KR20210104573A - 적층 시트 - Google Patents

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KR20210104573A
KR20210104573A KR1020210018805A KR20210018805A KR20210104573A KR 20210104573 A KR20210104573 A KR 20210104573A KR 1020210018805 A KR1020210018805 A KR 1020210018805A KR 20210018805 A KR20210018805 A KR 20210018805A KR 20210104573 A KR20210104573 A KR 20210104573A
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KR
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magnetic permeability
mhz
laminated sheet
frequency
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Application number
KR1020210018805A
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요시히로 후루카와
게이스케 오쿠무라
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

적층 시트(1)는, 복수의 배선(4), 및 복수의 배선(4)을 매설하는 자성층(5)을 구비하는 시트상의 인덕터(2)와, 인덕터(2)의 적어도 두께 방향 일방면(6)에 배치되는 가공 안정층(3)을 구비한다. 자성층(5)은, 바인더와, 대략 편평 형상을 갖고, 재료가 금속류인 자성 입자를 포함한다. 가공 안정층(3)은, 열경화성 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지를 필수 성분으로서 포함한다. 열경화성 수지 조성물은, 대략 구형상을 갖는 제 1 입자, 및 대략 편평 형상을 갖고, 재료가 무기 화합물인 제 2 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 입자를 임의 성분으로서 포함한다.

Description

적층 시트{LAMINATED SHEET}
본 발명은 적층 시트에 관한 것이다.
종래, 배선과, 배선을 피복하고, 편평 형상의 자성 입자를 함유하는 자성층을 구비하는 시트상의 인덕터가 알려져 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조).
일본 특허공개 2019-220618호 공보
그런데, 인덕터의 표면에 가공을 실시하는 경우가 있다. 예를 들면, 슬릿을 인덕터의 표면에 형성하여, 크로스 토크를 저감시키거나, 또는 인덕터를 세정액 등의 액에 침지하여, 인덕터의 표면을 세정하거나 하는 경우가 있다.
그러나, 상기한 가공을 특허문헌 1의 인덕터의 표면에 실시하면, 인덕터의 표면이 변형되거나, 또는 투자율이 크게 변동하는 경우가 있다. 즉, 인덕터의 가공 안정성이 불충분하다는 문제가 있다.
본 발명은, 가공 안정성이 우수한 적층 시트를 제공한다.
본 발명 (1)은, 복수의 배선, 및 상기 복수의 배선을 매설하는 자성층을 구비하는 시트상의 인덕터와, 상기 인덕터의 적어도 두께 방향 일방면에 배치되는 가공 안정층을 구비하고, 상기 자성층은, 바인더와, 대략 편평 형상을 갖고, 재료가 금속류인 자성 입자를 포함하며, 상기 가공 안정층은, 열경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하고, 상기 열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지를 필수 성분으로서 포함하고, 대략 구형상을 갖는 제 1 입자, 및 대략 편평 형상을 갖고, 재료가 무기 화합물인 제 2 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 입자를 임의 성분으로서 포함하는, 적층 시트를 포함한다.
이 적층 시트는, 가공 안정층을 구비하므로, 가공 안정성이 우수하다.
본 발명 (2)는, 하기 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족하는, (1)에 기재된 적층 시트를 포함한다.
시험 (a): 상기 적층 시트를 3cm각(角)으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ1을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 구리 5수화물 66g/L, 황산 농도 180g/L, 염소 50ppm, 톱 루치나 α(TOP LUCINA α)를 함유하는 황산 구리 도금 용액 200mL에, 25℃에서, 120분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ2를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ1-μ2｜/μ1×100
시험 (b): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ3을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 55g/L를 함유하는 산 활성 수용액 200mL에, 25℃에서, 1분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ4를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ3-μ4｜/μ3×100
시험 (c): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ5를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬(Atotech Japan)사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P(Reduction　Solution Securiganth　P) 200mL에, 45℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ6을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ5-μ6｜/μ5×100
시험 (d): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ7을 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP(Concentrate Compact CP) 200mL에, 80℃에서, 15분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ8을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ7-μ8｜/μ7×100
시험 (e): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ9를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P(Swelling Dip Securiganth　P) 200mL에, 60℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ10을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ9-μ10｜/μ9×100
이 적층 시트는, 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족하므로, 약액을 이용하는 프로세스 가공에 대한 안정성이 우수하다.
본 발명 (3)은, 두께 방향 일방면의 산술 평균 거칠기 Ra가 10μm 이하인, (1) 또는 (2)에 기재된 적층 시트를 포함한다.
이 적층 시트는, 두께 방향 일방면의 산술 평균 거칠기 Ra가 10μm 이하이므로, 양호한 실장성을 확보할 수 있다.
본 발명의 적층 시트는, 가공 안정성이 우수하다.
[도 1] 도 1은 본 발명의 적층 시트의 일 실시형태의 정단면도이다.
[도 2] 도 2는 도 1에 나타내는 적층 시트의 제조 도중에 있어서의 인덕터의 정단면도이다.
[도 3] 도 3은 도 1에 나타내는 적층 시트에 슬릿이 형성된 태양의 정단면도이다.
[도 4] 도 4A∼도 4C는 도 1에 나타내는 적층 시트의 사용 태양의 정단면도이고, 도 4A가, 적층 시트에 비아가 형성된 변형예, 도 4B가, 비아에 새로운 가공 안정층이 충전된 변형예, 도 4C가, 비아가 배선의 일부를 노출하는 변형예이다.
[도 5] 도 5A∼도 5D는 일 실시형태의 적층 시트의 변형예 및 그 사용 태양의 정단면도이고, 도 5A가, 가공 안정층이 인덕터의 두께 방향 타방면에 배치된 변형예, 도 5B가, 도 5A에 나타내는 적층 시트에 비아가 형성된 변형예, 도 5C가, 도 5B에 나타내는 적층 시트의 비아에 새로운 가공 안정층이 충전된 변형예, 도 5D가, 비아가 배선의 일부를 노출하는 변형예이다.
[도 6] 도 6은 비교예 1의 적층 시트에 슬릿이 형성된 정단면도이다.
