JP6904231B2 - 基板処理方法、記憶媒体及び原料ガス供給装置 - Google Patents
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Description
前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、気化原料の流量及びキャリアガスの流量に関する比率である第1の補正係数を求める工程と、
前記第1の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理する工程と、
前記第1の補正係数を求める工程の後、前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、前記気化原料の流量及び前記キャリアガスの流量に関する比率である第2の補正係数を求める工程と、
前記第2の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理する工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、気化原料の流量及びキャリアガスの流量に関する比率である第1の補正係数を求めるステップと、前記第1の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理するステップと、前記第1の補正係数を求めるステップの後、前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、前記気化原料の流量及び前記キャリアガスの流量に関する比率である第2の補正係数を求めるステップと、前記第2の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理するステップとを実行する制御部を含むことを特徴とする。
キャリアガスの流量の増減量=補正係数Kn×気化原料の流量の増減量・・・(1)
またメモリ93には、補正係数Knを算出するための関係式が記憶されている。関係式は、n枚目のウエハ100の処理時における気化原料の流量の測定値をPrn、n枚目のウエハ100の処理時におけるキャリアガスの流量の測定値をCnとすると、例えば次の(2)式のような次式で近似される。
補正係数Kn=(Cn−Cn−1)/(Prn−Prn−1)・・・(2)
式(2)は、(Cn−Cn−1)をΔCn、(Prn−Prn−1)をΔPrnとすると、ΔCn=補正係数Kn×ΔPrnであり、横軸をΔPrn、縦軸をΔCnとすると、図3中のグラフ(I)のような傾きの補正係数Knの一次式となる。
この実施の形態においては、キャリアガスの流量の増減量と、気化原料の流量の増減量と、により算出される補正係数Knが気化原料の流量と、キャリアガスの流量と、に関する比率に相当する。
そしてメモリ93には、Cn、Cn−1、Prn及びPrn−1を書き込めるように構成されたデータテーブルが記憶されており、後述するようにウエハ100の処理を行うにしたがって、データテーブルを書き換えることができるように構成されている。
図3を参照して説明すると、原料容器14の加熱温度を一定とすると、原料の残量が少なくなると、原料の気化量が少なくなるため、一定量の原料を供給しようとしたときに、より多くのキャリアガスを流す必要がある。
まず例えばステップS1に示すようにダミーレシピを実行し、ロットの先頭のウエハ100の処理時のキャリアガスの流量を決定するための第1の補正係数に相当する補正係数K0を取得する。
なおダミーレシピは、成膜処理部40に例えばダミーウエハを搬入した状態で行うようにしてもよい。このMFC2の設定値は、例えば原料容器14に固体原料が最大まで補充された状態において、処理レシピの設定温度、例えば170℃で、原料容器14を加熱したとするときの、予め設定された基準となる補正係数KAと、処理レシピにおける気化原料の流量の目標値に基づいて決定される(MFC2の設定値=補正係数KA×気化原料の流量の目標値)。
更に処理レシピにおける成膜処理部40に供給される原料ガスの供給、休止の周期と同じスケジュールでバルブV1の開閉を行うように設定され、ダミーレシピにおける成膜処理部40内の圧力は、処理レシピにより決められた圧力に設定されて作業が行われる。
さらに第2のダミー処理の2回目において、例えば第2のダミー処理の1回目における気化原料の実流量Praと基準となる補正係数KAからキャリアガスの増減量を算出し、第2のダミー処理の2回目におけるキャリアガスの設定値Cbを決定する。そしてキャリアガスの流量を設定値Cbに設定して、第2のダミー処理の2回目を行い平均値M1、M2及びM3に基づいて、第2のダミー処理の2回目における気化原料の実流量Prbを算出する。そして2回のダミー処理にて求められたCa、Cb及びPra、Prbより、1枚目のウエハ100の処理に用いられる第1の補正係数K0が算出される(補正係数K0=(Cb−Ca)/(Prb−Pra))。
そして1枚目のウエハ100を処理するときに、ステップS1の第2のダミー処理と同様に、処理レシピで行われる100周期のガスの給断における最後の5周期のガスの給断おいて平均値M1、M2及びM3が測定され、1枚目のウエハ100の処理における気化原料の実流量Pr1と、1枚目のウエハ100の処理におけるキャリアガスの実流量C1と、が算出される。
またステップS9にて補正係数Knが第1の閾値を越えていると判断される場合には、「Yes」となり、ステップS14に進み、アラームを出力した後、終了となり、例えば原料ガス供給部10のメンテナンスを行う。例えば原料容器14の残量がきわめて少なくなった場合には、n枚目のウエハ100の処理において、原料容器14の温度を調整し直しても、原料の気化量が想定通りに増えないことがある。このような場合には、n+1枚目のウエハ100の処理において、第1の閾値を上回る補正係数Kn+1が検出されることになる。
また原料容器14における原料の残量は十分にあるが、原料の気化量が減少したときに算出される補正係数Knを第2の閾値として設定し、測定された補正係数Knが第2の閾値を超えたときには、原料容器14の温度を調整するようにしている。そのため原料の気化量が減少したことを把握し、原料容器14の温度を上昇させて、原料の気化量を増加させることができる
またダミーレシピにて第1の補正係数K0を求めるにあたっては、基準となる補正係数KAを予め設定するときに算出するキャリアガスの実流量C及び気化原料の実流量Prと、ダミー処理にて取得されたキャリアガスの実流量C及び気化原料の実流量Prを用いて算出してもよい。
またあるいは、気化原料の流量が多すぎることを判断するための閾値を設定し、原料の気化量が多すぎるときに原料容器14の加熱温度を下げて原料の気化量を減少させるようにしてもよい。
