CN101377536A - 检查装置和检查方法 - Google Patents
检查装置和检查方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101377536A CN101377536A CNA2008101097920A CN200810109792A CN101377536A CN 101377536 A CN101377536 A CN 101377536A CN A2008101097920 A CNA2008101097920 A CN A2008101097920A CN 200810109792 A CN200810109792 A CN 200810109792A CN 101377536 A CN101377536 A CN 101377536A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- probe
- mounting table
- contact load
- servo motor
- testing fixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种检查装置和检查方法,该检查装置(10)包括:使能够进行温度调节的载置台(11)进行升降的升降驱动机构(12);控制升降驱动机构(12)的控制部,和具有多个探针(13A)的探针卡(13),升降驱动机构(12)具有与载置台(11)连接的滚珠丝杠(14)和驱动该滚珠丝杠(14)以使载置台(11)进行升降的伺服马达(15),控制部被用作伺服驱动器(16),其具有对伺服马达(15)进行位置控制的位置控制部(161)、当探针卡(13)因温度变化而膨胀收缩时对伺服马达(15)进行扭转控制的扭转控制部(162)、以及切换位置控制部(161)和扭转控制部(162)的切换部(163)。
Description
技术领域
本发明涉及检查装置和检查方法,更详细地说,本发明涉及能够缩短检查时间的检查装置以及检查方法。
背景技术
对于现有的检查装置而言,例如其包括:载置被检查体(例如晶片)并且内置有用于调节晶片温度的温度调节机构的载置台;使载置台沿上下方向移动的升降驱动机构;使这两者沿X、Y方向移动的XY台;配置在载置台的上方的探针卡(probe card);和用于使探针卡上的多个探针(probe)与载置台上的被检查体的多个电极片(pad)正确定位的校准机构,通过温度调节机构将载置台上的晶片调整至规定温度,经由校准机构使形成于晶片上的规定设备和探针卡的多个探针电气接触,在此之后,施加规定的过载(overdrive:过压)量,在规定的接触荷载下对设备的电气特性进行检查。
然而,对于检查装置而言,有时候会将晶片例如加热至100℃以上的高温进行高温检查,或者有时候将被检查体冷却至零下几十度来进行低温检查。在进行高温检查或者低温检查时,利用内置于载置台内的温度调节机构,将被检查体加热或者冷却至规定的检查温度,并且在利用升降驱动机构对载置台进行位置控制的同时,以规定的接触荷载使设备与探针接触从而进行各自的检查。升降驱动机构例如具有:与载置台连接的滚珠丝杠(ball screw)、和用于旋转驱动该滚珠丝杠的步进马达(stepping motor),利用步进马达来控制滚珠丝杠的旋转量,以此来高精度地控制载置台的升降位置。
例如,在进行晶片的高温检查时,使用内置于载置台内的温度调节机构,将载置台上的晶片例如加热至100℃以上的高温,另一方面,通过校准机构对载置台上的晶片与探针卡的探针进行校准,以规定的荷载使晶片与探针接触,以此在100℃的高温下对晶片的电气特性进行检查。
然而,在检查的初期阶段,虽然能够利用温度调节机构将晶片调节至100℃以上的高温,但是,因为探针卡并没有被加热,所以在晶片与探针卡之间存在有较大温差。因此,在晶片的最初的设备检查时,若向晶片施加规定的过载使最初的设备与探针接触,则在此期间,探针卡会因为来自于晶片侧面的放热而被加热,从而缓缓进行热膨胀,导致设备与探针以预先设定的本来的接触荷载以上的接触荷载接触,因此有可能损害设备或者探针。
所以,当进行高温检查时,需要对探针卡进行预加热,以使探针卡完全热膨胀之后,再进行高温检查。然而,随着探针卡的大型化的发展,预加热需要花费20~30分钟的较长时间。例如,在专利文献1的技术中,提出有使加热至规定温度的晶片与探针直接接触,从探针卡的靠近(邻近)开始,对探针卡进行预加热,以此缩短预加热时间的技术。
专利文献1:日本特开2007—088203
然而,在专利文献1的技术中,在检查时间中依然需要另花费预加热时间,在检查时间的缩短方面存在界限。此外,若因为被检查体的分度进给(index feed)而使晶片与探针卡相互远离,则探针冷却,从而导致探针的针尖高度发生变化,所以每次分度进给时,接触荷载都发生变化,此时,不能调节接触荷载。此外,在进行晶片的低温检查时,则情况相反,有必要将探针卡冷却至接近晶片的温度。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的,其目的在于提供一种检查装置和检查方法,能够无需在高温检查时以及低温检查时预先加热或者冷却探针卡来进行检查,并且能够缩短检查时间,此外,还能够可靠地防止探针卡以及被检查体的损伤,能够进行信赖性高的检查。