[도 7] 도 7은 실시예 1의 적층 시트에 슬릿이 형성된 SEM 사진의 화상 처리도이다.
[도 8] 도 8은 비교예 1의 적층 시트에 슬릿을 형성한 SEM 사진의 화상 처리도이다.
<일 실시형태>
본 발명의 적층 시트의 일 실시형태를, 도 1을 참조하여 설명한다.
이 적층 시트(1)는, 소정 두께를 갖고, 두께 방향에 대해서 직교하는 면 방향으로 연장되는 시트 형상을 갖는다. 적층 시트(1)는, 시트상의 인덕터(2)와, 가공 안정층(3)을 구비한다.
인덕터(2)는, 소정 두께를 갖고, 적층 시트(1)와 동일한 외형 형상을 갖는다. 인덕터(2)는, 복수의 배선(4)과, 자성층(5)을 구비한다.
복수의 배선(4)은, 각각의 연장되는 방향, 및 두께 방향에 직교하는 방향(이하, 폭 방향이라고 하는 경우가 있다)으로 서로 간격이 띄워져 이웃한다. 복수의 배선(4)은, 병행한다. 배선(4)의 형상, 치수, 구성, 재료, 처방(충전율, 함유 비율 등) 등은, 예를 들면, 일본 특허공개 2019-220618호 공보 등에 기재된다. 바람직하게는, 배선(4)은, 단면(배선(4)이 연장되는 방향에 직교하는 방향을 따르는 정단면)에 있어서, 대략 원형상을 이루고 있고, 그 직경의 하한이, 예를 들면, 25μm이고, 또한 직경의 상한이, 예를 들면, 2,000μm이다. 배선(4)은, 바람직하게는, 도체로 이루어지는 도선과, 도선의 주면(周面)을 피복하는 절연막을 포함한다. 이웃하는 배선(4)의 간격의 하한은, 예를 들면, 10μm, 바람직하게는 50μm이고, 또한 이웃하는 배선(4)의 간격의 상한은, 예를 들면, 5,000μm, 바람직하게는 3,000μm이다. 이웃하는 배선(4)의 간격에 대한, 배선(4)의 직경의 비(직경/간격)의 상한은, 예를 들면, 200, 바람직하게는 50이고, 또한 하한이, 예를 들면, 0.01, 바람직하게는 0.1이다.
자성층(5)은, 적층 시트(1)의 인덕턴스를 향상시킨다. 자성층(5)은, 평면시(視)에 있어서, 적층 시트(1)와 동일한 외형 형상을 갖는다. 자성층(5)은, 면 방향으로 연장되는 판형상을 갖는다. 또한, 자성층(5)은, 단면시에서, 복수의 배선(4)을 매설한다. 자성층(5)은, 일방면(6)과, 타방면(7)과, 내주면(8)을 갖는다.
일방면(6)은, 자성층(5)에 있어서의 두께 방향 일방면을 형성한다.
타방면(7)은, 자성층(5)에 있어서의 두께 방향 타방면을 형성한다. 타방면(7)은, 일방면(6)의 두께 방향 타방측으로 간격이 띄워진다.
내주면(8)은, 일방면(6) 및 타방면(7)과 두께 방향으로 간격이 띄워진다. 내주면(8)은, 두께 방향에 있어서, 일방면(6) 및 타방면(7) 사이에 위치한다. 내주면(8)은, 배선(4)의 외주면에 접촉한다.
자성층(5)은, 바인더와, 자성 입자를 포함한다. 구체적으로는, 자성층(5)의 재료는, 바인더와 자성 입자를 함유하는 자성 조성물이다.
바인더는, 자성 입자를 분산시키는 매트릭스이다. 바인더로서는, 예를 들면, 아크릴 수지 등의 열가소성 수지, 예를 들면, 에폭시 수지 조성물 등의 열경화성 수지를 들 수 있다. 아크릴 수지는, 예를 들면, 카복실기 함유 아크릴산 에스터 코폴리머를 포함한다. 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면, 주제인 에폭시 수지(크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등)와, 에폭시 수지용 경화제(페놀 수지 등)와, 에폭시 수지용 경화 촉진제(이미다졸 화합물 등)를 포함한다. 바인더로서는, 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 각각 단독 사용하거나 또는 병용할 수 있고, 바람직하게는 열가소성 수지 및 열경화성 수지를 병용한다. 자성 조성물에 있어서의 바인더의 체적 비율은, 후술하는 자성 입자의 체적 비율의 잔부이다.
자성 입자는, 예를 들면, 바인더 중에 분산된다. 본 실시형태에 있어서, 자성 입자는, 대략 편평 형상을 갖는다. 한편, 대략 편평 형상은, 대략 판형상을 포함한다.
자성 입자의 편평률(편평도)의 하한은, 예를 들면, 8, 바람직하게는 15이고, 또한 상한은, 예를 들면, 500, 바람직하게는 450이다. 편평률은, 예를 들면, 자성 입자의 메디안 직경을 자성 입자의 평균 두께로 나눈 어스펙트비로서 산출된다.
자성 입자의 메디안 직경의 하한은, 예를 들면, 3.5μm, 바람직하게는 10μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 200μm, 바람직하게는 150μm이다. 자성 입자의 평균 두께의 하한은, 예를 들면, 0.1μm, 바람직하게는 0.2μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 3.0μm, 바람직하게는 2.5μm이다.
또한, 자성 입자의 재료는, 금속류이다. 금속류로서는, 연자성체, 경자성체 등의 자성체를 들 수 있다. 바람직하게는, 양호한 인덕턴스를 확보하는 관점에서, 연자성체를 들 수 있다.
연자성체로서는, 예를 들면, 1종류의 금속 원소를 순물질의 상태로 포함하는 단일 금속체, 예를 들면, 1종류 이상의 금속 원소(제 1 금속 원소)와, 1종류 이상의 금속 원소(제 2 금속 원소) 및/또는 비금속 원소(탄소, 질소, 규소, 인 등)의 공융체(혼합물)인 합금체를 들 수 있다. 이들은 단독 사용하거나 또는 병용할 수 있다.
