KR20210137029A - 인덕터 - Google Patents
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Abstract
인덕터(1)는, 복수의 배선(2)과 자성층(3)을 구비하고, 복수의 배선(2)은, 제 1 방향에 있어서, 서로 간격을 띄워 배치되어 있고, 복수의 배선(2)은, 각각, 도선(6)과 절연층(7)을 구비하고, 서로 이웃하는 복수의 배선(2) 사이에 있어서, 그들 배선(2)의 중심(C1)을 통과하는 가상선(L2)을 포함하도록, 이방성 자성 입자(8)가 제 1 방향을 따라 배향하는 제 1 방향 배향 영역(10)이 형성되어 있고, 제 1 방향 배향 영역(10)의 거리(N)가, 제 1 가상선(L2) 상의 배선(2) 사이의 간격(S)에 대해서 60% 이하이다.
Description
본 발명은, 인덕터에 관한 것이다.
인덕터는, 전자 기기 등에 탑재되어, 전압 변환 부재 등의 수동 소자로서 이용됨이 알려져 있다.
예를 들어, 자성체 재료로 이루어지는 직방체상의 칩 본체부와, 그 칩 본체부의 내부에 매설된 구리 등의 내부 도체를 구비하고, 칩 본체부의 단면 형상과 내부 도체의 단면 형상이 상사형인 인덕터가 제안되어 있다(특허문헌 1 참조.). 즉, 특허문헌 1의 인덕터에서는, 단면시 직사각 형상(직방체상)의 배선(내부 도체)의 주위에 자성체 재료가 피복되어 있다.
그런데, 자성체 재료로서, 편평상 자성 입자 등의 이방성 자성 입자를 이용하고, 배선의 주위에, 그 이방성 자성 입자를 배향시켜, 인덕터의 인덕턴스를 향상시키는 것이 검토되고 있다.
그렇지만, 특허문헌 1의 인덕터에서는, 배선이, 단면시 직사각 형상이기 때문에, 각부 등의 존재에 의해, 그 배선의 주위에 이방성 자성 입자를 배향시키기 어려운 문제가 생긴다. 그 때문에, 인덕턴스의 향상이 불충분해지는 경우가 있다.
또한, 복수의 배선을 구비하는 인덕터도 요망되고 있다. 그렇지만, 인덕터가 복수의 배선을 구비하면, 이방성 자성 입자에 의해, 이웃하는 배선끼리의 자기가 서로 영향을 주어, 노이즈가 발생하는 문제(크로스토크)가 생긴다.
본 발명은, 인덕턴스가 양호하고, 크로스토크를 억제할 수 있는 인덕터를 제공한다.
본 발명［1］은, 복수의 배선과, 상기 복수의 배선을 피복하는 자성층을 구비하고, 상기 복수의 배선은, 제 1 방향에 있어서, 서로 간격을 띄워 배치되어 있고, 상기 복수의 배선은, 각각, 도선과, 상기 도선을 피복하는 절연층을 구비하고, 상기 자성층은, 이방성 자성 입자와, 바인더를 함유하고, 서로 이웃하는 상기 복수의 배선 사이에 있어서, 그들 배선의 중심을 통과하는 가상선을 포함하도록, 상기 이방성 자성 입자가 상기 제 1 방향을 따라 배향하는 제 1 방향 배향 영역이 형성되어 있고, 상기 제 1 방향 배향 영역의 거리가, 상기 가상선 상의 상기 배선 사이의 간격에 대해서 60% 이하인, 인덕터를 포함한다.
이 인덕터에 의하면, 복수의 배선과, 복수의 배선을 피복하는 자성층을 구비하기 때문에, 복수의 배선의 주변에, 이방성 자성 입자가 외주 방향을 따라 용이하게 배향할 수 있다. 따라서, 인덕턴스를 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 배선의 중심을 통과하는 가상선을 포함하도록, 이방성 자성 입자가 제 1 방향을 따라 배향하는 제 1 방향 배향 영역이 형성되어 있고, 제 1 방향 배향 영역의 거리가, 상기 가상선 상의 배선 사이의 간격에 대해서 50% 이하이다. 즉, 제 1 방향을 따라 흐르는 자속의 통로인 배선 사이의 스페이스에 있어서, 제 1 방향 배향 영역의 거리가, 그 이외의 거리보다도 짧다. 따라서, 한쪽의 배선으로부터 다른 쪽의 배선으로의 자기에 관한 영향을 저감할 수 있어, 크로스토크를 억제할 수 있다.
본 발명［2］는, 상기 복수의 배선의 주위에는, 각각, 상기 이방성 자성 입자가 상기 배선의 외주 방향을 따라 배향하는 제 1 영역을 갖는, ［1］에 기재된 인덕터를 포함한다. 따라서, 인덕턴스를 향상시킬 수 있다.
본 발명［3］은, 상기 복수의 배선의 주위에는, 각각, 상기 이방성 자성 입자가 상기 외주 방향을 따라 배향하지 않는 제 2 영역을 추가로 갖는, ［2］에 기재된 인덕터를 포함한다.
따라서, 직류 중첩 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 인덕터에 의하면, 인덕턴스가 양호하고, 크로스토크를 억제할 수 있다.
[도 1] 도 1A-B는, 본 발명의 인덕터의 일 실시형태이며, 도 1A는, 평면시도, 도 1B는, 도 1A의 A-A 단면도를 나타낸다.
[도 2] 도 2는, 도 1B의 파선부의 부분 확대도를 나타낸다.
[도 3] 도 3A-B는, 도 1A-B에 나타내는 인덕터의 제조 공정이며, 도 3A는, 배치 공정, 도 3B는, 적층 공정을 나타낸다.
[도 4] 도 4는, 도 1A-B에 나타내는 인덕터의 실제의 SEM 사진 단면도를 나타낸다.
[도 5] 도 5는, 본 발명의 인덕터의 변형예(제 2 영역의 중심부가 제 1 가상선 상에 위치하는 형태)의 단면도를 나타낸다.
[도 2] 도 2는, 도 1B의 파선부의 부분 확대도를 나타낸다.
[도 3] 도 3A-B는, 도 1A-B에 나타내는 인덕터의 제조 공정이며, 도 3A는, 배치 공정, 도 3B는, 적층 공정을 나타낸다.
[도 4] 도 4는, 도 1A-B에 나타내는 인덕터의 실제의 SEM 사진 단면도를 나타낸다.
