CN102456596A - 衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法 - Google Patents

衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102456596A
CN102456596A CN2011103190076A CN201110319007A CN102456596A CN 102456596 A CN102456596 A CN 102456596A CN 2011103190076 A CN2011103190076 A CN 2011103190076A CN 201110319007 A CN201110319007 A CN 201110319007A CN 102456596 A CN102456596 A CN 102456596A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
gas
thermocouple
control
radiation thermometer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011103190076A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102456596B (zh
Inventor
杉浦忍
上野正昭
田中和夫
杉下雅士
山口英人
白子贤治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Electric Co., Ltd.
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Publication of CN102456596A publication Critical patent/CN102456596A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102456596B publication Critical patent/CN102456596B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
    • G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
    • G05D23/1931—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of one space
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • G05D23/22—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element being a thermocouple
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种衬底处理装置。能够抑制利用温度传感器控制热处理时的不良情况。衬底处理装置具有：加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；第一温度检测机构，其利用第一热电偶对衬底的附近的温度进行检测；第二温度检测机构，其利用第二热电偶对加热机构的附近的温度进行检测；第一控制机构，其根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对加热机构进行控制；控制切换机构，其以控制机构对第一控制模式和第二控制模式进行切换的方式，根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对控制机构进行控制，第一热电偶的耐热性比第二热电偶的耐热性大，第二热电偶的温度检测性能比第一热电偶的温度检测性能高。

Description

衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法
技术领域
本发明涉及进行扩散、CVD处理、并进行希望的热处理的衬底处理装置。
背景技术
在纵型热扩散装置、纵型减压CVD装置中，例如为了在处理衬底上形成薄膜而在热处理炉内收容衬底，通过规定的加热机构对热处理炉内进行加热。而且，多数情况下，通过设置在热处理炉中的温度传感器检测热处理炉内的温度，并根据其结果控制温度。
例如，专利文献1公开了一种半导体制造装置，即使发生伴随急速冷却的干扰也始终能够通过稳定的反馈控制对温度进行控制。在该半导体制造装置中，在进行升温工序及目标温度的维持时，利用设在对热处理炉内进行加热的加热器附近的热电偶(加热器热电偶)和设在热处理炉内部的均热管和反应管之间的热电偶(级联热电偶)进行基于级联控制循环的温度控制，使加热器的温度下降时，切换到仅利用级联热电偶的直接控制循环并进行温度控制。
专利文献1：日本特开2004-119804号公报
例如，一直以来，一般使用R型热电偶作为检测纵型热扩散装置的热处理炉内的温度的温度传感器。但是，在纵型热扩散装置、尤其是处理温度为高温(1000℃以上)的装置中，若使用R型热电偶，则存在热电偶早期发生断线的问题。这是由于，由于热电偶的+侧导线束和-侧导线束的热膨胀率的差，因而当高温时会产生伸长量的差，由此，热电偶发生变形，而且，由于反复升降温导致反复变形，导线束发生劣化而导致断线。而且，作为其他的主要原因， 由于在高温下进行使用，导致热电偶结晶肥大化，结晶粒界面处的强度变弱，导致断线。
而作为与R型热电偶相比耐热性优良的B型热电偶，其热电动势小，存在低温的测定困难的问题。
此外，R型热电偶及B型热电偶指的是JIS规格C1602所规定的热电偶。更具体来说，R型热电偶指的是作为+支腿的构成材料使用含铑13％的白金铑合金、作为-支腿的构成材料使用白金的热电偶。另外，B型热电偶指的是作为+支腿的构成材料使用含铑30％的白金铑合金、作为-支腿的构成材料使用含铑6％的白金铑合金的热电偶。
另外，例如，在使用放射温度计检测热处理炉内的温度的情况下，放射温度计通过波长来测定对象物的温度，所以，能够测定的温度范围有限。因此，为了实现大范围的温度测定，需要低温用放射温度计、高温用放射温度计等多种放射温度计。但是，在通过温度带对多种放射温度计进行切换控制的情况下，存在切换时的温度测定值及实施切换的温度附近的温度测定值变得不稳定的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种衬底处理装置，能够对利用温度传感器控制热处理时的不良情况进行抑制。
为了实现上述目的，本发明的衬底处理装置，具有：加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；第一温度检测机构，其利用第一热电偶对所述衬底附近的温度进行检测；第二温度检测机构，其利用第二热电偶对所述加热机构附近的温度进行检测；控制机构，其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；控制切换机构，其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述控制机构进行控制，从而使所述控制机构对第一控制模式和第二控制模式进行切换，所述第一热电偶的耐热性比所述第 二热电偶的耐热性大，所述第二热电偶的温度检测性能比所述第一热电偶的温度检测性能高。
另外，本发明的衬底处理装置的温度控制方法，具有以下步骤：通过加热机构对收容衬底的处理室进行加热的步骤；通过利用第一热电偶的第一温度检测机构对所述衬底附近的温度进行检测的步骤；通过利用第二热电偶的第二温度检测机构对所述加热机构附近的温度进行检测的步骤；依据由所述第一温度检测机构或所述第二温度检测机构检测的温度，对第一控制模式和第二控制模式进行切换的步骤，其中，所述第一控制模式根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；所述第二控制模式根据由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制，所述第一热电偶的耐热性比所述第二热电偶的耐热性大，所述第二热电偶的温度检测性能比所述第一热电偶的温度检测性能高。
另外，本发明的衬底处理装置，具有：加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；第一温度检测机构，其使用第一放射温度计对通过所述加热机构被加热的温度进行检测；第二温度检测机构，其使用第二放射温度计对通过所述加热机构被加热的温度进行检测，其中，所述第二放射温度计，将比由第一放射温度计测定的温度的范围的上限高的温度作为所测定的温度的范围的上限，并且，将比由第一放射温度计测定的温度的范围的下限高的温度作为所测定的温度的范围的下限；第一控制机构，其根据由所述第一温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；第二控制机构，其根据由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；控制切换机构，其根据由所述第一温度检测机构或所述第二温度检测机构检测的温度和预先设定的阈值，对基于所述第一控制机构的所述加热机构的控制和基于所述第二控制机构的所述加热机构的控制进行切换。
另外，本发明的衬底处理装置的加热方法，通过加热机构对收容衬底的处理室进行加热，通过第一温度检测机构使用第一放射温度计对由所述加热机构被加热的温度进行检测，通过第二温度检测机构使用第二放射温度计对由所述加热机构被加热的温度进行检测，其中，所述第二放射温度计将比由第一放射温度计测定的温度的范围的上限高的温度作为所测定的温度的范围的上限，并且，将比由第一放射温度计测定的温度的范围的下限高的温度作为所测定的温度的范围的下限，基于由所述第一温度检测机构或所述第二温度检测机构检测的温度和预先设定的阈值来切换第一控制机构和第二控制机构，其中，所述第一控制机构基于由所述第一温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；所述第二控制机构基于由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种衬底处理装置，其能够抑制在利用温度传感器控制热处理时的不良情况。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的衬底处理装置即纵型热扩散装置的处理炉的剖视图。
图2是表示本发明的第一实施方式的B型热电偶及R型热电偶的温度特性的图。
图3是表示本发明的第一实施方式的B型热电偶及R型热电偶的温度特性的图的放大图。
图4是表示本发明的第一实施方式的温度控制的流程的图。
图5是本发明的第一实施方式的控制模式为加热器直接控制的情况下的温度控制部238的构成图。
图6是本发明的第一实施方式的控制模式为炉级联控制的情况下的温度控制部238的构成图。
图7是表示本发明的第一实施方式的变形例的阈值温度T1及T2与控制模式的关系的图。
