CN101485086B - 声表面波装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种声表面波装置，通过形成SiO2膜，能够谋求改善频率温度特性，并且不易产生插入损耗的增大，电极的反射系数能够得到足够的大小，而且能够抑制不希望的上述乱真信号，由此，能够获得更加良好的谐振特性、滤波器特性。在声表面波装置(11)中，LiNbO3基板(1)的上表面形成了多个沟槽(1b)，通过在沟槽(1b)中填充金属形成了IDT电极(3)，按照覆盖LiNbO3基板(1)的上表面(1a)和IDT电极(3)的方式形成了SiO2层(4)，SiO2层(4)的表面被平坦化，利用了基于瑞利波的响应，并LiNbO3基板的欧拉角在(0°±5°，180°～247°，0°±5°)的范围。
Description
技术领域
本发明涉及一种按照覆盖压电基板和IDT电极的方式层叠了SiO2膜的声表面波装置，更具体而言，涉及一种通过在压电基板的上表面所形成的沟槽中填充金属来构成IDT电极的声表面波装置。
背景技术
在移动电话等移动通信系统所使用的双工机(DPX)、RF滤波器中，需要满足宽频段和良好的温度特性双方。以往，作为DPX、RF滤波器，广泛使用声表面波装置。
在用于这种用途的声表面波装置中，广泛使用在由LiTaO3、LiNbO3等构成的压电基板上形成有IDT电极的声表面波装置。在LiTaO3、LiNbO3中，频率温度系数TCF具有负值。因此，为了改善温度特性，众所周知有以下的方法，即：在压电基板上按照覆盖IDT电极的方式形成具有正的频率温度系数的SiO2膜的方法。
但是，在IDT电极的存在电极指的部分和不存在电极指的部分，SiO2膜的表面必然会产生阶梯。于是，由于该阶梯形成的凹凸，有插入损耗劣化的问题。
在下述的专利文献1中，作为解决这样的问题的方法，公开了如下的方法，即：在IDT的电极指间形成与电极膜厚相同的第一绝缘物层之后，按照覆盖IDT电极和第一绝缘物层的方式形成SiO2膜的方法。这里，由于SiO2膜的基底平坦，因此SiO2膜的表面被平坦化。在专利文献1所述的声表面波装置中，IDT电极由比Al密度大的金属或以该金属为主成分的合金、或者由比Al密度大的金属或以该金属为主成分的合金和其他的金属构成的层叠膜构成，电极密度为第一绝缘物层的1.5倍以上。
但是，在专利文献1所述的声表面波装置中，如上所述，使用了以比Al重的金属为主体的电极，所以相对于电极厚度的偏差的声速、频率偏差容易变大。另一方面，知道在形成了由Al构成的电极时，电极的反射系数变得相当低，作为声表面波谐振器、声表面波滤波器不能获得足够的特性。
作为解决这样的问题的结构，在如下的专利文献2中公开了这样一种结构，即：在由LiTaO3或LiNbO3构成的压电基板的上表面形成多个沟槽，在多个沟槽中填充Al金属来形成IDT电极的结构。在专利文献2所述的声表面波装置中，通过在沟槽中填充金属的方式，形成了IDT电极。进而，按照覆盖IDT电极的方式层叠了SiO2膜。因此，因为SiO2膜的基底被平坦化，所以能够使SiO2膜表面平坦化。
于是，在专利文献2中，希望使用如下的基板，即：特定的欧拉角的LiTaO3基板、或欧拉角为(0°，85°～120°，0°)、(0°，125°～141°，0°)、(0°，145°～164°，0°)或(0°，160°～180°，0°)的LiNbO3基板；优选欧拉角为(0°，90°～110°，0°)、(0°，125°～136°，0°)、(0°，149°～159°，0°)或(0°，165°～175°，0°)的LiNbO3基板。
专利文献1：JP特开2004-112748号公报
专利文献2：WO2006/011417A1
在由Al构成的IDT电极上，为了改善频率温度特性，在层叠了SiO2膜的结构中，往往所述反射系数变小、特性劣化。对于此，在专利文献2所述的结构中，由Al构成的IDT电极被埋入压电基板上所设置的沟槽中而形成。因此，电极的反射系数具有足够的大小。而且，因为形成有SiO2膜，所以频率温度特性被改善。此外，由于SiO2膜的表面被平坦化，所以插入损耗也不易增大。
但是，使用LiNbO3基板，制作专利文献2所述的声表面波装置，在要利用瑞利波(Rayleigh wave)的响应时，本申请发明人发现在利用的主响应的衰减极附近，出现了大的乱真信号(spurious signal)。因此，由于乱真信号，有可能导致滤波器特性、谐振特性等劣化。
发明内容
本发明的目的在于，解除上述现有技术的缺点，通过形成SiO2膜能够谋求改善频率温度特性，而且插入损耗的增大难以产生，电极的反射系数能够有足够的大小，而且能够抑制不希望的上述乱真信号，由此，提供一种能够获得更加良好的谐振特性、滤波器特性的声表面波装置。
本发明提供一种声表面波装置，具有：压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，所述压电基板是欧拉角为(0°±5°，180°～247°，0°±5°)的LiNbO3基板。
作为上述金属，并未特别限定，但是优选以从Al、Au、Ta以及Cu所构成的组中选出的一种金属作为主体的物质。Al、Au、Ta以及Cu任意一种都被广泛用作构成声表面波装置的IDT电极的电极，通过在压电基板上所形成的沟槽中填充这些金属的一种，能够使电极的反射系数具有足够的大小。
作为以从Al、Au、Ta以及Cu所构成的组中选出的一种金属作为主体的金属，能够列举从Al、Au、Ta以及Cu所构成的组中选出的一种金属或以该一种金属为主体的合金。此外，以从Al、Au、Ta以及Cu所构成的组中选出的一种金属作为主体的金属既可以是层叠金属膜，也可以是在从Al、Au、Ta以及Cu所构成的组中选出的一种金属或以该一种金属为主体的合金上，层叠从Ti、Ni、Cr、NiCr、Al以及AlCu所构成的组中选出的一种金属作为主体的合金而构成的层叠金属膜。
在本发明相关的声表面波装置中，优选，所述金属以Al为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚(％)、所述SiO2膜的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚(％)、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表1所示的各组合的范围内。
[表1]
在所述金属以Al为主体，IDT电极的规格化膜厚以及SiO2膜的规格化膜厚以及LiNbO3的欧拉角在表1所示的各组合的范围内的情况下，按照本发明，能够有效地抑制不希望的乱真信号。
更优选的是，所述IDT电极的规格化膜厚(％)、SiO2膜的规格化膜厚(％)以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表2所示的各组合的范围内。
[表2]
在IDT电极以及SiO2膜的规格化膜厚以及欧拉角在表2所示的各组合的范围内的情况下，按照本发明，能够更加有效地抑制不希望的乱真信号。
在本发明相关的声表面波装置中，优选的是，所述金属以Au为主体，所述IDT电极的规格化膜厚(％)、所述SiO2膜的规格化膜厚(％)以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表3所示的各组合的范围内。
[表3]
在所述金属以Au为主体，IDT电极的规格化膜厚以及SiO2膜的规格化膜厚以及LiNbO3的欧拉角在表1所示的各组合的范围内的情况下，按照本发明，能够有效地抑制不希望的乱真信号。
更优选的是，所述IDT电极的规格化膜厚(％)、SiO2膜的规格化膜厚(％)以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表4所示的各组合的范围内。
[表4]
在IDT电极以及SiO2膜的规格化膜厚以及欧拉角在表4所示的各组合的范围内的情况下，按照本发明，能够更加有效地抑制不希望的乱真信号。
在本发明相关的声表面波装置中，优选的是，所述金属以Cu为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚(％)、所述SiO2膜的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚(％)、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表5所示的各组合的范围内。
[表5]
在所述金属以Cu为主体，IDT电极的规格化膜厚以及SiO2膜的规格化膜厚以及LiNbO3的欧拉角在表1所示的各组合的范围内的情况下，按照本发明，能够有效地抑制不希望的乱真信号。
更优选的是，所述IDT电极的规格化膜厚(％)、SiO2膜的规格化膜厚(％)以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表6所示的各组合的范围内。
[表6]
在IDT电极以及SiO2膜的规格化膜厚以及欧拉角在表6所示的各组合的范围内的情况下，能够更加有效地抑制不希望的乱真信号。
在本发明相关的声表面波装置中，优选的是，所述金属以Ta为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚(％)、所述SiO2膜的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚(％)、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表7所示的各组合的范围内。
[表7]
在所述金属以Ta为主体，IDT电极的规格化膜厚以及SiO2膜的规格化膜厚以及LiNbO3的欧拉角在表1所示的各组合的范围内的情况下，按照本发明，能够有效地抑制不希望的乱真信号。
更优选的是，所述IDT电极的规格化膜厚(％)、SiO2膜的规格化膜厚(％)以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ(度)在下述表8所示的各组合的范围内。
[表8]
在IDT电极以及SiO2膜的规格化膜厚以及欧拉角在表8所示的各组合的范围内的情况下，按照本发明，能够更加有效地抑制不希望的乱真信号。
(发明效果)
在本发明相关的声表面波装置中，在压电基板的上表面所形成的多个沟槽中填充金属来形成IDT电极，按照覆盖压电基板和IDT电极的方式形成上表面平坦的SiO2层。因此，通过SiO2层，能够改善频率温度系数，并且因为SiO2膜的上表面被平坦化，所以SiO2膜的形成所引起的插入损耗的增大不易发生。
此外，IDT电极被填充在沟槽中而形成，IDT电极的反射系数不易受到SiO2层的影响，所以能够获得足够的反射系数。而且，利用基于瑞利波的响应，使用上述特定的欧拉角的LiNbO3基板作为压电基板，所以如从后述的实施例明了的那样，能够有效抑制主响应的衰减极附近出现的波纹(ripple)，能够获得良好的频率特性。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式相关的声表面波装置的示意性正面剖面图。
图2是本发明的一个实施方式相关的声表面波装置的示意性俯视图。
图3(a)～(e)是用于说明实施方式的声表面波装置的制造方法的各示意性正面剖面图。
图4是表示使用欧拉角的θ为218°的LiNbO3基板，使电极材料以及电极的规格化膜厚H/λ×100(％)变化时的瑞利波的机电耦合系数的变化的图。
图5是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4(％)的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图6是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4(％)的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图7是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚8％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图8是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚8％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图9是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚12％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图10是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚12％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图11是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚16％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图12是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚16％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图13是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚20％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图14是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚20％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图15是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚24％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图16是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚24％的Al构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图17是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚2％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图18是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚2％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图19是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚3％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图20是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚3％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图21是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚3.5％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图22是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚3.5％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图23是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图24是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4％的Au构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图25是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚2％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图26是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚2％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图27是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图28是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图29是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚6％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图30是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚6％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图31是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚8％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图32是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚8％的Cu构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图33是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚2％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图34是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚2％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图35是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚3％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图36是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚3％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图37是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图38是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚4％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
图39是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚5％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的瑞利波的机电耦合系数KR 2和欧拉角的θ的关系的图。
图40是表示在(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板上形成沟槽，形成由规格化膜厚5％的Ta构成的IDT电极，形成各种膜厚的SiO2层时的SH波的机电耦合系数KSH 2和欧拉角的θ的关系的图。
符号说明：
1…LiNbO3基板； 1a…上表面
1b…沟槽 2…光致抗蚀剂(photoresist)
2A…光致抗蚀剂图案 3…IDT电极
4…SiO2层 11…声表面波装置
12、13…反射器
具体实施方式
以下，边参照附图，边说明本发明的具体实施方式，据此使本发明变得明朗。
图1是用于说明本发明的一个实施方式相关的声表面波装置的示意性正面剖面图。图2是本发明的一个实施方式相关的声表面波装置的示意性俯视图。
如图2所示，声表面波装置11具有LiNbO3基板1。在该LiNbO3基板1的上表面，形成了图1所示的多个沟槽1b。在该沟槽1b中，通过填充金属的方式，形成了IDT电极3。
即，IDT电极3是通过将金属埋入沟槽1b使得其上表面与LiNbO3基板1的上表面成为大致一个面的方式而被形成的。
如图2所示，在IDT电极3的表面波传播方向两侧，配置了反射器12、13。反射器12、13也和IDT电极3同样地，通过在LiNbO3基板1的上表面形成多个沟槽，在该沟槽中填充金属的方式而被形成。因此，即使形成了上述电极3以及反射器12、13之后LiNbO3基板1的上表面也被平坦化。
如图1和图2所示，按照覆盖LiNbO3基板1和IDT电极3、反射器12、13的方式，形成了SiO2层4。
经过图3(a)～(e)所示的工序，能够获得声表面波装置1。即，如图3(a)和(b)所示，在LiNbO3基板1上，在整个面形成光致抗蚀剂2之后，通过光刻法(photolithography)将光致抗蚀剂2图案化，形成光致抗蚀剂图案2A。其次，如图3(c)所示，进行蚀刻(etching)来形成沟槽1b。然后，如图3(d)所示，使金属以给定的厚度成膜，埋入金属以填充沟槽1b，形成IDT电极3。该金属的厚度与沟槽1b的深度相同。其次，如图3(e)所示，通过提离(lift-off)去除光致抗蚀剂图案2a以及其上的金属。然后，通过由蒸镀法或溅射法等适当的成膜方法使SiO2层4成膜，能够形成如图1所示的上表面平坦的SiO2层4。
本实施方式的声表面波装置11的特征在于，使用了基于瑞利波的响应来作为所利用的表面波，并且LiNbO3基板的欧拉角在(0°±5°，180°～247°，0°±5°)的范围，据此，能够有效地抑制主响应附近出现的乱真信号。如前所述，在专利文献2所述的声表面波装置中，在主响应附近出现了较大的乱真信号。因此，本申请发明人对该问题进一步研讨的结果，偶然发现通过使用欧拉角在上述特定范围的LiNbO3基板，有效地抑制了该主响应附近的乱真信号。即，通过使用上述特定的欧拉角的LiNbO3基板能够抑制上述乱真信号，并不是基于预期获得这样的效果的实验而得到的结果，而是本申请发明人偶然发现的结果。
以下根据具体的实验例说明通过使LiNbO3基板的欧拉角处于上述特定的范围能有效地抑制乱真信号。
准备欧拉角为(0°，218°，0°)的LiNbO3基板作为LiNbO3基板1，如图1和图2所示，通过在多个沟槽中埋入Au、Ta、Cu或Al，形成IDT电极和反射器，进而形成SiO2层。此时，使各种电极膜厚不同，对于SiO2膜的膜厚为h/λ＝25％。在图4中表示这样获得的各声表面波装置中的瑞利波的机电耦合系数KR 2的变化。
图4的横轴表示IDT电极的规格化膜厚h/λ×100(％)。顺便说，h表示IDT电极的膜厚，λ表示瑞利波的波长。
从图4可以明确地知道，不论使用任何金属，如果电极的规格化膜厚变大，则瑞利波的机电耦合系数KR 2变大。而且，知道瑞利波的主响应机电耦合系数KR 2高至0.1以上，因此能够获得足够大小的响应。
此外，本申请发明人发现在利用上述瑞利波时，在主响应附近出现乱真信号是SH波被激发而由该SH波的响应所引起的信号。
在下列条件下制作多个声表面波装置，即：使用各种欧拉角的Y切割X传播的LiNbO3基板，使用Al作为电极材料，使电极的规格化膜厚h/λ在4％～24％的范围变化，使SiO2层的规格化膜厚h/λ在20％～35％的范围变化。对于这些声表面波装置，对于瑞利波的机电耦合系数KR 2和瑞利波的主响应，求出成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2。在图5～图16表示结果。
图5表示由Al构成的IDT电极的规格化膜厚(％)为4％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2，图6表示SH波的机电耦合系数KSH 2。
从图5和图6可以明确地知道，由Al构成的IDT电极的规格化膜厚为4％时，如果欧拉角的θ在201°～235°的范围，则瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2根据SiO2膜厚而变化并包含0.08以上的范围，如果欧拉角的θ在188°～240°的范围，则成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2根据SiO2膜厚而变化并包含小于0.02的范围。
此外，图7和图8是表示由Al构成的IDT电极的规格化膜厚H/λ为8％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图9和图10是表示由Al构成的IDT电极的规格化膜厚为12％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图11和图12是表示由Al构成的IDT电极的规格化膜厚为16％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图13和图14是表示由Al构成的IDT电极的规格化膜厚为20％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图15和图16是表示由Al构成的IDT电极的规格化膜厚为24％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
从图5～图16可以明确地知道，如果Al膜的规格化膜厚在4％～24％的范围内、SiO2膜的规格化膜厚在20～35％的范围内，则与其膜厚无关，欧拉角的θ在210～230°的范围内，瑞利波的机电耦合系数KR 2达到最大值，与该最大值时的欧拉角的θ相比，欧拉角的θ变小时机电耦合系数KR 2变小，与该最大值时的欧拉角的θ相比，欧拉角的θ变大时机电耦合系数KR 2同样变小。
此外，可知对于成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2而言，相反地在欧拉角的θ处于200～230°的范围内存在取得最小值的点。
而且，从图5～图16的结果可知，瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2比0.08大、处于获得足够的响应的范围，成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.02时的欧拉角的θ能够在下述表9所示的组合的情况下被实现。而且知道，使作为主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大、且使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2在小于0.02的范围，如下述表9所示地选择欧拉角的θ即可。
此外，在主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大的情况下，制作声表面波谐振器、声表面波滤波器装置时，能够获得良好的谐振特性或滤波特性。另一方面，SH波的机电耦合系数KSH 2变为0.02以上时，不能无视SH波引起的乱真信号，谐振特性或滤波特性恶化。
因此，如果如表9所示地选择由Al构成的IDT电极的规格化膜厚(％)范围、SiO2膜的规格化膜厚(％)范围、在表9的右端的栏中所示的欧拉角的θ(度)的范围的组合，则能够使所利用的瑞利波的主响应的机电耦合系数在0.08以上，能够获得足够的响应，并且能够使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数小于0.02，能够有效地抑制乱真信号的影响。
据此，从图5～图16以及表9可以明确，如果使欧拉角的θ在180°～247°的范围，则通过选择IDT电极的规格化膜厚和SiO2的规格化膜厚，能够使所利用的瑞利波的机电耦合系数KR 2变得足够大，另一方面能够使SH波的机电耦合系数KSH 2变小，因此能够有效地抑制基于SH波的乱真信号。
[表9]
此外，如下述表10所示可知，更优选的使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.01的范围，通过采用下述的表10所示的范围内的组合即可获得。
[表10]
其次，在下列条件下制作多个声表面波装置，即：使用各种欧拉角的Y切割X传播的LiNbO3基板，使用Au作为电极材料，使电极的规格化膜厚h/λ(％)在2％～4％的范围变化，使SiO2层的规格化膜厚h/λ在20％～40％的范围变化。对于这些声表面波装置，对于瑞利波的机电耦合系数KR 2和瑞利波的主响应，求出成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2。在图17～图24中表示结果。
图17表示由Au构成的IDT电极的规格化膜厚(％)为2％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2，图18表示SH波的机电耦合系数KSH 2。
从图17和图18可以明确地知道，由Au构成的IDT电极的规格化膜厚为2％时，如果欧拉角的θ在208°～228°的范围，则瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2根据SiO2膜厚而变化并包含0.08以上的范围，如果欧拉角的θ在203°～227°的范围，则成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2根据SiO2膜厚而变化并包含小于0.02的范围。
此外，图19和图20是表示由Au构成的IDT电极的规格化膜厚H/λ为3％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图21和图22是表示由Au构成的IDT电极的规格化膜厚为3.5％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图23和图24是表示由Au构成的IDT电极的规格化膜厚为4％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
从图17～图24可以明确地知道，如果Au膜的规格化膜厚在2％～4％的范围内、SiO2膜的规格化膜厚在20％～40％的范围内，则与其膜厚无关，欧拉角的θ在208～228°的范围内，瑞利波的机电耦合系数KR 2达到最大值，欧拉角的θ变小时机电耦合系数KR 2变小，与该最大值时的欧拉角的θ相比，欧拉角的θ变大时机电耦合系数KR 2同样变小。
此外，可知对于成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2而言，相反地在欧拉角的θ处于200～230°的范围内存在取得最小值的点。
而且，从图17～图24的结果可知，瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2比0.08大、处于获得足够的响应的范围，成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.02时的欧拉角的θ能够在下述表11所示的组合的情况下被实现。而且知道，作为主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大、且成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.02的范围，通过如下述表11所示地选择欧拉角的θ即可获得。
并且，在主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大的情况下，制作声表面波谐振器、声表面波滤波器装置时，能够获得良好的谐振特性或滤波特性。另一方面，SH波的机电耦合系数KSH 2变为0.02以上时，不能无视SH波引起的乱真信号，谐振特性或滤波特性恶化。
因此，如果如表11所示地选择由Au构成的IDT电极的规格化膜厚(％)范围、SiO2膜的规格化膜厚(％)范围、在表11的右端的栏中所示的欧拉角的θ(度)的范围的组合，则能够使所利用的瑞利波的主响应的机电耦合系数在0.08以上，能够获得足够的响应，并且能够使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数小于0.02，能够有效地抑制乱真信号的影响。
据此，从图17～图24以及表11可以明确，如果使欧拉角的θ在208°～225°的范围，则通过选择IDT电极的规格化膜厚和SiO2的规格化膜厚，能够使所利用的瑞利波的机电耦合系数KR 2变得足够大，另一方面能够使SH波的机电耦合系数KSH 2变小，因此能够有效地抑制基于SH波的乱真信号。
[表11]
此外，如下述表12所示可知，更优选的使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.01的范围，通过使欧拉角的θ在210°～225°的范围、使欧拉角的θ、SiO2的规格化膜厚(％)、以及IDT电极的规格化膜厚(％)可以是下述的表12所示的范围内的组合即可获得。
[表12]
其次，在下列条件下制作多个声表面波装置，即：使用各种欧拉角的Y切割X传播的LiNbO3基板，使用Cu作为电极材料，使电极的规格化膜厚h/λ(％)在2％～8％的范围变化，使SiO2膜的规格化膜厚h/λ在20％～40％的范围变化。对于这些声表面波装置，对于瑞利波的机电耦合系数KR 2和瑞利波的主响应，求出成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2。在图25～图32中表示结果。
图25表示由Cu构成的IDT电极的规格化膜厚(％)为2％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2，图26表示SH波的机电耦合系数KSH 2。
从图25和图26可以明确地知道，由Cu构成的IDT电极的规格化膜厚为2％时，如果欧拉角的θ在208°～228°的范围，则瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2根据SiO2膜厚而变化并包含0.08以上的范围，如果欧拉角的θ在202°～228°的范围，则成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2根据SiO2膜厚而变化并包含小于0.02的范围。
此外，图27和图28是表示由Cu构成的IDT电极的规格化膜厚H/λ为4％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图29和图30是表示由Cu构成的IDT电极的规格化膜厚为6％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图31和图32是表示由Cu构成的IDT电极的规格化膜厚为8％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
从图25～图32可以明确地知道，如果Cu膜的规格化膜厚在2％～8％的范围内、SiO2膜的规格化膜厚在20～40％的范围内，则与其膜厚无关，欧拉角的θ在208～228°的范围内，瑞利波的机电耦合系数KR 2达到最大值，欧拉角的θ变小时机电耦合系数KR 2变小，与该最大值时的欧拉角的θ相比，欧拉角的θ变大时机电耦合系数KR 2同样变小。
此外，可知对于成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2而言，相反地在欧拉角的θ处于202～228°的范围内存在取得最小值的点。
而且，从图25～图32的结果可知，瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2比0.08大、处于获得足够的响应的范围，成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.02时的欧拉角的θ能够在下述表13所示的组合的情况下被实现。而且知道，作为主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大、且成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.02的范围，通过如下述表13所示地选择欧拉角的θ即可获得。
并且，在主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大的情况下，制作声表面波谐振器、声表面波滤波器装置时，能够获得良好的谐振特性或滤波特性。另一方面，SH波的机电耦合系数KSH 2变为0.02以上时，不能无视SH波引起的乱真信号，谐振特性或滤波特性恶化。
因此，如果如表13所示地选择由Cu构成的IDT电极的规格化膜厚(％)范围、SiO2膜的规格化膜厚(％)范围、在表13的右端的栏中所示的欧拉角的θ(度)的范围的组合，则能够使所利用的瑞利波的主响应的机电耦合系数在0.08以上，能够获得足够的响应，并且能够使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数小于0.02，能够有效地抑制乱真信号的影响。
据此，从图25～图32以及表13可以明确，如果使欧拉角的θ在204°～228°的范围，则通过选择IDT电极的规格化膜厚和SiO2的规格化膜厚，能够使所利用的瑞利波的机电耦合系数KR 2变得足够大，另一方面能够使SH波的机电耦合系数KSH 2变小，因此能够有效地抑制基于SH波的乱真信号。
[表13]
此外，如下述表14所示可知，更优选的使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.01的范围，通过使欧拉角的θ在204°～226°的范围、使欧拉角的θ、SiO2的规格化膜厚(％)、以及IDT电极的规格化膜厚(％)采用下述的表14所示的范围内的组合即可获得。
[表14]
其次，在下列条件下制作多个声表面波装置，即：使用各种欧拉角的Y切割X传播的LiNbO3基板，使用Ta作为电极材料，使电极的规格化膜厚h/λ(％)在2％～5％的范围变化，使SiO2层的规格化膜厚h/λ在20％～35％的范围变化。对于这些声表面波装置，对于瑞利波的机电耦合系数KR 2和瑞利波的主响应，求出成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2。在图33～图40中表示结果。
图33表示由Ta构成的IDT电极的规格化膜厚(％)为2％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2，图34表示SH波的机电耦合系数KSH 2。
从图33和图34可以明确地知道，由Ta构成的IDT电极的规格化膜厚为2％时，如果欧拉角的θ在208°～228°的范围，则瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2根据SiO2膜厚而变化并包含0.08以上的范围，如果欧拉角的θ在204°～226°的范围，则成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2根据SiO2膜厚而变化并包含小于0.02的范围。
此外，图35和图36是表示由Ta构成的IDT电极的规格化膜厚H/λ为3％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图37和图38是表示由Ta构成的IDT电极的规格化膜厚为4％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
图39和图40是表示由Ta构成的IDT电极的规格化膜厚为5％时的瑞利波的机电耦合系数KR 2以及SH波的机电耦合系数KSH 2、欧拉角的θ、SiO2膜的规格化膜厚的关系的图。
从图33～图40可以明确地知道，如果Ta膜的规格化膜厚在2％～5％的范围内、SiO2膜的规格化膜厚在20％～35％的范围内，则与其膜厚无关，欧拉角的θ在208～228°的范围内，瑞利波的机电耦合系数KR 2达到最大值，欧拉角的θ变小时机电耦合系数KR 2变小，与该最大值时的欧拉角的θ相比，欧拉角的θ变大时机电耦合系数KR 2同样变小。
此外，可知对于成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2而言，相反地在欧拉角的θ处于202～228°的范围内存在取得最小值的点。
而且，从图33～图40的结果可知，瑞利波的主响应的机电耦合系数KR 2比0.08大、处于获得足够的响应的范围，成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.02时的欧拉角的θ能够在下述表15所示的组合的情况下被实现。而且知道，作为主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大、且成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.02的范围，通过如下述表15所示地选择欧拉角的θ即可获得。
并且，在主响应的瑞利波的机电耦合系数KR 2比0.08大的情况下，制作声表面波谐振器、声表面波滤波器装置时，能够获得良好的谐振特性或滤波特性。另一方面，SH波的机电耦合系数KSH 2变为0.02以上时，不能无视SH波引起的乱真信号，谐振特性或滤波特性恶化。
因此，如果如表15所示地选择由Ta构成的IDT电极的规格化膜厚(％)范围、SiO2膜的规格化膜厚(％)范围、在表15的右端的栏中所示的欧拉角的θ(度)的范围的组合，则能够使所利用的瑞利波的主响应的机电耦合系数在0.08以上，能够获得足够的响应，并且能够使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数小于0.02，能够有效地抑制乱真信号的影响。
据此，从图33～图40以及表15可以明确，如果使欧拉角的θ在206°～226°的范围，则通过选择IDT电极的规格化膜厚和SiO2的规格化膜厚，能够使所利用的瑞利波的机电耦合系数KR 2变得足够大，另一方面能够使SH波的机电耦合系数KSH 2变小，因此能够有效地抑制基于SH波的乱真信号。
[表15]
此外，如下述表16所示可知，更优选的使成为乱真信号的SH波的机电耦合系数KSH 2小于0.01的范围，通过使欧拉角的θ在208°～224°的范围，使欧拉角的θ、SiO2的规格化膜厚(％)、以及IDT电极的规格化膜厚(％)采用下述的表16所示的范围内的组合即可获得。
[表16]
另外，在上述各实施方式中，使用(0°，θ，0°)的欧拉角的LiNbO3基板进行了实验，但是对于欧拉角的φ以及ψ，不一定限定于0°，只要在0°±5°的范围，就可以获得与上述实验例同样的结果。因此，在本发明中。只要LiNbO3基板的欧拉角在(0°±5°，108°～247°，0°±5°)的范围即可。
此外，在上述各实施方式中，IDT电极3由Al、Au、Cu或Ta形成，但是只要是以Al、Au、Cu或Ta为主体就可，不限定于此。也可以由以Al、Au、Cu或Ta为主成分的合金来形成IDT电极3。此外，以Al为主体的金属可以是包含以Al、Au、Cu或Ta为主体的金属膜和由比Al密度高的金属或合金构成的金属膜的层叠金属膜。作为这样的比Al密度高的金属或合金，可以列举Ti、Ni、Cr、NiCr、AlCu等，此外也可以使用在以Al、Au、Cu或Ta为主体的金属膜上层叠Al或以Al为主体的合金的层叠金属膜。
Claims (16)
1.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Al为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表1所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表1]
2.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Al为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表2所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表2]
3.根据权利要求1或2所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是Al或以Al为主体的合金。
4.根据权利要求1或2所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是在Al或以Al为主体的合金上，层叠了以从Ti、Ni、Cr、NiCr、Al以及AlCu所构成的组中选出的一种金属作为主体的合金而构成的层叠金属膜。
5.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Au为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表3所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表3]
6.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Au为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表4所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表4]
7.根据权利要求5或6所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是Au或以Au为主体的合金。
8.根据权利要求5或6所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是在Au或以Au为主体的合金上，层叠了以从Ti、Ni、Cr、NiCr、Al以及AlCu所构成的组中选出的一种金属作为主体的合金而构成的层叠金属膜。
9.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Cu为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表5所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表5]
10.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Cu为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表6所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表6]
11.根据权利要求9或10所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是Cu或以Cu为主体的合金。
12.根据权利要求9或10所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是在Cu或以Cu为主体的合金上，层叠了以从Ti、Ni、Cr、NiCr、Al以及AlCu所构成的组中选出的一种金属作为主体的合金而构成的层叠金属膜。
13.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Ta为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表7所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表7]
14.一种声表面波装置，具有：
压电基板，其在上表面形成有多个沟槽；
IDT电极，其通过在所述沟槽中填充金属而形成；和
SiO2层，其形成为覆盖所述压电基板和IDT电极，并且上表面平坦；
该声表面波装置利用了在所述压电基板中激励的瑞利波的响应，
所述金属以Ta为主体，所述IDT电极的以声表面波的波长λ规格化后的规格化膜厚、所述SiO2层的以声表面波波长λ规格化后的规格化膜厚、以及LiNbO3的欧拉角(φ，θ，ψ)的θ在下述表8所示的各组合的范围内，其中，所述规格化膜厚以％来表示，所述θ的单位是度，
[表8]
15.根据权利要求13或14所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是Ta或以Ta为主体的合金。
16.根据权利要求13或14所述的声表面波装置，其特征在于，
所述金属是在Ta或以Ta为主体的合金上，层叠了以从Ti、Ni、Cr、NiCr、Al以及AlCu所构成的组中选出的一种金属作为主体的合金而构成的层叠金属膜。
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