CN101356729A

CN101356729A - 电子部件及其制造方法

Info

Publication number: CN101356729A
Application number: CNA2007800012115A
Authority: CN
Inventors: 石浦丰; 松前岳志; 井上和裕; 高田俊明
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-04-28
Filing date: 2007-03-30
Publication date: 2009-01-28
Anticipated expiration: 2027-03-30
Also published as: EP2015450A1; JP4655151B2; US7541722B2; EP2015450A4; CN101356729B; JPWO2007125724A1; US20080179991A1; WO2007125724A1

Abstract

在第1主面(2a)上，形成电极，该电极具有形成从基板(2)的侧面(2c)和第1主面(2a)的端缘向第1主面的内侧延伸的第1电极图案(3)、和第1电极图案(3)的端部(3a)隔着间隙(G)地相对设置的第2电极图案(4)、覆盖间隙(G)而且到达第1、第2电极图案(3、4)之上地设置的第3电极图案(5)，第3电极图案(5)由耐蚀性比构成第1、第2电极图案的金属膜优异的金属膜构成的电子部件(1)。提供难以产生来自从成为基板侧面和一个主面的端缘到基板主面的内侧的电极图案的湿气的侵入等引起的腐蚀、难以产生随后出现的特性的劣化的电子部件。

Description

电子部件及其制造方法

技术领域

[0001]

本发明涉及例如弹性表面波装置等电子部件及其制造方法，更详细地说，涉及与电子部件功能部有关联的电极图案的结构得到改良的电子部件及其制造方法。

背景技术

[0002]

现有技术在制造弹性表面波滤波器装置等电子部件之际，准备多个电子部件构成的晶片(晶圆，wafer)后，分割该晶片，从而获得多个电子部件。这样，能够提高电子部件的批量生成性能。

[0003]

另一方面，在制造电子部件之际，需要测定获得的电子部件的特性，选择优良产品。或者为了后道工序中的频率调整等，有时需要测定特性。以一个个电子部件为单位进行这种特性测定，非常麻烦，所以希望能够在上述晶片阶段中，测定许多电子部件的特性。在下述专利文献1中，公开了可以在晶片阶段中，测定许多弹性表面波装置的特性的制造方法的一个例子。

[0004]

图11是为了讲述专利文献1公布的制造方法中，在晶片上测定作为电子部件的弹性表面波滤波器装置的特性的方法而绘制的示意性的局部俯视图。在晶片501上，形成格状导电图案502。在用格状导电图案502包围的一个矩形区域中，形成旨在形成一个弹性表面波装置503的电极结构。

[0005]

就是说，在由压电基板构成的晶片501上，在用格状导电图案502包围的各区域内，形成图示的电极结构，从而在晶片501上，形成许多弹性表面波装置503。

[0006]

在这里，弹性表面波装置503是梯形(ladder)电路结构的弹性表面波滤波器，多个1端口型SAW谐振器(resonator)504～508由导电图案电连接，形成梯形电路结构。而且，在1端口型SAW谐振器504～508内，与接地电位连接的SAW谐振器504、508，经电极图案509、510与格状导电图案502电连接。

[0007]

在测定特性之际，使弹性表面波装置503的输入侧与热侧探头和接地侧探头接触，使输出侧也与热侧探头和接地侧探头接触后，测定特性。这时，在输入侧中，接地侧探头与电极图案509接触，在输出侧中，接地侧探头与电极图案510接触，测定特性。

[0008]

可是，在制造弹性表面波滤波器装置503之际，测定上述特性后，分割晶片501。该分割，沿着点划线A及B切断晶片501地进行。

专利文献1：JP特开平10-233642号公报

[0009]

在专利文献1公开的制造方法中，在制造弹性表面波滤波器装置503之际，测定特性后，进行晶片501的分割。这样，易于根据特性测定选择产品，能够提高批量生产性能。另外，虽然是在晶片状态测定特性，但是能够测定更加接近完成品的传输特性。

[0010]

可是，在获得的弹性表面波滤波器装置中，沿着点划线A的部分，出现切断面。这时，电极图案509、510的一部分被切断，由切断面露出。

[0011]

