CN105870157B - 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法,该凹槽结构位于基板(1)上,包括堤坝(2)、及由堤坝(2)围拢成的凹槽(3),所述堤坝(2)包括至少两层层叠设置的分支堤坝层(21),所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同,最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅,其中,采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面为疏水性表面,而采用氮化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面,能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示器件的结构一般包括:基板、阳极、阴极以及夹在阳极与阴极之间的有机功能层。其中有机功能层,一般包括空穴传输功能层(Hole Transport Layer,HTL)、发光功能层(Emissive Layer,EML)、及电子传输功能层(Electron Transport Layer,ETL)。每个功能层可以是一层,或者一层以上,例如空穴传输功能层,可以细分为空穴注入层(HoleInjection Layer,HIL)和空穴传输层;电子传输功能层,可以细分为电子传输层和电子注入层(Electron Injection Layer,EIL)。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。
OLED显示器件的制作方法通常为,先在基板上形成阳极,在该阳极上形成空穴传输层,在空穴传输层上形成发光功能层,在发光功能层上形成电子传输功能层,在电子传输功能层上形成阴极,其中阴极与阳极的材料通常采用氧化铟锡(ITO)。HTL、EML、ETL等有机功能层的制备方式通常包括真空热蒸镀(Vacuum Thermal Evaporation)与喷墨打印(Ink-jet Print,IJP)两种。
喷墨打印技术在AMOLED器件有机功能层的制备中,相比于传统的真空热蒸镀具有节省材料,制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点,所以更具应用潜力。IJP是将溶有OLED材料的墨水直接滴涂到预先制作好的像素定义层中,待溶剂挥发后形成所需图案。所述像素定义层包括堤坝、以及由堤坝围拢成的多个阵列排布的凹槽,所述凹槽由用来限制住墨水,通过干燥烘烤后,墨水收缩在该凹槽限制的范围内形成薄膜。由于OLED发光材料分为很多层,每一层采用的墨水亲疏水性不会一样,所以打印不同的OLED层时,我们对堤坝侧面的亲疏水性的需求是不一样的,对于疏水的墨水,我们需要堤坝侧面具有一定的亲水性,防止接触角过大,造成边缘膜厚较薄;反之亦然,对于亲水的墨水,我们需要堤坝侧面具有一定的疏水性,防止接触角过小,造成边缘膜厚较厚。另外一方面,堤坝的上表面我们通常是需要疏水的,防止墨水残留,可以使墨水都流入到凹槽之中。而只用一种材料来制作堤坝显然很难达到以上目的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于打印成膜的凹槽结构,具有亲疏水性不同的表面,能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
本发明的目的还在于提供一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,具有亲疏水性不同的表面,能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
为实现上述目的,本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构,该凹槽结构位于基板上,包括堤坝、及由堤坝围拢成的凹槽;
所述堤坝包括至少两层层叠设置的分支堤坝层;
所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层的材料不同,最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅;
采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面为疏水性表面;
采用氮化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面。
采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面覆盖有单分子硅烷基试剂。
所述堤坝包括四层层叠设置的分支堤坝层。
所述凹槽结构用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜,所述基板上设有第一电极,所述围拢成凹槽的堤坝设于所述第一电极的四周边缘及基板上。
本发明还提供一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一基板,通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在所述基板上依次形成至少两层层叠设置的分支堤坝层,形成堤坝,所述堤坝围拢成凹槽;
所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层的材料不同,最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅;
步骤2、对各个分支堤坝层进行氧气等离子体处理,增强各个分支堤坝层表面的亲水性;
步骤3、利用硅烷基试剂对各个分支堤坝层进行单分子自组装,使采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面变为疏水性表面。
所述步骤1中,基板上设有第一电极,所述围拢成凹槽的堤坝形成于所述第一电极的四周边缘及基板上。
所述步骤3中通过将基板放入密闭容器内,再将所述密闭容器抽真空后通入硅烷基试剂气体,使得采用氧化硅制作的分支堤坝层与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
所述步骤3中通过将溶有硅烷基试剂的溶液滴涂到基板上,使得采用氧化硅制作的分支堤坝层与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
还包括步骤4、对所述基板进行烘烤和清洗。
本发明的有益效果:本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构,该凹槽结构位于基板上,包括堤坝、及由堤坝围拢成的凹槽,所述堤坝包括至少两层层叠设置的分支堤坝层,所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层的材料不同,最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅,通过在采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面覆盖单分子硅烷基试剂使其成为疏水性表面,而采用氮化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面,在进行打印成膜时,最上层的分支堤坝层的上表面疏水,可以使墨水能够更好地进入凹槽内,不在表面残留,根据每一层材料墨水的亲疏水性不同,选择相对应的不同亲疏水性表面,合理调节墨水与其接触表面的接触角,可以避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。本发明提供的一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,具有亲疏水性不同的表面,能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图中,
图1为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤1的示意图;
图2为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤2的示意图;
图3为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤3的第一实施例的示意图;
图4为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤3的第二实施例的示意图;
图5为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的示意图;
图6为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图5,本发明提供一种用于打印成膜的凹槽结构,该凹槽结构位于基板1上,包括堤坝2、及由堤坝2围拢成的凹槽3。
具体地,所述堤坝2包括至少两层层叠设置的分支堤坝层21,所述分支堤坝层21的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层21的材料不同,最上层的分支堤坝层21的材料为氧化硅。
其中,采用氧化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层21的上表面为疏水性表面。
具体地,采用氧化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层21的上表面覆盖有单分子硅烷基试剂。利用硅烷基试剂与氧化硅表面的硅羟基(Si-OH)键发生单分子自组装,形成疏水性表面。自组装后形成的单分子膜可以通过扫描电子显微镜(Scan Electron Microscope,SEM)、及原子力显微镜(Atomic ForceMicroscope,AFM)等方法观察表面粗糙度以及致密程度鉴别出来,另外通过扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,STM)、或红外光谱的方法也可以发现其特征。
进一步地,所述硅烷基试剂的组成为X3SiY,其中X为可水解基团,包括:氯基(Cl)、甲氧基(OMe)、乙氧基(OEt)、或甲氧基乙氧基(OC2H4OCH3),Y为非水解基团,包括:含有6到20个碳原子的烃基、及含有6到20个碳原子芳基中的一种或多种的组合。
具体地,采用氮化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面为亲水性表面,并可以通过氧气等离子体(O2Plasma)处理进一步增强其表面的亲水性。
需要说明的是,由于采用氮化硅制作的分支堤坝层21与采用氧化硅制作的分支堤坝层21的表面具有不同亲疏水性,从而在溶液成膜时,可以对应选择不同亲疏水性的墨水,调节墨水与其接触表面的接触角,能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
具体地,所述堤坝2中分支堤坝层21的数量不作限制,优选地,所述堤坝2包括四层层叠设置的分支堤坝层21。
进一步地,所述凹槽结构可用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜,所述基板1上设有第一电极11,所述围拢成凹槽3的堤坝2设于所述第一电极11的四周边缘及基板1上,在凹槽3内制作空穴注入层、发光层以及电子传输层,并在电子传输层上覆盖第二电极。所述第一电极11及第二电极分别为所述OLED显示器件的阳极和阴极。
请参阅图6,本发明还提供一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、请参阅图1,提供一基板1,通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在所述基板1上依次形成至少两层层叠设置的分支堤坝层21,形成堤坝2,所述堤坝2围拢成凹槽3;
所述分支堤坝层21的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层21的材料不同,最上层的分支堤坝层21的材料为氧化硅。
具体地,所述堤坝2中分支堤坝层21的数量不作限制,优选地,所述堤坝2包括四层层叠设置的分支堤坝层21,材料自下而上分别为氮化硅、氧化硅、氮化硅、及氧化硅。
进一步地,所述步骤1中,基板1上设有第一电极11,所述围拢成凹槽3的堤坝2形成于所述第一电极11的四周边缘及基板1上。
步骤2、请参阅图2,对各个分支堤坝层21进行氧气等离子体处理,增强各个分支堤坝层21表面的亲水性。
需要说明的是,通过氧气等离子体处理可以增强包括采用氮化硅制作的分支堤坝层21与采用氧化硅制作的分支堤坝层21的表面的亲水性,以便在后续步骤中增加采用氮化硅制作的分支堤坝层21与采用氧化硅制作的分支堤坝层21的亲疏水性差异。
步骤3、请参阅图5,利用硅烷基试剂对各个分支堤坝层21进行单分子自组装,使采用氧化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层21的上表面变为疏水性表面。
可选地,请参阅图3,所述步骤3中通过将基板1放入密闭容器内,再将所述密闭容器抽真空后通入硅烷基试剂气体,使得采用氧化硅制作的分支堤坝层21与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
可选地,请参阅图4,所述步骤3中通过将溶有硅烷基试剂的溶液滴涂到基板1上,使得采用氧化硅制作的分支堤坝层21与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
需要说明的是,采用氧化硅制作的分支堤坝层21的表面具有Si-OH键,该Si-OH键可以与硅烷基试剂发生单分子自组装,形成疏水性表面。自组装后形成的单分子膜可以通过扫描电子显微镜、及原子力显微镜等方法观察表面粗糙度以及致密程度鉴别出来,另外通过扫描隧道显微镜、或红外光谱的方法也可以发现其特征。
进一步地,所述凹槽结构可用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜,所述基板1上设有第一电极11,所述围拢成凹槽3的堤坝2设于所述第一电极11的四周边缘及基板1上,在凹槽3内制作空穴注入层、发光层以及电子传输层,并在电子传输层上覆盖第二电极。所述第一电极11及第二电极分别为所述OLED显示器件的阳极和阴极。
步骤4、对所述基板1进行烘烤和清洗。
综上所述,本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构,该凹槽结构位于基板上,包括堤坝、及由堤坝围拢成的凹槽,所述堤坝包括至少两层层叠设置的分支堤坝层,所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层的材料不同,最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅,通过在采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面覆盖单分子硅烷基试剂使其成为疏水性表面,而采用氮化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面,在进行打印成膜时,最上层的分支堤坝层的上表面疏水,可以使墨水能够更好地进入凹槽内,不在表面残留,根据每一层材料墨水的亲疏水性不同,选择相对应的不同亲疏水性表面,合理调节墨水与其接触表面的接触角,可以避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。本发明提供的一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,具有亲疏水性不同的表面,能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种用于打印成膜的凹槽结构,其特征在于,该凹槽结构位于基板(1)上,包括堤坝(2)、及由堤坝(2)围拢成的凹槽(3);
所述堤坝(2)包括至少两层层叠设置的分支堤坝层(21);
所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同,最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅;
采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面为疏水性表面;
采用氮化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面为亲水性表面;
采用氧化硅材料制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面覆盖有单分子硅烷基试剂。
2.如权利要求1所述的用于打印成膜的凹槽结构,其特征在于,所述堤坝(2)包括四层层叠设置的分支堤坝层(21)。
3.如权利要求1所述的用于打印成膜的凹槽结构,其特征在于,所述凹槽结构用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜,所述基板(1)上设有第一电极(11),所述围拢成凹槽(3)的堤坝(2)设于所述第一电极(11)的四周边缘及基板(1)上。
4.一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一基板(1),通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在所述基板(1)上依次形成至少两层层叠设置的分支堤坝层(21),形成堤坝(2),所述堤坝(2)围拢成凹槽(3);
所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅,相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同,最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅;
步骤2、对各个分支堤坝层(21)进行氧气等离子体处理,增强各个分支堤坝层(21)表面的亲水性;
步骤3、利用硅烷基试剂对各个分支堤坝层(21)进行单分子自组装,使采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面变为疏水性表面。
