JP2003203766A - エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法Info
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- JP2003203766A JP2003203766A JP2002000526A JP2002000526A JP2003203766A JP 2003203766 A JP2003203766 A JP 2003203766A JP 2002000526 A JP2002000526 A JP 2002000526A JP 2002000526 A JP2002000526 A JP 2002000526A JP 2003203766 A JP2003203766 A JP 2003203766A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 印刷法により、ホール注入層を生産性よく形
成することが可能な、エレクトロルミネッセンス表示装
置の製造方法を提供する。 【解決手段】 エレクトロルミネッセンス表示装置の製
造方法であって、陽極上に、前記陽極の一部を露出する
開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の
表面に、溌液性処理を施す工程と、前記絶縁膜の前記開
口部に、少なくとも、ポリ（エチレンジオキシチオフェ
ン）と、ポリ（スチレンパラスルホン酸）と、水と、水
溶性有機溶剤とからなるインク組成物を印刷法で形成
し、前記ホール注入層を形成する工程とを備える。
成することが可能な、エレクトロルミネッセンス表示装
置の製造方法を提供する。 【解決手段】 エレクトロルミネッセンス表示装置の製
造方法であって、陽極上に、前記陽極の一部を露出する
開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の
表面に、溌液性処理を施す工程と、前記絶縁膜の前記開
口部に、少なくとも、ポリ（エチレンジオキシチオフェ
ン）と、ポリ（スチレンパラスルホン酸）と、水と、水
溶性有機溶剤とからなるインク組成物を印刷法で形成
し、前記ホール注入層を形成する工程とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法に係わり、特に、有機エレ
クトロルミネッセンス素子を製造する際に使用するイン
ク組成物に適用して有効な技術に関する。
ッセンス表示装置の製造方法に係わり、特に、有機エレ
クトロルミネッセンス素子を製造する際に使用するイン
ク組成物に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤ
Ａ（Personal Digital Assistant）、モバイルコンピュ
ータ、携帯情報端末、携帯電話、等に使用するフラット
パネルディスプレイとして液晶表示装置が主に使用され
ている。また、近年デスクトップ型パーソナルコンピュ
ータ用モニタにも、ＣＲＴ（Cathode ray Tube）に代わ
って、液晶表示装置が使用される割合が増加している。
しかし、液晶表示装置は応答速度が十分でない、バック
ライト方式では消費電力が大きい、反射型方式では輝度
・コントラストが低い、視野角特性に劣る等の問題があ
る。液晶表示装置に替わるフラットパネルディスプレイ
として、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＦＥ
Ｄ（フィールドエミッションディスプレイ）があるが、
これらは消費電力が大きい、薄くできない、重さが重い
等の問題がある。液晶表示装置、ＰＤＰ、ＦＥＤなど他
のフラットパネルディスプレイの上記問題点を一挙に解
消できるディスプレイとして、有機エレクトロルミネッ
センス素子（Electroluminescence；以下、ＥＬ素子と
称する。）を用いるエレクトロルミネッセンス表示装置
（以下、有機ＥＬ表示装置という。）が提案されてい
る。なお、有機ＥＬ表示装置は、例えば、Ｃ.Ｗ.Ｔang
他、Appl.Phys.Lett. 51 913（1987）等に記載されて
いる。この有機ＥＬ表示装置は、（１）応答速度が液晶
表示装置より４桁早い、（２）自発光であるため視野角
特性が優れる、（３）１枚のガラス基板のみ必要である
ため液晶表示装置の半分の薄型化が可能である、（４）
したがって重さが軽い、（５）液晶バックライトより低
消費電力である等の数々の優れた特徴を有することから
２１世紀のディスプレイの本命として期待されている。
Ａ（Personal Digital Assistant）、モバイルコンピュ
ータ、携帯情報端末、携帯電話、等に使用するフラット
パネルディスプレイとして液晶表示装置が主に使用され
ている。また、近年デスクトップ型パーソナルコンピュ
ータ用モニタにも、ＣＲＴ（Cathode ray Tube）に代わ
って、液晶表示装置が使用される割合が増加している。
しかし、液晶表示装置は応答速度が十分でない、バック
ライト方式では消費電力が大きい、反射型方式では輝度
・コントラストが低い、視野角特性に劣る等の問題があ
る。液晶表示装置に替わるフラットパネルディスプレイ
として、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＦＥ
Ｄ（フィールドエミッションディスプレイ）があるが、
これらは消費電力が大きい、薄くできない、重さが重い
等の問題がある。液晶表示装置、ＰＤＰ、ＦＥＤなど他
のフラットパネルディスプレイの上記問題点を一挙に解
消できるディスプレイとして、有機エレクトロルミネッ
センス素子（Electroluminescence；以下、ＥＬ素子と
称する。）を用いるエレクトロルミネッセンス表示装置
（以下、有機ＥＬ表示装置という。）が提案されてい
る。なお、有機ＥＬ表示装置は、例えば、Ｃ.Ｗ.Ｔang
他、Appl.Phys.Lett. 51 913（1987）等に記載されて
いる。この有機ＥＬ表示装置は、（１）応答速度が液晶
表示装置より４桁早い、（２）自発光であるため視野角
特性が優れる、（３）１枚のガラス基板のみ必要である
ため液晶表示装置の半分の薄型化が可能である、（４）
したがって重さが軽い、（５）液晶バックライトより低
消費電力である等の数々の優れた特徴を有することから
２１世紀のディスプレイの本命として期待されている。
【０００３】有機ＥＬ表示装置には、ＥＬ素子に高分子
材料を用いたものと、ＥＬ素子に低分子材料を用いたも
のとに大別される。このうち、高分子材料を用いた有機
ＥＬ表示装置のＥＬ素子は、通常、陽極上に形成された
ホール注入層と発光層の２層からなる。ホール注入層に
は、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）とポリ（スチ
レンパラスルホン酸）との混合高分子が使用される。発
光層には、ポリフェニレンビニレン、ポリジアルキルフ
ルオレンなどが使用される。これら２層の形成には、イ
ンクジェットプリント法が提案されている（信学技法、
OEM2000-175(2001-03)、19-24）。フルカラー表示の場
合、発光層は、赤色、緑色、青色のＥＬ発光性高分子と
有機溶剤からなるインクをインクジェットプリント法で
塗り分ける。この際、各色の混色を防止するために、画
素周辺に数マイクロメータ厚程度の絶縁膜（以下、本明
細書では、バンクと称する。）を形成し、さらに、この
バンクをフッ素系化合物ガスのプラズマ処理で表面を溌
液性処理する方法が提案されている（SID 99 DIGEST、3
76-379）。一方、ホール注入層は、赤色、緑色、青色の
各発光層に対して共通の材料で構わない。したがって、
ホール注入層は、必ずしもインクジェットプリント法で
塗布する必要はなく、スピンコート法で塗布する方法が
提案されている（SID 99 DIGEST、29-32）。
