CN101489931B

CN101489931B - 三氯硅烷制造装置

Info

Publication number: CN101489931B
Application number: CN2007800273543A
Authority: CN
Inventors: 石井敏由记; 伊藤秀男; 清水祐司
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: High Purity Silicon Co ltd
Priority date: 2006-10-31
Filing date: 2007-10-25
Publication date: 2012-01-11
Anticipated expiration: 2027-10-25
Also published as: US20090155138A1; EP2008969A1; EP2008969A4; JP5205910B2; US7998428B2; CN101489931A; WO2008053786A1; JP2008133175A

Abstract

一种三氯硅烷制造装置，具备：反应容器，在内部被供给包括四氯化硅和氢的供给气体，生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体；加热机构，将反应容器的内部加热；收纳容器，收纳反应容器及加热机构；气体供给内筒，将供给气体供给到反应容器内；气体排气外筒，大致同轴地配设在气体供给内筒的外侧，在气体供给内筒的外周面与自己的内周面之间形成有反应生成气体的排气流路；冷却筒，通过内侧支承气体排气外筒，在内部形成有使冷媒流通的冷媒路径。

Description

三氯硅烷制造装置

技术领域

本发明涉及将四氯化硅转换为三氯硅烷的三氯硅烷制造装置。

本发明基于2006年10月31日在日本提出申请的特愿2006-297033号以及2007年10月16日在日本提出申请的特愿2007-268618号主张优先权，这里援用其内容。

背景技术

作为用来制造高纯度硅(Si：硅)的原料使用的三氯硅烷(SiHCl₃)可以通过使四氯化硅(SiCl₄：四氯化硅)与氢反应转换来制造。

即，硅通过基于以下的反应式(1)(2)的三氯硅烷的还原反应和热分解反应生成，三氯硅烷通过基于以下的反应式(3)的转换反应生成。

SiHCl₃+H₂→Si+3HCl ......(1)

4SiHCl₃→Si+3SiCl₄+2H₂ ......(2)

SiCl₄+H₂→SiHCl₃+HCl ......(3)

作为制造该三氯硅烷的装置，例如在专利文件1(特许第3781439号公报)中，提出了下述反应器：被发热体包围的反应室为具有由同心配置的两个管形成的外室和内室的双层室设计，经由设在该反应室的下部的热交换器对反应室从下方供给氢与四氯化硅的供给气体，并且将反应生成气体从反应室的下方排出。在该反应器中，在上述热交换器中，被供给到反应室中的供给气体被从由反应室排出的反应生成气体传递热而被预热，并且进行排出的反应生成气体的冷却。

发明内容

在上述以往的技术中，存在以下的问题。

在上述以往的三氯硅烷的制造装置中，通过与由设在反应室的下部的热交换器供给的供给气体热交换来进行反应生成气体的冷却，但是基于上述反应式(3)的四氯化硅向三氯硅烷的转换反应如果不将排出的反应生成气体迅速冷却则也会发生恢复为原来物质的逆反应。因此，在以往那样的基于气体彼此的热交换进行的冷却中，迅速冷却效果较低，有向三氯硅烷的转换率降低的不良情况。

本发明是鉴于上述问题而做出的，目的是提供一种能够高效地迅速冷却反应生成气体并使转换效率提高的三氯硅烷制造装置。

本发明为了解决上述问题，采用了以下的结构。

本发明的三氯硅烷制造装置具备：反应容器，在内部被供给包括四氯化硅和氢的供给气体，生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体；加热机构，将上述反应容器的内部加热；收纳容器，收纳上述反应容器及上述加热机构；气体供给内筒，将上述供给气体供给到上述反应容器内；气体排气外筒，大致同轴地配设在上述气体供给内筒的外侧，在上述气体供给内筒的外周面与自己的内周面之间形成有上述反应生成气体的排气流路；冷却筒，通过内侧支承上述气体排气外筒，在内部形成有使冷媒流通的冷媒路径。

在该三氯硅烷制造装置中，由于配设在气体供给内筒的外侧的气体排气外筒被支承在内部形成有冷媒路径的冷却筒的内侧，所以被从反应容器排出而高温状态的反应生成气体在气体排气外筒的内侧的排气流路中流动而排出时，被外侧的冷却筒迅速冷却，并且在与流过内侧的气体供给内筒的供给气体之间经由气体供给内筒的较大的圆筒表面进行热交换而被进一步冷却。即，通过基于冷却筒的冷却及基于与供给气体的热交换的冷却的两种效果，将反应生成气体急剧地冷却并排出，所以能够抑制转换的逆反应而维持稳定的转换反应，提高转换率。

