CN101400977A - 应力历史记录系统 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 121
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 110
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 57
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 20
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 20
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 38
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 29
- -1 half cyanines Chemical class 0.000 description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 20
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000004410 anthocyanin Substances 0.000 description 15
- 235000010208 anthocyanin Nutrition 0.000 description 15
- 229930002877 anthocyanin Natural products 0.000 description 15
- 150000004636 anthocyanins Chemical class 0.000 description 15
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 13
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 10
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 10
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 10
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 9
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 7
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KSFOVUSSGSKXFI-GAQDCDSVSA-N CC1=C/2NC(\C=C3/N=C(/C=C4\N\C(=C/C5=N/C(=C\2)/C(C=C)=C5C)C(C=C)=C4C)C(C)=C3CCC(O)=O)=C1CCC(O)=O Chemical compound CC1=C/2NC(\C=C3/N=C(/C=C4\N\C(=C/C5=N/C(=C\2)/C(C=C)=C5C)C(C=C)=C4C)C(C)=C3CCC(O)=O)=C1CCC(O)=O KSFOVUSSGSKXFI-GAQDCDSVSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000021466 carotenoid Nutrition 0.000 description 5
- 150000001747 carotenoids Chemical class 0.000 description 5
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 5
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 5
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 5
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 5
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229950003776 protoporphyrin Drugs 0.000 description 5
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 5
- 229930187593 rose bengal Natural products 0.000 description 5
- AZJPTIGZZTZIDR-UHFFFAOYSA-L rose bengal Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)C1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1C1=C2C=C(I)C(=O)C(I)=C2OC2=C(I)C([O-])=C(I)C=C21 AZJPTIGZZTZIDR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229940081623 rose bengal Drugs 0.000 description 5
- STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N rose bengal A Natural products O1C(=O)C(C(=CC=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 3
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004446 light reflex Effects 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- KUUVQVSHGLHAKZ-UHFFFAOYSA-N thionine Chemical compound C=1C=CC=CSC=CC=1 KUUVQVSHGLHAKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002440 hepatic effect Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052907 leucite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052664 nepheline Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010434 nepheline Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052655 plagioclase feldspar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OALHHIHQOFIMEF-UHFFFAOYSA-N 3',6'-dihydroxy-2',4',5',7'-tetraiodo-3h-spiro[2-benzofuran-1,9'-xanthene]-3-one Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 OALHHIHQOFIMEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004706 CaSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002196 Pyroceram Substances 0.000 description 1