因此，在切断晶片501后形成的切断面中，存在着下述问题：湿气等容易从构成晶片的压电基板的侧面和上述电极图案509、510的切断面的间隙中侵入。该湿气对电极的腐蚀，朝着电极图案509、510的内侧端部进行，随后还可能腐蚀构成SAW谐振器的IDT电极等，从而使特性劣化。

[0012]

特别是电极图案509、510及构成弹性表面波装置的IDT电极，由Cu等容易被腐蚀的电极材料形成时，随时间的经过容易产生腐蚀。

[0013]

为了防止上述腐蚀，人们还想到用耐湿性树脂等涂敷切断晶片之际的切断线即刻断线的方法。可是，即使覆盖电极图案509、510的切断部分地涂敷耐水性的树脂，在刻断电极图案509、510的切断面之际，由于电极图案的切断面露出，所以也可能产生随后的腐蚀。就是说，尽管与不涂敷上述耐水性的树脂时相比，到腐蚀导致劣化为止的时间变长，但是经过长时间后，特性仍然会劣化。

[0014]

上述那种腐蚀，不仅在弹性表面波装置中，而且在晶片上构成许多电子部件后，在分割该晶片之际，电极图案露出切断面的各种电子部件中，也存在着。

发明内容

[0015]

本发明就是针对现有技术的上述情况研制的，其目的在于提供不容易产生来自被连接基板的主面和侧面的端缘引出的电极图案和基板之间的湿气的侵入等引起的腐蚀，而且可靠性优异的电子部件及其制造方法。

[0016]

本发明的电子部件，其特征在于：在具备基板(该基板具有相对的第1、第2主面和连接第1、第2主面的侧面)和电极(该电极在所述基板的第1主面上形成)的电子部件中，所述电极具有第1电极图案(该第1电极图案在第1主面上，从所述基板的侧面和第1主面的端缘向内侧延伸)、第2电极图案(该第2电极图案和所述第1电极图案的第1主面内的端部，隔着规定的宽度的间隙设置)、第3电极图案(该第3电极图案覆盖所述第1电极图案的所述间隙侧的端部和所述第2电极图案的所述间隙侧的端部，而且横穿所述间隙)，所述第3电极图案，由耐蚀性比所述第1、第2电极图案优异的金属膜构成。

[0017]

在本发明涉及的电子部件中，所述第1电极图案的所述间隙侧的端部，优选与所述第2电极图案的所述间隙侧的端部，隔着间隙相对，所述第3电极图案成为直线状。这时，能够更加切实地防止湿气的侵入等引起的腐蚀。

[0018]

另外，在本发明中，所述第2电极图案的所述间隙侧的端部，优选配置在与所述第1电极图案的延长线错开的位置；所述第3电极图案，具有弯曲的拐角部，以便从位于所述第1电极图案的延长线上的位置的电极图案部分向第2电极图案延伸。这时，与第3电极图案成为直线状时相比，能够更加切实地防止湿气的侵入等引起的腐蚀。第3电极图案，优选是曲柄状。第3电极图案是曲柄状时，能够更加切实地防止湿气的侵入等引起的腐蚀。

[0019]

此外，第3电极图案从第1电极图案的延长线上弯曲时，优选采用具有第1直线状部分、第2直线状部分(该第2直线状部分与第1直线状部分的端部连接，向与第1直线状部分成为90°的角度地延伸)和第3直线状部分(该第3直线状部分和与第2直线状部分的端部连接的一侧的端部相反侧的端部连接，而且和所述第1直线状部分平行地延伸)的形状，这时，能够更加切实地防止湿气的侵入等引起的腐蚀。

[0020]

在本发明涉及的电子部件及电子部件的制造方法中，作为上述电子部件，虽然没有特别限定，但是本发明能够适用于弹性表面波装置，因此能够提供难以产生腐蚀、难以产生特性逐渐劣化的弹性表面波装置。

[0021]

虽然没有特别限定，但是在本发明的其它特定的实施方式中，所述基板，是压电基板；作为在所述压电基板上形成的所述电极，在所述第1～第3电极图案的基础上，还进而具有与所述第2电极图案连接的接地凸台和与所述接地凸台连接的IDT电极；由它们构成弹性表面波装置。这时，按照本发明，能够获得可靠性优异的弹性表面波装置。

