CN101351875A - 半导体器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种半导体器件的制造方法,该方法将引线框架安装于在型腔部(12a)未形成流入口和通气孔部的上部金属模和在型腔部(15a)的1处角部形成着流入口(15f)、但未形成通气孔部的下部金属模之间,在以中压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并对由型腔部(12a、15a)形成的模内进行减压之后,使模压树脂流入其模内。在暂且一边以低压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并使模压树脂流入由型腔部(12a、15a)形成的模内,一边排出残留空气之后,以高压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并使充填在由型腔部(12a、15a)形成的模内的模压树脂成型。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造方法,特别是涉及可有效适用于按照传递模压(transfer mold)方式对半导体器件进行树脂密封的方法的技术。
背景技术
例如,已公开有如下技术:当注入熔融树脂时,在上部阴模(cavityblock)的接触面与引线框架上表面的整个区域上形成间隙,对熔融树脂施加低压以将熔融树脂输送充填到型腔(cavity)内,从上述间隙排气并进行预合模,之后消除上部阴模的接触面与引线框架上表面的整个区域的间隙,并提高熔融树脂的输送压力以对熔融树脂加压从而进行密封(例如参照专利文献1)。
另外,还公开有如下技术:将夹紧被成形品的夹紧面压力设定为可以从型腔排出空气并能阻止树脂从型腔漏出的夹紧压力,在由该夹紧压力将被成形品夹紧的状态下,在向型腔内充填树脂之前进行合模并从型腔内排出空气,在将夹紧面压力设定为不会因充填在型腔内的树脂成型时的成型压力而使树脂从型腔漏出的锁紧压力之后,对树脂施加成型压力以进行树脂模压(例如参照专利文献2)。
另外,还公开有如下的模压方法:在开模的状态下在上部模和下部模之间供给被成形品和树脂,在对树脂模压区域进行了气封和抽真空之后,将上部模和下部模合模并对被成形品进行树脂模压(例如参照专利文献3)。
另外,还公开有如下的树脂密封用金属模:具有设在型腔的外周部并使型腔内的空气与外界连通的通气孔、设置成与该通气孔连通的抽吸用通路、设在抽吸用通路上并与金属模外部连通的抽吸口(例如参照专利文献4)。
另外,还公开有如下的树脂密封装置:由模压(mold)金属模将基板夹紧,由树脂充填部一边施加树脂压力一边向型腔凹部输送密封树脂,同时由空气抽吸单元从基板排气孔抽吸半导体芯片和基板的间隙部分的空气后,对间隙部分进行树脂密封(例如参照专利文献5)。
另外,还公开有如下的树脂模压方法:当由模压金属模将被成形品夹紧并充填树脂时,使传递压力逐渐上升,同时随着传递压力的压力增加使对被成形品的合模力逐渐增大并进行树脂充填,在固化时从固化开始时起经过了预定时间之后使传递压力逐渐缓和,同时随着传递压力的缓和使对被成形品的合模力逐渐缓和而进行固化(例如参照专利文献6)。
专利文献1:日本特开2000-100845号公报(段落[0033]~[0042]、图3~图7)
专利文献2:日本特开2005-88395号公报(段落[0019]~[0024]、图2~图4)
专利文献3:日本特开2005-53143号公报(段落[0018]~[0020]、图1~图3)
专利文献4;日本特开平7-88901号公报(段落[0012]~[0014]、图1)
专利文献5:日本特开2001-267345号公报(段落[0021]~[0027]、图4)
专利文献6:日本特开平5-147063号公报(段落[0010]~[0011]、图1)
发明内容
在传递模压方式中,一般为了改进模压树脂(例如环氧树脂)从模压金属模的脱模性,在模压树脂中添加蜡(wax)。但是存在如下问题:随着脱模次数的增加,所添加的蜡会附着在型腔的表面上并因受模压金属模的热而氧化,因该氧化后的蜡而导致模压树脂从模压金属模的脱模性恶化。因此,在进行了采用模压树脂的1000~1500次注入的模压后,进行采用清洗树脂(例如三聚氰胺系树脂)的5~6次注入的清洗,除去附着在模压金属模上的模压树脂。清洗树脂具有将因氧化后的蜡而引起的附着在模压金属模上的模压树脂强行剥掉的性质。
但是,即使实施该清洗,也不能充分恢复模压树脂从模压金属模的脱模性,因此,在进行了上述清洗后,还要进行采用了能使模压树脂从模压金属模的脱模性提高的树脂(例如蜡系树脂,以下简记为脱模用树脂)的2~3次注入的模压,以期提高模压树脂从模压金属模的脱模性。
可是,在将模压树脂注入模压金属模时,为了使处于模压金属模的流路部和型腔内的空气不会被卷入到模压树脂内,在各型腔部的中央或角部设置有通气孔部(空气的排出通路)。通气孔部的尺寸因封装的规格而不同,但例如在QFP(Quad Flat Package:四方扁平封装)中,在3处角部设置有宽0.5mm~1mm左右、深30μm~45μm的通气孔部。
但是,在该狭小的通气孔部上很容易变成附着了上述脱模用树脂的状态,当在附着了脱模用树脂的状态下进行模压时,空气不能排出而被卷入到模压树脂内,因而使模压树脂产生未注满缺陷。因此,要通过手工作业将附着在通气孔部的脱模用树脂除去,但为了除去附着在通气孔部的脱模用树脂需花费很多时间。例如在模压矩阵式框架的模压金属模上具有100~300个通气孔部,因此要除去附着在通气孔部的脱模用树脂,每一次需要2小时左右。
