TW202133203A - 積層片材 - Google Patents

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Abstract

本發明之積層片材13具備：片狀電感器2，其具備複數個配線7、及埋設複數個配線7之磁性層8；及標記可形成層15，其配置於電感器2之厚度方向之一個面。

Description

積層片材
本發明係關於一種積層片材。
先前，已知片狀電感器搭載於電子機器。作為此種電感器，提出一種具備配線、及被覆配線之磁性層之電感器(例如參照下述專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-220618號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，有於磁性層形成用於使配線與電子機器電性連接之通孔之情形。此時，需要對準電感器以準確辨識俯視下之配線之位置。但，於專利文獻1中，有無法高精度對準電感器之缺陷。
又，對於應搭載於電子機器之電感器有如下要求，即，使用者想要於搭載前獲取與其相關之資訊。但，專利文獻1之電感器不具備如上所述之資訊。因此，有使用者無法預先獲取電感器之資訊之缺陷。
本發明提供一種積層片材，其可高精度對準地形成通孔，或可確實地獲取與製品相關之資訊。 [解決問題之技術手段]
本發明(1)包含一種積層片材，其特徵在於具備：片狀電感器，其具備複數個配線、及埋設上述複數個配線之磁性層；以及標記可形成層，其配置於上述電感器之厚度方向之一個面。
該積層片材具備標記可形成層。因此，只要於標記可形成層形成標記，則可基於該標記，對準積層片材，形成通孔，或可基於標記，辨識與製品相關之資訊，確實地獲取相關之資訊。
本發明(2)包含如(1)所記載之積層片材，其中上述標記可形成層之材料為樹脂組合物。
於該積層片材中，由於標記可形成層之材料為樹脂組合物，故而容易形成標記。
本發明(3)包含如(2)所記載之積層片材，其中上述樹脂組合物為熱硬化性樹脂組合物，且滿足下述試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗。
試驗(a)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ1。其後，將樣品於含有硫酸銅五水合物66 g/L、硫酸濃度180 g/L、氯50 ppm、Top Lucina α之硫酸銅鍍覆溶液200 mL中於25℃下浸漬120分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ2。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ1－μ2｜/μ1×100 試驗(b)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ3。其後，將樣品於含有硫酸55 g/L之酸活性水溶液200 mL中於25℃下浸漬1分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ4。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ3－μ4｜/μ3×100 試驗(c)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ5。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P 200 mL中於45℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ6。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ5－μ6｜/μ5×100 試驗(d)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ7。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP 200 mL中於80℃下浸漬15分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ8。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ7－μ8｜/μ7×100 試驗(e)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ9。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P 200 mL中於60℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ10。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ9－μ10｜/μ9×100 該積層片材由於滿足試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗，故而對於使用藥液之工藝加工之穩定性優異。 [發明之效果]