上述三氯硅烷制造装置也可以具备对上述收纳容器内供给氩气的氩气供给机构。在该三氯硅烷制造装置中，由于通过氩气供给机构将氩气供给到收纳容器内，所以通过用氩气使反应容器周围成为加压状态，能够防止供给气体或反应生成气体从反应容器泄漏。由此，能够防止从反应容器泄漏的供给气体或反应生成气体与在反应容器外侧的加热机构等中使用的碳反应。此外，通过由氩气供给机构对气体排气外筒的周围也供给氩气，能够将气体排气外筒进一步冷却，也能够进一步促进在内侧流通的反应生成气体的迅速冷却。

上述三氯硅烷制造装置也可以是，在上述反应容器的内部形成有反应流路，所述反应流路是使被大致同心配置的内径不同的多个反应筒壁分隔的多个小空间通过交替形成在这些反应筒壁的下部与上部上的流通用贯通部从内侧开始依次成为连通状态而形成的；在该反应流路上连接着上述气体供给内筒及气体排气外筒。在该三氯硅烷制造装置中，被供给到反应筒壁内的反应流路中的供给气体一边被加热一边经由流通用贯通部依次流动到隔着反应筒壁的外侧或内侧的小空间中并反应而成为反应生成气体。此时，由于在上述各反应筒壁上从内侧开始依次在上部和下部交替地形成有流通用贯通部，所以气体每当移动到外侧或内侧的小空间中时就从下部向上部、从上部向下部交替地反复改变流动方向。因而，能够在反应容器内确保较长的反应流路并通过多个反应筒壁增大传热面积，由此能够确保为了供给气体反应而需要的足够的保持时间及加热，能够使转换率进一步提高。此外，通过反应流路沿上下折回而连续地构成，能够使反应容器整体小型化，并且能够使反应容器整体的热放散降低。

在此情况下，作为流通用贯通部，除了后述的实施方式中的形成在反应筒壁上的贯通孔以外，还包括形成在反应筒壁的上端部或下端部上的切口等。

上述三氯硅烷制造装置也可以是，在上述多个小空间中的最内侧的小空间上连通着上述气体供给内筒，并且在最外侧的小空间上连接着上述排气流路。在该三氯硅烷制造装置中，由于在反应流路中的最内侧的小空间上连通着气体供给内筒，并且在最外侧的小空间上连接着排气流路，所以通过加热机构成为最高温状态的反应生成气体被从最外侧的小空间向气体排气外筒内的排气流路导引。因而，通过将成为最高温状态的反应生成气体在气体排气外筒内迅速冷却，能够得到更急剧的冷却作用，能够得到稳定的转换反应。

在上述三氯硅烷制造装置中，也可以是，上述气体供给内筒及上述气体排气外筒配置在上述反应容器的上方；上述反应容器的底板的中央部受朝上突出到上述收纳容器内的支承柱从下方支承。

通过做成这样的结构，由于反应容器的底板被支承柱部件以从收纳容器的内底面浮起的状态支承，所以在此期间成为隔热空间，并且能够通过该底板的挠曲吸收反应容器的壁的热膨胀。上述反应容器的底板也可以是记载在后述的实施方式中的下部支承圆板。

此外，上述三氯硅烷制造装置也可以是，构成反应容器的部件由碳形成。

进而，上述三氯硅烷制造装置也可以是，上述碳的表面用碳化硅涂层。在该三氯硅烷制造装置中，由于由用碳化硅(SiC)涂层的碳构成反应容器，所以能够防止碳与供给气体及反应生成气体中的氢、氯硅烷及氯化氢(HCl)反应、生成甲烷、甲基氯硅烷、碳化硅等而成为不纯物，能够得到纯度较高的三氯硅烷。

根据本发明，发挥以下的效果。

根据有关本发明的三氯硅烷制造装置，由于配设在气体供给内筒的外侧的气体排气外筒被支承在内部形成有冷媒路径的冷却筒的内侧，所以通过基于冷却筒的冷却及基于与供给气体的热交换的冷却的两种效果，将反应生成气体急剧地冷却，能够抑制转换的逆反应而以高转换率得到三氯硅烷。