虽然有一种通过减压模压强制性地将型腔部内的空气排出的方案,但在大部分模压金属模中对空气的抽吸都使用通气孔部。因此,当通气孔部堵塞时就不能使型腔部内减压,无法将空气排出到型腔部以外,因此难以成为消除模压树脂的未注满缺陷的有效方案。
另外,虽然还有一种在金属模的上部金属模和下部金属模的整个区域上形成了30μm~40μm的间隙的状态下,对模压树脂施加低压以将模压树脂充填到型腔部内,在从上述间隙排气后消除上部金属模和下部金属模的整个区域的间隙并进行密封的方式,但是,由于模压树脂是熔融树脂,所以存在着模压树脂从间隙漏出的问题、或所排出的空气被卷入到模压树脂内而使封装的内部和外部产生空隙(void)的问题。
另外,为进行减压模压,需要在模压金属模上加工密封用的沟槽,并在加工后的部位设置耐热用O形环,以防空气从减压部位以外侵入。但是,由于需要在引线框架表面的外侧留有组装密封用O形环的空间,因此使模压金属模大型化,随之使模压成型机也大型化。进一步,O形环通常由硅系橡胶构成,因此强度较弱,当在O形环与密封用的沟槽之间夹入了异物(例如模压后的树脂碎屑等)时,会使O形环损坏,使空气从该部位侵入从而使减压量降低。因此,需要对O形环进行维护管理。
本发明的目的在于,提供一种能够谋求缩短半导体芯片密封用模压金属模的清洗时间的技术。
本发明的另一目的在于,提供一种可以通过防止模压树脂的未注满缺陷,从而使半导体产品的制造合格率提高的技术。
本发明的上述以及其他的目的和新的特征,根据本说明书的记述和附图来明确。
简单说明本申请所公开的发明中的代表性技术方案的概要如下。
本发明的半导体器件的制造方法,包括:将管芯焊接有半导体芯片的引线框架安装上部金属模和下部金属模之间,并以中压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧而对由上部金属模的型腔部和下部金属模的型腔部形成的模内进行减压的工序,其中,上部金属模在型腔部没有形成流入口和通气孔部,下部金属模在型腔部的1处角部形成有流入口、但没有形成通气孔部;在以中压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧的状态下,停止由上部金属模的型腔部和下部金属模的型腔部形成的模内的减压,并使对上述半导体芯片进行密封的模压树脂流入其模内的工序;以低压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧,并一边使模压树脂流入由上部金属模的型腔部和下部金属模的型腔部形成的模内,一边排出其模内的残留空气的工序;以高压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧,并使由上部金属模的型腔部和下部金属模的型腔部形成的模内的模压树脂成型的工序。
本发明的半导体器件的制造方法,包括:使上部金属模的流入口与引线框架的流入口部相对应地将管芯焊接有半导体芯片的引线框架安装在上部金属模和下部金属模之间的工序,其中,上部金属模在型腔部没有形成流入口和通气孔部,下部金属模在型腔部的1处角部形成有流入口、但没有形成通气孔部,引线框架具有设在单位框架的封装区域的第一角部的流入口部、和设在位于与第一角部对称的位置的第二角部并形成有通气孔的流通腔部;从加料腔部经由通过将上部金属模和下部金属模夹紧而形成的树脂流入路径和流入口,使对上述半导体芯片进行密封的模压树脂流入由型腔部形成的模内,并从形成在流通腔部的通气孔排出由型腔部形成的模内的空气的工序。
简单说明由本申请所公开的发明中的代表性技术方案所取得的效果如下。
由于在模压金属模的上部金属模和下部金属模没有形成通气孔部,因此不需要除去附着在通气孔部的脱模用树脂,可以缩短模压金属模的清洗时间。而且,由于没有形成通气孔部,因此可以避免因附着在通气孔部的脱模用树脂的除去的不彻底而引起的型腔内的减压不充分、或因附着在通气孔部的脱模用树脂的突发剥落而引起的产生异物以及由附着该异物造成的模压树脂的未注满缺陷,可以提高半导体产品的制造合格率。
附图说明
图1是表示本实施方式1的引线框架的外形的一个例子的俯视图。
图2是表示本实施方式1的半导体器件制造方法的一个例子的流程图。
图3是用于由引线框架详细说明图2的模压工序的说明图,其中,(a)是树脂流入处理前的引线框架,(b)是树脂流入处理后的引线框架,(c)是流入口折断(gate break)处理后进行卸载处理的引线框架。
图4是表示本实施方式1的模压金属模的概略结构例的俯视图,(a)是上部金属模的俯视图、(b)是下部金属模的俯视图。
图5是表示图4的模压金属模内A-A′间的剖面结构例的图,其中,(a)是上部金属模的剖视图,(b)是下部金属模的剖视图。
图6是图4的模压金属模的型腔部的放大俯视图,其中,(a)是上部金属模的俯视图,(b)是下部金属模的俯视图。
图7是表示本实施方式1的模压金属模的减压部的概略结构例的剖视图。
图8是本实施方式1的空气排出处理和树脂流入处理的工作顺序的一个例子,其中,(a)是下部金属模的杆抬起用柱塞(plunger)的模压(press)位置,(b)是夹持引线框架的夹紧压力,(c)是从下部金属模的加料腔部压出模压树脂的柱塞的传递位置。
图9是表示依次说明本实施方式1的空气排出处理和树脂流入处理的模压金属模的概略结构例的图,其中,(a)是减压部的上部金属模和下部金属模的剖视图,(b)是树脂流入部的上部金属模和下部金属模的剖视图,(c)是引线框架设置部的上部金属模和下部金属模合模后的主要部分俯视图。
图10是接续图9表示空气排出处理和树脂流入处理中的与图9相同部位的模压金属模的概略结构例的图。
图11是接续图10表示空气排出处理和树脂流入处理中的与图9相同部位的模压金属模的概略结构例的图。