本发明的第一方面提供一种检查装置,其包括:内置有温度调节机构的能够移动的载置台;使所述载置台进行升降的升降驱动机构;控制所述升降驱动机构的控制部;和配置在所述载置台的上方的具有多个探针的探针卡,载置于所述载置台上的被检查体通过所述温度调节机构被加热或者冷却至规定温度,通过所述升降驱动机构使形成于所述被检查体上的多个设备和所述探针卡的多个探针以规定的接触荷载接触,进行所述设备的电气特性检查,所述检查装置的特征在于:所述升降驱动机构具有与所述载置台连接的升降轴以及使所述升降轴驱动从而使所述载置台升降的伺服马达,所述控制部作为伺服驱动器,该伺服驱动器具有:对所述伺服马达进行位置控制的位置控制部;当所述探针卡因为温度变化而膨胀或者收缩时对所述伺服马达进行扭转控制的扭转控制部以及具有对所述位置控制部和所述扭转控制部进行切换的切换部。
此外,本发明的第二方面的检查装置,其特征在于:在上述第一方面的检查装置中,所述伺服驱动器与对所述检查装置进行监视的上位计算机连接,所述上位计算机包括:向所述位置控制部发送位置指令信号的位置指令部;向所述扭转控制部发送扭转指令信号的扭转指令部;以及根据所述伺服马达的扭转向所述切换部发送切换指令信号的切换指令部。
此外,本发明的第三方面的检查装置,其特征在于:在上述第一方面或者第二方面的检查装置中,所述伺服驱动器具有每当对所述设备进行电气特性检查时,将此时的接触荷载作为扭转值进行存储的存储部。
此外,本发明的第四方面的检查装置,其特征在于:在上述第三方面的检查装置中,所述存储器存储有所述规定接触荷载的上限值和下限值。
此外,本发明的第五方面的检查装置,其特征在于:在上述第一至第四方面中任一方面所述的检查装置中,所述控制部进行控制,使得能够与因所述加热或者冷却而热膨胀的所述探针卡相对应,使所述设备与所述探针的接触荷载为所述规定的接触荷载。
此外,本发明的第六方面的检查装置,其特征在于:在上述第一方面至第四方面中任一方面所述的检查装置中,所述扭转控制部在所述接触荷载脱离所述上限值和所述下限值的范围时,使所述伺服马达停止。
此外,本发明第七方面提供一种检查方法,其使用检查装置对被检查体的电气特性进行检查,其中所述检查装置包括:内置有温度调节机构的能够移动的载置台;使所述载置台进行升降的升降驱动机构;控制所述升降驱动机构的控制部;和配置在所述载置台的上方的具有多个探针的探针卡,所述升降驱动机构具有与所述载置台连接的升降轴以及使所述升降轴驱动从而使所述载置台升降的伺服马达,所述检查方法的特征在于,包括下述工序:将载置于所述载置台上的所述被检查体加热或者冷却至规定温度的第一工序;在所述被检查体与所述探针接触之前,对所述伺服马达进行位置控制的第二工序;以及在所述被检查体与所述探针接触之后,对所述伺服马达进行扭转控制的第三工序。
此外,本发明的第八方面的检查方法,其特征在于,在上述第七方面的检查方法中,还包括:每当对所述设备进行电气特性检查时,将此时的接触荷载作为扭转值进行存储的工序。
此外,本发明的第九方面的检查方法,其特征在于:在上述第七或者第八方面的检查方法中,在所述第三工序中进行控制,使得与因所述加热或者冷却而变形的所述探针卡相对应,使所述设备与所述探针的接触荷载为所述规定的接触荷载。
此外,本发明的第十方面的检查方法,其特征在于:在上述第七或者第八方面所述的检查方法中,在所述第三工序中,将所述设备与所述探针的接触荷载控制在所述上限值和所述下限值的范围内。
此外,本发明的第十一方面的检查方法,其特征在于:在上述第七或者第八方面所述的检查方法中,在所述第三工序中,在所述接触荷载脱离所述上限值和所述下限值的范围时,使所述伺服马达停止。
根据本发明,能够提供一种检查装置和检查方法,能够无需在高温检查时以及低温检查时预先加热或者冷却探针卡来进行检查,并且能够缩短检查时间,此外,还能够可靠地防止探针卡以及被检查体的损伤,能够进行信赖性高的检查。
附图说明
图1是用于说明本发明的检查装置的一个实施方式的主要部分的说明图。
图2是表示使用图1所示检查装置的本发明的检查方法的流程图。
图3(a)、(b)是分别用于说明图2所示检查方法的说明图。
标号说明
10:检查装置;11:载置台;12:升降驱动机构;13:探针卡;13A:探针;14:滚珠丝杠(驱动轴);15:伺服马达;16:伺服驱动器;20:上位计算机;21:位置指令部;22:扭转(torque)指令部;23:切换指令部;161:位置控制部;162:扭转控制部;163:切换部;W:晶片;D:设备
具体实施方式
以下,基于图1~图3所示的实施方式对本发明进行详细说明。其中,在各个图中,图1是用于说明本发明的检查装置的一个实施方式的主要部分的说明图,图2是表示使用图1所示检查装置的本发明的检查方法的流程图,图3(a)、(b)是分别用于说明图2所示检查方法的说明图。
首先,在参照图1的同时,对本实施方式的检查装置进行说明。
例如,如图1所示,本实施方式的检查装置10包括:内置有温度调节机构并且用于载置被检查体(例如晶片)W的载置台11;用于使载置台11升降的升降驱动机构12;配置有载置台11和升降驱动机构12的XY台(图未示出);配置在载置台11上方的具有多个探针13A的探针卡13;以及对载置台11上的晶片W和探针卡13的探针13A进行校准的校准机构(图未示出),例如,当进行高温检查时,升降驱动机构12对应于探针卡13的热膨胀使载置台11的现在位置发生变化,并保持通常预先设定的规定的接触荷载,以进行稳定的检查。