本發明之積層片材可高精度對準地形成通孔，或可確實地獲取與製品相關之資訊。
＜一實施方式＞ 參照圖1A及圖2B對本發明之積層片材之一實施方式進行說明。
該積層片材13具有特定厚度，具有於相對於厚度方向正交之面方向上延伸之片材形狀。例如積層片材13於俯視下具有大致矩形狀。積層片材13具備片狀電感器2、及標記可形成層15。
電感器2於俯視下具有與積層片材13相同之外形形狀。具體而言，電感器2於俯視下具有包含4個邊5之大致矩形狀。
又，電感器2具備複數個配線7、及磁性層8。
複數個配線7相互隔有間隔地相鄰。複數個配線7平行。複數個配線7係沿與相鄰之方向及厚度方向正交之方向延伸。配線7之形狀、尺寸、構成、材料、配方(填充率、含有比率等)等記載於例如日本專利特開2019-220618號公報等。較佳為配線7於沿如下方向之剖面中呈大致圓形，上述方向與沿配線7之方向正交，上述配線7之直徑之下限例如為25 μm，又，直徑之上限例如為2,000 μm。配線7較佳為含有包含導體之導線、及被覆導線之周面之絕緣膜。相鄰之配線7之間隔之下限例如為10 μm，較佳為50 μm，又，相鄰之配線7之間隔之上限例如為5,000 μm，較佳為3,000 μm。配線7之直徑相對於相鄰之配線7之間隔的比(直徑/間隔)之上限例如為200，較佳為50，又，下限例如為0.01，較佳為0.1。
磁性層8提高積層片材13之電感。磁性層8於俯視下具有與電感器2相同之外形形狀。磁性層8具有於面方向上延伸之板形狀。又，磁性層8於剖視下埋設有複數個配線7。磁性層8具有一個面9、另一個面10、及內周面11。
一個面9形成磁性層8中之厚度方向之一個面。
另一個面10形成磁性層8中之厚度方向之另一個面。另一個面10隔開間隔位於一個面9之厚度方向之另一側。
內周面11與一個面9及另一個面10於厚度方向上隔有間隔。內周面11於厚度方向上位於一個面9及另一個面10之間。又，內周面11於複數個配線7相鄰之方向上位於相互對向之2個外側面18之間。內周面11與配線7之外周面接觸。
磁性層8包含黏合劑、及磁性粒子。具體而言，磁性層8之材料為含有黏合劑及磁性粒子之磁性組合物。
作為黏合劑，可例舉：例如丙烯酸樹脂等熱塑性樹脂、例如環氧樹脂組合物等熱硬化性樹脂。丙烯酸樹脂例如含有含羧基之丙烯酸酯共聚物。環氧樹脂組合物包含例如作為主劑之環氧樹脂(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、環氧樹脂用硬化劑(酚系樹脂等)、及環氧樹脂用硬化促進劑(咪唑化合物等)。作為黏合劑，可將熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂分別單獨使用或併用，較佳為併用熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂。磁性組合物中之黏合劑之體積比率係下述磁性粒子之體積比率之剩餘部分。
磁性粒子例如分散於黏合劑中。於本實施方式中，磁性粒子例如具有大致扁平形狀。再者，大致扁平形狀包含大致板形狀。再者，磁性粒子亦可具有大致球形狀、大致針形狀。較佳為磁性粒子具有大致扁平形狀。
於磁性粒子具有大致扁平形狀之情形時，其扁平率(扁平度)之下限例如為8，較佳為15，且上限例如為500，較佳為450。扁平率係以例如磁性粒子之中值粒徑除以磁性粒子之平均厚度所得之縱橫比之形式進行計算。
磁性粒子之中值粒徑之下限例如為3.5 μm，較佳為10 μm，且上限例如為200 μm，較佳為150 μm。於磁性粒子具有大致扁平形狀之情形時，其平均厚度之下限例如為0.1 μm，較佳為0.2 μm，且上限例如為3.0 μm，較佳為2.5 μm。
又，磁性粒子之材料為金屬類。作為金屬類，可例舉：軟磁體、硬磁體等磁體。自確保良好之電感之觀點而言，較佳可例舉軟磁體。
作為軟磁體，可例舉：例如以純物質之狀態包含1種金屬元素之單一金屬體、例如作為1種以上之金屬元素(第1金屬元素)與1種以上之金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共熔體(混合物)之合金體。其等可單獨使用或併用。
作為單一金屬體，例如可例舉：僅包含1種金屬元素(第1金屬元素)之金屬單質。作為第1金屬元素，例如自鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、及除此以外之能夠作為軟磁體之第1金屬元素所含有之金屬元素之中適當選擇。
又，作為單一金屬體，可例舉：例如含有僅包含1種金屬元素之核、及修飾該核之表面之一部分或全部之包含無機物及/或有機物之表面層的形態；例如包含第1金屬元素之有機金屬化合物或無機金屬化合物經分解(熱分解等)之形態等。作為後者之形態，更具體而言，可例舉：包含鐵作為第1金屬元素之有機鐵化合物(具體而言，羰基鐵)經熱分解所得之鐵粉(有時稱為羰基鐵粉)等。再者，修飾僅包含1種金屬元素之部分之包含無機物及/或有機物之層的位置不限定於如上所述之表面。再者，作為可獲得單一金屬體之有機金屬化合物或無機金屬化合物，無特別限制，可自能夠獲得軟磁體之單一金屬體之公知或慣用之有機金屬化合物或無機金屬化合物中適當選擇。
合金體係1種以上之金屬元素(第1金屬元素)與1種以上之金屬元素(第2金屬元素)及/或非金屬元素(碳、氮、矽、磷等)之共熔體，只要可用作軟磁體之合金體，則無特別限制。
第1金屬元素係合金體中之必須元素，例如可例舉：鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)等。再者，若第1金屬元素為Fe，則合金體為Fe系合金，若第1金屬元素為Co，則合金體為Co系合金，若第1金屬元素為Ni，則合金體為Ni系合金。
第2金屬元素係合金體中含有之次要元素(副成分)，係與第1金屬元素相容(共熔)之金屬元素，例如可例舉：鐵(Fe)(第1金屬元素為除Fe以外之元素之情形)、鈷(Co)(第1金屬元素為除Co以外之元素之情形)、鎳(Ni)(第1金屬元素為除Ni以外之元素之情形)、鉻(Cr)、鋁(Al)、矽(Si)、銅(Cu)、銀(Ag)、錳(Mn)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎢(W)、釕(Ru)、銠(Rh)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、銦(In)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈧(Sc)、釔(Y)、鍶(Sr)、各種稀土類元素等。其等可單獨使用或併用2種以上。
非金屬元素係合金體中含有之次要元素(副成分)，係與第1金屬元素相容(共熔)之非金屬元素，例如可例舉：硼(B)、碳(C)、氮(N)、矽(Si)、磷(P)、硫(S)等。其等可單獨使用或併用2種以上。
作為合金體之一例之Fe系合金，例如可例舉：磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)(包含電磁不鏽鋼)、鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)(包含超鐵矽鋁合金)、鎳鐵合金(Fe-Ni合金)、Fe-Ni-Mo合金、Fe-Ni-Mo-Cu合金、Fe-Ni-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Al合金、Fe-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Cr-Si合金、矽銅(Fe-Cu-Si合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-B-Si-Cr合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、Fe-Ni-Si-Co合金、Fe-N合金、Fe-C合金、Fe-B合金、Fe-P合金、鐵氧體(不鏽鋼系鐵氧體、進而包含Mn-Mg系鐵氧體、Mn-Zn系鐵氧體、Ni-Zn系鐵氧體、Ni-Zn-Cu系鐵氧體、Cu-Zn系鐵氧體、Cu-Mg-Zn系鐵氧體等軟磁鐵氧體)、鐵鈷合金(Fe-Co合金)、Fe-Co-V合金、Fe基非晶質合金等。
作為合金體之一例之Co系合金，例如可例舉：Co-Ta-Zr、鈷(Co)基非晶質合金等。
作為合金體之一例之Ni系合金，例如可例舉：Ni-Cr合金等。
再者，關於上述磁性組合物之更加詳細之配方，記載於日本專利特開2014-165363號公報等。
磁性組合物中之磁性粒子之體積比率之下限例如為40體積%，較佳為50體積%，更佳為60體積%，且上限例如為95體積%，較佳為90體積%。
電感器2之厚度之下限例如為30 μm，較佳為40 μm，又，電感器2之厚度之上限例如為2,500 μm，較佳為2,000 μm。
又，電感器2之厚度相對於積層片材13之厚度的比之下限例如為0.1，較佳為0.3，更佳為0.5，且上限例如為0.9，較佳為0.8，更佳為0.7。
標記可形成層15係可形成如下所說明之標記4之層。即，標記可形成層15係尚未設置標記4之層，而不是已設置有標記4之標記層3。標記可形成層15具有於面方向上延伸之片材形狀。具體而言，標記可形成層15於俯視下具有與積層片材13相同之外形形狀。標記可形成層15配置於磁性層8之一個面9。具體而言，標記可形成層15與一個面9之全部接觸。
標記可形成層15之材料無特別限定，例如可例舉：樹脂組合物、金屬、陶瓷等，較佳可例舉樹脂組合物。若標記可形成層15之材料為樹脂組合物，則容易形成如下所說明之標記4。
樹脂組合物例如含有樹脂作為必須成分，且含有粒子作為任意成分。
作為樹脂，可例舉：例如熱硬化性樹脂、活性能量線硬化性樹脂等硬化性樹脂、例如熱塑性樹脂等可塑性樹脂。
作為硬化性樹脂，較佳可例舉熱硬化性樹脂。若為熱硬化性樹脂，則標記可形成層15可包含熱硬化性樹脂之硬化物，因此可減少如下所說明之浸漬試驗中的積層片材13之磁導率之變化率。熱硬化性樹脂包含主劑、硬化劑及硬化促進劑。
作為主劑，例如可例舉：環氧樹脂、矽酮樹脂等，較佳可例舉環氧樹脂。作為環氧樹脂，可例舉：例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、改性雙酚A型環氧樹脂、改性雙酚F型環氧樹脂、改性雙酚S型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等二官能環氧樹脂、例如苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂等三官能以上之多官能環氧樹脂等。該等環氧樹脂可單獨使用或併用2種以上。較佳可例舉二官能環氧樹脂，更佳為例舉雙酚A型環氧樹脂。
環氧樹脂之環氧當量之下限例如為10 g/eq.，且上限例如為1,000 g/eq.。
作為硬化劑，若主劑為環氧樹脂，則可例舉：例如酚系樹脂、異氰酸酯樹脂等。作為酚系樹脂，例如可例舉：苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、苯酚聯伸苯樹脂、二環戊二烯型酚系樹脂、可溶酚醛樹脂等多官能酚系樹脂。該等可單獨使用或併用2種以上。作為酚系樹脂，較佳可例舉苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚聯伸苯樹脂。若主劑為環氧樹脂，硬化劑為酚系樹脂，則相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚系樹脂中之羥基之合計之下限例如為0.7當量，較佳為0.9當量，且上限例如為1.5當量，較佳為1.2當量。具體而言，硬化劑之質量份數之下限相對於主劑100質量份，例如為1質量份，又，例如為50質量份。
作為硬化促進劑，係促進主劑之硬化之觸媒(熱硬化觸媒)(較佳為環氧樹脂硬化促進劑)，可例舉：例如有機磷系化合物、例如2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(2P4MHZ)等咪唑化合物等。硬化促進劑之質量份數之下限相對於主劑100質量份，例如為0.05質量份，且上限例如為5質量份。
作為熱塑性樹脂，例如可例舉：丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、熱塑性聚胺酯樹脂等。又，作為熱塑性樹脂，亦可例舉：親水性聚合物。
作為樹脂，可單獨使用硬化性樹脂及可塑性樹脂中之任一種，又，亦可併用其等。
樹脂組合物中之樹脂之質量比率之下限例如為10質量%，較佳為30質量%，上限例如為90質量%，較佳為75質量%。
粒子係選自由第1粒子、及第2粒子所組成之群中之至少1種。
第1粒子例如具有大致球形狀。第1粒子之中值粒徑之下限例如為1 μm，較佳為5 μm，又，第1粒子之中值粒徑之上限例如為250 μm，較佳為200 μm。第1粒子之中值粒徑係藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置而求出。又，第1粒子之中值粒徑亦可藉由例如利用剖面觀察進行二值化處理而求出。
第1粒子之材料無特別限定。作為第1粒子之材料，例如可例舉：金屬類、無機化合物、有機化合物、非金屬元素之單質等，就確實地形成標記4之觀點而言，較佳可例舉無機化合物、非金屬元素之單質。
於使標記可形成層15作為油墨吸收層發揮作用之情形時，無機化合物包含於樹脂組合物中。作為無機化合物，例如可例舉：無機填料，具體而言，可例舉：氧化矽、氧化鋁等，較佳可例舉氧化矽。
於使標記可形成層15作為雷射變色層發揮作用之情形時，非金屬元素之單質包含於樹脂組合物中。作為非金屬元素之單質，例如可例舉：碳、矽等，較佳可例舉碳，更佳為例舉碳黑等。
具體而言，作為第1粒子，較佳可例舉球形狀氧化矽，又，較佳可例舉球形狀碳黑。
第2粒子例如具有大致扁平形狀。大致扁平形狀包含大致板形狀。
第2粒子之扁平率(扁平度)之下限例如為8，較佳為15，且上限例如為500，較佳為450。第2粒子之扁平率係藉由與上述磁性層8中之磁性粒子之扁平率相同之計算方法而求出。
第2粒子之中值粒徑之下限例如為1 μm，較佳為5 μm，又，第2粒子之中值粒徑之上限例如為250 μm，較佳為200 μm。第2粒子之中值粒徑係藉由與第1粒子之中值粒徑相同之方法求出。
第2粒子之平均厚度之下限例如為0.1 μm，較佳為0.2 μm，且上限例如為3.0 μm，較佳為2.5 μm。
第2粒子之材料為無機化合物。作為無機化合物，例如可例舉：氮化硼等導熱性化合物等。
具體而言，作為第2粒子，較佳可例舉：扁平形狀之氮化硼。
於樹脂組合物中包含第1粒子及第2粒子之單獨一種，或包含兩者。
相對於樹脂100質量份之粒子(第1粒子及/或第2粒子)之質量份數之下限例如為10質量份，較佳為50質量份，且上限例如為2,000質量份，較佳為1,500質量份。又，樹脂組合物中之粒子之含有比率之下限例如為10質量%，且上限例如為90質量%。於在樹脂組合物中包含第1粒子及第2粒子之兩者之情形時，相對於第1粒子100質量份之第2粒子之質量份數之下限例如為30質量份，且上限例如為300質量份。
再者，由於粒子為樹脂組合物中之任意成分，故而樹脂組合物亦可不含有粒子。
標記可形成層15之厚度之下限例如為1 μm，較佳為10 μm，且上限例如為1,000 μm，較佳為100 μm。又，標記可形成層15之厚度於積層片材13之厚度中的比之下限例如為0.001，較佳為0.005，更佳為0.01，且上限例如為0.5，較佳為0.3，更佳為0.1。
積層片材13之厚度之下限例如為40 μm，較佳為50 μm，又，電感器2之厚度之上限例如為3,000 μm，較佳為2,500 μm。
其次，參照圖1A～圖2D對上述積層片材1之製造方法及加工態樣進行說明。
於該方法中，首先，如圖2A所示，準備電感器2。電感器2係藉由例如日本專利特開2019-220618號公報等所記載之方法進行準備。
其次，於該方法中，如圖1A及圖2B所示，將標記可形成層15配置於電感器2之厚度方向之一個面。
為了將標記可形成層15配置於電感器2，首先，準備可形成標記片材14。可形成標記片材14係將標記可形成層15配置於電感器2之一個面9之前之片材，其材料與標記可形成層15之材料相同。為了準備可形成標記片材14，於上述材料中進一步調配溶劑，製備清漆，將其塗佈於剝離片材(未圖示)之表面並使之乾燥。於樹脂含有熱硬化性樹脂之情形時，熱硬化性樹脂為B階段或C階段。
繼而，將可形成標記片材14貼附於電感器2之厚度方向之一個面。具體而言，使可形成標記片材14之厚度方向之另一個面與電感器2之厚度方向之一個面接觸。藉此，可形成標記片材14以與磁性層8之一個面9接觸之狀態形成於標記可形成層15。或可將清漆直接塗佈於電感器2之一個面9而形成標記可形成層15。
其後，於樹脂含有B階段之熱硬化性樹脂之情形時，藉由加熱使熱硬化性樹脂C階段化。
藉此，標記可形成層15配置(積層)於電感器2之厚度方向之一個面。較佳為，標記可形成層15接著於磁性層8之一個面9。
藉此，可獲得具備電感器2、及標記可形成層15之積層片材13。積層片材13較佳為僅具備電感器2、及標記可形成層15。
該積層片材13具備用於形成標記4之標記可形成層15，尚不具備標記4，其係可單獨流通之器件，可於產業上利用。
該積層片材13滿足例如試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗。
試驗(a)：將積層片材13加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ1。其後，將樣品於含有硫酸銅五水合物66 g/L、硫酸濃度180 g/L、氯50 ppm、奧野製藥工業公司製造之Top Lucina α之硫酸銅鍍覆溶液200 mL中於25℃下浸漬120分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ2。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ1－μ2｜/μ1×100 試驗(b)：將積層片材13加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ3。其後，將樣品於含有硫酸55 g/L之酸活性水溶液200 mL中於25℃下浸漬1分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ4。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ3－μ4｜/μ3×100 試驗(c)：將積層片材13加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ5。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P 200 mL中於45℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ6。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ5－μ6｜/μ5×100 試驗(d)：將積層片材13加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ7。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP 200 mL中於80℃下浸漬15分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ8。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ7－μ8｜/μ7×100 試驗(e)：將積層片材13加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ9。其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P 200 mL中於60℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ10。藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率。其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下。
磁導率之變化率(%)＝｜μ9－μ10｜/μ9×100 於滿足試驗(a)之情形時，試驗(a)中之樣品之磁導率之變化率的上限較佳為4%，更佳為3%。
若滿足試驗(a)，則積層片材13浸漬於電解鍍銅之硫酸銅溶液時之穩定性優異。
於滿足試驗(b)之情形時，試驗(b)中之樣品之磁導率之變化率的上限較佳為4%，更佳為3%。
若滿足試驗(b)，則積層片材13浸漬於酸活性溶液時之穩定性優異。
於滿足試驗(c)之情形時，試驗(c)中之樣品之磁導率之變化率的上限較佳為4%，更佳為3%。
試驗(c)中之Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P含有硫酸水溶液，用作中和液(中和劑、或中和用水溶液)。因此，若滿足試驗(c)，則積層片材13浸漬於中和液時之穩定性優異。
於滿足試驗(d)之情形時，試驗(d)中之樣品之磁導率之變化率的上限較佳為4%，更佳為3%。
試驗(d)中之Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP含有高錳酸鉀溶液。因此，若滿足試驗(d)，則積層片材13浸漬於除膠渣(洗淨)之高錳酸鉀溶液時之穩定性優異。
於滿足試驗(e)之情形時，試驗(e)中之樣品之磁導率之變化率的上限較佳為4%，更佳為3%。
試驗(e)中之Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P係含有二醇醚類及氫氧化鈉之水溶液，用作膨潤液。因此，若滿足試驗(e)，則積層片材13浸漬於膨潤液時之穩定性優異。
較佳為試驗(a)～試驗(e)均滿足。因此，積層片材13浸漬於電解鍍銅之硫酸銅溶液、酸活性溶液、中和液、除膠渣(洗淨)之高錳酸鉀溶液及膨潤液時之穩定性優異，於使用該等液之各種工藝中之穩定性優異。
其後，如圖1B及圖2C所示，例如於標記可形成層15形成標記4。
標記4之形成方法無特別限定，例如可例舉鑽孔、蝕刻等。
標記4係例如報知積層片材13中之複數個配線7之位置資訊之標記。又，標記4係用於使如下所說明之通孔16形成於積層片材13之對準標記。
標記4形成於標記可形成層15。具體而言，標記4配置於標記可形成層15之厚度方向之一個面。標記4之各者例如形成於藉由標記可形成層15之4個邊5所劃分之4個角部6之各者。標記4於俯視下，例如具有大致+字形狀。
又，標記4係自標記可形成層15之厚度方向之一個面朝向厚度方向之另一側進入至厚度方向中途為止之凹部。
又，標記4於厚度方向上投影時，相對於複數個配線7，分隔於相鄰之方向上之外側。即，標記4於厚度方向上投影時，相對於複數個配線7錯開而不與複數個配線7重疊。標記4與配線7之最短距離L之下限例如為10 μm，較佳為50 μm，且上限例如為10 mm，較佳為5 mm，更佳為3 mm。
標記4之尺寸無特別限定。配線7延伸之方向上的標記4之長度之下限例如為10 μm，較佳為50 μm，且上限例如為5 mm，較佳為1 mm。複數個配線7相鄰之方向上的標記4之長度之下限例如為10 μm，較佳為50 μm，且上限例如為5 mm，較佳為1 mm。
標記4之深度之下限例如為1 μm，較佳為5 μm，且上限為1 mm。標記4之深度相對於標記層3之厚度(深度)的比之下限例如為0.01，較佳為0.1，且上限例如為0.9，較佳為0.7。
藉此，標記可形成層15成為形成有標記4之標記層3。藉此，可獲得具備電感器2、標記層3、及標記4之附標記之積層片材1。
如圖1C及圖2D所示，其後，例如於附標記之積層片材1形成通孔16。
於通孔16之形成中，例如使用標記4作為對準標記，對準附標記之積層片材1。例如以標記4為基準，對於下一實施加工之裝置調整附標記之積層片材1之面方向位置。
通孔16之形成方法無特別限定，可例舉：例如使用鑽孔之接觸式開口、例如使用雷射之非接觸式加工等。
通孔16例如於配線7相鄰之方向上投影時，與標記4重疊，且於俯視下與配線7重疊。詳細而言，通孔16係使配線7之厚度方向之一個面之中央部露出且貫通位於較配線7靠厚度方向之一側之磁性層8及標記層3之厚度方向的貫通孔。通孔16於俯視(未圖示)下具有大致圓形。又，通孔16於剖視下具有開口朝向厚度方向之一側面積隨之擴大之錐形狀。
其後，形成有通孔16之附標記之積層片材1經由例如光微影法、鍍覆(鍍銅等)等步驟，使未圖示之導電層形成於自通孔16露出之配線7，搭載、接合於電子機器或電子零件。電子機器或電子零件經由通孔16與配線7電性連接。
＜一實施方式之作用效果＞ 並且，該積層片材13具備標記可形成層15。因此，只要於標記可形成層15形成標記4，則可基於標記4，對準附標記之積層片材1，形成通孔16。
又，於該積層片材13中，若標記可形成層15之材料為樹脂組合物，則容易形成標記4。
進而，該積層片材13由於滿足例如試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗，故而對於使用藥液之工藝加工之穩定性優異。
＜變化例＞ 於以下之各變化例中，對於與上述一實施方式相同之構件及步驟，標記相同之參照符號，省略其詳細之說明。又，除了特別記載以外，各變化例可發揮與一實施方式相同之作用效果。進而，可適當組合一實施方式及其變化例。
標記4之形狀不限定於上述。雖未圖示，但作為標記4之形狀，於俯視下，例如可例舉：大致V字形狀、大致L字形狀、大致X字形狀、大致L字形狀、大致I字形狀(包含大致直線形狀)、大致U字形狀、大致C字形狀、大致圓環形狀(包含大致橢圓環形狀)、大致圓形(包含大致橢圓形)、大致多邊形框形狀(包含大致三角框形狀、大致矩形框形狀)、大致多邊形狀(包含大致三角形狀、大致矩形狀)等。
標記4之位置無特別限定，例如雖未圖示，但亦可為相鄰之配線7之間。
如圖3所示，標記可形成層15亦可為可雷射變色層及/或可吸收油墨層。
於標記可形成層15為可雷射變色層之情形時，可雷射變色層例如包含熱硬化性樹脂作為樹脂，包含球形狀碳黑作為第1粒子，例如具有黑色。當雷射照射至可雷射變色層時，照射部分中之第1粒子(碳黑)經熱分解而去除，相關部分之黑色度變低(顏色變淺)(變色)。藉此，標記可形成層15成為具有變色之標記4之標記層3。
於標記可形成層15為可吸收油墨層之情形時，可吸收油墨層例如包含親水性聚合物作為樹脂，包含球形狀氧化矽作為第1粒子。將油墨(未圖示)印刷於可吸收油墨層，其後，可吸收油墨層之親水性聚合物及氧化矽吸收油墨(與油墨親和)。藉此，標記可形成層15成為具有經著色之標記4之標記層3。
如圖4所示，標記4可貫通標記可形成層15。
如圖5所示，可將標記4配置於標記可形成層15之厚度方向之一個面。標記4例如包含油墨之固形物(較佳為紫外線硬化物等硬化物)。
如圖6所示，標記4切除標記可形成層15之角部6(參照圖6)。標記4於厚度方向上將角部6以矩形狀切除。
又，如圖7所示，標記4可取代對準標記，或與對準標記一起包含與作為製品之積層片材13相關之資訊。關於資訊，例如可例舉：積層片材13之批號、積層片材13之磁導率等。
於藉由圖2B之單點虛線所示之變化例中，標記可形成層15配置於電感器2之一個面9及另一個面10。於該變化例中，如圖2C所示，標記4形成於2個標記可形成層15之各者。
再者，可於通孔16形成導電層(未圖示)。作為導電層(未圖示)之材料，例如可例舉：銅等導體材料。於導電層形成中，例如使用電解鍍銅液。藉此，可獲得具備導電層(未圖示)之附標記之積層片材1。
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施方式而提供，但其等僅為例示，不應限定性地解釋。該技術領域之業者所知之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍內。
1:附標記之積層片材 2:電感器 3:標記層 4:標記 5:邊 6:角部 7:配線 8:磁性層 9:一個面 10:另一個面 11:內周面 13:積層片材 14:可形成標記片材 15:標記可形成層 16:通孔 21:附標記之電感器 L:最短距離
圖1A～圖1C係本發明之積層片材之一實施方式的製造步驟及加工態樣之俯視圖，圖1A係積層片材，圖1B係形成標記之步驟，圖1C係形成通孔之步驟。 圖2A～圖2D係本發明之積層片材之一實施方式的製造步驟及加工態樣之前剖視圖，圖2A係電感器，圖2B係積層片材，圖2C係形成標記之步驟，圖2D係形成通孔之步驟。 圖3係標記之變化例之放大剖視圖。 圖4係標記之變化例之放大剖視圖。 圖5係標記之變化例之放大剖視圖。 圖6係標記之變化例之俯視圖。 圖7係圖1B所示之附標記之積層片材的變化例(標記為批號之變化例)之俯視圖。
1:附標記之積層片材
3:標記層
4:標記
5:邊
6:角部
7:配線
13:積層片材
15:標記可形成層
16:通孔
L:最短距離

Claims (3)

  1. 一種積層片材，其特徵在於具備：片狀電感器，其具備複數個配線、及埋設上述複數個配線之磁性層；及 標記可形成層，其配置於上述電感器之厚度方向之一個面。
  2. 如請求項1之積層片材，其中上述標記可形成層之材料為樹脂組合物。
  3. 如請求項2之積層片材，其中上述樹脂組合物為熱硬化性樹脂組合物，且 滿足下述試驗(a)～試驗(e)中之至少任一個試驗， 試驗(a)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ1；其後，將樣品於含有硫酸銅五水合物66 g/L、硫酸濃度180 g/L、氯50 ppm、Top Lucina α之硫酸銅鍍覆溶液200 mL中於25℃下浸漬120分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ2；藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ1－μ2｜/μ1×100 試驗(b)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ3；其後，將樣品於含有硫酸55 g/L之酸活性水溶液200 mL中於25℃下浸漬1分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ4；藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ3－μ4｜/μ3×100 試驗(c)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ5；其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Reduction Solution Securiganth P 200 mL中於45℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ6；藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ5－μ6｜/μ5×100 試驗(d)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ7；其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Concentrate Compact CP 200 mL中於80℃下浸漬15分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ8；藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ7－μ8｜/μ7×100 試驗(e)：將上述積層片材加工成3 cm見方之外形而製作樣品，求出其於頻率10 MHz下之相對磁導率μ9；其後，將樣品於Atotech Japan公司製造之Swelling Dip Securiganth P 200 mL中於60℃下浸漬5分鐘，其後，求出樣品於頻率10 MHz下之相對磁導率μ10；藉由下述式求出浸漬前後之磁導率之變化率；其結果是，樣品之磁導率之變化率為5%以下； 磁導率之變化率(%)＝｜μ9－μ10｜/μ9×100。
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