材料を用いたものと、ＥＬ素子に低分子材料を用いたも
のとに大別される。このうち、高分子材料を用いた有機
ＥＬ表示装置のＥＬ素子は、通常、陽極上に形成された
ホール注入層と発光層の２層からなる。ホール注入層に
は、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）とポリ（スチ
レンパラスルホン酸）との混合高分子が使用される。発
光層には、ポリフェニレンビニレン、ポリジアルキルフ
ルオレンなどが使用される。これら２層の形成には、イ
ンクジェットプリント法が提案されている（信学技法、
OEM2000-175(2001-03)、19-24）。フルカラー表示の場
合、発光層は、赤色、緑色、青色のＥＬ発光性高分子と
有機溶剤からなるインクをインクジェットプリント法で
塗り分ける。この際、各色の混色を防止するために、画
素周辺に数マイクロメータ厚程度の絶縁膜（以下、本明
細書では、バンクと称する。）を形成し、さらに、この
バンクをフッ素系化合物ガスのプラズマ処理で表面を溌
液性処理する方法が提案されている（SID 99 DIGEST、3
76-379）。一方、ホール注入層は、赤色、緑色、青色の
各発光層に対して共通の材料で構わない。したがって、
ホール注入層は、必ずしもインクジェットプリント法で
塗布する必要はなく、スピンコート法で塗布する方法が
提案されている（SID 99 DIGEST、29-32）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たホール注入層をスピンコート法で塗布する方法では、
外部回路への接続端子部、陽極と陰極とのコンタクトホ
ール部は予めテーピングなどの方法でカバーしておく必
要があり、特に、１枚の基板から多数個のディスプレイ
をとる場合に大きな不都合が生じる。また、スピンコー
ト法に替えて、パターン印刷法を採用することも考えら
れるが、パターン印刷法では、位置合わせ精度がでない
という問題点があった。さらに、赤色、緑色、青色の各
発光層をインクジェットプリント法で形成する前の前処
理として提案されているバンクの溌液性処理を行った後
に、画素部に全面に、べた印刷でホール注入層を形成す
る方法も考えられるが、水を溶剤とするホール注入層形
成用インクは、溌液処理したバンクへの濡れ性が極めて
悪いため、インクが画素部全面に転写されないという問
題点があった。本発明は、前記従来技術の問題点を解決
するためになされたものであり、本発明の目的は、エレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、印
刷法により、ホール注入層を生産性よく形成することが
可能となる技術を提供することにある。本発明の前記な
らびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及
び添付図面によって明らかにする。
たホール注入層をスピンコート法で塗布する方法では、
外部回路への接続端子部、陽極と陰極とのコンタクトホ
ール部は予めテーピングなどの方法でカバーしておく必
要があり、特に、１枚の基板から多数個のディスプレイ
をとる場合に大きな不都合が生じる。また、スピンコー
ト法に替えて、パターン印刷法を採用することも考えら
れるが、パターン印刷法では、位置合わせ精度がでない
という問題点があった。さらに、赤色、緑色、青色の各
発光層をインクジェットプリント法で形成する前の前処
理として提案されているバンクの溌液性処理を行った後
に、画素部に全面に、べた印刷でホール注入層を形成す
る方法も考えられるが、水を溶剤とするホール注入層形
成用インクは、溌液処理したバンクへの濡れ性が極めて
悪いため、インクが画素部全面に転写されないという問
題点があった。本発明は、前記従来技術の問題点を解決
するためになされたものであり、本発明の目的は、エレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、印
刷法により、ホール注入層を生産性よく形成することが
可能となる技術を提供することにある。本発明の前記な
らびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及
び添付図面によって明らかにする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者らは、ホ
ール注入層を印刷法により画素部のみに形成するための
インク組成を種々検討を行ない、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの
溶剤として水と水溶性有機溶剤との混合溶剤を用いるこ
とにより、ホール注入層を画素部のみに均一に形成でき
ることを見出した。本発明は、前記知見に基づき成され
たものであり、本願において開示される発明のうち、代
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。即ち、本発明は、基板と、前記基板上に設けられる
陽極と、前記陽極上に設けられ、前記陽極の一部を露出
する開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の前記開口部
に設けられるホール注入層と、前記ホール注入層上に設
けられる発光層と、前記発光層上に設けられる陰極とを
備えるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法で
あって、前記陽極上に、前記陽極の一部を露出する開口
部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面
に、溌液性処理を施す工程と、前記絶縁膜の前記開口部
に、少なくとも、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）
と、ポリ（スチレンパラスルホン酸）と、水と、水溶性
有機溶剤とからなるインク組成物を印刷法で形成し、前
記ホール注入層を形成する工程を備えることを特徴とす
る。
ール注入層を印刷法により画素部のみに形成するための
インク組成を種々検討を行ない、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの
溶剤として水と水溶性有機溶剤との混合溶剤を用いるこ
とにより、ホール注入層を画素部のみに均一に形成でき
ることを見出した。本発明は、前記知見に基づき成され
たものであり、本願において開示される発明のうち、代
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。即ち、本発明は、基板と、前記基板上に設けられる
陽極と、前記陽極上に設けられ、前記陽極の一部を露出
する開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の前記開口部
に設けられるホール注入層と、前記ホール注入層上に設
けられる発光層と、前記発光層上に設けられる陰極とを
備えるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法で
あって、前記陽極上に、前記陽極の一部を露出する開口
部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面
に、溌液性処理を施す工程と、前記絶縁膜の前記開口部
に、少なくとも、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）
と、ポリ（スチレンパラスルホン酸）と、水と、水溶性
有機溶剤とからなるインク組成物を印刷法で形成し、前
記ホール注入層を形成する工程を備えることを特徴とす
る。
【０００６】本発明の好ましい実施の形態では、前記水
溶性有機溶剤が、沸点が５５〜１４０℃であることを特
徴とする。本発明の好ましい実施の形態では、前記水溶
性有機溶剤が、水溶性アルコール系の溶剤であることを