- NCYCYZXNIZJOKI-OVSJKPMPSA-N Retinaldehyde Chemical compound O=C\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C NCYCYZXNIZJOKI-OVSJKPMPSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052656 albite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052660 bytownite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000008371 chromenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N dialuminum;calcium;disilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052657 oligoclase Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000020945 retinal Nutrition 0.000 description 1
- 239000011604 retinal Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
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Abstract
提供一种用于记录应力历史的应力历史记录系统，其包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光装置；以及记录因来自该发光装置的发光而发生的光反应的历史的记录装置。这样，实现了采用应力发光材料的记录应力历史的技术。
Description
技术领域
本发明涉及用于记录应力历史的应力历史记录系统。
背景技术
特定的物质受到来自外部的各种刺激(外部刺激)而发出可见光的现象以往作为所谓的荧光现象而公知。呈现这样的荧光现象的物质(荧光体)在灯、照明灯、阴极射线管、等离子体显示面板等各种显示器和颜料等各种领域得到应用。受到紫外线、电子射线、X射线、放射线、电场或化学反应等外部刺激而发光的物质(发光体)亦多为人知。
另一方面，本发明人发现了因在机械性外力作用下所发生的应变而发光的应力发光材料，并开发了其评价方法和利用方法。
具体地说，本发明人开发出了下述发光材料和评价方法：作为这样的应力发光材料，有尖晶石结构、刚玉结构或β氧化铝结构的应力发光体(参照专利文献1)，硅酸盐的应力发光体(参照专利文献2、3)，缺陷控制型铝酸盐的高亮度应力发光体(参照专利文献4)；在利用含环氧树脂的复合材料和该复合材料的涂敷膜制作的试验片上通过施加压缩、拉伸、摩擦、扭转等机械性的力而以可视方式评价应力分布的方法(参照专利文献4、5)；具有纤锌矿型结构和闪锌矿型结构共存的结构，以氧化物、硫化物、硒化物或碲化物为主成分而构成的高亮度机械发光材料(参照专利文献6)等。
这样的应力发光体具有能够用肉眼确认的程度的亮度，是可半永久性地反复发光的发光体。如果采用这样的应力发光体，就能够测量含应力发光体的结构体的应力分布。作为这样的应力分布的测量方法，参照例如专利文献7和8。
专利文献1：日本国公开专利公报「特开2000-119647号公报(公开日：2000(平成12)年4月25日)」
专利文献2：日本国公开专利公报「特开2000-313878号公报(公开日：2000(平成12)年11月14日)」
专利文献3：日本国公开专利公报「特开2003-165973号公报(公开日：2003(平成15)年6月10日)」
专利文献4：日本国公开专利公报「特开2001-49251号公报(公开日：2001(平成13)年2月20日)」
专利文献5：日本国公开专利公报「特开2003-292949号公报(公开日：2003(平成15)年10月15日)」
专利文献6：日本国公开专利公报「特开2004-43656号公报(公开日：2004(平成16)年2月12日)」
专利文献7：日本国公开专利公报「特开2001-215157号公报(公开日：2001(平成13)年8月10日)」
专利文献8：日本国公开专利公报「特开2004-77396号公报(公开日：2004(平成16)年3月11日)」
然而，为了拓展应力发光体的使用领域和/或应用领域，需要开发可使较强的发光维持一定时间的应力发光体，并且需要开发增强应力发光体发出的光的方法，以及成功地记录应力发光体发出的光的方法。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于，提供一种记录应力历史的技术。
即，本发明的应力历史记录系统的特征在于，为了记录应力历史，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光装置，以及记录因来自该发光装置的发光而发生的光反应的历史的记录装置，该记录装置具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部。
应力发光与应力(特别是应变能)的变化成正比地发光，是仅检测动态的力而使之发光的现象。但是，产生应力发光的应力发光材料，其发光强度不充分的情况居多，并且难以将发光维持一定时间的情况居多。本发明的应力历史记录系统因具有上述结构，即使在采用了公知的应力发光材料的情况下，也可记录一定的时间内所发生的应力的总和作为应力历史。
本发明的应力历史记录系统优选地还包括增强上述光反应的催化剂部。
因为具有上述结构，本发明的应力历史记录系统即使对于微小的应力历史也可成功地予以记录，即使在应检测的应力的总和小的情况下也可检测出所记录的应力历史。
在本发明的应力历史记录系统中，优选的是，上述光反应与上述外力成正比变化。
在本发明的应力历史记录系统中，优选的是，上述光反应部以不可逆的方式感光。
在本发明的应力历史记录系统中，通过采用以不可逆的方式感光的光反应部，光反应部本身具有作为记录装置的功能，可容易地记录所施加的应力的总和、应变、能量的总和。
在本发明的应力历史记录系统中，理想情况下上述光反应部是色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料，或照相用感光胶片。
在本发明的应力历史记录系统中，上述色素优选地从由银离子—银纳米粒子、钌色素(N3色素、N719、黑染料等)、花青素苷系色素(份菁、碳菁、花色苷、半菁、花青素苷等)、天然系色素(叶绿素、原卟啉、类胡萝卜素等)、(夹)氧杂蒽系色素(曙红Y、孟加拉红等)、若丹明6G、若丹明B、二萘嵌苯、三苯甲烷和酞菁类等构成的组中选择。
本发明的应力历史记录介质的特征在于，为了记录应力历史，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部、记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部，以及固定该发光部和该记录部的固定部，该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且覆盖被固定在该固定部上的该发光部。
本发明的应力历史记录介质因具有上述结构，即使在采用了公知的应力发光材料的情况下，也可记录在一定的时间内所发生的应力的总和作为应力历史。
本发明的应力历史记录介质的特征在于，为了记录应力历史，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部、记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部、增强该光反应的催化剂部，以及固定该发光部和该记录部的固定部，该催化剂部与该发光部邻接，该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且至少覆盖该催化剂部。
通过具有上述结构，本发明的应力历史记录介质即使在采用了公知的应力发光材料的情况下，也可记录在一定的时间内所发生的应力的总和作为应力历史，不仅如此，即使是微小的应力历史也可成功地予以记录，即使在要检测的应力的总和小的情况下也可检测出所记录的应力历史。
