CN101393889B - 显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置的制造方法，该显示装置具有多个显示像素，该多个显示像素包含具有载流子传输层的发光元件，该显示装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：第1亲液化工序，使电极的表面亲液化，该电极形成在上述多个显示像素的形成区域上，上述多个显示像素的形成区域是由设在基板上的隔壁所围成的；疏液化工序，使上述隔壁的表面疏液化；以及第2亲液化工序，通过在惰性气体环境中实施等离子处理，使上述电极的表面再次亲液化。

Description

显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置的制造方法，特别是涉及具有显示面板的显示装置的制造方法，该显示面板是将多个显示像素2维排列而成，该多个显示像素具有通过涂布具有载流子传输功能材料的液体材料，形成有载流子传输层的发光元件。
背景技术
近年来，作为编写电话和便携式音乐播放器等电子机器的显示设备，已知具有将自发光元件即有机电致发光元件(OrganicElectro-Luminescence)(以下，简写为“有机EL元件”)2维排列而成的显示面板(有机EL显示面板)的显示设备。特别是，与广泛普及的液晶显示装置相比，使用了有源矩阵(active matrix)驱动方式的有机EL显示面板，显示应答速度很快，视场角依存性也小，不像液晶显示装置那样需要背光和导光板等，因此具有可更薄、轻量化这样的特征。因此，今后被期待适用于各式各样的电子机器。
在此，众所周知，有机EL元件例如大致具有在玻璃基板等的一面侧依次层叠有阳极(anode)电极、有机EL层(发光功能层)、阴极(cathode)电极的元件构造，在阳极电极上施加正电压，在负极电极上施加负电压，使得有机EL层超过发光阈值，由此，该有机EL元件基于在有机EL层内被注入的空穴与电子再结合时产生的能量而发光(激发光)，根据形成成为有机EL层的载流子传输层的有机材料(空穴传输材料和电子传输材料)，可大致分为低分子系和高分子系的有机EL元件。
使用了低分子系的有机材料的有机EL元件的情况下，一般在制造工艺中采用蒸镀法，因此在像素形成区域的阳极电极上只选择性地形成该低分子系的有机膜时，使用了用于防止低分子材料向上述阳极电极之外的区域进行蒸镀的掩膜，该掩模表面也附着有低分子材料，因此存在制造时的材料损耗大，并且制造工艺效率差这样的问题。
另一方面，在使用了高分子系的有机材料的有机EL元件的情况下，一般作为湿式成膜法，可采用喷墨法(液滴喷出法)和喷嘴印刷(nozzleprinting)法(液流喷出法)等，因此具有如下特征：可在阳极电极上，或，包含阳极电极的特定区域上只选择性地涂布上述有机材料的溶液，能以材料损耗少、有效的制造工艺高精度地形成有机EL层(空穴传输层和电子传输层、发光层等)的薄膜。
并且，在这样的高分子系的有机EL显示面板中，对排列在绝缘基板上的各显示像素的形成区域(像素形成区域)进行划分的同时，涂布包含高分子系有机材料的液体材料时，为了防止产生不同颜色的发光材料混入邻接的像素形成区域而在显示像素间产生发光颜色的混合(混色)等的现象，已知具有面板构造的有机EL显示面板，该面板构造在各像素形成区域间设有在绝缘基板上突出且连续地形成的隔壁。具有这样的隔壁的有机EL显示面板，例如，在日本特开2001-76881号公报详细地进行了说明。
然而，在上述这样的高分子系和一部分低分子系的有机EL元件中，使用喷墨法和喷嘴印刷法等湿式成膜法来制造有机EL层(空穴传输层和电子传输层、发光层等)时，由于涂布了包含上述有机材料的液体材料的各像素形成区域和各显示像素(像素形成区域)间所设有的隔壁的表面的特性(亲液性和疏液性)、起因于上述液体材料(涂布液)的溶剂成分的表面张力和凝聚力等各式各样的主要原因，存在如下问题：不同颜色的发光材料混入邻接的像素形成区域而在显示像素间产生发光颜色的混合(混色)等，或者，形成在像素形成区域内的有机EL层的膜厚不均匀。
因此，存在如下问题：有机EL元件的发光动作时，由于发光驱动电流集中在有机EL层的膜厚薄的区域而流动，有机EL层(有机EL元件)显著劣化，显示面板的可靠性和元件寿命降低，发光开始电压从设计值变化(偏差)，无法得到期望的发光亮度，显示面板的显示画质降低。
发明内容
因此，本发明鉴于上述问题，优点在于提供一种具有形成了发光功能层(有机EL层)的显示面板的显示装置的制造方法，该发光功能层在各显示像素的形成区域的整个区域具有大致均匀的膜厚。
为了得到这样的优点，根据本发明的一实施方式，一种显示装置的制造方法，该显示装置具有多个显示像素，该多个显示像素包含具有载流子传输层的发光元件，其特征在于，包括以下工序：
第1亲液化工序，使电极的表面亲液化，该电极形成在上述多个显示像素的形成区域上，上述多个显示像素的形成区域是由设在基板上的隔壁所围成的；
疏液化工序，使上述隔壁的表面疏液化；以及
第2亲液化工序，通过在惰性气体环境中实施等离子处理，使上述电极的表面再次亲液化。
上述第1亲液化工序也可以通过对上述电极的表面实施氧等离子处理或UV臭氧处理，而相对于包含载流子传输性材料的有机溶液进行亲液化。
优选上述疏液化工序通过在碳氟气体环境中实施等离子处理，而相对于包含上述载流子传输性材料的有机溶液进行疏液化。
上述第2亲液化工序也可以通过在惰性气体环境中实施等离子处理，而相对于包含上述载流子传输性材料的有机溶液进行亲液化。
上述隔壁也可以由聚酰亚胺系或丙烯系等感光树脂材料形成。
上述隔壁也可以形成在绝缘膜上，该绝缘膜具有在上述显示像素的形成区域间的上述基板上所形成的氮化硅膜或氧化硅膜。
上述显示像素的形成区域也可以由上述隔壁划分，
还可以包括以下工序：在经上述再次亲液化后的上述电极上，涂布包含上述载流子传输性材料的有机溶液，并使其干燥，形成上述载流子传输层的工序；以及形成对置电极的工序，该对置电极以隔着上述载流子传输层与上述多个显示像素的上述电极对置，且在上述隔壁上延伸的方式形成。
上述载流子传输层也可以由多个层构成。此时，也可以是空穴传输层、电子传输层那样互相不同的载流子传输性层。
根据该显示装置的制造方法，可实现形成有发光功能层(有机EL层；载流子传输层)的显示面板，该发光功能层在各显示像素的形成区域的整个区域具有大致均匀的膜厚。
附图说明
根据以下的详细说明和附图可更充分地理解本发明，但这些专门用于说明，不限定本发明的范围，在此，
图1是表示使用了本发明的实施方式中的显示装置所使用的显示面板的像素排列状态的一个例子的示意俯视图。
图2是表示使用了本发明的实施方式中的显示装置的显示面板上2维排列的各显示像素(发光元件及像素驱动电路)的电路构成例子的等价电路图。
图3是表示可适用于使用了本发明的实施方式中的显示装置(显示面板)的显示像素的一个例子的平面布置图。
图4A是使用了本发明的实施方式中的显示装置的显示像素的示意剖视图。
图4B是使用了本发明的实施方式中的显示装置的显示像素的示意剖视图。