图8是表示本发明的第二实施方式的对SiC(碳化硅)外延膜进行成膜的半导体制造装置300的一例的立体图。
图9(a)是表示本发明的第二实施方式的处理炉328的一例的侧视剖视图，图9(b)是被支承在舟皿320上的晶片304的侧视剖视图。
图10是表示本发明的第二实施方式的半导体制造装置300的控制构成的一例的框图。
图11是表示本发明的第二实施方式的处理炉328的一例的俯视剖视图。
图12是表示本发明的第二实施方式的半导体制造装置300的气体供给单元380的一例的示意图。
图13是本发明的第二实施方式的处理炉328及周边构造的概要剖视图。
图14是表示基于温度控制部362的温度控制的切换规则的表。
图15是表示基于高温用放射温度计的控制和基于低温放射温度计的控制的切换的曲线图。
图16是表示本发明的第二实施方式的变形例中的基于温度控制部362的温度控制的切换规则的表。
附图标记的说明
202处理炉
204反应管
205均热管
206加热器
238温度控制部
263温度传感器
264外部温度传感器
354温度控制部
356、358放射温度计
具体实施方式
以下，根据附图对本发明的第一实施方式进行说明。
图1是本发明的第一实施方式中优选使用的衬底处理装置即纵型热扩散装置的处理炉202的概要构成图，作为纵剖视图表示。
如图1所示，处理炉202具有作为加热机构的加热器206。加热器206为圆筒形状，被支承在作为保持板的加热器基座251上从而垂直地安装。
在加热器206的内侧，与加热器206同心圆状地配设有均热管(外管)205，该均热管205例如由碳化硅(SiC)等的耐热性材料制成，呈上端封闭、下端开口的圆筒形状。另外，在均热管205的内侧，与均热管205同心圆状地配设有反应管(内管)204，该反应管204例如由石英(SiO2)等的耐热性材料制成，呈上端封闭、下端开口的圆筒形状。在反应管204的筒中空部中形成有处理室201，以能够将作为衬底的晶片200通过后述的舟皿217以水平姿势在垂直方向上整齐排列成多层的状态进行收容的方式构成。
在反应管204的下端部设有气体导入部230，从气体导入部230到反应管204的顶壁部233沿反应管204的外壁配设有作为气体导入管的细管234。从气体导入部230导入的气体在细管234内流通并到达顶壁部233，并从设在顶壁部233上的多个气体导入口233a被导入处理室201内。另外，在反应管204的下端部的不同于气体导入部230的位置上，设有将反应管204内的环境气体从排气口231a排气的气体排气部231。
在气体导入部230上连接有气体供给管232。在气体供给管232的与气体导入部230的连接侧的相反侧即上游侧，经由作为气体流量控制器的MFC(质量流量控制器)241而连接有未图示的处理气体供给源、载体气体供给源、惰性气体供给源。此外，在需要向处理室201内供给水蒸气的情况下，在气体供给管232的MFC241的 下游侧，设置未图示的水蒸气发生装置。MFC241上电连接有气体流量控制部235，并以如下方式构成：在希望的时刻以使供给的气体的流量成为希望的量的方式进行控制。
在气体排气部231上连接有气体排气管229。在气体排气管229的与气体排气部231的连接侧的相反侧即下游侧经由作为压力检测器的压力传感器245以及压力调整装置242连接有排气装置246，并以如下方式构成：能够以使处理室201内的压力成为规定的压力的方式进行排气。在压力调整装置242以及压力传感器245上电连接有压力控制部236，压力控制部236以如下方式构成：根据由压力传感器245检测的压力，通过压力调整装置242在希望的时刻以使处理室201内的压力成为希望的压力的方式进行控制。
在反应管204的下端部设有：作为能够将反应管204的下端开口气密地密封的保持体的基座257；作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219例如由不锈钢等的金属制成，形成为圆盘状。基座257由例如石英制成，形成为圆盘状，并安装在密封盖219上。在基座257的上表面上设有作为与反应管204的下端抵接的密封部件的O型环220。在密封盖219的与处理室201的相反侧，设置有使舟皿旋转的旋转机构254。旋转机构254的旋转轴255贯穿密封盖219和基座257，并连接在后述的隔热筒218和舟皿217上，以通过使隔热筒218以及舟皿217旋转从而使晶片200旋转的方式构成。密封盖219以能够通过作为垂直地设置在反应管204的外部的升降机构的舟皿升降机115而在垂直方向上升降的方式构成，由此，能够将舟皿217相对于处理室201搬入、搬出。在旋转机构254及舟皿升降机115上电连接有驱动控制部237，并以如下方式构成：在希望的时刻以进行希望的动作的方式进行控制。
作为衬底保持件的舟皿217，由例如石英、碳化硅等的耐热性材料制成，以使多张晶片200以水平姿势且相互中心对齐的状态整齐排列并进行保持的方式构成。在舟皿217的下方，以支承舟皿217的方式设置隔热筒218，该隔热筒218作为例如由石英、碳化硅等的 耐热性材料制成的呈圆筒形状的隔热部件，以来自加热器206的热难以传递到反应管204的下端侧的方式构成。
处理炉202中，设有作为温度检测器两种传感器。即，在均热管205和反应管204之间，作为温度检测器设置有多个内部温度传感器263；在均热管205和加热器206之间，设置有作为温度检测器的多个外部温度传感器264。该内部温度传感器263及外部温度传感器264使用热电偶来检测温度，例如，内部温度传感器263使用B型热电偶来检测温度，外部温度传感器264使用R型热电偶来检测温度。关于内部温度传感器263及外部温度传感器264的详细情况后述。在加热器206、内部温度传感器263及外部温度传感器264上，电连接有温度控制部238，并以如下方式构成：根据通过内部温度传感器263及外部温度传感器264检测的温度信息，对向加热器206的通电情况进行调整，由此，以在希望的时刻使处理室201内的温度成为希望的温度分布的方式进行控制。
气体流量控制部235、压力控制部236、驱动控制部237、温度控制部238还构成操作部和输入输出部，并电连接在对衬底处理装置整体进行控制的主控制部239上。这些气体流量控制部235、压力控制部236、驱动控制部237、温度控制部238、主控制部239作为控制器240构成。
下面，对利用上述结构的处理炉202，作为半导体设备的制造工序的一个工序，对晶片200实施氧化、扩散等的处理的方法进行说明。此外，在以下的说明中，构成衬底处理装置的各部分的动作通过控制器240进行控制。
多张晶片200被装填在舟皿217上(晶片装料)后，如图1所示，保持多张晶片200的舟皿217通过舟皿升降机115被抬起并被搬入处理室201(舟皿装载)。该状态下，密封盖219处于经由基座257、O型环220而将反应管204下端密封的状态。
通过排气装置246以使处理室201内成为希望的压力的方式进行排气。此时，处理室201内的压力通过压力传感器245进行测定， 根据该测定出的压力，对压力调节器242进行反馈控制。另外，通过加热器206以处理室201内成为希望的温度的方式进行加热。此时，以使处理室201内成为希望的温度分布的方式，根据通过温度检测器即内部温度传感器263及外部温度传感器264检测的温度信息，对向加热器206的通电情况进行反馈控制。此外，关于根据通过温度检测器检测的温度信息而进行的加热器206的控制，其详细情况后述。接下来，通过旋转机构254，使隔热筒218、舟皿217旋转，由此，晶片200进行旋转。
接下来，从处理气体供给源以及载体气体供给源供给、并通过MFC241而被控制成希望的流量的气体，从气体供给管232流通气体导入部230以及细管234而到达顶壁部233，并从多个气体导入口233a以喷淋状被导入处理室201内。此外，在对晶片200进行利用水蒸气的处理的情况下，将通过MFC241而被控制成希望的流量的气体供给到水蒸气发生装置，包含水蒸气发生装置所生成的水蒸气(H2O)的气体被导入处理室201。被导入的气体在处理室201内流下，流通排气口231a并从气体排气部231被排气。气体在通过处理室201内时与晶片200的表面接触，对晶片200实施氧化、扩散等的处理。
经过预先设定的处理时间后，从惰性气体供给源供给惰性气体，处理室201内被置换成惰性气体，并且，处理室201内的压力恢复到常压。
然后，通过舟皿升降机115，密封盖219下降，反应管204的下端开口，并且，处理完毕的晶片200以被保持在舟皿217上的状态从反应管204的下端被搬出(舟皿卸载)到反应管204的外部。然后，处理完毕的晶片200从舟皿217被取出(晶片卸料)。
以上是用于对晶片200实施氧化、扩散等的处理的一系列的工序。下面，对使用本实施方式的温度检测器及温度检测器而进行的加热器206的控制进行详述。
在检测热处理炉内的温度的情况下，一般将R型热电偶作为温度传感器进行温度检测，但在高温环境下，会发生R型热电偶的早期断线。针对这一课题，作为与R型热电偶相比耐热性优良的热电偶，在本实施方式中使用B型热电偶。B型热电偶具有耐热性优良的原因在于，若将铑添加到白金中则一般情况下机械强度增强，难以发生因变形而导致的断线。另外，铑越少，结晶粒越粗大，由此，若铑较多，则比较能够抑制结晶粒的粗大化。因此，能够期待对结晶粒粗大化的情况下的结晶粒界面的强度降低进行抑制。
但是，使用B型热电偶存在以下问题。图2是表示B型热电偶及R型热电偶的温度特性的图。此外，该图是根据JIS规格C1602的基准热电动势表以横轴表示温度(℃)、纵轴表示热电动势(mV)的方式绘制的。根据图2可知，B型热电偶与R型热电偶相比在任何温度区域其热电动势都小。例如，就1200℃时的热电动势来说，R型热电偶为13.228mV，而B型热电偶为6.786mV，较小；就600℃时的热电动势来说，R型热电偶为5.583mV，而B型热电偶为1.792mV，较小。这样，由于B型热电偶的热电动势小，所以，尤其在低温区域(250℃以下)容易产生测定误差，存在可能导致测定精度降低的问题。
而且，B型热电偶还存在热电动势可能成为负值、无法对温度进行特定的问题。图3是将图2中的图表的从0℃到100℃附近放大表示的图。
B型热电偶具有在40℃以下的温度下电动势成为负值、且在不同的温度下具有相同的热电动势的特性。因此，在检测出负值的热电动势的情况下，无法对温度进行特定。
这样，在将B型热电偶作为温度检测器使用时存在问题。因此，在本实施方式中，作为温度检测器，设置使用B型热电偶的内部温度传感器263和使用R型热电偶的外部温度传感器264，在不足阈值温度T的环境下，仅使用外部温度传感器264对加热器206的温度进行控制；在阈值温度T以上的环境下，使用内部温度传感器263 及外部温度传感器264对加热器206的温度进行控制。此外，对于内部温度传感器263及外部温度传感器264，分别利用根据图2所示的温度特性的温度-热电动势转换表，由检测到的热电动势求出温度。
图4是表示本实施方式的温度控制的流程的图。根据流程，对加热器206的温度的控制方法进行说明。
在步骤100(S100)中，选择加热器206的温度的控制方法。本实施方式中，作为控制方法，包括后述的加热器直接控制、炉级联控制(furnace cascade control)及ARC直接C控制这三种控制模式，在S100中，选择任一种控制模式。
