들면, 1μm, 바람직하게는 5μm이고, 또한 제 2 입자의 메디안 직경의 상한은, 예를 들면, 250μm, 바람직하게는 200μm이다. 제 2 입자의 메디안 직경은, 제 1 입자의 그것과 마찬가지의 방법으로 구해진다.
제 2 입자의 평균 두께의 하한은, 예를 들면, 0.1μm, 바람직하게는 0.2μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 3.0μm, 바람직하게는 2.5μm이다.
제 2 입자의 재료는, 무기 화합물이다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 질화 붕소 등의 열전도성 화합물 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 제 2 입자로서, 바람직하게는 편평 형상의 질화 붕소를 들 수 있다.
제 1 입자 및 제 2 입자는, 수지 조성물에 단독 종류가 포함되거나, 또는 양방이 포함된다.
수지 100질량부에 대한 입자(제 1 입자 및/또는 제 2 입자)의 질량부수의 하한은, 예를 들면, 10질량부, 바람직하게는 50질량부이고, 또한 상한은, 예를 들면, 2,000질량부, 바람직하게는 1,500질량부이다. 또한, 수지 조성물에 있어서의 입자의 함유 비율의 하한은, 예를 들면, 10질량%, 또한 상한은, 예를 들면, 90질량%이다. 제 1 입자 및 제 2 입자의 양방이 수지 조성물에 포함되는 경우에는, 제 1 입자 100질량부에 대한 제 2 입자의 질량부수의 하한은, 예를 들면, 30질량부, 또한 상한은, 예를 들면, 300질량부이다.
한편, 입자는, 수지 조성물에 있어서의 임의 성분이기 때문에, 수지 조성물이 입자를 함유하지 않아도 된다.
마크 형성 가능층(15)의 두께의 하한은, 예를 들면, 1μm, 바람직하게는 10μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 1,000μm, 바람직하게는 100μm이다. 또한, 적층 시트(13)의 두께에 있어서의 마크 형성 가능층(15)의 두께의 비의 하한은, 예를 들면, 0.001, 바람직하게는 0.005, 보다 바람직하게는 0.01이고, 또한 상한은, 예를 들면, 0.5, 바람직하게는 0.3, 보다 바람직하게는 0.1이다.
적층 시트(13)의 두께의 하한은, 예를 들면, 40μm, 바람직하게는 50μm이고, 또한 인덕터(2)의 두께의 상한은, 예를 들면, 3,000μm, 바람직하게는 2,500μm이다.
다음으로, 상기한 적층 시트(1)의 제조 방법 및 가공 태양을, 도 1A∼도 2D를 참조하여 설명한다.
이 방법에서는, 우선, 도 2A에 나타내는 바와 같이, 인덕터(2)를 준비한다. 인덕터(2)는, 예를 들면, 일본 특허공개 2019-220618호 공보 등에 기재되는 방법에 의해 준비한다.
이어서, 이 방법에서는, 도 1A 및 도 2B에 나타내는 바와 같이, 마크 형성 가능층(15)을, 인덕터(2)의 두께 방향 일방면에 배치한다.
마크 형성 가능층(15)을 인덕터(2)에 배치하기 위해서는, 우선, 마크 형성 가능 시트(14)를 준비한다. 마크 형성 가능 시트(14)는, 마크 형성 가능층(15)을 인덕터(2)의 일방면(9)에 대해서 배치하기 전의 시트이며, 그 재료는 마크 형성 가능층(15)의 재료와 동일하다. 마크 형성 가능 시트(14)를 준비하기 위해서는, 상기한 재료에 용매를 추가로 배합하여, 바니시를 조제하고, 이것을 박리 시트(도시하지 않음)의 표면에 도포 및 건조시킨다. 수지가 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 열경화성 수지는, B 스테이지 또는 C 스테이지이다.
계속해서, 마크 형성 가능 시트(14)를, 인덕터(2)의 두께 방향 일방면에 첩부한다. 구체적으로는, 마크 형성 가능 시트(14)의 두께 방향 타방면을, 인덕터(2)의 두께 방향 일방면에 접촉시킨다. 이에 의해, 마크 형성 가능 시트(14)는, 마크 형성 가능층(15)에, 자성층(8)의 일방면(9)에 접촉하는 상태로 형성된다. 또는, 바니시를 인덕터(2)의 일방면(9)에 직접 도포하여, 마크 형성 가능층(15)을 형성할 수 있다.
