CN101423935A - 基板处理装置和基板处理装置的控制方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理装置的控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度－膜厚－第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。

Description

基板处理装置和基板处理装置的控制方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置和基板处理装置的控制方法。
背景技术
在半导体制造工艺中，使用处理基板即半导体晶片(以下称为晶片)的基板处理装置。作为基板处理装置，例如能够使用纵型热处理装置。在纵型热处理装置中，以搁板状保持多片晶片的保持器具，被配置在纵型的热处理炉内，通过CVD(化学气相淀积，Chemical VaporDeposition)处理和氧化处理等，在基板上形成膜。
在用基板处理装置对晶片进行成膜处理时，晶片上的膜厚的均匀性很重要。为了提高膜厚的均匀性，研发在改变温度的同时进行成膜的方法(例如，参照特开2002-110552。尤其是，段落号0099)。通过在改变温度的同时进行成膜处理，就能够控制晶片上的温度分布，使膜厚分布均匀。具体地，通过利用适当的设定温度分布，就能够得到良好的膜厚分布。
但是，要决定适当的设定温度分布并不容易。
发明内容
鉴于以上这样的状况完成本发明。本发明的目的在于，提供一种能够容易地决定适当的设定温度分布的基板处理装置和基板处理装置的控制方法。
本发明提供一种基板处理装置，其特征在于，包括：
存储部，存储设定温度分布，该设定温度分布包括：
在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、
仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和
在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序；
基板处理部，根据上述设定温度分布加热基板，并且通过在上述第三工序中提供处理气体，在上述基板上形成膜；
第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，上述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在上述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；
输入部，输入根据规定的设定温度分布通过上述基板处理部实际处理的上述基板的多个部位的测量膜厚；
第一决定部，基于上述温度-膜厚-第一关系、上述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度；
预计膜厚计算部，根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布，计算实际处理的基板的多个部位的预计膜厚；
第二导出部，导出温度-膜厚-第二关系，上述温度-膜厚-第二关系为在规定条件的情况下，使第一时间、第二时间和第三时间的至少任一个变化，并且根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度变化量和在上述基板的多个部位的膜厚变化量的对应关系；以及
第二决定部，基于上述温度-膜厚-第二关系、上述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。
根据本发明，决定适当的设定温度分布能够明显地简单化。
优选上述规定的条件的情形是相对于上述规定的目标膜厚上述多个部位的预计膜厚不在规定的允许范围内的情形。
此外，例如，上述存储部，存储有多个设定温度分布。在该情况下，上述基板处理部，具有层叠并保持多个基板的保持部、和分别根据上述多个设定温度分布控制发热量的多个加热部。
在该情况下，优选上述第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，上述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在上述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系，上述输入部，输入根据多个规定的设定温度分布通过上述基板处理部实际进行处理的、与多个加热部的各个对应的多个基板的多个部位的测量膜厚；上述第一决定部，基于上述温度-膜厚-第一关系、上述多个基板的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定多个设定温度分布各自的第一温度、第二温度及第三温度。
此外，例如，上述第一导出部，包括：第一计算部，计算根据使第一温度变化后的设定温度分布处理基板时的、在上述多个部位的第一预计膜厚；第二计算部，计算根据使第二温度变化后的设定温度分布处理基板时的、在上述多个部位的第二预计膜厚；第三计算部，计算根据使第三温度变化后的设定温度分布处理基板时的、在上述多个部位的第三预计膜厚；第四计算部，计算根据使任一温度都不变化的设定温度分布处理基板时的、在上述多个部位的第四预计膜厚；和差值计算部，计算上述第一～第三预计膜厚的各个与上述第四预计膜厚的差值。
