JP2004235896A

JP2004235896A - 弾性表面波装置

Info

Publication number: JP2004235896A
Application number: JP2003021100A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Funemi; 雅之船見; Shigehiko Nagamine; 成彦長峰; Koichi Maruta; 幸一丸田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2003-01-29
Filing date: 2003-01-29
Publication date: 2004-08-19

Abstract

【課題】ＩＤＴ電極の静電破壊を防止し、小型で信頼性に優れた弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板にＩＤＴ電極とパッド電極とを構成する複数の導体パターンと環状電極とを形成した弾性表面波素子を、回路基板に実装した弾性表面波装置において、接地用環状電極と電気的に接続されていない導体パターンを、抵抗体を介して接地用環状電極に電気的に接続する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信機器や車載用機器、医療用機器等に用いられる弾性表面波装置に関し、詳しくは、小型かつ高信頼性を可能とする構造に特徴を有する弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波共振器や弾性表面波フィルタ等の弾性表面波装置は、マイクロ波帯を利用する各種無線通信機器や車載用機器、医療用機器等に幅広く用いられているが、各機器の小型化に伴い、更なる小型化が求められている。
【０００３】
また、従来の弾性表面波装置においては、圧電基板の有する焦電性により、急激な温度変化にさらされるとＩＤＴ電極で放電破壊が発生し、電気特性が劣化するという問題があった。このため、ＩＤＴ電極の放電破壊を防止する為に今日まで様々な改良が加えられて来た。
【０００４】
従来の放電破壊防止対策が施された弾性表面波装置としては、例えばＩＤＴ電極を形成する一対の櫛歯状電極を、抵抗体を介して接続する構造の物が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図５は特許文献１で開示されている従来の弾性表面波装置に用いられる弾性表面波素子の電極構造を模式的に示す平面図である。
【０００６】
図５において、弾性表面波素子４００は、圧電基板４０１上に、入力側インターデジタルトランスデューサー（ＩＤＴ）電極４０２ａ、出力側ＩＤＴ電極４０２ｂ、入出力ＩＤＴ電極間の誘導をキャンセルする為のシールド電極４０３、吸音材４０４、ＩＤＴ電極を形成する一対の櫛歯状電極どうしを静電的に短絡する為の薄膜抵抗体４０５が形成されている。薄膜抵抗体４０５の材料にはＴａ−ＳｉＯ_２やＮｂ−ＳｉＯ_２などを混合焼結した物が用いられる。
【０００７】
上述した弾性表面波素子４００では、薄膜抵抗体４０５によって対向する櫛歯電極どうしが短絡されている。その為、焦電効果によってＩＤＴ電極上に誘起された電荷により、対向する櫛歯電極間で放電破壊が発生するのを防ぐことができる。
【０００８】
また、ＩＤＴ電極を構成する一対の櫛歯状電極どうしを短絡させる抵抗体として金属酸化物を利用する方法も開示されている。（例えば、特許文献２参照）
【０００９】
【特許文献１】
特開平９−２６０９９４号公報（図４）
【特許文献２】
特開２０００−１８３６８０号公報（図１）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の弾性表面波装置は、以下の問題を有していた。
【００１１】
まず、小型化及び高信頼性化が困難なことである。
【００１２】
放電破壊を防止するために形成する抵抗リンクの抵抗値としては、特公平５−５９６０９号公報等により１ｋΩ〜１０００ＧΩが良いとされている。しかし、抵抗リンクによる電気特性の劣化を防止するためには、通常動作時に抵抗リンクを通って流れる電流を低く抑える必要があり、抵抗値は出来るだけ大きい方が望ましい。
【００１３】
特許文献１では、薄膜抵抗体材料としてＴａ−ＳｉＯ_２やＮｂ−ＳｉＯ_２などを混合焼結した物が用いられていたが、それらの比抵抗値は２００ｍΩ・ｃｍ程度以下と小さいため、大きな抵抗値を得るためにはある程度の長さが必要であった。例えば１ＭΩの抵抗値を得る為には、厚み０．１５μｍ、幅１００μｍとすると７．５ｍｍもの長さが必要となる。近年のＧＨｚ帯で使用される弾性表面波フィルタ等に用いられる弾性表面波素子の大きさは、縦横とも１ｍｍ程度であり、７．５ｍｍの抵抗体を弾性表面波素子上に形成するのは不可能である。
【００１４】
抵抗体を小型化するために厚みと幅を最大限に小さくし、例えば厚み０．０５μｍ、幅１μｍとすると、長さは２５μｍになり小型化は達成される。しかし、このような細長い形状の抵抗体では、電流が流れた時の発熱による温度上昇などにより断線しやすくなる。リフロー時など３００℃ぐらいに加熱された時に、焦電効果により電荷が誘起されて抵抗体に大きな電流が流れると、発熱して更に温度が上昇することになり、抵抗自身が断線する可能性が高くなる。抵抗体の断線が起これば、焦電効果により誘起された電荷を逃がす手段が無くなるため、それ以後の温度変化によりＩＤＴ電極が放電破壊を起こすことを防止できなくなる。また、薄膜抵抗体材料自身の耐熱性にも問題があることが特許文献１において示されており、温度が上昇すると急激に酸化が進むなど、信頼性に問題があった。
【００１５】
また、ＩＤＴ電極の放電破壊防止効果が不充分なことであるという問題があった。
【００１６】
弾性表面波素子の圧電基板上には、ＩＤＴ電極に近接してシールド電極や、弾性表面波を反射させる反射器電極が形成される場合が多いが、ＩＤＴ電極と同様にこれらの電極も焦電効果によって帯電する。そしてＩＤＴ電極に近接配置されたシールド電極や反射器電極とＩＤＴ電極との間で放電が起こり、ＩＤＴ電極が破損することもある。よってＩＤＴ電極の放電破壊を完全に防止するには、圧電基板上のＩＤＴ電極に近接配置される全ての電極に誘起された電荷を、速やかに除去する必要がある。
【００１７】
さらに、特許文献２で開示された弾性表面波装置においては、金属酸化物層を数ｎｍと非常に薄く形成する必要があり、金属酸化物層の電気特性が不安定であるという問題があった。この問題に対して特許文献２においては、複数の金属酸化物層を直列接続する対策を開示しているが、問題が発生する確率を減らすことしかできず、根本的な解決策は見いだせなかった。
【００１８】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、小型で且つ信頼性の高い弾性表面波装置を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、請求項１に係る発明は、圧電基板の一方主面に、少なくとも信号側電位となる電極パターンを有するＩＤＴ電極を形成するとともに、前記圧電基板の一方主面の外周部に、アース電位となる環状電極を形成してなる弾性表面波素子を、回路基板上に所定間隙をあけて実装した弾性表面波装置において、
前記信号側電位となる電極パターンは、抵抗体を介して前記環状電極に電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００２０】
また、上述の弾性表面波装置において、前記抵抗体が半導体材料で形成されているものである。
【００２１】
さらに、上述の弾性表面波装置において、前記抵抗体がシリコンである。
【００２２】
さらに、上述の弾性表面波装置において、前記圧電基板と前記回路基板との間の間隙を、前記環状電極によって気密封止されているものである。
【００２３】
【作用】
本発明によれば、ＩＤＴ電極には、少なくとも信号側電位となる電極パターンを有しており、この電極パターンは抵抗体を介してアース電位（基準電位）となる環状電極に電気的に接続している。よって、電極パターンに誘起された電荷が環状電極を介して移動することになる。尚、ＩＤＴ電極は、一対の電極パターンがともに信号側電位（電位差を有している）となる場合、一方の電極パターンが信号側電位で、他方の電極パターンがアース電位（基準電位）となる電極パターンとなる場合のいずれかである。
【００２４】
そして、上述のように、ＩＤＴ電極の少なくとも信号側電位の電極パターンを抵抗体を介してアース電位の環状電極に接続することにより、ＩＤＴ電極の電極パターン間の放電を引き起こす電位差が解消され、ＩＤＴ電極の放電破壊が防止できる。
【００２５】
また、本発明によれば、環状電極はアース電位に接地される。よって電極パターンに誘起された電荷は環状電極を通じて速やかにアースへ移動する。この為、温度変化等の環境変化に対して非常に安定になり、ＩＤＴ電極の放電破壊も完全に防止できる。
【００２６】
また、本発明によれば、抵抗体に半導体材料を使用しているが、半導体材料には温度が上昇すると非抵抗が小さくなる性質がある。よって急激な温度上昇が生じても、抵抗体の抵抗値が小さくなり、焦電効果により発生した電荷を速やかに逃がすことが出来る。また、抵抗体に大きな電流が流れて抵抗体の温度が更に上昇しても、抵抗体の抵抗値が更に下がり発熱を抑える為、抵抗体の過度の温度上昇を防ぎ、抵抗体の断線等の不具合発生を防止できる。
【００２７】
また、本発明によれば、抵抗体にシリコン材料を使用している。シリコンの比抵抗は常温で約３０００Ω・ｍと充分に高い為、高抵抗の抵抗体を微小面積且つ無理の無い形状で実現でき、弾性表面波装置を小型化できる。例えば、１０ＧΩという高い抵抗値を持つ抵抗体でも、厚み０．２５μｍ、長さ５０μｍ、幅６０μｍという小型且つ無理の無い形状で作成できる。また、シリコンは安定性が高いため、弾性表面波装置の信頼性を高めることができる。また、シリコン膜は蒸着やスパッタなどの方法により、精度良く且つ簡便に形成することができるため、信頼性の高い弾性表面波装置を低コストで製造することができる。
【００２８】
また、本発明によれば、圧電基板の一方主面の周囲に形成した環状電極によって、圧電基板の一方主面と回路基板の実装面との間の間隙を気密封止している。よって、従来、弾性表面波素子を気密封止する為に用いていたパッケージが不要となり、弾性表面波装置を小型化できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図１〜図３に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の弾性表面波装置に用いる弾性表面波素子の一実施形態を模式的に示す平面図、図２は本発明の弾性表面波装置の全体構造を模式的に示す断面図、図３は本発明の弾性表面波装置に用いる弾性表面波素子の他の実施形態を模式的に示す平面図である。
【００３０】
図において、１は弾性表面波装置であり、１０は弾性表面波素子であり、７０は回路基板である。
弾性表面波素子１０は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶から成る基板２０と、基板２０の一方主面上に形成され、且つ弾性表面波を用いて機能する各種電極３０を構成する電極パターンとから構成されている。
【００３１】
各種電極３０としては、図１に示すように、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極３０ａ、弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極３０ａの両側に配置される反射器電極３０ｂ、ＩＤＴ電極３０ａに接続される入出力パッド電極３０ｃ、アース電位に接続される環状電極３０ｄ、さらに、弾性表面波装置の構造によって必要となる例えば段間接続電極３０ｅなどが例示できる。
【００３２】
ＩＤＴ電極３０ａは、一対の共通電極と、一方の共通電極から他方の共通電極側に延びる複数の電極指とを有し、各々の共通電極から延びる複数の電極指は互いにかみ合うように配置される。即ち、一対の電極パターンで構成されている。そして、ＩＤＴ電極３０ａには、一対の電極パターンがともに信号側電位（電位差を有している）となる場合と、一方の電極パターンが信号側電位で他方の電極パターンがアース電位（基準電位）となる電極パターンとなる場合とがある。
【００３３】
図１において、弾性表面波の伝搬方向に沿って配置される一対の反射器電極３０ｂ、及びその間に配置された一つのＩＤＴ電極３０ａにより、一端子対共振器３１ａが形成されている。また、それに隣接して、一対の反射器電極３０ｂ及びその間に配置された複数のＩＤＴ電極３０ａにより、縦結合型二重モードフィルタ３１ｂが形成されている。そして、一端子対共振器３１ａと縦結合型二重モードフィルタ３１ｂとが段間接続電極３０ｅによってカスケード接続されている。
【００３４】
各種電極３０を形成する電極パターンのうち、環状電極３０ｄと電気的に接続されていない電極パターンは、例えば、ＩＤＴ電極３０ａの信号側電位の電極パターンは、短絡用導体パターン３０ｆ、入出力電極パッド３０ｃ、抵抗体４０を介して環状電極３０ｄに電気的に接続されている。図１では、環状電極３０ｄに直接接続する電極パターンは、反射器電極３０ｂと、該反射器電極３０ｂに接続するＩＤＴ電極３０ａのうちのアース電位（基準電位）となる電極パターンのみである。
【００３５】
入出力パッド電極３０ｃと環状電極３０ｄの上には、図２に示すように導体膜５０が形成される。また、圧電基板２０の一方主面には、導体膜５０を露出するように、保護膜６０が形成されている。
【００３６】
以上のように構成した弾性表面波素子１０を、弾性表面波素子１０の一方主面に形成された導体膜５０と、回路基板７０の実装面に形成された接続電極８０とを、半田バンプ９０を介して接続する。これにより、弾性表面波素子１０と回路基板７０とが電気的かつ機械的に接続される。同時に、弾性表面波素子１０の一方主面と、回路基板の実装面との間の間隙が気密封止される。
【００３７】
図２では省略しているが、回路基板７０の底面には外部端子電極が形成されており、外部端子電極と各接続電極８０とは、回路基板７０の表面や内部に形成された配線パターンを介して接続されている。
【００３８】
そして、弾性表面波素子１０の他方主面及び周囲面に樹脂１００が形成され、弾性表面波素子１０の損傷を防止している。尚、回路基板７０の表面とＩＤＴ電極３０ａの表面との間隔は、弾性表面波素子１０で発生する弾性表面波の波長以上の間隔に設定されている。
【００３９】
本発明の弾性表面波装置によれば、環状電極３０ｄと電気的に接続されていない電極パターンであるＩＤＴ電極３０ａの信号側電位となる電極パターンを、入出力パッド電極３０ｃ、短絡用導体パターン３０ｆ及び抵抗体４０を介して環状電極３０ｄに電気的に接続している。よって、急激な温度変化などが発生したときに焦電効果によってＩＤＴ電極の電極パターンに誘起される電荷が、環状電極３０ｄを介して移動し、全ての電極パターンにおいて、電極パターン間の放電を引き起こす電位差が解消される。これによりＩＤＴ電極３０ａの放電破壊が防止できる。
【００４０】
また、環状電極３０ｄはアース電位に接地される。よって各電極パターンに誘起された電荷は環状電極３０ｄを通じて速やかにアースへ移動し、各電極パターン間に大きな電位差が発生することがない。このため、温度変化等の環境変化に対して非常に安定になり、ＩＤＴ電極３０ａの放電破壊を完全に防止できる。
【００４１】
また、抵抗体４０に半導体材料であるシリコン材料、炭化シリコン、窒化シリコンなどが例示できる。これらの半導体材料は温度が上昇すると非抵抗が小さくなる性質がある。よって急激な温度上昇が生じても、抵抗体の抵抗値が小さくなり、焦電効果により発生した電荷を速やかに逃がすことができる。また、抵抗体に大きな電流が流れて抵抗体の温度が更に上昇しても、抵抗体の抵抗値が更に下がり発熱を抑えるため、抵抗体の過度の温度上昇を防ぎ、抵抗体の断線等の不具合発生を防止できる。
【００４２】
また、特に、半導体のうちシリコン材料の比抵抗は常温で約３０００Ω・ｍと充分に高い為、高抵抗の抵抗体を微小面積且つ無理の無い形状で実現でき、弾性表面波装置を小型化できる。また、シリコンは安定性が高いため、弾性表面波装置の信頼性を高めることができる。また、シリコン膜は蒸着やスパッタなどの方法により、精度良く且つ簡便に形成することができる為、信頼性の高い弾性表面波装置を低コストで製造することができる。
【００４３】
抵抗体の４０の抵抗値は、高すぎるとＩＤＴ電極の放電破壊を防ぐ効果が低くなり、小さすぎると弾性表面波装置の電気特性が劣化してしまうため、弾性表面波装置に要求される電気特性に応じて適切に設定する必要がある。例えば、中心周波数１９ＧＨｚの弾性表面波装置の場合には、抵抗体４０の厚み、長さ、抵抗率によっても設定できるが、実際の抵抗値として５ＭΩ〜２８ＭΩとなるようにすることが望ましい。
【００４４】
また、本発明の弾性表面波装置１は、環状電極３０ｄによって、圧電基板２０の一方主面と回路基板７０の実装面との間の間隙を気密封止している。よって、従来弾性表面波素子１０を気密封止する為に用いていたパッケージが不要となり、弾性表面波装置を小型化できる。
【００４５】
図３は本発明の別の実施形態の弾性表面波装置における、弾性表面波素子１０の電極構造を模式的に示す平面図である。この弾性表面波装置においては、入力側の縦結合型二重モードフィルタ３２ａと出力側の縦結合型二重モードフィルタ３２ｂとがカスケード接続されている。そして、入力側の縦結合型二重モードフィルタ３２ａにおいて、ＩＤＴ電極３０ａを構成する一対の共通電極のうち、アース電位となる一方の共通電極が、最も近接する環状電極３０ｄと一体的に形成され、小型化が図られている。
【００４６】
尚、上記実施形態では、弾性表面波素子１０の損傷防止を目的として樹脂１００を形成したが、樹脂１００を設けず、弾性表面波素子１０をむき出しにしてもかまわない。また、樹脂１００で気密封止を行い、環状電極３０ｄで樹脂１００の流入を防止し振動空間を確保してもよい。その場合、環状電極３０ｄは連続的な環状である必要はない。更に上記実施形態以外にも、ラダー型フィルタ等の他の種類の弾性表面波フィルタやデュプレクサ等の弾性表面波装置１についても、ＩＤＴ電極３０ａを有するものであれば、本発明を適用できることはいうまでもない。
【００４７】
【実施例】
次に、本発明に係る弾性表面波装置を作製した実施例について説明する。
図４に弾性表面波素子の製造プロセスを示す。なお、製造にはステッパー（縮小投影露光機）及びＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）装置を用いフォトリソグラフィーを行った。
（１）圧電基板２０（タンタル酸リチウム単結晶の３８．７°Ｙカット）にアセトン・ＩＰＡ等を使用して超音波洗浄を施し、有機成分の除去を行った。次に、クリーンオーブンによって充分に基板乾燥を行った後、圧電基板２０の一方主面に電極（最終的に各種電極３０となる導体で，便宜上電極３０と付す）の成膜を行った。電極３０の成膜にはスパッタリング装置を使用し、Ａｌ−Ｃｕ（Ｃｕ１重量％）合金から成る電極３０を成膜した。この電極膜厚は約２０００Åとした。
【００４８】
また、圧電基板２０の他方主面にも、抵抗体４０を形成する前のＩＤＴ電極３０ａの放電破壊を防止する目的で、同様に電極（図示せず）の成膜を行った。
（２）レジスト１１０を約０．６μｍの厚みにスピンコートした。
（３）ステッパーにより所望形状にパターン化して、現像装置にて不要部分のレジスト１１０をアルカリ現像液で溶解させ、所望レジストパターンを形成した。
（４）ＲＩＥ装置によりＡｌ−Ｃｕ電極３０のエッチングを行った。
（５）レジスト１１０を剥離し、Ａｌ−Ｃｕ電極３０のパターニングを終了した（図４（ａ）を参照）。
（６）ＳｉＯ_２から成る保護膜６０をＣＶＤ装置にて２００Åの厚みに成膜した（図４（ｂ）を参照）。
（７）レジスト１１０を約８μｍ全面に再度塗布し、抵抗体４０を形成する部分のレジスト１１０を感光させ削除した。（図４（ｃ）を参照）
（８）抵抗体４０を形成する部分のＳｉＯ_２保護膜６０をＣＤＥにより除去した（図４（ｄ）を参照）。
（９）後に抵抗体４０となるシリコン膜４０を、スパッタにて２５００Åの厚さで形成した（図４（ｅ）を参照）。
（１０）レジスト１１０とともにレジスト上のシリコン膜４０をリフトオフにより除去し、抵抗体４０を形成した。（図４（ｆ）を参照）。
（１１）レジスト１１０を約８μｍ全面に再度塗布し、入出力パッド電極３０ｃと環状電極３０ｄの上の、導体膜５０を形成する部分のレジスト１１０を感光させ削除した（図４（ｇ）を参照）。
（１２）導体膜５０を形成する部分のＳｉＯ_２保護膜６０をＣＤＥにより除去した（図４（ｈ）を参照）。
（１３）Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕをこの順序でそれぞれ１００Å、１００００Å、２０００Åの厚みにスパッタにて成膜し、導体膜５０を形成した（図４（ｉ）を参照）。
（１４）レジスト１１０とともにレジスト上の導体膜５０をリフトオフにより除去し、導体膜５０のパターンニングを完了した。（図４（ｊ）を参照）。
（１５）ウエハをダイシングラインに沿ってダイシングし、チップごとに分割して弾性表面波素子を完成させた。チップサイズは１．１×１．３ｍｍとした。
次に実装について説明する。
（１６）完成した弾性表面波素子１０を、ガラスセラミックスから成る回路基板７０にフェースダウン実装した（図２を参照）。まず、回路基板７０の、入出力パッド電極３０ｃ及び環状電極３０ｄに対応する部分に形成された接続電極８０上に半田バンプ９０を形成し、その上に弾性表面波素子１０をフェースダウンで搭載して超音波を加えて熱圧着し、その後２４０℃でリフローを行って気密封止を行った。その後エポキシ系の樹脂を、真空印刷機を用いて印刷し、１００℃１時間＋１５０℃３時間の条件で硬化させた。最後に基板を各装置の形状にダイシングして各装置に分割して弾性表面波装置を完成させた。
【００４９】
上記弾性表面波フィルタによれば、圧電基板２０と回路基板７０との間に環状電極３０ｄで囲まれた気密空間が確保されており、空間の高さは３０μｍとしている。この高さは弾性表面波フィルタの中心周波数における波長２μｍに対して大きく、弾性表面波の振動を妨げることはない。
【００５０】
このようにして得られる弾性表面波装置に対してヒートサイクル試験を行い、ＩＤＴ電極３０ａの放電破壊に対する効果を検証した。試験方法としては、低温側―４０℃、高温側＋８５℃、キープ時間３０分、遷移時間２分とし、１０サイクル行った。抵抗体４０及び短絡用導体パターン３０ｆを形成した実施例と、形成しない比較例とに対して試験を実施した結果、比較例ではサンプルの全てにおいてＩＤＴの放電破壊が発生したのに対して、実施例ではサンプルの全てにおいてＩＤＴの放電破壊は発生しなかった。これにより、ＩＤＴ電極３０ａの放電破壊に対する本発明の有効性が示された。
【００５１】
尚、本実施例では回路基板７０をガラスセラミックス基板としたが、アルミナなどの他のセラミックス基板、またはガラスエポキシ基板等の樹脂基板でもかまわない。また、電極をＡｌ−Ｃｕ合金から成る電極としたが、ＮｉやＴｉ等他の材料を使用してもよいことはもちろんである。また、保護膜６０は、酸化シリコン以外に、窒化シリコンなどの絶縁性材料を用いても良い。また、エポキシ樹脂の印刷を真空印刷機で行ったが、大気圧中で印刷を行い、その後真空脱泡しても構わない。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、ＩＤＴ電極の信号側電位の電極パターン、それに接続する電極パッドなどのようにアース電位に接続される環状電極と電気的に接続されていない電極を、抵抗体を介して環状電極に電気的に接続している。よって、これによりＩＤＴ電極の放電破壊が防止できる。
【００５３】
また、抵抗体に半導体材料を使用しているので、抵抗体の断線等の不具合発生を防止できる。また、抵抗体材料にシリコンを使用しているので、小型で信頼性の高い弾性表面波装置を低コストで製造することができる。
【００５４】
また、圧電基板の一方主面の周囲に形成した環状電極によって、圧電基板の一方主面と回路基板の実装面との間の間隙を気密封止している。よって、従来弾性表面波素子を気密封止する為に用いていたパッケージが不要となり、弾性表面波装置を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の弾性表面波装置に用いられる弾性表面波素子の電極構造を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の弾性表面波装置の全体構造を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の別の実施形態の弾性表面波装置に用いられる弾性表面波素子の電極構造を模式的に示す平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｊ）は、それぞれ本発明の弾性表面波装置における弾性表面波素子の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】従来の弾性表面波装置に用いられる弾性表面波素子の電極構造を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
１０、４００：弾性表面波素子
３０ａ、４０２ａ、４０２ｂ：ＩＤＴ電極
３０ｂ：反射器電極
３０ｃ：入出力パッド電極
３０ｄ：環状電極
６０：保護膜
７０：回路基板
８０：接続電極
９０：バンプ
１００：樹脂

Claims

圧電基板の一方主面に、少なくとも信号側電位となる電極パターンを有するＩＤＴ電極を形成するとともに、前記圧電基板の一方主面の外周部に、アース電位となる環状電極を形成してなる弾性表面波素子を、回路基板上に所定間隙をあけて実装した弾性表面波装置において、
前記信号側電位となる電極パターンは、抵抗体を介して前記環状電極に電気的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
前記抵抗体が半導体材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
前記抵抗体がシリコンであることを特徴とする請求項１乃至２に記載の弾性表面波装置。
前記圧電基板と前記回路基板との間の間隙が、前記環状電極によって気密封止されていることを特徴とする請求項１乃至３に記載の弾性表面波装置。