当对晶片W进行高温检查时,通过温度调节机构将载置台11上的晶片W加热至例如100℃以上的高温,并且在载置台11向XY方向移动期间,经由校准机构对载置台11上的晶片和探针13A进行校准,进一步,在通过XY台对晶片W进行分度进给(转盘进给)后,通过升降驱动机构12使晶片W上所形成的多个设备与探针13A按照规定的接触荷载进行电气接触,并在规定的高温下对各设备的电气特性进行检查。
此外,如图1所示,升降驱动机构12包括:与载置台11的下面中央连接而垂下的滚珠丝杠(ball screw)14;使滚珠丝杠14旋转驱动的、具有编码器(encoder)15A的伺服马达(servo motor)15;以及驱动控制伺服马达15的伺服驱动器16,其中,通过伺服驱动器16对伺服马达15进行位置控制或者扭转(扭矩)控制。滚珠丝杠14与螺母部件14A相拧合(螺合),在伺服马达15上安装有滑轮15B。在螺母部件14A和滑轮15A上搭挂有传动带17,伺服马达15的扭转通过滑轮15A、传动带17以及螺母部件14A而传达到滚珠丝杠14,从而使载置台11进行升降。
通过在这种升降驱动机构12中使用伺服马达15以及伺服驱动器16,即便在探针卡13发生热膨胀时,如后所述,伺服驱动器16也能够如下述这样高精度地进行控制,即,在晶片W与探针13A接触之前,对伺服马达15进行位置控制,以使载置台11上的晶片W和探针13A电气接触的方式高精度地对载置台11进行控制,在载置台11过载(overdrive),晶片W和探针13A电气接触之后,将伺服马达15从位置控制切换至扭转控制,高精度地对伺服马达15的扭转进行控制,使晶片W和探针13A的接触荷载成为规定的接触荷载。
即,对于伺服驱动器16而言,如图1所示,使上位计算机20与网络连接,通过来自上述计算机20的各种指令来进行动作。该伺服驱动器16包括:基于来自上位计算机20的指令信号对伺服马达15进行位置控制的位置控制部161;基于来自上位计算机20的指令信号对伺服马达15进行扭转控制的扭转控制部162;以及基于来自上位计算机20的指令信号对位置控制部161和扭转控制部162进行切换的切换部163,构成为对伺服马达15进行位置控制或者扭转控制。
对于上位计算机20而言,如图1所示,其包括:向位置控制部161发送指令信号P的位置指令部21;向扭转控制部161发送指令信号T1的扭转指令部22;向切换部163发送指令信号C的切换指令部23;以及通过伺服马达15对载置台11进行监视的监视部24,当进行高温检查时,即便探针卡13发生热膨胀,监视部24也能够通过来自于伺服马达15的反馈信号F或者扭转信号T2对载置台11进行监视,并基于监视结果向伺服驱动器16发送位置指令信号P、扭转指令信号T1、或者切换指令信号C,使载置台11上的晶片W的设备和探针13A以规定的接触荷载接触,进行信赖性高的高温检查。此外,监视部24对检查装置10中的晶片W的整个检查工序进行监视,在每次结束晶片W的各设备的检查,则向伺服驱动器16发送切换指令信号C。此外,上述计算机20还与其它的多个检查装置的伺服驱动器连接,能够对其它多个检查装置进行监视。
对于位置控制部161而言,如图1所示,其包括:对来自于上位计算机20的位置指令信号P和来自于解码器15A的反馈信号F进行比较并发送偏差信号的比较器161A;将来自于比较器161A的偏差信号从数字信号转换成逻辑信号的D/A转换器161B;以及对来自于D/A转换器161B的电流进行放大的放大器161C,基于来自于放大器161C的输出电流I使伺服马达15进行旋转驱动。
对于扭转控制部162而言,如图1所示,其包括:对来自于上位计算机20的扭转指令信号T1和来自于伺服马达15的电流值(扭转信号)T2进行比较以发送偏差信号的比较器162A;将来自于比较器162A的电流值的偏差信号从数字信号转换成逻辑信号的D/A转换器162B;以及对来自于D/A转换器162B的逻辑信号进行放大的放大器162C,基于来自于放大器162C的扭转信号(电流)T对伺服马达15的扭转进行控制。此外,扭转控制部162具有将前次高温检查时的接触荷载以及该接触荷载的允许值(上限值以及下限值)分别作为扭转值进行存储的存储部162D,将存储部162D所存储的扭转值作为进行下一次设备的高温检查时的接触荷载进行设定,或者控制在高温检查时的扭转的上下限值的允许范围内。此外,扭转控制部162构成为当在高温检查时的扭转值因某种原因而脱离允许范围时能够中止检查。
如图1所示,对于切换部163而言,其基于来自上位计算机20的切换指令信号C动作,交互地切换位置控制部161和扭转控制部162。例如,伺服马达15通过位置控制部161使载置台11以一定扭转(扭矩)上升,使载置台11上的晶片W和探针13A接触,接着,若载置台11过载则扭转变动。上位计算机20的监视部24监视扭转信号T2,若因为载置台11的过载扭转信号T2变动,则从切换指令部23向切换部163发送切换指令信号,从位置控制部161切换至扭转控制部162,扭转控制伺服马达15。在现有技术中,因为探针卡13发生热膨胀,使探针13A的针尖接近设备一侧,导致接触荷载超过规定值,所以设备或者探针有可能受到损伤。
但是,在本实施方式中,这样来进行控制,即,使伺服马达15从位置控制切换至扭转控制,使伺服马达15稍微进行逆旋转,从而使扭转稍微变小,成为与预先设定的规定的接触荷载相对应的扭转值。若以规定的接触荷载结束高温检查,则上位计算机20基于来自检查装置10的信号,在晶片W的分度进给后,向伺服驱动器16发送切换指令信号C,从扭转控制向位置控制进行切换,进行下一次的设备的高温检查。
接着,参照图1~图3的同时,对使用本实施方式的检查装置10的检查方法进行说明。