[0022]

在本发明涉及的电子部件中，第1电极图案及第2电极图案，优选将从由Cu、Ag或它们的合金构成的组中选择的一种电极层，作为主要的电极层包含。由于Cu、Ag或它们的合金的导电性优异，所以能够形成导电性优异的第1、第2电极图案。

[0023]

另外，在本发明涉及的电子部件的其它特定的实施方式中，所述第3电极图案，将Al或Al合金作为主要的电极层包含。这时，由于Al或Al合金的耐蚀性优异，所以能够有效地抑制腐蚀向第3电极图案的内侧形成。

[0024]

本发明涉及的电子部件的制造方法，其特征在于，具备下列工序：准备具有主基板和为了在所述主基板的一个主面上形成多个权利要求1所述的电子部件而形成的电极结构的晶片的工序；在所述第1电极图案的中间切断所述晶片，获得各个电子部件，从而使所述第1电极图案到达被分割后获得的各电子部件的所述基板的所述第1主面和所述侧面的端缘的工序。

[0025]

在本发明涉及的电子部件的某个特定的实施方式中，在所述晶片中，形成格状电极图案，在用该格状电极图案包围的各区域，构成一个电子部件；所述第1电极图案，与所述格状电极图案连接；在用所述格状电极图案包围的区域的内侧，在所述第1电极图案的中间切断地进行所述晶片的切断。这时，因为在各区域内构成的第1电极图案，被格状电极图案连接，所以使第1电极图案与和各电子部件的接地电位连接的部分连接，从而对于在晶片阶段的特性测定而言，容易使探头和与接地电位连接的部分接触后，测定特性。而且，在切断晶片之际，即使在中间切断了第1电极图案，也能够利用第3电极图案抑制腐蚀，所以能够提高可靠性。这样，从晶片中切断多个电子部件后，可以有效地获得许多电子部件。

[0026]

在本发明涉及的电子部件的其它特定的实施方式中，在被所述格状电极图案包围的各区域内，形成作为所述电极的多个IDT电极和多个接地凸台；所述第2电极图案，与所述接地凸台电连接。

[0027]

在本发明涉及的电子部件中，第1电极图案从基板的侧面和第1主面的端缘，向第1主面的内侧延伸；和第1电极图案的所述第1主面内的端部，隔着规定的间隙设置第2电极图案；覆盖第1、第2电极图案相对的部分，而且到达第1、第2电极图案之上地设置第3电极图案。由于第3电极图案，由耐蚀性优异的金属膜构成，所以即使第1电极图案出现腐蚀，在第3电极图案中也能够抑制腐蚀。这样，由于腐蚀难以进行到位于第3电极图案的内侧第3电极图案的第2电极图案，所以难以产生随后出现的特性的劣化，能够提供可靠性优异的电子部件。

[0028]

采用本发明涉及的制作方法后，准备设置多个具有第1～第3电极图案的电子部件的晶片后，可以在所述第1电极图案的中间切断晶片，获得许多电子部件。这样，在获得的电子部件中，由于在第1电极图案的内侧，覆盖所述第1、第2电极图案相对部分地设置由耐蚀性优异的金属膜构成的第3电极图案，所以即使第1电极图案出现腐蚀，在设置了第3电极图案的部分中也能够抑制腐蚀。因此，腐蚀难以进行到更内侧的第2电极图案。这样，就能够提供难以产生随后出现的特性劣化的、可靠性优异的电子部件。

附图说明

[0029]

图1(a)、(b)是为了讲述在本发明的第1实施方式涉及的电子部件的电极结构的主要部位而绘制的示意性的局部缺口俯视图及局部缺口正面剖面图。

图2(a)～(g)是为了讲述制作作为本发明的第2实施方式的电子部件的弹性表面波装置的各工序而绘制的示意性的正面剖面图。

图3(a)是在第2实施方式的制作方法中，示意性地表示图2(c)所示的工序中的在主基板的上面形成的电极结构的局部放大平面图，图3(b)是示意性地表示其1端口型SAW谐振器的电极结构的平面图。