[도 5] 도 5는, 본 발명의 인덕터의 변형예(제 2 영역의 중심부가 제 1 가상선 상에 위치하는 형태)의 단면도를 나타낸다.
도 1A에 있어서, 지면 좌우 방향은, 제 1 방향이며, 지면 좌측이 제 1 방향 일방측, 지면 우측이 제 1 방향 타방측이다. 지면 상하 방향은, 제 2 방향(제 1 방향과 직교하는 방향)이며, 지면 상측이 제 2 방향 일방측(배선축방향 일방향), 지면 하측이 제 2 방향 타방측(배선축 타방향)이다. 지면 종이 두께 방향은, 상하 방향(제 1 방향 및 제 2 방향과 직교하는 제 3 방향, 두께 방향)이며, 지면 앞측이 상측(제 3 방향 일방측, 두께 방향 일방측), 지면 뒷측이 하측(제 3 방향 타방측, 두께 방향 타방측)이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.
＜일 실시형태＞
1. 인덕터
본 발명의 인덕터의 일 실시형태를, 도 1A-도 2를 참조하여 설명한다.
도 1A-B에 나타내는 바와 같이, 인덕터(1)는, 면방향(제 1 방향 및 제 2 방향)으로 연장되는 평면시 대략 직사각 형상을 갖는다.
인덕터(1)는, 도 1A-도 2에 나타내는 바와 같이, 복수(2개)의 배선(2)과, 자성층(3)을 구비한다.
(배선)
복수의 배선(2)은, 각각, 제 1 배선(4)과, 제 1 배선(4)과 폭방향(제 1 방향)으로 간격을 띄워 배치되는 제 2 배선(5)을 구비한다.
제 1 배선(4)은, 도 1A-B에 나타내는 바와 같이, 제 2 방향으로 장척(長尺)으로 연장되고, 예를 들어, 평면시 대략 U자 형상을 갖는다. 제 1 배선(4)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 단면시 대략 원 형상을 갖는다.
제 1 배선(4)은, 도선(6)과, 그것을 피복하는 절연층(7)을 구비한다.
도선(6)은, 제 2 방향으로 장척으로 연장되고, 예를 들어, 평면시 대략 U자 형상을 갖는다. 또한, 도선(6)은, 제 1 배선(4)과 중심축선을 공유하는 단면시 대략 원 형상을 갖는다.
도선(6)의 재료는, 예를 들어, 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈, 이들의 합금 등의 금속 도체이며, 바람직하게는, 구리를 들 수 있다. 도선(6)은, 단층 구조여도 되고, 코어 도체(예를 들어, 구리)의 표면에 도금(예를 들어, 니켈) 등이 된 복층 구조여도 된다.
도선(6)의 반경(R1)은, 예를 들어, 25μm 이상, 바람직하게는, 50μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 2000μm 이하, 바람직하게는, 200μm 이하이다.
절연층(7)은, 도선(6)을 약품이나 물로부터 보호하고, 또한, 도선(6)의 단락을 방지하기 위한 층이다. 절연층(7)은, 도선(6)의 외주면 전체면을 피복하도록, 배치되어 있다.
절연층(7)은, 제 1 배선(4)과 중심축선(중심(C1))을 공유하는 단면시 대략 원환 형상을 갖는다.
절연층(7)의 재료로서는, 예를 들어, 폴리바이닐폼알, 폴리에스터, 폴리에스터이미드, 폴리아마이드(나일론을 포함한다), 폴리이미드, 폴리아마이드이미드, 폴리유레테인 등의 절연성 수지를 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다.
절연층(7)은, 단층으로 구성되어 있어도 되고, 복수의 층으로 구성되어 있어도 된다.
절연층(7)의 두께(R2)는, 원주 방향의 어느 위치에 있어서도 배선(2)의 직경 방향에 있어서 대략 균일하고, 예를 들어, 1μm 이상, 바람직하게는, 3μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 100μm 이하, 바람직하게는, 50μm 이하이다.
절연층(7)의 두께(R2)에 대한, 도선(6)의 반경(R1)의 비(R1/R2)는, 예를 들어, 1 이상, 바람직하게는, 10 이상이며, 예를 들어, 200 이하, 바람직하게는, 100 이하이다.
제 1 배선(4)의 반경(R1+R2)은, 예를 들어, 25μm 이상, 바람직하게는, 50μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 2000μm 이하, 바람직하게는, 200μm 이하이다.
제 1 배선(4)이 대략 U자 형상인 경우, 제 1 배선(4)의 중심간 거리(D2)는, 후술하는 복수의 배선(2) 사이의 중심간 거리(D1)와 동일 거리이며, 예를 들어, 20μm 이상, 바람직하게는, 50μm 이상이고, 또한, 예를 들어, 3000μm 이하, 바람직하게는, 2000μm 이하이다.
제 2 배선(5)은, 제 1 배선(4)과 동일 형상이며, 동일한 구성, 치수 및 재료를 구비한다. 즉, 제 2 배선(5)은, 제 1 배선(4)과 마찬가지로, 도선(6)과, 그것을 피복하는 절연층(7)을 구비한다.
제 1 배선(4)과 제 2 배선(5)의 간격(S)은, 제 1 배선(4)의 외주연(外周緣)과, 제 2 배선(5)의 외주연의 최단 거리이며, 즉, 제 1 배선(4)과 제 2 배선(5) 사이에 위치하는 자성층(3)에 있어서의 제 1 가상선 상 L2의 거리이다. 구체적으로는, 배선(2(4, 5)) 사이의 간격(S)은, 예를 들어, 20μm 이상, 바람직하게는, 70μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 2000μm 이하, 바람직하게는, 1000μm 이하이다.
제 1 배선(4)과 제 2 배선(5)의 중심간 거리(D1)는, 예를 들어, 20μm 이상, 바람직하게는, 50μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 3000μm 이하, 바람직하게는, 2000μm 이하이다.
(자성층)
자성층(3)은, 인덕턴스를 향상시키기 위한 층이다.
자성층(3)은, 복수의 배선(2)의 외주면 전체면을 피복하도록, 배치되어 있다. 자성층(3)은, 인덕터(1)의 외형을 이룬다. 구체적으로는, 자성층(3)은, 면방향(제 1 방향 및 제 2 방향)으로 연장되는 평면시 대략 직사각 형상을 갖는다. 또한, 자성층(3)은, 그 제 2 방향 타방면에 있어서, 복수의 배선(2)의 제 2 방향 단연을 노출시킨다.
