JP2021126873A - 積層シート - Google Patents

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Abstract

【課題】加工安定性に優れる積層シートを提供すること。
【解決手段】積層シート1は、複数の配線4、および、複数の配線4を埋設する磁性層5を備えるシート状のインダクタ2と、インダクタ2の少なくとも厚み方向一方面6に配置される加工安定層3とを備える。磁性層5は、バインダと、略扁平形状を有し、材料が金属類である磁性粒子とを含む。加工安定層3は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む。熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を必須成分として含む。熱硬化性樹脂組成物は、略球形状を有する第1粒子、および、略扁平形状を有し、材料が無機化合物である第2粒子からなる群から選択される少なくとも1種類の粒子を任意成分として含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、積層シートに関する。
従来、配線と、配線を被覆し、扁平形状の磁性粒子を含有する磁性層とを備えるシート状のインダクタが知られている(例えば、下記特許文献1参照。)。
特開2019-220618号公報
しかるに、インダクタの表面に加工を施す場合がある。例えば、スリットを、インダクタの表面に形成して、クロストークを低減したり、または、インダクタを、洗浄液などの液に浸漬して、インダクタの表面を洗浄したりする場合がある。
しかし、上記した加工を、特許文献1のインダクタの表面に施すと、インダクタの表面が変形したり、または、透磁率が大きく変動する場合がある。つまり、インダクタの加工安定性が不十分であるという不具合がある。
本発明は、加工安定性に優れる積層シートを提供する。
本発明(1)は、複数の配線、および、前記複数の配線を埋設する磁性層を備えるシート状のインダクタと、前記インダクタの少なくとも厚み方向一方面に配置される加工安定層とを備え、前記磁性層は、バインダと、略扁平形状を有し、材料が金属類である磁性粒子とを含み、前記加工安定層は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含み、前記熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を必須成分として含み、略球形状を有する第1粒子、および、略扁平形状を有し、材料が無機化合物である第2粒子からなる群から選択される少なくとも1種類の粒子を任意成分として含む、積層シートを含む。
この積層シートは、加工安定層を備えるので、加工安定性に優れる。
本発明(2)は、下記試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足する、(1)に記載の積層シートを含む。
試験(a):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ1を求める。その後、サンプルを、硫酸銅5水和物66g/L、硫酸濃度180g/L、塩素50ppm、トップルチナを含有する硫酸銅めっき溶液200mLに、25℃で、120分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ2を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ1−μ2|/μ1×100
試験(b):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ3−μ4|/μ3×100
試験(c):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ5−μ6|/μ5×100
試験(d):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ7−μ8|/μ7×100
試験(e):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ9−μ10|/μ9×100
この積層シートは、試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足するので、薬液を用いるプロセス加工に対する安定性に優れる。
本発明(3)は、厚み方向一方面の算術平均粗さRaが、10μm以下である、(1)または(2)に記載の積層シートを含む。
この積層シートは、厚み方向一方面の算術平均粗さRaが、10μm以下であるので、良好な実装性を確保できる。
本発明の積層シートは、加工安定性に優れる。
図1は、本発明の積層シートの一実施形態の正断面図である。 図2は、図1に示す積層シートの製造途中におけるインダクタの正断面図である。 図3は、図1に示す積層シートにスリットが形成された態様の正断面図である。 図4A〜図4Cは、図1に示す積層シートの使用態様の正断面図であり、図4Aが、積層シートにビアが形成された変形例、図4Bが、ビアに新たな加工安定層が充填された変形例、図4Cが、ビアが配線の一部を露出する変形例である。 図5A〜図5Dは、一実施形態の積層シートの変形例およびその使用態様の正断面図であり、図5Aが、加工安定層がインダクタの厚み方向他方面に配置された変形例、図5Bが、図5Aに示す積層シートにビアが形成された変形例、図5Cが、図5Bに示す積層シートのビアに新たな加工安定層が充填された変形例、図5Dが、ビアが配線の一部を露出する変形例である。 図6は、比較例1の積層シートにスリットが形成された正断面図である。 図7は、実施例1の積層シートにスリットが形成されたSEM写真の画像処理図である。 図8は、比較例1の積層シートにスリットを形成したSEM写真の画像処理図である。