特徴とする。本発明の好ましい実施の形態では、前記水
溶性アルコール系の溶剤が、エタノール、１−プロパノ
ール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノ
ール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２
−プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルのいずれか
であることを特徴とする。本発明の好ましい実施の形態
では、前記水と水溶性有機溶剤との配合重量比が、１：
０．０１から１：２であることを特徴とする。
溶性有機溶剤が、沸点が５５〜１４０℃であることを特
徴とする。本発明の好ましい実施の形態では、前記水溶
性有機溶剤が、水溶性アルコール系の溶剤であることを
特徴とする。本発明の好ましい実施の形態では、前記水
溶性アルコール系の溶剤が、エタノール、１−プロパノ
ール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノ
ール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２
−プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルのいずれか
であることを特徴とする。本発明の好ましい実施の形態
では、前記水と水溶性有機溶剤との配合重量比が、１：
０．０１から１：２であることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、アクティブマトリックス形有
機ＥＬ表示装置における、高分子有機ＥＬ素子の断面構
造を示す断面図である。図１において、１は基板（例え
ば、ガラス基板）であり、この基板上に、陽極２が形成
される。この陽極２上には、有機高分子（例えば、ポリ
イミド）からなるバンク（絶縁層）３が形成され、この
バンク３には、陽極２の一部を露出する開口部が設けら
れる。このバンク３は、フッ素系化合物ガスのプラズマ
処理により、表面がフッ素化され、水系インクも有機溶
剤系インクに対しても溌液するように処理されている。
このバンク３の開口部内の陽極２上には、順次、ホール
注入層４、発光層５が形成され、この発光層上およびバ
ンク上に陰極６が形成される。なお、アクティブマトリ
ックス形有機ＥＬ表示装置の場合、基板上に、ＴＦＴ
（Thin Film Transistor）、絶縁層（例えば、ＳｉＯ２
等）が形成され、最表面には陽極２が形成されるが、図
１では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、絶縁層（例
えば、ＳｉＯ２等）等の図示は、省略している。
施の形態を詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一機能を有するものは同一符
号を付け、その繰り返しの説明は省略する。 ［実施の形態１］図１は、アクティブマトリックス形有
機ＥＬ表示装置における、高分子有機ＥＬ素子の断面構
造を示す断面図である。図１において、１は基板（例え
ば、ガラス基板）であり、この基板上に、陽極２が形成
される。この陽極２上には、有機高分子（例えば、ポリ
イミド）からなるバンク（絶縁層）３が形成され、この
バンク３には、陽極２の一部を露出する開口部が設けら
れる。このバンク３は、フッ素系化合物ガスのプラズマ
処理により、表面がフッ素化され、水系インクも有機溶
剤系インクに対しても溌液するように処理されている。
このバンク３の開口部内の陽極２上には、順次、ホール
注入層４、発光層５が形成され、この発光層上およびバ
ンク上に陰極６が形成される。なお、アクティブマトリ
ックス形有機ＥＬ表示装置の場合、基板上に、ＴＦＴ
（Thin Film Transistor）、絶縁層（例えば、ＳｉＯ２
等）が形成され、最表面には陽極２が形成されるが、図
１では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）、絶縁層（例
えば、ＳｉＯ２等）等の図示は、省略している。
【０００８】図２は、本発明の実施の形態のエレクトロ
ルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図
である。基板１上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を
形成し、このＩＴＯを、通常のホトリソグラフィ技術に
より、エッチング加工して、陽極２を形成する。次に、
陽極２上に、感光性ポリイミド樹脂を塗布し、所定のマ
スクを用いて露光、現像して、陽極２上のホール注入層
４、および発光層５が形成される部分のポリイミド樹脂
を除去後、ポリイミド樹脂を焼成しバンク３を形成する
（図２の（ａ））。次に、開口部８を有する印刷マスク
７を用いて、ホール注入層形成用インク９を、スクリー
ン印刷法により、バンク３およびバンク３の開口部に、
ホール注入層形成用インク９をべた印刷し（図２の
（ｂ））、バンク３およびバンク３の開口部にホール注
入層形成用インク９を印刷する（図２の（ｃ））。ここ
で、このホール注入層形成用インク９は、少なくとも、
ポリ（エチレンジオキシチオフェン）と、ポリ（スチレ
ンパラスルホン酸）と、水と、水溶性有機溶剤とから構
成される。次に、ホール注入層形成用インク９に含まれ
る水溶性有機溶剤を蒸発させて、バンク３内の開口部の
陽極２上にのみ、ホール注入層４を形成する（図２の
（ｄ））。次に、バンク３の開口部に、赤色発光層イン
ク、緑色発光層インク、青色発光層インクを、順次イン
クジェットプリント法で印刷した後、乾燥させて発光層
５を形成する。（図２（ｅ））。最後に、バンク３およ
び発光層５の上に陰極６を形成する（図２（ｆ））。
ルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための図
である。基板１上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を
形成し、このＩＴＯを、通常のホトリソグラフィ技術に
より、エッチング加工して、陽極２を形成する。次に、
陽極２上に、感光性ポリイミド樹脂を塗布し、所定のマ
スクを用いて露光、現像して、陽極２上のホール注入層
４、および発光層５が形成される部分のポリイミド樹脂
を除去後、ポリイミド樹脂を焼成しバンク３を形成する
（図２の（ａ））。次に、開口部８を有する印刷マスク
７を用いて、ホール注入層形成用インク９を、スクリー
ン印刷法により、バンク３およびバンク３の開口部に、
ホール注入層形成用インク９をべた印刷し（図２の
（ｂ））、バンク３およびバンク３の開口部にホール注
入層形成用インク９を印刷する（図２の（ｃ））。ここ
で、このホール注入層形成用インク９は、少なくとも、
ポリ（エチレンジオキシチオフェン）と、ポリ（スチレ
ンパラスルホン酸）と、水と、水溶性有機溶剤とから構
成される。次に、ホール注入層形成用インク９に含まれ
る水溶性有機溶剤を蒸発させて、バンク３内の開口部の
陽極２上にのみ、ホール注入層４を形成する（図２の
（ｄ））。次に、バンク３の開口部に、赤色発光層イン
ク、緑色発光層インク、青色発光層インクを、順次イン
クジェットプリント法で印刷した後、乾燥させて発光層
５を形成する。（図２（ｅ））。最後に、バンク３およ
び発光層５の上に陰極６を形成する（図２（ｆ））。
【０００９】前述したように、赤色、緑色、青色の各発
光層５を、インクジェットプリント法で形成する前の前
処理として提案されているバンク３の溌液性処理を行っ
た後に、バンク３の開口部の陽極２上に、べた印刷でホ
ール注入層４を形成する従来の方法では、水を溶剤とす
るホール注入層形成用インクを使用している。プラズマ
処理によりフッ素化されたバンク３の表面の水との接触
角は通常１１０°程度と大きい。即ち、表面張力が大き