此外，本发明提供一种基板处理装置的控制方法，其根据设定温度分布加热基板，并且通过在第三工序中供给处理气体，在上述基板上形成膜，其中，上述设定温度分布包括：
在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、
仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和
在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序，
上述控制方法的特征在于，包括：
导出温度-膜厚-第一关系的工序，上述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在上述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；
输入根据规定的设定温度分布实际处理的上述基板的多个部位的测量膜厚的工序；
基于上述温度-膜厚-第一关系、上述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度的工序；
计算根据与已决定的第一温度、第二温度和第三温度对应的设定温度分布实际处理的基板的多个部位的预计膜厚的工序；
导出温度-膜厚-第二关系的工序，上述温度-膜厚-第二关系为在规定的条件的情况下，使第一时间、第二时间和第三时间的至少任一个变化，并且根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在上述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；和
基于上述温度-膜厚-第二关系、上述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度及第三温度的工序。
根据本发明，决定适当的设定温度分布能够明显地简单化。
优选，上述规定的条件的情形是相对于上述规定的目标膜厚上述多个部位的预计膜厚不在规定的允许范围内的情形。
此外，本发明提供一种存储介质，其收纳在计算机上运行的计算机程序，上述计算机程序以实施具有上述特征的基板处理装置的控制方法的方式编制步骤。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的大致剖面图。
图2是表示设定温度分布的一例的图。
图3是表示基板处理装置的工作顺序的一例的流程图。
图4是表示输入的处理条件的图表。
图5是表示温度-膜厚关系的一例的图表。
图6是已变更的设定时间的组合例的图表。
具体实施方式
以下参照附图，详细地说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置100的大致剖面图。基板处理装置100具有基板处理部110和控制部120。在图1中，基板处理部110由所谓的纵型热处理装置构成。在图1中，大致地示出其纵剖面。
基板处理部110包括双重管构造的反应管2，该反应管2例如由石英作成的内管2a和外管2b构成。在反应管2的下部侧设置有金属制的筒状的总管(manifold)21。
内管2a上端开口，下端被总管21的内端所支持。外管2b上端被堵塞，下端密封地结合在总管21的上端。
在反应管2内配置有作为保持器具的晶舟23。晶舟23隔着保温筒(隔热体)25保持在盖体24之上。在晶舟23中承载有多片的作为基板的晶片W(产品晶片Wp及监控晶片Wm1～Wm5)。
盖体24搭载在用于将晶舟23搬入、搬出反应管2内的舟升降机26的上表面。盖体24处于上限位置时，就会闭塞总管21的下端开口部，即闭塞由反应管2和总管21构成的处理容器的下端开口部。
在反应管2的周围设置有例如由电阻加热体构成的加热器3。加热器3构成为，被分割为5个加热器元件31～35，各加热器元件31～35通过电力控制器41～45独立地控制发热量。在本实施方式中，由反应管2、总管21及加热器3构成加热炉。
在内管2a的内壁上，与加热器31～35相对应设置有热电偶等内侧温度传感器Slin～S5in。此外，在外管2b的外壁上与加热器31～35相对应设置有热电偶等外侧温度传感器Slout～S5out。
与加热器31～35相对应能够将内管2a的内部划分为5个区域(区域1～5)进行掌握。但是，载置在反应管2内的晶舟23上的多片晶片，作为整体构成1个批次，一起(同时地)被热处理。
在此例中，以分别与各区域1～5对应的方式载置有监控晶片Wm1～Wm5。但是，通常，区域的个数和监控晶片Wm的片数即便不一致也无妨。例如，相对5个区域即使配置10片或3片监控晶片Wm也无妨。即使区域的个数和监控晶片Wm的个数不一致，也能够实现设定温度分布的最佳化。
在总管21设置有多个气体供给管，以便向内管2a内供给气体。在图1中，为了方便，表示出2根气体供给管51、52。在各气体供给管51、52中插设有用于分别调整气体流量的例如质量流量控制器等的流量调整部61、62和阀门(未图示)等。
并且还有，在总管21中连接有排气管27以便从内管2a和外管2b的间隙进行排气。该排气管27，连接到未图示的真空泵上。在排气管27的中途设置有包括用于调整反应管2内的压力的例如蝶形阀和阀门驱动部等的压力调整部28。
控制部120具有控制所谓反应管2内的处理气氛的温度、反应管2内的处理气氛的压力、气体流量的处理参数的功能。在该控制部120中，被输入来自温度传感器Slin～S5in、Slout～S5out的测量信号，此外还向加热器3的电力控制器41～45、压力调整部28、流量调整部61、62输出控制信号。
