DE112007001609T5 - Oberflächenschallwellenvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Oberflächenschallwellenvorrichtung, umfassend:
– ein piezoelektrisches Substrat mit mehreren Rinnen, die in einer Oberseite des Substrats ausgebildet sind;
– eine IDT-Elektrode, die durch Füllen der Rinnen mit einem Metall gebildet wird; und
– eine SiO2-Schicht, die das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektrode bedeckt und eine flache Oberseite aufweist,
– wobei die Vorrichtung ein Echo einer Rayleigh-Welle verwendet, die in dem piezoelektrischen Substrat angeregt wird, und das piezoelektrische Substrat ein LiNbO3-Substrat mit Euler-Winkeln (0° ± 5°, 180° bis 247°, 0° ± 5°) ist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Oberflächenschallwellenvorrichtung, die ein piezoelektrisches Substrat, eine IDT-Elektrode und einen SiO2-Film, der das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektrode bedeckt, enthält. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Oberflächenschallwellenvorrichtung, die eine IDT-Elektrode enthält, die durch das Füllen von Rinnen, die in der Oberseite eines piezoelektrischen Substrats ausgebildet sind, mit einem Metall gebildet wird.
  • STAND DER TECHNIK
  • Duplexer (DPX) und HF-Filter, die für mobile Kommunikationssysteme wie zum Beispiel Mobiltelefone verwendet werden, müssen eine Breitbandcharakteristik und eine gute Temperaturcharakteristik aufweisen.
  • Oberflächenschallwellenvorrichtungen sind häufig als DPXs und HF-Filter verwendet worden.
  • Oberflächenschallwellenvorrichtungen, die in solchen Anwendungen verwendet werden, enthalten in der Regel ein piezoelektrisches Substrat aus LiTaO3, LiNbO3 oder dergleichen und eine darauf befindliche IDT-Elektrode. LiTaO3 und LiNbO3 haben negative Werte eines Resonanzfrequenz-Temperaturkoeffizienten (TCF). Um diese Temperaturcharakteristik zu verbessern, ist eine Technik bekannt, bei der ein SiO2-Film mit einem positiven Resonanzfrequenz-Temperaturkoeffizienten auf einem piezoelektrischen Substrat abgeschieden wird, um eine IDT-Elektrode zu bedecken.
  • Allerdings bringt diese Technik einen Höhenunterschied des SiO2-Films zwischen einem Abschnitt mit Zinken einer IDT-Elektrode und einem Abschnitt ohne die Zinken der IDT-Elektrode hervor. Unregelmäßigkeiten durch den Höhenunterschied führen zu einem Ansteigen des Einfügungsverlusts.
  • Um dieses Problem zu lösen, offenbart unten genannte Patentdokument 1 ein Verfahren, welches das Bilden einer ersten Isolatorschicht, welche die gleiche Filmdicke wie eine IDT-Elektrode aufweist, zwischen Zinken der IDT-Elektrode sowie das Bilden eines SiO2-Films, der die IDT-Elektrode und die erste Isolatorschicht bedeckt, enthält. Bei dem Verfahren hat der SiO2-Film eine flache Oberfläche, da der SiO2-Film auf einer flachen Basis gebildet wird. Die IDT-Elektrode der Oberflächenschallwellenvorrichtung in Patentdokument 1 besteht aus einem Metall mit einer höheren Dichte als Al oder einer Legierung, die hauptsächlich das Metall enthält, oder einem Mehrschichtfilm, der ein Metall mit einer höheren Dichte als Al oder eine Legierung, die hauptsächlich das Metall und ein anderes Metall enthält, enthält. Die IDT-Elektrode hat eine mindestens 1,5-mal höhere Dichte als die erste Isolatorschicht.
  • Da die Elektrode der Oberflächenschallwellenvorrichtung in Patentdokument 1 hauptsächlich ein Metall enthält, das schwerer als Al ist, kommt es im Allgemeinen zu großen Unterschieden bei der Geschwindigkeit und Frequenz von Schallwellen, die von Unterschieden in der Dicke der Elektrode abhängen. Im Gegensatz dazu hat eine aus Al bestehende Elektrode einen sehr kleinen Reflexionskoeffizienten und kann keine Charakteristik besitzen, die für Oberflächenschallwellenresonatoren und Oberflächenschallwellenfilter ausreichend gut ist.
  • Um dieses Problem zu lösen, offenbart das unten genannte Patentdokument 2 eine Konfiguration, die ein piezoelektrisches Substrat aus LiTaO3 oder LiNbO3 mit mehreren Rinnen, die in der Oberseite ausgebildet sind, und eine IDT-Elektrode, die durch Füllen der Rinnen mit dem Metall Al gebildet wird, enthält. Eine Oberflächenschallwellenvorrichtung von Patentdokument 2 hat eine IDT-Elektrode, die durch Füllen von Rinnen mit Metall gebildet wird, und einen SiO2-Film, der die IDT-Elektrode bedeckt. Patentdokument 2 besagt, daß der SiO2-Film auf einer flachen Basis gebildet wird, weshalb der SiO2-Film eine flache Oberfläche haben kann.
  • Patentdokument 2 besagt auch, daß bevorzugt LiTaO3-Substrate mit bestimmten Euler-Winkeln und LiNbO3-Substrate mit Euler-Winkeln (0°, 85° bis 120°, 0°), (0°, 125° bis 141°, 0°), (0°, 145° bis 164°, 0°) oder (0°, 160° bis 180°, 0°) verwendet werden, und besonders bevorzugt LiNbO3-Substrate mit Euler-Winkeln (0°, 90° bis 110°, 0°), (0°, 125° bis 136°, 0°), (0° 149° bis 159°, 0°) oder (0°, 165° bis 175°, 0°) verwendet werden.
    • Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung, Veröffentlichungsnummer 2004-112748
    • Patentdokument 2: WO 2006/011417 A1
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Konfiguration, die dafür ausgelegt ist, eine verbesserte Resonanzfrequenz-Temperaturcharakteristik aufzuweisen, und die durch Anordnen eines SiO2-Films auf einer aus Al hergestellten IDT-Elektrode gebildet wird, besitzt einen kleinen Reflexionskoeffizienten, wie oben beschrieben, und weist im Allgemeinen eine unzureichend geeignete Charakteristik auf. Im Gegensatz dazu wird bei der Konfiguration in Patentdokument 2 eine IDT-Elektrode durch Füllen von Rinnen, die in einem piezoelektrischen Substrat ausgebildet sind, mit Al gebildet, weshalb die Elektrode einen ausreichend hohen Reflexionskoeffizienten hat. Die Konfiguration hat auch einen SiO2-Film und weist somit eine verbesserte Resonanzfrequenz- Temperaturcharakteristik auf. Der SiO2-Film hat eine flache Oberfläche, und somit kommt es nur zu einem vernachlässigbaren Anstieg der Einfügungsverlustes.
  • Jedoch haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung festgestellt, daß, wenn ein Echo einer Rayleigh-Welle bei der Oberflächenschallwellenvorrichtung, die ein LiNbO3-Substrat enthält, gemäß Patentdokument 2 genutzt wird, ein starkes Störecho nahe einem Dämpfungspol eines verwendeten Hauptechos auftritt. Somit kann das Störecho möglicherweise die Filtercharakteristik, die Resonanzcharakteristik und dergleichen verschlechtern.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Oberflächenschallwellenvorrichtung, welche die Nachteile der existierenden Techniken überwindet, eine verbesserte Resonanzfrequenz-Temperaturcharakteristik aufweisen kann, weil sie einen SiO2-Film hat, lediglich einen vernachlässigbaren Anstieg der Einfügungsverluste verursacht, eine Elektrode mit einem ausreichend hohen Reflexionskoeffizienten hat und die unerwünschten Störechos unterdrücken kann, wodurch sie eine bessere Resonanzcharakteristik und Filtercharakteristik aufweist.
  • Eine Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält ein piezoelektrisches Substrat mit mehreren Rinnen, die in einer Oberseite des Substrat ausgebildet sind; eine IDT-Elektrode, die durch Füllen der Rinnen mit einem Metall gebildet wird; und eine SiO2-Schicht, die das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektrode bedeckt und eine flache Oberseite aufweist, wobei die Vorrichtung ein Echo einer Rayleigh-Welle verwendet, die in dem piezoelektrischen Substrat angeregt wurde, und das piezoelektrische Substrat ein LiNbO3-Substrat mit Euler-Winkeln (0° ± 5°, 180° bis 247°, 0° ± 5°) ist.
  • Für das Metall gelten keine besonderen Einschränkungen, aber ein bevorzugtes Metall enthält hauptsächlich ein Metall, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht. Al, Au, Ta und Cu werden häufig zum Bilden von IDT-Elektroden von Oberflächenschallwellenvorrichtungen verwendet. Eine Elektrode, die durch Füllen von Rinnen, die in einem piezoelektrischen Substrat ausgebildet sind, mit einem der Metalle gebildet wird, hat einen ausreichend hohen Reflexionskoeffizienten.
  • Das Metall, das hauptsächlich ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, kann ein einziges Metall sein, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, oder eine Legierung, die hauptsächlich das eine Metall enthält. Alternativ kann das Metall, das hauptsächlich ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, ein Mehrschichtmetallfilm sein. Ein solcher Mehrschichtmetallfilm enthält zum Beispiel ein Metall, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, oder eine Legierung, die hauptsächlich das eine Metall enthält; und eine darauf angeordnete Legierung, die hauptsächlich ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ti, Ni, Cr, NiCr, Al und AlCu besteht.
  • Bei einer Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß das Metall hauptsächlich Al enthält und daß eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 1 unten angegeben sind: [Tabelle 1]
    IDT-Elektrode (die hauptsächlich Al enthält) 2% < h/λ ≦ 6% Dicke des SiO2-Films θ(°), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~228
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 201~235
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~229
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225
    6% < h/λ ≦ 10% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 205~231
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 204~232
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 202~231
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 202~232
    10% < h/λ ≦ 14% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 197~239
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 198~238
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 194~236
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 197~233
    14% < h/λ ≦ 18% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 187~243
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~242
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 181~247
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 188~236
    18% < h/λ ≦ 22% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~242
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 182~246
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 184~238
    32.5% < h/λ ≦ 537.5% 208~212
    22% < h/λ ≦ 26% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~243
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~240
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 191~227
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung können, wenn das Metall hauptsächlich Al enthält und die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 1 angegeben sind, unerwünschte Störechos wirksam unterdrückt werden.
  • Besonders bevorzugt liegen die normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination, die in Tabelle 2 unten angegeben sind: [Tabelle 2]
    IDT-Elektrode (die hauptsächlich Al enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,01 erreichen
    2% < h/λ ≦ 6% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~228
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 201~235
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~225
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225
    6% < h/λ ≦ 10% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 205~231
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 204~232
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~226
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 202~228
    10% < h/λ ≦ 14% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 197~239
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 198~238
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 200~230
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 197~233
    14% < h/λ ≦ 18% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 187~243
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~242
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 181~247
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 188~236
    18% < h/λ ≦ 22% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~242
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 182~246
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 184~238
    32.5% < h/λ ≦ 537.5% 208~212
    22% < h/λ ≦ 26% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~243
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~240
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 191~227
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
  • Wenn die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 2 angegeben sind, so können unerwünschte Störechos noch wirksamer unterdrückt werden.
  • Bei einer Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß das Metall hauptsächlich Au enthält und daß eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 3 unten angegeben ist: [Tabelle 3]
    Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Au enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen
    1.5% < h/λ 52.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~224
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
    2.5% < h/λ ≦ 3.25% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 209~221
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~223
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~224
    3.25% < h/λ ≦ 3.75% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,020
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,020
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,020
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~224
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung können, wenn das Metall hauptsächlich Au enthält und die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 1 angegeben sind, unerwünschte Störechos wirksam unterdrückt werden.
  • Besonders bevorzugt liegen die normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films und θ(°) von Euler-Winkeln (ψ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination, die in Tabelle 4 unten angegeben sind: [Tabelle 4]
    Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Au enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,01 erreichen
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~224
    1.5% < h/λ ϕ 52.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 211~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 210~224
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
    2.5% < h/λ ϕ 3.25% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 214~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,01
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 214~218
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~223
    3.25% < h/λ ϕ 3.75% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,01
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,01
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,01
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,01
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~222
  • Wenn die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 4 angegeben sind, so können unerwünschte Störechos noch wirksamer unterdrückt werden.
  • In einer Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß das Metall hauptsächlich Cu enthält und daß eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 5 unten angegeben sind: [Tabelle 5]
    Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Cu enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~225
    1% < h/λ ≦ 3% 22.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~225
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~226
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 214~222
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
    3% h/λ ≦ 5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 207~225
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~226
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~227
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
    5% < h/λ ≦ 7% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~225
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~226
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 204~227
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% 204~228
    7% < h/λ ≦ 9% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~224
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~225
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 205~226
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% 204~228
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung können, wenn das Metall hauptsächlich Cu enthält und die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 1 angegeben sind, unerwünschte Störechos wirksam unterdrückt werden.
  • Besonders bevorzugt liegen die normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination, die in Tabelle 6 unten angegeben sind: [Tabelle 6]
    Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Cu enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,01 erreichen
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222
    1% < h/λ ≦ 3% 22.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 214~222
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
    3% h/λ ≦ 5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~226
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~224
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
    5% < h/λ ≦ 7% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~224
    37.5% < h/λ ≦ 42.5% 204~225
    7% < h/λ ≦ 9% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~221
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 210~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~223
    37.5 < h/λ ≦ 42.5% 208~224
  • Wenn die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 6 angegeben sind, so können unerwünschte Störechos noch wirksamer unterdrückt werden.
  • In einer Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß das Metall hauptsächlich Ta enthält und daß eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge 2 einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 7 unten angegeben sind: [Tabelle 7]
    Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Ta enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~224
    1.5% < h/λ ≦ 2.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~225
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~226
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~224
    2.5% < h/λ ≦ 3.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 206~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 206~224
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~225
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~226
    3.5% < h/λ ≦ 4.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 207~224
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~224
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~226
    4.5% < h/λ ≦ –5.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~223
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 207~223
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~224
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~225
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung können, wenn das Metall hauptsächlich Ta enthält und die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 1 angegeben sind, unerwünschte Störechos wirksam unterdrückt werden.
  • Besonders bevorzugt liegen die normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination, die in Tabelle 8 unten angegeben sind: [Tabelle 8]
    Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Ta enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~222
    5% < h/λ ≦ 2.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~224
    2.5% < h/λ ≦ 3.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~223
    5% < h/λ ≦ 4.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~221
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 210~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~222
    4.5% < h/λ ≦ 5.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 211~221
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 211~221
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~222
  • Wenn die normalisierte Filmdicke der IDT-Elektrode, die normalisierte Filmdicke des SiO2-Films und der Euler-Winkel innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 8 angegeben sind, so können unerwünschte Störechos noch wirksamer unterdrückt werden.
  • VORTEILE
  • Eine Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält ein piezoelektrisches Substrat mit mehreren Rinnen, die in der Oberseite des Substrats ausgebildet sind, eine IDT-Elektrode, die durch Füllen der Rinnen mit einem Metall gebildet wird, und eine SiO2-Schicht, die das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektrode bedeckt und eine flache Oberseite aufweist. Das Vorhandensein der SiO2-Schicht verbessert den Resonanzfrequenz-Temperaturkoeffizienten der Vorrichtung. Da die SiO2-Schicht eine flache Oberseite hat, verursacht der SiO2-Film nur einen vernachlässigbaren Anstieg des Einfügungsverlustes.
  • Da die IDT-Elektrode durch Füllen von Rinnen gebildet wird, beeinflußt die SiO2-Schicht nicht wesentlich den Reflexionskoeffizienten der IDT-Elektrode. Somit weist die IDT-Elektrode einen ausreichend hohen Reflexionskoeffizienten auf. Wie aus Versuchsbeispielen, die später noch beschrieben werden, deutlich wird, werden, da die Oberflächenschallwellenvorrichtung ein Echo einer Rayleigh-Welle verwendet und ein LiNbO3-Substrat mit den speziellen Euler-Winkeln als ein piezoelektrisches Substrat enthält, Oberwellen, die nahe einem Dämpfungspol eines Hauptechos auftreten, wirksam unterdrückt, und es kann eine gute Frequenzcharakteristik erhalten werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische vorderseitige Schnittansicht einer Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine schematische Draufsicht auf eine Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 zeigt schematische vorderseitige Schnittansichten (a) bis (e) zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen einer Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
  • 4 ist ein Kurvendiagramm, das die Änderung des elektromechanischen Koeffizienten von Rayleigh-Wellen zeigt, wenn LiNbO3-Substrate mit einem Euler-Winkel θ von 218° verwendet werden und das Material sowie eine normalisierte Filmdicke H/λ × 100(%) von Elektroden geändert werden.
  • 5 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4(%) haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 6 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4(%) haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 7 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 8% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 8 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 8% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 9 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 12% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 10 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 12% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 11 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 16% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 12 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 16% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 13 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 20% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 14 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 20% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 15 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler- Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 24% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 16 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Al bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 24% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 17 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 2% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 18 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 2% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 19 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 3% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 20 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 3% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 21 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 3,5% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 22 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 3,5% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 23 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 24 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Au bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 25 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 2% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 26 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 2% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 27 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 28 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 29 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 6% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 30 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 6% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 31 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 8% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 32 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Cu bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 8% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 33 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 2% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 34 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 2% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 35 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 3% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 36 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 3% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 37 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 38 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 4% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 39 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 5% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • 40 ist ein Kurvendiagramm, das den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen als eine Funktion des Euler-Winkels θ zeigt, wenn IDT-Elektroden, die aus Ta bestehen und eine normalisierte Filmdicke von 5% haben, mit Rinnen hergestellt sind, die in LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) ausgebildet sind, und SiO2-Schichten mit unterschiedlicher Filmdicke auf den Substraten gebildet sind.
  • BESTE ARTEN DER AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Im Weiteren wird die vorliegende Erfindung anhand der Beschreibung von Ausführungsformen mit Bezug auf die Zeichnungen offenbart.
  • 1 ist eine schematische vorderseitige Schnittansicht einer Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zum Veranschaulichen der Konfiguration der Elektrode. 2 ist eine schematische Draufsicht auf eine Oberflächenschallwellenvorrichtung gemäß der Ausführungsform.
  • Es wird nun auf 2 Bezug genommen, wo eine Oberflächenschallwellenvorrichtung 11 ein LiNbO3-Substrat 1 enthält. Mehrere Rinnen 1b, die in 1 gezeigt sind, sind in der Oberseite des LiNbO3-Substrats 1 ausgebildet. Eine IDT-Elektrode 3 wird durch Füllen der Rinnen 1b mit einem Metall gebildet.
  • Das heißt, die IDT-Elektrode 3 wird durch Füllen der Rinnen 1b mit einem Metall gebildet, dergestalt, daß die Oberseite der IDT-Elektrode 3 im Wesentlichen bündig mit der Oberseite des LiNbO3-Substrats 1 abschließt.
  • Es wird nun auf 2 Bezug genommen, wo Reflektoren 12 und 13 auf beiden Seiten der IDT-Elektrode 3 in der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenschallwelle angeordnet sind. Wie bei der IDT-Elektrode 3, werden auch die Reflektoren 12 und 13 in der Weise hergestellt, daß man mehrere Rinnen in der Oberseite des LiNbO3-Substrats 1 bildet und die Rinnen mit einem Metall füllt. Somit ist die Oberseite des LiNbO3-Substrats 1 flach, selbst nachdem die Elektrode 3 und die Reflektoren 12 und 13 ausgebildet wurden.
  • Es wird nun auf die 1 und 2 Bezug genommen, wo eine SiO2-Schicht 4 gebildet ist, die das LiNbO3-Substrat 1, die IDT-Elektrode 3 und die Reflektoren 12 und 13 bedeckt.
  • Die Oberflächenschallwellenvorrichtung 1 kann durch die in 3(a) bis (e) gezeigten Schritte hergestellt werden. Genauer gesagt, wird, wie in 3(a) und (b) gezeigt, ein Photoresist 2 auf die gesamte Oberfläche des LiNbO3-Substrats 1 aufgebracht und durch Photolithographie strukturiert, um eine Photoresist-Struktur 2A herzustellen. Dann wird, wie in 3(c) gezeigt, das LiNbO3-Substrat 1 geätzt, um Rinnen 1b auszubilden. Danach wird, wie in 3(d) gezeigt, ein Metall auf eine bestimmte Dicke abgeschieden, um die Rinnen 1b mit dem Metall zu füllen und dadurch die IDT-Elektrode 3 zu bilden. Die Dicke des Metalls wird so eingestellt, daß sie der Tiefe der Rinnen 1b entspricht. Wie in 3(e) gezeigt, werden die Photoresist-Struktur 2A und die darauf befindlichen Metallfilme durch Abheben entfernt. Danach wird die SiO2-Schicht 4 durch einen geeigneten Filmherstellungsprozeß, wie zum Beispiel Aufdampfen oder Sputtern, gebildet. Infolge dessen wird die SiO2-Schicht 4 mit einer flachen Oberseite, wie in 1 gezeigt, gebildet.
  • Die Oberflächenschallwellenvorrichtung 11 der Ausführungsform verwendet ein Echo einer Rayleigh-Welle als Oberflächenwellen und enthält ein LiNbO3-Substrat mit Euler-Winkeln im Bereich von (0° ± 5°, 180° bis 247°, 0° ± 5°). Infolge dessen kann ein Störecho, das nahe dem Hauptecho auftritt, wirksam unterdrückt werden.
  • Wie oben beschrieben, tritt, wenn die Oberflächenschallwellenvorrichtung von Patentdokument 2 verwendet wird, ein großes Störecho nahe dem Hauptecho auf. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben weitere Untersuchungen an diesem Phänomen angestellt und hat zufällig herausgefunden, daß das Störecho, das nahe dem Hauptecho auftritt, wirksam unterdrückt werden kann, wenn man ein LiNbO3-Substrat mit Euler-Winkeln in den speziellen Bereichen verwendet. Das heißt, die Erfinder haben nicht mittels Experimenten, bei denen es zu erwarten gewesen wäre, sondern durch Zufall herausgefunden, daß die Verwendung der LiNbO3-Substrate mit den speziellen Euler-Winkeln das Störecho unterdrückt.
  • Im Weiteren wird der Umstand, daß die Verwendung der LiNbO3-Substrate mit Euler-Winkeln in den speziellen Bereichen das Störecho wirksam unterdrückt, mit Bezug auf Versuchsbeispiele genauer beschrieben.
  • Oberflächenschallwellenvorrichtungen wurden hergestellt durch: Herstellen von LiNbO3-Substraten mit Euler-Winkeln (0°, 218°, 0°) als die LiNbO3-Substrate 1; Bilden der IDT-Elektroden und der Reflektoren, wie in 1 und 2 gezeigt, durch Füllen mehrerer Rinnen mit Au, Ta, Cu oder Al; und Bilden der SiO2-Schichten. In diesem Fall wurden die Elektroden so ausgebildet, daß sie eine unterschiedliche Filmdicke aufwiesen, während die SiO2-Filme auf eine Dicke von h/λ = 25% ausgebildet wurden. 4 zeigt die Änderung des elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen in den auf diese Weise erhaltenen Oberflächenschallwellenvorrichtungen.
  • Die Kurvenabszisse in 4 zeigt die normalisierte Filmdicke h/λ × 100(%) einer IDT-Elektrode an, wobei h die Filmdicke der IDT-Elektrode darstellt und λ eine Wellenlänge von Rayleigh-Wellen darstellt.
  • 4 zeigt deutlich, daß der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen allgemein in dem Maße größer wird, wie die normalisierte Filmdicke einer Elektrode aus einem der Metalle zunimmt. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 des Hauptechos, das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufen wird, ist bei 0,1 oder mehr hoch, was zeigt, daß ein ausreichend starkes Echo erhalten werden kann.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben auch herausgefunden, daß, wenn eine Rayleigh-Welle genutzt wird, eine SH-Welle angeregt wird und ein durch die SH-Welle ausgelöstes Echo als Störecho nahe dem Hauptecho auftritt.
  • Es wurden mehrere Oberflächenschallwellenvorrichtungen hergestellt, in denen in Y-Richtung geschnittene, in X-Richtung ausbreitende LiNbO3-Substrate mit unterschiedlichen Euler-Winkeln verwendet wurden, Al zum Herstellen von Elektroden verwendet wurde, die normalisierte Filmdicke h/λ(%) der Elektroden im Bereich von 4% bis 24% verändert wurde und die normalisierte Filmdicke h/λ der SiO2-Schichten im Bereich von 20% bis 35% verändert wurde. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen und der elektromechanische Koeffizient KSH2 von SH-Wellen, die Störechos auf das Hauptecho der Rayleigh-Wellen verursachen, wurden für die Oberflächenschallwellenvorrichtungen gemessen. Die Ergebnisse sind in den 5 bis 16 gezeigt.
  • 5 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen, und 6 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen, wenn die IDT-Elektroden aus Al eine normalisierte Filmdicke (%) von 4% haben.
  • 5 und 6 zeigen deutlich den folgenden Befund, wenn die IDT-Elektroden aus Al eine normalisierte Filmdicke von 4% haben. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 des Hauptechos, das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufen wird, liegt in einem Bereich, der Werte von 0,08 oder mehr enthält, wenn der Euler-Winkel θ im Bereich von 201° bis 235° liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Films abhängen. Der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, liegt in einem Bereich, der Werte kleiner als 0,02 enthält, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 188° bis 240° liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Film abhängen.
  • 7 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 8 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Al eine normalisierte Filmdicke H/λ von 8% haben.
  • 9 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 10 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Al eine normalisierte Filmdicke von 12% haben.
  • 11 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 12 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Al eine normalisierte Filmdicke von 16% haben.
  • 13 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 14 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Al eine normalisierte Filmdicke von 20% haben.
  • 15 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 16 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Al eine normalisierte Filmdicke von 24% haben.
  • Wie aus den 5 bis 16 offensichtlich ist, hat, solange die Al-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 4% bis 24% haben und die SiO2-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 20% bis 35% haben, der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen einen Maximalwert bei einem Euler-Winkel θ im Bereich von 210° bis 230°, ungeachtet der Filmdicke. Des Weiteren wird der elektromechanische Koeffizient KR 2 allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ von dem Winkel, der dem Maximalwert entspricht, kleiner wird; und auch der elektromechanische Koeffizient KR 2 wird allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ von dem Winkel, der dem Maximalwert entspricht, größer wird.
  • Im Gegensatz dazu hat der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen Minimalwert in dem Bereich, in dem der Euler-Winkel θ 200° bis 230° beträgt.
  • Die Ergebnisse in den 5 bis 16 zeigen, daß Kombinationen, die in Tabelle 9 unten angegeben sind, einen Euler-Winkel θ ergeben, bei dem das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, was ein ausreichendes Echo erbringt, und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 haben. Um also das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho mit einem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, mit einem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 zu erreichen, ist der Euler-Winkel θ gemäß Tabelle 9 unten auszuwählen.
  • Oberflächenschallwellenresonatoren oder Oberflächenschallwellenfilter, bei denen das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, weisen eine gute Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik auf. In diesem Fall sind, wenn SH-Wellen einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von 0,02 oder mehr haben, die durch die SH-Wellen verursachten Störechos nicht länger vernachlässigbar und verschlechtern die Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik.
  • Somit weist, wie in Tabelle 9 gezeigt, das durch die verwendeten Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho durch Auswählen einer Kombination eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs der IDT Elektrode aus Al, eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs des SiO2-Films und eines Euler-Winkel θ(°)-Bereichs in der äußerst rechten Spalte in Tabelle 9 einen elektromechanischen Koeffizienten von 0,08 oder mehr auf, wodurch ein ausreichendes Echo erzeugt wird. Darüber hinaus weisen SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten kleiner als 0,02 auf, wodurch wirksam Einflüsse unterdrückt werden, die durch Störechos entstehen.
  • Wie aus den 5 bis 16 und Tabelle 9 zu erkennen ist, kann, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 180° bis 247° liegt, bewirkt werden, daß die verwendeten Rayleigh-Wellen einen ausreichend hohen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 aufweisen, während bewirkt werden kann, daß die SH-Wellen einen kleinen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 aufweisen, indem man eine entsprechende Auswahl der normalisierten Filmdicke der IDT-Elektrode und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films trifft, wodurch die durch die SH-Wellen verursachten Störechos wirksam unterdrückt werden.
  • Figure 00330001
  • Es wird nun auf die nachfolgende Tabelle 10 Bezug genommen. Durch Auswählen einer beliebigen Kombination von Bereichen in Tabelle 10 wird besonders bevorzugt bewirkt, daß SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,01 haben.
  • Figure 00350001
  • Es wurden mehrere Oberflächenschallwellenvorrichtungen hergestellt, bei denen in Y-Richtung geschnittene, in X-Richtung ausbreitende LiNbO3-Substrate mit unterschiedlichen Euler-Winkeln verwendet wurden, Au zum Herstellen von Elektroden verwendet wurde, die normalisierte Filmdicke h/λ(%) der Elektroden im Bereich von 2% bis 4% verändert wurde und die normalisierte Filmdicke h/λ der SiO2-Schichten im Bereich von 20% bis 40% verändert wurde. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen und der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos auf das Hauptecho der Rayleigh-Wellen hervorrufen, wurden für die Oberflächenschallwellenvorrichtungen gemessen. Die Ergebnisse sind in den 17 bis 24 gezeigt.
  • 17 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen, und 18 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen, wenn die IDT-Elektroden aus Au eine normalisierte Filmdicke (%) von 2% haben.
  • Die 17 und 18 zeigen deutlich den folgenden Befund, wenn die IDT-Elektroden aus Au eine normalisierte Filmdicke von 2% haben. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 des durch Rayleigh-Wellen hervorgerufenen Hauptechos liegt in einem Bereich, der Werte von 0,08 oder mehr enthält, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 208° bis 228° liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Films abhängen. Der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, liegt in einem Bereich, der Werte kleiner als 0,02 enthält, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 203° bis 227° Liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Films abhängen.
  • 19 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 20 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Au eine normalisierte Filmdicke H/λ von 3% haben.
  • 21 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 22 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Au eine normalisierte Filmdicke von 3,5% haben.
  • 23 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 24 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Au eine normalisierte Filmdicke von 4% haben.
  • Wie aus den 17 bis 24 zu erkennen ist, hat, solange die Au-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 2% bis 4% haben und die SiO2-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 20% bis 40% haben, der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen einen Maximalwert bei einem Euler-Winkel θ im Bereich von 208° bis 228°, ungeachtet der Filmdicke. Des Weiteren wird der elektromechanische Koeffizient KR 2 allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ kleiner wird, und auch der elektromechanische Koeffizient KR 2 wird allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ von dem Winkel, der dem Maximalwert entspricht, größer wird.
  • Im Gegensatz dazu hat der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen Minimalwert in dem Bereich, in dem der Euler-Winkel θ 200° bis 230° beträgt.
  • Die Ergebnisse in den 17 bis 24 zeigen, daß Kombinationen, die in Tabelle 11 unten angegeben sind, einen Euler-Winkel θ ergeben, bei dem das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, was ein ausreichendes Echo erbringt, und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 haben. Um also das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho mit einem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, mit einem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 zu erreichen, ist der Euler-Winkel θ gemäß Tabelle 11 unten auszuwählen.
  • Oberflächenschallwellenresonatoren oder Oberflächenschallwellenfilter, bei denen das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, weisen eine gute Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik auf. In diesem Fall sind, wenn SH-Wellen einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von 0,02 oder mehr haben, die durch die SH-Wellen verursachten Störechos nicht länger vernachlässigbar und verschlechtern die Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik.
  • Somit, wie in Tabelle 11 gezeigt, weist das durch die verwendeten Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho durch Auswählen eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs der IDT-Elektrode aus Au, eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs des SiO2-Films und eines Euler-Winkel θ(°)-Bereichs in der äußerst rechten Spalte in Tabelle 11 einen elektromechanischen Koeffizienten von 0,08 oder mehr auf, wodurch ein ausreichendes Echo erzeugt wird. Darüber hinaus weisen SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten kleiner als 0,02 auf, wodurch wirksam Einflüsse unterdrückt werden, die durch Störechos entstehen.
  • Wie aus den 17 bis 24 und Tabelle 11 zu erkennen ist, kann, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 208° bis 225° liegt, bewirkt werden, daß die verwendeten Rayleigh-Wellen einen ausreichend hohen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 aufweisen, während bewirkt werden kann, daß SH-Wellen einen kleinen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 aufweisen, indem eine geeignete Auswahl der normalisierten Filmdicke der IDT-Elektrode und der normalisierten Filmdicke des SiO2 getroffen wird, wodurch die durch die SH-Wellen verursachten Störechos wirksam unterdrückt werden.
  • Figure 00400001
  • Es wird nun auf die nachfolgende Tabelle 12 Bezug genommen. Besonders bevorzugt wird bewirkt, daß SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,01 haben, indem der Euler-Winkel θ aus dem Bereich von 210° bis 225° ausgewählt wird und der Euler-Winkel θ, die normalisierte Filmdicke (%) des SiO2 und die normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode aus den Bereichen von Kombinationen in Tabelle 12 ausgewählt werden.
  • Figure 00420001
  • Es wurden mehrere Oberflächenschallwellenvorrichtungen hergestellt, bei denen in Y-Richtung geschnittene, in X-Richtung ausbreitende LiNbO3-Substrate mit unterschiedlichen Euler-Winkeln verwendet wurden, Cu zum Herstellen von Elektroden verwendet wurde, die normalisierte Filmdicke h/λ(%) der Elektroden im Bereich von 2% bis 8% verändert wurde und die normalisierte Filmdicke h/λ der SiO2-Schichten im Bereich von 20% bis 40% verändert wurde. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen und der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos auf das Hauptecho der Rayleigh-Wellen hervorrufen, wurden für die Oberflächenschallwellenvorrichtungen gemessen. Die Ergebnisse sind in den 25 bis 32 gezeigt.
  • 25 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen, und 26 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen, wenn die IDT-Elektroden aus Cu eine normalisierte Filmdicke (%) von 2% haben. 25 und 26 zeigen deutlich den folgenden Befund, wenn die IDT-Elektroden aus Cu eine normalisierte Filmdicke von 2% haben. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 des durch Rayleigh-Wellen hervorgerufenen Hauptechos liegt in einem Bereich, der Werte von 0,08 oder mehr enthält, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 208° bis 228° liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Films abhängen. Der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, liegt in einem Bereich, der Werte kleiner als 0,02 enthält, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 202° bis 228° liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Films abhängen.
  • 27 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 28 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Cu eine normalisierte Filmdicke H/λ von 4% haben.
  • 29 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 30 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Cu eine normalisierte Filmdicke von 6% haben.
  • 31 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 32 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Cu eine normalisierte Filmdicke von 8% haben.
  • Wie aus den 25 bis 32 zu erkennen ist, hat, solange die Cu-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 2% bis 8% haben und die SiO2-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 20% bis 40% haben, der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen einen Maximalwert bei einem Euler-Winkel θ im Bereich von 208° bis 228°, ungeachtet der Filmdicke. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 wird allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ kleiner wird, und der elektromechanische Koeffizient KR 2 wird auch allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ von dem Winkel, der dem Maximalwert entspricht, größer wird.
  • Im Gegensatz dazu hat der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen Minimalwert in dem Bereich, in dem der Euler-Winkel θ 202° bis 228° beträgt.
  • Die Ergebnisse in den 25 bis 32 zeigen, daß Kombinationen, die in Tabelle 13 unten angegeben sind, einen Euler-Winkel θ ergeben, bei dem das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, was ein ausreichendes Echo erbringt, und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 haben. Um also das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho mit einem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, mit einem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 zu erreichen, ist der Euler-Winkel θ gemäß Tabelle 13 unten auszuwählen.
  • Oberflächenschallwellenresonatoren oder Oberflächenschallwellenfilter, bei denen das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, weisen eine gute Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik auf. In diesem Fall sind, wenn SH-Wellen einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von 0,02 oder mehr haben, die durch die SH-Wellen verursachten Störechos nicht länger vernachlässigbar und verschlechtern die Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik.
  • Somit, wie in Tabelle 13 gezeigt, weist das durch die verwendeten Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho durch Auswählen eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs der IDT-Elektrode aus Cu, eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs des SiO2-Films und eines Euler-Winkel θ(°)-Bereichs in der äußerst rechten Spalte in Tabelle 13 einen elektromechanischen Koeffizienten von 0,08 oder mehr auf, wodurch ein ausreichendes Echo erzeugt wird. Darüber hinaus weisen SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten kleiner als 0,02 auf, wodurch wirksam Einflüsse unterdrückt werden, die durch Störechos entstehen.
  • Wie aus den 25 bis 32 und Tabelle 13 zu erkennen ist, kann, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 204° bis 228° liegt, bewirkt werden, daß die verwendeten Rayleigh-Wellen einen ausreichend hohen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 aufweisen, während bewirkt werden kann, daß SH-Wellen einen kleinen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 aufweisen, indem eine geeignete Auswahl der normalisierten Filmdicke der IDT-Elektrode und der normalisierten Filmdicke des SiO2 getroffen wird, wodurch die durch die SH-Wellen verursachten Störechos wirksam unterdrückt werden.
  • Figure 00470001
  • Es wird nun auf die nachfolgende Tabelle 14 Bezug genommen. Besonders bevorzugt wird bewirkt, daß SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,01 haben, indem der Euler-Winkel θ aus dem Bereich von 204° bis 226° ausgewählt wird und der Euler-Winkel θ, die normalisierte Filmdicke (%) des SiO2 und die normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode aus den Bereichen von Kombinationen in Tabelle 14 ausgewählt werden.
  • Figure 00490001
  • Es wurden mehrere Oberflächenschallwellenvorrichtungen hergestellt, bei denen in Y-Richtung geschnittene, in X-Richtung ausbreitende LiNbO3-Substrate mit unterschiedlichen Euler-Winkeln verwendet wurden, Ta zum Herstellen von Elektroden verwendet wurde, die normalisierte Filmdicke h/λ(%) der Elektroden im Bereich von 2% bis 5% verändert wurde und die normalisierte Filmdicke h/λ der SiO2-Schichten im Bereich von 20% bis 35% verändert wurde. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen und der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos auf das Hauptecho der Rayleigh-Wellen hervorrufen, wurden für die Oberflächenschallwellenvorrichtungen gemessen. Die Ergebnisse sind in den 33 bis 40 gezeigt.
  • 33 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen, und 34 zeigt den elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen, wenn die IDT-Elektroden aus Ta eine normalisierte Filmdicke (%) von 2% haben.
  • 33 und 34 zeigen deutlich den folgenden Befund, wenn die IDT-Elektroden aus Ta eine normalisierte Filmdicke von 2% haben. Der elektromechanische Koeffizient KR 2 des durch Rayleigh-Wellen hervorgerufenen Hauptechos liegt in einem Bereich, der Werte von 0,08 oder mehr enthält, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 208° bis 228° liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Films abhängen. Der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, liegt in einem Bereich, der Werte kleiner als 0,02 enthält, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 204° bis 226° liegt, obgleich die Werte von der Dicke des SiO2-Films abhängen.
  • 35 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 36 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Ta eine normalisierte Filmdicke H/λ von 3% haben.
  • 37 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 38 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Ta eine normalisierte Filmdicke von 4% haben.
  • 39 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von Rayleigh-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, und 40 zeigt eine Beziehung zwischen dem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von SH-Wellen und dem Euler-Winkel θ und der normalisierten Filmdicke des SiO2-Films, wenn die IDT-Elektroden aus Ta eine normalisierte Filmdicke von 5% haben.
  • Wie aus den 33 bis 40 zu erkennen ist, hat, solange die Ta-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 2% bis 5% haben und die SiO2-Filme eine normalisierte Filmdicke im Bereich von 20% bis 35% haben, der elektromechanisch Koeffizient KR 2 von Rayleigh-Wellen einen Maximalwert bei einem Euler-Winkel θ im Bereich von 208° bis 228°, ungeachtet der Filmdicke. Des Weiteren wird der elektromechanische Koeffizient KR 2 allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ kleiner wird, und auch der elektromechanische Koeffizient KR 2 wird allgemein in dem Maße kleiner, wie der Euler-Winkel θ von dem Winkel, der dem Maximalwert entspricht, größer wird.
  • Im Gegensatz dazu hat der elektromechanische Koeffizient KSH 2 von SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen Minimalwert in dem Bereich, in dem der Euler-Winkel θ 202° bis 228° beträgt.
  • Die Ergebnisse in den 33 bis 40 zeigen, daß Kombinationen, die in Tabelle 15 unten angegeben sind, einen Euler-Winkel θ ergeben, bei dem das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, was ein ausreichendes Echo erbringt, und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 haben. Um also das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho mit einem elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 und SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, mit einem elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,02 zu erreichen, ist der Euler-Winkel θ gemäß Tabelle 15 unten auszuwählen.
  • Oberflächenschallwellenresonatoren oder Oberflächenschallwellenfilter, bei denen das durch Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho einen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 von mehr als 0,08 hat, weisen eine gute Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik auf. In diesem Fall sind, wenn SH-Wellen einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 von 0,02 oder mehr haben, die durch die SH-Wellen verursachten Störechos nicht länger vernachlässigbar und verschlechtern die Resonanzcharakteristik oder Filtercharakteristik.
  • Somit, wie in Tabelle 15 gezeigt, weist das durch die verwendeten Rayleigh-Wellen hervorgerufene Hauptecho durch Auswählen eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs der IDT-Elektrode aus Ta, eines normalisierten Filmdicken(%)-Bereichs des SiO2-Films und eines Euler-Winkel θ(°)-Bereichs in der äußerst rechten Spalte in Tabelle 15 einen elektromechanischen Koeffizienten von 0,08 oder mehr auf, wodurch ein ausreichendes Echo erzeugt wird, während SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten kleiner als 0,02 aufweisen, wodurch wirksam Einflüsse unterdrückt werden, die durch Störechos entstehen.
  • Wie aus den 33 bis 40 und Tabelle 15 zu erkennen ist, kann, wenn der Euler-Winkel θ in einem Bereich von 206° bis 226° liegt, bewirkt werden, daß die verwendeten Rayleigh-Wellen einen ausreichend hohen elektromechanischen Koeffizienten KR 2 aufweisen, während bewirkt werden kann, daß SH-Wellen einen kleinen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 aufweisen, indem eine geeignete Auswahl der normalisierten Filmdicke der IDT-Elektrode und der normalisierten Filmdicke des SiO2 getroffen wird, wodurch die durch die SH-Wellen verursachten Störechos wirksam unterdrückt werden. [Tabelle 15]
    Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Ta enthält) 5% < h/λ 2.5% Dicke des SiO2-Films Schnittwinkel , der KR 2 > 0,08 erreicht Schnittwinkel, der KSH 2 < 0,02 erreicht KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~228 206~224 208~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~228 206~225 208~225
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~228 205~226 208~226
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~224 202~228 210~224
    2.5% < h/λ ≦ 3.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 206~230 206~224 206~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 206~230 206~224 206~224
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~229 206~225 207~225
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~228 204~226 208~226
    3.5% < h/λ ≦ 4.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 204~230 207~224 207~224
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 206~230 207~224 207~224
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~229 209~224 209~224
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~229 205~226 207~226
    4.5% < h/λ ≦ 5.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 204~232 207~223 207~223
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 205~230 207~223 207~223
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~230 207~224 207~224
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 206~230 207~225 207~225
  • Es wird nun auf die nachfolgende Tabelle 16 Bezug genommen. Besonders bevorzugt wird bewirkt, daß SH-Wellen, die Störechos hervorrufen, einen elektromechanischen Koeffizienten KSH 2 kleiner als 0,01 haben, indem der Euler-Winkel θ aus dem Bereich von 208° bis 224° ausgewählt wird und der Euler-Winkel θ, die normalisierte Filmdicke (%) des SiO2 und die normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode aus den Bereichen von Kombinationen in Tabelle 16 ausgewählt werden. [Tabelle 16]
    Film dicke der DT-Elektrode (die hauptsächlich Ta enthält) Dicke des SiO2-Films Schnittwinkel , der KR 2 > 0,08 erreicht Schnittwinkel, der KSH 2 < 0,01 erreicht und KR 2 > 0,08 KSH2 < 0,01
    17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~228 209~222 209~222
    1.5% < h/λ 2.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~228 209~222 209~222
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~228 208~222 208~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~224 204~224 210~224
    2.5% < h/λ ≦ 3.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 206~230 210~221 210~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 206~230 210~221 210~221
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~229 209~222 209~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~228 208~223 208~223
    3.5% < h/λ ≦ 4.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 204~230 210~221 210~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 206~230 210~221 210~221
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~229 210~221 210~222
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~229 208~222 208~221
    4.5% < h/λ ≦ 5.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 204~232 210~221 210~221
    22.5% < h/λ ≦ 27.5% 205~230 211~221 211~221
    27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~230 211~221 211~221
    32.5% < h/λ ≦ 37.5% 206~230 210~222 210~222
  • Obgleich LiNbO3-Substrate mit Euler-Winkeln (0°, θ, 0°) in den Experimenten in den Ausführungsformen verwendet wurden, sind ϕ und ψ aus den Euler-Winkeln nicht unbedingt auf 0° beschränkt. Ergebnisse, die den Experimentalergebnissen ähneln, erhält man, wenn ϕ und ψ im Bereich von 0° ± 5° liegen. Zusammenfassend ausgedrückt, sollten LiNbO3-Substrate in der vorliegenden Erfindung Euler-Winkel im Bereich von (0° ± 5°, 180° bis 247°, 0° ± 5°) aufweisen.
  • Obgleich die IDT-Elektrode 3 in den Ausführungsformen aus Al, Au, Cu oder Ta bestand, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, solange ein Metall, das hauptsächlich Al, Au, Cu oder Ta enthält, verwendet wird. Die IDT-Elektrode 3 kann aus einer Legierung bestehen, die hauptsächlich Al, Au, Cu oder Ta enthält. Das Metall, das hauptsächlich Al enthält, kann ein Mehrschichtmetallfilm sein, der einen Metallfilm, der hauptsächlich Al, Au, Cu oder Ta enthält, und einen Metallfilm, der aus einem Metall oder einer Legierung mit einer höheren Dichte als Al besteht, enthält. Als Beispiele eines solchen Metalls oder einer Legierung mit einer höheren Dichte als Al seien Ti, Ni, Cr, NiCr und AlCu genannt. Alternativ kann auch ein anderer Mehrschichtmetallfilm verwendet werden, der einen Metallfilm, der hauptsächlich Al, Au, Ta oder Cu und Al enthält, oder eine Legierung, die hauptsächlich Al enthält und auf dem Metallfilm angeordnet ist, enthält.
  • Zusammenfassung
  • Es wird eine Oberflächenschallwellenvorrichtung bereitgestellt, die eine verbesserte Resonanzfrequenz-Temperaturcharakteristik aufweisen kann, indem sie mit einem SiO2-Film versehen ist; die Einfügungsverluste nur in einem vernachlässigbaren Umfang ansteigen läßt; die eine Elektrode mit einem ausreichend hohen Reflexionskoeffizienten hat; und die die unerwünschten Störechos unterdrücken kann, wodurch eine bessere Resonanzcharakteristik und Filtercharakteristik erhalten wird.
  • Es wird eine Oberflächenschallwellenvorrichtung 11 bereitgestellt, die Folgendes enthält: ein LiNbO3-Substrat 1 mit mehreren Rinnen 1b, die in der Oberseite ausgebildet sind; eine IDT-Elektrode 3, die durch Füllen der Rinnen 1b mit einem Metall gebildet wird; und eine SiO2-Schicht 4, die eine Oberseite 1a des LiNbO3-Substrats 1 und die IDT-Elektrode 3 bedeckt und eine flache Oberfläche aufweist. Die Oberflächenschallwellenvorrichtung 11 verwendet ein Echo einer Rayleigh-Welle. Das LiNbO3-Substrat weist Euler-Winkel im Bereich von (0° ± 5°, 180° bis 247°, 0° ± 5°) auf.
    • 1
    LiNbO3-Substrat
    1a
    Oberseite
    1b
    Rinne
    2
    Photoresist
    2A
    Photoresist-Struktur
    3
    IDT Elektrode
    4
    SiO2-Schicht
    11
    Oberflächenschallwellenvorrichtung
    12, 13
    Reflektor
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2004-112748 [0009]
    • - WO 2006/011417 A1 [0009]

Claims (12)

  1. Oberflächenschallwellenvorrichtung, umfassend: – ein piezoelektrisches Substrat mit mehreren Rinnen, die in einer Oberseite des Substrats ausgebildet sind; – eine IDT-Elektrode, die durch Füllen der Rinnen mit einem Metall gebildet wird; und – eine SiO2-Schicht, die das piezoelektrische Substrat und die IDT-Elektrode bedeckt und eine flache Oberseite aufweist, – wobei die Vorrichtung ein Echo einer Rayleigh-Welle verwendet, die in dem piezoelektrischen Substrat angeregt wird, und das piezoelektrische Substrat ein LiNbO3-Substrat mit Euler-Winkeln (0° ± 5°, 180° bis 247°, 0° ± 5°) ist.
  2. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Metall hauptsächlich ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht.
  3. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Metall, das hauptsächlich ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, ein Metall ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, oder eine Legierung, die hauptsächlich das eine Metall enthält.
  4. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Metall, das hauptsächlich ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, ein Mehrschichtmetallfilm ist, der ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, Au, Ta und Cu besteht, oder eine Legierung, die hauptsächlich das eine Metall enthält; und eine darauf angeordnete Legierung, die hauptsächlich ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ti, Ni, Cr, NiCr, Al und AlCu besteht.
  5. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Al enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 1 unten angegeben sind: [Tabelle 1] IDT-Elektrode (die hauptsächlich Al enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~228 2% < h/λ ≦ 6% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 201~235 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~229 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225 6% < h/λ ≦ 10% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 205~231 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 204~232 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 202~231 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 202~232 10% < h/λ ≦ 14% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 197~239 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 198~238 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 194~236 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 197~233 14% < h/λ ≦ 18% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 187~243 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~242 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 181~247 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 188~236 18% < h/λ ≦ 22% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~242 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 182~246 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 184~238 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~212 22% < h/λ ≦ 26% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~243 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~240 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 191~227 32.5% < h/λ ≦ 37.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
  6. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Al enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 2 unten angegeben sind: [Tabelle 2] IDT-Elektrode (die hauptsächlich Al enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,01 erreichen 2% < h/λ ≦ 6% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~228 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 201~235 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~229 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225 6% < h/λ ≦ 10% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 205~231 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 204~232 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~226 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 202~228 10% < h/λ ≦ 14% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 197~238 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 198~238 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 200~230 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 197~233 14% < h/λ ≦ 18% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 187~243 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~242 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 181~247 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 188~236 18% < h/λ ≦ 22% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~242 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 182~246 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 184~238 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~212 22% < h/λ ≦ 26% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 180~243 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 181~240 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 191~227 32.5% < h/λ ≦ 37.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08
  7. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Au enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 3 unten angegeben sind: [Tabelle 3] Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Au enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~224 1.5% < h/λ ≦ 52.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~222 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~224 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225 37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08 2.5% < h/λ ≦ 3.25% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~221 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 209~221 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~223 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~224 3.25% < h/λ ≦ 3.75% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,020 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~224
  8. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Au enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 4 unten angegeben sind: [Tabelle 4] Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Au enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,01 erreichen 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~224 1.5% < h/λ ϕ 52.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 211~222 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 210~224 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225 37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08 2.5% < h/λ ϕ 3.25% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 214~221 22.5% < h/λ ≦ 27.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,01 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 214~218 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~225 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~223 3.25% < h/λ ϕ 3.75% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% Kein Bereich erreicht KSH 2 < 0,01 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 212~222
  9. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Cu enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 5 unten angegeben sind: [Tabelle 5] Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Cu enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~225 1% < h/λ ≦ 3% 22.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~225 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~226 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 214~222 37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08 3% h/λ ≦ 5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~224 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 207~225 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~226 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~227 37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08 5% < h/λ ≦ 7% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~224 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~225 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 206~226 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 204~227 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 204~228 7% < h/λ ≦ 9% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~224 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~224 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~225 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 205~226 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 204~228
  10. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Cu enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 6 unten angegeben sind: [Tabelle 6] Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Cu enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222 1% < h/λ ≦ 3% 22.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~222 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 214~222 37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08 3% h/λ ≦ 5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~222 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~226 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~224 37.5% < h/λ ≦ 42.5% Kein Bereich erreicht KR 2 > 0,08 5% < h/λ ≦ 7% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~222 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~222 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~222 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~224 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 204~225 7% < h/λ ≦ 9% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~221 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 210~222 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~223 37.5% < h/λ ≦ 42.5% 208~224
  11. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Ta enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 7 unten angegeben sind: [Tabelle 7] Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Ta enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,02 erreichen 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 208~224 1.5% < h/λ ≦ 2.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~225 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~226 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~224 2.5% < h/λ ≦ 3.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 206~224 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 206~224 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~225 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~226 3.5% < h/λ ≦ 4.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~224 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 207~224 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~224 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~226 4.5% < h/λ ≦ –5.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 207~223 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 207~223 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 207~224 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 207~225
  12. Oberflächenschallwellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Metall hauptsächlich Ta enthält und eine normalisierte Filmdicke (%) der IDT-Elektrode, die mit einer Wellenlänge λ einer Oberflächenschallwelle normalisiert ist, eine normalisierte Filmdicke (%) des SiO2-Films, die mit der Wellenlänge λ der Oberflächenschallwelle normalisiert ist, und θ(°) von Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ) von LiNbO3 innerhalb von Bereichen einer Kombination liegen, die in Tabelle 8 unten angegeben sind: [Tabelle 8] Filmdicke der IDT-Elektrode (die hauptsächlich Ta enthält) Dicke des SiO2-Films θ(°) aus Euler-Winkeln (ϕ, θ, ψ), die KR 2 > 0,08 und KSH 2 < 0,01 erreichen 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 209~222 5% < h/λ ≦ 2.5% 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 208~222 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 208~222 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~224 2.5% < h/λ ≦ 3.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~222 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 209~222 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~223 5% < h/λ ≦ 4.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 210~221 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 210~222 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 208~222 4.5% < h/λ ≦ –5.5% 17.5% < h/λ ≦ 22.5% 210~221 22.5% < h/λ ≦ 27.5% 211~221 27.5% < h/λ ≦ 32.5% 211~221 32.5% < h/λ ≦ 37.5% 210~222
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112008001500B8 (de) * 2007-06-06 2016-06-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oberflächenschallwellenvorrichtung
WO2009081647A1 (ja) * 2007-12-20 2009-07-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
JP5458300B2 (ja) * 2009-02-09 2014-04-02 公立大学法人横浜市立大学 微細構造物の蒸着装置及び方法
CN102725959B (zh) * 2010-01-28 2016-05-25 株式会社村田制作所 可调谐滤波器
DE102010014919B4 (de) 2010-04-14 2015-07-02 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht auf einem Bauelement
DE102010034121A1 (de) 2010-08-12 2012-02-16 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit reduziertem Temperaturgang der Frequenzlage und Verfahren zur Herstellung
JP2012049817A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、および弾性表面波発振器、ならびに電子機器
WO2012100813A1 (en) * 2011-01-24 2012-08-02 Epcos Ag Surface acoustic wave filter
JP2013102418A (ja) 2011-10-18 2013-05-23 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波素子及び電子部品
CN105981297B (zh) * 2014-03-13 2018-09-14 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN104451545B (zh) * 2014-11-19 2017-09-01 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法
DE102015120654A1 (de) * 2015-11-27 2017-06-01 Snaptrack, Inc. Elektroakustischer Wandler mit verringerten Nichtlinearitäten zweiter Ordnung
CN108123696A (zh) * 2018-03-07 2018-06-05 海宁市瑞宏科技有限公司 一种高机电耦合系数的抗功率温补型声表面波滤波器结构
CN111085281B (zh) * 2020-01-08 2021-05-14 西安交通大学 一种声表面波调控的高通量微液滴生成装置及方法
CN112436815B (zh) * 2020-11-19 2024-03-15 广东广纳芯科技有限公司 温度补偿型声表面波器件及其制造方法
CN112436816B (zh) * 2020-12-03 2024-04-09 广东广纳芯科技有限公司 温度补偿型声表面波器件及其制造方法
CN112653409B (zh) * 2020-12-17 2024-04-12 广东广纳芯科技有限公司 一种用于制造金属电极的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004112748A (ja) 2002-07-24 2004-04-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
WO2006011417A1 (ja) 2004-07-26 2006-02-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5248375U (de) * 1975-10-02 1977-04-06
JPS5664509A (en) 1979-12-20 1981-06-01 Kinseki Kk Surface elastic wave element
GB2206257B (en) * 1987-05-26 1991-08-14 Clarion Co Ltd Surface acoustic wave device
JPH0983030A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
JPH10178331A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子
JPH10270974A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Kenwood Corp 表面弾性波素子
JP3379383B2 (ja) 1997-05-29 2003-02-24 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置
DE19758198A1 (de) * 1997-12-30 1999-08-19 Siemens Ag Oberflächenwellen-(SAW-)Bauelement auf auch pyroelektrischem Einkristall-Substrat
JP2002026685A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子
JP2005176152A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
US7355319B2 (en) * 2004-01-13 2008-04-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Boundary acoustic wave device
CN101356727B (zh) * 2006-01-11 2011-12-14 株式会社村田制作所 声表面波装置的制造方法及声表面波装置
EP1990915B1 (de) * 2006-03-02 2017-11-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oberflächenwellenanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP2056456B1 (de) * 2006-10-12 2013-03-13 Murata Manufacturing Co. Ltd. Elastische grenzwelleneinrichtung
JP5104031B2 (ja) * 2007-05-22 2012-12-19 株式会社村田製作所 弾性境界波装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004112748A (ja) 2002-07-24 2004-04-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
WO2006011417A1 (ja) 2004-07-26 2006-02-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置

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Publication number Publication date
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