在将晶片W载置在与现有技术相同的载置台11上之后,通过温度调节机构将载置台11上的晶片W加热至100℃以上的规定的高温。在此期间,使载置台11向X、Y方向移动,通过校准机构对晶片W和探针卡13的探针13A进行校准。在校准结束后,使载置台11向X、Y方向移动,使最初应该被检查的设备到达探针13A的正下方。
若晶片W的最初的设备到达探针13A的正下方,则从上位计算机20向伺服驱动器16的位置控制部161发送指令信号P,如图2所示,伺服驱动器16开始伺服马达15的位置控制(步骤S1)。在位置控制部161中,比较器161A在从上位计算机20接收位置指令信号P的同时,从伺服马达15的解码器15A接收反馈信号F,将两信号的偏差信号发送至D/A转换器161B。D/A转换器161B将偏差信号转换成逻辑信号,并将其向放大器161C发送。放大器161C对从D/A转换器161B接收的电流进行放大,并将放大电流施加到伺服马达15,使载置台11上升。若载置台11上升,晶片W接近探针卡13,则探针卡13因来自于载置台11的放射热而缓慢升温并开始热膨胀。载置台11过载,晶片W和探针13A以能够电气导通的状态接触(步骤S2)。
通过探针13A和晶片W的接触,探针13A因晶片W而被直接加热,并且探针卡13也因为来自于载置台11的放热而被缓缓加热,导致探针卡13的全体发生热膨胀,如图3(a)中的点划线表示的那样,因为设备D的电极片Dp和探针13A的电气接触高度变得比本来的接触高度低,因此按压探针13A直到在同一图中以实线表示的位置为止,以超过规定接触荷载的接触荷载使设备Dp与探针13A接触。
因此,在本实施方式中,如图2所示,上位计算机20监视在伺服马达15中由过载所产生的扭转(步骤S3),如图1所示,将伺服马达15现在的扭转信号T2向伺服驱动器16的存储部162D进行设定(步骤S4)。与此同时,上位计算机20向伺服驱动器16的切换部163发送切换指令信号C,通过切换部163从位置控制部161切换至扭转控制部162来进行扭转控制(步骤S5)。
在伺服驱动器16中,比较器162A对来自于马达驱动器15的现在的扭转信号T2和来自于存储部162D的扭转信号进行比较(步骤S6),若在这两者之间存在差,扭转发生变动,则向放大器162C发送该偏差信号,扭转控制伺服马达15,以成为设定的规定扭转的方式减少伺服马达15的扭转,使滚珠丝杠14沿逆方向旋转,从图3(b)的点划线所示的位置下降至实线所示的位置(步骤S7),以规定的接触荷载进行设备D的高温检查。将此时的伺服马达15的扭转值进行登录注册并存储在存储部162D中,在第二次的设备检查时使用注册的扭转值。
在该期间,上位计算机20监视扭转变动,若因扭转变动使载置台11的位置被调整,则向伺服驱动器16发送切换指令信号C。在伺服驱动器16中,如图2所示,通过切换部163切换至位置控制部162(步骤S8),对伺服马达15进行位置控制,使载置台11向下降端返回,之后,分度进给晶片W,将下一个设备D移动至探针13A的正下方(步骤S9)。然后,在该位置对伺服马达15进行位置控制,返回到使设备D与探针13A接触的步骤S1。
当对第二个设备D进行高温检查时,也是反复进行步骤1~步骤5。而且,利用比较器162A对现在的扭转值与上次登录注册的扭转值进行比较,以上次的注册扭转值作为基准对伺服马达15进行扭转控制,实施设备D的高温检查。
若在反复进行检查期间探针卡13不发生热膨胀,则将伺服驱动器16切换至扭转控制,即便设备D的芯片Dp与探针13A接触,伺服马达15的扭转也不变动。因此,如图2所示,从步骤S6转移到步骤S10,保持载置台11现在位置,对设备D进行高温检查。在该检查中,在晶片W的分度进给期间,因为晶片W与探针13A相分离,所以探针卡13暂时放热,探针卡13少许冷却,但这几乎不会对检查产生影响。即便产生影响,也能够通过伺服驱动器16的扭转控制,始终控制伺服马达15的扭转,总是在规定的接触荷载下进行晶片W的高温检查。
根据以上说明的本实施方式,作为载置台11的升降驱动机构12,使用伺服马达15,通过伺服驱动器16对伺服马达15进行扭转控制,从而,在进行晶片W的高温检查时无需对探针卡13进行预加热而能够立刻进行高温检查,能够消去预加热时间(20~30分钟)从而大幅度地缩短检查时间,此外,能够可靠地防止探针卡13和晶片W的损伤,进行信赖性高的检查。
此外,根据本实施方式,伺服驱动器16与监视检查装置10的上位计算机20连接,上位计算机20包括:向位置控制部161发送位置指令信号P的位置指令部21、向扭转控制部162发送扭转指令信号T1的扭转指令部22、基于伺服马达15的扭转向切换部163发送切换指令信号C的切换指令部23,所以,能够总是监视升降驱动机构12的运作状态,从而能够始终以规定接触荷载对载置台11上的晶片W和探针13A进行信赖性高的高温检查。
此外,伺服驱动器16具有在每次进行设备D的高温检查时,将此时表示的接触荷载作为扭转值进行存储的存储部162D,所以,能够对应于探针卡13的膨胀来设定规定的接触荷载。而且,对于存储部162D而言,因为存储有规定的接触荷载的上限值和下限值,所以能够不超过规定的接触荷载使设备D与探针13A接触,能够可靠地防止设备D以及探针卡13的损伤。此外,对于扭转控制部162而言,与因加热而变化的探针卡13相对应,将设备D和探针13A的接触荷载控制在规定的接触荷载,因此,即便探针卡13发生热膨胀,也能够总是以规定的接触荷载进行检查。