图12是接续图11表示空气排出处理和树脂流入处理中的与图9相同部位的模压金属模的概略结构例的图。
图13是接续图12表示空气排出处理和树脂流入处理中的与图9相同部位的模压金属模的概略结构例的图。
图14是接续图13表示空气排出处理和树脂流入处理中的与图9相同部位的模压金属模的概略结构例的图。
图15是本实施方式1的空气排出处理和树脂流入处理的工作顺序的另一个例子,其中,(a)是下部金属模的抬起杆用柱塞的模压位置,(b)是夹持引线框架的夹紧压力,(c)是从下部金属模的加料腔部压出模压树脂的柱塞的传递位置。
图16是表示连接半导体芯片上的焊点与引线框架的引线的金属线的流动发生率的曲线图。
图17是表示模压树脂内所形成的空隙和未注满部位的发生率的曲线图。
图18是表示本实施方式2的引线框架外形的一个例子的俯视图。
图19是表示在本实施方式2的引线框架上形成的流通腔部的放大俯视图。
图20是表示在本实施方式2的引线框架上形成的树脂积存部的放大图,其中,(a)是树脂积存部的放大俯视图,(b)是在树脂积存部形成的通气孔的放大剖视图。
图21是表示在本实施方式2的引线框架上形成的流通腔部的第一变形例的放大俯视图。
图22是表示在本实施方式2的引线框架上形成的流通腔部的第二变形例的放大俯视图。
图23是用于根据引线框架的一个例子说明本实施方式2的模压工序的说明图,其中,(a)示出将半导体芯片安装在框架的基岛(tab)上之前的引线框架,(b)示出贴装了半导体芯片后进行了模压树脂密封的引线框架。
图24是用于根据引线框架的另一个例子说明本实施方式2的模压工序的说明图,其中,(a)示出将半导体芯片贴装在框架的基岛上之前的引线框架,(b)示出贴装了半导体芯片后进行了模压树脂密封的引线框架。
具体实施方式
以下,根据附图详细说明本发明的实施方式。在用于说明实施方式的所有附图中,对相同的构件原则上标以同一符号,其重复说明从略。
在本实施方式中,为了便于说明的需要,分成多个部分或实施方式进行说明,但除特别指明时以外,其相互间不是无关的,一方与另一方的一部分或全部的变形例、细节、补充说明等有关。
另外,在本实施方式中,当提及要素的数等(包括个数、数值、量、范围等)时,除特别指明时和在原理上明确限定为特定的数时以外,并不限定于该特定的数,既可以在特定的数以上,也可以是特定的数以下。进一步,在本实施方式中,其构成要素(也包括要素步骤等),除特别指明时和在原理上明确认为必要时等以外,当然并不一定是必要的。同样,在本实施方式中,当提及构成要素等的形状、位置关系等时,除特别指明时和在原理上明确认为不是如此时以外,实际上包括与其形状等近似或类似的情况等。这种情况对于上述数值和范围也是同样的。
另外,在本实施方式所用的附图中,即使是俯视图,为了容易看清附图有时也附加阴影线。
另外,在用于说明本实施方式的所有附图中,对具有相同功能的部分原则上标以同一符号,其重复说明从略。以下,根据附图详细说明本发明的实施方式。
(实施方式1)
图1是对本实施方式1的引线框架示出其外形的一个例子的俯视图。图1所示的引线框架例如是面向QFP的矩阵型引线框架,如设引线框架的长度方向(x轴方向)为列、与该列方向正交的方向(y轴方向)为行,则为将属于1个半导体产品的单位框架1配置成6行2列的结构。本实施方式1中的所谓矩阵型引线框架是在各行和列中具有2个以上的单位框架1的结构。另外,在本实施方式1中,将与上述x轴和y轴正交的引线框架的厚度方向用作z轴方向。
各单位框架1,包括通过管芯焊接(die bonding)工序安装半导体芯片的基岛2、围绕基岛2设置并通过引线接合(wire bonding)工序与半导体芯片上的焊点连接的多条引线3、设置在作为包含半导体芯片的树脂密封区域的封装区域(型腔部)的角部并用作使模压树脂流入封装区域时的入口区域的流入口部4。另外,在各单位框架1之间和各单位框架1的周边,设置有多个孔5或狭缝6等,它们用于引线框架的定位或用于缓和伴随着模压树脂的流入的引线框架的变形。而且,在列方向上邻接的单位框架1之间,设有用作树脂流入路径的流道(runner)部7。该流道部7具有多个孔8的图案。
图2是在本实施方式1的半导体器件的制造方法中,示出其工序流程的一个例子的流程图。在图2中,使用如图1所示的引线框架,依次进行基于模压装置的模压工序、基于切断装置的切断工序和基于镀敷装置的镀敷工序。
模压工序包括如下等处理:装载处理(S200),将所接合(bonding)的引线框架放入装置内,并设置在预定的位置;树脂流入处理(S201),用上部金属模和下部金属模使模压树脂流入设置好的引线框架;流入口折断处理(S202),从由树脂流入处理所残留的剔料(cull)部除去流道部的模压树脂;卸载处理(S203),将流入口折断处理后的引线框架从预定的位置取出并输送到下一个装置。
切断工序包括如下等处理:流入口切除处理(S204),除去由上述的树脂流入处理(S201)残留的流入口部的模压树脂;堤坝切除处理(S205),除去对引线框架的引线之间进行连结的堤坝(dam bar)和残留在该堤坝周围的残留树脂等。镀敷工序包括对作为模压树脂的外侧引线的、用作与内部引线连接的引线的外部引线进行焊剂镀敷等的镀敷工序(S206)等。
在本发明中,主要特征是在引线框架的模压工序中用上部金属模和下部金属模进行的树脂注入处理,关于其细节和效果等在以下的说明中来明确。
首先,在下文中用图3~图5说明本实施方式1的模压工序。图3是用于根据引线框架详细说明图2的模压工序的说明图,(a)示出树脂流入处理前的引线框架,(b)示出树脂流入后的引线框架,(c)示出流入口折断处理后进行卸载处理的引线框架。图4是表示模压金属模的概略结构例的俯视图,(a)是上部金属模的俯视图,(b)是下部金属模的俯视图。图5是表示图4的模压金属模内A-A′间的剖面结构例的图,(a)是上部金属模的剖视图,(b)是下部金属模的剖视图。