图5A是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图5B是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图5C是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图5D是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图6A是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图6B是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图6C是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图7A是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图7B是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图8A是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图8B是表示显示装置(显示面板)的制造方法的一个实施方式的工序剖视图。
图9是表示本实施方式和比较对象的面板基板的接触角的测量结果的图表。
图10A是用于说明对将有机化合物含有液涂布在面板基板上的情况的缺陷发生率进行验证用的实验条件的示意图。
图10B是用于说明对将有机化合物含有液涂布在面板基板上的情况的缺陷发生率进行验证用的实验条件的示意图。
图11A是表示本实施方式和比较对象1的面板基板中的缺陷(印刷不均匀)的发生状态的显微镜照片。
图11B是表示本实施方式和比较对象1的面板基板中的缺陷(印刷不均匀)的发生状态的显微镜照片。
具体实施方式
下面对本发明的实施方式的显示装置的制造方法进行详细地说明。在此，在以下的实施方式中，对使用了具有涂布有机材料而形成的有机EL层的有机EL元件作为构成显示像素的发光元件的情况进行说明。
显示面板
首先，对本发明的实施方式的显示装置所使用的显示面板(有机EL面板)和显示像素进行说明。
图1是表示本发明的实施方式的显示装置所使用的显示面板的像素排列状态的一个例子的示意俯视图。图2是表示本发明的实施方式的显示装置所使用的显示面板上2维排列的各显示像素(发光元件及像素驱动电路)的电路构成例子的等价电路图。另外，如图1所示的俯视图中，为了便于说明，只表示了从显示面板(绝缘基板)的一面侧(视场侧：有机EL元件的形成侧)看到的、设置在各显示像素(各颜色的子像素：下面简记为“颜色像素”)上的像素电极的配置和各配线层的配设构造之间的关系以及划分各显示像素的形成区域的触排(隔壁)的配置关系，为了驱动各显示像素的有机EL元件(发光元件)发光，省略了设置在各显示像素的图2所示的像素驱动电路内的晶体管等的表示。在图1中，为了使像素电极和各配线层、触排的配置关系清楚，为了方便，划上剖面线来表示。
如图1所示，本发明的实施方式的显示装置(显示面板)在玻璃基板等绝缘基板11的一面侧，以具有红(R)、绿(G)、蓝(B)3种颜色的各颜色像素(各颜色的子像素)PXr、PXg、PXb为一组，该组沿行方向(图的左右方向)反复排列多个，并且同颜色的各颜色像素PXr、PXg、PXb沿列方向(图的上下方向)排列多个。在此，邻接的RGB3种颜色的颜色像素PXr、PXg、PXb为一组，形成一个显示像素PIX.
如图1所示，显示面板10通过触排(隔壁)17划分成沿列方向排列的同一颜色的多个颜色像素PXr、PXg、或PXb的像素形成区域(各颜色像素区域)，该触排(隔壁)17突出于在绝缘基板11的一面侧，具有栅栏状或栅格状的平面图案而连续地配设。各颜色像素PXr、PXg、或PXb的像素形成区域中形成有像素电极(例如阳极电极)14，同时在与上述触排17的配设方向平行地沿列方向(图的上下方向)配设有数据线(信号线)Ld，在与该数据线Ld正交的行方向(图的左右方向)上平行地配设有选择线Ls和供给电压线(例如阳极线)La。细节后述，但在显示面板10上形成有由单一电极层(全面(べた)电极)组成的对置电极(例如阴极电极)16，以便与2维排列在绝缘基板11上的多个显示像素PIX的像素电极14共同地对置。
如图2所示，显示像素PIX的各颜色像素PXr、PXg、PXb具有电路构成，该电路构成包括：有绝缘基板11上具有1～多个晶体管(例如非晶体硅薄膜晶体管等)的像素驱动电路(或像素电路)DC、通过由该像素驱动电路DC控制的发光驱动电流供给到上述像素电极14上，而进行发光动作的有机EL元件(发光元件)OLED。
具体来说，如图2所示，像素驱动电路DC例如包括：晶体管(选择晶体管)Tr11，其门极端子与选择线Ls连接、漏极端子与配设在显示面板10的列方向的数据线Ld连接、源极端子与接点N11连接；晶体管(发光驱动晶体管)Tr12，其门极端子与接点N11连接、漏极端子与供给电压线La连接、源极端子与接点N12连接以及电容Cs，该电容Cs连接在晶体管Tr12的门极端子和源极端子之间。
在此，晶体管Tr11、Tr12都使用了n沟道型的薄膜晶体管(电场效应型晶体管)。若晶体管Tr11、Tr12是P沟道型，则源极端子和漏极端子相反。还有电容Cs是由形成在晶体管Tr12的栅极-源极间的寄生容量，或，附加设置在该栅极-源极间的辅助容量，或，这些寄生电容和辅助容量构成的容量成分。
有机EL元件OLED的阳极端子(成为阳极电极的像素电极14)与上述像素驱动电路DC的接点N12连接，负极端子(负极电极)与由上述单一电极层形成的对置电极16一体地形成。对置电极16例如直接或间接与规定的低电位电源连接，对绝缘基板11上2维排列的所有显示像素PIX(有机EL元件OLED的负极电极)共同施加规定的低电压(基准电压Vss：例如接地电位Vgnd)。
另外，在图2所示的显示像素PIX(像素驱动电路DC和有机EL元件OLED)中，选择线Ls例如与未图示的选择驱动器连接，被施加用于在规定的定时将排列在显示面板10的行方向上的多个显示像素PIX(颜色像素PXr、PXg、PXb)设定为选择状态的选择电压Ssel。数据线Ld与未图示的数据驱动器连接，在与上述显示像素PIX的选择状态同步的定时施加与显示数据相应的等级信号(数据电压)Vpix。
并且，供给电压线La例如直接或间接地与规定的高电位电源连接，为了使与显示数据相应的发光驱动电流流到各显示像素PIX(颜色像素PXr、PXg、PXb)上所设置的有机EL元件OLED的像素电极(例如阳极电极)14，被施加了比施加在有机EL元件OLED的对置电极16上的基准电压Vss的电位高的规定的高电压(供给电压Vdd)。
即，在各显示像素PIX中，串联连接的晶体管Tr12和有机EL元件OLED的组的两端(晶体管Tr12的漏极端子和有机EL元件OLED的阴极端子)上分别施加供给电压Vdd和基准电压Vss，并对有机BL元件OLED付与正偏压，而成为有机EL元件OLED形成可发光的状态，而且，由像素驱动电路DC控制与等级信号Vpix相应地流动的发光驱动电流的电流值。