控制部120例如由计算机构成，具有中央处理器(CPU(CentralProcessing Unit：中央处理器))、输入输出装置、存储装置等。通过利用程序进行控制，控制部120实现如下1)～5)的功能。
1)存储设定温度分布的存储部
2)导出温度-膜厚的关系的导出部
3)输入基板的测量膜厚的输入部
4)决定第一～第三温度(温度T1～T3)的决定部
5)计算基板(晶片W)的预计膜厚的预计膜厚计算部
控制部120根据设定温度分布，控制电力控制器41～45。由此，利用加热器31～35加热晶片W。在此，设定温度分布是表示经过时间和设定温度(晶片W的应有的温度)的关系的分布。
图2是以时间和温度的关系表示设定温度分布的一例的图。图2(A)～(C)分别是以下要说明的设定温度分布。
(A)恒温处理1
在作为晶片W的处理工序期间的期间TVS3、和其前后的期间中，设定温度是固定的、并且区域1～5的设定温度是同一分布。
(B)恒温处理2
在作为晶片W的处理工序期间的期间TVS3、和其前后的期间中，虽然设定温度是固定的、但区域1～5的设定温度是不同的分布。由于使区域1～5的设定温度不同，就能够实现在晶片W(监控晶片Wm1～Wm5)间的膜厚的均匀化(晶片间膜厚分布的均匀化)。
通常，通过上述的(A)恒温处理1或(B)恒温处理2来处理晶片W。
(C)温度变化处理
在作为晶片W的处理工序期间的期间TVS3中使设定温度变化，并且，区域1～5的设定温度是不同的分布。通过在晶片W的处理工序期间(TVS3)内使温度变化，就能够控制晶片W上的温度分布，实现晶片W上的膜厚的均匀化(晶片内膜厚分布的均匀化)。在晶片W的处理工序前(TVS1、TVS2)的温度控制也对晶片W上的温度分布的控制有贡献。并且，即便使区域1～5的设定温度不同，也能够实现晶片间膜厚分布的均匀化。
以下，详细说明(C)温度变化处理的设定温度分布。
(1)在从时刻t0到时刻t1之间，将设定温度保持在T0。此时，将保持晶片W的晶舟23搬入基板处理部110内(装载工序)。
(2)在从时刻t1到时刻t2之间，设定温度以一定的速率从温度T0上升到温度T1(T11～T15)(升温工序)。再有，按区域1～5不同温度T11～T15不同。由此，在每一区域1～5中在升温工序的结束时刻存在一些不同。
(3)在从时刻t2到时刻t3之间，将设定温度保持在T1(T11～T15)不变。实际的晶片W的温度，即使使设定温度固定，但由于热的惯性，温度达到一定需要一些时间。因此，宗旨是直到晶片的温度稳定为止，抑制向下一工序的移动(稳定化工序)。
(4)从时刻t3到时刻t5，作为成膜的准备阶段，用于成膜时的温度分布的微调节。相反换言之，从时刻t3到时刻t5的设定温度分布对成膜时的温度分布造成不少的影响。
1)在从时刻t3到时刻t4之间，设定温度以一定的速率从温度T1(T11～T15)上升到温度T2(T21～T25)(TVS1：升温工序)。
2)在图2(C)的例子中，从时刻t4到t5之间，使设定温度保持在T2(T21～T25)不变(TVS2：恒温工序)。但是，该工序TVS2也能够替换为变温工序(升温工序或降温工序)。即，也可以在从时刻t4到时刻t5之间，使设定温度从温度T2变化为温度T2′。(在该情况下，下一工序TVS3就不是从温度T2而是从温度T2′开始)。
(5)在从时刻t5到时刻t6之间，设定温度以一定的速率从温度T2(T21～T25)下降到温度T3(T31～T35)。此时，从气体供给管51、52向基板处理部110的内部导入处理气体例如SiH2Cl2及NH3，通过例如CVD形成SiN膜(TVS3：降温·成膜工序)。
(6)从时刻t6到时刻t8是用于将晶片W的温度恢复到升温当初的温度T1(T11～T15)的期间。
1)在从时刻t6到时刻t7之间，设定温度以一定的速率从温度T3(T31～T35)上升到T1(T11～T15)(升温工序)。
2)在从时刻t7至时刻t8之间，使设定温度保持在T1不变(恒温工序)。
(7)从时刻t8至时刻t9之间，设定温度以一定的速率从T1(T11～T15)下降到T0(降温工序)。此外，由于按区域1～5不同而温度T11～T15不同，所以在每一区域1～5中在降温工序的结束时刻存在一些不同。
(8)时刻t9以后，设定温度保持在T0。在时刻t9以后，将保持晶片W的晶舟23从基板处理部110内搬出(卸载工序)。
在以上的设定温度分布(C)中重要的是从时刻t3到时刻t6之间(工序TVS1～工序TVS3)。能够按照温度T1(T11～T15)、温度T2(T21～T25)、温度T3(T31～T35)、时间tt1(＝t4-t3)、首届tt2(＝t5-t4)及时间tt3(＝t6-t3)规定工序TVS1～工序TVS3的设定温度分布。
工序TVS3是成膜工序，对晶片W的膜厚及其分布造成的影响最大。当使温度T2、温度T3、时间tt3变化时，晶片W上的时间平均温度的分布就会变化，晶片W的膜厚及膜厚分布就会变化。
在晶片W的平面内呈现膜厚分布是因为在晶片面内的温度分布和晶片面内的处理气体的浓度分布。即使要因是其任意一个，但通过控制晶片W面内的温度分布，也能够实现膜厚分布均匀化。
例如，在晶片W周边附近和中央附近，温度不同。由于前者接近晶片W的外部(加热器3等)，所以容易加热、冷却。另一方面，由于后者远离晶片W的外部，所以难以加热、冷却。因此，在降温工序中，晶片W的周边附近的温度比中央附近的温度先下降。其结果是，在降温工序中，形成在晶片W的周边附近的温度(时间平均温度)比中央附近的温度(时间平均温度)低的趋势。因此，通过使温度变化的速率的正负及大小变化，就能够调节晶片W上的温度分布的正负及其大小。