此外，本实施方式中，在S100的处理中，选择加热器直接控制、炉级联控制及ARC直接C控制三种控制模式中的任一个，但也可以追加其他的控制模式，或者，还可以不具有ARC直接C控制。
在S100中，在作为控制模式选择了加热器直接控制的情况下，进入S102的处理；在选择了ARC直接C控制的情况下，进入S104的处理；在选择了炉级联控制的情况下下进入S106的处理。
在步骤102(S102)中，根据外部温度传感器264的检测温度进行加热器直接控制，并对加热器206的温度进行控制，直到控制模式发生变更或加热器206的温度控制结束。
在步骤104(S104)中，不依据内部温度传感器263及外部温度传感器264的检测温度而进行ARC直接C控制，并对加热器206的温度进行控制，直到控制模式发生变更或加热器206的温度控制结束。
在步骤106(S106)中，对基于内部温度传感器263的检测温度进行确认。在该检测温度为阈值温度T以上的情况下，进入S108的处理，进行炉级联控制。另一方面，在检测温度不足阈值温度T的情况下，进入S102的处理，进行加热器直接控制。在加热器直接控制中，以不使用内部温度传感器263的检测温度的方式对加热器206的温度进行控制。因此，在检测温度不足阈值温度T的情况下，能够不受内部温度传感器263所使用的B型热电偶的低温区域中的特 性的影响，能够进行基于加热器直接控制的稳定的反馈控制。例如，若将阈值温度T设定为250℃，则能够不受测定误差的发生及不能对温度及性能特定等B型热电偶的问题的影响，而进行稳定的控制。
此外，在步骤106中，以不受使用B型热电偶的内部温度传感器263的低温区域中的影响的方式实施控制模式的切换。因此，虽然希望对基于内部温度传感器263的检测温度进行确认并与阈值温度T进行比较，但还可以对通过外部温度传感器264检测的温度进行确认并与阈值温度T进行比较并进行控制模式的切换。
另外，作为S106的处理之前的步骤还可以设置如下步骤：对内部温度传感器263是B型热电偶还是R型热电偶进行判别。在设置这样的判别步骤的情况下，如本实施方式这样，当内部温度传感器263由B型热电偶构成时，过渡到S106的处理；当内部温度传感器263由R型热电偶构成时，不过渡到S106的处理而是过渡到S108的处理并进行炉级联控制。
在步骤108(S108)中，进行基于内部温度传感器263及外部温度传感器264的炉级联控制，并对加热器206的温度进行控制，直到基于内部温度传感器263的检测温度不足阈值温度T或加热器206的温度控制结束。
如以上说明的那样，本实施方式的衬底处理装置，根据温度对炉级联控制和加热器直接控制进行切换，其中，炉级联控制根据内部温度传感器263及外部温度传感器264的检测温度进行控制，加热器直接控制则不利用内部温度传感器263的检测温度，因此，能够以不受基于B型热电偶的低温区域的影响的方式进行稳定的加热器206的温度控制。
这里，对在步骤100中进行选择的控制模式进行说明。图5是控制模式为加热器直接控制的情况下的温度控制部238的构成图。在加热器直接控制时，温度调整部270a以通过被插入到加热器附近、例如均热管205和加热器206之间的多个区域中的热电偶(外部温度传感器264)计测的温度与温度设定值一致的方式进行PID控制， 并将输出脉冲输出至输出控制部271。而且，输出控制部271根据输入的输出脉冲对加热器206的温度进行控制。
图6是控制模式为炉级联控制的情况下的温度控制部238的构成图。炉级联控制中的温度调整部270b，凭借由被插入到处理炉内、例如均热管205和反应管204之间的多个区域中的热电偶(内部温度传感器263)所计测的温度和由被插入到加热器附近的多个区域中的热电偶(外部温度传感器264)所计测的温度分别进行PID控制。这里，基于内部温度传感器263的PID控制和基于外部温度传感器264的PID控制串联地构成控制循环，进行双重的反馈控制。
ARC直接C控制指的是针对加热器的各区域仅通过C动作对直接加热器进行控制的开放循环控制。这里，C动作指的是，将由作为时间的函数的修正图案所表示的一定的值(compensation：C)输出的动作。
下面，对本实施方式的变形例进行说明。在变形例中，在作为S106的处理中的阈值温度设定T1和T2这点上与上述的实施方式不同。图7是表示阈值温度T1及T2与控制模式的关系的图。这里，图中的实线表示进行加热器直接控制的情况，虚线表示进行炉级联控制的情况。即使S106的处理中的内部温度传感器263所检测的检测温度结果上升，若不足阈值温度T1，则进入S102的处理进行加热器直接控制。若检测温度进一步上升，并达到阈值温度T1以上，则切换为向S108的迁移，控制模式切换为炉级联控制。然后，若检测温度为T2以上，则炉级联控制继续，若检测温度不足T2，则切换为向S102的迁移，控制模式切换为加热器直接控制。
若仅通过阈值温度T进行控制模式的切换，那么，若检测温度在阈值温度T附近反复上升下降，则与其相伴地，控制模式也反复进行加热器直接控制和炉级联控制的切换，存在控制不稳定的可能性。但是，在设置阈值温度T1和T2并在检测温度上升时和下降时改变控制模式的切换温度的情况下，能够防止控制模式在阈值温度附近反复切换，能够进行稳定的控制。
在以上说明的实施方式及其变形例中，在内部温度传感器263中使用B型热电偶，在外部温度传感器264中使用R型热电偶，但使用的热电偶不限于此。即，只要将两种热电偶(第一热电偶及第二热电偶)分别用于内部温度传感器263和外部温度传感器264中、第一热电偶与第二热电偶相比耐热性优良、第二热电偶与第一热电偶相比温度检测性能优良即可。
而且，对于第一热电偶的温度检测性能不充分的温度区域来说，进行仅基于第二热电偶的检测温度的反馈控制，对于除此以外的温度区域，利用第一热电偶的检测温度和第二热电偶的检测温度进行反馈控制即可。
另外，本实施方式中，在内部温度传感器263中使用B型热电偶，在外部温度传感器264中使用R型热电偶，但还可以相反地，在内部温度传感器263中使用R型热电偶，在外部温度传感器264中使用B型热电偶。该情况下，通过内部温度传感器263进行加热器直接控制。此外，例如在下述情况下，优选如本实施方式这样、在内部温度传感器263中使用B型热电偶、在外部温度传感器264中使用R型热电偶。即，在外部温度传感器264的各区域的设置位置上沿水平方向设置热电偶，而且外部温度传感器264所使用的热电偶的长度比内部温度传感器263所使用的热电偶的长度短的情况。在这样的情况下，在外部温度传感器264中，施加在热电偶自身上的负荷小，而且，由于热电偶成为高温的部分较短，所以，热膨胀引起的伸长量小。因此，外部温度传感器264的使用方式与内部温度传感器263的使用方式相比不易发生断线。因此，优选在内部温度传感器263中使用B型热电偶，在外部温度传感器264中使用R型热电偶。
如以上说明的那样，在本发明的第一实施方式及变形例中，能够谋求温度传感器的长寿命化。因此，能够减少衬底处理装置的停机时间，使运转率提高。另外，由于进行根据适于各温度范围的温 度传感器的加热温度的控制，所以，不会使温度控制精度降低，即使在高温区域的使用中，也能够谋求温度传感器的长寿命化。
下面，根据附图说明本发明的第二实施方式。
图8是表示对本发明的第二实施方式的SiC(碳化硅)外延膜进行成膜的半导体制造装置300的一例的立体图。
作为衬底处理装置(成膜装置)的半导体制造装置300，为分批式纵型热处理装置，具有供主要部分配置的框体302。在半导体制造装置300中，作为将例如由SiC等构成的衬底的晶片304(参照后述的图9)收纳的衬底收容器，使用晶篮(hoop)(以下，称为晶圆盒)306作为晶片运载工具。在框体302的正面侧配置有晶圆盒台308，晶圆盒306被搬运至晶圆盒台308。在晶圆盒306中收纳有例如25枚晶片304，在盖关闭的状态下，晶圆盒306设置在晶圆盒台308上。
在框体302内的正面侧，在与晶圆盒台308相对的位置上，配置有晶圆盒搬运装置310。另外，在晶圆盒搬运装置310的附近配置有晶圆盒收纳架312、晶圆盒开启器314及衬底枚数检测器316。晶圆盒收纳架312构成为配置在晶圆盒开启器314的上方，构成为以载置多个晶圆盒306的状态进行保持。衬底枚数检测器316与晶圆盒开启器314相邻地配置，晶圆盒搬运装置310在晶圆盒台308、晶圆盒收纳架312和晶圆盒开启器314之间搬运晶圆盒306。晶圆盒开启器314是用于将晶圆盒306的盖打开的部件，衬底枚数检测器316对盖打开后的晶圆盒306内的晶片304的枚数进行检测。
在框体302内，配置有衬底移载机318和作为衬底保持件的舟皿320。衬底移载机318具有臂部(钳部)322，是通过未图示的驱动机构能够升降且能够旋转的构造。臂部322能够取出例如5枚晶片304，通过使臂部322运动，能够将晶片304在设置于晶圆盒开启器314的位置上的晶圆盒306及舟皿320之间搬运。
舟皿320由例如碳石墨、SiC等的耐热性材料构成，以将多枚晶片304以水平姿势且以将中心相互对齐的状态整齐排列地沿纵方向 堆积并保持的方式构成。此外，在舟皿320的下部，作为圆盘形状的隔热部件配置有舟皿隔热部324，该舟皿隔热部324由例如石英、SiC等的耐热性材料构成，以来自后述的被加热体(被感应体)326的热难以传递到处理炉328的下方侧的方式构成(参照后述的图9)。
在框体302内的背面侧上部配置有处理炉328。装填了多枚晶片304的舟皿320被搬入处理炉328内，进行热处理。
下面，说明对SiC外延膜进行成膜的半导体制造装置300的处理炉328。
图9(a)是表示本发明的第二实施方式的处理炉328的一例的侧视剖视图，图9(b)是支承在舟皿320上的晶片304的侧视剖视图。
在处理炉328内设有：具有第一气体供给口330的第一气体供给喷嘴332、具有第二气体供给口334的第二气体供给喷嘴336、以及第一气体排气口338。另外，图示了供给惰性气体的第三气体供给口340、第二气体排气口342。
处理炉328由石英或SiC等的耐热性材料制成，具有反应管344，该反应管344形成为上端封闭下端开口的圆筒形状。在反应管344的下方，与反应管344同心圆状地配置有分流器346。分流器346由例如不锈钢等制成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。分流器346以支承反应管344的方式设置。此外，在分流器346和反应管344之间，设有作为密封部件的O型环(未图示)。分流器346通过未图示的保持体得到支承，由此，反应管344成为垂直地安装的状态。通过反应管344和分流器346，形成反应容器。
处理炉328具有：形成为上端封闭下端开口的圆筒形状的被加热体(被感应体)326；以及作为磁场发生部的感应线圈348。在反应管344的内侧形成有反应室350，其构成为能够收纳舟皿320，其中，舟皿320用于保持由SiC等构成的作为衬底的晶片304。被加热体326通过由设在反应管344的外侧的感应线圈348而产生的磁场被加热，被加热体326发热，由此反应室350内被加热。
另外，如图9(b)所示，晶片304也可以以如下状态被保持在舟皿320上：保持在圆环状的下部晶片保持件352b上，且上表面被圆板状的上部晶片保持件352a覆盖。由此，能够保护晶片304不会受到从晶片上部落下的粒子的损伤，并且，能够相对于成膜面(晶片304的下表面)抑制背面侧的成膜。另外，能够使成膜面从舟皿柱离开与晶片保持件352a、352b相应的量，能够减小舟皿柱的影响。舟皿320构成为，以水平姿势且以将中心相互对齐的状态沿纵方向整齐排列的方式对保持在晶片保持件352中的晶片304进行保持。