然后，具有这样的电路构成的显示像素PIX中的驱动控制动作为：首先，从未图示的选择驱动器在规定的选择期间，对选择线Ls施加选择电平(导通电平；例如高电平)的选择电压Ssel，由此晶体管Tr11进行导通动作而被设定为选择状态。与此定时同步地进行控制，以便从未图示的数据驱动器将具有与显示数据相应的电压值的等级信号Vpix施加在数据线Ld上。由此，通过晶体管Tr11，与等级信号Vpix相应的电位施加到接点N11(即，晶体管Tr12的门极端子)上。
在具有图2所示的电路构成的像素驱动电路DC中，晶体管Tr12的漏极-源极间电流(即，流过有机EL元件OLED的发光驱动电流)的电流值由漏极-源极间的电位差和栅极-源极间的电位差决定。在此，施加在晶体管Tr12的漏极端子(漏极电极)上的供给电压Vdd与施加在有机EL元件OLED的阴极端子(阴极电极)上的基准电压Vss是固定值，因此晶体管Tr12的漏极-源极间的电位差由供给电压Vdd和基准电压Vss预先固定。并且，晶体管Tr12的栅极-源极间的电位差由等级信号Vpix的电位唯一决定，因此流入晶体管Tr12的漏极-源极间的电流的电流值可由等级信号Vpix控制。
这样，晶体管Tr12以与接点N11的电位相应的导通状态(即，与等级信号Vpix相应的导通状态)进行导通动作，具有规定的电流值的发光驱动电流从高电位侧的供给电压Vdd通过晶体管Tr12和有机EL元件OLED之后流到低电位侧的基准电压Vss(接地电位Vgnd)，因此有机EL元件OLED以与等级信号Vpix(即，显示数据)相应的亮度等级进行发光动作。此时，基于施加在接点N11上的等级信号Vpix，电荷被蓄积(充电)到晶体管Tr12的栅极-源极间的电容Cs。
随后，在结束了上述选择期间后的非选择期间，通过将非选择电平(截止电平；例如低电平)的选择电压Ssel施加在选择线Ls上，显示像素PIX的晶体管Tr11进行截止动作而被设定为非选择状态，数据线Ld和像素驱动电路DC之间被电气地遮断。此时，通过保持蓄积到上述电容Cs中的电荷，成为在晶体管Tr12的门极端子上保持与等级信号Vpix相当的电压的(即，保持栅极-源极间的电位差)状态。
因此，与上述选择状态的发光动作同样地，规定的发光驱动电流从供给电压Vdd经过晶体管Tr12流到有机EL元件OLED，继续发光动作状态。该发光动作状态被控制成继续直到下一等级信号Vpix被施加(被写入)，例如、继续1帧期限。然后，通过将这样的驱动控制动作对显示面板10上2维排列的所有显示像素PIX(各颜色像素PXr、PXg、PXb)，例如对每个行依次执行，能执行显示期望的图像信息的图像显示动作。
另外，在图2中，作为设置在显示像素PIX上的像素驱动电路DC，表示了如下的电压指定型的等级控制方式的电路构成，该电压指定型的等级控制方式的电路构成通过根据显示数据，对写入各显示像素PIX(具体来说，像素驱动电路DC的晶体管Tr12的门极端子；接点N11)的等级信号Vpix的电压值进行调整(指定)，由此控制流过有机EL元件OLED的发光驱动电流的电流值，从而以所期望的亮度等级进行发光动作，但也可以是具有这样一种电流指定型的等级控制方式的电路构成，即、该电流指定型的等级控制方式的电路构成通过根据显示数据，对写入各显示像素PIX的电流值进行调整(指定)，由此控制流过有机EL元件OLED的发光驱动电流的电流值，从而以所期望的亮度等级进行发光动作。
显示像素的设备构造
接着，对具有上述这样的电路构成的显示像素(发光驱动电路和有机EL元件)的具体的设备构造(平面布置和截面构造)进行说明。在此，示出了具有底部发光型的发光构造的显示面板(有机EL面板)，该底部发光型的发光构造将在有机EL层所发的光经过绝缘基板照射到视场侧(绝缘基板的另一面侧)。
图3是表示可适用于本发明的实施方式的显示装置(显示面板)的显示像素的一个例子的平面布置图。在此，表示图1所示的显示像素PIX的红(R)、绿(G)、蓝(B)的各颜色像素PXr、PXg、PXb之中的特定的一个颜色像素的平面布置。另外，在图3中，重点表示形成有图2所示的像素驱动电路DC的各晶体管和配线等的层。图4A和图4B是表示沿着具有图3所示的平面布置的显示像素的IVA-IVA线(在本说明书中，作为与图3所示的罗马数字“4”相对应的附图标记，简便地适用“IV”。下面也同样)的截面和沿着IVB-IVB线的截面的示意剖视图。
图2所示的显示像素PIX(颜色像素PXr、PXg、PXb)，具体来说，设定在绝缘基板11的一面侧的像素形成区域(各颜色像素PXr、PXg、PXb的有机EL元件OLED的形成区域(EL元件形成区域)Rel以及各颜色像素PXr，PXg、PXb间的触排17的形成区域的区域)Rpx中，例如，如图3所示，在像素形成区域Rpx的上方和下边的边缘区域上分别沿行方向(图的左右方向)延伸地配设选择线Ls和供给电压线La，并且以与这些线Ls、La正交的状态，在上述平面布置的左方的边缘区域上沿列方向(图的上下方向)延伸地配设有数据线Ld。在上述像素形成区域Rpx的右侧的边缘区域，跨过右侧邻接的颜色像素而沿列方向延伸地配设有触排17(详情后述)。
在此，例如，如图3、图4A、图4B所示，数据线Ld设置在比选择线Ls和供给电压线La更靠近下层侧(绝缘基板11侧)，通过对用于形成晶体管Tr11、Tr12的门极电极Tr11g、Tr12g的门极金属层形成图案而与该门极电极以相同工序形成，并经由设置在于其上成膜的门极绝缘膜12上的接触孔CH1，而连接于与信号配线层Ldx一体地形成的晶体管Tr11的漏极电极Tr11d。
并且，选择线Ls设置在比数据线Ld更靠近上层侧，通过对用于形成晶体管Tr11、Tr12的源极电极Tr11s、Tr12s、漏极电极Tr11d、Tr12d的源、漏极金属层进行图案形成而与该源极电极、漏极电极以相同工序形成，并经由设置在位于晶体管Tr11的门极电极Tr11g的两端的门极绝缘膜12上的接触孔CH2与门极电极Tr11g连接。
在此，选择线Ls例如具有层叠了下层配线部Ls0的和上层配线部Ls1的配线构造，供给电压线La(包含后述的供电配线层Lay)也具有层叠了下层配线部La0和上层配线部La1的配线构造。下层配线部Ls0、La0都与晶体管Tr12的源极电极Tr12s及漏极电极Tr12d同层，或一体地设置，在对用于形成该源极电极Tr12s和漏极电极Tr12d的源、漏极金属层形成图案的工序中同时形成。
另外，下层配线部Ls0、La0分别具有层叠构造，该层叠构造包括用于降低铬(Cr)和钛(Ti)等的迁移的迁移金属层、用于降低被设置在该迁移金属层上的铝单体和铝合金等配线电阻的低电阻金属层。上层配线部Ls1、La1也可以由用于降低铝单体和铝合金等配线电阻的低电阻金属的单层形成，但优选具有在用于降低铬(Cr)和钛(Ti)等的迁移的迁移金属层上设有上述低电阻金属层的层叠构造的上层配线部。
并且，更具体来说，像素驱动电路DC例如配置成如图3所示，图2所示的晶体管Tr11沿着被配设在行方向的选择线Ls(或与数据线Ld连接的、沿行方向形成的信号配线层Ldx)延伸而配置，或者，晶体管Tr12沿着从供给电压La向列方向突出形成的供电配线层Lay(或触排17)延伸而配置。
在此，各晶体管Tr11、Tr12具有公知的电场效应型薄膜晶体管构造，分别具有门极电极Tr11g、Tr12g、隔着门极绝缘膜形成在与各门极电极Tr11g、Tr12g相对应的区域上的半导体层SMC、在该半导体层SMC的两端部延伸地形成的源极电极Tr11s、Tr12s和漏极电极Tr11d、Tr12d。