另一方面，工序TVS1和工序TVS2也会影响晶片W的膜厚。是因为当改变工序TVS1和工序TVS2(温度T1、时间tt1、时间tt2)时，成膜时(尤其是成膜开始时)的晶片W的温度分布会发生变化。在工序TVS1和工序TVS2中，与工序TVS3比较，变化的自由度比较大，容易进行向膜厚分布的控制的利用。(由于工序TVS3是成膜工序本身，所以按与目标膜厚Dt的关系，在带来变化方面存在制约。)
设定温度分布，考虑除以上那样与时间的经过对应直接指定温度外，还有指定升温速率等的温度的变化率的方法，和指定加热器输出的方法等各种方式。作为结果，如果是时间的经过和晶片W的温度相对应，则对指定的方案没有任何限制。
设定温度分布是决定晶片W的热处理整体的处理方案的一部分。在处理方案中，通常，除设定温度分布外，基板处理部110内的排气或处理气体的导入等的工序也与时间经过对应地表现。
(基板处理装置100的工作顺序)
接着，说明基板处理装置100的工序顺序的一例。图3是表示基板处理装置100的工作顺序的一例的流程图。
在此，按照恒温处理2(图2(B))处理晶片W后，假设按照已调整设定温度T1(T11～T15)～T3(T31～T35)和设定时间tt1～tt3后的温度变化处理(图2(C))处理晶片W的情形。在晶片间和晶片面内的两方面求出实现膜厚的均匀化的温度T1(T11～T15)～T3(T31～T35)和设定时间tt1～tt3是重要的。
A.处理条件的输入(步骤S11)
如图3所示，首先，输入处理条件。在图4中表示出被输入的处理条件的一例。如图4所示，向控制部120输入(1)目标膜厚Dt和(2)前一次处理时的方案。
(1)目标膜厚Dt
输入晶片W的目标膜厚Dt[nm]。目标膜厚Dt是晶片W膜厚的目标值。在该例中，目标膜厚Dt在整个晶片W的所有部分为共同的。但是，目标膜厚Dt也可以在整个晶片W中不是共同的。例如，将晶片W分为多个组，按每一组(或每一晶片W)设定不同的目标膜厚Dt也是可以的。
(2)前一次处理时的方案(设定时间、设定温度、气体流量、压力)
分别针对工序TVS1至工序TVS3输入设定时间等。设定时间[min]是工序TVS1至工序TVS3各自的时间tt1～tt3。设定温度[℃]是区域1～5的各自的设定温度T1(T11～T15)～T3(T31～T35)。在此，温度T1～T3是一定的(对应恒温处理2(图2(B))。仅在工序TVS3中，SiH2Cl2的流量不是0。因此，仅在工序TVS3中，进行成膜。按每一反应气体的气体种类(例如SiH2Cl2、NH3、N2、O2)规定气体流量[sccm]。压力[Torr]是总压。
B.温度-膜厚的关系的导出(步骤S12)
接着，按照以下的(1)、(2)导出温度-膜厚的关系(温度-膜厚-第一关系)。温度-膜厚的关系是根据使温度T1(T11～T15)～温度T3(T31～T35)的任意一个变化后的变更温度分布处理晶片W时的、温度的变化量和晶片W的膜厚的变化量的对应关系。
(1)预计膜厚Dij的计算
计算将温度T1(T11～T15)～温度T3(T31～T35)的任意一个(Tkl)升高1℃(ΔTkl)时的预计膜厚Dij(Tkl+ΔTkl)。在此，就各个监控晶片Wm1～Wm5预计2部位(中央附近和周边附近)的膜厚。参数i～l具有以下的意义。
i(＝1～5)：表示识别监控晶片Wm1～Wm5的参数
j(＝1、2)：表示识别基板上的位置的参数中，1代表基板的中央附近，2代表基板的周边附近。
k(＝1～3)：表示识别变更后的对象(温度T1～温度T3中的任意一个)的参数
l(＝1～5)：表示识别区域1～5的参数
在本实施方式中，与区域的个数5和温度T1～温度T3相对应，计算15组的预计膜厚Dij。此外，还计算未变更的设定温度分布下的预计膜厚Dij(Tkl)。后述预计膜厚D的计算方法的详情。
(2)膜厚的差值ΔDij的计算
求解使温度T1～温度T3的任意一个变化时的预计膜厚Dij(Tkl+ΔTkl)，和使温度T1～温度T3的任何一个都不变化时的预计膜厚Dij(Tkl)的差值ΔDij。
ΔDij＝Dij(Tkl+ΔTkl)-Dij(Tkl)
该差值ΔDij表示温度的变化量和基板的膜厚的变化量的对应关系(温度-膜厚的关系)。该差值ΔDij能够与矩阵等的形态一致。图5中表示出导出的温度-膜厚的关系的一例。
(3)预计膜厚D的计算方法的详情
在此，详细地说明预计膜厚D的计算方法。计算预计膜厚D时，如以下1)、2)那样，首先推定基板温度。使用该基板温度计算膜厚。
1)晶片W上的温度的推定
控制部120基于设定温度分布推定监控晶片Wm1～Wm5的各自的中央附近的温度(中央温度)Tc1～Tc5和周边附近的温度(周边温度)Te1～Te5。
在该推定中，使用控制工程中已知的以下的式(1)、(2)。
x(t+1)＝A·x(t)+B·u(t)      ......式(1)
y(t)＝C·x(t)+u(t)           ......式(2)
在此，
t：时间
x(t)：n次元状态向量
y(t)：m次元输出向量
u(t)：r次元输入向量
A、B、C：分别为n×n、n×r、m×n的常数矩阵。将式(1)称为状态方程式，式(2)称为输出方程式。通过联立求解式(1)及式(2)，就能够求出与输入向量u(t)对应的输出向量y(t)。
在本实施方式中，输入向量u(t)是设定温度分布，输出向量y(t)是中央温度Tc1～Tc5和周边温度Te1～Te5。