其中,本发明并不受上述实施方式的任何限制,能够对本发明的构成要素进行适当设计变更。例如,虽然是对通过传动带将伺服马达与滚珠丝杠连接起来的结构进行了说明,但是也可以是将伺服马达与滚珠丝杠直接连接的结构。此外,在上述实施方式中,以晶片W的高温检查为例进行了说明,但是对于晶片的低温检查也同样地适用。此外,作为被检查体,以晶片为例进行了说明,但是也适用于液晶显示体用的玻璃基板的检查中。
产业可利用性
本发明优选利用于对半导体晶片等的被检查体的电气特性进行检查的检查装置。
Claims (11)
1.一种检查装置,其包括:内置有温度调节机构的、能够移动的载置台;使所述载置台进行升降的升降驱动机构;控制所述升降驱动机构的控制部;和配置在所述载置台的上方的、具有多个探针的探针卡,载置于所述载置台上的被检查体通过所述温度调节机构被加热或者冷却至规定温度,通过所述升降驱动机构使形成于所述被检查体上的多个设备与所述探针卡的多个探针以规定的接触荷载进行接触,进行所述设备的电气特性检查,所述检查装置的特征在于:
所述升降驱动机构具有与所述载置台连接的升降轴以及使所述升降轴驱动从而使所述载置台进行升降的伺服马达,
所述控制部构成为伺服驱动器,该伺服驱动器包括:对所述伺服马达进行位置控制的位置控制部;当所述探针卡因温度变化而膨胀或者收缩时,对所述伺服马达进行扭转控制的扭转控制部;以及对所述位置控制部和所述扭转控制部进行切换的切换部。
2.如权利要求1所述的检查装置,其特征在于:
所述伺服驱动器与对所述检查装置进行监视的上位计算机连接,
所述上位计算机包括:向所述位置控制部发送位置指令信号的位置指令部;向所述扭转控制部发送扭转指令信号的扭转指令部;以及根据所述伺服马达的扭转,向所述切换部发送切换指令信号的切换指令部。
3.如权利要求1或2所述的检查装置,其特征在于:
所述伺服驱动器具有每当对所述设备进行电气特性检查时,将此时的接触荷载作为扭转值进行存储的存储部。
4.如权利要求3所述的检查装置,其特征在于:
所述存储器存储有所述规定的接触荷载的上限值和下限值。
5.如权利要求1~4中任一项所述的检查装置,其特征在于:
所述扭转控制部进行控制,使得能够与因所述加热或者冷却而热膨胀的所述探针卡相对应,使所述设备与所述探针的接触荷载为所述规定的接触荷载。
6.如权利要求1~4中任一项所述的检查装置,其特征在于:
所述扭转控制部在所述接触荷载脱离所述上限值和所述下限值的范围时,使所述伺服马达停止。
7.一种检查方法,其使用检查装置对被检查体的电气特性进行检查,其中,所述检查装置包括:内置有温度调节机构的、能够移动的载置台;使所述载置台进行升降的升降驱动机构;控制所述升降驱动机构的控制部;和配置在所述载置台的上方的、具有多个探针的探针卡,所述升降驱动机构具有与所述载置台连接的升降轴以及使所述升降轴驱动从而使所述载置台进行升降的伺服马达,所述检查方法的特征在于,包括下述工序:
将载置于所述载置台上的所述被检查体加热或者冷却至规定温度的第一工序;
在所述被检查体与所述探针接触之前,对所述伺服马达进行位置控制的第二工序;以及
在所述被检查体与所述探针接触之后,对所述伺服马达进行扭转控制的第三工序。
8.如权利要求7所述的检查方法,其特征在于,包括:
每当对所述设备进行电气特性检查时,将此时的接触荷载作为扭转值进行存储的工序。
9.如权利要求7或8所述的检查方法,其特征在于:
在所述第三工序中进行控制,使得与因所述加热或者冷却而变形的所述探针卡相对应,使所述设备与所述探针的接触荷载为所述规定的接触荷载。
10.如权利要求7或8所述的检查方法,其特征在于:
在所述第三工序中,将所述设备与所述探针的接触荷载控制在所述上限值和所述下限值的范围内。
11.如权利要求7或8所述的检查方法,其特征在于:
在所述第三工序中,在所述接触荷载脱离所述上限值和所述下限值的范围时,使所述伺服马达停止。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007227182 | 2007-08-31 | ||
JP2007227182A JP4999615B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 検査装置及び検査方法 |
JP2007-227182 | 2007-08-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101377536A true CN101377536A (zh) | 2009-03-04 |
CN101377536B CN101377536B (zh) | 2011-07-20 |
Family
ID=40406451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101097920A Active CN101377536B (zh) | 2007-08-31 | 2008-06-17 | 检查装置和检查方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8081007B2 (zh) |
JP (1) | JP4999615B2 (zh) |
KR (1) | KR101033046B1 (zh) |
CN (1) | CN101377536B (zh) |