단일 금속체로서는, 예를 들면, 1종류의 금속 원소(제 1 금속 원소)만으로 이루어지는 금속 단체를 들 수 있다. 제 1 금속 원소로서는, 예를 들면, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 그 밖의, 연자성체의 제 1 금속 원소로서 함유하는 것이 가능한 금속 원소 중에서 적절히 선택된다.
또한, 단일 금속체로서는, 예를 들면, 1종류의 금속 원소만을 포함하는 코어와, 그 코어의 표면의 일부 또는 전부를 수식하는 무기물 및/또는 유기물을 포함하는 표면층을 포함하는 형태, 예를 들면, 제 1 금속 원소를 포함하는 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물이 분해(열분해 등)된 형태 등을 들 수 있다. 후자의 형태로서, 보다 구체적으로는, 제 1 금속 원소로서 철을 포함하는 유기 철 화합물(구체적으로는, 카보닐 철)이 열분해된 철분(粉)(카보닐 철분이라고 칭해지는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. 한편, 1종류의 금속 원소만을 포함하는 부분을 수식하는 무기물 및/또는 유기물을 포함하는 층의 위치는, 상기와 같은 표면으로 한정되지 않는다. 한편, 단일 금속체를 얻을 수 있는 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물로서는, 특별히 제한되지 않고, 연자성체의 단일 금속체를 얻을 수 있는 공지 내지 관용의 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물로부터 적절히 선택할 수 있다.
합금체는, 1종류 이상의 금속 원소(제 1 금속 원소)와, 1종류 이상의 금속 원소(제 2 금속 원소) 및/또는 비금속 원소(탄소, 질소, 규소, 인 등)의 공융체이고, 연자성체의 합금체로서 이용할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
제 1 금속 원소는, 합금체에 있어서의 필수 원소이고, 예를 들면, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni) 등을 들 수 있다. 한편, 제 1 금속 원소가 Fe이면, 합금체는 Fe계 합금이 되고, 제 1 금속 원소가 Co이면, 합금체는 Co계 합금이 되고, 제 1 금속 원소가 Ni이면, 합금체는 Ni계 합금이 된다.
제 2 금속 원소는, 합금체에 부차적으로 함유되는 원소(부성분)이고, 제 1 금속 원소에 상용(공융)하는 금속 원소로서, 예를 들면, 철(Fe)(제 1 금속 원소가 Fe 이외인 경우), 코발트(Co)(제 1 금속 원소가 Co 이외인 경우), 니켈(Ni)(제 1 금속 원소가 Ni 이외인 경우), 크로뮴(Cr), 알루미늄(Al), 규소(Si), 구리(Cu), 은(Ag), 망가니즈(Mn), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 나이오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 인듐(In), 저마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 스트론튬(Sr), 각종 희토류 원소 등을 들 수 있다. 이들은 단독 사용하거나 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
비금속 원소는, 합금체에 부차적으로 함유되는 원소(부성분)이고, 제 1 금속 원소에 상용(공융)하는 비금속 원소로서, 예를 들면, 붕소(B), 탄소(C), 질소(N), 규소(Si), 인(P), 황(S) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 사용하거나 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
합금체의 일례인 Fe계 합금으로서, 예를 들면, 자성 스테인리스(Fe-Cr-Al-Si 합금)(전자 스테인리스를 포함한다), 센더스트(Fe-Si-Al 합금)(슈퍼 센더스트를 포함한다), 퍼말로이(Fe-Ni 합금), Fe-Ni-Mo 합금, Fe-Ni-Mo-Cu 합금, Fe-Ni-Co 합금, Fe-Cr 합금, Fe-Cr-Al 합금, Fe-Ni-Cr 합금, Fe-Ni-Cr-Si 합금, 규소 구리(Fe-Cu-Si 합금), Fe-Si 합금, Fe-Si-B(-Cu-Nb) 합금, Fe-B-Si-Cr 합금, Fe-Si-Cr-Ni 합금, Fe-Si-Cr 합금, Fe-Si-Al-Ni-Cr 합금, Fe-Ni-Si-Co 합금, Fe-N 합금, Fe-C 합금, Fe-B 합금, Fe-P 합금, 페라이트(스테인리스계 페라이트, 나아가서는 Mn-Mg계 페라이트, Mn-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트, Ni-Zn-Cu계 페라이트, Cu-Zn계 페라이트, Cu-Mg-Zn계 페라이트 등의 소프트 페라이트를 포함한다), 퍼멘듀르(Fe-Co 합금), Fe-Co-V 합금, Fe기 어모퍼스 합금 등을 들 수 있다.
합금체의 일례인 Co계 합금으로서는, 예를 들면, Co-Ta-Zr, 코발트(Co)기 어모퍼스 합금 등을 들 수 있다.
합금체의 일례인 Ni계 합금으로서는, 예를 들면, Ni-Cr 합금 등을 들 수 있다.
한편, 상기한 자성 조성물의 보다 상세한 처방에 대해서는, 일본 특허공개 2014-165363호 공보 등에 기재된다.
자성 조성물에 있어서의 자성 입자의 체적 비율의 하한은, 예를 들면, 40체적%, 바람직하게는 50체적%, 보다 바람직하게는 60체적%이고, 또한 상한은, 예를 들면, 95체적%, 바람직하게는 90체적%이다.
인덕터(2)의 두께의 하한은, 예를 들면, 30μm, 바람직하게는 40μm이고, 또한 인덕터(2)의 두께의 상한은, 예를 들면, 2,500μm, 바람직하게는 2,000μm이다. 적층 시트(1)의 두께에 대한 인덕터(2)의 두께의 비의 하한은, 예를 들면, 0.1, 바람직하게는 0.3, 보다 바람직하게는 0.7이고, 또한 상한이, 예를 들면, 0.999, 바람직하게는 0.990, 보다 바람직하게는 0.980이다.
가공 안정층(3)은, 인덕터(2)의 일방면(6) 및 타방면(7)에 대한 표면 가공성을 향상시킨다. 가공 안정층(3)은, 인덕터(2)의 일방면(6) 및 타방면(7)에 배치된다. 구체적으로는, 가공 안정층(3)은, 자성층(5)의 일방면(6)의 전부 및 타방면(7)의 전부에 접촉하고 있다. 2개의 가공 안정층(3)의 각각은, 면 방향으로 연장되는 시트 형상을 갖는다.