い。このため、通常、市販されているＰＥＤＯＴ／ＰＳ
Ｓ水系インクを、例えば、スクリーン印刷法で、バンク
３上に全面べた印刷した場合、図６に示すように、スキ
ージにより印刷マスク開口部８に溜まったインクは、溌
液性処理されたバンク３の表面に接するためインクの転
写は極めて困難である。即ち、市販されているＰＥＤＯ
Ｔ／ＰＳＳ水系インクは、溌液性処理されたバンク３の
表面への濡れ性が極めて悪いため、水系インクが、バン
ク３の開口部内の陽極２の全面に転写されないという問
題点があった。
光層５を、インクジェットプリント法で形成する前の前
処理として提案されているバンク３の溌液性処理を行っ
た後に、バンク３の開口部の陽極２上に、べた印刷でホ
ール注入層４を形成する従来の方法では、水を溶剤とす
るホール注入層形成用インクを使用している。プラズマ
処理によりフッ素化されたバンク３の表面の水との接触
角は通常１１０°程度と大きい。即ち、表面張力が大き
い。このため、通常、市販されているＰＥＤＯＴ／ＰＳ
Ｓ水系インクを、例えば、スクリーン印刷法で、バンク
３上に全面べた印刷した場合、図６に示すように、スキ
ージにより印刷マスク開口部８に溜まったインクは、溌
液性処理されたバンク３の表面に接するためインクの転
写は極めて困難である。即ち、市販されているＰＥＤＯ
Ｔ／ＰＳＳ水系インクは、溌液性処理されたバンク３の
表面への濡れ性が極めて悪いため、水系インクが、バン
ク３の開口部内の陽極２の全面に転写されないという問
題点があった。
【００１０】これに対して、本発明では、このホール注
入層形成用インク９は、少なくとも、ポリ（エチレンジ
オキシチオフェン）と、ポリ（スチレンパラスルホン
酸）と、水と、水溶性有機溶剤とから構成される。水と
水溶性有機溶媒からなるインクにおける、プラズマ処理
によりフッ素化されたバンク３の表面に対する接触角は
２５〜６０°程度に小さくすることが可能である。即
ち、表面張力を小さくすることができる。このため、本
発明では、例えば、スクリーン印刷法で、本実施の形態
のホール注入層形成用インク９を、バンク３上に全面べ
た印刷した場合、図２（ｃ）に示すように、バンク３お
よびバンク３内の陽極２上に、均一に転写することが可
能となる。さらに、本発明では、水溶性有機溶剤として
水より、蒸発速度の速い溶剤を用いることで、図２
（ｄ）に示すように、印刷転写後、短時間にほとんどの
有機溶剤が蒸発する。水溶性有機溶剤が蒸発するにつれ
て、インク転写膜とバンクとの濡れ性が低下するため最
終的にはバンク３内の陽極２の表面のみにホール注入層
４が形成され、バンク３の上にはホール注入層４は形成
されない。
入層形成用インク９は、少なくとも、ポリ（エチレンジ
オキシチオフェン）と、ポリ（スチレンパラスルホン
酸）と、水と、水溶性有機溶剤とから構成される。水と
水溶性有機溶媒からなるインクにおける、プラズマ処理
によりフッ素化されたバンク３の表面に対する接触角は
２５〜６０°程度に小さくすることが可能である。即
ち、表面張力を小さくすることができる。このため、本
発明では、例えば、スクリーン印刷法で、本実施の形態
のホール注入層形成用インク９を、バンク３上に全面べ
た印刷した場合、図２（ｃ）に示すように、バンク３お
よびバンク３内の陽極２上に、均一に転写することが可
能となる。さらに、本発明では、水溶性有機溶剤として
水より、蒸発速度の速い溶剤を用いることで、図２
（ｄ）に示すように、印刷転写後、短時間にほとんどの
有機溶剤が蒸発する。水溶性有機溶剤が蒸発するにつれ
て、インク転写膜とバンクとの濡れ性が低下するため最
終的にはバンク３内の陽極２の表面のみにホール注入層
４が形成され、バンク３の上にはホール注入層４は形成
されない。
【００１１】ホール注入層４の形成後に、発光層５を形
成するためのインクは、インクジェットプリント法で印
刷される。発光層用インクは、ホール注入層４に対して
非常によく濡れ、接触角は１０°以下であり、フッ素化
処理されたバンク３の表面との接触角は５０°以上であ
る。したがって、インクジェットされた発光層インク
は、バンク３の開口部内のホール注入層４の上にのみ形
成され、隣接する陽極２まで拡がり混色することはな
い。本発明に用いる水溶性有機溶剤の例としては、エタ
ノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブ
タノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノ
ール、２−メチル−２−プロパノール、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル
等のアルコール系溶剤、アセトン、メチルエチルケト
ン、ジエチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸ｎプロピル等の酢酸エステル系溶剤、ア
セトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤が
好適であり、なかでも、アルコール系が好適である。ま
た、水溶性有機溶剤の蒸発速度を水より速くするために
は、水溶性有機溶剤は、沸点が５５〜１４０℃であるこ
とが好ましい。さらに、水溶性有機溶剤の水に対する重
量配合比は、０．０１〜２．０が好適である。配合比が
０．０１より少ない場合には、インクの転写性が不十分
であり、２より多い場合には、転写後にバンク３の上に
もホール注入層４が部分的に形成される場合もある。
成するためのインクは、インクジェットプリント法で印
刷される。発光層用インクは、ホール注入層４に対して
非常によく濡れ、接触角は１０°以下であり、フッ素化
処理されたバンク３の表面との接触角は５０°以上であ
る。したがって、インクジェットされた発光層インク
は、バンク３の開口部内のホール注入層４の上にのみ形
成され、隣接する陽極２まで拡がり混色することはな
い。本発明に用いる水溶性有機溶剤の例としては、エタ
ノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブ
タノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノ
ール、２−メチル−２−プロパノール、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル
等のアルコール系溶剤、アセトン、メチルエチルケト
ン、ジエチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢
酸エチル、酢酸ｎプロピル等の酢酸エステル系溶剤、ア
セトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤が
好適であり、なかでも、アルコール系が好適である。ま
た、水溶性有機溶剤の蒸発速度を水より速くするために
は、水溶性有機溶剤は、沸点が５５〜１４０℃であるこ
とが好ましい。さらに、水溶性有機溶剤の水に対する重
量配合比は、０．０１〜２．０が好適である。配合比が
０．０１より少ない場合には、インクの転写性が不十分
であり、２より多い場合には、転写後にバンク３の上に
もホール注入層４が部分的に形成される場合もある。
【００１２】［実施例１］以下、本実施の形態の実施例
について説明する。図３は、本実施の形態の実施例を説
明するための図である。厚さが０．７ｍｍ、大きさが２
５×２５ｍｍのガラス基板１に、厚さ１００ｎｍ、シー
ト抵抗１５ΩのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成
し、このＩＴＯ膜をエッチング加工して、図３に示す幅
２０ｍｍ、長さ２０ｍｍのパターンから成る陽極２を形
成した（図３（ａ）参照）。次に、ピッチが０．１５ｍ
ｍ、開口部が０．１２ｍｍ×０．１２ｍｍの寸法で厚さ
５μｍのポリイミドのバンク３を形成した（図３（ｂ）
参照）。次に、バンク３およびバンク３の開口部上に、