그 후, 수지가 B 스테이지의 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 가열에 의해, 열경화성 수지를 C 스테이지화한다.
이에 의해, 마크 형성 가능층(15)은, 인덕터(2)의 두께 방향 일방면에 배치(적층)된다. 바람직하게는, 마크 형성 가능층(15)은, 자성층(8)의 일방면(9)에 접착되어 있다.
이에 의해, 인덕터(2)와, 마크 형성 가능층(15)을 구비하는 적층 시트(13)가 얻어진다. 적층 시트(13)는, 바람직하게는, 인덕터(2)와, 마크 형성 가능층(15)만을 구비한다.
이 적층 시트(13)는, 마크(4)를 아직 구비하지 않고, 마크(4)를 형성하기 위한 마크 형성 가능층(15)을 구비하고 있으며, 단독으로 유통 가능한 디바이스로서, 산업상 이용 가능하다.
이 적층 시트(13)는, 예를 들면, 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족한다.
시험 (a): 적층 시트(13)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ1을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 구리 5수화물 66g/L, 황산 농도 180g/L, 염소 50ppm, 오쿠노 제약공업사제의 톱 루치나 α를 함유하는 황산 구리 도금 용액 200mL에, 25℃에서, 120분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ2를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ1-μ2｜/μ1×100
시험 (b): 적층 시트(13)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ3을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 55g/L를 함유하는 산 활성 수용액 200mL에, 25℃에서, 1분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ4를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ3-μ4｜/μ3×100
시험 (c): 적층 시트(13)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ5를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P 200mL에, 45℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ6을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ5-μ6｜/μ5×100
시험 (d): 적층 시트(13)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ7을 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP 200mL에, 80℃에서, 15분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ8을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ7-μ8｜/μ7×100
시험 (e): 적층 시트(13)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ9를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P 200mL에, 60℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ10을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ9-μ10｜/μ9×100
시험 (a)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (a)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (a)를 만족하면, 적층 시트(13)는, 전해 구리 도금의 황산 구리 용액의 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (b)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (b)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (b)를 만족하면, 적층 시트(13)는, 산 활성 용액의 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (c)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (c)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (c)에 있어서의 아토테크 재팬사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P는, 황산 수용액을 함유하고 있고, 중화액(중화제, 또는 중화용 수용액)으로서 이용된다. 따라서, 시험 (c)를 만족하면, 적층 시트(13)는, 중화액 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (d)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (d)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (d)에 있어서의 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP는, 과망가니즈산 칼륨 용액을 함유한다. 따라서, 시험 (d)를 만족하면, 적층 시트(13)는, 디스미어(세정)의 과망가니즈산 칼륨 용액 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (e)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (e)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (e)에 있어서의 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P는, 글라이콜 에터류 및 수산화 나트륨을 함유하는 수용액이고, 팽윤액으로서 이용된다. 따라서, 시험 (e)를 만족하면, 적층 시트(13)는, 팽윤액 침지에 대한 안정성이 우수하다.
바람직하게는, 시험 (a)∼시험 (e)의 모두를 만족한다. 그 때문에, 적층 시트(13)는, 전해 구리 도금의 황산 구리 용액, 산 활성 용액, 중화액, 디스미어(세정)의 과망가니즈산 칼륨 용액 및 팽윤액의 침지에 대한 안정성이 우수하고, 이들 액을 이용하는 각종 프로세스에 대한 안정성이 우수하다.
그 후, 도 1B 및 도 2C에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 마크(4)를 마크 형성 가능층(15)에 형성한다.
마크(4)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 드릴, 에칭 등을 들 수 있다.
마크(4)는, 예를 들면, 적층 시트(13)에 있어서의 복수의 배선(7)의 위치 정보를 알리는 마크이다. 또한, 마크(4)는, 다음에 설명하는 비아(16)를 적층 시트(13)에 형성하기 위한 얼라인먼트 마크이다.
마크(4)는, 마크 형성 가능층(15)에 형성된다. 구체적으로는, 마크(4)는, 마크 형성 가능층(15)의 두께 방향 일방면에 배치된다. 마크(4)의 각각은, 예를 들면, 마크 형성 가능층(15)의 4개의 변(5)에 의해 구획되는 4개의 모서리부(6)의 각각에 형성된다. 마크(4)는, 평면시에 있어서, 예를 들면, 대략 +자 형상을 갖는다.