인덕터(2)의 두께 방향 일방측에 위치하는 가공 안정층(3)의 두께 방향 일방면은, 적층 시트(1)의 두께 방향 일방면을 형성한다. 그리고, 적층 시트(1)의 두께 방향 일방면의 산술 평균 거칠기 Ra의 상한은, 예를 들면, 10μm, 바람직하게는 5μm, 보다 바람직하게는 1μm이고, 또한 하한은, 예를 들면, 0.001μm이다.
인덕터(2)의 두께 방향 타방면에 위치하는 가공 안정층(3)의 두께 방향 타방면은, 적층 시트(1)의 두께 방향 타방면을 형성한다. 그리고, 적층 시트(1)의 두께 방향 타방면의 산술 평균 거칠기 Ra의 상한은, 예를 들면, 10μm, 바람직하게는 5μm, 보다 바람직하게는 1μm이고, 또한 하한은, 예를 들면, 0.001μm이다.
적층 시트(1)의 두께 방향 일방면 및/또는 타방면의 산술 평균 거칠기 Ra가 상기한 상한 이하이면, 양호한 실장성을 확보할 수 있다.
적층 시트(1)의 두께 방향 일방면 및 타방면의 산술 평균 거칠기 Ra는, 촉침식 표면 형상 측정기에 의해 구해진다.
가공 안정층(3)은, 열경화성 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 즉, 가공 안정층(3)의 재료는, 열경화성 수지 조성물을 포함한다.
열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지를 필수 성분으로서 포함하고, 입자를 임의 성분으로서 포함한다.
열경화성 수지로서는, 주제, 경화제 및 경화 촉진제를 포함한다.
주제로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 F형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 S형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 등의 2작용 에폭시 수지, 예를 들면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지, 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지 등의 3작용 이상의 다작용 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. 바람직하게는, 2작용 에폭시 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 들 수 있다.
에폭시 수지의 에폭시 당량의 하한은, 예를 들면, 10g/eq.이고, 또한 상한은, 예를 들면, 1,000g/eq.이다.
경화제로서는, 주제가 에폭시 수지이면, 예를 들면, 페놀 수지, 아이소사이아네이트 수지 등을 들 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 페놀 바이페닐렌 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 페놀 수지, 레졸 수지 등의 다작용 페놀 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. 페놀 수지로서, 바람직하게는 페놀 노볼락 수지, 페놀 바이페닐렌 수지를 들 수 있다. 주제가 에폭시 수지이고, 경화제가 페놀 수지이면, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 하한이, 예를 들면, 0.7당량, 바람직하게는 0.9당량, 또한 상한이, 예를 들면, 1.5당량, 바람직하게는 1.2당량이다. 구체적으로는, 경화제의 질량부수의 하한은, 주제 100질량부에 대해서, 예를 들면, 1질량부이고, 또한, 예를 들면, 50질량부이다.
경화 촉진제로서는, 주제의 경화를 촉진하는 촉매(열경화 촉매)(바람직하게는, 에폭시 수지 경화 촉진제)이고, 예를 들면, 유기 인계 화합물, 예를 들면, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸(2P4MHZ) 등의 이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 경화 촉진제의 질량부수의 하한은, 주제 100질량부에 대해서, 예를 들면, 0.05질량부이고, 또한 상한이, 예를 들면, 5질량부이다.
입자는, 열경화성 수지 조성물에 있어서의 임의 성분이다. 입자는, 열경화성 수지에 분산되어 있다. 입자는, 제 1 입자, 및 제 2 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류이다.
제 1 입자는, 대략 구형상을 갖는다. 제 1 입자의 메디안 직경의 하한은, 예를 들면, 1μm, 바람직하게는 5μm이고, 또한 제 1 입자의 메디안 직경의 상한은, 예를 들면, 250μm, 바람직하게는 200μm이다. 제 1 입자의 메디안 직경은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로 구해진다. 또한, 제 1 입자의 메디안 직경은, 예를 들면, 적층 시트(1)의 단면 관찰에 의한 이치화 처리에 의해 구할 수도 있다.
제 1 입자의 재료는, 특별히 한정되지 않는다. 제 1 입자의 재료로서는, 예를 들면, 금속류, 무기 화합물, 유기 화합물 등을 들 수 있고, 열팽창 계수를 올리기 위해서, 바람직하게는 금속류, 무기 화합물을 들 수 있다.
금속류는, 가공 안정층(3)을 인덕턴스 향상층으로서 기능시키는 경우에 열경화성 수지 조성물에 포함된다. 금속류로서는, 자성층(5)에서 예시한 자성체를 들 수 있고, 바람직하게는 제 1 금속 원소로서 철을 포함하는 유기 철 화합물, 보다 바람직하게는 카보닐 철을 들 수 있다.
무기 화합물은, 가공 안정층(3)을 열팽창 계수 억제층으로서 기능시키는 경우에 열경화성 수지 조성물에 포함된다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 무기 필러를 들 수 있고, 구체적으로는, 실리카, 알루미나 등을 들 수 있고, 바람직하게는 실리카를 들 수 있다.
구체적으로는, 제 1 입자로서, 바람직하게는 구형상 실리카를 들 수 있고, 또한, 바람직하게는 구형상 카보닐 철을 들 수 있다.
제 2 입자는, 대략 편평 형상을 갖는다. 대략 편평 형상은, 대략 판형상을 포함한다.
제 2 입자의 편평률(편평도)의 하한은, 예를 들면, 8, 바람직하게는 15이고, 또한 상한은, 예를 들면, 500, 바람직하게는 450이다. 제 2 입자의 편평률은, 상기한 자성층(5)에 있어서의 자성 입자의 편평률과 동일한 산출 방법으로 구해진다.
제 2 입자의 메디안 직경의 하한은, 예를 들면, 1μm, 바람직하게는 5μm이고, 또한 제 2 입자의 메디안 직경의 상한은, 예를 들면, 250μm, 바람직하게는 200μm이다. 제 2 입자의 메디안 직경은, 제 1 입자의 그것과 마찬가지의 방법으로 구해진다.