本发明的应力历史记录介质的特征在于，为了记录应力历史，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部、记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部，以及由透光性材料构成并且固定该发光部和该记录部的固定部，该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且隔着该固定部被固定在该发光部的对面。
本发明的应力历史记录介质因具有上述结构，即使在采用了公知的应力发光材料的情况下，也可记录在一定的时间内所发生的应力的总和作为应力历史。
本发明的应力历史记录介质的特征在于，为了记录应力历史，包括：包含依赖机械性外力而发光的应力发光材料的发光部、记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部、增强该光反应的催化剂部，以及由透光性材料构成并且固定该发光部和该记录部的固定部，该催化剂部与该发光部邻接，该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且隔着该固定部并被固定在该催化剂部的对面。
本发明的应力历史记录介质的特征在于，为了记录应力历史，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部、记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部、增强该光反应的催化剂部，以及由透光性材料构成并且固定该发光部和该记录部的固定部，该催化剂部隔着该固定部被固定在该发光部的对面，该记录部具有与该发光的强度成正比并发生光反应的光反应部，并且覆盖该催化剂部。
因具有上述结构，本发明的应力历史记录介质即使在采用了公知的应力发光材料的情况下，也可记录在一定时间内所发生的应力的总和作为应力历史，不仅如此，即使是微小的应力历史也可成功地予以记录，即使在要检测的应力的总和小的情况下也可检测出所记录的应力历史。
本发明的应力历史记录介质的特征在于，为了记录应力历史，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部、记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部，以及被固定在该发光部的表面上并且增强该光反应的催化剂部，该记录部具有与该发光的强度成正比并发生光反应的光反应部，并且覆盖固定了该催化剂部的多个该发光部。
通过将固定了催化剂部的发光部多个集合在一起，就无需另行设置固定装置(固定部)。另外，记录部即使覆盖由多个集合而成的发光部(含催化剂部)构成的形状的整个表面，也可覆盖各个发光部(含催化剂部)。
在本发明的应力历史记录介质中，上述光反应优选地与上述外力成正比地变化。
在本发明的应力历史记录介质中，上述光反应部优选地以不可逆的方式感光。
在本发明的应力历史记录介质中，通过采用以不可逆的方式感光的光反应部，光反应部本身具有作为记录部的功能，可容易地记录所施加的应力的总和、应变、能量的总和。
在本发明的应力历史记录介质中，理想情况下上述光反应部是色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料，或照相用感光胶片。
在本发明的应力历史记录介质中，优选的是，上述色素可从由银离子—银纳米粒子、钌色素(N3色素、N719、黑染料等)、花青素苷系色素(份菁、碳菁、花色苷、半菁、花青素苷等)、天然系色素(叶绿素、原卟啉、类胡萝卜素等)、(夹)氧杂蒽系色素(曙红Y、孟加拉红等)、若丹明6G、若丹明B、二萘嵌苯、三苯甲烷和酞菁类等构成的组中选择。
本发明的其他的目的、特征和优点通过以下所示的记述而得到充分理解。另外，本发明的优点在参照了附图的下述说明中变得明白。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图2(a)是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图2(b)是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图3(a)是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图3(b)是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图4(a)是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图4(b)是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图5是表示本发明的一个实施方式的图，是表示应力历史记录系统的主要部分结构的剖视图。
图6(a)是表示本发明的应力历史记录系统中的应力记录状态的图。
图6(b)是表示本发明的应力历史记录系统中的应力记录状态的图。
图6(c)是表示相对于本发明的应力历史记录系统的比较例中的应力记录状态的图。
图6(d)是表示相对于本发明的应力历史记录系统的比较例中的应力记录状态的图。
图7(a)是表示对本发明的应力历史记录系统中的、记录了来自应力发光体的发光的记录材料进行观察的结果的图。
图7(b)是表示本发明的应力历史记录系统中的、记录了来自应力发光体的发光的记录材料的色谱的曲线图。
图7(c)是表示将本发明的应力历史记录系统中的记录了来自应力发光体的发光的记录材料的510nm中的反射率(亮度率)印迹(blot)作图后的曲线图。
附图标记说明
1发光装置(发光部、应力发光体)
2记录装置(记录部、光反应部、色素)
3固定装置(固定部)
4催化剂部
10应力历史记录系统(应力历史记录介质)
具体实施方式
应力发光体通过被施加机械性外力(例如，摩擦力、剪切力、冲击力、压力等)而发光。本发明人发现下述趋势：应力发光体的发光强度虽然依赖于机械性外力的性质，但是所施加的机械性作用力越大发光强度变得越大，机械作用力的变化速度越大发光变得越强。即，可以认为，通过测量发光体的发光强度，能够获知发光体上所施加的机械性外力。
应力发光体是能够将位移、摩擦、冲击等的力学能直接转换成光的有用的功能材料，由本发明人领先于世界地开发出来。进行了进一步研究得到的结果是，关于这样的材料，到此为止得到以下的结果：1.基体·发光中心的结晶学上的最优化所形成的压光转换的高效化；2.微粒子化(50nm～数十μm)；3.涂敷技术的确立。
本发明人还发现，为了将发光强度不充分并且难以使发光维持一定时间的应力发光体实用化，通过设置记录来自应力发光体的发光的装置，可检测到应力发光体上所施加的外力的状态，并且能够记录应力历史，最后完成了本发明。
[1]第一实施方式
对于本发明的一个实施方式，基于图1说明如下。即，本实施方式的应力历史记录介质10包括：包含随着机械性外力而发光的应力发光材料的发光部1、记录因发光部1发出的光而产生的光反应的历史的记录部2、以及对发光部1和记录部2进行固定的固定部3，记录部2具有因发光部1发出的光而产生光反应的光反应部。在本实施方式中，发光部1被固定在固定部3上，记录部2覆盖所固定的发光部1，记录部2也被固定在固定部3上。
发光部1中所包含的应力发光材料并无特别限定，只要是利用机械能而发光的发光材料即可，具有发光与应变能成正比的特性的应力发光体由于定量性好而更优选。
适当地选择根据发光部1所发出的光的波长而感光的材料，来作为构成记录部2中所使用的光反应部的材料。作为通过光反应而感光的物质，可举出色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料、照相用感光胶片，但不限定于此。本说明书中使用的“感光”是指物质受到光或放射线(X射线等)的作用而产生物理性的变化和/或化学性的变化。
优选的色素是与发光的强度成正比地发生光反应的色素，为了容易地记录所施加的应力的总和、应变、能量的总和，优选地采用颜色变化不可逆的色素。作为优选的色素，列举有偶氮苯类、螺吡喃类、螺噁嗪类、二芳基类、俘精酸酐类、色烯类、银纳米粒子(银离子)、金纳米粒子(球状、杆状、纳米棱柱(三角系)等)、视黄醛(天然的光致变色色素)、以及光退色性色素(偶氮类、荧光素类等)，但并不限于此。