또한, 마크(4)는, 마크 형성 가능층(15)의 두께 방향 일방면으로부터 두께 방향 타방측을 향해서, 두께 방향 도중까지 들어가는 오목부이다.
또한, 마크(4)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 배선(7)에 대해서, 이웃하는 방향에 있어서의 외측으로 띄워져 있다. 즉, 마크(4)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 복수의 배선(7)과 겹치지 않고, 복수의 배선(7)에 대해서 어긋나 있다. 마크(4)와 배선(7)의 최단 거리 L의 하한은, 예를 들면, 10μm, 바람직하게는 50μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 10mm, 바람직하게는 5mm, 보다 바람직하게는 3mm이다.
마크(4)의 치수는, 특별히 한정되지 않는다. 배선(7)이 연장되는 방향에 있어서의 마크(4)의 길이의 하한은, 예를 들면, 10μm, 바람직하게는 50μm이고, 또한 상한이, 예를 들면, 5mm, 바람직하게는 1mm이다. 복수의 배선(7)이 이웃하는 방향에 있어서의 마크(4)의 길이의 하한은, 예를 들면, 10μm, 바람직하게는 50μm이고, 또한 상한이, 예를 들면, 5mm, 바람직하게는 1mm이다.
마크(4)의 깊이의 하한은, 예를 들면, 1μm, 바람직하게는 5μm이고, 또한 상한이 1mm이다. 마크층(3)의 두께(깊이)에 대한 마크(4)의 깊이의 비의 하한은, 예를 들면, 0.01, 바람직하게는 0.1이고, 또한 상한은, 예를 들면, 0.9, 바람직하게는 0.7이다.
이에 의해, 마크 형성 가능층(15)은, 마크(4)가 형성된 마크층(3)이 된다. 이에 의해, 인덕터(2)와, 마크층(3)과, 마크(4)를 구비하는 마크 부가 적층 시트(1)가 얻어진다.
도 1C 및 도 2D에 나타내는 바와 같이, 그 후, 예를 들면, 비아(16)를 마크 부가 적층 시트(1)에 형성한다.
비아(16)의 형성에서는, 예를 들면, 마크(4)를 얼라인먼트 마크로서 이용하여, 마크 부가 적층 시트(1)를 얼라인먼트한다. 예를 들면, 마크(4)를 기준으로 해서, 다음에 가공을 실시하는 장치에 대해서 마크 부가 적층 시트(1)의 면 방향 위치를 조정한다.
비아(16)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 드릴을 이용하는 접촉식 개구, 예를 들면, 레이저를 이용하는 비접촉식 가공 등을 들 수 있다.
비아(16)는, 예를 들면, 배선(7)이 이웃하는 방향으로 투영했을 때에, 마크(4)와 중복되고, 또한, 평면시에서, 배선(7)과 중복된다. 상세하게는, 비아(16)는, 배선(7)의 두께 방향 일방면의 중앙부를 노출하고, 배선(7)보다 두께 방향 일방측에 위치하는 자성층(8) 및 마크층(3)의 두께 방향을 관통하는 관통공이다. 비아(16)는, 평면시(도시하지 않음) 대략 원형상을 갖는다. 또한, 비아(16)는, 단면시에 있어서, 두께 방향 일방측을 향해 따라서 개구 면적이 넓어지는 테이퍼 형상을 갖는다.
그 후, 비아(16)가 형성된 마크 부가 적층 시트(1)는, 예를 들면, 포토리소그래피, 도금(구리 도금 등) 등의 공정을 거쳐, 도시하지 않는 도전층이, 비아(16)로부터 노출되는 배선(7)에 형성되고, 전자 기기 또는 전자 부품에 탑재·접합된다. 전자 기기 또는 전자 부품은, 비아(16)를 개재시켜, 배선(7)과 전기적으로 접속된다.
<일 실시형태의 작용 효과>
그리고, 이 적층 시트(13)는, 마크 형성 가능층(15)을 구비한다. 그 때문에, 마크 형성 가능층(15)에 마크(4)를 형성하면, 마크(4)에 기초하여, 마크 부가 적층 시트(1)를 얼라인먼트하여, 비아(16)를 형성할 수 있다.
또한, 이 적층 시트(13)에서는, 마크 형성 가능층(15)의 재료가, 수지 조성물이면, 마크(4)의 형성이 용이하다.