附图说明

图1是表示有关本发明的三氯硅烷制造装置的一实施方式的简略的剖视图。

具体实施方式

以下，参照图1说明有关本发明的三氯硅烷制造装置的一实施方式。

本实施方式的三氯硅烷制造装置如图1所示，具备：反应容器1，将四氯化硅和氢的供给气体供给到内部并通过转换反应生成三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体；加热机构2，配设在反应容器1的周围而将该反应容器1加热；隔热部件3，覆盖反应容器1及加热机构2的周围而配设；收纳容器5，收纳反应容器1、加热机构2及隔热部件3；气体供给内筒6，设在反应容器1上、从上部将供给气体供给到该反应容器1内；气体排气外筒8，以相同的中心轴配设在气体供给内筒6的外侧，在气体供给内筒6的外周面与自己的内周面之间形成有从反应容器1排出的反应生成气体的排气流路7；冷却筒9，在内侧支承气体排气外筒8，在内部形成有使水(冷媒)流通的冷媒路径4；和氩气供给机构10，对收纳容器5内供给氩气(Ar)。

上述反应容器1具备用来将其内部空间划分为多个小空间11a～11d的内径不同的圆筒状的第1～第4反应筒壁12a～12d。即，反应容器1内的空间(比最外侧的第4反应筒壁12d靠内侧的空间)被3个第1～第3反应筒壁12a～12c分隔为中央一个圆柱状的小空间11a、和其外侧3个圆筒状的小空间11b～11d。此外，在作为最内侧的第1反应筒壁12a的内侧空间的圆柱状的小空间11a的上部连通着气体供给内筒6，并且在最外侧的小空间11d上连接着排气流路7。

此外，在这些第1～第3反应筒壁12a～12c上，从内侧开始依次在下部与上部交替地形成有流通用贯通孔13。即，在第1反应筒壁12a上，在下部沿周向形成有多个流通用贯通孔13，在第2反应筒壁12b上，在上部沿周向形成有多个流通用贯通孔13。此外，在第3反应筒壁12c上，在下部沿周向形成有多个流通用贯通孔13。并且，由这些流通用贯通孔13构成使各小空间11a～11d从内侧开始依次成为连通状态的反应流路30。

因而，进行设定，以使被供给到第1反应筒壁12a的内侧的小空间11a中的供给气体一边被加热一边经由多个流通用贯通孔13依次流动到外侧的小空间11b～11d中并反应而生成反应生成气体。此外，设定为，通过气体从内侧依次流过在反应筒壁12a～12c的上部和下部交替地配合的流通用贯通孔13之间，气体的流动方向反复变化为上方向和下方向。另外，在图中，将气体的流动方向用箭头表示。

上述第1～第3反应筒壁12a～12c的下部嵌入支承在下部支承圆板14的环状槽31中，并且上部被上部支承圆板15固定。在该上部支承圆板15的上部固定着气体供给内筒6的下端。此外，在上部支承圆板15上形成有中心孔32，第1反应筒壁12a的内侧的小空间11a与气体供给内筒6经由该中心孔32连通。上述下部支承圆板14的中央支承在支承柱部件16上。该支承柱部件16从构成收纳容器5的底板的底部支承部件23的中央朝上突出，在其上端上支承着上述下部支承圆板14的中央部，所以该下部支承圆板14成为从底部支承部件23浮起的状态。

上述第4反应筒壁12d形成得比第1～第3反应筒壁12a～12c高一些，其下部嵌入支承在下部支承圆板14的环状槽31中，并且上部固定在圆环状的上部圆环板17上。该上部圆环板17隔开间隔配设在上部支承圆板15的上方，在与上部支承圆板15之间水平地形成扁平的联系流路33。进而，在上部圆环板17上，固定着气体排气外筒8的下端。另外，气体排气外筒8的下端开口部与上部圆环板17的中央开口部17a的内径设定为相同，配设为使相互的开口部一致。因而，上部支承圆板15与上部圆环板17之间的联系流路33经由上部圆环板17的中央开口部17a连接到排气流路7。

上述气体供给内筒6的上端部向设在冷却筒9的上部的供给气体导入部18内开口。在该供给气体导入部18内，连接着供给气体导入管19，将来自供给气体的供给源(图示略)的供给气体从供给气体导入管19经由供给气体导入部18供给到气体供给内筒6内。

上述气体排气外筒8的上端开口部从冷却筒9的上端部隔开既定间隔配设，在其上部连接着气体排气管20，来自气体排气外筒8的上端开口部的反应生成气体经由冷却筒9的上部从气体排气管20向外部排出。