자성층(3)은, 이방성 자성 입자(8) 및 바인더(9)를 함유하는 자성 조성물로부터 형성되어 있다.
이방성 자성 입자(이하, 「입자」라고도 약칭한다.)(8)를 구성하는 자성 재료로서는, 연자성체, 경자성체를 들 수 있다. 바람직하게는, 인덕턴스의 관점에서, 연자성체를 들 수 있다.
연자성체로서는, 예를 들어, 1종류의 금속 원소를 순물질의 상태로 포함하는 단일 금속체, 예를 들어, 1종류 이상의 금속 원소(제 1 금속 원소)와, 1종류 이상의 금속 원소(제 2 금속 원소) 및/또는 비금속 원소(탄소, 질소, 규소, 인 등)의 공융체(혼합물)인 합금체를 들 수 있다. 이들은, 단독 또는 병용할 수 있다.
단일 금속체로서는, 예를 들어, 1종류의 금속 원소(제 1 금속 원소)만으로 이루어지는 금속 단체를 들 수 있다. 제 1 금속 원소로서는, 예를 들어, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 그 외, 연자성체의 제 1 금속 원소로서 함유하는 것이 가능한 금속 원소 중에서 적절히 선택된다.
또한, 단일 금속체로서는, 예를 들어, 1종류의 금속 원소만을 포함하는 코어와, 그 코어의 표면의 일부 또는 전부를 수식하는 무기물 및/또는 유기물을 포함하는 표면층을 포함하는 형태, 예를 들어, 제 1 금속 원소를 포함하는 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물이 분해(열분해 등)된 형태 등을 들 수 있다. 후자의 형태로서, 보다 구체적으로는, 제 1 금속 원소로서 철을 포함하는 유기 철 화합물(구체적으로는, 카보닐 철)이 열분해된 철분(카보닐 철분이라고 칭해지는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. 한편, 1종류의 금속 원소만을 포함하는 부분을 수식하는 무기물 및/또는 유기물을 포함하는 층의 위치는, 상기와 같은 표면으로 한정되지 않는다. 한편, 단일 금속체를 얻을 수 있는 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물로서는, 특별히 제한되지 않고, 연자성체의 단일 금속체를 얻을 수 있는 공지 내지 관용의 유기 금속 화합물이나 무기 금속 화합물로부터 적절히 선택할 수 있다.
합금체는, 1종류 이상의 금속 원소(제 1 금속 원소)와, 1종류 이상의 금속 원소(제 2 금속 원소) 및/또는 비금속 원소(탄소, 질소, 규소, 인 등)의 공융체이며, 연자성체의 합금체로서 이용할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
제 1 금속 원소는, 합금체에 있어서의 필수 원소이며, 예를 들어, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni) 등을 들 수 있다. 한편, 제 1 금속 원소가 Fe이면, 합금체는, Fe계 합금으로 여겨지고, 제 1 금속 원소가 Co이면, 합금체는, Co계 합금으로 여겨지고, 제 1 금속 원소가 Ni이면, 합금체는, Ni계 합금으로 여겨진다.
제 2 금속 원소는, 합금체에 부차적으로 함유되는 원소(부성분)이며, 제 1 금속 원소에 상용(공융)하는 금속 원소로서, 예를 들어, 철(Fe)(제 1 금속 원소가 Fe 이외인 경우), 코발트(Co)(제 1 금속 원소가 Co 이외인 경우), 니켈(Ni)(제 1 금속 원소가 Ni 이외인 경우), 크로뮴(Cr), 알루미늄(Al), 규소(Si), 구리(Cu), 은(Ag), 망가니즈(Mn), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 인듐(In), 저마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 스트론튬(Sr), 각종 희토류 원소 등을 들 수 있다. 이들은, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
비금속 원소는, 합금체에 부차적으로 함유되는 원소(부성분)이며, 제 1 금속 원소에 상용(공융)하는 비금속 원소로서, 예를 들어, 붕소(B), 탄소(C), 질소(N), 규소(Si), 인(P), 황(S) 등을 들 수 있다. 이들은, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
합금체의 일례인 Fe계 합금으로서, 예를 들어, 자성 스테인리스(Fe-Cr-Al-Si 합금)(전자 스테인리스를 포함한다), 센더스트(Fe-Si-Al 합금)(슈퍼 센더스트를 포함한다), 퍼멀로이(Fe-Ni 합금), Fe-Ni-Mo 합금, Fe-Ni-Mo-Cu 합금, Fe-Ni-Co 합금, Fe-Cr 합금, Fe-Cr-Al 합금, Fe-Ni-Cr 합금, Fe-Ni-Cr-Si 합금, 규소 구리(Fe-Cu-Si 합금), Fe-Si 합금, Fe-Si-B(-Cu-Nb) 합금, Fe-B-Si-Cr 합금, Fe-Si-Cr-Ni 합금, Fe-Si-Cr 합금, Fe-Si-Al-Ni-Cr 합금, Fe-Ni-Si-Co 합금, Fe-N 합금, Fe-C 합금, Fe-B 합금, Fe-P 합금, 페라이트(스테인리스계 페라이트, 또한, Mn-Mg계 페라이트, Mn-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트, Ni-Zn-Cu계 페라이트, Cu-Zn계 페라이트, Cu-Mg-Zn계 페라이트 등의 소프트 페라이트를 포함한다), 퍼멘듀르(Fe-Co 합금), Fe-Co-V 합금, Fe기 어몰퍼스 합금 등을 들 수 있다.
합금체의 일례인 Co계 합금으로서는, 예를 들어, Co-Ta-Zr, 코발트(Co)기 어몰퍼스 합금 등을 들 수 있다.
합금체의 일례인 Ni계 합금으로서는, 예를 들어, Ni-Cr 합금 등을 들 수 있다.
이들 연자성체 중에서도, 자기 특성의 점에서, 바람직하게는, 합금체, 보다 바람직하게는, Fe계 합금, 더 바람직하게는, 센더스트(Fe-Si-Al 합금)를 들 수 있다. 또한, 연자성체로서, 바람직하게는, 단일 금속체, 보다 바람직하게는, 철 원소를 순물질의 상태로 포함하는 단일 금속체, 더 바람직하게는, 철 단체, 혹은 철분(카보닐 철분)을 들 수 있다.