例えばn枚目のウエハ100の処理時に設定された補正係数Knが第2の閾値を超えており、図4に従って目標とする温度の増減値Taが算出されたとすると、n+1枚目のウエハ100においては、例えば給電部13にTaの50%の増減値を加算して処理を行い、n+2枚目のウエハ100においては、n+1枚目のウエハ100における温度増減値と併せてTaの75%の増減値、n+3枚目のウエハ100においては、n+1枚目及びn+2枚目のウエハ100における温度増減値と併せてTaの88%の増減値と処理を継続するうちに温度の増減値の総計を増減値Taに徐々に近づける。温度の増減値が大きい場合には、原料の気化量が一気に変動しまい、原料の気化量が安定しにくくなる。そのため温度を徐々に上昇させることにより、原料の気化量が安定しやすくなり、成膜処理部40に供給される気化原料の流量が安定しやすくなる。
そして例えば図5のフローチャートのステップS6において、補正係数Knを下記の式(3)より求める
補正係数Kn=Cn/Prn・・・(3)
2 第1のマスフローコントローラ
3 第2のマスフローコントローラ
9 制御部
13 加熱部
14 原料容器
15 温度検出部
16 給電部
40 成膜処理部
Claims (10)
- マスフローコントローラにより流量調整されたキャリアガスを原料容器に供給し、原料容器内の固体または液体である原料を気化させ、気化された原料を前記キャリアガスと共に、マスフローメータが設けられた原料ガス供給路を介して基板処理部に供給して基板を処理する基板処理方法において、
前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、気化原料の流量及びキャリアガスの流量に関する比率である第1の補正係数を求める工程と、
前記第1の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理する工程と、
前記第1の補正係数を求める工程の後、前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、前記気化原料の流量及び前記キャリアガスの流量に関する比率である第2の補正係数を求める工程と、
前記第2の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記気化原料の流量及び前記キャリアガスの流量に関する前記比率は、前記マスフローコントローラの流量設定値を互いに異なる値に設定して各流量設定値ごとに取得した前記マスフローメータの測定値と前記流量設定値とに基づいて、前記キャリアガスの流量の増減量と前記気化原料の流量の増減量との相関を表す比率であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第1の補正係数を求める工程及び前記第2の補正係数を求める工程の各々は、互いに前後する基板の処理時における前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて行われ、
前記第2の補正係数を用いて基板を処理する工程は、前記前後する基板に続く基板を処理する工程であることを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記気化原料の流量及び前記キャリアガスの流量に関する前記比率は、前記キャリアガスの流量と前記気化原料の流量との相関を表す比率であることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記第1の補正係数を求める工程及び前記第2の補正係数を求める工程の各々は、基板の処理時における前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて行われることを特徴とする請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記第2の補正係数を求める工程の後、前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、前記気化原料の流量及び前記キャリアガスの流量に関する比率である第3の補正係数を求める工程と、
前記第3の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるようにマスフローコントローラの流量設定値を調整した状態で基板を処理する工程と、を含み、
前記第2の補正係数を求める工程と前記第3の補正係数を求める工程との間に処理される基板の枚数は、前記第1の補正係数を求める工程と第2の補正係数を求める工程との間に処理される基板の枚数よりも多いことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第1の補正係数または前記第2の補正係数と、第1の許容範囲と比較し、比較結果に基づいて、前記原料容器中の原料の残存量の不足を検出する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1の補正係数または前記第2の補正係数と、第2の許容範囲と比較し、比較結果に基づいて、原料の気化量の過不足を検出する工程と、
前記第1の補正係数または前記第2の補正係数が前記第2の許容範囲を外れるときには、補正係数の増減量と原料の加熱温度の変化量との関係と、設定されている補正係数と、に基づいて、直前の基板の処理において測定された前記キャリアガスの流量に対する前記気化原料の流量が目標値になるように原料の加熱温度を調整する工程と、を含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - マスフローコントローラにより流量調整されたキャリアガスを原料容器に供給し、原料容器内の固体または液体である原料を気化させ、気化された原料を前記キャリアガスと共に、マスフローメータが設けられた原料ガス供給路を介して基板処理部に供給して基板を処理する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし8のいずれか一項に記載の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 - マスフローコントローラにより流量調整されたキャリアガスを原料容器に供給し、原料容器内の固体または液体である原料を気化させ、気化された原料を前記キャリアガスと共に、マスフローメータが設けられた原料ガス供給路を介して基板処理部に供給する原料ガス供給装置において、
前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、気化原料の流量及びキャリアガスの流量に関する比率である第1の補正係数を求めるステップと、前記第1の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理するステップと、前記第1の補正係数を求めるステップの後、前記キャリアガスを前記原料容器に供給し、前記マスフローコントローラの流量設定値及び前記マスフローメータの測定値に基づいて、前記気化原料の流量及び前記キャリアガスの流量に関する比率である第2の補正係数を求めるステップと、前記第2の補正係数を用いて、前記気化原料の流量が目標値となるように前記マスフローコントローラの流量設定値を調整して基板を処理するステップとを実行する制御部を含むことを特徴とする原料ガス供給装置。
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