另外，在各晶体管Tr11、Tr12的源极电极Tr11s、Tr12s和漏极电极Tr11d、Tr12d对置的半导体层SMC上形成有用于防止对该半导体层SMC的蚀刻损伤的氧化硅或氮化硅等沟道保护层BL，源极电极Tr11s、Tr12s及漏极电极Tr11d、Tr12d和半导体层SMC之间形成有用于实现该半导体层SMC和源极电极Tr11、Tr12s及漏极电极Tr11d、Tr12d之间的电阻连接的杂质层OHM。
并且，如图3所示，晶体管Tr11的门极电极Tr11g通过设置在门极绝缘膜12上的一对接触孔CH2分别与选择线Ls连接，该漏极电极Tr11d与信号配线层Ldx一体地形成，以便与图2所示的像素驱动电路DC的电路构成对应。
如图3、图4A、图4B所示，晶体管Tr12的门极电极Tr12g通过设置在门极绝缘膜12上的接触孔CH3与上述晶体管Tr11的源极电极Tr11s连接，该漏极电极Tr12d连接于与供给电压线La一体地形成的供电配线层Lay，该源极电极Tr12s与有机EL元件OLED的像素电极14直接连接。
如图3、图4A、图4B所示，有机EL元件OLED依次层叠有：设置在上述晶体管Tr11、Tr12的门极绝缘膜12上的同时，与晶体管Tr12的源极电极Tr12s直接连接，供给有规定的发光驱动电流的像素电极(例如阳极电极)14；具有空穴传输层15a(载流子传输层)和电子传输性发光层15b(载流子传输层)的有机EL层(发光功能层)15，该有机EL层(发光功能层)15形成在由沿列方向配设在绝缘基板11上的触排17划分(被设在触排17间的)的EL元件形成区域Rel(相当于后述的有机化合物含有液的涂布区域)；以及由与绝缘基板11上2维排列的各显示像素PIX共同地设置的单一电极层(全面电极)组成的对置电极16。
在此，本实施方式的显示面板10具有底部发光型的发光构造，因此像素电极14由ITO等具有光透过特性的(透明)电极材料形成，并且对置电极16由具有光反射特性的电极材料形成。另外，对置电极16设置为不仅在各显示像素PIX的EL元件形成区域Rel延伸，而且也在划分该EL元件形成区域Rel的触排17上延伸。
另外，在上述的设备构造中，说明了通过对门极金属层形成图案而形成数据线Ld、通过对源、漏极金属层形成图案而形成选择线Ls、经由各接触孔CH1、CH2与晶体管Tr11的漏极电极Tr11d和门极电极Tr11g连接的情况，但不限于此，也可以通过对源、漏极金属层形成图案而形成数据线Ld，通过对门极金属层形成图案而形成选择线Ls，而不经由接触孔CH1、CH2，一体地形成晶体管Tr11的漏极电极Tr11d和门极电极Tr11g。
说明了供给电压线La和供电配线层Lay由用于形成晶体管Tr12的源极电极Tr12s、漏极电极Tr12d的源、漏极金属层不同的层形成的情况，但也可以通过对源、漏极金属层形成图案而与漏极电极Tr12d一体地形成。此时，供给电压线La必须与由对源、漏极金属层形成图案而形成的其他的配线电气绝缘。
触排17是在显示面板10上2维排列的多个显示像素PIX(各颜色像素PXr、PXg、PXb)互相的交界区域，被配设在显示面板10的列方向(显示板10整体如图1所示那样具有栅栏状或栅格状的平面图案)。在此，如图3、图4A所示，上述交界区域之中，在显示面板10(绝缘基板11)的列方向，上述晶体管Tr12延伸地形成，形成有绝缘膜13a、13b，该绝缘膜13a，13b覆盖该晶体管Tr12，并起到作为形成在各像素形成区域Rpx的像素电极14相互的层间绝缘膜的作用，触排17通过在该绝缘膜13a、13b上从绝缘基板11表面连续突出地层叠树脂层而形成。由此，由在列方向上延伸的触排17所围成的区域(沿列方向(图的上下方向；参照图1)排列的多个显示像素PIX的EL元件形成区域Rel)规定用作形成有机EL层15(空穴传输层15a和电子传输性发光层15b)时的有机化合物材料的涂布区域。
本实施方式所使用的触排17被实施了表面处理，使得至少触排17表面(侧面和上面)，对涂布于EL元件形成区域Rel的有机化合物含有液具有疏液性，另一方面，有机EL元件OLED的像素电极14的表面被实施表面处理，使得对上述有机化合物含有液具有亲液性。触排17例如使用感光性的树脂材料形成。
另外，在形成有上述像素驱动电路DC、有机EL元件OLED(像素电极14、有机EL层15、对置电极16)及触排17的绝缘基板11的一面侧，通过贴合未图示的金属盖和封闭基板等封闭。
并且，在这样的显示面板10中，在具有晶体管Tr11，Tr12等功能元件、选择线Ls、数据线Ld、供给电压线(阳极线)La等配线层的像素驱动电路DC中，基于根据经由数据线Ld所供给的显示数据而得到的等级信号Vpix，具有规定的电流值的发光驱动电流流到晶体管Tr12的源极-漏极间，并供给到像素电极14，由此各显示像素PIX(各颜色像素PXr、PXg、PXb)的有机EL元件OLED以按照上述显示数据的期望的亮度等级进行发光动作。
此时，本实施方式所示的显示面板10，也就是，通过像素电极14具有光透过特性，对置电极16具有光反射特性(即，通过有机EL元件OLED是底部发光型)，在各显示像素PlX(各颜色像素PXr、PXg、PXb)的有机EL层15侧发出的光，经由具有光透过特性的像素电极14，直接透过绝缘基板11，或者通过具有光反射特性的对置电极16反射而透过绝缘基板11，射出到视场侧即绝缘基板11的另一面侧(图4A，图4B的图面下方)。
显示装置的制造方法
下面对本发明实施方式的显示装置(显示面板)的制造方法进行说明。
图5A～图5B表示本发明实施方式的显示装置(显示面板)的制造方法的一实施方式的工序剖视图。在此，如图4A、图4B所示的沿着图3的IVA-IVA线的截面和沿着IVB-IVB线的截面分为图5A～图8B的各图的右方和左方表示。
上述的显示装置(显示面板)的制造方法，首先，如图5A-图5D所示，设定在玻璃基板等绝缘基板11的一面侧(图的上面侧)的显示像素PIX(各颜色像素PXr、PXg、PXb)的每个像素形成区域Rpx，在形成上述的像素驱动电路(参照图2、图3)DC的晶体管Tr11、Tr12和数据线Ld、信号配线层Ldx、选择线Ls的下层配线部Ls0以及供给电压线La的下层配线部La0等配线层的同时，形成成为有机EL元件OLED的阳极电极的像素电极14。
具体来说，在透明的绝缘基板11上在成膜门极金属层之后，如图5A所示，通过使门极金属层形成图案，同时形成门极电极Tr11g、Tr12g及数据线Ld，之后，在绝缘基板11的整个区域连续覆盖形成门极绝缘膜12、成为具有非晶硅等的半导体层SMC的半导体膜SMC′、成为沟道保护层BL的氮化硅等绝缘膜BL′。
接着，如图5B所示，对上述绝缘膜BL′、半导体膜SMC′形成适宜的图像而在与门极绝缘膜12上的门极电极Tr11g、Tr12g相对应的区域上依次形成沟道保护层BL、半导体层SMC。之后，在该半导体层SMC的两端部形成电阻连接用的杂质层OHM。