图4是在第2实施方式的制作方法中，为了示意性地讲述图2(e)所示的工序后的电极结构的局部放大平面图。

图5是在第2实施方式的制作方法中，为了示意性地讲述图2(f)所示的工序后的电极结构的局部放大平面图。

图6是表示作为第2实施方法获得的弹性表面波装置的梯形滤波器的电路结构的电路图。

图7是表示现有技术的弹性表面波装置的耐湿试验前后的频率特性的图形。

图8是表示按照第2实施方式获得的弹性表面波装置的耐湿试验前后的频率特性的图形。

图9是为了讲述第1实施方式的电子部件的变形例而绘制的示意性的局部缺口俯视图。

图10(a)～(c)是为了讲述第1实施方式的变形例中的第3电极图案的形状而绘制的各模式的局部缺口俯视图。

图11是为了讲述现有技术的弹性表面波滤波器装置的特性测定方法而绘制的示意性的局部缺口放大俯视图。

符号说明

[0030]

1…电子部件

2…基板

2a、2b…第1、第2主面

2c…侧面

3…第1电极图案

3a…端部

4、4A…第2电极图案

4a、4b…端部

5…第3电极图案

5a、5b…电极图案部分

5c…拐角部

5d、5e…拐角部

5f～5h…第1～第3直线状部分

11…主基板

12…SiO₂膜

13…负片型光致抗蚀剂图案

14…Cu膜

15…IDT电极

16、17…反射器

19…保护膜

21…格状电极图案

22～29…SAW谐振器

30…电极图案

31…晶片

32…金属凸台

G…间隙

具体实施方式

[0031]

下面，参照附图，讲述本发明的具体的实施方式，从而阐明本发明。

[0032]

图1(a)、(b)是为了讲述在本发明的第1实施方式涉及的电子部件中经由电极的腐蚀得到抑制的原理而绘制的示意性的局部缺口俯视图及示意性的局部缺口正面剖面图。

[0033]

在本实施方式中，电子部件1具有基板2。基板2具有相对的第1主面2a和第2主面2b。基板2还具有连接第1、第2主面的侧面2c。

[0034]

在基板2的第1主面2a上，形成图1(a)所示的电极。就是说，作为电极，形成从基板2的侧面2c和第1主面2a的端缘向第1主面2a的内侧延伸的第1电极图案3。而且，还和第1电极图案3的第1主面2a内的端部3a，隔着规定的宽度的间隙G，相对地设置第2电极图案4。覆盖第1、第2电极图案3、4相对的部分，而且到达第1、第2电极图案3、4之上地设置第3电极图案5。

[0035]

第3电极图案5，由耐蚀性比构成第1、第2电极图案的金属膜优异的金属膜构成。

[0036]

在图1中，只示意性地表示出在电子部件1的基板2的侧面2c的附近形成第1～第3电极图案3～5的部分。但是在电子部件1中，在基板2内，就像与第2电极图案4连接的那样，与旨在作为电极发挥作用的各种电子部件功能部连接。作为该电子部件功能部，没有特别限定，可以列举IDT电极、电容电极等各种电极，或与电极图案4电连接地设置的电阻器、压电体或电介质等。

[0037]

在电子部件1中，第3电极图案5的耐蚀性，比第1、第2电极图案3、4优异。作为这种耐蚀性优异的金属膜，虽然没有特别限定，但是可以列举Al或Au等，既便宜又耐湿性及耐蚀性优异，优选使用Al。此外，第3电极图案5未必非要由单一的金属膜构成，还可以由作为主电极层包含Al等耐蚀性优异的金属膜的层叠金属膜形成，也可以由将Al作为主体的合金形成。

[0038]

第1、第2电极图案3、4，虽然耐蚀性不及第3电极图案5，但是可以由Ag或它们的合金等导电性优异的适当的金属材料形成。第1、第2电极图案也未必非要由单一的金属膜形成，只要具有将Cu、Ag或将它们的合金作为主体的电极层就行，可以用单一的金属膜或层叠金属膜中的某一个形成。

[0039]

在本实施方式的电子部件1中，第1电极图案3从侧面2c和第1主面2a的端缘露出。这种结构在大批量生成电子部件1之际，通常可以通过采用刻断进行的切断，从晶片中获得许多电子部件1。在第1电极图案3和侧面2c的交界面中，外部的湿气等有可能容易侵入。可是，即使湿气沿着第1电极图案3侵入，进行腐蚀，腐蚀也只能进行到第1电极图案3的端部3a为止。