또, 이 적층 시트(13)는, 예를 들면, 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족하므로, 약액을 이용하는 프로세스 가공에 대한 안정성이 우수하다.
<변형예>
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그의 상세한 설명을 생략한다. 또한, 각 변형예는, 특기하는 것 이외에, 일 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 나타낼 수 있다. 또, 일 실시형태 및 그의 변형예를 적절히 조합할 수 있다.
마크(4)의 형상은, 상기로 한정되지 않는다. 도시하지 않지만, 마크(4)의 형상으로서, 평면시에 있어서, 예를 들면, 대략 V자 형상, 대략 X자 형상, 대략 L자 형상, 대략 I자 형상(대략 직선 형상을 포함한다), 대략 U자 형상, 대략 C자 형상, 대략 원환 형상(대략 타원환 형상을 포함한다), 대략 원형상(대략 타원 형상을 포함한다), 대략 다각형 프레임 형상(대략 삼각 프레임 형상, 대략 직사각형 프레임 형상을 포함한다), 대략 다각 형상(대략 삼각 형상, 대략 직사각 형상을 포함한다) 등을 들 수 있다.
마크(4)의 위치는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 도시하지 않지만, 이웃하는 배선(7) 사이여도 된다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 마크 형성 가능층(15)은, 레이저 변색 가능층 및/또는 잉크 수용 가능층이어도 된다.
마크 형성 가능층(15)이 레이저 변색 가능층인 경우에는, 레이저 변색 가능층은, 예를 들면, 수지로서 열경화성 수지를 포함하고, 제 1 입자로서 구형상 카본 블랙을 포함하고 있고, 예를 들면, 흑색을 갖는다. 레이저가 레이저 변색 가능층에 조사되면, 조사 부분에 있어서의 제 1 입자(카본 블랙)가 열분해되어 제거되고, 이러한 부분의 흑색도가 낮아진다(색이 옅어진다)(변색된다). 이에 의해, 마크 형성 가능층(15)이, 변색된 마크(4)를 갖는 마크층(3)이 된다.
마크 형성 가능층(15)이 잉크 수용 가능층인 경우에는, 잉크 수용 가능층은, 예를 들면, 수지로서 친수성 폴리머를 포함하고, 제 1 입자로서 구형상 실리카를 포함한다. 잉크(도시하지 않음)를 잉크 수용 가능층에 인쇄하고, 그 후, 잉크 수용 가능층의 친수성 폴리머 및 실리카가 잉크를 흡수한다(친화된다). 이에 의해, 마크 형성 가능층(15)이, 착색된 마크(4)를 갖는 마크층(3)이 된다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 마크(4)는, 마크 형성 가능층(15)을 관통해도 된다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 마크(4)를, 마크 형성 가능층(15)의 두께 방향 일방면에 배치해도 된다. 마크(4)는, 예를 들면, 잉크의 고형물(바람직하게는, 자외선 경화물 등의 경화물)로 이루어진다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 마크(4)는, 마크 형성 가능층(15)의 모서리부(6)(도 6 참조)를 절결(切欠)하고 있다. 마크(4)는, 모서리부(6)를, 두께 방향으로, 직사각 형상으로 절결하고 있다.
또한, 도 7에 나타내는 바와 같이, 마크(4)는, 얼라인먼트 마크 대신에, 또는 얼라인먼트 마크와 함께, 제품으로서의 적층 시트(13)에 관한 정보를 포함할 수 있다. 정보는, 예를 들면, 적층 시트(13)의 로트 번호, 적층 시트(13)의 투자율 등을 들 수 있다.
도 2B의 1점 파선으로 나타내는 변형예에서는, 마크 형성 가능층(15)은, 인덕터(2)의 일방면(9) 및 타방면(10)에 배치된다. 이 변형예에서는, 도 2C에 나타내는 바와 같이 마크(4)가, 2개의 마크 형성 가능층(15)의 각각에 형성된다.
한편, 비아(16)에, 도전층(도시하지 않음)을 형성할 수 있다. 도전층(도시하지 않음)의 재료로서는, 예를 들면, 구리 등의 도체 재료를 들 수 있다. 도전층 형성에서는, 예를 들면, 전해 구리 도금액이 이용된다. 이에 의해, 도전층(도시하지 않음)을 구비하는 마크 부가 적층 시트(1)가 얻어진다.