5.如权利要求4所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,其特征在于,所述步骤1中,基板(1)上设有第一电极(11),所述围拢成凹槽(3)的堤坝(2)形成于所述第一电极(11)的四周边缘及基板(1)上。
6.如权利要求4所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,其特征在于,所述步骤3中通过将基板(1)放入密闭容器内,再将所述密闭容器抽真空后通入硅烷基试剂气体,使得采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
7.如权利要求4所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,其特征在于,所述步骤3中通过将溶有硅烷基试剂的溶液滴涂到基板(1)上,使得采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
8.如权利要求4所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法,其特征在于,还包括步骤4、对所述基板(1)进行烘烤和清洗。
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KR102387760B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2022-04-15 | 나징 테크놀로지 코포레이션 리미티드 | 발광 디바이스의 제조 방법, 발광 디바이스 및 하이브리드 발광 디바이스 |
CN106505159B (zh) * | 2016-11-14 | 2018-07-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 |
CN106784409B (zh) * | 2017-02-04 | 2018-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素限定层及其制备方法、oled基板及其制备方法 |
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CN107565063B (zh) * | 2017-07-24 | 2019-04-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法 |
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CN108598110B (zh) * | 2018-04-23 | 2020-11-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件 |
CN109065569A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-21 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
CN109080266B (zh) * | 2018-08-21 | 2019-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种打印机台 |
KR102640196B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2024-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN112313777B (zh) * | 2018-10-15 | 2024-08-27 | 玛特森技术公司 | 用于使用臭氧选择性亲水表面处理的方法 |
US10741798B1 (en) * | 2019-01-18 | 2020-08-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing same |
CN112420968B (zh) * | 2019-08-21 | 2023-02-03 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置 |
CN112420967A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
CN111200004A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-05-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种像素结构及其制备方法、显示面板 |
IT202000005998A1 (it) * | 2020-03-20 | 2021-09-20 | Consiglio Nazionale Ricerche | Processo basato su litografia per la produzione di ceramiche trasparenti e ceramiche trasparenti così ottenute |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101399283A (zh) * | 2003-11-11 | 2009-04-01 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子机器 |
CN105470408A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1476508A2 (en) * | 2002-02-18 | 2004-11-17 | Ciba SC Holding AG | Method of producing plane-parallel structures of silicon suboxide, silicon dioxide and/or silicon carbide, plane-parallel structures obtainable by such methods, and the use thereof |
JP4148933B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-09-10 | シャープ株式会社 | 機能膜の製造方法、機能膜形成用塗液、機能素子、電子デバイス及び表示装置 |
JP2008112658A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、カラーフィルタ装置および画像表示機器 |
JP4497185B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2010-07-07 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP5609430B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2014-10-22 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置および電子機器 |
CN103187434A (zh) * | 2013-04-01 | 2013-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法 |
CN103241025B (zh) * | 2013-04-28 | 2015-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜的喷墨打印方法 |
CN103337594B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-02-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板和显示装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101399283A (zh) * | 2003-11-11 | 2009-04-01 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子机器 |
CN105470408A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
Also Published As
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---|---|
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US10243155B2 (en) | 2019-03-26 |
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