제 2 입자의 평균 두께의 하한은, 예를 들면, 0.1μm, 바람직하게는 0.2μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 3.0μm, 바람직하게는 2.5μm이다.
제 2 입자의 재료는, 무기 화합물이다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 질화 붕소 등의 열전도성 화합물 등을 들 수 있다. 따라서, 바람직하게는, 무기 화합물은, 가공 안정층(3)을 열전도성 향상층으로서 기능시키는 경우에 열경화성 수지 조성물에 포함된다.
구체적으로는, 제 2 입자로서, 바람직하게는 편평 형상의 질화 붕소를 들 수 있다.
제 1 입자 및 제 2 입자는, 열경화성 수지 조성물에 단독 종류가 포함되거나, 또는 양방이 포함된다.
열경화성 수지 100질량부에 대한 입자(제 1 입자 및/또는 제 2 입자)의 질량부수의 하한은, 예를 들면, 10질량부, 바람직하게는 50질량부이고, 또한 상한은, 예를 들면, 2,000질량부, 바람직하게는 1,500질량부이다. 또한, 경화물에 있어서의 입자의 함유 비율의 하한은, 예를 들면, 10질량%, 또한 상한은, 예를 들면, 90질량%이다. 제 1 입자 및 제 2 입자의 양방이 열경화성 수지 조성물에 포함되는 경우에는, 제 1 입자 100질량부에 대한 제 2 입자의 질량부수의 하한은, 예를 들면, 30질량부, 또한 상한은, 예를 들면, 300질량부이다.
입자는, 열경화성 수지 조성물에 있어서의 임의 성분이기 때문에, 열경화성 수지 조성물이 입자를 함유하지 않아도 된다.
가공 안정층(3)의 두께의 하한은, 예를 들면, 1μm, 바람직하게는 10μm이고, 또한 상한은, 예를 들면, 1,000μm, 바람직하게는 100μm이다. 적층 시트(1)의 두께에 있어서의 가공 안정층(3)의 두께의 비의 하한은, 예를 들면, 0.001, 바람직하게는 0.005, 보다 바람직하게는 0.01이고, 또한 상한은, 예를 들면, 0.5, 바람직하게는 0.3, 보다 바람직하게는 0.1이다.
2개의 가공 안정층(3)의 두께는, 동일하거나 또는 상이해도 된다. 인덕터(2)의 두께 방향 타방측에 위치하는 가공 안정층(3)의 두께에 대한, 인덕터(2)의 두께 방향 일방측에 위치하는 가공 안정층(3)의 두께의 비(두께 방향 일방측의 가공 안정층(3)의 두께/타방측의 가공 안정층(3)의 두께)의 하한은, 예를 들면, 0.05, 바람직하게는 0.1이고, 또한 상한이 10이다.
다음으로, 적층 시트(1)의 제조 방법을, 도 1∼도 2를 참조하여 설명한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 우선, 이 방법에서는, 인덕터(2)를 준비한다. 인덕터(2)를 준비하기 위해서는, 복수의 배선(4)을 준비하고, 이것을 2개의 자성 시트로 협지한다. 한편, 인덕터(2)는, 예를 들면, 일본 특허공개 2019-220618호 공보 등에 기재되는 방법에 의해 준비한다.
이 방법에서는, 계속해서, 2개의 가공 안정 시트(9)를 준비한다.
가공 안정 시트(9)는, 가공 안정층(3)의 재료로 시트 형상으로 형성되어 있다. 가공 안정 시트(9)는, 바람직하게는 B 스테이지의 열경화성 수지 조성물을 포함한다.
한편, 상기한 재료를, 상기한 열경화성 수지 조성물에, 용매를 추가로 배합하여, 바니시로서 조제할 수도 있다. 또, 재료에는, 열가소성 수지를 추가로 배합할 수도 있다.
용매로서는, 예를 들면, 메탄올 등의 알코올 화합물, 다이메틸 에터 등의 에터 화합물, 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤 화합물을 들 수 있다. 용매의 배합 비율은, 바니시에 있어서의 고형분의 질량 비율의 하한이, 예를 들면, 10질량%, 또한 상한이, 예를 들면, 95질량%가 되도록 조정된다.
열가소성 수지로서는, 자성층(5)의 바인더에서 예로 든 열가소성 수지를 들 수 있다. 열경화성 수지 100질량부에 대한 열가소성 수지의 질량부수의 하한은, 예를 들면, 1질량부, 상한이, 예를 들면, 100질량부이다.
이 방법에서는, 바니시를 도시하지 않는 박리 시트의 표면에 도포 및 건조시켜, 가공 안정 시트(9)를 형성한다.
계속해서, 2개의 가공 안정 시트(9) 및 인덕터(2)를 두께 방향 양측으로부터 프레스한다. 2개의 가공 안정 시트(9)를 인덕터(2)의 일방면(6) 및 타방면(7)의 각각에 첩부한다.
그 후, 그들을 가열하여, 가공 안정 시트(9)를 C 스테이지화한다. 이에 의해, 인덕터(2)의 두께 방향 양측에 배치되는 가공 안정층(3)을 형성한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 이에 의해, 적층 시트(1)를 얻는다.
이 적층 시트(1)는, 예를 들면, 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족한다.
시험 (a): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ1을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 구리 5수화물 66g/L, 황산 농도 180g/L, 염소 50ppm, 오쿠노 제약공업사제의 톱 루치나 α를 함유하는 황산 구리 도금 용액 200mL에, 25℃에서, 120분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ2를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ1-μ2｜/μ1×100
시험 (b): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ3을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 55g/L를 함유하는 산 활성 수용액 200mL에, 25℃에서, 1분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ4를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ3-μ4｜/μ3×100
시험 (c): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ5를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P 200mL에, 45℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ6을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ5-μ6｜/μ5×100
시험 (d): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ7을 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP 200mL에, 80℃에서, 15분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ8을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ7-μ8｜/μ7×100
시험 (e): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ9를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P 200mL에, 60℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ10을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
투자율의 변화율(%)=｜μ9-μ10｜/μ9×100
시험 (a)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (a)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (a)를 만족하면, 적층 시트(1)는, 전해 구리 도금의 황산 구리 용액의 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (b)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (b)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (b)를 만족하면, 적층 시트(1)는, 산 활성 용액의 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (c)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (c)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (c)에 있어서의 아토테크 재팬사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P는, 황산 수용액을 함유하고 있고, 중화액(중화제, 또는 중화용 수용액)으로서 이용된다. 따라서, 시험 (c)를 만족하면, 적층 시트(1)는, 중화액 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (d)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (d)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (d)에 있어서의 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP는, 과망가니즈산 칼륨 용액을 함유한다. 따라서, 시험 (d)를 만족하면, 적층 시트(1)는, 디스미어(세정)의 과망가니즈산 칼륨 용액 침지에 대한 안정성이 우수하다.