TW (1) | TWI431289B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103344765A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-09 | 苏州信亚科技有限公司 | 血糖仪测试装置 |
CN103379682A (zh) * | 2012-04-26 | 2013-10-30 | 三菱电机株式会社 | 检查装置 |
CN103454460A (zh) * | 2012-06-04 | 2013-12-18 | 三菱电机株式会社 | 检查装置及检查方法 |
CN103996642A (zh) * | 2011-09-06 | 2014-08-20 | 精工爱普生株式会社 | 分选机以及部件检查装置 |
CN104793121A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-07-22 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种微波毫米波芯片的可控的高频响探针测试运动装置 |
CN107403741A (zh) * | 2016-05-18 | 2017-11-28 | 兰州大学 | 一种高真空变温有机半导体器件测量腔 |
CN111788666A (zh) * | 2018-03-05 | 2020-10-16 | 东京毅力科创株式会社 | 检查装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8876453B2 (en) | 2010-01-12 | 2014-11-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
KR101219587B1 (ko) * | 2010-01-12 | 2013-01-22 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP5889581B2 (ja) | 2010-09-13 | 2016-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハ検査装置 |
JP5675239B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置 |
JP5529769B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカードの熱的安定化方法及び検査装置 |
JP5265746B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
JP6087737B2 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-03-01 | Thk株式会社 | ステッピングモータの制御装置、及び制御方法 |
JP6137994B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2017-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | デバイス検査方法 |
JP6267546B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2018-01-24 | 株式会社東京精密 | コンタクト位置制御方法 |
US20150293042A1 (en) * | 2014-04-11 | 2015-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measurement Device and Measurement Method |
CN104459418B (zh) * | 2014-12-27 | 2017-09-05 | 宁夏大学 | 一种ic卡使用寿命测试方法及装置 |
JP7317736B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2023-07-31 | 日本発條株式会社 | 絶縁抵抗測定装置と、絶縁抵抗測定方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW399279B (en) | 1997-05-08 | 2000-07-21 | Tokyo Electron Limtied | Prober and probe method |
JPH10319154A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Micronics Japan Co Ltd | Zステージ |
JP2000340620A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Nikon Corp | プローブ装置 |
JP3715160B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2005-11-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | プロービング装置及び半導体素子の製造方法 |