构成反应容器1的部件在本实施方式的情况下，第1～第4反应筒壁12a～12d、下部支承圆板14、上部支承圆板15及上部圆环板17、气体供给内筒6、和气体排气外筒8分别由碳形成，并且在该碳的表面上涂层有碳化硅。

上述收纳容器5具有配置在隔热部件3的半径方向外侧的筒状壁34、和一体地设在该筒状壁34的上端的锥部35，是与其内侧的隔热部件3一起包围上述反应容器1的部件，上述冷却筒9一体地设在锥部35的上端上。上述收纳容器5及上述冷却筒9是不锈钢制。

上述加热机构2具备配设在反应容器1的周围以使其包围反应容器1的作为发热体的加热器部21、和连接在该加热器部21的下部上、用来使电流流到加热器部21中的电极部22。该电极部22连接在未图示的电源上。上述加热器部21由碳形成。此外，加热机构2进行加热控制以使反应容器1内成为800℃～1400℃的范围内的温度。另外，如果将反应容器1内设定为1200℃以上，则转换率提高。此外，也可以导入乙硅烷类而将硅烷类取出。

上述隔热部件3例如由碳形成，具备配置在上述收纳容器5的筒状壁34的内侧的筒状壁36、和将该筒状壁36的上端与上述气体排气外筒8之间堵塞的顶板部37，将下部支承在圆板状的底部支承部件23上。该底部支承部件23构成由隔热部件3包围的空间的底部，并且还兼作为收纳容器5的底部。在此情况下，隔热部件3的筒状壁36配置为，使其隔开一些间隙大致内贴在收纳容器5的筒状壁34上，但隔热部件3的顶板部37在上述收纳容器5的锥部35及气体排气外筒8之间形成有圆锥环状的空间38。该隔热部件3并不是相对于由该隔热部件3包围的空间具有严密的气密构造的结构。

另外，在上述上部圆环板17的下表面上，固定有突出到反应流路30中的最外侧的小空间11d内的温度传感器S。一边通过该温度传感器S测量温度一边通过加热机构2进行温度控制。

上述氩气供给机构10具备贯通底部支承部件23而前端突出到收纳容器5内(在图1的例子中是被隔热部件3包围的空间内)的氩气供给管24、和连接在氩气供给管24上的氩气供给源25。另外，该氩气供给机构10进行氩气的供给控制，以使收纳容器5内成为既定的加压状态。此外，被供给到收纳容器5内的氩气也被供给到从收纳容器5的上部突出到内部的气体排气外筒8的下部周围(上述圆锥环状的空间38)中。另外，在收纳容器5的上部，连接有用来进行内部环境气体的置换及氩气的排气的容器用泵P1。

这样，在本实施方式中，由于配设在反应容器1上的气体供给内筒6的外侧的气体排气外筒8被支承在水冷的冷却筒9的内侧，所以在从反应容器1排出的高温状态的反应生成气体在气体排气外筒8的内侧的排气流路7中流动而排出时，被外侧的冷却筒9迅速冷却，并且在与流过内侧的气体供给内筒6的供给气体之间经由气体供给内筒6的较大的圆筒表面进行热交换，被进一步冷却。

即，通过基于冷却筒9的冷却及基于与供给气体的热交换的冷却的两个效果，将反应生成气体迅速地冷却并排出，所以能够抑制转换的逆反应而维持稳定的转换反应，能够提高转换率。此外，在本实施方式的三氯硅烷制造装置中，气体彼此的热交换机构一体化地设在反应容器1的上部上，能够使整体小型化。

此外，由于通过氩气供给机构10将氩气供给到收纳容器5内，所以通过用氩气使反应容器1周围成为加压状态，能够防止供给气体或反应生成气体从反应容器1泄漏。由此，能够防止从反应容器1泄漏的供给气体或反应生成气体与在反应容器1外侧的加热机构2等中使用的碳反应。进而，也可以通过氩气供给机构10对气体排气外筒8的周围也供给氩气，将气体排气外筒8进一步冷却，也可以进一步促进在内侧流通的反应生成气体的迅速冷却。

另外，在将氩气作为吹扫用气体供给的情况下，通过氩气供给机构10从收纳容器5的下部供给氩气，所以通过加热器21的加热朝上生成自然对流。并且，通过从连接在收纳容器5上部的容器用泵P1吸引，吹扫用气体从下向上顺利地流动并穿过，由此能够得到较高的吹扫效果。

此外，由于在第1～第3反应筒壁12a～12c中，从内侧开始依次在下部和上部交替地形成有流通用贯通孔13，所以气体每当移动到反应流路30的外侧时就从下部向上部、从上部向下部交替地改变流动方向。因而，通过在反应容器1内确保较长的反应流路30并且用多个第1～第4反应筒壁12a～12d增大传热面积，能够确保为了供给气体反应而需要的足够的保持时间及加热，能够进一步提高转换率。此外，通过反应流路30沿上下折回而连续地构成，能够使反应容器1整体小型化，并且能够使反应容器1整体的热放散变低。

进而，由于在第1反应筒壁12a的上部连通有气体供给内筒6，并且在反应容器30的最外侧的小空间11d上连接着排气流路7，所以通过加热机构2成为最高温状态的反应生成气体被从最外侧的小空间11d向气体排气外筒8内的排气流路7导引。因而，通过将成为最高温状态的反应生成气体在气体排气外筒8内迅速冷却，能够得到更急剧的冷却作用，能够得到稳定的转换反应。

各反应筒壁12a～12d在来自加热机构2的热的作用下发生热膨胀，特别是，最接近于加热机构2的外侧的第4反应筒壁12d的热膨胀变大。在此情况下，从下方支承这些反应筒壁12a～12d的下部支承圆板14将其中央部支承在支承柱部件16上，其支承部分的周围成为从底部支承部件23浮起的状态，所以成为以支承柱部件16为中心的挠曲变形较容易的状态。因而，对于反应筒壁12a～12d的热膨胀，通过下部支承圆板14挠曲变形，能够吸收其应力。

另一方面，反应筒壁12a～12d的上端从第1反应筒壁12a到第3反应筒壁12c抵接在上部支承圆板15上、第4反应筒壁12d抵接在上部圆环板17上，将各反应筒壁12a～12d的热膨胀分散到上部支承圆板15和上部圆环板17的两处来承受。其中，上部支承圆板15与下部支承圆板14同样，在中央部被支承的状态下外周部成为自由的状态，挠曲变形较容易。由于上部圆环板17固定在隔热部件3的表面上，所以第4反应筒壁12d的热膨胀主要通过下部支承圆板14的挠曲变形吸收，而如果使用具有缓冲性的部件作为隔热部件3，则与下部支承圆板14的挠曲变形一起，通过隔热部件3的变形也能够吸收热膨胀。

这样，能够通过上下的支承圆板14、15的挠曲变形等高效地吸收反应筒壁12a～12d的热膨胀，并上部支承圆板15与上部圆环板17分散地承受应力，能够防止裂纹等的发生。此外，随着反应筒壁12a～12d的热膨胀，这些反应筒壁12a～12d与上下的支承圆板14、15及上部圆环板17的紧贴力变得更强，自密封效果变高而防止各小空间12a～12d之间的气体的泄漏，能够提高作为较长的反应流路30的可靠性。

由于下部支承圆板14从底部支承部件23浮起，所以还添加了此期间中的空间的隔热作用，能够发挥较高的隔热性。

此外，由于通过由碳化硅涂层的碳构成反应容器1的结构部件(第1～第4反应筒壁12a～12d、下部支承圆板14、上部支承圆板15、上部圆环板17、气体供给内筒6及气体排气外筒8)，所以能够防止碳与供给气体及反应生成气体中的氢、氯硅烷及氯化氢(HCl)反应、生成甲烷、甲基氯硅烷、碳化硅等而成为不纯物，能够得到纯度较高的三氯硅烷。

本发明的技术范围并不限于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够加以各种变更。

例如，在上述实施方式中，使用了4个第1～第4反应筒壁12a～12d，但也可以采用3或5以上反应筒壁。另外，如果反应筒壁的个数较多，则传热面积增加而能量效率变高，另一方面加热机构2的辐射热变得难以向内侧传递而加热效果降低，所以反应筒壁根据气体流量及装置整体的大小而设定为适当的个数。

此外，也可以在收纳容器5的壁内部形成使水等冷媒流通的冷媒路径、附加冷却机构。

进而，在相互的周面间形成流路的两反应筒壁的流通用贯通孔13也可以不仅在上下位置、相互在周向上也错开形成。在此情况下，能够使流通用贯通孔13之间的流路变得更长。此外，也可以不是贯通孔，而做成由形成在反应筒壁的上端部或下端部上的切口构成的结构。本发明的流通用贯通部是包括贯通孔、切口任一个的结构。

此外，做成了将反应筒壁12a～12d嵌入到下部支承圆板14的环状槽31中的结构，但该环状槽并不限于图1所示的截面矩形的结构，也可以通过使反应筒壁的端面为截面半圆形、环状槽也为截面半圆形的结构而能够进行一些转动，能够使下部支承圆板的挠曲变形变得平滑。

此外，该环状槽是具有将各反应筒壁以同心状对位配置的功能的结构，但也可以不形成该环状槽，而做成下部支承圆板的上表面为平坦面而载置反应筒壁、在各反应筒壁之间夹装用来约束相互位置关系的环状的间隔件的结构。

进而，在上述实施方式中，构成为，在反应容器的上方设置气体供给内筒和气体排气外筒，将供给气体供给到反应容器的上部、反应生成气体也从反应容器的上部排出，但也可以构成为，在反应容器的下方设置气体供给内筒和气体排气外筒，将供给气体供给到反应容器的下部、反应生成气体从反应容器的下部排出。

实施例

使用图1所示的三氯硅烷制造装置，在以下的实验条件下测量转换率。作为比较例，采用使图1所示的三氯硅烷制造装置中的供给气体的入口与出口相反、从气体排气管20供给供给气体、使反应生成气体从供给气体导入管19导出的结构。

作为实验条件，为改变了供给气体中的四氯化硅及氢的各投入流量、加热机构中的加热器部的加热温度的表1所示的实验条件1～3的3种。

[表1]

	实验条件1	实验条件2	实验条件3
				四氯化硅投入流量(L/min)	6	8	4
氢投入流量(L/min)	2400	2800	2000
				加热器部的加热温度(℃)	1200	1200	1100

在这3种条件中，利用质量流量控制器将供给气体的投入流量确保一定流量，利用气相色谱仪测量反应生成气体的组成。反应时间以流量、温度稳定的时点为基准为48小时。转换率是在其反应时间中投入的总四氯化硅被转换为三氯硅烷的比率(mol％)。结果如表2所示，在本发明的实施例的构成的情况下，与比较例相比转换率提高约40％。

[表2]

工业实用性

根据有关本发明的三氯硅烷制造装置，通过基于冷却筒的冷却及基于与供给气体的热交换的冷却的两个效果，能够将反应生成气体急剧地冷却，抑制转换的逆反应而以高转换率得到三氯硅烷。

Claims

1.一种三氯硅烷制造装置，其特征在于，

具备：

反应容器，在内部被供给包括四氯化硅和氢的供给气体，生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体；

加热机构，从上述反应容器的外侧对上述反应容器的内部进行加热；

收纳容器，收纳上述反应容器及上述加热机构；

气体供给内筒，将上述供给气体供给到上述反应容器内；

气体排气外筒，大致同轴地配设在上述气体供给内筒的外侧，在上述气体供给内筒的外周面与自己的内周面之间形成有上述反应生成气体的排气流路；

冷却筒，通过内侧支承上述气体排气外筒，在内部形成有使冷媒流通的冷媒路径。

2.如权利要求1所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

具备对上述收纳容器内供给氩气的氩气供给机构。

3.如权利要求1所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

在上述反应容器的内部形成有反应流路，所述反应流路是使被大致同心配置的内径不同的多个反应筒壁分隔的多个小空间通过交替形成在这些反应筒壁的下部与上部上的流通用贯通部从内侧开始依次成为连通状态而形成的；

在该反应流路上连接着上述气体供给内筒及气体排气外筒。

4.如权利要求3所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

在上述多个小空间中的最内侧的小空间上连通着上述气体供给内筒，并且在最外侧的小空间上连接着上述排气流路。

5.如权利要求1～4中任一项所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

上述气体供给内筒及上述气体排气外筒配置在上述反应容器的上方；

上述反应容器的底板的中央部受朝上突出到上述收纳容器内的支承柱部件从下方支承。

6.如权利要求1～4中任一项所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

构成上述反应容器的部件由碳形成。

7.如权利要求6所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

上述碳的表面用碳化硅涂层。

8.如权利要求5所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

构成上述反应容器的部件由碳形成。

9.如权利要求8所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

上述碳的表面用碳化硅涂层。

10.如权利要求2所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

在该反应流路上连接着上述气体供给内筒及气体排气外筒。

11.如权利要求10所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

12.如权利要求10或11所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

13.如权利要求10或11所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

构成上述反应容器的部件由碳形成。

14.如权利要求13所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

上述碳的表面用碳化硅涂层。

15.如权利要求12所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

构成上述反应容器的部件由碳形成。

16.如权利要求15所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，

上述碳的表面用碳化硅涂层。