CN101476125A - 一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法 - Google Patents

一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法 Download PDF

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黄东
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一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法。在特制的蚀刻机中，氯化铜蚀刻液中含氯化铜二水合物为150－200克/升，含盐酸为25－50毫升/升。在一定温度和压力下，通过循环系统用多个喷嘴均匀喷淋氯化铜蚀刻液到激光刻膜后版辊上，发生蚀刻反应，一价铜又与氯离子发生络合反应，这样就可实现了凹印版辊图案部分的蚀刻，而非图案部分被抗蚀性专用黑胶保护着。到一定的程度自动添加双氧水和盐酸，比例为1∶2－1∶3，一价铜与盐酸、双氧水会发生再生反应，实现氯化铜的再生，经过一定的蚀刻时间，最后得到激光刻膜凹印版辊。Cu+CuCl2→Cu2Cl2

Description

一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法
所属技术领域
本发明涉及一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法，适用于激光刻膜凹版印刷版辊制作的生产技术。
背景技术
目前，激光刻膜凹印版辊蚀刻制作时，采用三氯化铁进行蚀刻，是通过三氯化铁与铜的氧化-还原反应实现的。但是它存在缺陷：沉淀物多，废液处理困难，对环境污染严重；容易出现腐蚀不匀的现象；蚀刻液再生难度大。
发明内容
为了解决激光刻膜凹印版辊三氯化铁蚀刻存在的对环境污染严重，蚀刻效果不佳，难于再生的问题，本发明提供了一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法，该方法不仅蚀刻效果好，蚀刻液再生方便，而且对环境的污染也较小。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：氯化铜蚀刻液的主要物质是氯化铜、盐酸、双氧水、水，在特制的蚀刻机中，蚀刻液中含氯化铜二水合物为150-200克/升，含盐酸为25-50毫升/升。在一定温度和压力下，通过循环系统用多个喷嘴均匀喷淋氯化铜蚀刻液到激光刻膜后版辊上，发生蚀刻反应，一价铜又与氯离子发生络合反应，这样就可实现了凹印版辊图案部分的蚀刻，而非图案部分被抗蚀性专用黑胶保护着。到一定的程度自动添加双氧水和盐酸，比例为1：2-1：3，一价铜与盐酸、双氧水会发生再生反应，实现氯化铜的再生。经过一定的蚀刻时间，最后得到激光刻膜凹印版辊。
本发明的有益效果是，为制作激光刻膜凹印版辊提供了更加好的方法，进一步提升了激光刻膜凹印版辊的质量，更好地服务于高端印刷企业，同时又减少了对环境的污染。
附反应分子式说明
该图是一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法化学反应分子式。
(1)式是氯化铜蚀刻反应分子式，氯化铜中的Cu2
Figure A200810143570D0003143357QIETU
具有氧化性，发生蚀刻反应，能将激光刻膜后的凹印版辊上的铜氧化成Cul+。
(2)式是氯化亚铜络合反应分子式，蚀刻反应形成的Cu2Cl2不易溶于水，在有过量Cl-存在下，发生络合反应，能形成可溶性的络离子。
(3)式是氯化铜再生反应分子式，蚀刻到一定的程度时，溶液中的Cul+越来越多，蚀刻能力很快就会下降，以至最后失去效能。为了保持蚀刻能力，可以通过添加盐酸和双氧水对蚀刻液进行再生，使Cul重新转变成Cu2+，继续进行正常蚀刻。
具体实施方式
将激光刻膜后的版辊装入氯化铜蚀刻机顶尖上，蚀刻液中含氯化铜二水合物为150-200克/升，含盐酸为25-50毫升/升，温度控制25-35℃，蚀刻液在适中的液压下，首先通过循环系统对版辊均匀冲水清洗，彻底清洗干净后，开始蚀刻版辊，让版辊匀速转动，然后多个喷嘴均匀喷淋氯化铜蚀刻液到版面上，氯化铜与铜发生蚀刻反应(1)，形成氯化亚铜，它不溶水，氯化亚铜又与蚀刻液中的过量盐酸发生络合反应(2)，形成可溶性的络离子。通过重复不断的化学反应，使激光刻膜版辊在烧蚀黑胶图案的地方蚀刻下去，形成凹印图文，没有图文的地方有专用黑胶保护着，在此蚀刻的过程中，通过设备自动添加双氧水和盐酸，比例为1：2-1：3，实现了氯化铜的再生反应(3)，最后停止喷淋蚀刻，蚀刻液循环回到蚀刻槽，冲水清洗版面，根据蚀刻时间得到要求深度的激光刻膜凹印版辊。
(1)Cu+CuCl2→Cu2Cl2
(2)CU2CL2+4CL-→2[CuCl3]2-
(3)Cu2Cl2+2HCl+H2o2→2CuCl2+2H2o

Claims (1)