JP4218816B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 針荷重測定方法、検査方法及び検査装置 |
JP2001358204A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Tokyo Electron Ltd | 検査ステージ |
JP2003168707A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
US6771086B2 (en) * | 2002-02-19 | 2004-08-03 | Lucas/Signatone Corporation | Semiconductor wafer electrical testing with a mobile chiller plate for rapid and precise test temperature control |
JP4300003B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2009-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の駆動装置及びプローブ方法 |
JP4659328B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2011-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 被検査体を温度制御するプローブ装置 |
JP2005043332A (ja) | 2003-03-25 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP4551120B2 (ja) | 2004-05-21 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | プローバ装置 |
JP4589710B2 (ja) | 2004-12-13 | 2010-12-01 | 株式会社日本マイクロニクス | プローバ |
JP2006186130A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体検査装置 |
-
2007
- 2007-08-31 JP JP2007227182A patent/JP4999615B2/ja active Active
-
2008
- 2008-06-17 CN CN2008101097920A patent/CN101377536B/zh active Active
- 2008-06-25 US US12/146,081 patent/US8081007B2/en active Active
- 2008-08-27 KR KR1020080083758A patent/KR101033046B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-29 TW TW097133364A patent/TWI431289B/zh active
-
2011
- 2011-08-26 US US13/218,914 patent/US8536891B2/en active Active
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103996642A (zh) * | 2011-09-06 | 2014-08-20 | 精工爱普生株式会社 | 分选机以及部件检查装置 |
CN103996642B (zh) * | 2011-09-06 | 2018-03-09 | 精工爱普生株式会社 | 分选机以及部件检查装置 |
CN103379682A (zh) * | 2012-04-26 | 2013-10-30 | 三菱电机株式会社 | 检查装置 |
CN103379682B (zh) * | 2012-04-26 | 2016-02-24 | 三菱电机株式会社 | 检查装置 |
CN103454460A (zh) * | 2012-06-04 | 2013-12-18 | 三菱电机株式会社 | 检查装置及检查方法 |
CN103344765A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-09 | 苏州信亚科技有限公司 | 血糖仪测试装置 |
CN104793121A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-07-22 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种微波毫米波芯片的可控的高频响探针测试运动装置 |
CN104793121B (zh) * | 2015-04-23 | 2017-11-17 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种微波毫米波芯片的可控的高频响探针测试运动装置 |
CN107403741A (zh) * | 2016-05-18 | 2017-11-28 | 兰州大学 | 一种高真空变温有机半导体器件测量腔 |
CN111788666A (zh) * | 2018-03-05 | 2020-10-16 | 东京毅力科创株式会社 | 检查装置 |