固定部3虽可根据应用应力历史记录介质10的情况进行适当选择，但优选地由可容易固定发光部1和记录部2的材料制成。
记录应力历史，在例如大型建筑物的安全管理的情况下，从安全性的角度出发，非常重要。本实施方式的应力历史记录介质10通过具有上述结构，在施加了机械性外力的情况下，发光部1根据外力而发光，由于该发光，光反应部产生光反应而进行感光(变色或脱色)，利用光反应部中的感光结果作为应力历史的记录。即，应力历史记录介质10通过组合因机械能而发光的应力发光体与利用光反应而感光的物质，能够记录所施加的机械能的信息。另外，如果采用本发明，能够容易地将应力历史的记录作为记录装置中的吸收光谱的变化进行检测。另外，阅读了本说明书的本领域技术人员很容易理解，上述吸收光谱并不限定于可见光区域，可以根据要检测的吸收光谱采用公知的检测器。
[2]第二实施方式
对于本发明的一个实施方式，基于图2(a)～(b)说明如下。即，本实施方式的应力历史记录介质10与第一实施方式同样，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部1、记录因发光部1所发出的光而产生的光反应的历史的记录部2，以及固定发光部1和记录部2的固定部3，记录部2具有因发光部1发出的光而产生光反应的光反应部。本实施方式的应力历史记录介质10还包括增强上述光反应的催化剂部4，该催化剂部4与发光部1邻接，通过使记录部2至少覆盖催化剂部4，从而记录部2也被固定在固定部3上。
与第一实施方式相同，对发光部1中所包含的应力发光材料并无特别限定，只要是利用机械能而发光的材料即可，具有发光与应变能成正比的特性的应力发光体由于定量性好而更为优选。
另外，固定部3也与第一实施方式相同，虽可根据应用应力历史记录介质10的情况进行适当选择，但优选地由能够容易固定发光部1和记录部2的材料形成。
催化剂部4只要是可基于发光部1的光能量来增强光反应部中所产生的光反应的物质，没有特别的限定，作为「光触媒」只要是公知的物质，不作特别限定。作为构成催化剂部4的物质，列举有氧化物半导体(例如，氧化钛、氧化锌、氧化钨、氧化铁、氧化锡等)、硫化镉等，而氧化钛、氧化钛与其他过渡金属氧化物复合而成的氧化物，以及掺杂了过渡金属离子的氧化钛类光触媒尤其优选。
适当地选择根据发光部1发出的光的波长而感光的物质，来作为构成记录部2中所使用的光反应部的材料，作为通过光反应而感光的物质，与第一实施方式相同，列举有：色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料、照相用感光胶片，但以容易反映催化剂部4的作用者为优选。例如，在催化剂部4由氧化钛构成的情况下，作为对光反应部4优选的色素，列举有：银离子—银纳米粒子、钌色素(N3色素、N719、黑染料等)、花青素苷系色素(份菁、碳菁、花色苷、半菁、花青素苷等)、天然系色素(叶绿素、原卟啉、类胡萝卜素等)、(夹)氧杂蒽系色素(曙红Y、孟加拉红等)、若丹明6G、若丹明B、二萘嵌苯、三苯甲烷、酞菁类等)(此“)”多余——译者注)、亚甲蓝、卟啉类、甲基紫、硫堇色素等。
本实施方式的应力历史记录介质10利用了由所谓的光触媒构成的催化剂部4以促进光反应部中的光反应。因而，能够比第一实施方式的应力历史记录介质10更迅速地得到应力历史记录。
催化剂部4所采用的物质特别优选的是对来自应力发光材料的光其效率好的物质，在无光照射的情况下稳定并且不变色者更为优选。例如，色素亚甲蓝即使在吸附于二氧化钛上的情况下，如无光照射则完全不变色。但是，如果在二氧化钛上有光照射，则借助于催化反应，色素发生氧化还原反应而变色。亚甲蓝的颜色变化与接受到的光的总量成正比。另一方面，从应力发光材料发射的光的总量与所施加的机械性外力(机械能)成正比。因而，如果使用本实施方式的应力历史记录介质10，则可从颜色变化量来评价机械能。另外，在使用本实施方式的应力历史记录介质10的情况下，通过预先制作定量线，可获得有再现性的数据。
此外，在催化剂部4采用了氧化钛的情况下，在白色光环境下进行应力历史记录的检测并不优选。其原因是，在检测时的白光作用下，氧化钛进行光催化反应。但是，如果在波长为700nm的环境下进行应力历史记录的检测，则无需考虑检测时所产生的氧化钛的效应。
[3]第三实施方式
对于本发明的一个实施方式，基于图3(a)～(b)说明如下。即，本实施方式的应力历史记录介质10如图3(a)所示，包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部1、记录因发光部1发出的光而产生的光反应的历史的记录部2，以及固定发光部1和记录部2的固定部3，记录部2具有因发光部1发出的光而产生光反应的光反应部。在本实施方式中，发光部1和记录部2夹持着固定部3在相对面上固定化，为使发光部1所发出的光顺利地透过到记录部2，固定部3由透光性材料构成。
本实施方式的应力历史记录介质10除了图3(a)的结构外，如图3(b)所示，还可包括催化剂部4。即，也可以构成为，如图3(b)所示，也可以是发光部1被固定在固定部3上，催化剂部4隔着固定部3被固定在发光部1的对面，并且记录部2覆盖催化剂部4。
固定部3虽然也可以整体由透光性材料构成，但如果至少不妨碍光从发光部1向记录部2或向催化剂部4的透过，则由透光性材料构成的部分也可以是一部分。作为透光性材料，列举有：玻璃、树脂，作为树脂材料，列举有丙烯酸树脂、PDMS、聚烯烃、聚碳酸酯、聚苯乙烯、PET、氯乙烯等，但并不限于此。
发光部1中所包含的应力发光材料与第一实施方式相同，并无特别限定，只要是利用机械能而发光的发光材料即可，具有发光与应变能成正比的特性的应力发光体由于定量性好而更为优选。
与第一实施方式相同，适当地选择根据发光部1发出的光的波长而感光的材料来作为构成记录部2中所使用的光反应部的材料，作为通过光反应而感光的物质，列举有色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料、照相用感光胶片，但并不限于此。
另外，在包括催化剂部4的情况下，与第二实施方式同样地，以容易反映催化剂部4的作用者为宜。例如在催化剂部4由氧化钛构成的情况下，作为对光反应部4优选的色素，列举有银离子—银纳米粒子、钌色素(N3色素、N719、黑染料等)、花青素苷系色素(份菁、碳菁、花色苷、半菁、花青素苷等)、天然系色素(叶绿素、原卟啉、类胡萝卜素等)、(夹)氧杂蒽系色素(曙红Y、孟加拉红等)、若丹明6G、若丹明B、二萘嵌苯、三苯甲烷、酞菁类等、亚甲蓝、卟啉类、甲基紫、硫堇色素等。
催化剂部4中使用的物质与第二实施方式同样地，相对于应力发光材料所发出的光，效率佳者为优选，在无光照射的情况下稳定且不变色者更优选，通过预先制作定量线，可获得有再现性的数据。另外，在催化剂部4采用了氧化钛的情况下，与第二实施方式相同，如果在波长为700nm的环境下进行应力历史记录的检测，则无需考虑检测时发生的氧化钛的效应。
[4]第四实施方式
对于本发明的一个实施方式，基于图4(a)～(b)说明如下。即，本实施方式的应力历史记录介质10包括：包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部1、以及记录因发光部1发出的光而产生的光反应的历史的记录部2，记录部2具有因发光部1发出的光而产生光反应的光反应部。本实施方式的应力历史记录介质10在发光部1的表面上还固定有增强上述光反应的催化剂部4，记录部2覆盖着固定了催化剂部4的多个发光部1。可以如图4(a)所示，记录部2覆盖由多个发光部(含催化剂部)构成的形状的整个表面，也可以如图4(b)所示，覆盖各个发光部(含催化剂部)的表面。
与第一实施方式同样地，发光部1中所包含的应力发光材料并无特别限定，只要是利用机械能而发光的材料即可，具有发光与应变能成正比的特性的应力发光体由于定量性好而更为优选。
催化剂部4只要是可基于发光部1的光能量来增强光反应部中所产生的光反应的物质，并没有特别的限定，作为「光触媒」只要是公知的物质并没有特别的限定。作为构成催化剂部4的物质，列举有氧化物半导体(例如，氧化钛、氧化锌、氧化钨、氧化铁、氧化锡等)、硫化镉等，而氧化钛、氧化钛与其他过渡金属氧化物复合而成的氧化物，以及掺杂了过渡金属离子的氧化钛系光触媒特别优选。