시험 (e)를 만족하는 경우에 있어서, 시험 (e)에 있어서의 샘플의 투자율의 변화율의 상한은, 바람직하게는 4%, 보다 바람직하게는 3%이다.
시험 (e)에 있어서의 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P는, 글라이콜 에터류 및 수산화 나트륨을 함유하는 수용액이고, 팽윤액으로서 이용된다. 따라서, 시험 (e)를 만족하면, 적층 시트(1)는, 팽윤액 침지에 대한 안정성이 우수하다.
바람직하게는, 시험 (a)∼시험 (e)의 모두를 만족한다. 그 때문에, 적층 시트(1)는, 전해 구리 도금의 황산 구리 용액, 산 활성 용액, 중화액, 디스미어(세정)의 과망가니즈산 칼륨 용액 및 팽윤액의 침지에 대한 안정성이 우수하고, 이들 액을 이용하는 각종 프로세스에 대한 안정성이 우수하다.
적층 시트(1)는, 그 목적 및 용도에 따라서, 여러 가지의 약액(전해 구리 도금의 황산 구리 용액, 산 활성 용액, 중화액, 디스미어(세정)의 과망가니즈산 칼륨 용액 및 팽윤액 등을 포함한다)에 침지되어, 표면 가공된다.
계속해서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 적층 시트(1)의 두께 방향 일방면에 대한 가공으로서, 슬릿(10)을 형성하는 태양을 설명한다.
이 태양에서는, 이웃하는 배선(4)끼리의 크로스 토크를 저감시키기 위해서, 자성층(5)의 두께 방향 일방측에 슬릿(10)을 형성한다.
슬릿(10)은, 두께 방향으로 투영했을 때에, 이웃하는 배선(4) 사이에 위치한다. 또한, 슬릿(10)은, 가공 안정층(3)을 두께 방향으로 관통하고, 나아가 자성층(5)의 두께 방향 일방면으로부터 도중까지 형성된다. 슬릿(10)은, 배선(4)에 병행하고 있고, 배선(4)이 연장되는 방향을 따른다.
슬릿(10)의 폭은, 특별히 한정되지 않는다. 슬릿(10)의 폭의 하한은, 예를 들면, 10μm이고, 또한 상한은, 1,000μm이다. 한편, 슬릿(10)의 깊이는, 특별히 한정되지 않는다.
슬릿(10)을 형성하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이싱 소(11)를 이용하는 접촉식 절삭, 예를 들면, 레이저(도시하지 않음)를 이용하는 비접촉식 절삭 등을 들 수 있다. 다이싱 소(11)는, 원판 형상을 갖는 다이싱 블레이드를 포함한다.
상기한 어느 방법도, 적층 시트(1)의 두께 방향 일방측으로부터, 적층 시트(1)의 두께 방향 일방면에 대해서 처리한다.
이에 의해, 슬릿(10)이 형성된 적층 시트(1)를 얻는다.
<일 실시형태의 작용 효과>
그리고, 이 적층 시트(1)는, 가공 안정층(3)을 구비하므로, 가공 안정성이 우수하다.
상세히 기술하면, 도 6에 나타내는 바와 같이, 적층 시트(1)가, 가공 안정층(3)을 구비하지 않고, 인덕터(2)만으로 이루어지는 경우에는, 자성층(5)에 슬릿(10)을 형성하면, 자성층(5)의 일방면(6)에 있어서의 슬릿(10)에 면하는 내단부가, 두께 방향 일방측으로 휘어오른다(솟아오른다). 이 사상은, 슬릿(10)을 자성층(5)에 형성할 때에, 자성 입자는, 금속류로 이루어지기 때문에, 깨지기 어렵고, 또한 그 형상이, 대략 편평 형상이기 때문에, 자성 입자의 주위의 바인더를 권입하면서, 자성층(5)이 두께 방향 일방측으로 이동한다.
그러나, 이 일 실시형태의 적층 시트(1)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 가공 안정층(3)을 구비하고, 그 가공 안정층(3)이, 제 1 입자 및 제 2 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 입자를 임의 성분으로서 함유한다.
구체적으로는, 가공 안정층(3)이 입자를 포함하지 않는 경우에는, 상기한 입자의 이동에 기인하는 가공 안정층(3)의 변형이 없고, 그 때문에, 가공 안정층(3)에 있어서의 경화물에 의해 자성층(5)의 변형을 억지할 수 있다.
가공 안정층(3)이 대략 구형상인 제 1 입자를 포함하는 경우에는, 주위의 바인더를 권입하면서의, 가공 안정층(3)에 있어서의 제 1 입자의 이동이 억제된다. 그 때문에, 가공 안정층(3)에 있어서의 경화물에 의해 자성층(5)의 변형을 억지할 수 있다.
가공 안정층(3)이, 재료가 무기 화합물인 제 2 입자를 포함하는 경우에는, 그것이, 가령, 대략 편평 형상이어도, 슬릿(10)을 자성층(5)에 형성할 때에, 제 2 입자의 재료가 취성인 무기 화합물이기 때문에, 제 2 입자가 깨지기 쉽다. 그 때문에, 가공 안정층(3)에 있어서의 제 2 입자의 이동이 억제된다. 그 결과, 가공 안정층(3)에 있어서의 경화물에 의해 자성층(5)의 변형을 억지할 수 있다.
따라서, 본 실시형태의 적층 시트(1)는, 상기한 가공 안정층(3)을 구비하므로, 적층 시트(1)에 슬릿(10)을 형성할 때에, 자성층(5)의 변형을 억제할 수 있다.
<적층 시트의 변형예 및 다른 사용 태양>
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그의 상세한 설명을 생략한다. 또한, 각 변형예는, 특기하는 것 이외에, 일 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 나타낼 수 있다. 또, 일 실시형태 및 그의 변형예를 적절히 조합할 수 있다.
일 실시형태에서는, 바니시를 박리 시트에 도포하고 있지만, 예를 들면, 자성층(5)의 일방면(6) 및 타방면(7)에 도포할 수도 있다.
또한, 도 4A에 나타내는 바와 같이, 적층 시트(1)에 비아(12)를 형성할 수도 있다.
비아(12)는, 배선(4)의 두께 방향 일방면의 중앙부를 노출하고, 배선(4)으로부터 두께 방향 일방측에 위치하는 자성층(5) 및 가공 안정층(3)의 두께 방향을 관통하는 관통공이다. 비아(12)는, 평면시(도시하지 않음) 대략 원형상을 갖는다. 또한, 비아(12)는, 단면시에 있어서, 두께 방향 일방측을 향해 따라서 개구 면적이 넓어지는 테이퍼 형상을 갖는다.
비아(12)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 드릴을 이용하는 접촉식 개구, 예를 들면, 레이저를 이용하는 비접촉식 개구 등을 들 수 있다.
도 4B에 나타내는 바와 같이, 그 후, 이 방법에서는, 비아(12)로부터 노출되는 배선(4) 및 자성층(5)에, 추가로 가공 안정층(3)을 충전한다.
도 4C에 나타내는 바와 같이, 그 후, 비아(12)를 재차 형성한다. 단, 이 비아(12)는, 배선(4)의 두께 방향 일방면의 중앙부를 노출하지만, 자성층(5)을 노출하지 않는다. 즉, 자성층(5)의 내측면은, 새로 충전된 가공 안정층(3)에 의해 피복되어 있다.
이에 의해, 비아(12)가 형성되고, 이에 대응하는 자성층(5)의 내측면이 가공 안정층(3)에 의해 피복된 적층 시트(1)를 얻는다.
일 실시형태에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 가공 안정층(3)이, 인덕터(2)의 두께 방향 일방면 및 타방면에 배치되어 있지만, 도시하지 않지만, 일방면에만 배치되어도 되고, 또한 도 5A에 나타내는 바와 같이, 타방면에만 배치되어도 된다.
도 5B에 나타내는 바와 같이, 상기한 적층 시트(1)에 있어서의 자성층(5)에 비아(12)를 형성해도 된다.
또, 도 5C에 나타내는 바와 같이, 가공 안정층(3)이 인덕터(2)의 두께 방향 타방면에 배치되고, 인덕터(2)에 비아(12)가 형성된 적층 시트(1)의 인덕터(2)의 두께 방향 일방면에, 가공 안정층(3)을 추가로 형성할 수도 있다. 두께 방향 일방측의 가공 안정층(3)은, 비아(12)에 충전된다.
또, 도 5D에 나타내는 바와 같이, 비아(12)를 재차 형성한다. 단, 이 비아(12)는, 배선(4)의 두께 방향 일방면의 중앙부를 노출하지만, 자성층(5)을 노출하지 않는다.
한편, 비아(12)에, 도전층(도시하지 않음)을 형성할 수 있다. 도전층(도시하지 않음)의 재료로서는, 예를 들면, 구리 등의 도체 재료를 들 수 있다. 도전층의 형성에서는, 예를 들면, 전해 구리 도금액이 이용된다. 이에 의해, 도전층(도시하지 않음)을 구비하는 적층 시트(1)가 얻어진다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 한편, 본 발명은, 실시예 및 비교예로 전혀 한정되지 않는다. 또한, 이하의 기재에 있어서 이용되는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 구체적인 내용」에 있어서 기재되어 있는, 그들에 대응하는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한(「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한(「이상」, 「초과」로서 정의되어 있는 수치)을 대체할 수 있다.
실시예 1
일 실시형태에 기초하여, 도 1에 나타내는 적층 시트(1)를 제조했다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 우선, 인덕터(2)를 제작했다. 구체적으로는, 반경 110μm의 복수의 배선(4)을, 두께 100μm의 제 1 자성 시트와, 두께 125μm의 제 2 자성 시트로 이루어지는 자성층(5)으로 피복한 인덕터(2)를 제작했다. 한편, 제 1 자성 시트는, 구상 자성분 60체적%, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(주제) 9.7체적%, 페놀 수지(경화제) 9.7체적%, 이미다졸 화합물(경화 촉진제) 0.3체적%, 및 열가소성 수지(카복실기 함유 아크릴산 에스터 코폴리머) 18.7체적%를 포함한다. 또한, 제 2 자성 시트는, 편평 형상의 Fe-Si 합금으로 이루어지는 자성 입자를 55체적%, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(주제) 11.0체적%, 페놀 수지(경화제) 11.0체적%, 이미다졸 화합물(경화 촉진제) 0.4체적%, 및 열가소성 수지(카복실기 함유 아크릴산 에스터 코폴리머) 21.2체적%를 포함한다.
그 후, 2개의 가공 안정 시트(9)를 준비했다. 가공 안정 시트(9)는, 구형상의 실리카 입자(제 1 입자) 935질량부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(열경화성 수지의 주제) 100질량부, 페놀 수지(경화제) 106질량부, 이미다졸 화합물(경화 촉진제) 4질량부, 및 사이클로헥산온(용매) 10질량부를 포함하는 바니시의 도포 및 건조에 의해 형성된다. 가공 안정 시트(9)에 있어서의 실리카 입자의 함유 비율은, 55체적%이다. 가공 안정 시트(9)의 두께는, 40μm이다. 가공 안정 시트(9)는, B 스테이지이다.
2개의 가공 안정 시트(9)를, 인덕터(2)의 두께 방향 일방면 및 타방면에 첩부했다. 그 후, 가공 안정 시트(9)를, 190℃, 1시간 가열하여, C 스테이지화했다.