CN111788666B (zh) * | 2018-03-05 | 2024-03-15 | 东京毅力科创株式会社 | 检查装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8081007B2 (en) | 2011-12-20 |
KR101033046B1 (ko) | 2011-05-06 |
US20090058446A1 (en) | 2009-03-05 |
US8536891B2 (en) | 2013-09-17 |
TWI431289B (zh) | 2014-03-21 |
TW200921121A (en) | 2009-05-16 |
CN101377536B (zh) | 2011-07-20 |
KR20090023184A (ko) | 2009-03-04 |
US20110309849A1 (en) | 2011-12-22 |
JP2009058448A (ja) | 2009-03-19 |
JP4999615B2 (ja) | 2012-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101377536B (zh) | 检查装置和检查方法 | |
US11125813B2 (en) | Prober | |
US6774661B1 (en) | Initial contact method of preventing an integrated circuit chip from being thermally destroyed, in a tester, due to a defective pressed joint | |
CN101430361B (zh) | 检查装置 | |
JP2009058448A5 (zh) | ||
US20120245879A1 (en) | Programmable test chip, system and method for characterization of integrated circuit fabrication processes | |
CN101504440B (zh) | 检查装置 | |
CN108346409A (zh) | 液晶显示面板的芯片温度控制电路及液晶显示面板 | |
KR20150094400A (ko) | 프로브 카드 및 이를 포함하는 웨이퍼 테스트 시스템 | |
CN109060553B (zh) | 一种适用于电工母排的通流弯曲蠕变试验装置 | |
JP2008103528A (ja) | 半導体装置の検査方法およびプローブカード | |
DE102007016553A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von Halbleiter-Bauelementen auf einem Wafer | |
JP3769220B2 (ja) | パワーモジュールの繰返し耐久試験方法および試験装置 | |
US6809543B1 (en) | Abrupt power change method of preventing an integrated circuit chip from being thermally destroyed, in a tester, due to a defective pressed joint | |
KR20050121376A (ko) | 반도체 장치의 테스트 장치 및 이를 이용한 반도체 장치테스트 방법 | |
KR20210121681A (ko) | 반도체 테스트 시스템 | |
WO2020217925A1 (ja) | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の検査方法 | |
JP2006209946A (ja) | Ram冗長集積回路をテストするための方法およびシステム | |
US20020039800A1 (en) | Burn-in method and burn-in device | |
US20090289653A1 (en) | Inspection apparatus and method for semiconductor IC | |
KR100821095B1 (ko) | 반도체 테스트장치 및 그 테스트방법 | |
JP2009052909A (ja) | 制御棒制御装置の模擬負荷装置 | |
Frank | Power Cycle Testing of Press-Pack IGBT Chips | |
US20240219427A1 (en) | Positioning method and probe system for performing the same, method for operating probe system, and method for utilizing probe system to produce a tested semiconductor device | |
CN209247960U (zh) | 一种器件测试装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |