CN101355126A - 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法 - Google Patents

侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101355126A
CN101355126A CNA2007101802226A CN200710180222A CN101355126A CN 101355126 A CN101355126 A CN 101355126A CN A2007101802226 A CNA2007101802226 A CN A2007101802226A CN 200710180222 A CN200710180222 A CN 200710180222A CN 101355126 A CN101355126 A CN 101355126A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting diode
led
package
printing opacity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101802226A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101355126B (zh
Inventor
赖国瑞
何恭琦
蔡慧珍
黄柏凯
赖明兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RUIYING PHOTOELECTRIC CO Ltd
Novalite Optronics Corp
Original Assignee
RUIYING PHOTOELECTRIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RUIYING PHOTOELECTRIC CO Ltd filed Critical RUIYING PHOTOELECTRIC CO Ltd
Publication of CN101355126A publication Critical patent/CN101355126A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101355126B publication Critical patent/CN101355126B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法。该制造方法包括下列步骤。首先，提供芯片承载器。接着，形成与芯片承载器接合的不透光壳体。再来，进行芯片接合工艺，以将发光二极管芯片电性连接至芯片承载器，且不透光壳体具有开口，以容置发光二极管芯片。之后，在开口中形成透光封胶，其中透光封胶具有不被不透光壳体覆盖的侧向出光表面。接着，移除部分不透光壳体与部分透光封胶，并使透光封胶的上表面不被位于侧向出光表面的一侧的不透光壳体覆盖。之后，在透光封胶的上表面上以及不透光壳体上形成不透光保护层。

Description

侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装体(light-emitting diode package，LEDpackage)及其制造方法，且特别涉及一种厚度超薄的侧面发光型发光二极管(side-view LED)封装体及其制造方法。
背景技术
由于发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通信号灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。
随着小型显示装置的发展，照明光源的厚度必须越来越小。举例而言，厚度约为0.6毫米的侧面发光型发光二极管封装体已被生产。图1A绘示一种厚度为0.6毫米的已知侧面发光型发光二极管封装体。请参照图1A，已知侧面发光型发光二极管封装体100包括承载器110、不透光壳体120、发光二极管芯片130、多条接合线140以及透光封胶(transparent encapsulant)150。不透光壳体120包覆部分承载器110，以在承载器110上定义出芯片容置空间S。发光二极管芯片130配置于承载器110上，并位于芯片容置空间S中。发光二极管芯片130透过接合线140电性连接至承载器。透光封胶150配置于芯片容置空间S中，并包覆发光二极管芯片130与接合线140。侧面发光型发光二极管封装体100的整体厚度D约为0.6毫米。如图1A所绘示，侧面发光型发光二极管封装体100的整体厚度D是与芯片容置空间S的体积相关。换言之，当芯片容置空间S的体积越小，侧面发光型发光二极管封装体的厚度越薄。
图1B绘示用以制造已知侧面发光型发光二极管封装体的模具。请参照图1A与图1B，在制造不透光壳体时，是利用具有模穴C的第一模具M1与具有微凸结构P的第二模具M2来进行。若制造者欲进一步缩小侧面发光型发光二极管封装体100的整体厚度D，必须先缩小芯片容置空间S的体积。在已知整体厚度D小于0.6毫米的侧面发光型发光二极管封装体100的制造过程中，是采用厚度小于0.3毫米的微凸结构P。然而，厚度小于0.3毫米的微凸结构的制造难度高，且厚度小于0.3毫米的微凸结构P在进行射出成形工艺时易于变形。因此，厚度小于0.6毫米的侧面发光型发光二极管封装体制造不易。换言之，厚度低于0.6毫米的侧面发光型发光二极管封装体的制造成品率相当低。
发明内容
本发明提供一种侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，以增加制造成品率。
本发明提供一种侧面发光型发光二极管封装体，其具有超薄的厚度。
本发明提出一种侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供芯片承载器。接着，形成与芯片承载器接合的不透光壳体，其中不透光壳体具有开口。然后，进行芯片接合工艺(chip-bonding process)，以将发光二极管芯片电性连接至芯片承载器，并使发光二极管芯片位于开口中。之后，在开口中形成透光封胶，例如掺有荧光剂(phosphor)的透光封胶，其中透光封胶具有不被不透光壳体覆盖的侧向出光表面，且发光二极管芯片所发出的光是经由侧向出光表面出射。接着，移除部分不透光壳体与部分透光封胶，以减少不透光壳体的整体厚度，并使透光封胶的上表面不被位于侧向出光表面的一侧的不透光壳体覆盖。然后，在透光封胶的上表面上以及不透光壳体上形成不透光保护层。
在本发明的一实施例中，芯片承载器包括导线架(lead frame)或线路板(circuit board)。
在本发明的一实施例中，芯片接合工艺包括引线接合工艺(wire-bondingprocess)或倒装焊接合工艺(flip-chip bonding process)。
在本发明的一实施例中，形成不透光壳体的方法包括射出成型(injectionmolding)。
在本发明的一实施例中，形成透光封胶的方法包括点胶(dispensing)或射出成型。
在本发明的一实施例中，形成透光封胶的方法包括提供掺有荧光材料的透光化合物以及将透光化合物填入开口。
在本发明的一实施例中，在移除部分不透光壳体与部分透光封胶之前，不透光壳体与透光封胶的整体厚度约为0.4毫米至0.8毫米。
在本发明的一实施例中，在移除部分不透光壳体与部分透光封胶之后，不透光壳体与透光封胶的整体厚度约为0.35毫米至0.55毫米。
在本发明的一实施例中，移除部分不透光壳体与部分透光封胶的方法包括切割(cutting)或研磨(grinding)。
在本发明的一实施例中，形成不透光保护层的方法包括涂布法(coating)、网印法(screen printing)、贴粘法或溅射法(sputtering)。不透光保护层的材料可包括聚合物及掺入其中的多个粒子。聚合物可包括寡合物(oligo-polymer)、硅树脂(silicone)、环氧树脂(epoxy)或丙烯酸树脂(acrylicresin)。这些粒子的材料可包括金属、二氧化钛(titanium dioxide)、氧化铝(aluminum oxide)或荧光剂(phosphor)。
在本发明的一实施例中，不透光保护层的厚度约为0.01毫米至0.15毫米。
本发明更提出一种侧面发光型发光二极管封装体，其包括芯片承载器、发光二极管芯片、封胶以及不透光保护层。发光二极管芯片电性连接至芯片承载器。封胶包括不透光壳体与透光封胶。不透光壳体与芯片承载器接合，其中不透光壳体具有开口，以容置发光二极管芯片。透光封胶配置于在开口中，其中透光封胶具有不被不透光壳体覆盖的侧向出光表面，且透光封胶具有上表面，其位于侧向出光表面的一侧且不被不透光壳体所覆盖。发光二极管芯片所发出的光是经由侧向出光表面出射。此外，不透光保护层配置于透光封胶的上表面上以及不透光壳体上。
在本发明的一实施例中，芯片承载器包括导线架或线路板。
在本发明的一实施例中，封胶与不透光保护层的整体厚度约为0.35毫米至0.55毫米。
在本发明的一实施例中，不透光保护层的材料包括聚合物及掺入其中的多个粒子。
在本发明的一实施例中，聚合物包括寡合物、硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。
在本发明的一实施例中，这些粒子的材料包括金属、二氧化钛、氧化铝或荧光剂。
在本发明的一实施例中，不透光保护层的厚度约为0.01毫米至0.15毫米。
在本发明的一实施例中，透光封胶的材料包括硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。
在本发明的一实施例中，透光封胶的材料还包括荧光材料。
在本发明中，由于部分不透光壳体与部分透光封胶会被移除，以减少侧面发光型发光二极管封装体的整体厚度，因此用以制造不透光壳体的模具不需被修改，且成本可大幅降低。此外，侧面发光型发光二极管封装体的制造方法的制造成品率可被提升。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
附图说明
图1A绘示一种厚度为0.6毫米的已知侧面发光型发光二极管封装体。
图1B绘示用以制造已知侧面发光型发光二极管封装体的模具。
图2A至图2F为本发明一实施例的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法的流程示意图。
图3A至图3D分别为图2A至图2D中的侧面发光型发光二极管封装体沿着剖面线A-A’的剖面图。
附图标记说明
100、250、270：侧面发光型发光二极管封装体
110：承载器                        120、230：不透光壳体
130、220：发光二极管芯片           140、222：接合线
150、240：透光封胶                 210：芯片承载器
232：开口                          242：侧向出光表面
244：荧光材料                      246：上表面
260：不透光保护层                  280：封胶
C：模穴                            D、d1、d2、d3、d4：厚度
M1：第一模具                       M2：第二模具
P：微凸结构                        S：芯片容置空间
具体实施方式
图2A至图2F为本发明一实施例的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法的流程示意图，而图3A至图3D分别为图2A至图2D中的侧面发光型发光二极管封装体沿着剖面线A-A’的剖面图。请同时参照图2A与图3A，首先，提供芯片承载器210。在本实施例中，芯片承载器210为导线架。具体而言，本实施例所采用的导线架为具有两个导脚的导线架。在本发明的其他实施例中，芯片承载器210例如是线路板，其中线路板较佳为具有高散热特性的金属芯印刷电路板。
请参照图2B与图3B，接着，形成与芯片承载器210接合的不透光壳体230，其中不透光壳体230具有开口232。在本实施例中，不透光壳体230例如是由射出成型工艺所形成。具体而言，不透光壳体的材料包括塑胶、金属或金属氧化物。
请参照图2C与图3C，之后，进行芯片接合工艺，以将至少一发光二极管芯片220电性连接至芯片承载器210，并使发光二极管芯片220位于开口232中。在本实施例中，是采用引线接合工艺以使发光二极管芯片220经由多条接合线222(例如金线)电性连接至芯片承载器210。在另一实施例中，亦可以是采用倒装焊接合工艺或其他相关接合工艺以将发光二极管芯片220电性连接至芯片承载器210。具体而言，当采用倒装焊接合工艺以电性连接发光二极管芯片220与芯片承载器210时，多个导电凸块(例如焊锡凸块或金凸块)会形成于发光二极管芯片220或芯片承载器210上，以使发光二极管芯片220与芯片承载器210透过导电凸块彼此电性连接。此外，用以发出不同色光(例如红光、绿光及蓝光)的发光二极管芯片220可以同时配置于开口232中，且电性连接至芯片承载器210，以提供白光。
请参照图2D与图3D，然后，在开口232形成透光封胶240。透光封胶240具有不被不透光壳体230覆盖的侧向出光表面242，且发光二极管芯片220所发出的光是经由侧向出光表面242出射。在本实施例中，透光封胶240是通过提供掺有荧光材料244的透光化合物以及将此透光化合物填入开口232所形成。详细地说，掺杂于透光化合物中的荧光材料244是用以转换发光二极管芯片220所发出的部分光。举例而言，发光二极管芯片220适于发出蓝光，而掺杂于透光化合物中的荧光材料244(例如钇铝石榴石(YttriumAluminum Garnet，YAG))适于将蓝光转换成黄光，并通过混合蓝光与黄光以获得白光。在本发明的另一实施例中，可采用不掺有荧光材料的透光化合物以填入不透光壳体230的开口232。举例而言，可通过点胶工艺或射出成型工艺以将此透光化合物填入开口232中。如图2D所示，由于不透光壳体230是通过已知射出成型工艺所形成，因此不透光壳体230的厚度d1通常大于0.6毫米。
请参照图2E，之后，移除部分不透光壳体230与部分透光封胶240，以减少侧面发光型发光二极管封装体250的整体厚度。移除部分不透光壳体与部分透光封胶的方法例如是切割或研磨。因此，如图3D所示，透光封胶240的上表面246便不会被位于侧向出光表面242的一侧的不透光壳体230所覆盖，或会被不透光壳体230所暴露。请参照图2D与图2E，在移除部分不透光壳体230与部分透光封胶240之前，不透光壳体230与透光封胶240的整体厚度d1约为0.4毫米至0.8毫米。如图2E所示，侧面发光型发光二极管封装体250具有不透光壳体230与透光封胶240的缩减的整体厚度d2。具体而言，在移除部分不透光壳体230与部分透光封胶240之后，不透光壳体230与透光封胶240的缩减的整体厚度d2约为0.35毫米至0.55毫米。
请参照图2F，接着，在透光封胶240的上表面246上以及不透光壳体230上形成不透光保护层260，以完成本实施例的侧面发光型发光二极管封装体270。形成不透光保护层260的方法例如为涂布法、网印法、贴粘法或溅射法，其中贴粘法是指将已制成的不透光保护层260贴粘至透光封胶240的上表面246上以及不透光壳体230上。因此，不透光保护层260为膜状层。如图2F所示，本实施例的侧面发光型发光二极管封装体270包括芯片承载器210、发光二极管芯片220、封胶280以及不透光保护层260。发光二极管芯片220电性连接至芯片承载器210。封胶280包括不透光壳体230与透光封胶240。不透光壳体230与芯片承载器210接合，其中不透光壳体230具有开口232，以容置发光二极管芯片220。透光封胶240配置于开口232中。透光封胶240具有不被不透光壳体230覆盖的侧向出光表面242，且透光封胶240具有上表面246，其位于侧向出光表面242(如图3D所示)的一侧且不被不透光壳体230所覆盖。发光二极管芯片220所发出的光是经由侧向出光表面242(如图3D所绘示)出射。此外，不透光保护层260配置于透光封胶240的上表面246上以及不透光壳体230上。
具体而言，不透光保护层260的材料包括聚合物及掺入此聚合物中的多个粒子，其中聚合物包括寡合物、硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂，而这些粒子的材料包括金属、二氧化钛、氧化铝或荧光剂。不透光保护层的厚度d3约为0.01毫米至0.15毫米。值得注意的是，不透光保护层为薄膜，因此厚度d3远小于厚度d1与厚度d2的差值。所以，相较于图2D所绘示的侧面发光型发光二极管封装体250的厚度d1，侧面发光型发光二极管封装体270的整体厚度d4(即d2加上d3)被大幅减少。再者，此减少侧面发光型发光二极管封装体270的整体厚度的方法简单且容易实施。一言以蔽之，本实施例提供一种具有高成品率及高生产效率的发光二极管封装体的制造方法。当然，在另一实施例中，不透光壳体230位于侧向出光表面242的两侧的上侧与下侧亦可皆被移除，而两不透光保护层260可分别形成于透光封胶240与不透光壳体230的上表面与下表面上。如此一来，侧面发光型发光二极管封装体270的厚度d4可以更薄。
综上所述，本发明的造制方法相容于现有的工艺，且不透光壳体可以采用射出成型工艺来形成而不需修改模具。因此，本发明的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法简单且容易实施。此外，本发明制造薄型侧面发光型发光二极管封装体的成品率较高。
虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定的为准。

Claims (23)

1.一种侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，包括：
提供芯片承载器；
形成与该芯片承载器接合的不透光壳体，其中该不透光壳体具有开口；
进行芯片接合工艺，以将发光二极管芯片电性连接至该芯片承载器，并使该发光二极管芯片位于该开口中；
在该开口中形成透光封胶，其中该透光封胶具有不被该不透光壳体覆盖的侧向出光表面，且该发光二极管芯片所发出的光是经由该侧向出光表面出射；
移除部分该不透光壳体与部分该透光封胶，以减少该不透光壳体的整体厚度，并使该透光封胶的上表面不被位于该侧向出光表面的一侧的该不透光壳体覆盖；以及
在该透光封胶的该上表面上以及该不透光壳体上形成不透光保护层。
2.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中该芯片承载器包括导线架或线路板。
3.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中形成该不透光壳体的方法包括射出成型。
4.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中该芯片接合工艺包括引线接合工艺或倒装焊接合工艺。
5.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中形成该透光封胶的方法包括点胶或射出成型。
6.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中形成该透光封胶的方法包括：
提供掺有荧光材料的透光化合物；以及
将该透光化合物填入该开口。
7.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，在移除部分该不透光壳体与部分该透光封胶之前，该不透光壳体与该透光封胶的整体厚度约为0.4毫米至0.8毫米。
8.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，在移除部分该不透光壳体与部分该透光封胶之后，该不透光壳体与该透光封胶的整体厚度约为0.35毫米至0.55毫米。
9.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中移除部分该不透光壳体与部分该透光封胶的方法包括切割或研磨。
10.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中形成该不透光保护层的方法包括涂布法、网印法、贴粘法或溅射法。
11.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中该不透光保护层的材料包括聚合物及掺入其中的多个粒子。
12.如权利要求11所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中该聚合物包括寡合物、硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。
13.如权利要求11所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中该粒子的材料包括金属、二氧化钛、氧化铝或荧光剂。
14.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装体的制造方法，其中该不透光保护层的厚度约为0.01毫米至0.15毫米。
15.一种侧面发光型发光二极管封装体，包括：
芯片承载器；
发光二极管芯片，电性连接至该芯片承载器；
封胶，包括：
不透光壳体，与该芯片承载器接合，其中该不透光壳体具有开口，以容置该发光二极管芯片；
透光封胶，配置于在开口中，其中该透光封胶具有不被该不透光壳体覆盖的侧向出光表面，且该透光封胶具有上表面，其位于该侧向出光表面的一侧且不被该不透光壳体所覆盖，该发光二极管芯片所发出的光是经由该侧向出光表面出射；以及
不透光保护层，配置于该透光封胶的该上表面上以及该不透光壳体上。
16.如权利要求15所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该芯片承载器包括导线架或线路板。
17.如权利要求15所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该封胶与该不透光保护层的整体厚度约为0.35毫米至0.45毫米。
18.如权利要求15所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该不透光保护层的材料包括聚合物及掺入其中的多个粒子。
19.如权利要求18所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该聚合物包括寡合物、硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。
20.如权利要求18所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该粒子的材料包括金属、二氧化钛、氧化铝或荧光剂。
21.如权利要求15所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该不透光保护层的厚度约为0.01毫米至0.15毫米。
22.如权利要求15所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该透光封胶的材料包括硅树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂。
23.如权利要求22所述的侧面发光型发光二极管封装体，其中该透光封胶的材料还包括荧光材料。
CN2007101802226A 2007-07-23 2007-10-11 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法 Expired - Fee Related CN101355126B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/781,279 US20090026470A1 (en) 2007-07-23 2007-07-23 Super thin side-view light-emitting diode (led) package and fabrication method thereof
US11/781,279 2007-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101355126A true CN101355126A (zh) 2009-01-28
CN101355126B CN101355126B (zh) 2010-10-13

Family

ID=40294462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101802226A Expired - Fee Related CN101355126B (zh) 2007-07-23 2007-10-11 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090026470A1 (zh)
JP (1) JP2009027129A (zh)
KR (1) KR100961231B1 (zh)
CN (1) CN101355126B (zh)
TW (1) TW200905925A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103075678A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 Lg伊诺特有限公司 光源模块和具有该光源模块的照明设备
CN103098242A (zh) * 2010-08-03 2013-05-08 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光二极管芯片
CN103682063A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
CN104425675A (zh) * 2013-08-26 2015-03-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN108511576A (zh) * 2017-02-27 2018-09-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
TW200937667A (en) * 2008-02-20 2009-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Package structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
TW201003979A (en) * 2008-07-11 2010-01-16 Harvatek Corp Light emitting diode chip packaging structure using sedimentation and manufacturing method thereof
US9293409B2 (en) 2013-09-11 2016-03-22 Infineon Technologies Ag Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device
CN104347787B (zh) * 2014-09-30 2017-05-31 佛山市国星光电股份有限公司 一种led发光单元的制备方法
TWI587548B (zh) * 2015-09-07 2017-06-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝件
JP7024269B2 (ja) * 2017-09-12 2022-02-24 富士電機株式会社 半導体装置、半導体装置の積層体、及び、半導体装置の積層体の搬送方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4789433B2 (ja) 2004-06-30 2011-10-12 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ表示器用筺体及びｌｅｄ表示器
US7316756B2 (en) * 2004-07-27 2008-01-08 Eastman Kodak Company Desiccant for top-emitting OLED
CN2726127Y (zh) * 2004-08-16 2005-09-14 东贝光电科技股份有限公司 侧向式发光二极管
KR100501202B1 (ko) * 2004-11-02 2005-07-18 삼성전기주식회사 측면형 발광 다이오드 및 이를 구비하는 백라이트 장치
KR100650191B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
KR100665216B1 (ko) 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
KR100638876B1 (ko) * 2005-07-22 2006-10-27 삼성전기주식회사 보호 소자의 배치 구성을 개선한 측면형 발광 다이오드
KR100632002B1 (ko) * 2005-08-02 2006-10-09 삼성전기주식회사 보호 소자를 포함하는 측면형 발광 다이오드
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2007142085A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Agilent Technol Inc 発光装置、及び発光装置の製造方法
JP5214128B2 (ja) * 2005-11-22 2013-06-19 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット
KR100780176B1 (ko) * 2005-11-25 2007-11-27 삼성전기주식회사 측면 방출 발광다이오드 패키지
JP4956977B2 (ja) * 2005-12-05 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103098242A (zh) * 2010-08-03 2013-05-08 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光二极管芯片
CN103098242B (zh) * 2010-08-03 2016-04-20 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光二极管芯片
CN103075678A (zh) * 2011-10-26 2013-05-01 Lg伊诺特有限公司 光源模块和具有该光源模块的照明设备
CN103682063A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
CN103682063B (zh) * 2012-08-30 2017-03-01 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
CN104425675A (zh) * 2013-08-26 2015-03-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN108511576A (zh) * 2017-02-27 2018-09-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
TW200905925A (en) 2009-02-01
US20090026470A1 (en) 2009-01-29
KR20090010868A (ko) 2009-01-30
KR100961231B1 (ko) 2010-06-03
CN101355126B (zh) 2010-10-13
JP2009027129A (ja) 2009-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101355126B (zh) 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法
US10573789B2 (en) Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JP4878053B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
CN103258948B (zh) 发光器件
CN102610599B (zh) 发光器件封装件及其制造方法
CN103098247A (zh) 发光装置以及发光装置的制造方法
US9847466B2 (en) Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same
KR20070078169A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2009094351A (ja) 発光装置およびその製造方法
US8587012B2 (en) LED package and mold of manufacturing the same
EP2728633A2 (en) Light emitting device
CN201226357Y (zh) 用于背光模块的发光二极管芯片封装结构
CN106058021A (zh) 芯片级封装发光装置及其制造方法
JP6668742B2 (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法
CN108538997A (zh) 表面贴装型支架和多芯片光电器件
KR101430178B1 (ko) 사이드뷰 led 패키지
CN102509761A (zh) 芯片构装
CN201213135Y (zh) 具有高效率散热基板的发光二极管芯片封装结构
CN104538529A (zh) 一种低成本的led封装结构及其晶圆级封装方法
KR100691124B1 (ko) 발광 다이오드 패키지의 제조 방법
CN214411240U (zh) Led封装结构、led模组及led显示屏
CN101567365B (zh) 具有高效率散热基板的发光芯片封装结构及其封装方法
CN110379802B (zh) 一种led全塑封结构及其塑封工艺
CN106876555A (zh) 贴片式led支架以及贴片式led器件
CN118099145A (zh) 一种rgb封装聚光结构及封装工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101013

Termination date: 20121011