接着，如图5C所示，在上述门极绝缘膜12上，在各显示像素PIX的像素形成区域Rpx的大致中央区域(图3所示的平面布置中，除了配设有晶体管Tr11、Tr12和各种配线的周边部之外的区域)形成像素电极14，该像素电极14具有矩形状的平面图案，具有氧化铟锡(Indium Thin oxide：ITO)和掺杂氧化锡的氧化锌(Indium Zinc oxide：IZO)等的透明的电极材料(具有光透过特性)。之后，如图3所示，以数据线Ld、晶体管Tr11和Tr12的门极电极Tr11g、Tr12g的规定的位置的上表面露出的状态，在门极绝缘膜12上形成接触孔CH1、CH2、CH3。
然后，如图5D所示，在晶体管Tr11和Tr12的半导体层SMC的两端部上隔着上述杂质层OHM延伸地形成源极电极Tr11s、Tr12s和漏极电极Tr11d、Tr12d，并同时形成选择线Ls的下层配线部Ls0、供给电压线La(包括供电配线层Lay)的下层配线部La0、信号配线层Ldx。
在此，在图5C的工序后，在源、漏极金属层成膜之后，通过形成图案而一并形成源极电极Tr11s，Tr12s、漏极电极Tr11d，Tr12d、选择线Ls的下层配线部Ls0、供给电压线La的下层配线部La0和信号配线层Ldx。由此，信号配线层Ldx经过接触孔CH1与位于下方的数据线Ld连接，选择线Ls经由接触孔CH2与位于下方的门极电极Tr11g连接，源极电极Tr11s经由接触孔CH3与位于下方的门极电极Tr12g连接。晶体管Tr12的源极电极Tr12s的另一端侧延伸到像素电极14上，被电连接。
至少用于形成上述晶体管Tr11的源极电极Tr11s和漏极电极Tr11d、晶体管Tr12的源极电极Tr12s和漏极电极Tr12d、选择线Ls的下层配线部Ls0、供给电压线La(包括供电配线层Lay)的下层配线部La0和信号配线层Ldx的源、漏极金属层具有层叠构造，该层叠构造层叠了例如，具有铬(Cr)单体或铬合金等的下层侧的金属层、铝(Al)单体或铝-钛(AITi)、铝-钕-钛(AlNdTi)等铝合金的上层侧的金属层。
接着，形成具有氮化硅(Si3N4、SiNx)和氧化硅(SiO2)等无机的绝缘材料的绝缘膜，以便对包含上述晶体管Tr11、Tr12、选择线Ls和供给电压线La的下层配线部Ls0、La0的绝缘基板11的一面侧整个区域进行覆盖，之后，使该绝缘膜形成图案，如图6A所示，形成绝缘膜13a，该绝缘膜13a具有供晶体管Tr12的漏极电极Tr12d的上表面、选择线Ls的下层配线部Ls0和供给电压线La的下层配线部La0的上表面、以及像素电极14的上表面露出的开口部。
接着，在形成有绝缘膜13a的绝缘基板11上，例如通过阴极喷镀法和离子镀膜法、真空蒸镀法、电镀法等，形成用于降低铝(Al)单体或铝-钛(AlTi)、铝-钕-钛(AlNdTi)等铝合金等的配线电阻的低电阻金属层(铝薄膜)之后，通过形成图案，如图6B所示，只在与选择线Ls和供给电压线La(包括供电配线层Lay)的平面图案对应的区域形成具有铝薄膜的上层配线部Ls1、La1，形成具有该上层配线部Ls1、La1和上述下层配线部Ls0，La0的、具有层叠配线构造的选择线Ls及供给电压线La(包括供电配线层Lay)。
接着，使用化学气相生长法(CVD法)等，以对包括上述选择线Ls及供给电压线La的绝缘基板11的一面侧整个区域进行覆盖的方式例如形成具有氮化硅和氧化硅等的绝缘膜之后，使该绝缘膜形成图案，如图6C所示，形成绝缘膜13b，该绝缘膜13b覆盖上述晶体管Tr11、Tr12、选择线Ls和供给电压线La(包括供电配线层Lay)的同时，并具有供各显示像素PIX的像素电极14的上面露出的开口部。
接着，如图7A所示，形成在邻接的显示像素PlX间的交界区域的上述绝缘膜13b上例如形成了具有聚酰亚胺系和丙烯酸系等感光性的树脂材料的触排17。具体来说，例如对具有1～5μm的膜厚而形成的感光树脂层实施曝光、显像处理，形成了具有包括沿行方向邻接的显示像素PIX间的交界区域，即包含沿显示面板10的列方向延伸的区域的栅栏状或栅格状的平面图案(参照图1)的触排(隔壁)17，以便对包括上述绝缘膜13b的绝缘基板11的一面侧整个区域进行覆盖。在此，作为树脂材料，例如可良好地使用TORAY株式会社生产的聚酰亚胺涂层“フオトニ一スPW-1030”和“フオトニ一スDL-1000”等。由此，排列在显示面板10的列方向的同一颜色的多个显示像素PIX的EL元件形成区域Rel(有机EL元件OLED的有机EL层15的形成区域)由触排17围成并划分，通过形成在绝缘膜13a、13b上的开口部，被规定了外缘的像素电极14的上面露出(隔壁形成工序)。
接着，用纯水洗净绝缘基板11之后，通过例如实施氧等离子处理或UV臭氧处理等，对露出在由上述触排17所划分的各EL元件形成区域Rel的像素电极14和绝缘膜13a、13b的表面实施相对于后述的载流子传输层形成工序中使用的空穴传输材料和电子传输性发光材料的有机化合物含有液亲液化的处理(亲液化工序)。像素电极14表面和绝缘膜13a、13b的各侧面在载流子传输层形成工序中成为有机化合物含有液接触的部位。
随后，例如在碳氟气体环境中对绝缘基板11实施等离子处理(碳氟气体等离子处理)，由此使触排17表面相对于上述有机化合物为液抗化(疏液化工序)。并且，例如在氮气和氩气等惰性气体环境中实施等离子处理(惰性气体等离子处理)，由此通过上述疏液化工序，使亲液性的稍微劣化的像素电极14和绝缘膜13a、13b的表面再度亲液化(再次亲液化工序)。由此，在同一绝缘基板11上，由树脂材料形成的触排17的表面，仅该表面具有高的疏液性，另一方面，实现了露出在由该触排17划分的各EL元件形成区域Rel的像素电极14的表面具有高的亲液性的状态。另外，在后面对这些亲液化处理(包括再次亲液化处理)工序和疏液化处理工序的具体的作用效果进行详细地论述。
通过这样的触排17划分具有高的疏液性的各显示像素PlX(有机EL元件OLED)的EL元件形成区域Rel，在后述的载流子传输层形成工序中，即使是使用喷嘴印刷法和喷墨法涂布有机化合物含有液，形成有机EL层15的发光层(电子传输性发光层15b)的情况，也可防止有机化合物含有液向邻接的显示像素PlX的EL元件形成区域Rel的漏出和越界，可抑制邻接像素相互的混色，可用于红、绿、蓝色的分开涂布。
触排17表面具有高的疏液性，并且露出在各EL元件形成区域Rel的像素电极14表面具有高的亲液性，由此可抑制在载流子传输层工序中涂布的有机化合物含有液向触排17侧面上推的同时，在像素电极14的表面充分融合且大致均匀地展开，因此可形成在像素电极14上的整个区域具有大致均匀的膜厚的有机EL层15(空穴传输层15a和电子传输性发光层15b的各层)。
另外，在本实施方式中使用的所谓“疏液性”规定为，使后述的成为空穴传输层的含有空穴传输材料的有机化合物含有液、含有成为电子传输性发光层的电子传输性发光材料的有机化合物含有液，或用于这些溶液的有机溶剂滴下到绝缘基板上等，进行了接触角的测量的情况下，该接触角为大概50°以上。与“疏液性”相对的所谓“亲液性”在本实施方式中规定为上述接触角大概40°以下，优选大概为10°以下的状态。
接着，如图7B所示，对各颜色的EL元件形成区域Rel(有机EL元件OLED的形成区域)，适用喷出连续的溶液(液流)的喷嘴印刷法(喷嘴涂层)或喷出互相分离的不连续的多个液滴到规定位置的喷墨法等而在同一工序涂布了空穴传输材料的溶液或分散液之后，加热干燥而形成空穴传输层(载流子传输层)15a。
具体来说，作为包含有机高分子系的空穴传输材料(载流子传输性材料)的有机化合物含有液，将例如聚亚乙基乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸水溶液(PEDOT/PSS，使导电性聚合物即聚亚乙基乙烯二氧噻吩PEDOT和掺杂剂即聚苯乙烯磺酸PSS分散到水系溶剂中的分散液中)涂布在上述像素电极14上之后，以100℃以上的温度条件加热绝缘基板11所载置的载物台而进行干燥处理，除去残留溶剂，至少使有机高分子系的空穴传输材料固定在像素电极14上，形成载流子传输层即空穴传输层15a。
在此，露出在EL元件形成区域Rel内的像素电极14的上表面和其外缘部的绝缘膜13a、13b的表面通过上述亲液化处理而对包含空穴传输材料的有机化合物含有液具有亲液性，因此由触排17划分的EL元件形成区域Rel所涂布的有机化合物含有液在像素电极14及其外缘部的绝缘膜13a、13b上充分融合而展开。另一方面，触排17相对于被涂布的上述有机化合物含有液(PEDOT/PSS)的高度形成得充分高，且，对该有机化合物含有液具有充分的疏液性，因此可防止有机化合物含有液向邻接的显示像素PIX的EL元件形成区域Rel的漏出和越界。
接着，如图8A所示，对各颜色的EL元件形成区域Rel，适用喷嘴印刷法或喷墨法等，在上述空穴传输层15a上涂布了电子传输性发光材料的溶液或分散液之后，加热干燥而形成电子传输性发光层(载流子传输层)15b。
具体来说，作为包含有机高分子系的电子传输性发光材料(载流子传输性材料)的有机化合物含有液，将例如包含聚对苯乙炔系和聚芴系等共轭双键聚合物的红(R)、绿(G)、蓝(B)颜色的发光材料溶解或分散在适宜水系溶剂或四氢萘、四甲基苯、均三甲苯、二甲苯等有机溶剂中形成的0.1wt％～5wt％的溶液，将形成的该0.1wt％～5wt％的溶液涂布在上述空穴传输层15a上之后，在氮气环境中对上述载物台进行加热而进行干燥处理，除去残留溶剂，由此使有机高分子系的电子传输性发光材料固定在空穴传输层15a上，形成既为载流子传输层，也为发光层的电子传输性发光层15b。
在此，形成在EL元件形成区域Rel内的上述空穴传输层15a的表面对包含电子传输性发光材料的有机化合物含有液具有亲液性，因此被涂布在由触排17划分的EL元件形成区域Rel上的有机化合物含有液在空穴传输层15a上充分融合而展开。另一方面，触排17相对于被涂布的上述有机化合物含有液的高度被设定得足够高，且，对该有机化合物含有液具有充分的疏液性。因此可防止有机化合物含有液向邻接的显示像素PIX的EL元件形成区域Rel的漏出和越界。
这样，通过依次在像素电极14上层叠形成空穴传输层15a和电子传输性发光层15b，形成有机EL层(发光功能层)15(载流子传输层形成工序)。
接着，如图8B所示，在形成有上述触排17和有机EL层15(空穴传输层15a和电子传输性发光层15b)的绝缘基板11上具有光反射特性，经过各EL元件形成区域Rel的有机EL层15形成与各像素电极14对置的共用的对置电极(例如阴极电极)16。
在此，对置电极16可适用电极构造，该电极构造例如用真空蒸镀法和气体溅射法依次层叠1～10nm厚的钙(Ca)、钡(Ba)、锂(Li)、铟(In)等工作函数低的电子注入层(阴极电极)、具有100nm以上的厚度的铝、铬(Cr)、银(Ag)、钯(Palladium)银(AgPd)系的合金，或，具有ITO等的透明电极等的高工作函数的薄膜(供电电极)。
如图1、图4A、图4B所示，对置电极16形成为不仅在各EL元件形成区域Rel(有机EL元件OLED的形成区域)内的与上述像素电极14对置的区域，而且延伸到划分各EL元件形成区域Rel的触排17和绝缘膜13a、13b上的单一导电层(全面电极)(对置电极形成工序)。
接着，形成了上述对置电极16之后，通过采用CVD法等，在绝缘基板11的一面侧整个区域形成具有氧化硅膜和氮化硅膜等的封止层18，由此完成多个显示像素PIX(有机EL元件OLED和像素驱动电路DC)排列成矩阵状的显示面板10，该多个显示像素PIX具有图4A、图4B所示那样的截面构造(底部发光型的发光构造)。另外，除了上述封止层18，或，替换封止层18，也可以采用UV固化或热固化粘接剂，对金属盖(封盖)和玻璃等的封止基板进行接合。
这样，本实施方式的显示装置的制造方法，其特征在于，形成在各显示像素PIX所设置的有机EL元件OLED的有机EL层15(例如空穴传输层15a和电子传输性发光层15b)的载流子传输层工序之前，通过对形成有像素电极14和触排17的绝缘基板11的整个表面进行氧等离子处理，对露出于EL元件形成区域Rel的像素电极14和绝缘膜13a、13b的表面相对于载流子传输层形成工序中被涂布有机化合物含有液进行亲液化之后，对通过碳氟等离子处理划分的EL元件形成区域Rel的触排17的表面相对于上述有机化合物含有液进行疏液化，进而，对通过氮等离子处理，对上述像素电极14和绝缘膜13a、13b的表面相对于上述有机化合物含有液再度进行亲液化。
作用效果的验证
下面，对具有上述特征的显示装置的制造方法所特有的作用效果进行详细地说明。
在此，为了具体地表示本实施方式的制造方法的优越性，采用由氧等离子处理的像素电极(包括露出于EL元件形成区域的绝缘层)表面的亲液化处理之后，通过碳氟处理而使触排表面进行了疏液化处理的面板基板(记为“比较对象1”)，以及与该比较对象1实施了同样的亲液化处理和疏液化处理之后，再度通过氧等离子对像素电极表面进行再次亲液化处理的面板基板(记为“比较对象2”)，显示测量表示亲液性和疏液性的接触角的实验结果，进行比较验证。
首先，对比较对象1，2和本实施方式的面板基板所实施的亲液化处理(包括再次亲液化处理)和疏液化处理的条件(等离子处理条件)进行说明。另外，以下所示的亲液化处理和疏液化处理(等离子处理)是对采用东京应化工业(株)生产的等离子灰化(ashing)装置OPM-SQ1000E的情况进行说明。
比较对象1的面板基板中，如表1所示，对具有ITO的像素电极以及形成有触排的绝缘基板实施以下处理：首先，以高频输出功率(RF功率)300W、氧气流量设定800sccm，处理室(腔室)内的真空度1.2Torr、载置基板的载物台温度45℃，处理时间2min的条件实施氧等离子处理，之后，以高频输出功率(RF功率)50W、CF4气体流量设定80sccm，处理室内的真空度0.4Torr、载物台温度45℃、处理时间20sec的条件实施了碳氟等离子处理，该ITO的露出部由设置再具有氮化硅膜的绝缘膜上的开口部规定，该触排在上述绝缘膜上具有聚酰亚胺。即，比较对象1的面板基板中，以上述条件只实施有氧等离子处理的亲液化处理、和碳氟等离子处理的疏液化处理。
表1
【比较对象1等离子处理条件】
  氧等离子处理   CF<sub>4</sub>等离子处理
  RF功率气体流量设定真空度载物台温度处理时间   300W800sccm1.2Torr45℃2min   50W80sccm0.4Torr45℃20sec
在比较对象2的面板基板中，如表2所示，以与上述比较对象1同样的处理条件，对像素电极、绝缘膜和形成有触排的绝缘基板，实施了氧等离子处理和碳氟等离子处理之后，以高频输出功率(RF功率)50W，氧气流量设定40sccm、处理室内的真空度0.4Torr、载物台温度45℃、处理时间15sec的条件再度实施了氧等离子处理。即，在比较对象2的面板基板中，实施了氧等离子处理的亲液化处理、碳氟等离子处理的疏液化处理、氧等离子处理的亲液化处理(再次亲液化处理)。