입자(8)의 형상으로서는, 이방성의 관점에서, 예를 들어, 편평상(판상), 침상 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 면방향(이차원)으로 비투자율이 양호한 관점에서, 편평상을 들 수 있다. 한편, 자성층(3)은, 이방성 자성 입자(8)에 더하여, 비이방성 자성 입자를 추가로 함유할 수도 있다. 비이방성 자성 입자는, 예를 들어, 구상, 과립상, 괴상, 펠릿상 등의 형상을 갖고 있어도 된다. 비이방성 자성 입자의 평균 입자경은, 예를 들어, 0.1μm 이상, 바람직하게는, 0.5μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 200μm 이하, 바람직하게는, 150μm 이하이다.
한편, 편평상의 입자(8)의 편평률(편평도)은, 예를 들어, 8 이상, 바람직하게는, 15 이상이며, 또한, 예를 들어, 500 이하, 바람직하게는, 450 이하이다. 편평률은, 예를 들어, 입자(8)의 평균 입자경(평균 길이)(후술)을 입자(8)의 평균 두께로 나눈 어스펙트비로서 산출된다.
입자(8)(이방성 자성 입자)의 평균 입자경(평균 길이)은, 예를 들어, 3.5μm 이상, 바람직하게는, 10μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 200μm 이하, 바람직하게는, 150μm 이하이다. 입자(8)가 편평상이면, 그 평균 두께가, 예를 들어, 0.1μm 이상, 바람직하게는, 0.2μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 3.0μm 이하, 바람직하게는, 2.5μm 이하이다.
바인더(9)로서는, 예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지를 들 수 있다.
열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 열경화성 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 폴리유레테인 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 접착성, 내열성 등의 관점에서, 바람직하게는, 에폭시 수지, 페놀 수지를 들 수 있다.
열가소성 수지로서는, 예를 들어, 아크릴 수지, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 폴리카보네이트 수지, 폴리아마이드 수지(6-나일론, 6,6-나일론 등), 열가소성 폴리이미드 수지, 포화 폴리에스터 수지(PET, PBT 등) 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아크릴 수지를 들 수 있다.
바람직하게는, 바인더(9)로서, 열경화성 수지 및 열가소성 수지의 병용을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 아크릴 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 병용을 들 수 있다. 이것에 의해, 입자(8)를 소정의 배향 상태로, 또한, 고충전으로, 배선(2)의 주위에 보다 확실히 고정할 수 있다.
또한, 자성 조성물은, 필요에 따라서, 열경화 촉매, 무기 입자, 유기 입자, 가교제 등의 첨가제를 함유할 수도 있다.
자성층(3)에서는, 입자(8)가 바인더(9) 내에 배향하면서 균일하게 배치되어 있다.
자성층(3)은, 단면시에 있어서, 주변 영역(11)과, 외측 영역(12)을 갖는다.
주변 영역(11)은, 배선(2)의 주변 영역으로서, 복수의 배선(2)과 접촉하도록 복수의 배선(2)의 주위에 위치한다. 주변 영역(11)은, 배선(2)과 중심축선을 공유하는 단면시 대략 원환상을 갖는다. 보다 구체적으로는, 주변 영역(11)은, 자성층(3) 중, 배선(2)의 반경(배선(2)의 중심(무게중심)(C1)으로부터 외주면까지의 거리의 평균; R1+R2)의 1.5배치(바람직하게는, 1.2배치, 보다 바람직하게는, 1배치, 더 바람직하게는, 0.8배치, 특히 바람직하게는, 0.5배치), 배선(2)의 외주면으로부터 직경 방향 외측으로 나아간 영역이다.
주변 영역(11)은, 복수의 배선(2)의 각각의 주위, 즉, 제 1 배선(4) 및 제 2 배선(5)의 주위에 배치되어 있다.
주변 영역(11)은, 각각, 복수(2개)의 제 1 영역(13)과, 복수(2개)의 제 2 영역(14)을 구비한다.
복수의 제 1 영역(13)은, 원주 방향 배향 영역이다. 즉, 제 1 영역(13)에서는, 입자(8)가 배선(2)(제 1 배선(4)또는 제 2 배선(5))의 원주 방향(외주 방향)을 따라 배향한다.
복수의 제 1 영역(13)은, 배선(2)의 상측(제 3 방향 일방측) 및 하측(제 3 방향 타방측)에, 배선(2)의 중심(C1)을 끼고 서로 대향 배치되어 있다. 즉, 복수의 제 1 영역(13)은, 배선(2)의 상측에 배치되는 상측 제 1 영역(15)과, 배선(2)의 하측에 배치되는 하측 제 1 영역(16)을 구비한다. 또한, 상측 제 1 영역(15)과 하측 제 1 영역(16)의 상하 방향 중앙에, 배선(2)의 중심(C1)이 위치한다.
각각의 제 1 영역(13)에서는, 입자(8)의 비투자율이 높은 방향(예를 들어, 편평상 이방성 자성 입자에서는, 입자의 면방향)이, 배선(2)의 중심(C1)을 중심으로 한 원의 접선과 대략 일치한다.
보다 구체적으로는, 입자(8)의 면방향과, 그 입자(8)가 위치하는 원의 접선이 이루는 각도가, 15° 이하인 경우를, 입자(8)가 원주 방향으로 배향하고 있다고 정의한다.
제 1 영역(13)에 포함되는 입자(8) 전체의 수에 대해서, 원주 방향으로 배향하고 있는 입자(8)의 수의 비율은, 예를 들어, 50%를 초과하고, 바람직하게는, 70% 이상, 보다 바람직하게는, 80% 이상이다. 즉, 제 1 영역(13)에서는, 원주 방향으로 배향하고 있지 않는 입자(8)를, 예를 들어, 50% 미만, 바람직하게는, 30% 이하, 보다 바람직하게는, 20% 이하 포함하고 있어도 된다. 복수의 제 1 영역(13)의 총 면적 비율은, 주변 영역(11) 전체에 대해서, 예를 들어, 40% 이상, 바람직하게는, 50% 이상, 보다 바람직하게는, 60% 이상이며, 또한, 예를 들어, 90% 이하, 바람직하게는, 80% 이하이다.
제 1 영역(13)의 원주 방향의 비투자율은, 예를 들어, 5 이상, 바람직하게는, 10 이상, 보다 바람직하게는, 30 이상이며, 또한, 예를 들어, 500 이하이다. 직경 방향의 비투자율은, 예를 들어, 1 이상, 바람직하게는, 5 이상이며, 또한, 예를 들어, 100 이하, 바람직하게는, 50 이하, 보다 바람직하게는, 25 이하이다. 또한, 직경 방향에 대한 원주 방향의 비투자율의 비(원주 방향/직경 방향)는, 예를 들어, 2 이상, 바람직하게는, 5 이상이며, 또한, 예를 들어, 50 이하이다. 비투자율이 상기 범위이면, 인덕턴스가 우수하다.
비투자율은, 예를 들어, 자성 재료 테스트 픽스처를 사용한 임피던스 애널라이저(Agilent사제, 「4291B」)에 의해 측정할 수 있다.
복수의 제 2 영역(14)은, 원주 방향 비배향 영역이다. 즉, 제 2 영역(14)에서는, 입자(8)가, 배선(2)의 원주 방향(외주 방향)을 따라 배향하고 있지 않다. 환언하면, 제 2 영역(14)에서는, 입자(8)가, 배선(2)의 원주 방향 이외의 방향(예를 들어, 제 1 방향이나 직경 방향)을 따라 배향하거나, 또는 배향하고 있지 않다.
복수의 제 2 영역(14)은, 배선(2)의 제 1 방향 일방측 및 타방측에, 배선(2)을 끼고 서로 대향 배치되어 있다. 즉, 복수의 제 2 영역(14)은, 배선(2)(제 1 배선(4) 또는 제 2 배선(5))의 제 1 방향 일방측에 배치되는 일방측 제 2 영역(17)과, 배선(2)의 제 1 방향 타방측에 배치되는 타방측 제 2 영역(18)을 갖는다. 일방측 제 2 영역(17)과 타방측 제 2 영역(18)은, 제 2 가상선(L3)을 기준으로 대략 선대칭이다.
한편, 제 2 가상선(L3)은, 제 1 배선(4) 또는 제 2 배선의 중심(C1)을 통과하고, 또한 상하 방향으로 연장되는 직선이다.
각각의 제 2 영역(14)에서는, 입자(8)의 비투자율이 높은 방향(예를 들어, 편평상 이방성 자성 입자에서는, 입자의 면방향)이, 배선(2)의 중심(C1)을 중심으로 한 원의 접선과 일치하지 않는다.
보다 구체적으로는, 입자(8)의 면방향과 그 입자(8)가 위치하는 원의 접선이 이루는 각도가, 15°를 초과하는 경우를, 입자(8)가 원주 방향으로 배향하고 있지 않다고 정의한다.
제 2 영역(14)에 포함되는 입자(8) 전체의 수에 대해서, 원주 방향으로 배향하고 있지 않는 입자(8)의 수의 비율은, 50%를 초과하고, 바람직하게는, 70% 이상이며, 또한, 예를 들어, 95% 이하, 바람직하게는, 90% 이하이다.
제 2 영역(14)에서는, 예를 들어, 원주 방향으로 배향하는 입자(8)를 포함하고 있어도 된다. 제 2 영역(14)에 포함되는 입자(8) 전체의 수에 대해서, 원주 방향으로 배향하는 입자(8)의 수의 비율은, 50% 미만이고, 바람직하게는, 30% 이하이며, 또한, 예를 들어, 5% 이상, 바람직하게는, 10% 이상이다.
한편, 원주 방향으로 배향하는 입자(8)를 포함하는 경우, 바람직하게는, 그 원주 방향으로 배향하는 입자(8)는, 제 2 영역(14)의 최내측, 즉, 배선(2)의 표면에 배치되어 있다.
복수의 제 2 영역(14)의 총 면적 비율은, 주변 영역(11) 전체에 대해서, 예를 들어, 10% 이상, 바람직하게는, 20% 이상이며, 또한, 예를 들어, 60% 이하, 바람직하게는, 50% 이하, 보다 바람직하게는, 40% 이하이다.
제 2 영역(14)의 중심(C2)은, 제 1 가상선(L2) 상에 존재하지 않는다. 즉, 중심(C2)은, 제 1 가상선(L2)에 대해, 하측에 위치하고, 바람직하게는, 제 1 가상선(L2)에 대해, 반경(R)의 0.1배의 거리분, 하방에 위치하고, 보다 바람직하게는, 제 1 가상선(L2)에 대해, 반경(R)의 0.3배의 거리분, 하방에 위치한다. 보다 구체적으로는, 중심(C2)은, 제 1 가상선(L2)에 대해, 바람직하게는, 10μm 하방, 보다 바람직하게는, 30μm 하방에 위치한다.
또한, 제 2 영역(14)의 중심(C2)은, 제 1 가상선(L2)과 제 2 가상선(L3)의 사이에 위치한다. 즉, 제 2 영역(14)의 중심(C2)은, 제 1 가상선(L2) 및 제 2 가상선(L3)의 어느 선 상에 존재하지 않는다.
한편, 제 2 영역(14)의 중심(C2)은, 제 2 영역(14)에 있어서, 원주 방향 일단과 원주 방향 타단을 맺는 가상 원호(L1)의 중심이다. 보다 구체적으로는, 제 2 영역(14)의 중심(C2)은, 제 2 영역(14)에 있어서, 원주 방향 일단연의 직경 방향 중심과, 원주 방향 타단연의 직경 방향 중심을 맺는 가상 원호(L1)의 중심이다.
제 1 가상선(L2)은, 서로 이웃하는 복수의 배선(2)의 중심(C1)을 통과하여, 제 1 방향으로 연장되는 직선이다.
제 2 영역(14)에서는, 배향 방향이 상이한 적어도 2종류의 입자(8)에 의해 교차부(정부)(19)가 형성되어 있다. 즉, 제 2 영역(14) 내에 있어서 상대적으로 상측에 위치하고, 또한 배선(2)의 원주 방향에 있어서 제 2 영역(14)의 하단측을 향함에 따라 원주 방향으로부터 제 1 방향으로 배향하는 입자(8)(제 1 입자)와, 제 2 영역(14) 내에 있어서 상대적으로 하측(제 1 입자보다도 하측)에 위치하고, 또한 원주 방향에 있어서 제 2 영역(14)의 상단측을 향함에 따라 원주 방향으로부터 제 1 방향으로 배향하는 입자(8)(제 2 입자)가, 대략 삼각 형상의 적어도 두 변을 구성하고, 이것에 의해, 교차부(19)를 형성한다. 구체적으로는, 제 1 입자와, 제 2 입자는, 제 2 영역(14)의 내측에 있어서 원주 방향으로 배향하는 입자(8)(제3 입자)와 함께, 대략 삼각 형상(바람직하게는, 예각 삼각 형상)을 형성한다.
교차부(19)는, 제 1 배선(4) 및 제 2 배선(5)의 사이에 있어서, 그들의 중심을 통과하는 제 1 가상선(L2) 상에, 존재하지 않는다. 즉, 교차부(19)는, 제 1 가상선(L2)의 하측에, 가상 원호(L1)와 간격을 띄우는 위치에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 교차부(19)의 중심 및 배선(2)의 중심(C1)을 맺는 직선과, 제 1 가상선(L2)이 이루는 각도 θ는, 예를 들어, 15° 이상, 바람직하게는, 45° 이상이며, 또한, 예를 들어, 75° 이하, 바람직하게는, 60° 이하이다.
주변 영역(11)(특히, 제 1 영역(13) 및 제 2 영역(14)의 각각)에 있어서, 입자(8)의 충전율은, 예를 들어, 40체적% 이상, 바람직하게는, 45체적% 이상이며, 또한, 예를 들어, 90체적% 이하, 바람직하게는, 70체적% 이하이다. 충전율이 상기 하한 이상이면, 인덕턴스가 우수하다.
충전율은, 실 비중의 측정, SEM 사진 단면도의 2치화 등에 의해 산출할 수 있다.
주변 영역(11)에 있어서, 복수의 제 1 영역(13)과 복수의 제 2 영역(14)은, 원주 방향으로 서로 인접하도록 배치되어 있다. 구체적으로는, 상측 제 1 영역(15), 일방측 제 2 영역(17), 하측 제 1 영역(16) 및 타방측 제 2 영역(18)은, 원주 방향으로, 이 순서로 연속한다.
한편, 제 1 영역(13)과 제 2 영역(14)의 원주 방향에 있어서의 경계(일단연 또는 타단연)는, 배선(2)의 중심으로부터 직경 방향 외측으로 연장되는 가상 직선으로 한다.
외측 영역(12)은, 자성층(3) 중, 주변 영역(11) 이외의 영역이다. 외측 영역(12)은, 주변 영역(11)의 외측에 있어서, 주변 영역(11)과 연속하도록 배치되어 있다.
외측 영역(12)에서는, 입자(8)가 면방향(특히 제 1 방향)을 따라 배향하고 있다.
외측 영역(12)에서는, 입자(8)의 비투자율이 높은 방향(예를 들어, 편평상 이방성 자성 입자에서는, 입자의 면방향)이, 제 1 방향과 대략 일치한다. 보다 구체적으로는, 입자(8)의 면방향과 제 1 방향이 이루는 각도가, 15° 이하인 경우를, 입자(8)가 제 1 방향으로 배향하고 있다고 정의한다.
외측 영역(12)에서는, 외측 영역(12)에 포함되는 입자(8) 전체의 수에 대해서, 제 1 방향으로 배향하고 있는 입자(8)의 수의 비율이, 50%를 초과하고, 바람직하게는, 70% 이상, 보다 바람직하게는, 90% 이상이다. 즉, 외측 영역(12)에서는, 제 1 방향으로 배향하고 있지 않는 입자(8)를 50% 미만, 바람직하게는, 30% 이하, 보다 바람직하게는, 10% 이하 포함하고 있어도 된다.
외측 영역(12)에 있어서, 제 1 방향의 비투자율은, 예를 들어, 5 이상, 바람직하게는, 10 이상, 보다 바람직하게는, 30 이상이며, 또한, 예를 들어, 500 이하이다. 상하 방향의 비투자율은, 예를 들어, 1 이상, 바람직하게는, 5 이상이며, 또한, 예를 들어, 100 이하, 바람직하게는, 50 이하, 보다 바람직하게는, 25 이하이다. 또한, 상하 방향에 대한 제 1 방향의 비투자율의 비(제 1 방향/상하 방향)는, 예를 들어, 2 이상, 바람직하게는, 5 이상이며, 또한, 예를 들어, 50 이하이다. 비투자율이 상기 범위이면, 인덕턴스가 우수하다.
외측 영역(12)에 있어서, 입자(8)의 충전율은, 예를 들어, 40체적% 이상, 바람직하게는, 45체적% 이상이며, 또한, 예를 들어, 90체적% 이하, 바람직하게는, 70체적% 이하이다. 충전율이 상기 하한 이상이면, 인덕턴스가 우수하다.
또한, 주변 영역(11) 및 외측 영역(12)을 포함하는 복수의 배선(2) 사이에 있어서, 제 1 가상선(L2)을 포함하는 제 1 방향 배향 영역(10)이 형성되어 있다. 즉, 제 1 방향 배향 영역(10)은, 인덕터(1)를 제 1 방향 및 상하 방향을 따라 절단한 단면에 있어서, 복수의 배선(2) 사이에 위치하고, 제 1 가상선(L2)을 포함한다. 구체적으로는, 제 1 방향 배향 영역(10)은, 상하 방향 위치에 있어서 제 1 가상선(L2)을 중심으로 하고 있고, 상하 방향 길이가 도선(6)의 반경(R1)의 40%의 길이(바람직하게는, 50μm)인 영역이고, 또한, 입자(8)가 제 1 방향을 따라 배향하고 있는 영역으로 한다.
제 1 방향 배향 영역(10)에 포함되는 입자(8) 전체의 수에 대해서, 제 1 방향으로 배향하고 있는 입자(8)의 수의 비율은, 예를 들어, 85% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이다. 즉, 제 1 방향 배향 영역(10)에서는, 제 1 방향으로 배향하고 있지 않는 입자(8)를, 예를 들어, 15% 이하, 바람직하게는, 10% 이하, 보다 바람직하게는, 5% 이하 포함하고 있어도 된다.
한편, 제 1 방향 배향 영역(10)의 제 1 방향 일방측 및 타방측에 인접하는 영역에서는, 입자(8)는, 제 1 방향으로 배향하고 있지 않다.
제 1 방향 배향 영역(10)의 제 1 방향 거리(N)는, 예를 들어, 500μm 이하, 바람직하게는, 400μm 이하, 보다 바람직하게는, 300μm 이하이며, 또한, 예를 들어, 10μm 이상, 바람직하게는, 40μm 이상이다.
제 1 방향 배향 영역(10)의 제 1 방향 거리(N)는, 배선 사이의 간격(S)에 대해서, 60% 이하이고, 바람직하게는, 50% 이하이며, 더 바람직하게는, 30% 이하이고, 또한, 예를 들어, 5% 이상이다. 상기 비율(N/S×100%)이 상기 상한 이하이면, 배선(2) 사이의 크로스토크를 억제할 수 있다.
자성층(3)의 제 1 방향 길이(T1)는, 예를 들어, 5mm 이상, 바람직하게는, 10mm 이상이며, 또한, 예를 들어, 5000mm 이하, 바람직하게는, 2000mm 이하이다.
자성층(3)의 제 2 방향 길이(T2)는, 예를 들어, 5mm 이상, 바람직하게는, 10mm 이상이며, 또한, 예를 들어, 5000mm 이하, 바람직하게는, 2000mm 이하이다.
자성층(3)의 상하 방향 길이(두께)(T3)는, 예를 들어, 100μm 이상, 바람직하게는, 200μm 이상이며, 또한, 예를 들어, 2000μm 이하, 바람직하게는, 1000μm 이하이다.
2. 인덕터의 제조 방법
도 3A-B를 참조하여, 인덕터(1)의 제조 방법의 일 실시형태에 대해 설명한다. 인덕터(1)의 제조 방법은, 예를 들어, 준비 공정, 배치 공정 및 적층 공정을 순차로 구비한다.
준비 공정에서는, 복수의 배선(2), 및 2개의 이방성 자성 시트(20)를 준비한다.
2개의 이방성 자성 시트(20)는, 각각, 면방향으로 연장되는 시트상을 갖고, 자성 조성물로부터 형성되어 있다. 이방성 자성 시트(20)에서는, 입자(8)가, 면방향으로 배향되어 있다. 바람직하게는, 2개의 반경화 상태(B 스테이지)의 이방성 자성 시트(20)를 이용한다.
이와 같은 이방성 자성 시트(20)로서는, 일본 특허공개 2014-165363호, 일본 특허공개 2015-92544호 등에 기재된 연자성 열경화성 접착 필름이나 연자성 필름 등을 들 수 있다.
배치 공정에서는, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 한쪽의 이방성 자성 시트(20)의 상면에 복수의 배선(2)을 배치함과 함께, 복수의 배선(2)의 상방에, 다른 쪽의 이방성 자성 시트(20)를 대향 배치한다.
구체적으로는, 하측 이방성 자성 시트(21)를 수평대에 재치하고, 계속해서, 하측 이방성 자성 시트(21)의 상면에 복수의 배선(2)을 제 1 방향으로 원하는 간격을 띄워 배치한다.
그 다음에, 상측 이방성 자성 시트(22)를, 하측 이방성 자성 시트(21) 및 복수의 배선(2)의 상측에, 간격을 띄워 대향 배치한다.
적층 공정에서는, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 복수의 배선(2)을 매설하도록, 2개의 이방성 자성 시트(20)를 적층한다.
구체적으로는, 상측 이방성 자성 시트(22)를 하측을 향해 압압(押壓)한다.
이 때, 2개의 이방성 자성 시트(20)가 반경화 상태인 경우는, 압압에 의해, 복수의 배선(2)은, 하측 이방성 자성 시트(21) 내로 약간 가라앉고, 가라앉은 부분에 있어서, 입자(8)가 복수의 배선(2)을 따라 배향한다. 즉, 하측 제 1 영역(16)이 형성된다.
또한, 상측 이방성 자성 시트(22)는, 복수의 배선(2)을 따라 피복되고, 그 입자(8)가 복수의 배선(2)을 따라 배향함과 함께, 하측 이방성 자성 시트(21)의 상면에 적층된다.
즉, 배선(2)의 상측에서는, 상측 이방성 자성 시트(22)에 의해, 상측 제 1 영역(15)이 형성됨과 함께, 배선(2)의 제 1 방향 양측(측방)에서는, 하측 이방성 자성 시트(21)와 상측 이방성 자성 시트(22)의 접촉 부근에서, 이들에 배향하고 있는 입자(8)가 충돌하고, 그 결과, 제 2 영역(14)이나 교차부(19)가 형성된다.
한편, 이방성 자성 시트(20)가 반경화 상태인 경우는, 가열한다. 이것에 의해, 이방성 자성 시트(20)가 경화 상태(C 스테이지)가 된다. 또한, 2개의 이방성 자성 시트(20)의 접촉 계면(25)이 소멸하여, 2개의 이방성 자성 시트(20)는, 하나의 자성층(3)을 형성한다.
이것에 의해, 도 2에 나타내는 바와 같이, 단면시 대략 원 형상의 배선(2)과, 그것을 피복하는 자성층(3)을 구비하는 인덕터(1)가 얻어진다. 즉, 인덕터(1)는, 복수(2개)의 이방성 자성 시트(20)를, 배선(2)을 끼도록, 적층하여 이루어지는 것이다. 한편, 실제의 인덕터(1)의 일례의 단면도(SEM 사진)를 도 4에 나타낸다.
3. 용도
인덕터(1)는, 전자 기기의 일 부품, 즉, 전자 기기를 제작하기 위한 부품이며, 전자 소자(칩, 캐패시터 등)나, 전자 소자를 실장하는 실장 기판을 포함하지 않고, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.
인덕터(1)는, 예를 들어, 전자 기기 등에 탑재된다(짜넣어진다). 도시하지 않지만, 전자 기기는, 실장 기판과, 실장 기판에 실장되는 전자 소자(칩, 캐패시터 등)를 구비한다. 그리고, 인덕터(1)는, 땜납 등의 접속 부재를 개재시켜 실장 기판에 실장되고, 다른 전자 기기와 전기적으로 접속되어 코일 등의 수동 소자로서 작용한다.