在被加热体326的附近，作为对反应室350内的温度进行检测的温度检测体设有温度传感器。作为温度传感器，例如，在被加热体326的附近沿纵方向分割成三个区域并配置放射温度计354、356、358、360。放射温度计354被配置在纵方向的三个区域中的上部的区域，放射温度计356、358被配置在纵方向的三个区域中的中部的区域，放射温度计360被配置在纵方向的三个区域中的下部的区域。
配置在上部的区域的放射温度计354及配置在下部的区域的放射温度计360为监视器用，与其目的相应地，配置低温用放射温度计或高温用放射温度计的任一个。在配置在中部的区域中的放射温度计356及358中，放射温度计356为高温用放射温度计，放射温度计358为低温用放射温度计。放射温度计356及358以测定相同场所的温度为目的而配置，对高温用放射温度计即放射温度计356和低温用放射温度计即放射温度计358进行切换并进行温度控制。
这里，将高温用放射温度计的能够计测的温度范围的上限温度及下限温度分别设为高温用上限值Max_High、高温用下限值Min_High，将低温用放射温度计的能够计测的温度范围的上限温度及下限温度分别设为低温用上限值Max_Low、低温用下限值Min_Low，则高温用放射温度计和低温用放射温度计具有以下的关系。即，高温用上限值Max_High为比低温用上限值Max_Low高的值，并且，高温用下限值Min_High为比低温用下限值Min_Low高的值。
图10是表示本发明的第二实施方式的半导体制造装置300的控制构成的一例的框图。感应线圈348及放射温度计354、356、358、360分别与图10所示的温度控制部362电连接。温度控制部362以如下方式构成：根据由放射温度计356或放射温度计358检测的温度信息，调节向感应线圈348的通电情况，由此，以在规定的时刻使反应室350内的温度成为希望的温度分布的方式进行控制。例如，对于由高频率电源驱动的圆柱型的感应加热加热器即感应线圈348，温度控制部362对由放射温度计356或放射温度计358检测的温度信息和设定温度进行比较并以输出适当的热量的方式驱动高频率电源。
另外，温度控制部362通过后述的切换方式对根据由放射温度计356检测的温度信息的控制和根据由放射温度计358检测的温度信息的控制进行切换并进行控制。
而且，在感应线圈348的附近，沿纵方向分割为三个区域并配置热电偶364、366、368。热电偶364配置在纵方向的三个区域中的上部的区域，热电偶366配置在纵方向的三个区域中的中部的区域，热电偶368配置在纵方向的三个区域中的下部的区域。热电偶364、366、368用于过温保护，分别与温度控制部362电连接。
此外，优选地，在反应室350内，在第一及第二气体供给喷嘴332、336与第一气体排气口338之间，在被加热体326与晶片304之间，可以以填埋被加热体326和晶片304之间的空间的方式，将沿铅直方向延伸且截面为圆弧状的构造物370设置在反应室350内。图11是表示本发明的第二实施方式的处理炉328的一例的俯视剖视图。例如，如图11所示，通过在相对的位置上分别设置构造物370，能够防止从第一及第二气体供给喷嘴332、336供给的气体沿被加热体326的内壁在晶片304上迂回。作为构造物370，优选由隔热材料或石墨毡等构成，这样能够耐热及抑制粒子的产生。
在反应管344与被加热体326之间，设有例如由难以被感应的石墨毡等构成的隔热材料372，通过设置隔热材料372，能够抑制被加热体326的热向反应管344或反应管344的外侧传递。
另外，在感应线圈348的外侧，为了抑制反应室350内的热向外侧传递，例如水冷构造的外侧隔热壁374以包围反应室350的方式设置。而且，在外侧隔热壁374的外侧，设有防止由感应线圈348产生的磁场向外侧泄漏的磁密封部376。
如图9所示，在被加热体326与晶片304之间，为了向晶片304供给至少含有Si(硅)原子的气体和Cl(氯)原子的气体，设置有至少设有一个第一气体供给口330的第一气体供给喷嘴332。另外，在不同于被加热体326与晶片304之间的第一气体供给喷嘴332的位置上，为了向晶片304供给至少含有C(碳)原子的气体和还原气体，设置有至少设有一个第二气体供给口334的第二气体供给喷嘴336。另外，第一气体排气口338也同样配置在被加热体326与晶片304之间。另外，在反应管344与隔热材料372之间，配置第三气体供给口340及第二气体排气口342。
另外，第一气体供给喷嘴332及第二气体供给喷嘴336可以分别各为一根，但也可以如图11所示地构成为：设有三根第二气体供给喷嘴336，以被第二气体供给喷嘴336夹持的方式设置第一气体供给喷嘴332。通过这样交替地配置，能够促进含有Si原子的气体和含有C原子的气体的混合。另外，通过使第一气体供给喷嘴及第二气体供给喷嘴为奇数根，能够使成膜气体供给以中央的第二气体供给喷嘴336为中心而左右对称，从而能够提高晶片304内的均匀性。
第一气体供给口330及第一气体供给喷嘴332由例如碳石墨构成，设在反应室350内。另外，第一气体供给喷嘴332以贯穿分流器346的方式安装在分流器346上。这里，在形成SiC外延膜时，第一气体供给口330经由第一气体供给喷嘴332向反应室350内供给以下气体：作为至少含有Si(硅)原子的气体，供给例如甲硅烷(以下称为SiH4)气体；作为含有Cl(氯)原子的气体，供给例如 氯化氢(以下称为HCl)气体；作为载体气体，供给惰性气体(例如Ar(氩))。
第一气体供给喷嘴332经由第一气体线路378而被连接在气体供给单元380上。图12是表示本发明的第二实施方式的半导体制造装置300的气体供给单元380的一例的示意图。如图12所示，相对于SiH4气体、HCl气体、惰性气体，第一气体线路378经由作为流量控制器(流量控制机构)的质量流量控制器(以下称为MFC)382c、382d、382f及阀384c、384d、384f而连接在例如SiH4气体供给源386c、HCl气体供给源386d、惰性气体供给源386f上。
通过上述构成，能够对SiH4气体、HCl气体、惰性气体各自的供给流量、浓度、分压、供给时刻在反应室350内进行控制。阀384c、384d、384f、MFC382c、382d、382f电连接在气体流量控制部388上，在规定的时刻以各自供给的气体的流量成为规定流量的方式得到控制(参照图10)。此外，通过SiH4气体、HCl气体、惰性气体的各自的气体供给源386c、386d、386f、阀384c、384d、384f、MFC382c、382d、382f、第一气体线路378、第一气体供给喷嘴332及设在第一气体供给喷嘴332上的至少一个第一气体供给口330，来构成作为气体供给系统的第一气体供给系统。
第二气体供给口334例如由碳石墨构成，设在反应室350内。另外，第二气体供给喷嘴336以贯穿分流器346的方式安装在分流器346上。由此，在形成SiC外延膜时，第二气体供给口334能够经由第二气体供给喷嘴336向反应室350内供给以下气体：作为至少含有C(碳)原子的气体，供给例如丙烷(以下称为C3H8)气体；作为还原气体，供给例如氢气(H原子单体或H2分子。以下称为H2)。
第二气体供给喷嘴336经由第二气体线路390被连接在气体供给单元380上。另外，如图12所示，第二气体线路390与例如气体配管(未图示)连接，气体配管(未图示)分别连接在以下气体供给源上：作为含有C(碳)原子的气体，对于例如C3H8气体，经由作为流量控制机构的MFC382a及阀384a而连接在C3H8气体供给源 386a上，作为还原气体，对于例如H2气体，经由作为流量控制机构的MFC382b及阀384b连接在H2气体供给源386b上。
通过上述构成，能够对例如C3H8气体、H2气体的供给流量、浓度、分压在反应室350内进行控制。阀384a、384b、MFC382a、382b被电连接在气体流量控制部388上，在规定的时刻以供给的气体流量成为规定的流量的方式进行控制(参照图10)。此外，通过C3H8气体、H2气体的气体供给源386a、386b、阀384a、384b、MFC382a、382b、第二气体线路390、第二气体供给喷嘴336、第二气体供给口334，而构成作为气体供给系统的第二气体供给系统。
另外，在第一气体供给喷嘴332及第二气体供给喷嘴336中，可以在衬底的配列区域设置一个第一气体供给口330及第二气体供给口334，也可以按照晶片304的规定枚数设置。
如图9所示，第一气体排气口338与舟皿320相比设在下部，在分流器346上，连接在第一气体排气口338上的气体排气管392以贯穿的方式设置。在气体排气管392的下游侧，经由未图示的作为压力检测器的压力传感器及作为压力调整器的APC(Auto Pressure Controller、自动压力控制)阀394而连接有真空泵等的真空排气装置396。在压力传感器及APC阀394上电连接有压力控制部398，压力控制部398根据由压力传感器检测的压力对APC阀394的开度进行调整，构成为以处理炉328内的压力成为规定的压力的方式在规定的时刻进行控制(参照图10)。
如上所述，从第一气体供给口330供给至少含有Si(硅)原子的气体和含有Cl(氯)原子的气体，从第二气体供给口334供给至少含有C(碳)原子的气体和还原气体，所供给的气体相对于由Si或SiC构成的晶片304平行地流动，从第一气体排气口338被排气，所以，整个晶片304能够有效且均匀地曝露在气体中。
另外，如图11所示，第三气体供给口340配置在反应管344与隔热材料372之间，以贯穿分流器346的方式安装。而且，第二气体排气口342以在反应管344与隔热材料372之间与第三气体供给 口340相对的方式配置，第二气体排气口342连接在气体排气管392上。第三气体供给口340形成在贯穿分流器346的第三气体线路400上，经由阀384e、MFC382e与气体供给源386e连接。从气体供给源386e供给作为惰性气体的例如稀有气体Ar气体，由此，能够防止有助于SiC外延膜成长的气体、例如含有Si(硅)原子的气体或含有C(碳)原子的气体或含有Cl(氯)原子的气体或它们的混合气体进入到反应管344和隔热材料372之间，从而防止在反应管344的内壁或隔热材料372的外壁上附着不需要的生成物。
另外，供给到反应管344与隔热材料372之间的惰性气体从第二气体排气口342经由位于气体排气管392的下游侧的APC阀394从真空排气装置396被排气。
下面，对处理炉328及其周边的结构进行说明。
图13是本发明的第二实施方式的处理炉328及周边构造的概要剖视图。在处理炉328的下方，设有作为用于气密地封闭处理炉328的下端开口的炉口盖体的密封盖402。密封盖402例如为不锈钢等的金属制，形成为圆盘状。在密封盖402的上表面上，设有作为与处理炉328的下端抵接的密封件的O型环(未图示)。在密封盖402上设有旋转机构404，旋转机构404的旋转轴406贯穿密封盖402并连接在舟皿320上，以使舟皿320旋转由此使晶片304旋转的方式构成。
另外，密封盖402作为设在处理炉328的外侧的升降机构，以通过后述的升降马达408而在垂直方向上升降的方式构成，由此，能够将舟皿320相对于处理炉328搬入、搬出。在旋转机构404及升降马达408上电连接有驱动控制部410，并以如下方式构成：在规定的时刻以进行规定的动作的方式进行控制(参照图10)。
在作为预备室的加载互锁(load lock)室412的外表面上设有下基板414。在下基板414上设有与升降台416自由滑动地嵌合的导向轴418以及与升降台416螺合的球头螺钉420。另外，在立设在下基板414上的导向轴418及球头螺钉420的上端上设有上基板422。球 头螺钉420通过设在上基板422上的升降马达408而进行旋转，球头螺钉420旋转由此升降台416进行升降。
在升降台416上垂设有中空的升降轴424，升降台416和升降轴424的连结部是气密的，升降轴424与升降台416一同升降。升降轴424游隙贯穿于加载互锁室412的顶板426，供升降轴424贯穿的顶板426的贯穿孔以使升降轴424不与顶板426接触的方式形成有充分大的间隙。
另外，在加载互锁室412与升降台416之间，以覆盖升降轴424的周围的方式设有作为具有伸缩性的中空伸缩体的波纹管428，通过波纹管428，加载互锁室412被保持气密。此外，波纹管428具有能够应对升降台416的升降量的充分的伸缩量，波纹管428的内径以与升降轴424的外径相比充分大、伸缩时波纹管428和升降轴424不会接触的方式构成。
在升降轴424的下端，水平地固定有升降基板430，在升降基板430的下表面上经由O型环等的密封部件气密地安装有驱动部罩432。由升降基板430和驱动部罩432构成驱动部收纳箱434，通过该结构，驱动部收纳箱434内部与加载互锁室412内的环境气体相隔离。
另外，在驱动部收纳箱434的内部设有舟皿320的旋转机构404，旋转机构404的周边通过冷却机构436被冷却。
电缆438从升降轴424的上端通过中空部被导向并连接在旋转机构404上。另外，在冷却机构436及密封盖402上形成有冷却水流路440。而且，冷却水配管442从升降轴424的上端通过中空部被导向并连接于冷却水流路440。
升降马达408受到驱动，则球头螺钉420旋转，由此，经由升降台416及升降轴424使驱动部收纳箱434升降。
驱动部收纳箱434上升，由此，气密地设在升降基板430上的密封盖402将处理炉328的开口部即炉口444封闭，成为能够进行 晶片处理的状态。另外，驱动部收纳箱434下降，由此，舟皿320与密封盖402一同降下，成为能够将晶片304搬出到外部的状态。
下面，对构成对SiC外延膜进行成膜的半导体制造装置300的各部分的控制构成进行说明。
图10中，温度控制部362、气体流量控制部388、压力控制部398、驱动控制部410构成操作部及输入输出部，并与对整个半导体制造装置300进行控制的主控制部446电连接。另外，温度控制部362、气体流量控制部388、压力控制部398、驱动控制部410作为控制器448而构成。
下面，对构成上述的第一气体供给系统及第二气体供给系统的理由进行说明。
在对SiC外延膜进行成膜的半导体制造装置中，需要将由至少含有Si(硅)原子的气体和含有C(碳)原子的气体构成的原料气体向反应室350供给，并对SiC外延膜进行成膜。另外，在如本实施方式那样、多枚晶片304以水平姿势多层整齐地保持的情况下，为了提高晶片间的均匀性，以使成膜气体能够分别从各晶片附近的气体供给口进行供给的方式，在反应室350内设置气体供给喷嘴。因此，气体供给喷嘴内也需要满足与反应室相同的条件。此时，若将含有Si原子的气体和含有C原子的气体通过相同的气体供给喷嘴进行供给，则原料气体彼此发生反应由此原料气体被消耗，在反应室350的下游侧，不仅原料气体不足，而且会产生以下问题：在气体供给喷嘴内反应并堆积的SiC膜等的堆积物会堵塞气体供给喷嘴，导致原料气体的供给变得不稳定，并且，会产生粒子等。
因此，在本实施方式中，经由第一气体供给喷嘴332供给含有Si原子的气体，经由第二气体供给喷嘴336供给含有C原子的气体。这样，从不同的气体供给喷嘴供给含有Si原子的气体和含有C原子的气体，由此，在气体供给喷嘴内，能够不使SiC膜堆积。此外，在欲调整含有Si原子的气体及含有C原子的气体的浓度以及流速的情况下，只要分别供给适当的载体气体即可。
而且，存在为了更有效地使用含有Si原子的气体而使用氢气那样的还原气体的情况。该情况下，优选经由供给含有C原子的气体的第二气体供给喷嘴336供给还原气体。这样，将还原气体与含有C原子的气体一起供给，在反应室350内与含有Si原子的气体混合，由此，成为还原气体少的状态，因此与成膜时相比能够抑制含有Si原子的气体的分解，能够抑制第一气体供给喷嘴内的Si膜的堆积。该情况下，能够将还原气体作为含有C原子的气体的载体气体加以利用。此外，作为含有Si原子的气体的载体气体，通过使用氩气(Ar)那样的惰性气体(尤其稀有气体)，能够抑制Si膜的堆积。
而且，优选对第一气体供给喷嘴332供给HCl那样的含有氯原子的气体。这样，即使含有Si原子的气体因热而分解并成为能够堆积在第一气体供给喷嘴内的状态，能够通过氯达到蚀刻模式，能够进一步抑制Si膜向第一气体供给喷嘴内的堆积。
此外，在图9所示的例子中，说明了对第一气体供给喷嘴332供给SiH4气体及HCl气体、对第二气体供给喷嘴336供给C3H8气体及H2气体的结构，但如上所述，图9到图12所示的例子是最佳组合，但不限于此。
另外，在从图9到图12所示的例子中，作为形成SiC外延膜时流通的含有Cl(氯)原子的气体，例示了HCl气体，但还可以使用氯气。
另外，上文中，当形成SiC外延膜时，供给含有Si(硅)原子的气体和含有Cl(氯)原子的气体，但还可以供给含有Si原子和Cl原子的气体，例如四氯化硅(以下称为SiCl4)气体、三氯氢硅(以下称为SiHCl3)气体、二氯甲硅烷(以下称为SiH2Cl2)气体。另外，当然，这些含有Si原子及Cl原子的气体还包括含有Si原子的气体，或者，还可以称为含有Si原子的气体及含有Cl原子的气体的混合气体。尤其，SiCl4由于热分解的温度较高，所以，从抑制喷嘴内的Si消耗的观点考虑优选。
另外，上文中，作为含有C(碳)原子的气体，列举了C3H8气体，但还可以使用乙烯(以下称为C2H4)气体、乙炔(以下称为C2H2)气体。
另外，作为还原气体，例示了H2气体，但不限于此，还可以使用其他的含有H(氢)原子的气体。而且，作为载体气体，可以使用Ar(氩气)气体、He(氦气)气体、Ne(氖气)气体、Kr(氪气)气体、Xe(氙气)气体等的稀有气体中的至少一种，还可以使用组合上述的气体的混合气体。
上述中，经由第一气体供给喷嘴332供给含有Si原子的气体，经由第二气体供给喷嘴336供给含有C原子的气体，由此，抑制气体供给喷嘴内的SiC膜的堆积(以下，将分离地供给含有Si原子的气体和含有C原子的气体的方式称为“分离方式”。)。但是，该方法虽然能够抑制气体供给喷嘴内的SiC膜的堆积，但需要在从气体供给口330、334到晶片304之间对含有Si原子的气体和含有C原子的气体进行充分混合。
因此，从晶片内的均匀化的观点出发，优选预先对含有Si原子的气体和含有C原子的气体进行混合，再向气体供给喷嘴332供给(以下，将从同一气体供给喷嘴供给含有Si原子的气体和含有C原子的气体的方式称为“预混合方式”。)。但是，若从同一气体供给喷嘴供给含有Si原子的气体及含有C原子的气体，则存在在气体供给喷嘴内堆积SiC膜的可能性。另一方面，对于含有Si原子的气体来说，若使蚀刻气体即氯和还原气体即氢的比(Cl/H)增大，则基于氯所实现的蚀刻效果较大，能够抑制含有Si原子的气体的反应。因此，向一方的气体供给喷嘴供给含有Si原子的气体、含有C原子的气体及含有氯的气体，而从另一方的气体供给喷嘴供给用于还原反应的还原气体(例如，氢气)，由此，气体供给喷嘴内的Cl/H增大，能够抑制SiC膜的堆积。
下面，对使用上述的半导体制造装置300、作为半导体设备的制造工序的一个工序在由SiC等构成的晶片304等的衬底上形成例如SiC膜的衬底的制造方法进行说明。
此外，在以下的说明中，构成半导体制造装置300的各部分的动作由控制器448控制。
首先，将收纳有多枚晶片304的晶圆盒306设置在晶圆盒台308上，通过晶圆盒搬运装置310将晶圆盒306从晶圆盒台308向晶圆盒收纳架312搬运并留存。然后，通过晶圆盒搬运装置310，将留存在晶圆盒收纳架312上的晶圆盒306搬运并设置在晶圆盒开启器314处，通过晶圆盒开启器314打开晶圆盒306的盖，通过衬底枚数检测器316对收纳在晶圆盒306中的晶片304的枚数进行检测。
接着，通过衬底移载机318从位于晶圆盒开启器314的位置的晶圆盒306将晶片304取出并移载到舟皿320上。
若多枚晶片304被装载在舟皿320上，则保持晶片304的舟皿320通过基于升降马达408的升降台416及升降轴424的升降动作而被搬入(舟皿装载)反应室350内。在该状态下，密封盖402成为经由O型环(未图示)而将分流器346的下端密封的状态。
舟皿320搬入后，以使反应室350内成为规定的压力(真空度)的方式，通过真空排气装置396进行真空排气。此时，反应室350内的压力通过压力传感器(未图示)进行测定，并根据所测定的压力对与第一气体排气口338及第二气体排气口342连通的APC阀394进行反馈控制。另外，为了使晶片304及反应室350内成为规定的温度，被加热体326被加热。此时，为了使反应室350内成为规定的温度分布，根据由后述的切换方式所选择的高温用放射温度计356或低温用放射温度计358检测到的温度信息，对向感应线圈348的通电情况进行反馈控制。接下来，通过旋转机构404，舟皿320进行旋转，由此，晶片304沿周向旋转。
接下来，有助于SiC外延成长反应的含有Si(硅)原子的气体及含有Cl(氯)原子的气体分别从气体供给源386c、386d被供给， 并从第一气体供给口330向反应室350内喷出。另外，以使含有C(碳)原子的气体及还原气体即H2气体成为规定的流量的方式调整对应的MFC382a、382b的开度后，阀384a、384b打开，各气体流通第二气体线路390，并流通第二气体供给喷嘴336从而从第二气体供给口334导入反应室350内。
从第一气体供给口330及第二气体供给口334供给的气体通过反应室350内的被加热体326的内侧，并从第一气体排气口338通过气体排气管392被排气。从第一气体供给口330及第二气体供给口334供给的气体在通过反应室350内时，与由SiC等构成的晶片304接触，在晶片304表面上进行SiC外延膜成长。
另外，从气体供给源386e，以作为惰性气体的稀有气体即Ar气体成为规定的流量的方式调整对应的MFC382e的开度，然后，阀384e打开，Ar气体流通第三气体线路400，并从第三气体供给口340供给到反应室350内。从第三气体供给口340供给的作为惰性气体的稀有气体即Ar气体通过反应室350内的隔热材料372和反应管344之间，并从第二气体排气口342被排气。
接着，经过预先设定的时间后，上述的气体的供给停止，从未图示的惰性气体供给源供给惰性气体，反应室350内的被加热体326的内侧的空间被惰性气体置换，并且，反应室350内的压力恢复成常压。
然后，密封盖402通过升降马达408而下降，分流器346的下端开口，并且，处理完毕的晶片304以被保持在舟皿320上的状态从分流器346的下端被搬出到反应管344的外部(舟皿卸载)，使舟皿320在规定位置待机，直到保持在舟皿320上的晶片304冷却。在待机的舟皿320的晶片304冷却到规定温度后，通过衬底移载机318，从舟皿320取出晶片304，并向设置在晶圆盒开启器314上的空的晶圆盒306搬运并收纳。然后，通过晶圆盒搬运装置310将收纳有晶片304的晶圆盒306向晶圆盒收纳架312或晶圆盒台308搬运。这样，完成半导体制造装置300的一系列的动作。
下面，对温度控制中的放射温度计的切换进行说明。
例如，作为对根据低温用放射温度计的测定值(检测温度)的温度控制和根据高温用放射温度计的测定值(检测温度)的温度控制进行切换判断的基准，决定阈值S，以在低温用放射温度计或高温用放射温度计的测定值为阈值S以下的情况下进行根据低温用放射温度计的测定值的温度控制、在大于阈值S的情况下进行根据高温用放射温度计的测定值的温度控制的方式进行切换。
这里，作为示例，将低温用放射温度计的能够计测的范围设为50℃～550℃，将高温用放射温度计的能够计测的范围设为450℃～950℃。该情况下，对基于低温用放射温度计的控制和基于高温用放射温度的控制进行切换时，通过以下方式进行切换，即利用一个阈值(这里，例如低温用放射温度计和高温用放射温度计的能够计测的范围重叠的500℃)，在被计测的温度为阈值以下的情况下进行基于低温用放射温度计的控制，在为阈值以上的情况下进行基于高温用放射温度计的控制。
但是，在通过上述的方法对控制进行切换的情况下，切换时的温度测定值及进行切换的温度附近的温度测定值变得不稳定。
以下，对温度控制部362中的放射温度计的切换方式进行说明。
温度控制部362，根据阈值P和阈值M对控制进行切换，其中，阈值P是从基于低温用放射温度计358的温度控制向基于高温用放射温度计356的温度控制进行切换的判断基准，阈值M是从基于高温用放射温度计356的温度控制向基于低温用放射温度计358的温度控制进行切换的值。这里，阈值P比阈值M大(即，为P＞M的关系)。
另外，使高温用放射温度计356的能够计测的温度范围的上限值为Max_High，使高温用放射温度计356的能够计测的温度范围的下限值为Min_High，使低温用放射温度计358的能够计测的温度范围的上限值为Max_Low，使低温用放射温度计358的能够计测的温度范围的下限值为Min_Low，则阈值P及阈值M满足下式。
Max_High＞Max_Low＞P＞M＞Min_High＞Min_Low
图14是表示基于温度控制部362的温度控制的切换规则的表。另外，图15是表示对基于高温用放射温度计的控制和基于低温放射温度计的控制进行切换的曲线图。图15中，横轴表示进行基于高温用放射温度计的温度控制还是进行基于低温用放射温度计的温度控制，纵轴表示由放射温度计测定的测定温度。此外，粗线所示的测定温度表示由低温用放射温度计358测定的测定温度，虚线所示的测定温度表示由高温用放射温度计356测定的测定温度。
如图14及图15所示，温度控制部362通过对当前的温度控制所使用的放射温度计的测定温度和阈值进行比较来进行控制的切换。温度控制部362，在将控制对象从基于低温用放射温度计358的控制切换为基于高温用放射温度计356的控制的情况下，若低温用放射温度计358的测定值为阈值P以上则向基于高温用放射温度计356的控制切换。这里，温度控制部362，在将控制对象从基于低温用放射温度计358的控制切换为基于高温用放射温度计356的控制的情况下，高温用放射温度计的测定值在切换判断中不考虑。
相反地，温度控制部362，在从基于高温用放射温度计356的温度控制切换为基于低温用放射温度计358的温度控制的情况下，若高温用放射温度计356的测定值不足阈值M，则向基于低温用放射温度计358的控制切换。同样，温度控制部362，在从基于高温用放射温度计356的温度控制切换为基于低温用放射温度计358的温度控制的情况下，低温用放射温度计的测定值在切换判断中不考虑。
在上述的温度控制部362所进行的控制的切换中，能够改善多种放射温度计的切换时及切换温度附近处担心的温度测定值的不稳定，能够提高温度控制性。
下面，说明第二实施方式的变形例。在上述的第二实施方式中，通过对当前的温度控制所使用的放射温度计的测定值和阈值进行比较来进行控制的切换，但例如在基于高温用放射温度计356的测定值与基于低温用放射温度计358的测定值存在差的情况下，或在高 温用放射温度计356或低温用放射温度计358的任个因故障等不能输出正常的测定值的情况下，存在温度控制变得不稳定的可能性。
因此，在变形例中，在从基于低温用放射温度计358的温度控制切换为基于高温用放射温度计356的温度控制的情况下，关于低温用放射温度计358的测定值及高温用放射温度计356的测定值，分别使其与阈值进行比较。
变形例中，即使低温用放射温度计358的测定值为阈值P以上，在高温用放射温度计356的测定值不足阈值M的情况下，不进行向基于高温用放射温度计356的控制切换，这一点与上述的第二实施方式不同。
在变形例中，温度控制部362根据阈值P和阈值M对控制进行切换，其中，阈值P是从基于低温用放射温度计358的温度控制向基于高温用放射温度计356的温度控制切换的判断基准，阈值M是从基于高温用放射温度计356的温度控制向基于低温用放射温度计358的温度控制进行切换的值。另外，关于阈值P、阈值M、高温用放射温度计356的能够计测的上限值Max_High、高温用放射温度计356的能够计测的下限值Min_High、低温用放射温度计358的能够计测的上限值Max_Low、低温用放射温度计358的能够计测的下限值Min_Low的关系也同样如上述的关系式表示。
图16是表示变形例中的温度控制部362所实现的温度控制的切换规则的表。
如图16所示，在变形例中的温度控制部362中，在将控制对象从基于高温用放射温度计356的控制切换为低温用放射温度计358的情况下，若高温用放射温度计356的测定值不足阈值M，则向基于低温用放射温度计358的控制切换。
另外，在变形例中的温度控制部362中，在从基于低温用放射温度计358的温度控制向基于高温用放射温度计356的温度控制切换的情况下，只要在低温用放射温度计358的测定值为阈值P以上、且高温用放射温度计356的测定值为阈值M以上的情况下，就向基 于高温用放射温度计356的控制切换。即，在高温用放射温度计356的测定值不足阈值M的情况下，即使低温用放射温度计358的测定值为阈值P以上也不向基于高温用放射温度计356的控制切换。由于高温用放射温度计356的测定值已经不足阈值M，所以在下次的切换判断时还会再向基于低温用放射温度计358的温度控制切换，由于进行连续的切换，所以，温度测定值会变得不稳定。
另外，在低温用放射温度计358的测定值为阈值P以上、且高温用放射温度计356的测定值不足阈值M的情况下，有可能会想到高温用放射温度计356或低温用放射温度计358的哪个出错了，考虑到安全性，在这样的情况下，进行基于温度测定值高的低温用放射温度计358的温度控制。
在变形例中的控制的切换中，除了能够改善多种放射温度计的切换时及切换温度附近担心的温度测定值的不稳定，还能够实现比作为第二实施方式所示的控制的切换更安全的温度控制。
在以上的第二实施方式及其变形例的说明中，表示了温度控制部362中的温度控制是利用配置在中部的区域中的放射温度计356及358来进行的例子，但还可以在上部或下部的区域中设置高温用放射温度计及低温用放射温度计，并同样地进行控制的切换。
另外，不限于对SiC外延膜进行成膜的半导体制造装置，还能够适用于全部纵型的衬底处理装置。

Claims (3)

1.一种衬底处理装置，其特征在于，
具有：
加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；
第一温度检测机构，其利用第一热电偶对所述衬底附近的温度进行检测；
第二温度检测机构，其利用第二热电偶对所述加热机构附近的温度进行检测；
控制机构，其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；
控制切换机构，其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述控制机构进行控制，从而使所述控制机构对第一控制模式和第二控制模式进行切换，
所述第一热电偶的耐热性比所述第二热电偶的耐热性大，所述第二热电偶的温度检测性能比所述第一热电偶的温度检测性能高。
2.一种衬底处理装置的温度控制方法，其特征在于，具有以下步骤：
通过加热机构对收容衬底的处理室进行加热的步骤；
通过利用第一热电偶的第一温度检测机构对所述衬底附近的温度进行检测的步骤；
通过利用第二热电偶的第二温度检测机构对所述加热机构附近的温度进行检测的步骤；
依据由所述第一温度检测机构或所述第二温度检测机构检测的温度，对第一控制模式和第二控制模式进行切换的步骤，其中，所述第一控制模式根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；所述第二控制模式根据由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制，
所述第一热电偶的耐热性比所述第二热电偶的耐热性大，所述第二热电偶的温度检测性能比所述第一热电偶的温度检测性能高。
3.一种衬底处理装置，其特征在于，
具有：
加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；
第一温度检测机构，其使用第一放射温度计对通过所述加热机构被加热的温度进行检测；
第二温度检测机构，其使用第二放射温度计对通过所述加热机构被加热的温度进行检测，其中，所述第二放射温度计，将比由第一放射温度计测定的温度的范围的上限高的温度作为所测定的温度的范围的上限，并且，将比由第一放射温度计测定的温度的范围的下限高的温度作为所测定的温度的范围的下限；
控制机构，其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制；
控制切换机构，其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述控制机构进行控制，从而使所述控制机构切换第一控制模式和第二控制模式，或者，根据由所述第一温度检测机构或所述第二温度检测机构检测的温度和预先设定的阈值，对所述控制机构进行控制，从而使所述控制机构切换第一控制模式和第二控制模式。
CN201110319007.6A 2010-10-18 2011-10-18 衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法 Active CN102456596B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-233575 2010-10-18
JP2010233575 2010-10-18
JP2011106088A JP5734081B2 (ja) 2010-10-18 2011-05-11 基板処理装置、基板処理装置の温度制御方法、及び基板処理装置の加熱方法
JP2011-106088 2011-05-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102456596A true CN102456596A (zh) 2012-05-16
CN102456596B CN102456596B (zh) 2016-01-20

Family

ID=45934381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110319007.6A Active CN102456596B (zh) 2010-10-18 2011-10-18 衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9418881B2 (zh)
JP (1) JP5734081B2 (zh)
KR (1) KR101267288B1 (zh)
CN (1) CN102456596B (zh)
TW (1) TWI437655B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103243393A (zh) * 2013-05-06 2013-08-14 上海煦康电子科技有限公司 一种气体预热装置、扩散炉及进气预热的方法
CN103545232A (zh) * 2012-07-09 2014-01-29 北京七星华创电子股份有限公司 用于半导体热处理设备的温控系统及方法、应用该系统的设备
CN103677009A (zh) * 2013-12-16 2014-03-26 北京七星华创电子股份有限公司 半导体热处理设备的温控方法
CN103871927A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 垂直扩散氧化炉石英工艺管的结构
CN104750140A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔加热控制方法及装置
CN108987291A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 捷进科技有限公司 半导体制造装置和半导体器件的制造方法
TWI821568B (zh) * 2019-06-06 2023-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 使用氣相反應器系統之方法

Families Citing this family (200)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090197424A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US9068263B2 (en) * 2009-02-27 2015-06-30 Sandvik Thermal Process, Inc. Apparatus for manufacture of solar cells
JP2012172871A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置および熱処理装置の温度測定方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101387518B1 (ko) * 2012-08-28 2014-05-07 주식회사 유진테크 기판처리장치
WO2014038453A1 (ja) * 2012-09-05 2014-03-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
CN103712470A (zh) * 2012-10-08 2014-04-09 丹阳市江南工业炉有限公司 热处理炉的热电偶装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI569346B (zh) * 2014-01-16 2017-02-01 尤金科技有限公司 基板處理裝置及加熱器之溫度調整方法
JP6087323B2 (ja) * 2014-07-31 2017-03-01 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
TWI642137B (zh) * 2015-08-04 2018-11-21 日商日立國際電氣股份有限公司 Substrate processing apparatus, reaction container, and manufacturing method of semiconductor device
TWI611043B (zh) 2015-08-04 2018-01-11 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
JP6629012B2 (ja) * 2015-08-31 2020-01-15 豊田鉄工株式会社 加熱炉用のワーク搬送装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP6948842B2 (ja) * 2017-06-02 2021-10-13 昭和電工株式会社 アニール装置及び半導体ウェハの製造方法
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
KR102474052B1 (ko) * 2018-01-15 2022-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 제조 생산성을 위한 진보된 온도 모니터링 시스템 및 방법들
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
CN111834247B (zh) * 2019-04-23 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置和半导体处理设备
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
US11545375B2 (en) * 2019-06-17 2023-01-03 Applied Materials, Inc. Hybrid control system for workpiece heating
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
JP7418287B2 (ja) * 2020-05-29 2024-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
US12013291B2 (en) * 2020-10-14 2024-06-18 Applied Materials, Inc. Advanced temperature monitoring system with expandable modular layout design
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1397985A (zh) * 2001-07-12 2003-02-19 株式会社日立国际电气 衬底处理装置和半导体器件的制造方法
CN1470966A (zh) * 2002-07-24 2004-01-28 δ����ҵ��ʽ���� 用于补偿测试温度偏差的方法
JP2004119804A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US20050106318A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Aaron Partridge Crack and residue free conformal deposited silicon oxide with predictable and uniform etching characteristics
US20060188240A1 (en) * 2003-07-28 2006-08-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101040235A (zh) * 2004-12-27 2007-09-19 株式会社日立国际电气 温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法
CN101423935A (zh) * 2007-10-29 2009-05-06 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的控制方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4913790A (en) * 1988-03-25 1990-04-03 Tokyo Electron Limited Treating method
JP3107219B2 (ja) * 1990-11-06 2000-11-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3254320B2 (ja) * 1993-11-16 2002-02-04 日本碍子株式会社 炉の温度測定方法
JPH097965A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の温度制御装置
JP3380668B2 (ja) * 1996-01-23 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 温度調整方法、温度調整装置及び熱処理装置
US5895596A (en) * 1997-01-27 1999-04-20 Semitool Thermal Model based temperature controller for semiconductor thermal processors
US5831249A (en) * 1997-01-29 1998-11-03 Advanced Micro Devices, Inc. Secondary measurement of rapid thermal annealer temperature
US6063234A (en) * 1997-09-10 2000-05-16 Lam Research Corporation Temperature sensing system for use in a radio frequency environment
JP3246891B2 (ja) * 1998-02-03 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR20010071235A (ko) * 1998-05-11 2001-07-28 세미툴 인코포레이티드 열반응기용 온도 제어 시스템
JP4551515B2 (ja) * 1998-10-07 2010-09-29 株式会社日立国際電気 半導体製造装置およびその温度制御方法
JP2000286207A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及び熱処理方法
JP4493192B2 (ja) * 2000-09-13 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置及びその制御方法
JP3834216B2 (ja) * 2000-09-29 2006-10-18 株式会社日立国際電気 温度制御方法
WO2002071459A1 (fr) * 2001-03-05 2002-09-12 Tokyo Electron Limited Procede et systeme de traitement thermique
WO2003012567A1 (en) * 2001-07-30 2003-02-13 Tokyo Electron Limited Plasma chamber wall segment temperature control
JP2003318121A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法
US7112763B2 (en) * 2004-10-26 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low temperature pyrometry useful for thermally processing silicon wafers
JP4783029B2 (ja) 2005-01-31 2011-09-28 株式会社日立国際電気 熱処理装置及び基板の製造方法
JP2006284155A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波焼成炉
JP4692143B2 (ja) * 2005-08-12 2011-06-01 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
JP4891987B2 (ja) * 2006-03-09 2012-03-07 株式会社日立国際電気 温度調整方法
US7727780B2 (en) * 2007-01-26 2010-06-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus
US20090095422A1 (en) * 2007-09-06 2009-04-16 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor manufacturing apparatus and substrate processing method
JP5274213B2 (ja) * 2008-11-14 2013-08-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法、温度制御方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1397985A (zh) * 2001-07-12 2003-02-19 株式会社日立国际电气 衬底处理装置和半导体器件的制造方法
CN1470966A (zh) * 2002-07-24 2004-01-28 δ����ҵ��ʽ���� 用于补偿测试温度偏差的方法
JP2004119804A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US20060188240A1 (en) * 2003-07-28 2006-08-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20050106318A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Aaron Partridge Crack and residue free conformal deposited silicon oxide with predictable and uniform etching characteristics
CN101040235A (zh) * 2004-12-27 2007-09-19 株式会社日立国际电气 温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法
CN101423935A (zh) * 2007-10-29 2009-05-06 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理装置的控制方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545232A (zh) * 2012-07-09 2014-01-29 北京七星华创电子股份有限公司 用于半导体热处理设备的温控系统及方法、应用该系统的设备
CN103545232B (zh) * 2012-07-09 2017-10-17 北京七星华创电子股份有限公司 用于半导体热处理设备的温控系统及方法、应用该系统的设备
CN103871927A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 垂直扩散氧化炉石英工艺管的结构
CN103243393A (zh) * 2013-05-06 2013-08-14 上海煦康电子科技有限公司 一种气体预热装置、扩散炉及进气预热的方法
CN103677009A (zh) * 2013-12-16 2014-03-26 北京七星华创电子股份有限公司 半导体热处理设备的温控方法
CN103677009B (zh) * 2013-12-16 2016-06-01 北京七星华创电子股份有限公司 半导体热处理设备的温控方法
CN104750140A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔加热控制方法及装置
CN104750140B (zh) * 2013-12-31 2017-09-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔加热控制方法及装置
CN108987291A (zh) * 2017-05-31 2018-12-11 捷进科技有限公司 半导体制造装置和半导体器件的制造方法
CN108987291B (zh) * 2017-05-31 2022-05-27 捷进科技有限公司 半导体制造装置和半导体器件的制造方法
TWI821568B (zh) * 2019-06-06 2023-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 使用氣相反應器系統之方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120094010A1 (en) 2012-04-19
TWI437655B (zh) 2014-05-11
JP5734081B2 (ja) 2015-06-10
TW201230229A (en) 2012-07-16
KR20120040090A (ko) 2012-04-26
JP2012109520A (ja) 2012-06-07
CN102456596B (zh) 2016-01-20
US9418881B2 (en) 2016-08-16
KR101267288B1 (ko) 2013-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102456596A (zh) 衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法
KR100241293B1 (ko) 고속열처리로의 온도제어방법 및 그 장치
CN102653883B (zh) 衬底处理装置及衬底的制造方法
JP4365017B2 (ja) 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
US20100154711A1 (en) Substrate processing apparatus
CN102543689A (zh) 衬底处理装置、衬底的制造方法及半导体器件的制造方法
US8417394B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and temperature controlling method
JP2003282578A (ja) 熱処理装置および半導体製造方法
US20120064472A1 (en) Vertical-type heat treatment apparatus
WO2001041202A1 (fr) Dispositif et procede de traitement thermique
JP2010171388A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理用反応管
US20100282166A1 (en) Heat treatment apparatus and method of heat treatment
KR101509286B1 (ko) 종형 열처리 장치
JP2012193985A (ja) 基板処理装置、及び、基板の製造方法
JP6736755B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2013197507A (ja) 基板処理装置および基板処理方法ならびに半導体装置の製造方法
JP2012069831A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2010086985A (ja) 基板処理装置
JP2018113275A (ja) 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理システム
JP5783859B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の温度制御方法
JP2005259902A (ja) 基板処理装置
JP2003051497A (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP2013197249A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び流量制御方法
JP2014179550A (ja) 基板処理装置
JP2013058561A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20181130

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Patentee after: International Electric Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Patentee before: Hitachi Kunisai Electric Corp.