이에 의해, C 스테이지의 가공 안정층(3)을 형성했다. 가공 안정층(3)의 두께는, 40μm였다.
이에 의해, 인덕터(2) 및 가공 안정층(3)을 구비하는 적층 시트(1)를 제조했다.
비교예 1
제조 도중의 인덕터(2), 즉 가공 안정층(3)을 구비하지 않는 인덕터(2)를, 비교예 1의 적층 시트(1)로 했다.
(평가)
(슬릿 가공)
실시예 1 및 비교예 1의 각각의 적층 시트(1)의 두께 방향 일방면에 슬릿(10)을 형성했다. 슬릿(10)을 다이싱 소(11)에 의해 형성했다. 슬릿(10)의 폭이 30μm이고, 깊이가 100μm였다.
적층 시트(1)에 있어서의 슬릿(10)을 SEM(전자 현미경) 관찰했다. 실시예 1의 SEM 사진을 도 7에 나타낸다. 비교예 1의 SEM 사진을 도 8에 나타낸다.
실시예 1에서는, 슬릿(10)에 면하는 자성층(5)의 내단부에 휘어오름(솟아오름)이 관찰되지 않았다. ○로 평가했다.
이에 비해서, 비교예 1에서는, 슬릿(10)에 면하는 자성층(5)의 내단부에 휘어오름(솟아오름)이 관찰되었다. ×로 평가했다.
(시험 a∼e)
시험 a∼시험 e에 있어서, 실시예 1 및 비교예 1의 각각의 투자율의 변화율을 구했다.
시험 (a): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ1을 구했다. 그 후, 샘플을, 황산 구리 5수화물 66g/L, 황산 농도 180g/L, 염소 50ppm, 오쿠노 제약공업사제의 톱 루치나 α를 함유하는 황산 구리 도금 용액 200mL에, 25℃에서, 120분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ2를 구했다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구했다.
투자율의 변화율(%)=｜μ1-μ2｜/μ1×100
시험 (b): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ3을 구했다. 그 후, 샘플을, 황산 55g/L를 함유하는 산 활성 수용액 200mL에, 25℃에서, 1분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ4를 구했다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구했다.
투자율의 변화율(%)=｜μ3-μ4｜/μ3×100
시험 (c): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ5를 구했다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P 200mL에, 45℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ6을 구했다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구했다.
투자율의 변화율(%)=｜μ5-μ6｜/μ5×100
시험 (d): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ7을 구했다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP 200mL에, 80℃에서, 15분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ8을 구했다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구했다.
투자율의 변화율(%)=｜μ7-μ8｜/μ7×100
시험 (e): 적층 시트(1)를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ9를 구했다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P 200mL에, 60℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ10을 구했다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구했다.
투자율의 변화율(%)=｜μ9-μ10｜/μ9×100
상기한 비투자율 μ1∼μ10은, 임피던스 애널라이저(Agilent사제, 「4291B」)에 의해 측정했다.
하기의 기준에 따라, 시험 a∼시험 e의 각각을 평가했다.
○: 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율이 5% 이하였다.
×: 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율이 5%를 초과했다.
Figure pat00001
(적층 시트의 일방면의 산술 평균 거칠기 Ra)
실시예 1의 적층 시트(1)의 일방면의 산술 평균 거칠기 Ra를 측정했다. 그 결과, 0.1μm였다.
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이는 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에게 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함된다.
1 적층 시트
2 인덕터
3 가공 안정층
4 배선
5 자성층
6 일방면

Claims (3)

  1. 복수의 배선, 및 상기 복수의 배선을 매설하는 자성층을 구비하는 시트상의 인덕터와,
    상기 인덕터의 적어도 두께 방향 일방면에 배치되는 가공 안정층을 구비하고,
    상기 자성층은,
    바인더와,
    대략 편평 형상을 갖고, 재료가 금속류인 자성 입자를 포함하며,
    상기 가공 안정층은, 열경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하고,
    상기 열경화성 수지 조성물은,
    열경화성 수지를 필수 성분으로서 포함하고,
    대략 구형상을 갖는 제 1 입자, 및 대략 편평 형상을 갖고, 재료가 무기 화합물인 제 2 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 입자를 임의 성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는, 적층 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    하기 시험 (a)∼시험 (e) 중, 적어도 어느 하나의 시험을 만족하는 것을 특징으로 하는, 적층 시트.
    시험 (a): 상기 적층 시트를 3cm각(角)으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ1을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 구리 5수화물 66g/L, 황산 농도 180g/L, 염소 50ppm, 톱 루치나 α(TOP LUCINA α)를 함유하는 황산 구리 도금 용액 200mL에, 25℃에서, 120분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ2를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ1-μ2｜/μ1×100
    시험 (b): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ3을 구한다. 그 후, 샘플을, 황산 55g/L를 함유하는 산 활성 수용액 200mL에, 25℃에서, 1분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ4를 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ3-μ4｜/μ3×100
    시험 (c): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ5를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬(Atotech Japan)사제의 리덕션 솔루션 시큐리간트 P(Reduction　Solution Securiganth　P) 200mL에, 45℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ6을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ5-μ6｜/μ5×100
    시험 (d): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ7을 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 컨센트레이트 콤팩트 CP(Concentrate Compact CP) 200mL에, 80℃에서, 15분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ8을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ7-μ8｜/μ7×100
    시험 (e): 상기 적층 시트를 3cm각으로 외형 가공하여 샘플을 제작하고, 그의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ9를 구한다. 그 후, 샘플을, 아토테크 재팬사제의 스웰링 딥 시큐리간트 P(Swelling Dip Securiganth　P) 200mL에, 60℃에서, 5분 침지하고, 그 후, 샘플의 주파수 10MHz에 있어서의 비투자율 μ10을 구한다. 하기 식에 의해, 침지 전후에 있어서의 투자율의 변화율을 구한다. 그 결과, 샘플의 투자율의 변화율이 5% 이하이다.
    투자율의 변화율(%)=｜μ9-μ10｜/μ9×100
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    두께 방향 일방면의 산술 평균 거칠기 Ra가 10μm 이하인 것을 특징으로 하는, 적층 시트.
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