适当地选择根据发光部1发出的光的波长而感光的物质作为构成记录部2中所使用的光反应部的材料，作为通过光反应而感光的物质，与第一实施方式相同，列举有色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料、照相用感光胶片，但以容易反映催化剂部4的作用者为优选。例如，在催化剂部4由氧化钛构成的情况下，作为对光反应部4理想的色素，可举出银离子—银纳米粒子、钌色素(N3色素、N719、黑染料等)、花青素苷系色素(份菁、碳菁、花色苷、半菁、花青素苷等)、天然系色素(叶绿素、原卟啉、类胡萝卜素、(夹)氧杂蒽系色素(曙红Y、孟加拉红等)、若丹明6G、若丹明B、二萘嵌苯、三苯甲烷、酞菁类等、亚甲蓝、卟啉类、甲基紫、硫堇色素等。
本实施方式的应力历史记录介质10采用了由所谓光触媒构成的催化剂部4以促进光反应部中的光反应。因而，与第二实施方式的应力历史记录介质10同样地，可迅速得到应力历史记录。
与第二实施方式同样，催化剂部4中使用的物质相对于来自应力发光材料的光以其效率佳者为优选，在无光照射的情况下稳定且不变色者更优选，通过预先制作定量线，可获得有再现性的数据。另外，在催化剂部4采用了氧化钛的情况下，与第二实施方式同样地，如果在波长为700nm的环境下进行应力历史记录的检测，则无需考虑检测时发生的氧化钛的效应。
又，通过用焦磷酸对发光部(应力发光体)1的表面进行表面修饰，容易将催化剂部4(例如氧化钛)固定在该表面上，可制作具有应力发光功能和光触媒功能的混合粒子，如果采用这样的混合粒子，则能够以高灵敏度记录应力历史。
[5]本发明中使用的应力发光体
如上所述，在本发明的应力历史记录系统和应力历史记录介质中使用的应力发光体(应力发光材料)只要是利用机械能而发光的发光材料即可，并无特别限定，具有其发光与应变能成正比的特性的应力发光体由于定量性好而更为优选。
本发明人发现了显示强烈应力发光所需的应力发光体的母体结构。该应力发光体的母体结构的晶体结构的最小单位至少由AlO4和SiO4样结构的四面体构成，这些多面体具有3维框架结构，该3维框架结构通过相互共有顶点，与大的空间具有挠性键合，该框架结构是长石结构。还发现了，通过将特定的金属离子掺入具有这样的母体结构的应力发光体中作为发光中心，从而呈现出特别强烈的发光。
即，在本发明中，从强烈的应力发光的观点看，更适合采用的应力发光体的特征在于，其具有下述基本结构：在至少具有AlO4样结构和SiO4样结构的四面体结构的多个分子通过共有该四面体结构的顶点的原子进行键合而形成的母体结构的空间中，插入了碱金属离子和碱土类金属离子的至少一方，而且，上述母体结构具有非对称性的框架结构，插入到上述空间内的碱金属离子和碱土类金属离子的至少一方的一部分被置换为稀土类金属离子和过渡金属离子的至少1种的金属离子。
在上述应力发光体中，上述基本结构优选为长石结构。例如，在上述应力发光体中，优选的是，上述基本结构具有铝硅酸盐的组成，由长石样结构构成，由钙长石类结构构成则更优选。另外，在上述应力发光体中，优选的是，上述基本结构具有属于空间群P—1的三斜晶系结构。
优选的是，插入到上述母体结构中所形成的空间内的碱金属离子和碱土类金属离子的一部分被离子半径不同的稀土类金属离子或过渡金属离子置换。
在上述应力发光体中，优选的是，上述空间中至少插入Eu(Eu离子)。又，在上述空间中，也可以插入Eu离子以外的成为发光中心的离子，也可插入Eu离子与其他发光中心离子的混合物。
优选的是，上述应力发光体是用Ca1-yQyAl2Si2O8(不过，Q是至少一种发光中心，0.001≤y≤0.1)表示的发光体。
另外，制造这种应力发光体的方法是形成包含具有非对称性框架结构的母体结构的基本结构的工序，其特征在于，包含形成基本结构的工序，至少具有AlO4样结构和SiO4样结构的四面体结构的多个分子通过共有该四面体结构的顶点的原子而进行键合，从而形成的母体结构，在该基体机构的空间中插入碱金属离子和碱土类金属离子的至少一方，而形成基本结构，插入上述空间中的碱金属离子和碱土类金属离子的至少一方的一部分被置换为稀土类金属离子和过渡金属离子的至少1种金属离子。
在本说明书中所使用的“多面体结构”是指在由多个原子构成的分子中，由连结原子间的假想直线所构成的结构形成多面体的状态。即，多面体是假想物，例如，SiO4是连结Si与所键合的4个氧原子的假想直线所形成的四面体结构的“多面体结构的分子”。
这样的多面体结构的多个分子通过共有各多面体的顶点的原子进行键合，形成「母体结构」。用于形成母体结构的多面体结构的分子只要至少具有四面体结构，可以是同一分子，也可以是不同分子。
即，「母体结构」是将至少以四面体结构作为晶体的最小单位的分子进行单独或多种组合，各分子之间通过共有顶点原子进行键合而形成。通过如此形成，母体结构具有包含大空间(间隙)的网眼状的3维结构。为了构建应力发光体的母体结构(3维结构)，以至少具有四面体结构的四面体分子或八面体分子为优选。
在母体结构中的空间(间隙)中，通过插入各种阳离子(例如碱金属或碱土类金属)，形成应力发光体的框架结构。该框架结构是在本发明中采用的应力发光体的基本结构(基本骨架)。
在本发明中，适合于采用的应力发光体的结构是将发光中心插入基本结构中，该基本结构具有：由至少具有AlO4样结构和SiO4样结构的四面体结构的多个分子形成的3维结构(3维框架结构)和非对称性的挠性框架结构。
上述基本结构具有将碱金属离子和碱土类金属离子的至少一方插入到至少具有四面体结构的多个分子通过共有该多面体的顶点原子进行键合而形成的母体结构的空间中的结构。优选的是，上述母体结构还具有非对称性的框架结构。
本说明书中使用的“非对称性的框架结构”是指除了框架结构外还呈现自发应变或弹性各向异性的结构。这样的母体结构容易发生应变，该应变能容易使位于框架中心的发光中心的电子结构发生变化，其结果是，可成为呈现特别强烈的应力发光的结构。
本说明书中使用的“自发应变”是指，从对称性好的结构出发，与该结构进行比较以表示发生多大程度的应变的指标，是发光体本身所具有的应变。又，「自发应变」不包含发光体因外力所发生的应变。
本发明人发现，同时包括挠性3维框架结构和非对称性的挠性框架结构的应力发光体能够呈现特别强烈的应力发光，只要没有某一方，就不会呈现应力发光。即，本发明中所用的应力发光体优选地具有兼具上述2种结构的母体结构。
插入母体结构中的空间(间隙)中的阳离子，以碱金属或碱土类金属为优选。在上述空间中，只要插入碱金属离子和碱土类金属离子的至少一方即可，该离子的种类为1种也可，2种或2种以上也可。另外，碱金属离子和碱土类金属离子也可分别插入至少1种。即，插入上述空间的离子只要是从Ca、Mg、Ba、Sr等碱土类金属和Li、Na、K、Rb、Cs等碱金属的组中选择的金属的离子的至少1种即可。
为了使母体结构更容易发生应变，插入母体结构的空间中的碱金属或碱土类金属的一部分也可用其他的离子(例如，稀土类金属离子或过渡金属离子)置换。置换的离子只要能够维持母体结构的晶体结构(非对称性的挠性3维框架结构)，没有特别的限定。
插入母体结构的空间中的上述离子的一部分通过被置换为稀土类金属离子和过渡金属离子的至少1种金属离子，该被置换的稀土类金属离子或过渡金属离子成为应力发光体中的发光中心(发光中心离子)，其结果是，应力发光体可具有发光的功能。
上述稀土类金属离子和过渡金属离子只要可成为发光中心，没有特别限定，例如，作为稀土类金属的离子，可举出铕(Eu)、镝(Dy)、镧(La)、钆(Gd)、铈(Ce)、钐(Sm)、钇(Y)、钕(Nd)、铽(Tb)、镨(Pr)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、钪(Sc)、钷(Pm)、钬(Ho)、镥(Lu)等稀土类金属的离子。另外，作为过渡金属的离子，可举出铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、锑(Sb)、钛(Ti)、锆(Zr)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铌(Nb)、钼(Mo)、钽(Ta)和钨(W)等过渡金属的离子。又，作为这些稀土类金属的离子和过渡金属的离子，只要从上述列举的离子中选择至少1种离子即可。
又，本发明人发现，应力发光体中的稀土类金属离子和过渡金属离子的含量(发光中心的含量)对发光有很大的影响。上述含量只要在可维持母体结构的3维结构的范围内，没有特别限定，以在0.1摩尔％以上20摩尔％以下为宜，在0.2摩尔％以上10摩尔％以下更好，在0.5摩尔％以上5摩尔％以下尤佳。通过含有上述范围内的发光中心，应力发光体可有效地发光。又，上述的含量在不到0.1摩尔％的情况下，得不到有效的发光，一旦超过20摩尔％，则母体结构错乱，发光效率降低。
上述那样的应力发光体中的母体结构例如在被分类成称之为长石族(feldspar族)的矿物的结构中可普遍地发现。长石的晶体结构的特征在于，是SiO4或AlO4的四面体连续相连的3维框架状的结构，阳离子在其间隙中。该3维框架的形状随着Si和Al的分布状态及阳离子的大小产生稍许变化。因此，不预先设置表示形状发生了变化的3维框架结构的固有名称，作为矿物名称，要根据组成比及阳离子的种类而细致分类。
例如，在用(Na，Ca)(Si，Al)AlSi2O8表示斜长石系列的情况下，被分类到从NaAlSi3O8(Ab)至CaAl2Si2O8(An)的系列中。而且，斜长石系列根据其组成范围被给予如下的矿物名称。
·Ab100An0—Ab90An10：钠长石、高温钠长石、低温钠长石(700℃)
·Ab90An10—Ab70An30：奥长石
·Ab70An30—Ab50An50：安山岩
·Ab50An50—Ab30An70：拉长岩
·Ab30An70—Ab10An90：倍长石
·Ab10An90—Ab0An100：钙长石
具体地说，作为其基本结构，例如，可举出具有铝硅酸盐的组成的长石(feldspar)结构。尤其是，钙长石类结构是适合的。
其中，在上述应力发光体中，铝硅酸盐表示铝硅酸的碱金属盐或碱土类金属盐。铝硅酸盐可通过用铝置换多硅酸离子的一部分得到。在铝硅酸盐中，将碱金属离子和碱土类金属离子的至少一方插入晶体结构的空间(间隙)中。铝硅酸盐还具有3维的网眼结构。因此，铝硅酸盐可作为上述应力发光体的基本结构加以利用。又，也可以是，基本结构为铝硅酸盐，上述母体结构是AlSi3O8 -(碱金属盐的情形)Al2Si2O8 2-(碱土类金属盐的情形)。
另外，所谓长石(feldspar)样结构，是指，例如，如图1所示的结构，作为基本结构的基本单位，由SiO4四面体和AlO4四面体构成，它们通过相互共有顶点而具有大的空间，而且，相互的键合呈挠性，并且依赖于插入到空间中的碱金属离子或碱土类金属离子的尺寸，可使该结构自由地发生应变。图1示出了CaSi2Al2O8的晶体结构(基本结构)。图1的Ca Si2Al2O8具有属于空间群P—1的三斜晶系结构，并且具有钙长石样结构。
更详细地说，所谓长石(feldspar)结构，呈现长石的结构。长石结构是一种其理想化学组成用Z(Si，Al)4O8(式中，Z是碱金属或碱土类金属，0<Al/Si≤1)表示的铝硅酸盐。在该铝硅酸盐中，用(Si，Al)O4表示的SiO4和AlO4以中心处具有Si或Al、顶点处具有氧(O)的四面体结构为最小单位。而且，该四面体通过共有全部顶点并多个地键合，形成3维构建体。进而，在长石结构中，将Z(碱金属和碱土类金属的至少一方)插入到形成于该3维建构体上的空间(间隙)中。长石通常是以钠长石(albite)NaAlSi3O8、钙长石(anorthite)CaAl2Si2O8和钾长石KAlSi3O8为单一碱成分的固溶体。即，所谓长石(feldspar)样结构，是含有钙长石样结构的多种铝硅酸盐的混合物。
又，所谓“钙长石样结构”的意思是，并不是仅表示钙长石(CaAl2Si2O8)，也包括在形成发光体的三维结构的母体结构的空间中可插入碱金属和碱土类金属的至少一方的范围内、与钙长石结构类似的结构(类似的组成物)。同样地，所谓“长石样结构”的意思是，并不仅表示长石(feldspar)，也包括在三维结构的空间中可插入碱金属和碱土类金属的至少一方的范围内、与钙长石结构类似的结构(类似的组成物)。上述结构中的碱金属也可用其他的1价金属离子置换，另外，碱土类金属也可用其他的2价金属离子置换。
另外，上述基本结构优选地具有属于空间群P—1的三斜晶结构。属于空间群P—1的三斜晶结构由于在晶体中没有对称性，故适合作为应力发光体的基本结构。
另外，上述基本结构也可以是呈现长石结构的似长石(feldspathoid)。该似长石也与长石同样地，是铝硅酸盐，并且，SiO4和AlO4通过共有全部顶点并进行多个键合，形成3维构建体。作为似长石，例如，可举出白榴石(leucite)KAlSi2O6、霞石(nepheline)NaAlSiO4以及晶体结构类似于这些组成物的组成物等。
这样的基本结构更优选的是例如用下述(1)～(4)式中的任一种表示的铝硅酸盐。
MxN1-xAl2Si2O8...(1)；
XxY1-xAlSi3O8...(2)；
(XxM1-x)(SixAl1-x)Al Si2O8...(3)；或
XxMyCa1-x-yAl2-xSi2+x O8...(4)；
式中，M和N是2价的金属离子，至少1种为Ca，Sr，Ba，Mg或Mn，X和Y是1价的金属离子，至少1种为Li，Na或K，0≤x≤0.8，0≤y≤0.8。
在上述(1)～(4)式中，碱金属或碱土类金属至少为1种即可，并不限定为2种。即，例如在(3)式中，也可以具有2种或2种以上的碱金属(X)和2种或2种以上的碱土类金属(M)。
另外，例如，如上述(1)～(4)式的情形那样，在应力发光体包括多种碱金属或碱土类金属的情形下，这多种碱金属和/或碱土类金属优选为其离子半径互不相同。由此，与单一的碱金属或碱土类金属的情形相比，应力发光体的应变增大。因此，应力发光体变得容易发光。换言之，应力发光体如果具有其离子半径不同的多种碱金属和/或碱土类金属，则应力发光体的自发应变也发生变化。具有自发应变的应力发光体比没有自发应变的应力发光体更容易发光。因此，具有离子半径不同的多种碱金属和/或碱土类金属的应力发光体变得容易发光。这样，如果调整应力发光体的自发应变，则可使应力发光体容易发光。
作为优选的应力发光体，以发出蓝色光，特别是400nm附近的光者为优选。蓝色，特别是在400nm附近的光的优点是：从荧光灯等照明器具发射较少、在测量其发光时即使在照明环境下干扰也少。另外，蓝色的发光由于能量高，用探测器进行检测容易，从而可容易地检测发光体的发光强度。
本发明人发现，如果选择Eu离子作为用于应力发光体的稀土类金属的离子，则得到呈现蓝色发光的应力发光体。以往的应力发光体中，尽管发光波长在500nm或其以上呈现强烈发光(从绿色至红色的发光)的应力发光体已经为人所知，但是发光波长短的呈现蓝色至蓝紫色的强发光的发光体却不为人所知。
即，适合于在本发明中使用的应力发光体至少包含Eu离子作为发光中心。这样的应力发光体由于具有本申请发明所特有的晶体结构，故可提供特别是呈现从蓝色至蓝紫色的强烈的发光的应力发光体等。
更详细地说，呈现特别强烈的蓝色发光的应力发光体优选的是用下述(5)和(6)式表示的发光体：
M1-x-yNxQyAl2Si2O8...(5)
X1-x-yYxQyAl2-X Si2+XO8...(6)
(式中，M和N分别是2价的金属离子，至少1种为Ca、Sr、Mg或Mn，X和Y是1价的金属离子，至少1种为Li、Na或K，Q为稀土类金属离子或过渡金属离子，x、y是满足0≤x≤0.8，0.001≤y≤0.1的数。)
但是，如(5)式那样，在碱土类金属的情况下，Al和Si分别维持2不变，不随式中的x变化。另一方面，如(6)式那样，在碱金属的情况下，为了取得电荷平衡，与1价碱金属的数增加x相对应地，4价的Si的数增加，成为(2+x)，并且3价的Al减少，成为(2—x)。
进而，在上述应力发光体中，选择Ca作为碱土类金属，并且，用至少1种发光中心置换了该钙长石的一部分后的应力发光体更优选。即，
Ca1-yQyAl2Si2O8...(7)
式中的Q是Eu和其他发光中心的至少1种，y是满足0.001≤y≤0.1的数。
又，式(7)在发光中心仅为Eu的情况下，也可表示为Ca1-m- nEumAl2Si2O8。式中的m和n是满足0.001≤m≤0.1的数。
在发光中心仅为Eu的情况下，m的范围是大于0、并为0.1以下，在发光中心为Eu和其他发光中心离子的混合物的情况下，作为混合物的发光中心的含量(m)只要在大于0、并且处于0.2以下的范围即可。
这样的应力发光体可特别强烈地呈现以往得不到的蓝色的发光。又，在式(7)中，发光中心(Q)优选地至少包含Eu。即，在式(7)中，作为发光中心的稀土类金属离子优选地至少包含Eu。例如，更为优选的是，发光中心只是Eu，或Eu与Dy的混合物。这样，作为发光中心，只要含Eu，就可形成特别强烈地呈现蓝色发光的应力发光体。
由于蓝色的发光为短波长，能量高，从而只要采用发出蓝色光的应力发光体，即可利用其能量作为激发光。即，如果采用呈现蓝色发光的发光体和不同于蓝色的颜色的发光体的复合材料，则可容易地利用蓝色的发光能量作为用于使蓝色以外的发光体受到激发的激发能量。
本发明中所用的应力发光体通过将其涂膜设置在各种基体材料的表面上，可得到叠层材料。涂膜法可利用热喷涂法、空气熔胶法等物理方法，或喷雾热分解法及旋涂法等化学方法。在用热分解法制作该涂膜的情况下，将可形成规定的母体结构的化合物，例如硝酸盐或卤化物或烷氧基化合物等溶解于溶剂中进行调制，在将如此调制成的涂敷液涂敷在耐热性基体材料的表面上之后，通过烧结形成。对于该耐热性基体材料不作特别限定，作为其材质可举出例如石英、硅、石墨、石英玻璃或维科尔高硼硅酸耐热玻璃等耐热玻璃、氧化铝或氮化硅或碳化硅或硅化钼等的陶瓷、不锈钢之类的耐热钢或镍、铬、钛、钼等耐热性金属或者耐热性合金、金属陶瓷、水泥、混凝土等。
本发明中所用的应力发光体也可作为与其他无机材料或有机材料的复合材料加以利用。该复合材料由于包含应力发光材料，故如果借助于机械性外力赋予该复合材料以应变则发光。例如，形成将应力发光材料以任意的比例混合并分散到树脂或塑料等有机材料中的复合材料。如果对该复合材料施加机械性外力，则在复合材料中的应力发光材料内发生应变。而且，该应变形成激发能，使复合材料发光。
本发明中所用的应力发光体可涂敷在其他材料表面上加以利用。换言之，应力发光材料可在其他材料表面上形成含应力发光材料的层(应力发光层)加以利用。由此，一旦对形成了应力发光层的材料施加机械性外力，则该应力发光层变形并发光。这样，如果形成应力发光层并加以利用，则使用少量的应力发光材料即可实现大面积的发光。
另外，在上述各实施方式中，虽然以用硬件(应力历史记录介质)实现本发明的应力历史记录系统的情形为例进行了说明，但专业人员容易理解，借助于“CPU等运算装置通过执行被存储在ROM或RAM等记录介质中的程序代码所实现的功能块”，可进行同样的处理。将进行处理的一部分的硬件和执行进行该硬件的控制及其余的处理的程序码的上述运算装置组合在一起，也可实现本发明的应力历史记录系统。进而，在上述各构件之中即使是作为硬件而说明的构件，将进行一部分处理的硬件与执行进行该硬件的控制和剩余的处理的程序码的上述运算装置组合在一起，也可实现本发明的应力历史记录系统。又，执行上述程序码的运算装置既可以是单独的装置，又可以是经装置内部的总线或各种信道连接起来的多个运算装置共同地执行程序码。
可由上述运算装置直接执行的程序码本身或者通过后述的解压缩等处理可生成程序码的作为数据的程序通过下述方式被分配并且由上述运算装置运行：将该程序(程序码或上述数据)存储到记录介质中、分发该记录介质，或者，通过用于经由有线或无线的信道进行传送的通信装置发送。
又，在经由信道传送的情况下，构成信道的各传送介质通过相互传输表示程序的信号序列，经该信道传送上述程序。另外，也可以在传送信号序列时，发送装置通过用表示程序的信号序列调制载波，将上述信号序列叠加在载波上。此时，接收装置通过对载波进行解调，使信号序列复原。另一方面，在传送上述信号序列时，发送装置也可将作为数字数据序列的信号序列进行分组传送。此时，接收装置将接收到的多个分组连结在一起，将上述信号序列复原。另外，发送装置在发送信号序列时，也可采用时分/频分/码分等方法，将信号序列与其他信号序列进行多路传送。此时，接收装置从进行了多路传送的信号序列抽出各个信号序列并使之复原。不管是何种情况，只要可经信道传送程序，可得到同样的效果。
此处，分发程序时的记录介质以可拆卸者为优选，但分发程序后的记录介质则不管是否可拆卸。另外，上述记录介质只要能存储程序，则不管是否可改写(写入)，是否有易失性，以及记录方法和形状。作为记录介质的一例，可举出磁带及盒式磁带等带，或者软(注册商标floppy)盘及硬盘等磁盘，或者CD—ROM及光磁盘(MO)、微型盘(MD)及数字视频盘(DVD)等盘片。另外，记录介质也可以是IC卡及光卡之类的卡，或者掩模ROM及EPROM、EEPROM或闪速ROM等之类的半导体存储器。或者，也可以是在CPU等的运算装置内所形成的存储器。
又，上述程序码既可以是向上述运算装置指示上述各处理的全部规程的代码，如果已经存在通过以规定的规程调用可执行上述各处理的一部分或全部的基本程序(例如操作系统或程序库等)，则也可以利用向上述运算装置指示该基本程序的调用的代码或指示器等，置换上述全部规程的一部分或全部。
另外，向上述记录介质存储程序时的形式，可以例如象在实际存储器中配置的状态那样，是运算装置可进行访问并执行的存储形式，又可以是在配置到实际存储器以前，安装到运算装置总可访问的本地记录介质(例如，实际存储器或硬盘等)上以后的存储形式，或者，也可以是，从网络以及可运送的记录介质等安装到上述本地记录介质以前的存储形式等。另外，程序不限于编译后的目标代码，也可以作为源代码及在翻译或编译中途生成的中间码被存储。无论是何种情况，通过被压缩了的信息的解压缩、编码了的信息的译码、翻译、编译、连接、或向实际存储器的配置等的处理，或者各种处理的组合，如果能够转换成上述运算装置可执行的形式，则与将程序存储到记录介质时的形式无关，可得到同样的效果。
本发明不限于上述的实施方式，可在权利要求所示的范围内进行各种变更。即，将在权利要求所示的范围内适当进行了变更的技术方案组合起来而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
另外，本说明书中所记载的学术文献和专利文献的全部在本说明书中作为参考进行援引。
以下，用实施例更详细地说明本发明，但本发明不受该实施例任何限定。
实施例
在玻璃片(MATSUNAMI制造)3的单面上，覆盖氧化钛溶胶(石原产业制造：可见光用的氧化钛光触媒MPT—623)4，再在其上覆盖市售的色素亚甲蓝2。在透明片的背面，用丝网印刷将峰值波长为510nm的发绿光应力发光体1即SAO(SrAl2O4：Eu)和峰值波长为400nm的发蓝光应力发光体1’即CAS(CaAl2Si2O8：Eu)这两种涂敷成带状(图5)。观察到对如此制作的记录介质样品施加1小时摩擦力(以2cm/s的速度生成1N的载荷的力)后的亚甲蓝覆盖部分(图6(a))。另外，对施加了摩擦力后的样品从卤素灯经6条照射用纤维照射白色光，再经读取用纤维将反射光谱输入到多路分光仪中进行解析(图6(b))。图中，[A]～[C]表示解析了图6(a)中的[A]～[C]的部位处的反射光谱的结果。
如图所示，面对峰值波长为510nm的应力发光体SAO的样品(图6(a)的[C]部位)变色，面对峰值波长为400nm的应力发光体CAS的样品(图6(a)的[B]部位)脱色。这样，通过对应力发光体施加摩擦力而形成的发光的照射，可知色素发生光反应。从颜色的变化可评价应力的历史，通过对各种发光体预先制作定量线，能够以良好的再现性记录应力历史。
除了氧化钛溶胶为短波长用的氧化钛光触媒ST—01(石原产业制造)以外，其余与实施例同样地制作比较用的样品，观察到同样地施加了摩擦力后的亚甲蓝覆盖部分(图6(c))。此时，对500nm处的光反应的促进不充分，色素几乎不产生颜色变化。
另外，除了不用丝网印刷而用硅氧烷粘结剂将应力发光体贴附到透明片的背面以外，其余与实施例同样地制作比较用的样品，观察到同样地施加了摩擦力后的亚甲蓝覆盖部分(图6(d))。此时，采用硅氧烷后，由于透光性、以及色素与催化剂间的附着性均发生了变化，故色素几乎不发生颜色变化。
这样，如果将外力施加到应力发光体—氧化钛的混合物上，则可明确地确认所共存的色素的退色。
进而，用银盐胶片作为记录材料(记录部)，记录来自应力发光体的发光。在暗室中，使峰值波长为510nm的发绿光应力发光体即SAO(SrAl2O4：Eu)与环氧树脂混合并成型后的小柱体(直径2cm、厚度约1cm)与记录材料(安装在底片夹上的人造偏振片圈669(8.5×10.8cm：ISO80))以约5mm的间隔正对。通过在3秒钟、6秒钟或9秒钟开启底片夹的滑动快门，对记录材料发射来自应力发光体的发光，使之感光，通过关闭快门使感光停止。图7(a)表示所观察到的记录了发光的记录材料的结果。图7(b)是表示记录材料中的色谱的曲线图。图7(c)是将510nm处的反射率(亮度率)印迹作图后得到的曲线图。由此可知，加长曝光时间，将胶片暴露于越多的光子，越进行银盐反应，越能记录所施加的应力强度，即，由银盐胶片构成的记录材料可应用于本发明的实施。
如果应用本发明，即可捕捉在一定时间内所发生的应力的总和作为应力历史，其结果是，可记录所施加的应力的总和、应变、能量的总和。另外，如果应用本发明，即使是微小的应力历史，也可成功地记录。