<一実施形態>
本発明の積層シートの一実施形態を、図1を参照して説明する。
この積層シート1は、所定厚みを有し、厚み方向に対して直交する面方向に延びるシート形状を有する。積層シート1は、シート状のインダクタ2と、加工安定層3とを備える。
インダクタ2は、所定厚みを有し、積層シート1と同一の外形形状を有する。インダクタ2は、複数の配線4と、磁性層5とを備える。
複数の配線4は、それぞれの延びる方向、および、厚み方向に直交する方向(以下、幅方向という場合がある)に互いに間隔が隔てて隣り合う。複数の配線4は、並行する。配線4の形状、寸法、構成、材料、処方(充填率、含有割合など)などは、例えば、特開2019−220618号公報などに記載される。好ましくは、配線4は、断面(配線4が延びる方向に直交する方向に沿う正断面)において、略円形状をなしており、その直径の下限が、例えば、25μmであり、また、直径の上限が、例えば、2,000μmである。配線4は、好ましくは、導体からなる導線と、導線の周面を被覆する絶縁膜とを含む。隣り合う配線4の間隔の下限は、例えば、10μm、好ましくは、50μmであり、また、隣り合う配線4の間隔の上限は、例えば、5,000μm、好ましくは、3,000μmである。隣り合う配線4の間隔に対する、配線4の直径の比(直径/間隔)の上限は、例えば、200、好ましくは、50であり、また、下限が、例えば、0.01、好ましくは、0.1である。
磁性層5は、積層シート1のインダクタンスを向上させる。磁性層5は、平面視において、積層シート1と同一の外形形状を有する。磁性層5は、面方向に延びる板形状を有する。また、磁性層5は、断面視で、複数の配線4を埋設する。磁性層5は、一方面6と、他方面7と、内周面8とを有する。
一方面6は、磁性層5における厚み方向一方面を形成する。
他方面7は、磁性層5における厚み方向他方面を形成する。他方面7は、一方面6の厚み方向他方側に間隔が隔てられる。
内周面8は、一方面6および他方面7と厚み方向に間隔が隔てられる。内周面8は、厚み方向において、一方面6および他方面7の間に位置する。内周面8は、配線4の外周面に接触する。
磁性層5は、バインダと、磁性粒子とを含む。具体的には、磁性層5の材料は、バインダと磁性粒子とを含有する磁性組成物である。
バインダは、磁性粒子を分散するマトリクスである。バインダとしては、例えば、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂、例えば、エポキシ樹脂組成物などの熱硬化性樹脂が挙げられる。アクリル樹脂は、例えば、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマーを含む。エポキシ樹脂組成物は、例えば、主剤であるエポキシ樹脂(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など)と、エポキシ樹脂用硬化剤(フェノール樹脂など)と、エポキシ樹脂用硬化促進剤(イミダゾール化合物など)とを含む。バインダとしては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂をそれぞれ単独使用または併用することができ、好ましくは、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を併用する。磁性組成物におけるバインダの体積割合は、後述する磁性粒子の体積割合の残部である。
磁性粒子は、例えば、バインダ中に分散する。本実施形態において、磁性粒子は、略扁平形状を有する。なお、略扁平形状は、略板形状を含む。
磁性粒子の扁平率(扁平度)の下限は、例えば、8、好ましくは、15であり、また、上限は、例えば、500、好ましくは、450である。扁平率は、例えば、磁性粒子のメジアン径を磁性粒子の平均厚さで除したアスペクト比として算出される。
磁性粒子のメジアン径の下限は、例えば、3.5μm、好ましくは、10μmであり、また、上限は、例えば、200μm、好ましくは、150μmである。磁性粒子の平均厚みの下限は、例えば、0.1μm、好ましくは、0.2μmであり、また、上限は、例えば、3.0μm、好ましくは、2.5μmである。
また、磁性粒子の材料は、金属類である。金属類としては、軟磁性体、硬磁性体などの磁性体が挙げられる。好ましくは、良好なインダクタンスを確保する観点から、軟磁性体が挙げられる。
軟磁性体としては、例えば、1種類の金属元素を純物質の状態で含む単一金属体、例えば、1種類以上の金属元素(第1金属元素)と、1種類以上の金属元素(第2金属元素)および/または非金属元素(炭素、窒素、ケイ素、リンなど)との共融体(混合物)である合金体が挙げられる。これらは、単独または併用することができる。
単一金属体としては、例えば、1種類の金属元素(第1金属元素)のみからなる金属単体が挙げられる。第1金属元素としては、例えば、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、その他、軟磁性体の第1金属元素として含有することが可能な金属元素の中から適宜選択される。
また、単一金属体としては、例えば、1種類の金属元素のみを含むコアと、そのコアの表面の一部または全部を修飾する無機物および/または有機物を含む表面層とを含む形態、例えば、第1金属元素を含む有機金属化合物や無機金属化合物が分解(熱分解など)された形態などが挙げられる。後者の形態として、より具体的には、第1金属元素として鉄を含む有機鉄化合物(具体的には、カルボニル鉄)が熱分解された鉄粉(カルボニル鉄粉と称される場合がある)などが挙げられる。なお、1種類の金属元素のみを含む部分を修飾する無機物および/または有機物を含む層の位置は、上記のような表面に限定されない。なお、単一金属体を得ることができる有機金属化合物や無機金属化合物としては、特に制限されず、軟磁性体の単一金属体を得ることができる公知乃至慣用の有機金属化合物や無機金属化合物から適宜選択することができる。
合金体は、1種類以上の金属元素(第1金属元素)と、1種類以上の金属元素(第2金属元素)および/または非金属元素(炭素、窒素、ケイ素、リンなど)との共融体であり、軟磁性体の合金体として利用することができるものであれば特に制限されない。
第1金属元素は、合金体における必須元素であり、例えば、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)などが挙げられる。なお、第1金属元素がFeであれば、合金体は、Fe系合金とされ、第1金属元素がCoであれば、合金体は、Co系合金とされ、第1金属元素がNiであれば、合金体は、Ni系合金とされる。
第2金属元素は、合金体に副次的に含有される元素(副成分)であり、第1金属元素に相溶(共融)する金属元素であって、例えば、鉄(Fe)(第1金属元素がFe以外である場合)、コバルト(Co)(第1金属元素がCo以外である場合)、ニッケル(Ni)(第1金属元素Ni以外である場合)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)、銅(Cu)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ストロンチウム(Sr)、各種希土類元素などが挙げられる。これらは、単独使用または2種以上併用することができる。
非金属元素は、合金体に副次的に含有される元素(副成分)であり、第1金属元素に相溶(共融)する非金属元素であって、例えば、ホウ素(B)、炭素(C)、窒素(N)、ケイ素(Si)、リン(P)、硫黄(S)などが挙げられる。これらは、単独使用または2種以上併用することができる。
合金体の一例であるFe系合金として、例えば、磁性ステンレス(Fe−Cr−Al−Si合金)(電磁ステンレスを含む)、センダスト(Fe−Si−Al合金)(スーパーセンダストを含む)、パーマロイ(Fe−Ni合金)、Fe−Ni−Mo合金、Fe−Ni−Mo−Cu合金、Fe−Ni−Co合金、Fe−Cr合金、Fe−Cr−Al合金、Fe−Ni−Cr合金、Fe−Ni−Cr−Si合金、ケイ素銅(Fe−Cu−Si合金)、Fe−Si合金、Fe−Si―B(−Cu−Nb)合金、Fe−B−Si−Cr合金、Fe−Si−Cr−Ni合金、Fe−Si−Cr合金、Fe−Si−Al−Ni−Cr合金、Fe−Ni−Si−Co合金、Fe−N合金、Fe−C合金、Fe−B合金、Fe−P合金、フェライト(ステンレス系フェライト、さらには、Mn−Mg系フェライト、Mn−Zn系フェライト、Ni−Zn系フェライト、Ni−Zn−Cu系フェライト、Cu−Zn系フェライト、Cu−Mg−Zn系フェライトなどのソフトフェライトを含む)、パーメンジュール(Fe−Co合金)、Fe−Co−V合金、Fe基アモルファス合金などが挙げられる。
合金体の一例であるCo系合金としては、例えば、Co−Ta−Zr、コバルト(Co)基アモルファス合金などが挙げられる。
合金体の一例であるNi系合金としては、例えば、Ni−Cr合金などが挙げられる。
なお、上記した磁性組成物のより詳細な処方については、特開2014−165363号公報などに記載される。
磁性組成物における磁性粒子の体積割合の下限は、例えば、40体積%、好ましくは、50体積%、より好ましくは、60体積%であり、また、上限は、例えば、95体積%、好ましくは、90体積%である。
インダクタ2の厚みの下限は、例えば、30μm、好ましくは、40μmであり、また、インダクタ2の厚みの上限は、例えば、2,500μm、好ましくは、2,000μmである。積層シート1の厚みに対するインダクタ2の厚みの比の下限は、例えば、0.1、好ましくは、0.3、より好ましくは、0.7であり、また、上限が、例えば、0.999、好ましくは、0.990、より好ましくは、0.980である。
加工安定層3は、インダクタ2の一方面6および他方面7に対する表面加工性を向上させる。加工安定層3は、インダクタ2の一方面6および他方面7に配置される。具体的には、加工安定層3は、磁性層5の一方面6の全部および他方面7の全部に接触している。2つの加工安定層3のそれぞれは、面方向に延びるシート形状を有する。
インダクタ2の厚み方向一方側に位置する加工安定層3の厚み方向一方面は、積層シート1の厚み方向一方面を形成する。そして、積層シート1の厚み方向一方面の算術平均粗さRaの上限は、例えば、10μm、好ましくは、5μm、より、好ましくは、1μmであり、また、下限は、例えば、0.001μmある。
インダクタ2の厚み方向他方面に位置する加工安定層3の厚み方向他方面は、積層シート1の厚み方向他方面を形成する。そして、積層シート1の厚み方向他方面の厚み方向一方面の算術平均粗さRaの上限は、例えば、10μm、好ましくは、5μm、より、好ましくは、1μmであり、また、下限は、例えば、0.001μmある。
積層シート1の厚み方向一方面および/または他方面の算術平均粗さRaが上記した上限以下であれば、良好な実装性を確保できる。
積層シート1の厚み方向一方面および他方面の算術平均粗さRaは、触針式表面形状測定器により求められる。
加工安定層3は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含む。つまり、加工安定層3の材料は、熱硬化性樹脂組成物を含む。
熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を必須成分として含み、粒子を任意成分として含む。
熱硬化性樹脂としては、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含む。
主剤としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられ、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの2官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの3官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または2種以上を併用することができる。好ましくは、2官能エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が挙げられる。
エポキシ樹脂のエポキシ当量の下限は、例えば、10g/eq.であり、また、上限は、例えば、1,000g/eq.である。
硬化剤としては、主剤がエポキシ樹脂であれば、例えば、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、レゾール樹脂などの多官能フェノール樹脂が挙げられる。これらは、単独で使用または2種以上を併用することができる。フェノール樹脂として、好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニレン樹脂が挙げられる。主剤がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計の下限が、例えば、0.7当量、好ましくは、0.9当量、また、上限が、例えば、1.5当量、好ましくは、1.2当量である。具体的には、硬化剤の質量部数の下限は、主剤100質量部に対して、例えば、1質量部であり、また、例えば、50質量部である。
硬化促進剤としては、主剤の硬化を促進する触媒(熱硬化触媒)(好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤)であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(2P4MHZ)などのイミダゾール化合物などが挙げられる。硬化促進剤の質量部数の下限は、主剤100質量部に対して、例えば、0.05質量部であり、また、上限が、例えば、5質量部である。
粒子は、熱硬化性樹脂組成物における任意成分である。粒子は、熱硬化性樹脂に分散されている。粒子は、第1粒子、および、第2粒子からなる群から選択される少なくとも1種類である。
第1粒子は、略球形状を有する。第1粒子のメジアン径の下限は、例えば、1μm、好ましくは、5μmであり、また、第1粒子のメジアン径の上限は、例えば、250μm、好ましくは、200μmである。第1粒子のメジアン径は、レーザ回折式粒度分布測定装置で求められる。また、第1粒子のメジアン径は、例えば、積層シート1の断面観察による二値化処理によって、求めることもできる。
第1粒子の材料は、特に限定されない。第1粒子の材料としては、例えば、金属類、無機化合物、有機化合物などが挙げられ、熱膨張係数を上げるために、好ましくは、金属類、無機化合物が挙げられる。
金属類は、加工安定層3をインダンクタンス向上層として機能させる場合に熱硬化性樹脂組成物に含まれる。金属類としては、磁性層5で例示した磁性体が挙げられ、好ましくは、第1金属元素として鉄を含む有機鉄化合物、より好ましくは、カルボニル鉄が挙げられる。
無機化合物は、加工安定層3を熱膨張係数抑制層として機能させる場合に熱硬化性樹脂組成物に含まれる。無機化合物としては、例えば、無機フィラーが挙げられ、具体的には、シリカ、アルミナなどが挙げられ、好ましくは、シリカが挙げられる。
具体的には、第1粒子として、好ましくは、球形状シリカが挙げられ、また、好ましくは、球形状カルボニル鉄が挙げられる。
第2粒子は、略扁平形状を有する。略扁平形状は、略板形状を含む。
第2粒子の扁平率(扁平度)の下限は、例えば、8、好ましくは、15であり、また、上限は、例えば、500、好ましくは、450である。第2粒子の扁平率は、上記した磁性層5における磁性粒子の扁平率と同じ算出方法で求められる。
第2粒子のメジアン径の下限は、例えば、1μm、好ましくは、5μmであり、また、第2粒子のメジアン径の上限は、例えば、250μm、好ましくは、200μmである。第2粒子のメジアン径は、第1粒子のそれと同様の方法で求められる。
第2粒子の平均厚みの下限は、例えば、0.1μm、好ましくは、0.2μmであり、また、上限は、例えば、3.0μm、好ましくは、2.5μmである。
第2粒子の材料は、無機化合物である。無機化合物としては、例えば、窒化ホウ素などの熱伝導性化合物などが挙げられる。従って、好ましくは、無機化合物は、加工安定層3を熱伝導性向上層として機能させる場合に熱硬化性樹脂組成物に含まれる。
具体的には、第2粒子として、好ましくは、扁平形状の窒化ホウ素が挙げられる。
第1粒子および第2粒子は、熱硬化性樹脂組成物に、単独種類が含まれ、または、両方が含まれる。
熱硬化性樹脂100質量部に対する粒子(第1粒子および/または第2粒子)の質量部数の下限は、例えば、10質量部、好ましくは、50質量部であり、また、上限は、例えば、2,000質量部、好ましくは、1,500質量部である。また、硬化物における粒子の含有割合の下限は、例えば、10質量%、また、上限は、例えば、90質量%である。第1粒子および第2粒子の両方が熱硬化性樹脂組成物に含まれる場合には、第1粒子100質量部に対する第2粒子の質量部数の下限は、例えば、30質量部、また、上限は、例えば、300質量部である。
粒子は、熱硬化性樹脂組成物における任意成分であることから、熱硬化性樹脂組成物が、粒子を含有しなくてもよい。
加工安定層3の厚みの下限は、例えば、1μm、好ましくは、10μmであり、また、上限は、例えば、1,000μm、好ましくは、100μmである。積層シート1の厚みにおける加工安定層3の厚みの比の下限は、例えば、0.001、好ましくは、0.005、より好ましくは、0.01であり、また、上限は、例えば、0.5、好ましくは、0.3、より好ましくは、0.1である。
2つの加工安定層3の厚みは、同一または相異なっていてもよい。インダクタ2の厚み方向他方側に位置する加工安定層3の厚みに対する、インダクタ2の厚み方向一方側に位置する加工安定層3の厚みの比(厚み方向一方側の加工安定層3の厚み/他方側の加工安定層3の厚み)の下限は、例えば、0.05、好ましくは、0.1であり、また、上限が、10である。
次に、積層シート1の製造方法を、図1〜図2を参照して説明する。
図2に示すように、まず、この方法では、インダクタ2を準備する。インダクタ2を準備するには、複数の配線4を準備し、これを、2つの加工安定シート9で挟み込む。なお、インダクタ2は、例えば、特開2019−220618号公報などに記載される方法によって、準備する。
この方法では、続いて、2つの加工安定シート9を準備する。
加工安定シート9は、加工安定層3の材料からシート形状に形成されている。加工安定シート9は、好ましくは、Bステージの熱硬化性樹脂組成物を含む。
なお、上記した材料を、上記した熱硬化性樹脂組成物に、溶媒をさらに配合して、ワニスとして調製することもできる。さらに、材料には、熱可塑性樹脂をさらに配合することもできる。
溶媒としては、例えば、メタノールなどのアルコール化合物、ジメチルエーテルなどのエーテル化合物、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン化合物が挙げられる。溶媒の配合割合は、ワニスにおける固形分の質量割合の下限が、例えば、10質量%、また、上限が、例えば、95質量%となるように、調整される。
熱可塑性樹脂としては、磁性層5のバインダで挙げた熱可塑性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂100質量部に対する熱可塑性樹脂の質量部数の下限は、例えば、1質量部、上限が、例えば、100質量部である。
この方法では、ワニスを図示しない剥離シートの表面に塗布および乾燥させて、加工安定シート9を形成する。
続いて、2つの加工安定シート9およびインダクタ2を、厚み方向両側からプレスする。2つの加工安定シート9を、インダクタ2の一方面6および他方面7のそれぞれに貼付する。
その後、それらを加熱して、加工安定シート9をCステージ化する。これによって、インダクタ2の厚み方向両側に配置される加工安定層3を形成する。
図1に示すように、これによって、積層シート1を得る。
この積層シート1は、例えば、試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足する。
試験(a):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ1を求める。その後、サンプルを、硫酸銅5水和物66g/L、硫酸濃度180g/L、塩素50ppm、トップルチナを含有する硫酸銅めっき溶液200mLに、25℃で、120分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ2を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ1−μ2|/μ1×100
試験(b):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ3−μ4|/μ3×100
試験(c):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ5−μ6|/μ5×100
試験(d):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ7−μ8|/μ7×100
試験(e):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
透磁率の変化率(%)=|μ9−μ10|/μ9×100
試験(a)を満足する場合において、試験(a)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(a)を満足すれば、積層シート1は、電解銅めっきの硫酸銅溶液の浸漬に対する安定性に優れる。
試験(b)を満足する場合において、試験(b)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(b)を満足すれば、積層シート1は、酸活性溶液の浸漬に対する安定性に優れる。
試験(c)を満足する場合において、試験(c)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(c)におけるアトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントPは、硫酸水溶液を含有しており、中和液(中和剤、または、中和用水溶液)として用いられる。従って、試験(c)を満足すれば、積層シート1は、中和液浸漬に対する安定性に優れる。
試験(d)を満足する場合において、試験(d)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(d)におけるアトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCPは、過マンガン酸カリウム溶液を含有する。従って、試験(d)を満足すれば、積層シート1は、デスミア(洗浄)の過マンガン酸カリウム溶液浸漬に対する安定性に優れる。
試験(e)を満足する場合において、試験(e)におけるサンプルの透磁率の変化率の上限は、好ましくは、4%、より好ましくは、3%である。
試験(e)におけるアトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントPは、グリコールエーテル類および水酸化ナトリウムを含有する水溶液であって、膨潤液として用いられる。従って、試験(e)を満足すれば、積層シート1は、膨潤液浸漬に対する安定性に優れる。
好ましくは、試験(a)〜試験(e)のいずれをも満足する。そのため、積層シート1は、電解銅めっきの硫酸銅溶液、酸活性溶液、中和液、デスミア(洗浄)の過マンガン酸カリウム溶液および膨潤液の浸漬に対する安定性に優れ、これらの液を用いる各種プロセスに対する安定性に優れる。
積層シート1は、その目的および用途に応じて、種々の薬液(電解銅めっきの硫酸銅溶液、酸活性溶液、中和液、デスミア(洗浄)の過マンガン酸カリウム溶液および膨潤液、などを含む)に浸漬されて、表面加工される。
続いて、図3に示すように、積層シート1の厚み方向一方面への加工として、スリット10を形成する態様を説明する。
この態様では、隣り合う配線4同士のクロストークを低減するために、磁性層5の厚み方向一方側にスリット10を形成する。
スリット10は、厚み方向に投影したときに、隣り合う配線4の間に位置する。また、スリット10は、加工安定層3を厚み方向に貫通し、さらに、磁性層5の厚み方向一方面から途中まで形成される。スリット10は、配線4に並行しており、配線4が延びる方向に沿う。
スリット10の幅は、特に限定されない。スリット10の幅の下限は、例えば、10μmであり、また、上限は、1,000μmである。なお、スリット10の深さは、特に限定されない。
スリット10を形成する方法は、特に限定されず、例えば、ダイシングソー11を用いる接触式切削、例えば、レーザー(図示せず)を用いる非接触式切削などが挙げられる。ダイシングソー11は、円板形状を有するダイシングブレードを含む。
上記したいずれの方法も、積層シート1の厚み方向一方側から、積層シート1の厚み方向一方面に対して処理する。
これによって、スリット10が形成された積層シート1を得る。
<一実施形態の作用効果>
そして、この積層シート1は、加工安定層3を備えるので、加工安定性に優れる。
詳述すれば、図6に示すように、積層シート1が、加工安定層3を備えず、インダクタ2のみからなる場合には、磁性層5にスリット10を形成すると、磁性層5の一方面6におけるスリット10に臨む内端部が、厚み方向一方側に反り上がる(盛り上がる)。この事象は、スリット10を磁性層5に形成する時に、磁性粒子は、金属類からなることから、割れにくく、また、その形状が、略扁平形状であることから、磁性粒子の周囲のバインダを巻き込みながら、磁性層5が厚み方向一方側に移動する。
しかし、この一実施形態の積層シート1は、図3に示すように、加工安定層3を備え、その加工安定層3が、第1粒子および第2粒子からなる群から選択される少なくとも1種類の粒子を任意成分として含有する。
具体的には、加工安定層3が粒子を含まない場合には、上記した粒子の移動に起因する加工安定層3の変形がなく、そのため、加工安定層3における硬化物によって磁性層5の変形を押さえ込むことができる。
加工安定層3が略球形状である第1粒子を含む場合には、周囲のバインダを巻き込みながらの、加工安定層3における第1粒子の移動が抑制される。そのため、加工安定層3における硬化物によって磁性層5の変形を押さえ込むことができる。
加工安定層3が、材料が無機化合物である第2粒子を含む場合には、それが、たとえ、略扁平形状であっても、スリット10を磁性層5に形成するときに、第2粒子の材料が脆い無機化合物であることから、第2粒子が割れ易い。そのため、加工安定層3における第2粒子の移動が抑制される。その結果、加工安定層3における硬化物によって磁性層5の変形を押さえ込むことができる。
従って、本実施形態の積層シート1は、上記した加工安定層3を備えるので、積層シート1にスリット10を形成するときに、磁性層5の変形を抑制できる。
<積層シートの変形例および他の使用態様>
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
一実施形態では、ワニスを剥離シートに塗布しているが、例えば、磁性層5の一方面6および他方面7に塗布することもできる。
また、図4Aに示すように、積層シート1にビア12を形成することもできる。
ビア12は、配線4の厚み方向一方面の中央部を露出し、配線4より厚み方向一方側に位置する磁性層5および加工安定層3の厚み方向を貫通する貫通孔である。ビア12は、平面視(図示せず)略円形状を有する。また、ビア12は、断面視において、厚み方向一方側に向かって従って開口面積が広がるテーパ形状を有する。
ビア12の形成方法としては、例えば、ドリルを用いる接触式開口、例えば、レーザーを用いる非接触式開口などが挙げられる。
図4Bに示すように、その後、この方法では、ビア12から露出する配線4および磁性層5に、さらに、加工安定層3を充填する。
図4Cに示すように、その後、ビア12を再度形成する。ただし、このビア12は、配線4の厚み方向一方面の中央部を露出するが、磁性層5を露出しない。つまり、磁性層5の内側面は、新たに充填された加工安定層3によって被覆されている。
これによって、ビア12が形成され、これに対応する磁性層5の内側面が加工安定層3によって被覆された積層シート1を得る。
一実施形態では、図1に示すように、加工安定層3が、インダクタ2の厚み方向一方面および他方面に配置されているが、図示しないが、一方面のみに配置されてもよく、また、図5Aに示すように、他方面のみに配置されてもよい。
図5Bに示すように、上記した積層シート1における磁性層5にビア12を形成してもよい。
さらに、図5Cに示すように、加工安定層3がインダクタ2の厚み方向他方面に配置され、インダクタ2にビア12が形成された積層シート1のインダクタ2の厚み方向一方面に、加工安定層3をさらに形成することもできる。厚み方向一方側の加工安定層3は、ビア12に充填される。
さらに、図5Dに示すように、ビア12を再度形成する。ただし、このビア12は、配線4の厚み方向一方面の中央部を露出するが、磁性層5を露出しない。
なお、ビア12に、導電層(図示せず)を形成することができる。導電層(図示せず)の材料としては、例えば、銅などの導体材料が挙げられる。導電層の形成では、例えば、電解銅めっき液が用いられる。これによって、導電層(図示せず)を備える積層シート1が得られる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
実施例1
一実施形態に基づいて、図1に示す積層シート1を製造した。
図2に示すように、まず、インダクタ2を作製した。具体的には、半径110μmの複数の配線4を、厚み100μmの第1磁性シートと、厚み125μmの第2磁性シートとからなる磁性層5で被覆したインダクタ2を作製した。なお、第1磁性シートは、球状磁性粉60体積%、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(主剤)9.7体積%、フェノール樹脂(硬化剤)9.7体積%、イミダゾール化合物(硬化促進剤)0.3体積%、および、熱可塑性樹脂(カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマー)18.7体積%を含む。また、第2磁性シートは、扁平形状のFe−Si合金からなる磁性粒子を55体積%、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(主剤)11.0体積%、フェノール樹脂(硬化剤)11.0体積%、イミダゾール化合物(硬化促進剤)0.4体積%、および、熱可塑性樹脂(カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマー)21.2体積%を含む。
その後、2つの加工安定シート9を準備した。加工安定シート9は、球形状のシリカ粒子(第1粒子)935質量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(熱硬化性樹脂の主剤)100質量部、フェノール樹脂(硬化剤)106質量部、イミダゾール化合物(硬化促進剤)4質量部、および、および、シクロへキノン(溶媒)10質量部を含むワニスの塗布および乾燥によって形成される。加工安定シート9におけるシリカ粒子の含有割合は、55体積%である。加工安定シート9の厚みは、40μmである。加工安定シート9は、Bステージである。
2つの加工安定シート9を、インダクタ2の厚み方向一方面および他方面に貼付した。その後、加工安定シート9を、190℃、1時間加熱して、Cステージ化した。
これによって、Cステージの加工安定層3を形成した。加工安定層3の厚みは、40μmであった。
これによって、インダクタ2および加工安定層3を備える積層シート1を製造した。
比較例1
製造途中のインダクタ2、つまり、加工安定層3を備えないインダクタ2を、比較例1の積層シート1とした。
(評価)
(スリット加工)
実施例1および比較例1のそれぞれの積層シート1の厚み方向一方面に、スリット10を形成した。スリット10を、ダイシングソー11によって形成した。スリット10の幅が30μmであり、深さが100μmであった。
積層シート1におけるスリット10を、SEM(電子顕微鏡)観察した。実施例のSEM写真を、図7に示す。比較例1のSEM写真を、図8に示す。
実施例1では、スリット10に臨む磁性層5の内端部に、反り上がり(盛り上がり)が観察されなかった。○と評価した。
対して、比較例1では、スリット10に臨む磁性層5の内端部に、反り上がり(盛り上がり)が観察された。×と評価した。
(試験a〜e)
試験a〜試験eにおいて、実施例1および比較例1のそれぞれの透磁率の変化率を求めた。
試験(a):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ1を求めた。その後、サンプルを、硫酸銅5水和物66g/L、硫酸濃度180g/L、塩素50ppm、トップルチナを含有する硫酸銅めっき溶液200mLに、25℃で、120分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ2を求めた。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求めた。
透磁率の変化率(%)=|μ1−μ2|/μ1×100
試験(b):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求めた。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求めた。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求めた。
透磁率の変化率(%)=|μ3−μ4|/μ3×100
試験(c):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求めた。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求めた。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求めた。
透磁率の変化率(%)=|μ5−μ6|/μ5×100
試験(d):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求めた。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求めた。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求めた。
透磁率の変化率(%)=|μ7−μ8|/μ7×100
試験(e):積層シート1を3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求めた。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求めた。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求めた。
透磁率の変化率(%)=|μ9−μ10|/μ9×100
上記した比透磁率μ1〜μ10は、インピーダンスアナライザ(Agilent社製、「4291B」)によって測定した。
下記の基準に従って、試験a〜試験eのそれぞれを評価した。
○:浸漬前後における透磁率の変化率が5%以下であった。
×:浸漬前後における透磁率の変化率が5%を越えた。
Figure 2021126873

(積層シートの一方面の算術平均粗さRa)
実施例1の積層シート1の一方面の算術平均粗さRaを測定した。その結果、0.1μmであった。
1 積層シート
2 インダクタ
3 加工安定層
4 配線
5 磁性層
6 一方面

Claims (3)

  1. 複数の配線、および、前記複数の配線を埋設する磁性層を備えるシート状のインダクタと、
    前記インダクタの少なくとも厚み方向一方面に配置される加工安定層とを備え、
    前記磁性層は、
    バインダと、
    略扁平形状を有し、材料が金属類である磁性粒子とを含み、
    前記加工安定層は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物を含み、
    前記熱硬化性樹脂組成物は、
    熱硬化性樹脂を必須成分として含み、
    略球形状を有する第1粒子、および、略扁平形状を有し、材料が無機化合物である第2粒子からなる群から選択される少なくとも1種類の粒子を任意成分として含むことを特徴とする、積層シート。
  2. 下記試験(a)〜試験(e)のうち、少なくともいずれか一つの試験を満足することを特徴とする、請求項1に記載の積層シート。
    試験(a):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ1を求める。その後、サンプルを、硫酸銅5水和物66g/L、硫酸濃度180g/L、塩素50ppm、トップルチナを含有する硫酸銅めっき溶液200mLに、25℃で、120分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ2を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
    透磁率の変化率(%)=|μ1−μ2|/μ1×100
    試験(b):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ3を求める。その後、サンプルを、硫酸55g/Lを含有する酸活性水溶液200mLに、25℃で、1分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ4を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
    透磁率の変化率(%)=|μ3−μ4|/μ3×100
    試験(c):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ5を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のリダクションソリューション セキュリガントP 200mLに、45℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ6を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
    透磁率の変化率(%)=|μ5−μ6|/μ5×100
    試験(d):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ7を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトCP 200mLに、80℃で、15分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ8を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
    透磁率の変化率(%)=|μ7−μ8|/μ7×100
    試験(e):前記積層シートを3cm角に外形加工してサンプルを作製し、その周波数10MHzにおける比透磁率μ9を求める。その後、サンプルを、アトテックジャパン社製のスウェリングディップ・セキュリガントP 200mLに、60℃で、5分浸漬し、その後、サンプルの周波数10MHzにおける比透磁率μ10を求める。下記式によって、浸漬前後における透磁率の変化率を求める。その結果、サンプルの透磁率の変化率が5%以下である。
    透磁率の変化率(%)=|μ9−μ10|/μ9×100
  3. 厚み方向一方面の算術平均粗さRaが、10μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の積層シート。
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