在图3(a)中,示出将半导体芯片9管芯焊接在框架主体100的基岛上、并对该半导体芯片9与框架主体100的引线3进行引线接合后的引线框架。该引线框架示出了图1的引线框架的1行,具有流入口部4和流道部7。并且,用上部金属模和下部金属模使模压树脂流入该引线框架。
这样,引线框架如图3(b)所示,变成具有包含半导体芯片9和作为引线3的一部分区域的内部引线的型腔部的模压树脂10a、流入口部4的残留树脂10b、流道部7的残留树脂10c和未图示的剔料部等的残留树脂的状态。其中,流道部7的残留树脂10c仅存在于引线框架的一面上,形成在如图3(a)所示的用于除去树脂的孔8的上部。
接着,作为流入口折断(break)处理,通过使装置所设有的推顶杆(ejector pin)向用于除去树脂的孔8伸出,除去从流道部7的残留树脂10c到未图示的剔料部等的残留树脂的部分。由此如图3(c)所示,引线框架变成具有型腔部的模压树脂10a和流入口部4的残留树脂10b的状态。之后,在该状态下结束模压工序,进行卸载处理。在卸载处理中,将引线框架放在两侧具有导轨的输送轨等之上,输送到进行切断工序的切断装置。
图4(a)中示出的上部金属模,例如是可以安装2个10行4列的矩阵型引线框架的金属模,在该矩阵型引线框架的安装区域内,设置有凹形模的型腔部12a和型腔流道部12b。另外,在矩阵型引线框架的安装区域的外部,设置有与模压树脂的供给源对应的剔料部12c和对剔料部12c之间进行连接的连接流道12d。进一步,在连接流道12d的两端还设置有用于使型腔部12a减压的减压剔料部12e。此外,作为其他结构,设置有在流入模压树脂后将上部金属模推开时所需的回行杆(return pin)驱动用的孔13和用于使上部金属模和下部金属模的位置对准的凸状的楔形部(wedge)14等。
图4(b)中示出的下部金属模,具有与上述的上部金属模对应的结构。与上部金属模一样,在矩阵型引线框架的安装区域内,具有凹形模的型腔部15a和型腔流道部15b,并设置有分支流道部15c作为连接2行的引线框架的型腔流道部15b的流路。另外,在下部金属模内,还设置有与上部金属模的剔料部12c对应的加料腔部15d、与上部金属模的减压剔料部12e相对应并用于抬起减压开闭驱动杆的杆抬起部15e。此外,作为其他结构,设置有在流入模压树脂后将下部金属模推开时所需的回行杆驱动用的孔16和用于使上部金属模和下部金属模的位置对准的凹状的楔形部17等。
流入模压树脂的处理,通过用上述的上部金属模和下部金属模夹入引线框架并向加料腔部15d供给模压树脂来进行。提供给加料腔部15d的模压树脂,经由分支流道部15c并通过位于引线框架的两面的型腔流道部12b、15b而流入由型腔部12a、15a形成的模内。
在此,图4(a)、(b)的作为从剔料部12c和加料腔部15d通到型腔部12a、15a的树脂流入路径的A-A′间的剖面结构,例如如图5(a)、(b)所示。为便于说明,图4中的A-A′间的线通过型腔流道部12b、15b和分支流道部15c。
图5(a)中示出的上部金属模具有型腔部12a、型腔流道部12b和剔料部12c,还具有设置成可以向型腔部12a伸出的推顶杆18a、设置成可以向型腔流道部12b伸出的推顶杆18b、设置成可以向剔料部12c伸出的推顶杆18c、与图4(a)的孔13对应的回行杆19。进一步,图中虽未示出,但还具有设置成可以向减压剔料部12e伸出的减压开闭驱动杆。
图5(b)中示出的下部金属模具有型腔部15a、型腔流道部15b、分支流道部15c、加料腔部15d和流入口15f,还具有设置成可以向型腔部15a伸出的推顶杆20a、设置成可以向型腔流道部15b及分支流道部15c伸出的推顶杆20b、设置在加料腔部15d内的用作输送模压树脂的活塞的柱塞21、与图4(b)的孔16对应的回行杆22。进一步,图中虽未示出,但在杆抬起部15e还具有可以将减压开闭驱动杆向上推压的杆抬起用柱塞。
当流入模压树脂时,通过用上述的上部金属模和下部金属模夹入引线框架并向加料腔部15d供给模压树脂来进行。提供给加料腔部15d的模压树脂由柱塞21送出,经由分支流道部15c,通过位于引线框架的两面的型腔流道部12b、15b,流入由型腔部12a、15a形成的模内。然后,在流入的模压树脂固化后,由推顶杆18a、18b、18c、20a、20b和回行杆19、22使上部金属模和下部金属模与引线框架分离,引线框架变为如图3(b)所示的状态。
接着,用图6说明本实施方式1的上部金属模和下部金属模的特征形状。图6是图4的模压金属模的型腔部的放大俯视图,(a)是上部金属模的俯视图,(b)是下部金属模的俯视图。
在图6(a)中示出的上部金属模的型腔部12a,未设置流入模压树脂的流入口和用作空气的排出通路的通气孔部。另外,在图6(b)中示出的下部金属模的型腔部15a,在型腔部15a的1处角部上设有流入模压树脂的流入口15f,但没有设置通气孔部。
如上所述,在以往的模压金属模的1个型腔部内设置有1~3个通气孔部。在传递模压方式中,在进行了多次模压后,依次进行使用了清洗树脂的模压金属模的清洗、和使用了用于谋求提高模压树脂从模压金属模的脱模性的脱模用树脂的模压,但通气孔部狭小,很容易变成脱模用树脂附着在该通气孔部的状态。因此,要通过手工作业除去附着在通气孔部的脱模用树脂,但为了除去附着在通气孔部的脱模用树脂需花费很多时间。
但是,如图6(a)、(b)所示,由于在本发明的模压金属模的上部金属模和下部金属模的型腔部未形成通气孔部,因此不需要除去通气孔部的脱模用树脂,可以缩短模压金属模的清洗时间。