1、一种氯化铜喷淋蚀刻凹印版辊的方法，其特征是：氯化铜蚀刻液的主要物质是氯化铜、盐酸、双氧水、水，在特制的蚀刻机中，蚀刻液中含氯化铜二水合物为150-200克/升，含盐酸为25-50毫升/升。在一定温度和压力下，通过循环系统用多个喷嘴均匀喷淋氯化铜蚀刻液到激光刻膜后版辊上，发生蚀刻反应，一价铜又与氯离子发生络合反应，这样就可以实现凹印版辊图案部分的蚀刻，而非图案部分被抗蚀性专用黑胶保护着，到一定的程度自动添加双氧水和盐酸，比例为1：2-1：3，一价铜与盐酸、双氧水会发生再生反应，实现氯化铜的再生，经过一定的蚀刻时间，最后得到激光刻膜凹印版辊。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101914776A (zh) * 2010-07-16 2010-12-15 上海希尔彩印制版有限公司 激光雕刻腐蚀制版用环保型开面液及其使用方法
CN102152600A (zh) * 2010-12-09 2011-08-17 黄山精工凹印制版有限公司 一种高清晰度激光凹印版辊的制作方法
CN102807294A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 无锡尚德太阳能电力有限公司 处理已使用蚀刻液的再循环系统
CN103419466A (zh) * 2012-05-18 2013-12-04 上海运安制版有限公司 一种防伪印刷用辊筒的激光蚀刻工艺
CN103522731A (zh) * 2012-07-06 2014-01-22 上海运申制版模具有限公司 利用三氯化铁和氯化铜复合腐蚀制版的方法
CN104217878A (zh) * 2014-09-15 2014-12-17 南通万德科技有限公司 一种镀贵金属开关触点元件及其制备方法
CN104626786A (zh) * 2015-02-11 2015-05-20 上海运安制版有限公司 一种激光版版辊的均匀腐蚀方法
CN105479965A (zh) * 2015-12-16 2016-04-13 东莞运城制版有限公司 一种版辊的氯化铜腐蚀装置及腐蚀方法
CN107399179A (zh) * 2017-07-19 2017-11-28 山西运城制版集团（上海）企业发展有限公司 一种凹印版辊氯化铜预腐蚀工艺
CN107584857A (zh) * 2017-07-18 2018-01-16 山西运城制版集团（上海）企业发展有限公司 基于氯化铜腐蚀替代三氯化铁腐蚀的凹印制版腐蚀工艺
CN108034946A (zh) * 2017-11-20 2018-05-15 西安交通大学 喷淋蚀刻系统
CN111452486A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 中山市大自然木业有限公司 版辊和装饰纸的制备方法以及制备的版辊和装饰纸
CN111926334A (zh) * 2020-09-08 2020-11-13 深圳市志凌伟业光电有限公司 一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统及再生方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101914776A (zh) * 2010-07-16 2010-12-15 上海希尔彩印制版有限公司 激光雕刻腐蚀制版用环保型开面液及其使用方法
CN101914776B (zh) * 2010-07-16 2011-07-06 上海希尔彩印制版有限公司 激光雕刻腐蚀制版用开面液及其使用方法
CN102152600A (zh) * 2010-12-09 2011-08-17 黄山精工凹印制版有限公司 一种高清晰度激光凹印版辊的制作方法
CN102152600B (zh) * 2010-12-09 2012-04-25 黄山精工凹印制版有限公司 一种高清晰度激光凹印版辊的制作方法
CN102807294A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 无锡尚德太阳能电力有限公司 处理已使用蚀刻液的再循环系统
CN103419466B (zh) * 2012-05-18 2016-01-06 上海运安制版有限公司 一种防伪印刷用辊筒的激光蚀刻工艺
CN103419466A (zh) * 2012-05-18 2013-12-04 上海运安制版有限公司 一种防伪印刷用辊筒的激光蚀刻工艺
CN103522731B (zh) * 2012-07-06 2015-07-15 上海运申制版模具有限公司 利用三氯化铁和氯化铜复合腐蚀制版的方法
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CN104217878B (zh) * 2014-09-15 2016-06-22 南通万德科技有限公司 一种镀贵金属开关触点元件及其制备方法
CN104217878A (zh) * 2014-09-15 2014-12-17 南通万德科技有限公司 一种镀贵金属开关触点元件及其制备方法
CN104626786A (zh) * 2015-02-11 2015-05-20 上海运安制版有限公司 一种激光版版辊的均匀腐蚀方法
CN105479965A (zh) * 2015-12-16 2016-04-13 东莞运城制版有限公司 一种版辊的氯化铜腐蚀装置及腐蚀方法
CN105479965B (zh) * 2015-12-16 2018-12-25 东莞运城制版有限公司 一种版辊的氯化铜腐蚀装置及腐蚀方法
CN107584857A (zh) * 2017-07-18 2018-01-16 山西运城制版集团（上海）企业发展有限公司 基于氯化铜腐蚀替代三氯化铁腐蚀的凹印制版腐蚀工艺
CN107399179A (zh) * 2017-07-19 2017-11-28 山西运城制版集团（上海）企业发展有限公司 一种凹印版辊氯化铜预腐蚀工艺
CN108034946A (zh) * 2017-11-20 2018-05-15 西安交通大学 喷淋蚀刻系统
CN108034946B (zh) * 2017-11-20 2019-04-02 西安交通大学 喷淋蚀刻系统
CN111452486A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 中山市大自然木业有限公司 版辊和装饰纸的制备方法以及制备的版辊和装饰纸
CN111926334A (zh) * 2020-09-08 2020-11-13 深圳市志凌伟业光电有限公司 一种酸性氯化铜蚀刻液再生系统及再生方法

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