[0040]

就是说，由于第3电极图案5的耐蚀性优异，所以腐蚀只能进行到端部3a为止，难以进行到超过端部3a的内侧。

[0041]

这样，因为难以产生第2电极图案4的腐蚀，所以在电子部件1中，随后的腐蚀难以向内侧进行，难以产生特性的劣化。

[0042]

如上所述，本发明的特征在于：在电极从基板2的侧面2c和第1主面2a的端缘向内侧延伸地设置的结构中，防止经由电极的腐蚀导致的特性的劣化。对于适用的电子部件，没有特别的限定。下面，参照图2～图8，讲述适用于弹性表面波装置的第2实施方式的电子部件及电子部件的制作方法。

[0043]

在第2实施方式中，首先准备旨在形成多个弹性表面波装置的晶片。下面，参照图2(a)～(g)及图3～图5，讲述该晶片的制作方法。

[0044]

如图2(a)所示，准备由LiTaO₃等压电单结晶或压电陶瓷构成的主基板11。在主基板11上，采用溅射法，全面形成SiO₂膜12。然后，在SiO₂膜12上，全面形成负片型的光致抗蚀剂层，经过感光处理后，形成光致抗蚀剂图案13。该光致抗蚀剂图案13，被赋予除了形成后文讲述的电极结构的区域以外的区域。

[0045]

接着，如图2(b)所示，象箭头所示的那样，使用蚀刻剂，腐蚀SiO₂膜12。该蚀刻剂，使用虽然不溶解光致抗蚀剂图案13但是却溶解SiO₂膜12的蚀刻剂，例如Cl₂或CF₄等进行。这样，如图2(b)所示，在形成电极结构的区域中，除去SiO₂膜12。

[0046]

再接着，采用溅射或蒸镀等薄膜形成方法，全面形成Cu膜。然后，采用使用丙酮等溶剂的去除法(liftoff法)，除去光致抗蚀剂图案13，和在光致抗蚀剂图案13上形成的Cu膜。这样，就如图2(c)所示，在电极形成区域形成Cu膜14。

[0047]

图3(a)是示意性地表示由这样设置的Cu膜14构成的电极结构的局部平面图。如图3(a)所示，形成格状电极图案21。在用格状电极图案21包围的各区域中，形成图3(a)所示的电极结构。在用该格状电极21包围的一个矩形区域中，形成一个弹性表面波装置。在图3(a)中，只绘出构成一个弹性表面波装置的区域。但是构成弹性表面波装置的多个区域，被阵列状地整齐排列。

[0048]

在用格状电极图案21包围的一个矩形区域中，形成Cu膜14，从而形成第1电极图案3，3，3，3，第2电极图案4，4，4，4，和旨在形成1端口型SAW谐振器22～29的电极膜以及连接1端口型SAW谐振器22～29的电极图案30。此外，1端口型SAW谐振器22～29，最终具有图3(b)所示的电极结构。就是说，如图3(b)所示，具有IDT电极15和在IDT电极15的表面波传输方向两侧配置的反射器16、17。

[0049]

在图3(a)中，用在矩形框的内部插入×的符号，简略地表示设置1端口型SAW谐振器22～29的部分，这是因为IDT电极及反射器的图示非常复杂，所以就用这种符号简略地表示。实际上，如图3(b)所示，形成各1端口型SAW谐振器22～29的电极结构，从而具有IDT电极15和反射器16、17。此外，在本实施方式中，设置1端口型SAW谐振器22～29，从而构成图6所示梯形滤波器18。

[0050]

在图3(a)所示的状态中，如图2(c)所示，利用Cu膜14，在设置SiO2膜12的区域外，形成上述电极结构。

[0051]

接着，如图2(d)所示，覆盖上述Cu膜14及SiO₂膜12地全面形成由SiO2膜构成的保护膜19。然后，如图2(e)所示，通过腐蚀等，除去保护膜19及下方的SiO₂膜12的一部分。这时，使保护膜19残存在前文讲述的SAW谐振器22～29的主要部分上，即用保护膜19覆盖电极指交差的区域等，另一方面，除去保护膜19，以便在用于和外部电连接的电极凸台及电连接的部分中，露出Cu膜14。