可是,由于没有形成用作空气的排出通路的通气孔部,就不能利用通气孔部将残留在由型腔部12a、15a形成的模内的空气排出。因此,在使模压树脂流入由型腔部12a、15a形成的模内之前,利用上部金属模的减压剔料部12e和下部金属模的杆抬起部15e,经由流入口15f、型腔流道部12b、15b和连接流道12d强制性地使由型腔部12a、15a形成的模内减压,从而从该模内排气。
以下,用图7~图14说明本实施方式1的从型腔部排出空气的方法和模压树脂向型腔部的流入方法。图7是表示模压金属模的减压部的概略结构例的剖视图。图8是空气排出处理和树脂流入处理的工作顺序的一个例子,(a)是下部金属模的模压位置,(b)是夹持引线框架的夹紧压力,(c)是从下部金属模的加料腔部压出模压树脂的柱塞的传递位置。图9~图14是表示依次说明空气排出处理和树脂流入处理的模压金属模的概略结构例的图,(a)是减压部的上部金属模和下部金属模的剖视图,(b)是树脂流入部的上部金属模和下部金属模的剖视图,(c)是引线框架设置部的上部金属模和下部金属模合模后的主要部分俯视图。
在图7所示的减压部的上部金属模内,设置有可以向减压剔料部12e伸出的减压开闭驱动杆23、与减压开闭驱动杆23连接的弹簧24、经由在减压开闭驱动杆23的侧面形成的凹部从减压剔料部12e抽吸空气的空气抽吸孔25等。空气抽吸孔25的另一端与真空泵装置连接。另外,在减压部的下部金属模内,设置有杆抬起用柱塞26,由柱塞固定器27和O形环28保持。
当从由型腔部12a、15a形成的模内排出空气时,使减压开闭驱动杆23向减压剔料部12e伸出,将减压剔料部12e与空气抽吸孔25连通。由此,从由型腔部12a、15a形成的模内排出空气,该所排出的空气经由型腔流道部12b、15b、连接流道12d、减压剔料部12e等向空气抽吸孔25排出。在图7中示出从由型腔部12a、15a形成的模内排出空气时的模压金属模的状态。当使模压树脂流入由型腔部12a、15a形成的模内时,通过使杆抬起用柱塞26上升,将减压开闭驱动杆23顶起,将减压剔料部12e和空气抽吸孔25遮断,停止空气的排出。
以下,说明空气排出和模压树脂流入的处理步骤的一个例子。在此,假定由型腔部形成的模内的空气不能完全排出的情况,采用了如下的方法:在使由型腔部形成的模内减压后,使用使模压树脂向该模内流入的中压夹紧(clamp)、一边向由型腔部形成的模内注入模压树脂一边将该模内的残留空气排出的低压夹紧、和使充填在由型腔部形成的模内的模压树脂成型的高压夹紧的压力不同的3段夹紧。
[工作步骤1]首先,将引线框架安装在下部金属模的预定位置。该阶段中的模压金属模的状态示于图9(a)、(b)、(c)。图9(a)是减压部的上部金属模和下部金属模的剖视图,示出图7所示的上部金属模和下部金属模被分开的状态。而图9(b)是树脂流入部的上部金属模和下部金属模的剖视图,示出上部金属模所设有的型腔部12a、型腔流道部12b和剔料部12c、以及下部金属模所设有的型腔部15a、流入口15f、投入模压树脂29的加料腔部15d和柱塞部21。进一步,在下部金属模上还示出安装在引线框架上的半导体芯片9。另外,图9(c)是引线框架设置部的上部金属模和下金属合模后的俯视图,示出上部金属模的型腔部12a、型腔流道部12b、剔料部12c与下部金属模的型腔部15a、型腔流道部15b、加料腔部15d重合的情况。
[工作步骤2]然后,使下部金属模升起直到上部金属模的下表面与下部金属模的上表面相接触为止,进行合模。这时,引线框架被夹在上部金属模和下部金属模之间,由于该被夹入的引线框架的外框架的平坦性良好,因此引线框架起着上部金属模和下部金属模之间的密封环的作用。因此,不需要像以往的抽真空模压方法那样将整个模压金属模抽真空,可以实现模压装置的小型化。该阶段中的模压金属模的状态在图8的步骤1和图10(a)、(b)、(c)示出。图10(a)、(b)、(c)示出与图9(a)、(b)、(c)相同的部位。
[工作步骤3]接着,开始对由型腔部12a、15a形成的模内进行减压。该阶段中的模压金属模的状态在图8的步骤2和图11(a)、(b)、(c)中示出。图11(a)、(b)、(c)示出与图9(a)、(b)、(c)相同的部位。夹持引线框架的夹紧压力例如被设定为55~155MPa左右的第一压力(中压夹紧)。
上部金属模所设有的减压开闭驱动杆23向减压剔料部12e伸出。通过使减压开闭驱动杆23向减压剔料部12e伸出,经由流入口15f、型腔流道部12b、15b、分支流道部15c、连接流道12d、减压剔料部12e和空气抽吸孔25,使由型腔部12a、15a形成的模内减压,排出空气。对模压金属模的密封利用安装在下部金属模上的引线框架,通过将上部金属模和下部金属模夹紧,使与引线框架相接的上部金属模的型腔部12a和下部金属模的型腔部15a不留间隙,可以对由型腔部12a、15a形成的模内进行减压。模内的减压例如被设定为-70~-100kPa左右。这时,由于将引线框架的外框架用作上部金属模和下部金属模之间的密封环,与以往的将整个模压金属模抽真空的方法相比,在如本申请这样的减压方法中不必对模压金属模内进行充分的减压,与如使用通气孔的模压方式那样的在上部金属模和下部金属模之间完全不进行减压的方式相比,在随后的树脂流入时的模压金属模内残留的空气非常少。
[工作步骤4]在使由型腔部12a、15a形成的模内减压后,使模压树脂流入该模内。该阶段中的模压金属模的状态在图8的步骤3和图12(a)、(b)、(c)中示出。图12(a)、(b)、(c)示出与图9(a)、(b)、(c)相同的部位。夹持引线框架的夹紧压力例如被设定为55~155MPa左右的第一压力(中压夹紧)。
通过使减压部的杆抬起用柱塞26上升,将减压开闭驱动杆23顶起,然后,使树脂流入部的柱塞21上升,通过剔料部12c、分支流道部15c、型腔流道部12b、15b、流入口15f输送投入到加料腔部15d内的模压树脂29,并注入到由型腔部12a、15a形成的模内。这时,由于模压金属模内预先进行了减压,所以树脂流入时不易发生残留空气卷入到模压树脂内等情况,模压树脂29向模压金属模内的流入很平稳。
[工作步骤5]接着,排出由型腔部12a、15a形成的模内的残留空气。如上所述,在本申请中将引线框架的外框架用作上部金属模和下部金属模之间的密封环,虽然预先使模压金属模内进行减压,但没有进行到充分的减压,因此,随着树脂向模压金属模内流入,有可能在由型腔部12a、15a形成的模内的角部残留少量的空气。该阶段中的模压金属模的状态在图8的步骤4和图13(a)、(b)、(c)中示出。图13(a)、(b)、(c)示出与图9(a)、(b)、(c)相同的部位。夹持引线框架的夹紧压力低于上述第一压力,例如被设定为1~55MPa左右的第二压力(低压夹紧)。
通过使夹紧压力为比第一压力低的第二压力,在上部金属模的下表面的引线框架压紧面与引线框架的上表面之间,产生例如2~5μm左右的微小间隙,从该间隙排出残留在由型腔部12a、15a形成的模内的空气。在此,通过使夹紧压力降低为第二压力,使夹持被夹在上部金属模和下部金属模之间的引线框架的压力减小,但引线框架由其自重而仍留在下部金属模的上表面上,其结果是在上部金属模的下表面的引线框架压紧面与引线框架的上表面之间形成上述间隙。由于预先使模压金属模内进行着减压,因此与以往的使用通气孔的模压方式的模压金属模相比,所排出的残留空气的体积较小。这时,在减压部中遮断减压剔料部12e与空气抽吸孔25,停止空气的排出。但是,正持续地使模压树脂29向由型腔部12a、15a形成的模内流入,由所流入的模压树脂29的压力将残留在由型腔部12a、15a形成的模内的空气向外排出,并进一步将模压树脂29注入到由型腔部12a、15a形成的模内。而且,由于只排出残留在由型腔部12a、15a形成的模内的少量的空气,在上部金属模和下部金属模之间无需空出很大的间隙,不是模压树脂从模压金属模向外漏出那样的间隙,因此不会使模压树脂从模压金属模毛糙(burr)状地漏出。
[工作步骤6]接着,使充填在由型腔部12a、15a形成的模内的模压树脂29成型。该阶段中的模压金属模的状态在图8的步骤5和图14(a)、(b)、(c)中示出。图14(a)、(b)、(c)示出与图9(a)、(b)、(c)相同的部位。夹持引线框架的夹紧压力高于上述第一压力,例如被设定为155MPa以上的第三压力(高压夹紧)。
通过使夹紧压力为第三压力来夹持引线框架,可以使模压树脂29不会漏到引线框架之外地使充填在由型腔部12a、15a形成的模内的模压树脂29成型。
[工作步骤7]接着,在使模压树脂29进行了预定时间的固化后,使减压部的杆抬起用柱塞26和树脂流入部的柱塞21下降到预定的位置,用回行杆19、22和推顶杆18a、18b、18c、20a、20b剥离由模压树脂密封的引线框架和树脂流路内的固化了的模压树脂。
在进行上述工作步骤1~7的模压工序中,采用了在使由型腔部12a、15a形成的模内减压后,使模压树脂29向该模内流入的中压夹紧、一边使模压树脂29向由型腔部12a、15a形成的模内流入一边排出其模内的残留空气的低压夹紧、和使充填在由型腔部12a、15a形成的模内的模压树脂29成型的高压夹紧的3种夹紧压力,但也可以采用在使由型腔部12a、15a形成的模内减压后,一边使模压树脂29流入由型腔部12a、15a形成的模内一边排出其模内的残留空气的低压夹紧、和使充填在由型腔部12a、15a形成的模内的模压树脂29成型的高压夹紧的压力不同的2段夹紧的方法。
图15是空气排出处理和树脂流入处理的工作顺序的另一个例子,(a)示出下部金属模的杆抬起用柱塞的模压位置,(b)示出夹持引线框架的夹紧压力,(c)示出从下部金属模的加料腔部压出模压树脂的柱塞的传递位置。
当进行由型腔部形成的模内的减压(图15的步骤2)和模压树脂向由型腔部形成的模内的流入(图15的步骤3、4)时,例如施加1~55MPa以下的一定的夹紧压力(低压夹紧)。由型腔部形成的模内的减压,通过强制性地从减压部的空气抽吸孔排出由型腔部形成的模内的空气来进行。这时,由于也将引线框架的外框架用作上部金属模和下部金属模之间的密封环,因此与以往的将整个模压金属模抽真空的方法相比,在如本申请这样的减压方法中不必对模压金属模内进行充分的减压,与像使用通气孔的模压方式那样的在上部金属模和下部金属模之间完全不进行减压的方式相比,在随后的树脂流入时的模压金属模内残留的空气非常少。
在对由型腔部形成的模内进行了预定时间的减压后,使模压树脂流入其模内,但通过采用低压夹紧,在模压树脂流入的同时将残留在由型腔部形成的模内的空气向外排出。由于模压金属模内预先进行了减压,因此树脂流入时不易发生残留空气卷入到模压树脂内等情况,而且,与以往的使用通气孔的模压方式的模压金属模相比,随着树脂的流入,在低压夹紧时从模压金属模排出的残留空气的体积较小。因此,上部金属模与下部金属模的间隙也较小,不会使模压树脂从模压金属模毛糙状地漏出。
之后,使充填在由型腔部形成的模内的模压树脂成型(图15的步骤5)。这时,通过例如施加155MPa以上的一定的夹紧压力(高压夹紧),可以使模压树脂不会漏到引线框架之外地使模压树脂成型。
图16是表示连接半导体芯片上的焊点与引线框架的引线的金属线的流动特性的曲线图,示出使用在上部金属模和下部金属模形成了通气孔部的模压金属模来形成模压树脂时、以及使用在上部金属模和下部金属模不形成通气孔部的模压金属模来形成模压树脂时的金属线流动特性。图16的横轴表示金属线流动率,纵轴表示该金属丝线流动率的发生率,此处的所谓金属线流动率是最大位移量除以环路长度后的值。从图可以看出,使用未形成通气孔部的模压金属模时的金属线流动率的发生率,与使用形成了通气孔部的模压金属模时的金属丝线流动率的发生率大致相等。
图17是表示模压树脂内所形成的空隙和未注满部位的发生率的曲线图,示出使用在上部金属模和下部金属模形成了通气孔部的模压金属模来形成模压树脂时、以及使用在上部金属模和下部金属模未形成通气孔部的模压金属模来形成模压树脂时的空隙和未注满部位的发生率。图17的横轴表示空隙的大小和未注满部位,纵轴表示各个大小的空隙和未注满部位的发生率,此处的所谓发生率是发生数/检查总数。从图可以看出,即使使用未形成通气孔部的模压金属模,也几乎不产生空隙和模压树脂的未注满部位,其发生率与使用形成了通气孔部的模压金属模时的发生率大致相等。
这样一来,按照本实施方式1,由于在上部金属模和下部金属模未形成通气孔部,可以不需要除去附着在通气孔部的脱模用树脂,可以缩短模压金属模的清洗时间。而且,由于未形成通气孔部,可以避免因附着在通气孔部的脱模用树脂的除去的不彻底而引起的由型腔部形成的模内的减压不充分、或因附着在通气孔部的脱模用树脂的突发剥落而引起的产生异物以及由附着该异物造成的模压树脂的未注满缺陷,可以提高半导体产品的制造合格率。
进一步,通过强制排出由型腔部形成的模内的空气,在将模压树脂注入到由型腔部形成的模内时不会卷入空气,所以能以55MPa以下的较低的夹紧压力压住引线框架,可以使模压成型机小型化。另外,由于可以将引线框架用于对由型腔部形成的模内进行减压时的模压金属模的密封,所以无需例如在设置好的引线框架的外周部附设O形环等具有密封功能的部件,可以使模压金属模小型化。由此可以使模压成型机小型化。而且,由于不设O形环,就不会有O形环的损坏等,因此可以稳定地进行型腔部的减压。
(实施方式2)
在本实施方式2中,与上述实施方式1一样,主要特征是在引线框架的模压工序中用上部金属模和下部金属模进行的树脂注入处理,虽然使用在上部金属模和下部金属模未形成通气孔部的模压金属模,但由型腔部形成的模内的空气的排出方法与上述实施方式1不同。即在本实施方式2中,在引线框架上形成与以往的模压金属模所设有的通气孔部类似的通气孔,通过该通气孔强制性地将由型腔部形成的模内的空气排出。以下,详细说明本实施方式2的模压工序。
图18是对本实施方式2的引线框架示出其外形的一个例子的俯视图。图18中示出的引线框架,例如具有与上述的图1中示出的面向QFP的矩阵型引线框架相同的结构,将属于1个半导体产品的单位框架51配置成6行2列。在图18中仅示出引线框架中的3行2列。而且,各单位框架51设有安装半导体芯片的基岛52、围绕基岛52设置的多条引线53、设置在封装区域的角部并用作使模压树脂流入封装区域时的入口区域的具有Y字形吊挂装置(挂料桁条)的流入口部54、设在单位框架51之间和各单位框架51的周边的多个孔55或狭缝56、设在列方向上邻接的单位框架51之间的用作树脂流入路径的流道部57。在流入口部54形成的吊挂装置是为了强化在模压工序中残留在该部分的残留树脂而设置的。即如没有形成吊挂装置,则当从模压金属模取出时残留树脂会下垂,在其后的输送、切断工序和镀敷工序中将发生卡在所使用的装置上的故障。
与上述的图1中示出的引线框架的不同点在于,在位于以封装区域的中心为原点,与形成了流入口部54的封装区域的角部对称的位置的角部,设置有具有Y字形吊挂装置的流通腔部58。在该流通腔部58的Y字形吊挂装置的周围保留Y字而形成有3个孔59,并分别与其中位于外侧的2个孔连接而形成着预定深度的通气孔60。通气孔60与X方向(或Y方向)成45度的角度而形成在引线框架的表面上(安装半导体芯片的一侧)。在流通腔部58形成的Y字形的吊挂装置,与在流入口部54形成的吊挂装置一样,是为了强化在模压工序中残留在该部分的残留树脂而设置的。
另外,在流入口部54和流通腔部58以外的封装区域的2处角部,为了防止注入到由型腔部形成的模内的模压树脂漏到外部,设置有树脂积存部61。在该树脂积存部61形成孔62,进一步还形成着从封装区域的中心方向与该孔62连接的预定深度的通气孔63。通气孔63与X方向(或Y方向)成45度的角度而形成在引线框架的表面。
图19是在引线框架上形成的流通腔部58的总体放大俯视图。在流通腔部58上形成的2个通气孔60的深度,例如根据引线框架的板厚、通气孔60的加工精度和模压金属模的挤压量(例如0.01mm)决定,例如可以为引线框架厚度的50%左右。例如当引线框架的板厚为0.125mm时,通气孔的深度为0.0625mm。通气孔60的宽度可以在预定的范围内任意设定。但是,为了能从封装区域的3处角部大致均匀地排出空气,优选使在流通腔部58形成的通气孔60的截面积和在树脂积存部61形成的通气孔63的截面积基本相同。因此,在流通腔部58形成的通气孔60的宽度可以考虑在树脂积存部61形成的通气孔63的截面积而设定。例如,当根据后述的原因使在树脂积存部61形成的通气孔63的宽度为0.2mm时,在流通腔部58形成的2个通气孔60的各自的宽度(图中的符号H/2)为0.1mm。综上所述,在本实施方式2的引线框架上,使在流通腔部58形成的排气孔60的宽度为0.1mm、排气孔60的深度为0.0625mm。