２−プロパノールと水とからなり、その重量配合比が
１：３である混合物を溶剤とするＰＥＤＯＴ／ＰＳＳイ
ンクをスクリーン印刷した。次に、塗膜を１５０℃で５
分間乾燥してＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなるホール注入層
４を形成した。膜厚は７０ｎｍであった。次いで、バン
ク３の開口部に、赤色発光層インク、緑色発光層イン
ク、青色発光層インクを、順次インクジェットプリント
法で印刷し、８０℃で１０分間乾燥しで発光層５を形成
した。最後に、バンク３および発光層５の上に、カルシ
ウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）を順次積層して陰
極６を形成した。最後に、窒素雰囲気下で、ステンレス
製封止缶を基板１上に配置し、紫外線硬化接着剤により
ＥＬ素子を封止した。陽極２と、陰極６との間に５Ｖの
直流電圧を印加することにより、赤色発光画素、緑色発
光画素、青色発光画素がそれぞれの色に発光し、各色の
混色は観察されなかった。
について説明する。図３は、本実施の形態の実施例を説
明するための図である。厚さが０．７ｍｍ、大きさが２
５×２５ｍｍのガラス基板１に、厚さ１００ｎｍ、シー
ト抵抗１５ΩのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を形成
し、このＩＴＯ膜をエッチング加工して、図３に示す幅
２０ｍｍ、長さ２０ｍｍのパターンから成る陽極２を形
成した（図３（ａ）参照）。次に、ピッチが０．１５ｍ
ｍ、開口部が０．１２ｍｍ×０．１２ｍｍの寸法で厚さ
５μｍのポリイミドのバンク３を形成した（図３（ｂ）
参照）。次に、バンク３およびバンク３の開口部上に、
２−プロパノールと水とからなり、その重量配合比が
１：３である混合物を溶剤とするＰＥＤＯＴ／ＰＳＳイ
ンクをスクリーン印刷した。次に、塗膜を１５０℃で５
分間乾燥してＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなるホール注入層
４を形成した。膜厚は７０ｎｍであった。次いで、バン
ク３の開口部に、赤色発光層インク、緑色発光層イン
ク、青色発光層インクを、順次インクジェットプリント
法で印刷し、８０℃で１０分間乾燥しで発光層５を形成
した。最後に、バンク３および発光層５の上に、カルシ
ウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）を順次積層して陰
極６を形成した。最後に、窒素雰囲気下で、ステンレス
製封止缶を基板１上に配置し、紫外線硬化接着剤により
ＥＬ素子を封止した。陽極２と、陰極６との間に５Ｖの
直流電圧を印加することにより、赤色発光画素、緑色発
光画素、青色発光画素がそれぞれの色に発光し、各色の
混色は観察されなかった。
【００１３】［実施例２］実施例１で説明したバンク形
成基板に、１−ブタノールと水とからなり、その重量配
合比が１：４である混合物を溶剤とするＰＥＤＯＴ／Ｐ
ＳＳインクをスクリーン印刷した。次に、塗膜を１５０
℃で５分間乾燥して、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなるホー
ル注入層４を形成した。膜厚は６５ｎｍであった。次い
で、実施例１で説明したのと同様に、赤色、緑色、青色
の発光層５、陰極６を形成し、ステンレス製封止缶を基
板１上に配置し、紫外線硬化接着剤によりＥＬ素子を封
止した。前述の実施例１と同様、陽極２と、陰極６との
間に５Ｖの直流電圧を印加することにより、赤色発光画
素、緑色発光画素、青色発光画素がそれぞれの色に発光
し、各色の混色は観察されなかった。
成基板に、１−ブタノールと水とからなり、その重量配
合比が１：４である混合物を溶剤とするＰＥＤＯＴ／Ｐ
ＳＳインクをスクリーン印刷した。次に、塗膜を１５０
℃で５分間乾燥して、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなるホー
ル注入層４を形成した。膜厚は６５ｎｍであった。次い
で、実施例１で説明したのと同様に、赤色、緑色、青色
の発光層５、陰極６を形成し、ステンレス製封止缶を基
板１上に配置し、紫外線硬化接着剤によりＥＬ素子を封
止した。前述の実施例１と同様、陽極２と、陰極６との
間に５Ｖの直流電圧を印加することにより、赤色発光画
素、緑色発光画素、青色発光画素がそれぞれの色に発光
し、各色の混色は観察されなかった。
【００１４】［実施例３］実施例１で説明したバンク形
成基板に、メチルエチルケトンと水とからなり、その重
量配合比が１：１０である混合物を溶剤とするＰＥＤＯ
Ｔ／ＰＳＳインクをスクリーン印刷した。次に、塗膜を
１５０℃で５分間乾燥して、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからな
るホール注入層４を形成した。膜厚は７０ｎｍであっ
た。次いで、実施例１で説明したのと同様に、赤色、緑
色、青色の発光層５、陰極６を形成し、ステンレス製封
止缶を基板１上に配置し、紫外線硬化接着剤によりＥＬ
素子を封止した。前述の実施例１と同様、陽極２と、陰
極６との間に５Ｖの直流電圧を印加することにより、赤
色発光画素、緑色発光画素、青色発光画素がそれぞれの
色に発光し、各色の混色は観察されなかった。
成基板に、メチルエチルケトンと水とからなり、その重
量配合比が１：１０である混合物を溶剤とするＰＥＤＯ
Ｔ／ＰＳＳインクをスクリーン印刷した。次に、塗膜を
１５０℃で５分間乾燥して、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからな
るホール注入層４を形成した。膜厚は７０ｎｍであっ
た。次いで、実施例１で説明したのと同様に、赤色、緑
色、青色の発光層５、陰極６を形成し、ステンレス製封
止缶を基板１上に配置し、紫外線硬化接着剤によりＥＬ
素子を封止した。前述の実施例１と同様、陽極２と、陰
極６との間に５Ｖの直流電圧を印加することにより、赤
色発光画素、緑色発光画素、青色発光画素がそれぞれの
色に発光し、各色の混色は観察されなかった。
【００１５】［実施例４］実施例１で説明したバンク形
成基板に、エチレングリコールモノメチルエーテルと水
とからなり、その重量配合比が１：２である混合物を溶
剤とするＰＥＤＯＴ／ＰＳＳインクをスクリーン印刷し
た。次に、塗膜を１５０℃で５分間乾燥してＰＥＤＯＴ
／ＰＳＳからなるホール注入層４を形成した。膜厚は７
５ｎｍであった。次いで、実施例１で説明したのと同様
に、赤色、緑色、青色の発光層５、陰極６を形成し、ス
テンレス製封止缶を基板１上に配置し、紫外線硬化接着
剤によりＥＬ素子を封止した。前述の実施例１と同様、
陽極２と、陰極６との間に５Ｖの直流電圧を印加するこ
とにより、赤色発光画素、緑色発光画素、青色発光画素
がそれぞれの色に発光し、各色の混色は観察されなかっ
た。
成基板に、エチレングリコールモノメチルエーテルと水
とからなり、その重量配合比が１：２である混合物を溶
剤とするＰＥＤＯＴ／ＰＳＳインクをスクリーン印刷し
た。次に、塗膜を１５０℃で５分間乾燥してＰＥＤＯＴ
／ＰＳＳからなるホール注入層４を形成した。膜厚は７
５ｎｍであった。次いで、実施例１で説明したのと同様
に、赤色、緑色、青色の発光層５、陰極６を形成し、ス
テンレス製封止缶を基板１上に配置し、紫外線硬化接着
剤によりＥＬ素子を封止した。前述の実施例１と同様、
陽極２と、陰極６との間に５Ｖの直流電圧を印加するこ
とにより、赤色発光画素、緑色発光画素、青色発光画素
がそれぞれの色に発光し、各色の混色は観察されなかっ
た。
【００１６】なお、前述の各実施例は、本発明の有用性
を証明するためのものであり、前述の各実施例の構造
は、アクティブマトリックス形有機ＥＬ表示装置とは構
造が異なっている。以下、一般的な、アクティブマトリ
ックス形有機ＥＬ表示装置について簡単に説明する。図