在发明的详细的说明事项中所进行的具体的实施方式或实施例根本上是为了弄清本发明的技术内容的记载，不应仅限定于这样的具体例作狭义的解释，在本发明的宗旨和下面记载的权利要求的范围内可进行各种变更以付诸实施。
工业实用性
记录应力历史，例如在大型建筑物的安全管理的情况下，从安全性的观点看非常重要，从而本发明在各种产业中可得到广泛应用。另外，通过与已具有实际业绩的氧化钛等的混合物进行有效利用，本发明在社会非常关心的领域即环境卫生领域、能源领域内可得到有效利用。
Claims (14)
1.一种用于记录应力历史的应力历史记录系统，其特征在于，
包括：
包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光装置；以及
记录因来自该发光装置的发光而发生的光反应的历史的记录装置，
该记录装置具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部。
2.如权利要求1所述的应力历史记录系统，其特征在于，
还包括增强上述光反应的催化剂部。
3.如权利要求1所述的应力历史记录系统，其特征在于，
上述光反应与上述外力成正比地变化。
4.如权利要求1所述的应力历史记录系统，其特征在于，
上述光反应部以不可逆的方式感光。
5.如权利要求4所述的应力历史记录系统，其特征在于，
上述光反应部是色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料，或照相用感光胶片。
6.一种用于记录应力历史的应力历史记录介质，其特征在于，
包括：
包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部；
记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部；以
及
固定该发光部和该记录部的固定部，
该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且覆盖被固定在该固定部上的该发光部。
7.一种用于记录应力历史的应力历史记录介质，其特征在于，
包括：
包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部；
记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部；
增强该光反应的催化剂部；以及
固定该发光部和该记录部的固定部，
该催化剂部与该发光部邻接，
该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且至少覆盖该催化剂部。
8.一种用于记录应力历史的应力历史记录介质，其特征在于，
包括：
包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部；
记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部；以及
由透光性材料构成并且固定该发光部和该记录部的固定部，
该记录部具有与该发光的强度成正比并发生光反应的光反应部，并且隔着该固定部被固定在该发光部的对面。
9.一种用于记录应力历史的应力历史记录介质，其特征在于，
包括：
包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部；
记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部；
增强该光反应的催化剂部；以及
由透光性材料构成并且固定该发光部和该记录部的固定部，
该催化剂部与该发光部邻接，
该记录部具有与该发光的强度成正比并发生光反应的光反应部，并且隔着该固定部被固定在该催化剂部的对面。
10.一种用于记录应力历史的应力历史记录介质，其特征在于，
包括：
包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部；
记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部；
增强该光反应的催化剂部；以及
由透光性材料构成并且固定该发光部和该记录部的固定部，
该催化剂部隔着该固定部被固定在该发光部的对面，
该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且覆盖该催化剂部。
11.一种用于记录应力历史的应力历史记录介质，其特征在于，
包括：
包含根据机械性外力而发光的应力发光材料的发光部；
记录因来自该发光部的发光而发生的光反应的历史的记录部；以及
被固定在该发光部的表面上并且增强该光反应的催化剂部，
该记录部具有与该发光的强度成正比地发生光反应的光反应部，并且覆盖固定了该催化剂部的多个该发光部。
12.如权利要求6～11的任一项中所述的应力历史记录介质，其特征在于，
上述光反应与上述外力成正比地变化。
13.如权利要求6～11的任一项中所述的应力历史记录介质，其特征在于，
上述光反应部以不可逆的方式感光。
14.如权利要求13所述的应力历史记录介质，其特征在于，
上述光反应部是色素、无机光致变色材料、有机光致变色材料，或照相用感光胶片。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP066585/2006 | 2006-03-10 | ||
| JP2006066585 | 2006-03-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101400977A true CN101400977A (zh) | 2009-04-01 |
Family
ID=38509374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007800084429A Pending CN101400977A (zh) | 2006-03-10 | 2007-03-06 | 应力历史记录系统 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8006567B2 (zh) |
| JP (1) | JPWO2007105539A1 (zh) |
| CN (1) | CN101400977A (zh) |
| GB (1) | GB2450449B (zh) |
| WO (1) | WO2007105539A1 (zh) |
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2007
- 2007-03-06 CN CNA2007800084429A patent/CN101400977A/zh active Pending
- 2007-03-06 GB GB0818344A patent/GB2450449B/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-06 WO PCT/JP2007/054310 patent/WO2007105539A1/ja active Application Filing
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- 2007-03-06 US US12/224,853 patent/US8006567B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8006567B2 (en) | 2011-08-30 |
| JPWO2007105539A1 (ja) | 2009-07-30 |
| US20090114033A1 (en) | 2009-05-07 |
| GB2450449A (en) | 2008-12-24 |
| WO2007105539A1 (ja) | 2007-09-20 |
| GB0818344D0 (en) | 2008-11-12 |
| GB2450449B (en) | 2011-05-25 |
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