表2
【比较对像2等离子处理条件】
  氧等离子处理  CF<sub>4</sub>等离子处理   氧等离子处理
  RF功率气体流量设定真空度载物台温度处理时间   300W800sccm1.2Torr45℃2min  50W80sccm0.4Torr45℃20sec   50W40sccm0.4Torr45℃15sec
相对于此，本实施方式的面板基板(绝缘基板11)中，如表3所示，以与上述比较对象1同样的处理条件，对像素电极、绝缘膜和形成有触排的绝缘基板，实施了氧等离子处理、碳氟等离子处理后，以高频输出功率(RF功率)50W，氮气流量设定0.1L/min、处理室内的真空度0.4Torr、载物台温度45℃、处理时间15sec的条件实施了氮等离子处理。即，在本实施方式的面板基板中，实施了氧等离子处理的亲液化处理、碳氟等离子处理的疏液化处理、氮等离子处理的亲液化处理(再次亲液化处理)。
表3
【本实施方式等离子处理条件】
  氧等离子处理  CF<sub>4</sub>等离子处理   氮等离子处理
  RF功率气体流量设定真空度载物台温度处理时间   300W800sccm1.2Torr45℃2min  50W80sccm0.4Torr45℃20sec   50W0.1L/min0.4Torr45℃15sec
图9是表示本实施方式和比较对象的面板基板中的接触角的测量结果的图表。在此，为了明确地表示本实施方式和比较对象1、2的测量结果，对一部分的数据简单地实施了阴影处理。
以上述处理条件实施了等离子处理(亲液化处理、疏液化处理)的本实施方式和比较对象1、2的面板基板中，在上述显示装置的制造方法中，为了形成载流子传输层(空穴传输层、电子传输性发光层)所涂布的有机化合物含有液(水溶液)所采用的纯水和为了形成载流子传输层中电子传输性发光层所涂布的有机化合物含有液(有机溶液)所采用的二甲苯来测量接触角，得到了如图9所示这样的结果。
在比较对象1的面板基板中，如图9所示，在形成像素电极的ITO表面上得到20.5°的纯水接触角、在氮化硅膜表面上得到4.2°的纯水接触角，而在形成触排的聚酰亚胺表面上得到111.2°的纯水接触角。即，对具有ITO的像素电极、具有氮化硅膜的绝缘膜，形成有具有聚酰亚胺的触排的面板基板的整个面实施氧等离子处理后，通过碳氟等离子处理，可使ITO表面和氮化硅膜的表面相对于用于形成载流子传输层的有机化合物含有溶液(水溶液)进行亲液化，并且可使聚酰亚胺表面疏液化，但ITO表面的纯水接触角是20.5°，比较大，处于上述的亲液性的目标即大概为40°以下，但难以说更加令人满意的纯水接触角大概大于10°，具有良好的亲液性。
这是认为在氧等离子处理的亲液化处理后，通过实施由碳氟等离子处理的疏液化处理，暂时被亲液化的ITO表面的亲水性降低，更具体来说，认为是疏液化处理时在触排的表面上被蚀刻的聚酰亚胺堆积在像素电极(ITO)表面，因此使像素电极表面的亲液性劣化，而不是在隔壁形成工序使感光树脂层显像时产生的残渣的影响。
为了证实，在玻璃基板(绝缘基板)上成膜了ITO，对加工了聚酰亚胺图案的基板(图案基板)以及从该基板只切出ITO的成膜部分(不是聚酰亚胺图案)的基板(只ITO)，分别单独地进行碳氟等离子处理的疏液化处理，测量此时的聚酰亚胺和ITO的纯水接触角，得到如表4所示这样的结果。在聚酰亚胺被形成图案的基板(图案基板)上，聚酰亚胺表面的纯水接触角是97.0°，显示高的抗水性，在ITO表面上为22.3°。另一方面，只ITO的成膜部分从基板切出而以相同条件进行疏液化处理的情况(只限于ITO)的ITO表面的纯水接触角是9.0°，显示了高的亲液性。从这一情况确认，由于ITO附近的聚酰亚胺的影响，ITO表面的亲液性劣化。另外，氮化硅膜利用碳氟等离子的疏液化处理，表面被蚀刻，由此越是ITO表面，亲液性越不劣化。
表4
【纯水接触角(°)】
  ITO   聚酰亚胺
  图案基板   22.3   97.0
  只ITO基板   9.0   -
比较对象2d的面板基板中，如图9所示，在ITO表面上得到29.0°的纯水接触角，在聚酰亚胺表面上得到94.1°的纯水接触角。即，对形成有像素电极和触排的面板基板的整个面进行氧等离子处理之后，通过碳氟等离子处理、还有氧化等离子处理，可使ITO表面相对于有机化合物含有溶液(水溶液)进行亲液化，并且可使聚酰亚胺表面疏液化，但ITO表面的纯水接触角为29.0°、聚酰亚胺表面的纯水接触角是94.1°，而达到上述亲液性的目标(大概40°以下)和疏液性的目标(大概50°以上)，但亲液性和疏液性都比上述比较对象1降低。
这样，如比较对象1，为了使ITO(像素电极)亲液化，实施了氧等离子处理之后，为了使聚酰亚胺(触排)疏液化，实施了碳氟等离子处理的情况下，ITO的亲液性劣化，如比较对象2，为了使ITO(像素电极)亲液化，实施了氧等离子处理之后，为了使聚酰亚胺(触排)疏液化，实施了碳氟等离子处理，还为了恢复ITO(像素电极)的亲液性，再次实施了氧等离子处理的情况下，可知ITO的亲液性和聚酰亚胺的疏液性的双方都劣化。
因此，在本发明中，如上述的实施方式所示，为了使ITO(像素电极)亲液化而实施了氧等离子处理之后，为了使聚酰亚胺(触排)疏液化而实施了碳氟等离子处理，还为了恢复ITO(像素电极)的亲液性，再次实施了氮等离子处理。由此，本实施方式的面板基板中，如图9所示，在ITO表面上得到11.7°的纯水接触角，在氮化硅膜表面得到15.4°的纯水接触角，在聚酰亚胺表面得到了112.8°的纯水接触角。
即，可知道使ITO表面对用于形成载流子传输层的有机化合物含有溶液(水溶液)的纯水接触角大幅度地接近更优选的数值即大概10°，能实现良好的亲液性，并且大幅度地提高聚酰亚胺表面的纯水接触角，能实现良好的疏液性。氮化硅膜的表面的纯水接触角与比较对象1的情况相比稍大，而亲液性劣化，但是能实现上述的亲液性的目标即大概40°以下。
另外，对用于形成载流子传输层之中空穴传输层的上层所设置的电子传输性发光层的有机化合物含有液(有机溶液)所使用的二甲苯，测量了在聚酰亚胺(触排)上的接触角(二甲苯接触角)后，如图9所示，在比较对象1的情况下为53.6°，在比较对象2的情况下为45.5°，在本实施方式的情况下为45.1°，未发现明显的差异。
接着，对在上述本实施方式和比较对象1的面板基板上涂布用于形成载流子传输层(例如空穴传输层)的有机化合物含有液(水溶液)的情况的缺陷(印刷不均匀和针孔)的发生率进行说明。
图10A、图10B是用于对检验在面板基板上涂布了有机化合物含有液的情况的缺陷的发生率的实验条件进行说明的示意图，图11A、图11B是表示本实施方式和比较对象1的面板基板中的缺陷(印刷不均匀)的发生状态的显微镜照片。
在此，上述的比较对象1、2当中，可使ITO(像素电极)的亲液性和聚酰亚胺(触排)的疏液性比较高的比较对象1的面板基板、和本实施方式的面板基板(绝缘基板)中，如图10A、图10B所示，具有排列成直线状的ITO的多个像素电极14的上表面通过形成在具有氮化硅膜的绝缘膜13a、13b上的开口部13c露出，夹着该像素电极14的露出部而在由具有聚酰亚胺的一对触排17所围成的区域(相当于上述的EL元件形成区域Rel)，对该区域涂布用于形成载流子传输层的有机化合物含有液(水溶液)并使其干燥的情况的缺陷(印刷不均匀和针孔)的发生状态进行验证。
作为有机化合物含有液，采用用于形成空穴传输层的有机化合物含有液(即，使PEDOT/PSS分散的水溶液)，利用喷嘴印刷法，对直线状排列在触排17所围成的区域(EL元件形成区域Rel)的240个像素(像素电极14)通过一次扫描来连续涂布的情况下的缺陷(印刷不均匀和针孔)的发生率，在比较对象1的面板基板中的240个像素中，240个像素(即所有的像素)观察到缺陷、而本实施方式的面板基板在240个像素中，只2个像素观察到缺陷。
具体来说判断出，在比较对象1的面板基板中，如图11A所示，从绝缘膜13a、13b的开口部13c露出的像素电极14表面以在其上所涂布的有机化合物含有液为首，载流子传输层(空穴传输层)的膜厚不均匀的印刷不均匀频繁发生，而本实施方式的面板基板中，如图11A所示那样印刷不均匀的发生大幅度减少，存在如图11B所示那样非常小的印刷不均匀轻微发生的程度。
从该结果可知，根据本发明的实施方式的显示装置的制造方法，在形成具有ITO的像素电极、具有聚酰亚胺的触排的面板基板中，可通过氧等离子处理，使像素电极表面亲液化之后，通过碳氟等离子处理，使触排表面疏液化，之后还通过实施氮等离子处理，维持具有聚酰亚胺的触排表面的疏液性，同时改善具有ITO的像素电极表面的亲液性，因此涂布了有机化合物含有液的情况下，可降低印刷不均匀和针孔的发生，可形成具有均匀的膜厚的载流子传输层，可防止由于有机EL元件(发光元件)的发光动作时发光驱动电流集中在有机EL层的膜厚较薄的区域流动而发生的发光不均匀和亮度偏差、有机EL元件的劣化而实现良好的显示画质，并且提高产品的成品率。
另外，在上述的作用效果的验证中，说明了在使像素电极14表面亲液化的工序(亲液化工序)中实施氧等离子处理的情况，但是本发明不限于此，如上述实施方式的制造方法所述，例如也可以实施UV臭氧处理等其他的亲液化处理，即使那种情况也可以得到与上述的情况大致同等的作用效果。
在上述的作用效果的验证中，对使触排17的表面疏液化的工序(疏液化工序)中使用CF4作为氟化碳气体来实施惰性气体等离子处理的情况进行了说明，但本发明不限于此，也可以使用C4F8、C4F6、CHF3、C3H8、C2F6中的任一个作为氟化碳气体，即使在那种情况下也能得到与上述的情况大致同等的作用效果。
在上述的作用效果的验证中，对使像素电极14的表面再次亲液化的工序(再次亲液化工序)中实施氮等离子处理的情况进行了说明，但本发明不限于此，如上述实施方式的制造方法所述，也可以实施适用了氮以外的惰性气体，例如氩气的等离子处理，即使在那种情况下也能得到与上述的情况大致同等的作用效果。
在上述的作用效果的验证中，表示了对使用ITO作为像素电极，使用聚酰亚胺作为触排的情况的纯水和二甲苯的接触角进行测量的结果，但本发明不限于此，也可以使用IZO等其他透明的电极材料作为像素电极，也可以使用丙烯系等其他感光性的树脂材料作为触排，即使在那种情况下，也能得到与上述情况大致同等的作用效果。
并且，在上述的实施方式中，对有机EL层15由空穴传输层15a和电子传输性发光层15b构成的情况进行了说明，但本发明不限于此，例如也可以只有空穴传输兼电子传输性发光层，也可以是空穴传输性发光层和电子传输层，也可以是空穴传输层、电子传输层和发光层，而且，适宜的载流子传输层也可以介于各层之间，也可以是其他载流子传输层的组合。
在上述实施方式中，对具有底部发光型的发光构造的显示面板进行了说明，但本发明不限于此，也可以是具有顶部发光型的发光构造的显示面板。此时，像素电极14具有层叠构造，该层叠构造层叠了铝和铬等具有光反射特性的反射电极层、覆盖该反射电极层的ITO等具有光透过特性的透明电极层，对置电极16由具有ITO等光透过特性的导电性材料形成即可。
并且，在上述的实施方式中，像素电极14为阳极电极，不限于此，像素电极14也可以为负极电极。此时，有机EL层15的与像素电极14相接的载流子传输层是电子传输性的层即可。
并且，在上述的实施方式中，是具有像素驱动电路DC的有源驱动的显示面板10，但不限于此，也可以是无源驱动的显示面板。
本申请引用包括了于2007年9月18日申请的日本专利申请第2007-240627号的说明书、权利要求书、附图、摘要的全部公开内容。
说明了各种典型的实施方式，但是本发明不被上述实施方式限定。因此，本发明的范围只由权利要求书限定。

Claims (9)

1.一种显示装置的制造方法，该显示装置具有多个显示像素，该多个显示像素包含具有载流子传输层的发光元件，该显示装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：
第1亲液化工序，使电极的表面亲液化，该电极形成在上述多个显示像素的形成区域上，上述多个显示像素的形成区域是由设在基板上的隔壁所围成的；
疏液化工序，使上述隔壁的表面疏液化；
第2亲液化工序，通过在惰性气体环境中实施等离子处理，使上述电极的表面再次亲液化；以及
在经上述再次亲液化后的上述电极上，涂布包含上述载流子传输性材料的有机溶液，并使其干燥，形成上述载流子传输层的工序。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述第1亲液化工序，通过对上述电极的表面实施氧等离子处理或UV臭氧处理，而相对于包含载流子传输性材料的有机溶液进行亲液化。
3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述疏液化工序，通过在碳氟气体环境中实施等离子处理，而相对于包含上述载流子传输性材料的有机溶液进行疏液化。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述第2亲液化工序，通过在惰性气体环境中实施等离子处理，而相对于包含上述载流子传输性材料的有机溶液进行亲液化。
5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述隔壁由感光树脂材料形成。
6.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述隔壁形成在绝缘膜上，该绝缘膜具有在上述显示像素的形成区域间的上述基板上所形成的氮化硅膜或氧化硅膜。
7.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述显示像素的形成区域由上述隔壁划分。
8.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括形成对置电极的工序，该对置电极以隔着上述载流子传输层与上述多个显示像素的上述电极对置，且在上述隔壁上延伸的方式形成。
9.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
上述载流子传输层由多个层构成。
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