[0052]

在图2(e)中，用箭头C表示的部分，表示和外部电连接的电极凸台部分。

[0053]

图4是示意性地表示如图2(e)所示除去保护膜19的一部分后的平面图。在这里，在用虚线D包围的区域中，上述保护膜19残存，而在其它的区域中，保护膜19被除去。换言之，在形成SAW谐振器22～29的部分的主要部位，保护膜19残存，而在其它的部分，保护膜19被除去。

[0054]

此外，在图4中，由上述SiO₂构成的保护膜19的图示被省略，只表示用虚线包围的保护膜19残存的部分。

[0055]

接着，如图2(f)所示，形成第3电极图案5。第3电极图案5，作为主电极层，具有Al，在本实施方式中，采用溅射或蒸镀等薄膜形成。该第3电极图案5的布图，可以采用众所周知的光刻蚀法进行。在这里，图5用示意性的平面图表示形成第3电极图案5的区域。

[0056]

就是说，第3电极图案5，覆盖上文讲述的图3(a)所示的第1、第2电极图案3、4之间的间隙，而且到达第1电极图案3及第2电极图案4之上地形成。

[0057]

由图5可知：第1电极图案3的一个端部，与格状电极图案21连接。而且，第1电极图案3从格状电极图案21向用格状电极图案21包围的矩形区域内延伸，内侧的端部3a与第2电极图案4隔着间隙相对。这样，可以获得图2(f)及图5所示的晶片31。然后，在晶片31中，如图2(g)所示，在上述第3电极图案5的一部分上，形成由Au等构成的金属凸台32。金属凸台32，是为了将最终获得的弹性表面波装置和外部电连接而设置的。

[0058]

在本发明中，未必非要设置金属凸台32。

[0059]

接着，以一个个弹性表面波装置为单位，通过刻断，切断上述晶片31。该切断，沿着图5的点划线E1、E2、F进行。就是说，在第1电极图案3的中间，更具体地说，在与格状电极图案21连接且未被第3电极图案5覆盖的电极图案部分进行切断。这样，就如图1所示，在获得的弹性表面波装置的经过上述切断后形成的侧面上，露出第1电极图案3的一部分。而且，即使以后湿气等从侧面上露出的第1电极图案3侵入后进行腐蚀，也由于第1电极图案3的端部3a与第2电极图案4隔着间隙相对、第3电极图案5由耐蚀性优异的金属膜构成，所以第2电极图案4不会受到腐蚀。这样，就难以产生随后的腐蚀所导致的特性的劣化等，能够提供可靠性优异的弹性表面波装置。

[0060]

在上述的切断中，优选使用宽度尺寸大于格状电极图案21的刀片，分别用一次的切断，进行格状电极图案21的除去和沿着邻接的弹性表面波装置的图5的点划线E1、E2、F的各个切断。

[0061]

制造这样获得的实施方式的弹性表面波装置，和现有技术的弹性表面波装置(该弹性表面波装置除了不形成第5电极图案5、不使第1、第2电极图案3、4隔着间隙相对地连接后一体化、利用Cu膜形成以外，都与上述实施方式的结构相同)后，进行了耐湿试验。

[0062]

此外，在进行试验之际，使从弹性表面波装置的侧面向内侧延伸的第1电极图案3的宽度方向的尺寸为10μm、第1电极图案3被第3电极图案覆盖的部分的长度方向的尺寸为50μm、第1电极图案3的内的侧的端部3a和第2电极图案4之间的间隙的距离为30μm。而且，使第1电极图案3的露出的部分的长度方向的尺寸即从弹性表面波装置的基板的侧面起到被第3电极图案5覆盖的部分为止的距离为70μm。将弹性表面波装置在85℃的温度及相对湿度为85％的环境中放置100小时地进行耐湿试验。

[0063]

图7是表示对于采用上述方法获得的现有技术的弹性表面波装置进行耐湿试验前后的频率特性的图形，虚线表示试验前的状态，实线表示试验后的状态。

[0064]

另外，图8表示上述实施方式的弹性表面波装置的耐湿试验前后的频率特性，同样是用虚线表示试验前的状态，用实线表示试验后的状态。

[0065]

由图7可知：在现有技术的弹性表面波装置中，耐湿试验后，通过带域侧端部附近中的频率特性发生变化，通过带域宽度变窄了。这可以认为是由于靠近接地线的并列臂谐振器的特性由于腐蚀而劣化的缘故。与此不同，由图8可知：在上述实施方式的弹性表面波装置中，耐湿试验前后中的频率特性几乎没有变化。

[0066]

此外，在上述实施方式中，设置了与第1电极图案3的内侧端部3a介有一个间隙的第2电极图案4。但是在本发明中，还可以进而在内侧设置第2、第3间隙。图9是示意性地表示这种变形例的平面图，是相当于图1(a)的图形。在这里，从基板2的侧面2c朝着内侧，在基板2的一个主面2a上，形成第1电极图案3，和第1电极图案3的内侧端部3a隔着间隙，形成第2电极图案4。而且，覆盖第1、第2电极图案3、4相对的间隙、到达第1、第2电极图案3、4之上地形成第3电极图案5。

[0067]

至此，本变形例和第1实施方式同样。在本变形例中，第2电极图案4进而在和第1电极图案3侧的端部4a相反的一侧，具有内侧端部4a。而且，第2电极图案4，隔着第2间隙，进而与另一个第2电极图案4A相对，还覆盖另一个第2电极图案4A和第2电极图案4相对的间隙、而且到达第2电极图案4A之上地形成第3电极图案5。电极图案4A，由和第1、第2电极图案3、4相同的材料例如Cu膜形成。

[0068]

这样，可以在比第1电极图案3更靠内侧，通过多个间隙作媒介，配置多个电极图案4、4A。这时，即使从第1电极图案3一侧开始腐蚀，也能够更加切实地防止腐蚀进行到基板2的内侧。

[0069]

图10(a)、(b)是为了讲述第1实施方式的电子部件的其它变形例而绘制的示意性的局部缺口俯视图。在图10(a)所示的变形例中，第1电极图案3的间隙侧的端部3a和第2电极图案4的间隙侧的端部4a，被错开配置。就是说，第2电极图案4的间隙侧的端部4a，被从第1电极图案3的延长线上错开后配置。这时，第3电极图案5具有电极图案部分5a(该电极图案部分5a位于第1电极图案3的延长线上)和电极图案部分5b(该电极图案部分5b从电极图案部分5a的和第1电极图案4相反侧的端部向与电极图案部分5a交叉的方向延伸)，电极图案部分5a、5b之间的连接部分成为拐角部5c。这样，由于第3电极图案5成为具有拐角部5c的形状，所以能够更加切实地防止湿气等的侵入引起的腐蚀。

[0070]

另外，具有上述拐角部5c的第3电极图案的形状，可以有各种变形，例如在图10(b)所示的变形例中，第3电极图案5具有两个拐角部5d、5e。就是说，在图10(b)中，第1电极图案3的端部3a和第2电极图案4的端部4a相对。在这里，第3电极图案5与第1电极图案4的端部4a连接，而且具有第1直线状部分5f(该第1直线状部分5f从第1电极图案的延长上向成为90°的角度的方向延伸)、第2直线状部分5g(该第2直线状部分5g从位于第1直线状部分5f的端部的拐角部5d，向与第1直线状部分5f成为90°的角度而且离开第1电极图案3的方向延伸)、第3直线状部分5h(该第3直线状部分5h向第2电极图案4的一侧延伸，从而与第2直线状部分5g的端部设置的拐角部5e连接，而且与第2直线状部分5g成为90°的角度)。第3直线状部分5h，和第1直线状部分5f平行地延伸，而且对于第2直线状部分5g而言，位于和第1直线状部分5f相同的一侧。采用这种形状后，能够更加切实地防止湿气等从间隙侵入引起的腐蚀。

[0071]

此外，作为具有这种拐角部地具有曲折的形状的第3电极图案5的形状，还可以使用图10(c)所示的那种曲柄状的形状的第3电极图案5。

[0072]

此外，在上述实施方式中，作为电子部件一个例子，列举了弹性表面波装置，但并不局限于弹性表面波装置。在具有侧面和第1主面引出第1电极图案的结构的各种电子部件例如在半导体装置、压电谐振器、压电体和电介质的界面形成和弹性表面波装置同样的电极结构的弹性交界波装置还各种电子部件中，都能够应用本发明。

[0073]

另外，在上述实施方式中，设置了格状电极图案21。但也可以不设置格状电极图案。

Claims

1、一种电子部件，具备：基板，该基板具有彼此相对的第1主面、第2主面和连接第1主面、第2主面的侧面；和

电极，该电极形成在所述基板的第1主面上，其特征在于：

所述电极具有：

第1电极图案，该第1电极图案在第1主面上，从所述基板的侧面与第1主面之间的端缘向内侧延伸；

第2电极图案，该第2电极图案与所述第1电极图案的第1主面内的端部，隔着规定的宽度的间隙进行设置；和

第3电极图案，该第3电极图案覆盖所述第1电极图案的所述间隙侧的端部和所述第2电极图案的所述间隙侧的端部，而且横穿所述间隙，

所述第3电极图案，由耐蚀性比所述第1电极图案、第2电极图案更优异的金属膜构成。

2、如权利要求1所述的电子部件，其特征在于：所述第1电极图案的所述间隙侧的端部，隔着间隙与所述第2电极图案的所述间隙侧的端部相对，第3电极图案为直线状。

3、如权利要求1所述的电子部件，其特征在于：所述第2电极图案的所述间隙侧的端部，配置在与所述第1电极图案的延长线错开的位置；所述第3电极图案具有弯曲的拐角部，该弯曲是从位于所述第1电极图案的延长线上的位置的电极图案部分向第2电极图案延伸。

4、如权利要求3所述的电子部件，其特征在于：所述第3电极图案是曲柄状。

5、如权利要求3所述的电子部件，其特征在于：所述第3电极图案，具有第1直线状部分、第2直线状部分和第3直线状部分，所述第2直线状部分与所述第1直线状部分的端部连接，并且沿与第1直线状部分成为90。的角度地延伸，所述第3直线状部分和第2直线状部分的与第1直线状部分连接的一侧的端部相反侧的端部连接，而且与所述第1直线状部分平行地延伸，相对于第2直线状部分而言，第1直线状部分、第3直线状部分被配置在相同的一侧。

6、如权利要求1～5任一项所述的电子部件，其特征在于：所述基板是压电基板；作为在所述压电基板上形成的所述电极，在所述第1电极图案～第3电极图案的基础上，还进而具有与所述第2电极图案连接的接地凸台和与所述接地凸台连接的IDT电极；由它们构成弹性表面波装置。

7、如权利要求1～6任一项所述的电子部件，其特征在于：所述第1电极图案及第2电极图案，作为主要的电极层包含从由Cu、Ag或它们的合金构成的组中选择的一种电极层。

8、如权利要求1～7任一项所述的电子部件，其特征在于：所述第3电极图案，作为主要的电极层包含Al或Al合金。

9、如权利要求1～8任一项所述的电子部件，其特征在于：所述电子部件是弹性表面波装置。

10、一种电子部件的制造方法，其特征在于，具备下列工序：

准备具有主基板和为了在所述主基板的一个主面上形成多个权利要求1所述的电子部件而形成的电极结构的晶片的工序；

从所述第1电极图案的中间切断所述晶片，并使所述第1电极图案处在被分割后获得的各电子部件的所述基板的所述第1主面与所述侧面之间的端缘，从而获得各个电子部件的工序。

11、如权利要求10所述的电子部件的制造方法，其特征在于：所述晶片上设置的电极结构，具有格状电极图案，在由该格状电极图案包围的各区域，构成一个电子部件；

所述第1电极图案，与所述格状电极图案连接；

在由所述格状电极图案包围的区域的内侧，在所述第1电极图案的中间切断地进行所述晶片的切断。

12、如权利要求11所述的电子部件的制造方法，其特征在于：在被所述格状电极图案包围的各区域内，形成作为所述电极的多个IDT电极和多个接地凸台；所述第2电极图案，与所述接地凸台电连接。

13、如权利要求10～12任一项所述的电子部件的制造方法，其特征在于：所述电子部件是弹性表面波装置。