在式(1)、(2)中，设定温度分布和中央温度Tc、周边温度Te处于多输入输出的关系中。即，加热器3的加热器元件31～35(区域1～5)不仅分别独立地影响各个监控晶片Wm1～Wm5，一个加热器元件还对任意的监控晶片产生一些的影响。
如果确定常数矩阵A、B、C的组合，则通过联立求解式(1)、式(2)，就能够根据设定温度分布计算出中央温度Tc1～Tc5和周边温度Te1～Te5。常数矩阵A、B、C由基板处理部110的热特性决定。作为求解它们的方法，能够应用例如部分空间法。
此外，代替以上的方法，还能够使用卡尔曼滤波(Kalman Filter)等方法。
2)膜厚的计算
膜厚的生长速度(成膜速度)V，在通过例如CVD(Chemical VaporDeposition)这样的在膜的表面进行的工艺决定成膜速度的界面速率决定过程中，公知的是使用下式(3)和理论式(阿雷尼厄斯方程式)表示。
V＝C·exp(-Ea/(kT))                  ......式(3)
C：工艺常数(由成膜工艺决定的常数)
Ea：活化能量(由成膜工艺的种类决定的常数)
k：玻耳兹曼常数
T：绝对温度
例如，在由反应气体SiH2Cl2及NH3形成SiN膜的情况下，Ea＝1.8[eV]。
通过将活化能量Ea和绝对温度T(推定的中央温度Tc及周边温度Te)代入式(3)中，决定在晶片的中央附近和周边附近的成膜速度V。通过将成膜速度V进行时间积分，就能够计算出膜厚值(预计膜厚Dij)。
在此，使用式(3)计算成膜速度V。即，以阿雷尼厄斯方程式成立为前提。但是，依据处理条件和装置状态，由于代入活化能量Ea的值不是最佳等的理由，还有可能存在阿雷尼厄斯方程式有误差的情况。为了纠正该误差，考虑使用学习功能。即，通过使用实测值重复计算，来把握实际的温度和膜厚的关系，与此相对应地微调节计算中使用的参数。在该学习中，能够使用卡尔曼滤波。该学习功能能够追加到步骤S12、S14的任意一个中。
C.测量膜厚的输入(步骤S13)
输入在根据规定的设定温度分布(在此，(B)恒温处理2的分布)处理的监控晶片Wm1～Wm5的中央附近和周边附近形成的膜的膜厚的测量值D0ij。
在膜厚的测量中，例如能够使用椭率计(ellipsometer)等膜厚测量仪器。作为测量值D0ij，既可以利用中央附近/周边附近的膜厚的测量值本身，也可以代替上述测量值，通过根据晶片W的多个部位的测量膜厚的运算获得中央附近/周边附近的膜厚。通过援用各种运算，就能够将更高精度的值用作中央附近/周边附近的膜厚。
例如，在一个晶片W中测量9个部位(中央附近的1点、周边附近的4点、中央和周边的中间的4点)的膜厚的情况下，能够求解出与这些测量结果符合的式(例如，以下的式(10))。式(10)是将晶片面上的膜厚D作为距晶片的中心的距离x的2次函数表示的模型式。
D＝a·x2+b                 ......式(10)
在此，a、b：是常数。
常数a、b，例如能够使用最小2乘法计算。其结果，能够计算出晶片W的中央附近及周边附近的膜厚D0ij。
D.设定温度的计算(步骤S14)
按照以下的顺序，就能够计算设定温度T1(T11～T15)～T3(T31～T35)。此外，如已述的，能够在该步骤S14中追加学习功能。
1)测量膜厚D0ij和目标膜厚Dt的差值(膜厚差)ΔD0ij的计算
能够由以下的式子导出。
ΔD0ij＝D0ij-Dt
2)温度变化量ΔTkl的计算
基于膜厚差ΔD0ij，能够求出设定温度的变化量(温度变化量)ΔTkl。要使预计膜厚Dij仅变化膜厚差ΔD0ij，以下的式(20)就必须成立。另一方面，。例如如式(21)所示，能够设定温度变化量ΔTkl的现实的值的范围。
ΔD0ij＝∑(ΔDij(Tkl)*ΔTkl)                  ......式(20)
-ΔT<ΔTkl<ΔT                              ......式(21)
在此，ΔT例如是50℃。式(20)是一种线性近似，成立的(与实际符合)的范围并不一定变宽。因此，通过式(21)限定范围是有效的。另外，即使在与膜质的关系中，也有效显示温度范围。即，当晶片W的处理温度超过规定的范围时，在晶片W上未形成所希望的膜(所希望的膜质)，产生成为制造的半导体装置的不良的原因的可能性。
式(20)本身，由于是想要求解的温度变化量ΔTkl的个数为15、式的个数为10这样的联立一次方程式，所以能够求解出温度变化量ΔTkl的组合。但是，如果考虑式(21)的限定，有可能存在无解的情形。由此，用以下这样的方法计算温度变化量ΔTkl是有效的。即，在式(21)的条件下，计算下一量S为最小的温度变化量ΔTkl。该量S是代表与目标膜厚Dt的膜厚差的二次方平均的量。
S＝∑(ΔD0ij-∑(ΔDij(Tkl)*ΔTkl))2                ......式(22)
3)设定温度Tkl的计算
如上，计算温度差ΔTkl时，设在前次的处理(按照(B)恒温处理2的分布的处理)中的设定温度Tkl为T0kl，由下式(22)就能够计算用于下一处理的设定温度T1kl。
T1kl＝T0kl+ΔTkl                ......式(23)
E.预计膜厚D1ij的计算(步骤S15)
接着，计算设定温度T1kl下的预计膜厚D1ij。
按照与上述相同的方法，经过在晶片W上的温度的推定，计算预计膜厚D1ij。
F.预计膜厚是否在允许范围内的判断，和设定时间tt1～tt3的变更(步骤S16、S17)
判断预计膜厚D1ij是否处于预先设定的允许范围(均匀性)内(步骤S16)。例如，判断|D1ij-Dt|的全部或一部分是否在允许量Th以下。
|D1ij-Dt|<Th                ......式(24)
当预计膜厚D1ij不在允许范围内时，变更设定时间，重复步骤S12～S16。
例如，时间tt1和时间tt2，各自仅变化+3分或-3分。该情况下，当还包括未变化的情形时，成为如9那样的条件模式。关于这些如9那样的条件导出温度-膜厚-第二关系，进行设定温度的决定等。
在图6中表示出如9那样的设定时间的组合。表示出设定温度T1～T3的任何一个都未变更的模式0，和设定温度T2及T3的任意一个被变更后的模式a～h。
在此，设定时间的变更内容(使哪个设定时间T1～T3变化(全部或一部分)和设定时间T1～T3的各自的时间变化幅度)预先决定，能够事先存储在控制部120的存储装置中。此外，根据来自基板处理装置100的询问，使用者可以适当地进行输入。并且，关于设定时间的有无变更，使用者也可以适当地进行输入。
在以上的实施方式中，根据预计膜厚D1ij是否在允许范围内，决定(判断)是否变更设定时间tt1～tt3。代替于此，也可以决定变更设定时间tt1～tt3的次数，仅以该次数计算预计膜厚D1ij，其中可以选择膜厚的均匀性最良好的设定温度T1～T3和设定时间tt1～tt3的组合。
G.基板(晶片W)的处理(步骤S18)
基于设定温度Tkl，处理晶片W。即，将晶片W搬入基板处理部110内，按照图2(C)所示的设定温度分布对晶片W进行热处理(成膜处理)。
H.测量膜厚是否在允许范围内的判断(步骤S19)
测量已被处理的晶片W的膜厚，如果测量膜厚不在允许范围内，则重复步骤S12～S19的处理。此时，根据情况(例如，温度-膜厚关系的表中没有大的变动的情形)，也可省略温度-膜厚关系表的导出工序(步骤S12)。例如，可列举在没有影响温度-膜厚关系表的范围内进行再计算的情形，或在步骤S14中追加学习功能的情形等。
(其它实施方式)
以上的实施方式，能够在本发明的技术思想的范围内进行扩张或变更。基板不限于半导体晶片，例如也可以是玻璃基板。此外，加热器的划分数不限于5。

Claims (8)

1、一种基板处理装置，其特征在于，包括：
存储部，存储设定温度分布，该设定温度分布包括：
在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、
仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和
在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序；
基板处理部，根据所述设定温度分布加热基板，并且通过在所述第三工序中提供处理气体，在所述基板上形成膜；
第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，所述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；
输入部，输入根据规定的设定温度分布通过所述基板处理部实际处理的所述基板的多个部位的测量膜厚；
第一决定部，基于所述温度-膜厚-第一关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度；
预计膜厚计算部，根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布，计算实际处理的基板的多个部位的预计膜厚；
第二导出部，导出温度-膜厚-第二关系，所述温度-膜厚-第二关系为在规定条件的情况下，使第一时间、第二时间和第三时间的至少任一个变化，并且根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度变化量和在所述基板的多个部位的膜厚变化量的对应关系；以及
第二决定部，基于所述温度-膜厚-第二关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。
2、根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述规定的条件的情形是相对于所述规定的目标膜厚所述多个部位的预计膜厚不在规定的允许范围内的情形。
3、根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述存储部，存储多个设定温度分布；
所述基板处理部，具有层叠并保持多个基板的保持部、和分别根据所述多个设定温度分布控制发热量的多个加热部。
4、根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，所述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系，
所述输入部，输入根据多个规定的设定温度分布通过所述基板处理部实际进行处理的、与多个加热部的各个对应的多个基板的多个部位的测量膜厚；
所述第一决定部，基于所述温度-膜厚-第一关系、所述多个基板的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定多个设定温度分布各自的第一温度、第二温度及第三温度。
5、根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述第一导出部，包括：
第一计算部，计算根据使第一温度变化后的设定温度分布处理基板时的、在所述多个部位的第一预计膜厚；