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이는 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에게 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함된다.
2 인덕터
7 배선
8 자성층
13 적층 시트
15 마크 형성 가능층

Claims (3)

  1. 복수의 배선, 및 상기 복수의 배선을 매설하는 자성층을 구비하는 시트상의 인덕터와,
    상기 인덕터의 두께 방향 일방면에 배치되는 마크 형성 가능층
    을 구비하는 것을 특징으로 하는, 적층 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마크 형성 가능층의 재료는, 수지 조성물인 것을 특징으로 하는, 적층 시트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 수지 조성물이, 열경화성 수지 조성물이고,
    하기 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족하는 것을 특징으로 하는, 적층 시트.
    시험 (a): 상기 적층 시트를 3cm각(角)으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ1을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 구리 5수화물 66g/L, 황산 농도 180g/L, 염소 50ppm, 톱 루치나 α(TOP LUCINA α)를 함유하는 황산 구리 도금 용액 200mL에, 25℃에서, 120분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ2를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ1-μ2｜/μ1×100
    시험 (b): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ3을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 55g/L를 함유하는 산 활성 수용액 200mL에, 25℃에서, 1분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ4를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ3-μ4｜/μ3×100
    시험 (c): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ5를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬(Atotech Japan)사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P(Reduction　Solution Securiganth　P) 200mL에, 45℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ6을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ5-μ6｜/μ5×100
    시험 (d): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ7을 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP(Concentrate Compact CP) 200mL에, 80℃에서, 15분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ8을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ7-μ8｜/μ7×100
    시험 (e): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ9를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P(Swelling Dip Securiganth　P) 200mL에, 60℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ10을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ9-μ10｜/μ9×100
KR1020210019028A 2020-02-17 2021-02-10 적층 시트 KR20210104578A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020024312A JP2021129075A (ja) 2020-02-17 2020-02-17 積層シート
JPJP-P-2020-024312 2020-02-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210104578A true KR20210104578A (ko) 2021-08-25

Family

ID=77228183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210019028A KR20210104578A (ko) 2020-02-17 2021-02-10 적층 시트

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210259111A1 (ko)
JP (1) JP2021129075A (ko)
KR (1) KR20210104578A (ko)
CN (1) CN113270250A (ko)
TW (1) TW202133203A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019220618A (ja) 2018-06-21 2019-12-26 日東電工株式会社 インダクタ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3158757B2 (ja) * 1993-01-13 2001-04-23 株式会社村田製作所 チップ型コモンモードチョークコイル及びその製造方法
JP4811935B2 (ja) * 2006-07-27 2011-11-09 株式会社村田製作所 ノイズフィルタアレイ
JP6534880B2 (ja) * 2015-07-14 2019-06-26 太陽誘電株式会社 インダクタ及びプリント基板
JP2018056475A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 太陽誘電株式会社 電子受動部品、電子受動部品の製造方法、及び電子受動部品の製造装置
JP2018207028A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 Tdk株式会社 コイル部品及びその製造方法
JP2019075401A (ja) * 2017-10-12 2019-05-16 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
JP6954216B2 (ja) * 2018-04-02 2021-10-27 株式会社村田製作所 積層型コイル部品

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019220618A (ja) 2018-06-21 2019-12-26 日東電工株式会社 インダクタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021129075A (ja) 2021-09-02
CN113270250A (zh) 2021-08-17
TW202133203A (zh) 2021-09-01
US20210259111A1 (en) 2021-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210104577A (ko) 마크 부가 인덕터 및 마크 부가 적층 시트
KR20210104574A (ko) 프레임 부재 부가 인덕터 및 프레임 부재 부가 적층 시트
CN113490989A (zh) 电感器
KR20210137033A (ko) 인덕터
KR20210104578A (ko) 적층 시트
KR20210137031A (ko) 인덕터
WO2019177078A1 (ja) 配線回路基板およびその製造方法
KR20210137029A (ko) 인덕터
US20210257149A1 (en) Mark-including inductor and mark-including laminated sheet
KR20210104573A (ko) 적층 시트
KR20210137030A (ko) 인덕터
KR20220045148A (ko) 인덕터
CN113270267A (zh) 电感器的加工物的制造方法和层叠片的制造方法
KR20210132073A (ko) 인덕터
CN113474855A (zh) 电感器及其制造方法
TW202109559A (zh) 電感器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination