TW202133204A - 積層片材 - Google Patents

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TW202133204A
TW202133204A TW110105352A TW110105352A TW202133204A TW 202133204 A TW202133204 A TW 202133204A TW 110105352 A TW110105352 A TW 110105352A TW 110105352 A TW110105352 A TW 110105352A TW 202133204 A TW202133204 A TW 202133204A
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TW
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mhz
magnetic
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古川佳宏
奧村圭佑
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明之積層片材1具備：片狀之電感器2，其具備複數條配線4及埋設複數條配線4之磁性層5；以及加工穩定層3，其配置於電感器2之至少厚度方向一面6。磁性層5包含黏合劑及具有大致扁平形狀且材料為金屬類之磁性粒子。加工穩定層3包含熱硬化性樹脂組合物之硬化物。熱硬化性樹脂組合物包含熱硬化性樹脂作為必需成分。熱硬化性樹脂組合物包含選自由具有大致球形狀之第1粒子及具有大致扁平形狀且材料為無機化合物之第2粒子所組成之群中之至少1種粒子作為任意成分。

Description

積層片材
本發明係關於一種積層片材。
先前，已知有具備配線、及被覆配線且含有扁平形狀之磁性粒子之磁性層的片狀之電感器(例如參照下述專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-220618號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，有對電感器之表面實施加工之情形。例如有於電感器之表面形成狹縫而減少串擾、或將電感器浸漬於洗淨液等液體中洗淨電感器表面之情形。
但是，若對專利文獻1之電感器之表面實施上述加工，則有電感器之表面發生變形、或磁導率大幅變動之情形。即，有電感器之加工穩定性不充分之不良情況。
本發明提供一種加工穩定性優異之積層片材。 [解決問題之技術手段]
本發明(1)包含一種積層片材，其具備：片狀之電感器，其具備複數條配線、及埋設上述複數條配線之磁性層；以及加工穩定層，其配置於上述電感器之至少厚度方向一面；上述磁性層包含黏合劑及具有大致扁平形狀且材料為金屬類之磁性粒子；上述加工穩定層包含熱硬化性樹脂組合物之硬化物；上述熱硬化性樹脂組合物包含熱硬化性樹脂作為必需成分，且包含選自由具有大致球形狀之第1粒子及具有大致扁平形狀且材料為無機化合物之第2粒子所組成之群中之至少1種粒子作為任意成分。
該積層片材由於具備加工穩定層，故而加工穩定性優異。
本發明(2)包含如(1)所記載之積層片材，其滿足下述試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗。
試驗(a)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ1。其後，將樣品於含有硫酸銅五水合物66 g/L、硫酸濃度180 g/L、氯50 ppm、Top Lucina α之硫酸銅鍍覆溶液200 mL中在25℃下浸漬120分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ2。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ1－μ2｜/μ1×100 試驗(b)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ3。其後，將樣品於含有硫酸55 g/L之酸活性水溶液200 mL中在25℃下浸漬1分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ4。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ3－μ4｜/μ3×100 試驗(c)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ5。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P 200 mL中在45℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ6。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ5－μ6｜/μ5×100 試驗(d)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ7。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP 200 mL中在80℃下浸漬15分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ8。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ7－μ8｜/μ7×100 試驗(e)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ9。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P 200 mL中在60℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ10。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ9－μ10｜/μ9×100 該積層片材由於滿足試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗，故而對於使用藥液之製程加工之穩定性優異。
本發明(3)包含如(1)或(2)所記載之積層片材，其厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra為10 μm以下。
該積層片材由於厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra為10 μm以下，故而可確保良好之安裝性。 [發明之效果]
本發明之積層片材之加工穩定性優異。
＜一實施方式＞ 參照圖1對本發明之積層片材之一實施方式進行說明。
該積層片材1具有特定厚度，且具有於與厚度方向正交之面方向上延伸之片材形狀。積層片材1具備片狀之電感器2及加工穩定層3。
電感器2具有特定厚度，且具有與積層片材1相同之外形形狀。電感器2具備複數條配線4及磁性層5。
複數條配線4以於與各者之延伸方向及厚度方向正交之方向(以下，有時稱為寬度方向)相互隔開間隔之方式相鄰。複數條配線4平行。配線4之形狀、尺寸、構成、材料、配方(填充率、含有比率等)等例如記載於日本專利特開2019-220618號公報等。較佳為配線4於剖面(沿與配線4延伸之方向正交之方向之前剖視)中呈大致圓形狀，其直徑之下限例如為25 μm，又，直徑之上限例如為2,000 μm。配線4較佳為包括包含導體之導線及被覆導線周面之絕緣膜。相鄰之配線4之間隔之下限例如為10 μm，較佳為50 μm，又，相鄰之配線4之間隔之上限例如為5,000 μm，較佳為3,000 μm。配線4之直徑相對於相鄰之配線4之間隔的比(直徑/間隔)之上限例如為200，較佳為50，又，下限例如為0.01，較佳為0.1。
磁性層5使積層片材1之電感提高。磁性層5於俯視下具有與積層片材1相同之外形形狀。磁性層5具有於面方向上延伸之板形狀。又，磁性層5於剖視下埋設有複數條配線4。磁性層5具有一面6、另一面7及內周面8。
一面6形成磁性層5之厚度方向一面。
另一面7形成磁性層5之厚度方向另一面。另一面7隔開間隔位於一面6之厚度方向另一側。
內周面8於厚度方向上與一面6及另一面7隔開間隔。內周面8於厚度方向上位於一面6及另一面7之間。內周面8與配線4之外周面接觸。
磁性層5包含黏合劑及磁性粒子。具體而言，磁性層5之材料係含有黏合劑及磁性粒子之磁性組合物。
黏合劑係使磁性粒子分散之基質。作為黏合劑，可列舉例如丙烯酸系樹脂等熱塑性樹脂、例如環氧樹脂組合物等熱硬化性樹脂。丙烯酸系樹脂例如包含含有羧基之丙烯酸酯共聚物。環氧樹脂組合物例如包含作為主劑之環氧樹脂(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、環氧樹脂用硬化劑(酚樹脂等)、及環氧樹脂用硬化促進劑(咪唑化合物等)。作為黏合劑，可將熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂分別單獨使用或併用，較佳為併用熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂。磁性組合物中之黏合劑之體積比率係後述磁性粒子之體積比率之剩餘部分。
磁性粒子例如分散於黏合劑中。本實施方式中，磁性粒子具有大致扁平形狀。再者，大致扁平形狀包括大致板形狀。
磁性粒子之扁平率(扁平度)之下限例如為8，較佳為15，又，上限例如為500，較佳為450。扁平率例如以磁性粒子之中值粒徑除以磁性粒子之平均厚度所得之縱橫比之形式算出。
磁性粒子之中值粒徑之下限例如為3.5 μm，較佳為10 μm，又，上限例如為200 μm，較佳為150 μm。磁性粒子之平均厚度之下限例如為0.1 μm，較佳為0.2 μm，又，上限例如為3.0 μm，較佳為2.5 μm。
又，磁性粒子之材料為金屬類。作為金屬類，可列舉軟磁體、硬磁體等磁體。就確保良好之電感之觀點而言，較佳為列舉軟磁體。
作為軟磁體，可列舉：例如以純物質之狀態含有1種金屬元素之單一金屬體；例如1種以上之金屬元素(第1金屬元素)與1種以上之金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共熔體(混合物)即合金體。該等可單獨使用或併用。
作為單一金屬體，例如可列舉僅由1種金屬元素(第1金屬元素)構成之金屬單質。作為第1金屬元素，例如可自鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)等可作為軟磁體之第1金屬元素含有之金屬元素中適當選擇。
又，作為單一金屬體，可列舉：例如包含僅含1種金屬元素之芯、及修飾該芯之表面之一部分或全部之含有無機物及/或有機物之表面層的形態；例如含有第1金屬元素之有機金屬化合物或無機金屬化合物分解(熱分解等)之形態等。作為後者之形態，更具體而言，可列舉：含有鐵作為第1金屬元素之有機鐵化合物(具體而言，羰基鐵)熱分解所得之鐵粉(有時稱為羰基鐵粉)等。再者，修飾僅含1種金屬元素之部分之含有無機物及/或有機物之層之位置並不限定於如上所述之表面。再者，作為可獲得單一金屬體之有機金屬化合物或無機金屬化合物，並無特別限制，可自能夠獲得軟磁體之單一金屬體的公知或慣用之有機金屬化合物或無機金屬化合物適當選擇。
合金體係1種以上之金屬元素(第1金屬元素)與1種以上之金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共熔體，只要可用作軟磁體之合金體，則無特別限制。
第1金屬元素係合金體中之必需元素，例如可列舉鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)等。再者，若第1金屬元素為Fe，則合金體為Fe系合金，若第1金屬元素為Co，則合金體為Co系合金，若第1金屬元素為Ni，則合金體為Ni系合金。
第2金屬元素係合金體中所含之次要元素(副成分)，且係與第1金屬元素相容(共熔)之金屬元素，例如可列舉：鐵(Fe)(第1金屬元素為Fe以外之情形)、鈷(Co)(第1金屬元素為Co以外之情形)、鎳(Ni)(第1金屬元素為Ni以外之情形)、鉻(Cr)、鋁(Al)、矽(Si)、銅(Cu)、銀(Ag)、錳(Mn)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、釕(Ru)、銠(Rh)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銦(In)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈧(Sc)、釔(Y)、鍶(Sr)、各種稀土類元素等。該等可單獨使用或併用2種以上。
非金屬元素係合金體中所含之次要元素(副成分)，且係與第1金屬元素相容(共熔)之非金屬元素，例如可列舉硼(B)、碳(C)、氮(N)、矽(Si)、磷(P)、硫(S)等。該等可單獨使用或併用2種以上。
作為合金體之一例之Fe系合金，例如可列舉：磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)(包括電磁不鏽鋼)、鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)(包括超級鐵矽鋁合金)、鎳鐵合金(Fe-Ni合金)、Fe-Ni-Mo合金、Fe-Ni-Mo-Cu合金、Fe-Ni-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Cr-Si合金、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-B-Si-Cr合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Si-Co合金、Fe-N合金、Fe-C合金、Fe-B合金、Fe-P合金、鐵氧體(包括不鏽鋼系鐵氧體、進而Mn-Mg系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體、Ni-Zn系鐵氧體、Ni-Zn-Cu系鐵氧體、Cu-Zn系鐵氧體、Cu-Mg-Zn系鐵氧體等軟磁鐵氧體)、鐵鈷合金(Fe-Co合金)、Fe-Co-V合金、Fe基非晶合金等。
作為合金體之一例之Co系合金，例如可列舉Co-Ta-Zr、鈷(Co)基非晶合金等。
作為合金體之一例之Ni系合金，例如可列舉Ni-Cr合金等。
再者，關於上述磁性組合物之更詳細之配方，記載於日本專利特開2014-165363號公報等。
磁性組合物中之磁性粒子之體積比率之下限例如為40體積%，較佳為50體積%，更佳為60體積%，又，上限例如為95體積%，較佳為90體積%。
電感器2之厚度之下限例如為30 μm，較佳為40 μm，又，電感器2之厚度之上限例如為2,500 μm，較佳為2,000 μm。電感器2之厚度相對於積層片材1之厚度的比之下限例如為0.1，較佳為0.3，更佳為0.7，又，上限例如為0.999，較佳為0.990，更佳為0.980。
加工穩定層3使針對電感器2之一面6及另一面7之表面加工性提高。加工穩定層3配置於電感器2之一面6及另一面7。具體而言，加工穩定層3與磁性層5之一面6之全部及另一面7之全部接觸。2個加工穩定層3各者具有於面方向上延伸之片材形狀。
位於電感器2之厚度方向一側的加工穩定層3之厚度方向一面形成積層片材1之厚度方向一面。而且，積層片材1之厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra之上限例如為10 μm，較佳為5 μm，更佳為1 μm，又，下限例如為0.001 μm。
位於電感器2之厚度方向另一面的加工穩定層3之厚度方向另一面形成積層片材1之厚度方向另一面。而且，積層片材1之厚度方向另一面之算術平均粗糙度Ra之上限例如為10 μm，較佳為5 μm，更佳為1 μm，又，下限例如為0.001 μm。
若積層片材1之厚度方向一面及/或另一面之算術平均粗糙度Ra為上述上限以下，則可確保良好之安裝性。
積層片材1之厚度方向一面及另一面之算術平均粗糙度Ra係藉由觸針式表面形狀測定器求出。
加工穩定層3包含熱硬化性樹脂組合物之硬化物。即，加工穩定層3之材料包含熱硬化性樹脂組合物。
熱硬化性樹脂組合物包含熱硬化性樹脂作為必需成分，且包含粒子作為任意成分。
作為熱硬化性樹脂，包含主劑、硬化劑及硬化促進劑。
作為主劑，例如可列舉環氧樹脂、聚矽氧樹脂等，較佳為列舉環氧樹脂。作為環氧樹脂，可列舉：例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、改性雙酚A型環氧樹脂、改性雙酚F型環氧樹脂、改性雙酚S型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等二官能環氧樹脂；例如苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等三官能以上之多官能環氧樹脂等。該等環氧樹脂可單獨使用或併用2種以上。較佳為列舉二官能環氧樹脂，更佳為列舉雙酚A型環氧樹脂。
環氧樹脂之環氧當量之下限例如為10 g/eq.，又，上限例如為1,000 g/eq.。
作為硬化劑，若主劑為環氧樹脂，則例如可列舉酚樹脂、異氰酸酯樹脂等。作為酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、苯酚聯伸苯樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、可溶酚醛樹脂等多官能酚樹脂。該等可單獨使用或併用2種以上。作為酚樹脂，較佳為列舉苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚聯伸苯樹脂。若主劑為環氧樹脂，硬化劑為酚樹脂，則相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中之羥基之合計下限例如為0.7當量，較佳為0.9當量，又，上限例如為1.5當量，較佳為1.2當量。具體而言，硬化劑之質量份數之下限相對於主劑100質量份，例如為1質量份，又，例如為50質量份。
作為硬化促進劑，係促進主劑之硬化之觸媒(熱硬化觸媒)(較佳為環氧樹脂硬化促進劑)，可列舉例如有機磷系化合物、例如2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(2P4MHZ)等咪唑化合物等。硬化促進劑之質量份數之下限相對於主劑100質量份，例如為0.05質量份，又，上限例如為5質量份。
粒子係熱硬化性樹脂組合物中之任意成分。粒子分散於熱硬化性樹脂中。粒子係選自由第1粒子、及第2粒子所組成之群中之至少1種。
第1粒子具有大致球形狀。第1粒子之中值粒徑之下限例如為1 μm，較佳為5 μm，又，第1粒子之中值粒徑之上限例如為250 μm，較佳為200 μm。第1粒子之中值粒徑係藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置求出。又，第1粒子之中值粒徑例如亦可藉由利用積層片材1之剖面觀察進行二值化處理而求出。
第1粒子之材料並無特別限定。作為第1粒子之材料，例如可列舉金屬類、無機化合物、有機化合物等，為了提高熱膨脹係數，較佳為列舉金屬類、無機化合物。
金屬類於使加工穩定層3作為電感提高層發揮功能之情形時包含於熱硬化性樹脂組合物。作為金屬類，可列舉關於磁性層5所例示之磁體，較佳為列舉包含鐵作為第1金屬元素之有機鐵化合物，更佳為列舉羰基鐵。
無機化合物於使加工穩定層3作為熱膨脹係數抑制層發揮功能之情形時包含於熱硬化性樹脂組合物。作為無機化合物，例如可列舉無機填料，具體而言，可列舉二氧化矽、氧化鋁等，較佳為列舉二氧化矽。
具體而言，作為第1粒子，較佳為列舉球形狀二氧化矽，又，較佳為列舉球形狀羰基鐵。
第2粒子具有大致扁平形狀。大致扁平形狀包含大致板形狀。
第2粒子之扁平率(扁平度)之下限例如為8，較佳為15，又，上限例如為500，較佳為450。第2粒子之扁平率係藉由與上述磁性層5中之磁性粒子之扁平率相同之計算方法而求出。
第2粒子之中值粒徑之下限例如為1 μm，較佳為5 μm，又，第2粒子之中值粒徑之上限例如為250 μm，較佳為200 μm。第2粒子之中值粒徑係藉由與第1粒子之中值粒徑相同之方法而求出。
第2粒子之平均厚度之下限例如為0.1 μm，較佳為0.2 μm，又，上限例如為3.0 μm，較佳為2.5 μm。
第2粒子之材料為無機化合物。作為無機化合物，例如可列舉氮化硼等導熱性化合物等。因此，較佳為無機化合物於使加工穩定層3作為導熱性提高層發揮功能之情形時包含於熱硬化性樹脂組合物。
具體而言，作為第2粒子，較佳為列舉扁平形狀之氮化硼。
第1粒子及第2粒子係於熱硬化性樹脂組合物中含有單一種類或含有兩者。
相對於熱硬化性樹脂100質量份，粒子(第1粒子及/或第2粒子)之質量份數之下限例如為10質量份，較佳為50質量份，又，上限例如為2,000質量份，較佳為1,500質量份。又，硬化物中粒子之含有比率之下限例如為10質量%，又，上限例如為90質量%。於熱硬化性樹脂組合物中含有第1粒子及第2粒子兩者之情形時，相對於第1粒子100質量份，第2粒子之質量份數之下限例如為30質量份，又，上限例如為300質量份。
粒子係熱硬化性樹脂組合物中之任意成分，因此熱硬化性樹脂組合物亦可不含粒子。
加工穩定層3之厚度之下限例如為1 μm，較佳為10 μm，又，上限例如為1,000 μm，較佳為100 μm。積層片材1之厚度中加工穩定層3之厚度之比之下限例如為0.001，較佳為0.005，更佳為0.01，又，上限例如為0.5，較佳為0.3，更佳為0.1。
2個加工穩定層3之厚度可相同或不同。位於電感器2之厚度方向一側之加工穩定層3之厚度相對於位於電感器2之厚度方向另一側之加工穩定層3之厚度的比(厚度方向一側之加工穩定層3之厚度/另一側之加工穩定層3之厚度)之下限例如為0.05，較佳為0.1，又，上限為10。
接下來，參照圖1～圖2對積層片材1之製造方法進行說明。
如圖2所示，於該方法中，首先準備電感器2。準備電感器2時，準備複數條配線4，將其夾入至2個磁性片材之間。再者，電感器2例如藉由日本專利特開2019-220618號公報等所記載之方法來準備。
於該方法中，繼而準備2個加工穩定片材9。
加工穩定片材9係由加工穩定層3之材料形成為片材形狀。加工穩定片材9較佳為包含B階段之熱硬化性樹脂組合物。
再者，亦可於上述熱硬化性樹脂組合物中進而調配溶劑而將上述材料製備成清漆。進而，亦可於材料中進而調配熱塑性樹脂。
作為溶劑，例如可列舉甲醇等醇化合物、二甲醚等醚化合物、甲基乙基酮、環己酮等酮化合物。溶劑之調配比率以清漆中之固形物成分之質量比率之下限例如成為10質量%、且上限例如成為95質量%之方式調整。
作為熱塑性樹脂，可列舉關於磁性層5之黏合劑所列舉之熱塑性樹脂。相對於熱硬化性樹脂100質量份，熱塑性樹脂之質量份數之下限例如為1質量份，上限例如為100質量份。
於該方法中，將清漆塗佈於未圖示之剝離片材之表面並使其乾燥，而形成加工穩定片材9。
繼而，自厚度方向兩側對2個加工穩定片材9及電感器2進行加壓。將2個加工穩定片材9分別貼附於電感器2之一面6及另一面7。
其後，對其等進行加熱，而使加工穩定片材9 C階段化。藉此，形成配置於電感器2之厚度方向兩側之加工穩定層3。
如圖1所示，藉此獲得積層片材1。
該積層片材1例如滿足試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗。
試驗(a)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ1。其後，將樣品於含有硫酸銅五水合物66 g/L、硫酸濃度180 g/L、氯50 ppm、奧野製藥工業公司製之Top Lucina α之硫酸銅鍍覆溶液200 mL中在25℃下浸漬120分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ2。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ1－μ2｜/μ1×100 試驗(b)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ3。其後，將樣品於含有硫酸55 g/L之酸活性水溶液200 mL中在25℃下浸漬1分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ4。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ3－μ4｜/μ3×100 試驗(c)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ5。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P 200 mL中在45℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ6。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ5－μ6｜/μ5×100 試驗(d)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ7。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP 200 mL中在80℃下浸漬15分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ8。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ7－μ8｜/μ7×100 試驗(e)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ9。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P 200 mL中在60℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ10。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ9－μ10｜/μ9×100 於滿足試驗(a)之情形時，試驗(a)中之樣品之磁導率之變化率之上限較佳為4%，更佳為3%。
若滿足試驗(a)，則積層片材1浸漬於電解銅鍍覆之硫酸銅溶液時之穩定性優異。
於滿足試驗(b)之情形時，試驗(b)中之樣品之磁導率之變化率之上限較佳為4%，更佳為3%。
若滿足試驗(b)，則積層片材1浸漬於酸活性溶液時之穩定性優異。
於滿足試驗(c)之情形時，試驗(c)中之樣品之磁導率之變化率之上限較佳為4%，更佳為3%。
試驗(c)中之Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P含有硫酸水溶液，作為中和液(中和劑、或中和用水溶液)使用。因此，若滿足試驗(c)，則積層片材1浸漬於中和液時之穩定性優異。
於滿足試驗(d)之情形時，試驗(d)中之樣品之磁導率之變化率之上限較佳為4%，更佳為3%。
試驗(d)中之Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP含有過錳酸鉀溶液。因此，若滿足試驗(d)，則積層片材1浸漬於除膠渣(洗淨)之過錳酸鉀溶液時之穩定性優異。
於滿足試驗(e)之情形時，試驗(e)中之樣品之磁導率之變化率之上限較佳為4%，更佳為3%。
試驗(e)中之Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P係含有二醇醚類及氫氧化鈉之水溶液，作為膨潤液使用。因此，若滿足試驗(e)，則積層片材1浸漬於膨潤液時之穩定性優異。
較佳為試驗(a)～試驗(e)均滿足。因此，積層片材1浸漬於電解銅鍍覆之硫酸銅溶液、酸活性溶液、中和液、除膠渣(洗淨)之過錳酸鉀溶液及膨潤液時之穩定性優異，於使用該等液體之各種製程中之穩定性優異。
積層片材1視其目的及用途，浸漬於各種藥液(包括電解銅鍍覆之硫酸銅溶液、酸活性溶液、中和液、除膠渣(洗淨)之過錳酸鉀溶液及膨潤液等)中進行表面加工。
繼而，如圖3所示，作為對積層片材1之厚度方向一面之加工，說明形成狹縫10之態樣。
於該態樣中，為了減少相鄰之配線4彼此之串擾，於磁性層5之厚度方向一側形成狹縫10。
狹縫10於厚度方向上投影時位於相鄰之配線4之間。又，狹縫10於厚度方向上貫通加工穩定層3，進而從磁性層5之厚度方向一面形成至中途。狹縫10與配線4平行，沿著配線4延伸之方向。
狹縫10之寬度並無特別限定。狹縫10之寬度之下限例如為10 μm，又，上限為1,000 μm。再者，狹縫10之深度並無特別限定。
形成狹縫10之方法並無特別限定，可列舉例如使用切割機11之接觸式切削、例如使用雷射(未圖示)之非接觸式切削等。切割機11包含具有圓板形狀之切割刀。
上述任一方法均係從積層片材1之厚度方向一側對積層片材1之厚度方向一面進行處理。
藉此，獲得形成有狹縫10之積層片材1。
＜一實施方式之作用效果＞ 而且，該積層片材1由於具備加工穩定層3，故而加工穩定性優異。
詳細而言，如圖6所示，於積層片材1不具備加工穩定層3而僅由電感器2構成之情形時，若於磁性層5形成狹縫10，則磁性層5之一面6之面向狹縫10之內端部朝厚度方向一側翹起(隆起)。關於該現象，於在磁性層5形成狹縫10時，磁性粒子因包含金屬類而難以破裂，又，因其形狀為大致扁平形狀，故磁性層5一面夾帶磁性粒子周圍之黏合劑，一面朝厚度方向一側移動。
但是，如圖3所示，該一實施方式之積層片材1具備加工穩定層3，該加工穩定層3含有選自由第1粒子及第2粒子所組成之群中之至少1種粒子作為任意成分。
具體而言，於加工穩定層3不含粒子之情形時，不會發生上述因粒子移動所導致之加工穩定層3之變形，因此可藉由加工穩定層3中之硬化物而抑制磁性層5之變形。
於加工穩定層3包含大致球形狀之第1粒子之情形時，可抑制夾帶周圍之黏合劑之加工穩定層3中之第1粒子之移動。因此，可藉由加工穩定層3中之硬化物抑制磁性層5之變形。
於加工穩定層3包含材料為無機化合物之第2粒子之情形時，其即便是大致扁平形狀，亦於在磁性層5形成狹縫10時，由於第2粒子之材料為較脆之無機化合物，故而第2粒子容易破裂。因此，可抑制加工穩定層3中之第2粒子之移動。其結果，可藉由加工穩定層3中之硬化物抑制磁性層5之變形。
因此，本實施方式之積層片材1由於具備上述加工穩定層3，故而於在積層片材1形成狹縫10時可抑制磁性層5之變形。
＜積層片材之變化例及其他使用態樣＞ 以下各變化例中，對與上述一實施方式相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細說明。又，各變化例除特別說明以外，可發揮與一實施方式相同之作用效果。進而，可適當組合一實施方式及其變化例。
一實施方式中，將清漆塗佈於剝離片材，但例如亦可塗佈於磁性層5之一面6及另一面7。
又，亦可如圖4A所示於積層片材1形成通孔12。
通孔12係使配線4之厚度方向一面之中央部露出且貫通位於較配線4靠厚度方向一側之磁性層5及加工穩定層3之厚度方向的貫通孔。通孔12具有俯視(未圖示)呈大致圓形之形狀。又，通孔12於剖視下具有開口面積隨著朝向厚度方向一側而擴大之錐形形狀。
作為通孔12之形成方法，可列舉例如使用鑽孔之接觸式開口、例如使用雷射之非接觸式開口等。
如圖4B所示，其後，於該方法中，於從通孔12露出之配線4及磁性層5進而填充加工穩定層3。
如圖4C所示，其後，再次形成通孔12。但該通孔12雖使配線4之厚度方向一面之中央部露出，但並未使磁性層5露出。即，磁性層5之內側面由新填充之加工穩定層3被覆。
藉此，獲得形成有通孔12且與其對應之磁性層5之內側面經加工穩定層3被覆的積層片材1。
一實施方式中，如圖1所示，加工穩定層3配置於電感器2之厚度方向一面及另一面，雖未圖示，但可僅配置於一面，又，亦可如圖5A所示僅配置於另一面。
如圖5B所示，亦可於上述積層片材1中之磁性層5形成通孔12。
進而，如圖5C所示，亦可於加工穩定層3配置於電感器2之厚度方向另一面且於電感器2形成有通孔12的積層片材1之電感器2之厚度方向一面，進而形成加工穩定層3。厚度方向一側之加工穩定層3被填充至通孔12。
進而，如圖5D所示，再次形成通孔12。但該通孔12雖使配線4之厚度方向一面之中央部露出，但並未使磁性層5露出。
再者，可於通孔12形成導電層(未圖示)。作為導電層(未圖示)之材料，例如可列舉銅等導體材料。導電層之形成例如可使用電解銅鍍覆液。藉此，可獲得具備導電層(未圖示)之積層片材1。 [實施例]
以下示出實施例及比較例，進一步具體地說明本發明。再者，本發明不受實施例及比較例任何限定。又，以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值可替代為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限(定義為「以上」、「超過」之數值)。
實施例1 基於一實施方式，製造圖1所示之積層片材1。
如圖2所示，首先製作電感器2。具體而言，製作半徑110 μm之複數條配線4經包含厚度100 μm之第1磁性片材及厚度125 μm之第2磁性片材之磁性層5被覆之電感器2。再者，第1磁性片材包含球狀磁性粉60體積%、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(主劑)9.7體積%、酚樹脂(硬化劑)9.7體積%、咪唑化合物(硬化促進劑)0.3體積%、及熱塑性樹脂(含有羧基之丙烯酸酯共聚物)18.7體積%。又，第2磁性片材包含扁平形狀之含有Fe-Si合金之磁性粒子55體積%、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(主劑)11.0體積%、酚樹脂(硬化劑)11.0體積%、咪唑化合物(硬化促進劑)0.4體積%、及熱塑性樹脂(含有羧基之丙烯酸酯共聚物)21.2體積%。
其後，準備2個加工穩定片材9。加工穩定片材9係藉由塗佈包含球形狀之二氧化矽粒子(第1粒子)935質量份、雙酚A型環氧樹脂(熱硬化性樹脂之主劑)100質量份、酚樹脂(硬化劑)106質量份、咪唑化合物(硬化促進劑)4質量份、及環己酮(溶劑)10質量份的清漆並進行乾燥而形成。加工穩定片材9中之二氧化矽粒子之含有比率為55體積%。加工穩定片材9之厚度為40 μm。加工穩定片材9為B階段。
將2個加工穩定片材9貼附於電感器2之厚度方向一面及另一面。其後，將加工穩定片材9於190℃下加熱1小時，使其C階段化。
藉此，形成C階段之加工穩定層3。加工穩定層3之厚度為40 μm。
藉此，製造具備電感器2及加工穩定層3之積層片材1。
比較例1 將製造中途之電感器2、即不具備加工穩定層3之電感器2作為比較例1之積層片材1。
(評估) (狹縫加工) 於實施例1及比較例1各者之積層片材1之厚度方向一面形成狹縫10。藉由切割機11形成狹縫10。狹縫10之寬度為30 μm，深度為100 μm。
對積層片材1中之狹縫10進行SEM(電子顯微鏡)觀察。將實施例1之SEM照片示於圖7。將比較例1之SEM照片示於圖8。
於實施例1中，於面向狹縫10之磁性層5之內端部未觀察到翹起(隆起)。評估為○。
與此相對，於比較例1中，於面向狹縫10之磁性層5之內端部觀察到翹起(隆起)。評估為×。
(試驗a～e) 於試驗a～試驗e中，求出實施例1及比較例1各者之磁導率之變化率。
試驗(a)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ1。其後，將樣品於含有硫酸銅五水合物66 g/L、硫酸濃度180 g/L、氯50 ppm、奧野製藥工業公司製之Top Lucina α之硫酸銅鍍覆溶液200 mL中在25℃下浸漬120分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ2。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。
磁導率之變化率(%)＝｜μ1－μ2｜/μ1×100 試驗(b)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ3。其後，將樣品於含有硫酸55 g/L之酸活性水溶液200 mL中在25℃下浸漬1分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ4。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。
磁導率之變化率(%)＝｜μ3－μ4｜/μ3×100 試驗(c)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ5。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P 200 mL中在45℃浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ6。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。
磁導率之變化率(%)＝｜μ5－μ6｜/μ5×100 試驗(d)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ7。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP 200 mL中在80℃下浸漬15分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ8。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。
磁導率之變化率(%)＝｜μ7－μ8｜/μ7×100 試驗(e)：將積層片材1加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ9。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P 200 mL中在60℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ10。根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率。
磁導率之變化率(%)＝｜μ9－μ10｜/μ9×100 上述相對磁導率μ1～μ10係藉由阻抗分析器(Agilent公司製造，「4291B」)進行測定。
根據下述基準，對試驗a～試驗e各者進行評估。 ○：浸漬前後之磁導率之變化率為5%以下。 ×：浸漬前後之磁導率之變化率超過5%。
[表1] 表1
   實施例1 比較例1
狹縫加工性 〇 ×
試驗a 〇 ×
試驗b 〇 ×
試驗c 〇 ×
試驗d 〇 ×
試驗e 〇 ×
(積層片材之一面之算術平均粗糙度Ra) 測定實施例1之積層片材1之一面之算術平均粗糙度Ra。其結果為0.1 μm。
再者，上述發明係作為本發明例示之實施方式提供，但其僅為例示，不可限定性地解釋。由該技術領域之業者明確之本發明之變化例包含於後述申請專利範圍。
1:積層片材 2:電感器 3:加工穩定層 4:配線 5:磁性層 6:一面 7:另一面 8:內周面 9:加工穩定片材 10:狹縫 11:切割機 12:通孔
圖1係本發明之積層片材之一實施方式之前剖視圖。 圖2係圖1所示之積層片材之製造中途之電感器之前剖視圖。 圖3係於圖1所示之積層片材形成有狹縫之態樣之前剖視圖。 圖4A～圖4C係圖1所示之積層片材之使用態樣之前剖視圖，圖4A係於積層片材形成有通孔之變化例，圖4B係於通孔填充有新的加工穩定層之變化例，圖4C係通孔露出配線之一部分之變化例。 圖5A～圖5D係一實施方式之積層片材之變化例及其使用態樣之前剖視圖，圖5A係加工穩定層配置於電感器之厚度方向另一面之變化例，圖5B係於圖5A所示之積層片材形成有通孔之變化例，圖5C係於圖5B所示之積層片材之通孔填充有新的加工穩定層之變化例，圖5D係通孔露出配線之一部分之變化例。 圖6係於比較例1之積層片材形成有狹縫之前剖視圖。 圖7係於實施例1之積層片材形成有狹縫之SEM照片之圖像處理圖。 圖8係於比較例1之積層片材形成有狹縫之SEM照片之圖像處理圖。
1:積層片材
2:電感器
3:加工穩定層
4:配線
5:磁性層
6:一面
7:另一面
8:內周面

Claims (3)

  1. 一種積層片材，其特徵在於具備：片狀之電感器，其具備複數條配線及埋設上述複數條配線之磁性層；以及 加工穩定層，其配置於上述電感器之至少厚度方向一面； 上述磁性層包含黏合劑、及 具有大致扁平形狀且材料為金屬類之磁性粒子； 上述加工穩定層包含熱硬化性樹脂組合物之硬化物； 上述熱硬化性樹脂組合物 包含熱硬化性樹脂作為必需成分，且 包含選自由具有大致球形狀之第1粒子及具有大致扁平形狀且材料為無機化合物之第2粒子所組成之群中之至少1種粒子作為任意成分。
  2. 如請求項1之積層片材，其滿足下述試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗， 試驗(a)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ1；其後，將樣品於含有硫酸銅五水合物66 g/L、硫酸濃度180 g/L、氯50 ppm、Top Lucina α之硫酸銅鍍覆溶液200 mL中在25℃下浸漬120分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ2；根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ1－μ2｜/μ1×100 試驗(b)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ3；其後，將樣品於含有硫酸55 g/L之酸活性水溶液200 mL中在25℃下浸漬1分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ4；根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ3－μ4｜/μ3×100 試驗(c)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ5；其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P 200 mL中在45℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ6；根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ5－μ6｜/μ5×100 試驗(d)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ7；其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP 200 mL中在80℃下浸漬15分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ8；根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ7－μ8｜/μ7×100 試驗(e)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ9；其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P 200 mL中在60℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ10；根據下述式，求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ9－μ10｜/μ9×100。
  3. 如請求項1或2之積層片材，其厚度方向一面之算術平均粗糙度Ra為10 μm以下。
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