第二计算部，计算根据使第二温度变化后的设定温度分布处理基板时的、在所述多个部位的第二预计膜厚；
第三计算部，计算根据使第三温度变化后的设定温度分布处理基板时的、在所述多个部位的第三预计膜厚；
第四计算部，计算根据使任一温度都不变化的设定温度分布处理基板时的、在所述多个部位的第四预计膜厚；和
差值计算部，计算所述第一～第三预计膜厚的各个与所述第四预计膜厚的差值。
6、一种基板处理装置的控制方法，其根据设定温度分布加热基板，并且通过在第三工序中供给处理气体，在所述基板上形成膜，其中，所述设定温度分布包括：
在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、
仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和
在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序，
所述控制方法的特征在于，包括：
导出温度-膜厚-第一关系的工序，所述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；
输入根据规定的设定温度分布实际处理的所述基板的多个部位的测量膜厚的工序；
基于所述温度-膜厚-第一关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度的工序；
计算根据与已决定的第一温度、第二温度和第三温度对应的设定温度分布实际处理的基板的多个部位的预计膜厚的工序；
导出温度-膜厚-第二关系的工序，所述温度-膜厚-第二关系为在规定的条件的情况下，使第一时间、第二时间和第三时间的至少任一个变化，并且根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；和
基于所述温度-膜厚-第二关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度及第三温度的工序。
7、根据权利要求6所述的基板处理装置的控制方法，其特征在于：
所述规定的条件的情形是相对于所述规定的目标膜厚所述多个部位的预计膜厚不在规定的允许范围内的情形。
8、一种存储介质，其收纳在计算机上运行的计算机程序，其特征在于：
所述计算机程序以实施权利要求6所述的基板处理装置的控制方法的方式编制步骤。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456596A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 株式会社日立国际电气 衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法
CN110565077A (zh) * 2019-10-14 2019-12-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种提高薄膜沉积均匀性的方法
CN112040571A (zh) * 2020-08-27 2020-12-04 上海华力集成电路制造有限公司 光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5180795B2 (ja) * 2007-12-10 2013-04-10 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
US8247741B2 (en) * 2011-03-24 2012-08-21 Primestar Solar, Inc. Dynamic system for variable heating or cooling of linearly conveyed substrates
JP5980551B2 (ja) * 2011-07-13 2016-08-31 株式会社日立国際電気 温度検出部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP5774532B2 (ja) 2012-03-28 2015-09-09 東京エレクトロン株式会社 連続処理システム、連続処理方法、及び、プログラム
JP5766647B2 (ja) * 2012-03-28 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
JP6224366B2 (ja) * 2013-07-12 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 支持部材及び基板処理装置
JP6211960B2 (ja) * 2014-03-13 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 制御装置、基板処理装置及び基板処理システム
JP6456764B2 (ja) 2015-04-28 2019-01-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10386821B2 (en) 2015-06-22 2019-08-20 Lam Research Corporation Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values
US10381248B2 (en) * 2015-06-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity
US10763142B2 (en) 2015-06-22 2020-09-01 Lam Research Corporation System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter
US10741426B2 (en) * 2017-09-27 2020-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for controlling temperature of furnace in semiconductor fabrication process
CN109585267B (zh) * 2017-09-29 2023-12-01 住友电气工业株式会社 氮化硅膜的形成方法
TWI750749B (zh) * 2020-07-28 2021-12-21 華邦電子股份有限公司 化學氣相沉積製程及膜層的形成方法
JP2024004354A (ja) 2022-06-28 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および温度調整方法
CN116845007A (zh) * 2023-07-14 2023-10-03 北京屹唐半导体科技股份有限公司 一种用于半导体工艺的温度控制方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040226933A1 (en) * 2000-07-25 2004-11-18 Wenling Wang Determining method of thermal processing condition

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4546623B2 (ja) * 2000-07-25 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の制御条件決定方法
JP4751538B2 (ja) * 2001-08-28 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP4712343B2 (ja) * 2003-10-30 2011-06-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法、プログラム及び記録媒体
JP4610908B2 (ja) * 2004-02-24 2011-01-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2005142596A (ja) * 2005-02-14 2005-06-02 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
JP2007088391A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007146252A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法、熱処理装置及び記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040226933A1 (en) * 2000-07-25 2004-11-18 Wenling Wang Determining method of thermal processing condition

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456596A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 株式会社日立国际电气 衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法
CN102456596B (zh) * 2010-10-18 2016-01-20 株式会社日立国际电气 衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法
CN110565077A (zh) * 2019-10-14 2019-12-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种提高薄膜沉积均匀性的方法
CN112040571A (zh) * 2020-08-27 2020-12-04 上海华力集成电路制造有限公司 光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法

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Publication number Publication date
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TW200943452A (en) 2009-10-16
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