그리고, 인덕터(1)에 의하면, 복수의 배선(2)과, 복수의 배선(2)을 피복하는 자성층(3)을 구비하기 때문에, 복수의 배선(2)의 주변에, 입자(8)가 원주 방향을 따라 용이하게 배향할 수 있다. 따라서, 입자(8)의 자화 용이축이 배선 주위에 발생하는 자력선의 방향과 동일해지기 때문에, 인덕턴스를 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 가상선(L2)과 중복되도록, 입자(8)가 제 1 방향을 따라 배향하는 제 1 방향 배향 영역(10)이 형성되어 있고, 제 1 방향 배향 영역(10)의 제 1 방향의 거리(N)가, 제 1 가상선(L2) 상의 배선(2) 사이의 간격(S)에 대해서 50% 이하이다. 즉, 제 1 방향을 따라 흐르는 자속의 통로인 배선(2) 사이의 스페이스에 있어서, 제 1 방향 배향 영역(10)의 거리(N)가, 그 이외의 거리(즉, 제 1 방향 배향 영역(10)의 양측에 위치하는, 입자(8)가 제 1 방향으로 배향하고 있지 않는 영역)보다도 짧아지고 있다. 따라서, 한쪽의 배선(2)(제 1 배선(4) 또는 제 2 배선(5))으로부터 다른 쪽의 배선(제 2 배선(5) 또는 제 1 배선(4))으로의 자기에 관한 영향을 저감할 수 있어, 크로스토크를 억제할 수 있다.
또한, 인덕터(1)에서는, 복수의 배선(2)의 주변 영역(11)에는, 각각, 원주 방향 배향 영역인 제 1 영역(13)을 갖는다. 따라서, 인덕턴스를 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터(1)에서는, 복수의 배선(2)의 주변 영역(11)에는, 각각, 원주 방향 비배향 영역인 제 2 영역(14)을 갖는다. 따라서, 입자(8)의 자화 곤란축이 배선 주위에 발생하는 자력선의 방향과 동일해지기 때문에, 직류 중첩 특성이 양호하다.
또한, 제 2 영역(14)에 있어서의 중심(C2)이, 제 1 가상선(L2) 상에 존재하지 않는다. 따라서, 자속이 제 2 영역(14)을 경유하여 제 1 배선(4)으로부터 제 2 배선(5)에 도달하는 거리를 길게 할 수 있다. 즉, 배선(2) 사이의 자속이 통과하는 거리를 실질적으로 길게 할 수 있다.
따라서, 제 1 배선(4)으로부터 제 2 배선(5)으로의 자기에 관한 영향을 저감할 수 있어, 크로스토크를 보다 한층 억제할 수 있다.
＜변형예＞
이하에, 도 1A-도 2에 나타내는 일 실시형태의 변형예에 대해 설명한다. 한편, 변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 마찬가지의 부재에는, 마찬가지의 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이들 변형예에 대해서도, 상기한 일 실시형태 등과 같은 작용 효과를 발휘한다.
도 2에 나타내는 실시형태에서는, 제 2 영역(14)에 있어서의 중심(C2)이, 제 1 가상선(L2) 상에 존재하지 않지만, 예를 들어, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 2 영역(14)에 있어서의 중심(C2)이, 제 1 가상선(L2) 상에 존재해도 된다.
즉, 도 5에 나타내는 실시형태는, 제 1 가상선(L2)을 기준으로, 대략 선대칭이다.
바람직하게는, 크로스토크를 보다 한층 저감할 수 있는 관점에서, 도 1A-도 2에 나타내는 실시형태를 들 수 있다.
도 2에 나타내는 실시형태에서는, 배선(2)은, 단면시 대략 원 형상을 갖지만, 그 단면시 형상은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 도시하지 않지만, 대략 타원 형상, 대략 직사각 형상(정방형 및 장방형상을 포함한다), 대략 부정형상이어도 된다. 한편, 배선(2)이 대략 직사각 형상을 포함하는 태양으로서, 적어도 1개의 변이 만곡되어도 되고, 또한, 적어도 1개의 각이 만곡되어도 된다.
상기의 어느 것에 있어서도, 주변 영역(11)은, 단면시에 있어서, 배선(2)의 중심(C1)으로부터 배선(2)의 외주면까지의 최장 길이 및 최단 길이의 평균([최장 길이+최단 길이]/2)의 1.5배치, 배선(2)의 외주면으로부터 외측으로 나아간 영역이다.
도 1A-B에 나타내는 실시형태에서는, 2개의 배선(2)을 구비하고 있지만, 그 수는, 한정되지 않고, 3개 이상으로 할 수도 있다.
도 1A-B에 나타내는 실시형태에서는, 각 배선(2)은, 평면시 대략 U자 형상을 갖고 있지만, 그 형상은 한정되지 않고, 적절히 설정된다.
도 1A-B에 나타내는 실시형태에 있어서, 자성층(3)이 얼라인먼트 마크를 가질 수도 있다.
도 1A-B에 나타내는 실시형태에 있어서, 자성층(3)에 있어서의 이방성 자성 입자(8)의 비율은, 자성층(3)에 있어서 한결같아도 되고, 또한, 각 배선(2)으로부터 멀어짐에 따라, 높아져도 되고, 혹은 낮아져도 된다.
본 발명의 인덕터는, 예를 들어, 전압 변환 부재 등의 수동 소자로서 이용할 수 있다.
1 인덕터
2 배선
3 자성층
6 도선
7 절연층
8 이방성 자성 입자
10 제 1 방향 배향 영역
13 제 1 영역
14 제 2 영역
C1 배선의 중심
C2 가상 원호의 중심
L2 제 1 가상선
2 배선
3 자성층
6 도선
7 절연층
8 이방성 자성 입자
10 제 1 방향 배향 영역
13 제 1 영역
14 제 2 영역
C1 배선의 중심
C2 가상 원호의 중심
L2 제 1 가상선
Claims (3)
- 복수의 배선과, 상기 복수의 배선을 피복하는 자성층을 구비하고,
상기 복수의 배선은, 제 1 방향에 있어서, 서로 간격을 띄워 배치되어 있고,
상기 복수의 배선은, 각각, 도선과, 상기 도선을 피복하는 절연층을 구비하고,
상기 자성층은, 이방성 자성 입자와, 바인더를 함유하고,
서로 이웃하는 상기 복수의 배선 사이에 있어서, 그들 배선의 중심을 통과하는 가상선을 포함하도록, 상기 이방성 자성 입자가 상기 제 1 방향을 따라 배향하는 제 1 방향 배향 영역이 형성되어 있고,
상기 제 1 방향 배향 영역의 거리가, 상기 가상선 상의 상기 배선 사이의 간격에 대해서 60% 이하인 것을 특징으로 하는, 인덕터. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 배선의 주위에는, 각각, 상기 이방성 자성 입자가 상기 배선의 외주 방향을 따라 배향하는 제 1 영역을 갖는 것을 특징으로 하는, 인덕터. - 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 배선의 주위에는, 각각, 상기 이방성 자성 입자가 상기 외주 방향을 따라 배향하지 않는 제 2 영역을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는, 인덕터.
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