４は、従来の一般的なアクティブマトリックス形有機Ｅ
Ｌ表示装置の画素の等価回路を示す回路図である。図４
に示すように、ｍ行ｎ列目の画素は、走査信号配線電極
（Ｇｍ，Ｇ（ｍ＋１））と、映像信号配線電極Ｄｎとア
ノード電流供給配線電極Ａｎで囲まれた領域で定義され
る。各画素内部には、スイッチ用の薄膜トランジスタ
（以下、スイッチＴＦＴという。）（Ｑｓ（ｍ，ｎ））
と、ＥＬ素子駆動用の薄膜トランジスタ（以下、ＥＬ駆
動ＴＦＴという）ＴＦＴ（Ｑｄ（ｍ，ｎ））と、電荷蓄
積容量Ｃｓｔ（ｍ，ｎ）とが形成される。ＥＬ駆動ＴＦ
Ｔ（Ｑｄ（ｍ，ｎ））のドレイン電極には、ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ（ｍ，ｎ）の陽極が接続されている。
を証明するためのものであり、前述の各実施例の構造
は、アクティブマトリックス形有機ＥＬ表示装置とは構
造が異なっている。以下、一般的な、アクティブマトリ
ックス形有機ＥＬ表示装置について簡単に説明する。図
４は、従来の一般的なアクティブマトリックス形有機Ｅ
Ｌ表示装置の画素の等価回路を示す回路図である。図４
に示すように、ｍ行ｎ列目の画素は、走査信号配線電極
（Ｇｍ，Ｇ（ｍ＋１））と、映像信号配線電極Ｄｎとア
ノード電流供給配線電極Ａｎで囲まれた領域で定義され
る。各画素内部には、スイッチ用の薄膜トランジスタ
（以下、スイッチＴＦＴという。）（Ｑｓ（ｍ，ｎ））
と、ＥＬ素子駆動用の薄膜トランジスタ（以下、ＥＬ駆
動ＴＦＴという）ＴＦＴ（Ｑｄ（ｍ，ｎ））と、電荷蓄
積容量Ｃｓｔ（ｍ，ｎ）とが形成される。ＥＬ駆動ＴＦ
Ｔ（Ｑｄ（ｍ，ｎ））のドレイン電極には、ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤ（ｍ，ｎ）の陽極が接続されている。
【００１７】ｍ行ｎ列目の画素に属するＥＬ素子（ホー
ル注入層４、および発光層５で構成される）ＯＬＥＤ
（ｍ，ｎ）は、当該画素内のＥＬ駆動ＴＦＴ（Ｑｄ
（ｍ，ｎ））を介して、アノード電流供給配線電極（Ａ
ｎ）から電流が供給される。従来のアクティブマトリッ
クス形有機ＥＬ表示装置において、走査信号配線電極Ｇ
が順次走査され、Ｈレベルとなった走査信号配線電極Ｇ
が接続されるスイッチＴＦＴ（Ｑｓ）がオンとなる。こ
れにより、スイッチＴＦＴ（Ｑｓ）を介して、映像信号
配線電極Ｄnから映像信号電圧が電荷蓄積容量Ｃｓｔに
供給され、電荷蓄積容量Ｃｓｔに保持される。この電荷
蓄積容量Ｃｓｔに保持された映像信号電圧に基づき、各
ＥＬ駆動ＴＦＴ（Ｑｄ）が、１フレームの間、電荷蓄積
容量Ｃｓｔに保持された映像信号電圧に対応する電流を
ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。これにより、ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤが発光し、画像が表示される。
ル注入層４、および発光層５で構成される）ＯＬＥＤ
（ｍ，ｎ）は、当該画素内のＥＬ駆動ＴＦＴ（Ｑｄ
（ｍ，ｎ））を介して、アノード電流供給配線電極（Ａ
ｎ）から電流が供給される。従来のアクティブマトリッ
クス形有機ＥＬ表示装置において、走査信号配線電極Ｇ
が順次走査され、Ｈレベルとなった走査信号配線電極Ｇ
が接続されるスイッチＴＦＴ（Ｑｓ）がオンとなる。こ
れにより、スイッチＴＦＴ（Ｑｓ）を介して、映像信号
配線電極Ｄnから映像信号電圧が電荷蓄積容量Ｃｓｔに
供給され、電荷蓄積容量Ｃｓｔに保持される。この電荷
蓄積容量Ｃｓｔに保持された映像信号電圧に基づき、各
ＥＬ駆動ＴＦＴ（Ｑｄ）が、１フレームの間、電荷蓄積
容量Ｃｓｔに保持された映像信号電圧に対応する電流を
ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。これにより、ＥＬ素子Ｏ
ＬＥＤが発光し、画像が表示される。
【００１８】図５は、従来のアクティブマトリックス形
有機ＥＬ表示装置における画像表示領域の断面構造を示
す要部断面図であり、同図（ａ）がスイッチＴＦＴ（Ｑ
ｓ）の部分の、同図（ｂ）がＥＬ駆動ＴＦＴ（Ｑｄ）の
部分の断面図である。図５に示すように、ガラス基板１
の上には、スイッチＴＦＴ（Ｑｓ）およびＥＬ駆動ＴＦ
Ｔ（Ｑｄ））を構成する多結晶Ｓｉ（以下、ｐｏｌｙ−
Ｓｉと称す。）膜３０が形成され、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜３０上には、例えば、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜
２０を介して、走査信号配線電極Ｇｍ、およびＥＬ駆動
ＴＦＴのゲート配線電極１４が形成される。走査信号配
線電極Ｇｍ、およびＥＬ駆動ＴＦＴのゲート配線電極１
４上には、例えば、ＳｉＯ２からなる層間絶縁膜２１を
介して、アノード電流供給配線電極Ａｎ、映像信号配線
電極Ｄｎが形成される。なお、図５では、アノード電流
供給配線電極Ａｎ、映像信号配線電極Ｄｎの図示は省略
している。
有機ＥＬ表示装置における画像表示領域の断面構造を示
す要部断面図であり、同図（ａ）がスイッチＴＦＴ（Ｑ
ｓ）の部分の、同図（ｂ）がＥＬ駆動ＴＦＴ（Ｑｄ）の
部分の断面図である。図５に示すように、ガラス基板１
の上には、スイッチＴＦＴ（Ｑｓ）およびＥＬ駆動ＴＦ
Ｔ（Ｑｄ））を構成する多結晶Ｓｉ（以下、ｐｏｌｙ−
Ｓｉと称す。）膜３０が形成され、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜３０上には、例えば、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜
２０を介して、走査信号配線電極Ｇｍ、およびＥＬ駆動
ＴＦＴのゲート配線電極１４が形成される。走査信号配
線電極Ｇｍ、およびＥＬ駆動ＴＦＴのゲート配線電極１
４上には、例えば、ＳｉＯ２からなる層間絶縁膜２１を
介して、アノード電流供給配線電極Ａｎ、映像信号配線
電極Ｄｎが形成される。なお、図５では、アノード電流
供給配線電極Ａｎ、映像信号配線電極Ｄｎの図示は省略
している。
【００１９】これら全体は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４からな
る保護絶縁膜２２によって被覆され、その上には陽極２
が形成される。さらに、前記陽極２上には、例えば、ポ
リイミドを主成分とするバンク３が形成され、陽極２の
ほぼ中央上で前記バンク３に開口部が設けられている。
そして、バンク３の開口部内の前記陽極２上には、ホー
ル注入層４、および発光層５からなるＥＬ素子ＯＬＥＤ
が形成され、このＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うように、陰極
６が形成される。発光は、陽極２から注入される正孔
と、陰極６から注入される電子が発光層５内で輻射再結
合することで生じる。発生した光は、ガラス基板１側に
放出される。本発明は、前述したような、アクティブマ
トリックス形有機ＥＬ表示装置にも適用可能であること
はいうまでもない。以上、本発明者によってなされた発
明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるこ
とは勿論である。
る保護絶縁膜２２によって被覆され、その上には陽極２
が形成される。さらに、前記陽極２上には、例えば、ポ
リイミドを主成分とするバンク３が形成され、陽極２の
ほぼ中央上で前記バンク３に開口部が設けられている。
そして、バンク３の開口部内の前記陽極２上には、ホー
ル注入層４、および発光層５からなるＥＬ素子ＯＬＥＤ
が形成され、このＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うように、陰極
６が形成される。発光は、陽極２から注入される正孔
と、陰極６から注入される電子が発光層５内で輻射再結
合することで生じる。発生した光は、ガラス基板１側に
放出される。本発明は、前述したような、アクティブマ
トリックス形有機ＥＬ表示装置にも適用可能であること
はいうまでもない。以上、本発明者によってなされた発
明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるこ
とは勿論である。
【００２０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス
素子を有する、ドットマトリックスフルカラー表示装置
を簡便に製造することが可能となる。 （２）本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス
素子を有する、ドットマトリックスフルカラー表示装置
において、隣接する画素間で混色がない良好なディスプ
レイを得ることが可能となる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。 （１）本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス
素子を有する、ドットマトリックスフルカラー表示装置
を簡便に製造することが可能となる。 （２）本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス
素子を有する、ドットマトリックスフルカラー表示装置
において、隣接する画素間で混色がない良好なディスプ
レイを得ることが可能となる。
【図１】アクティブマトリックス形有機ＥＬ表示装置に
おける、高分子有機ＥＬ素子の断面構造を示す断面図で
ある。
おける、高分子有機ＥＬ素子の断面構造を示す断面図で
ある。
【図２】本実施の形態のエレクトロルミネッセンス表示
装置の製造方法を説明するための図である。
装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態の実施例を説明するための
図である。
図である。
【図４】従来の一般的なアクティブマトリックス形有機
ＥＬ表示装置の画素の等価回路を示す回路図である。
ＥＬ表示装置の画素の等価回路を示す回路図である。
【図５】従来のアクティブマトリックス形有機ＥＬ表示
装置における画像表示領域の断面構造を示す要部断面図
である。
装置における画像表示領域の断面構造を示す要部断面図
である。
【図６】従来のエレクトロルミネッセンス表示装置の製
造方法における問題点を説明するための図である。
造方法における問題点を説明するための図である。
１…基板、２…陽極、３…バンク、４…ホール注入層、
５…発光層、６…陰極、７…印刷マスク、８…印刷マス
ク開口部、９…ホール注入層形成用インク、１４…ゲー
ト配線電極、２０…ゲート絶縁膜、２１…層間絶縁層、
２２…保護絶縁膜、３０…多結晶シリコン膜、Ａ…アノ
ード電流供給配線電極、Ｄ…映像信号配線電極、Ｇ…走
査信号配線電極、Ｑｓ…スイッチ用薄膜トランジスタ、
Ｑｄ…駆動用薄膜トランジスタ、Ｃｓｔ…電荷蓄積容
量、ＯＬＥＤ…有機エレクトロルミネッセンス素子。
５…発光層、６…陰極、７…印刷マスク、８…印刷マス
ク開口部、９…ホール注入層形成用インク、１４…ゲー
ト配線電極、２０…ゲート絶縁膜、２１…層間絶縁層、
２２…保護絶縁膜、３０…多結晶シリコン膜、Ａ…アノ
ード電流供給配線電極、Ｄ…映像信号配線電極、Ｇ…走
査信号配線電極、Ｑｓ…スイッチ用薄膜トランジスタ、
Ｑｄ…駆動用薄膜トランジスタ、Ｃｓｔ…電荷蓄積容
量、ＯＬＥＤ…有機エレクトロルミネッセンス素子。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に設けられる陽極と、 前記陽極上に設けられ、前記陽極の一部を露出する開口
部を有する絶縁膜と、 前記絶縁膜の前記開口部に設けられるホール注入層と、 前記ホール注入層上に設けられる発光層と、 前記発光層上に設けられる陰極とを備えるエレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造方法であって、 前記陽極上に、前記陽極の一部を露出する開口部を有す
る絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の表面に溌液性処理を施す工程と、 前記絶縁膜の前記開口部に、少なくとも、ポリ（エチレ
ンジオキシチオフェン）と、ポリ（スチレンパラスルホ
ン酸）と、水と、水溶性有機溶剤とからなるインク組成
物を印刷法で形成し、前記ホール注入層を形成する工程
とを備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記水溶性有機溶剤は、沸点が５５〜１
４０℃であることを特徴とする請求項１に記載のエレク
トロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記水溶性有機溶剤は、水溶性アルコー
ル系の溶剤であることを特徴とする請求項２に記載のエ
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記水溶性アルコール系の溶剤は、エタ
ノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブ
タノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノ
ール、２−メチル−２−プロパノール、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルのいずれかであることを特徴とする請求項３
に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記水と水溶性有機溶剤との配合重量比
は、１：０．０１から１：２であることを特徴とする請
求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のエレクト
ロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002000526A JP2003203766A (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581645B1 (ko) | 2003-07-22 | 2006-05-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고분자형 유기 전계 발광 표시 장치 |
| JP2006286243A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP2007095627A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | スクリーン版とこれを用いた正孔注入層の形成方法および有機発光デバイス |
| JP2007118603A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-17 | Samsung Electronics Co Ltd | プリンティング装置、その制御方法とこれを利用した平板表示装置の製造方法 |
| JP2007207591A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
| JP2007220423A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2009512264A (ja) * | 2005-10-05 | 2009-03-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ドライバ回路装置 |
| JP2009135085A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
| US7892059B2 (en) | 2006-05-10 | 2011-02-22 | Casio Computer Co., Ltd. | Manufacturing method for organic electroluminescent display device including etching partition wall after imparting lyophilicity to partion wall and pixel electrode |
| US7981484B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-07-19 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US8087962B2 (en) | 2007-09-18 | 2012-01-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Manufacturing method of display apparatus |
| WO2012063656A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| CN109285947A (zh) * | 2017-07-20 | 2019-01-29 | Tcl集团股份有限公司 | 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187062A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Seiko Epson Corp | 電界発光素子 |
| JP2000106278A (ja) * | 1997-09-02 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP2001155858A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Sharp Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001313172A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス白色光源、及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-01-07 JP JP2002000526A patent/JP2003203766A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187062A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-30 | Seiko Epson Corp | 電界発光素子 |
| JP2000106278A (ja) * | 1997-09-02 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP2001155858A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Sharp Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001313172A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス白色光源、及びその製造方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581645B1 (ko) | 2003-07-22 | 2006-05-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고분자형 유기 전계 발광 표시 장치 |
| JP2006286243A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| US7981484B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-07-19 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| JP2007095627A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | スクリーン版とこれを用いた正孔注入層の形成方法および有機発光デバイス |
| JP2009512264A (ja) * | 2005-10-05 | 2009-03-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ドライバ回路装置 |
| JP2007118603A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-17 | Samsung Electronics Co Ltd | プリンティング装置、その制御方法とこれを利用した平板表示装置の製造方法 |
| JP2007207591A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法 |
| JP4706845B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2011-06-22 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2007220423A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US7892059B2 (en) | 2006-05-10 | 2011-02-22 | Casio Computer Co., Ltd. | Manufacturing method for organic electroluminescent display device including etching partition wall after imparting lyophilicity to partion wall and pixel electrode |
| US8087962B2 (en) | 2007-09-18 | 2012-01-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Manufacturing method of display apparatus |
| JP2009135085A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
| WO2012063656A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JPWO2012063656A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2014-05-12 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| CN109285947A (zh) * | 2017-07-20 | 2019-01-29 | Tcl集团股份有限公司 | 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法 |
| CN109285947B (zh) * | 2017-07-20 | 2023-06-06 | 武汉国创科光电装备有限公司 | 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法 |
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