图20是在引线框架上形成的树脂积存部61的放大图,(a)是树脂积存部61的总体放大俯视图,(b)是在树脂积存部61形成的通气孔63的放大剖视图。树脂积存部61的通气孔63的深度,与上述的流通腔部58的通气孔60同样,例如根据引线框架的板厚、通气孔63的加工精度和模压金属模的挤压量(例如0.01mm)决定,例如可以为引线框架厚度的50%左右。但是,通气孔63的宽度与上述的流通腔部58的通气孔60不同,不能任意设定。即,树脂积存部61的通气孔63,其目的不是将注入到由型腔部形成的模内的模压树脂压出,而是将残留在上述型腔内的空气排出。因此,如树脂积存部61的通气孔63的宽度过宽,就会将模压树脂压出。所以,优选树脂积存部61的通气孔63的宽度(图中的符号H)最大为0.2mm。综上所述,使本实施方式2的在树脂积存部61形成的通气孔63的宽度为0.2mm,使通气孔63的深度为0.0625mm。
但是,当通过湿法蚀刻形成流通腔部58和树脂积存部61的通气孔60、63时,难以形成深度一定的剖面形状为矩形的通气孔60、63。因此,虽然以0.0625mm的深度为目标形成通气孔60、63,但如图20(b)所示,可以考虑通气孔60、63的深度实际上比0.0625mm深。上述的流通腔部58和树脂积存部61的通气孔60、63的宽度和深度的设计基准只是一个例子,并不限定于此。例如还可以在上述的流通腔部58和树脂积存部61的排气孔60、63的宽度和深度的设计基准上增加模压树脂所含有的填充剂的粒径。
图21是在流通腔部58形成的通气孔的第一变形例。在上述的图19中,示出了分别与在流通腔部58的Y字形吊挂装置的周围形成的3个孔59中的位于外侧的2个孔59连接的2个通气孔60,但也可以与X方向(或Y方向)成45度的角度来形成与上述位于外侧的2个孔59中的任何一个孔59连接的1个通气孔60a。此时,为了使截面积与在树脂积存部61形成的通气孔63的截面积相同,使通气孔60a的宽度为0.2mm、通气孔60a的深度为0.0625mm。
图22是在流通腔部58形成的通气孔的第二变形例。在上述的图21中,示出了与在流通腔部58的Y字形吊挂装置的周围形成的3个孔59中的位于外侧的2个孔59中的任何一个孔59连接的1个通气孔60a,但也可以不与上述3个孔59中的任何一个连接,而是与X方向(或Y方向)成45度的角度来形成通过位于外侧的2个孔59之间的1个通气孔60b。在这种情况下,为了使截面积与在树脂积存部61形成的通气孔63相同,使通气孔60b的宽度为0.2mm、通气孔60b的深度为0.0625mm。
在本实施方式2中,强制地从封装区域的3处角部排出空气,但也可以不在树脂积存部61上形成通气孔而从1处流通腔部58排出空气。另外,在本实施方式2中,在流通腔部58和树脂积存部61形成的通气孔60、63仅在引线框架的表面形成,但也可以仅在背面、或在表面和背面这两个面形成。
以下,用图23说明本实施方式2的模压工序。图23(a)示出在基岛52上安装半导体芯片前的框架101、(b)示出安装半导体芯片后进行了模压树脂密封的框架101。
将半导体芯片管芯焊接在图23(a)所示的框架101的基岛52上之后,对该半导体芯片与框架101的引线53进行引线接合。该框架101是示出图18的引线框架的1个单位框架51的框架,它包括具有Y字形吊挂装置的流入口部54、具有Y字形吊挂装置的形成了通气孔60的1处流通腔部58、形成了通气孔63的2处树脂积存部61。
然后,用上部金属模和下部金属模使模压树脂流入该引线框架101。对于上部金属模和下部金属模,例如使用上述的图4(a)中示出的上部金属模和图4(b)中示出的下部金属模。即,如上述的图6(a)所示,在上部金属模的型腔部12(a),不设置流入模压树脂的流入口和作为空气的排出通路的通气孔部。另外,如上述的图6(b)所示,在下部金属模的型腔部15(a),在型腔部15(a)的1处角部设置有流入模压树脂的流入口,但未设置通气孔部。因此,由于在上部金属模和下部金属模未形成作为空气的排出通路的通气孔部,就不能利用通气孔部将残留在由型腔部12a、15a形成的模内的空气排出。但是,可以利用在流通腔部58形成的通气孔60和在树脂积存部61形成的排气孔63将残留在由型腔部12a、15a形成的模内的空气排出。
在对模压树脂进行了流入处理后,框架101变成具有包含半导体芯片和作为引线53的一部分区域的内部引线的型腔部的模压树脂64a、流入口部54的残留树脂64b、流通腔部58的残留树脂64c、流道部57的残留树脂和剔料部等的残留树脂的状态。
接着,作为流入口折断处理,通过使装置所设有的推顶杆向用于除去树脂的孔伸出,将从流道部57的残留树脂到剔料部等的残留树脂的部分除去。按照这种方式,如图23(b)所示,框架101变成具有型腔部的模压树脂64a、流入口部54的残留树脂64b和流通腔部58的残留树脂64c的状态。之后,在该状态下结束模压工序,进行卸载处理。
这样一来,按照本实施方式2,残留在由型腔部形成的模内的空气,可以利用在流通腔部58形成的通气孔60和在树脂积存部61形成的通气孔63进行排出,因此,可以使用未设置通气孔部的上部金属模和下部金属模。按照这种方式,与上述实施方式1同样,不需要除去通气孔部的脱模用树脂,可以缩短模压金属模的清洗时间。而且,可以避免因附着在通气孔部的脱模用树脂的除去的不彻底而引起的由型腔部形成的模内的减压不充分、或因附着在通气孔部的脱模用树脂的突发剥落而引起的产生异物以及由附着该异物造成的模压树脂的未注满缺陷,可以提高半导体产品的制造合格率。
图24示出在流入口部65和流通腔部66具有十字形吊挂装置的框架102。图24(a)示出在基岛67上安装半导体芯片前的框架102,(b)示出安装半导体芯片后进行了模压树脂密封的框架102。
该框架102也是示出引线框架的1个单位框架的框架,它包括具有十字形吊挂装置的流入口部65、具有十字形吊挂装置的形成了通气孔68的1处流通腔部66、形成了通气孔69的2处树脂积存部70。因此,即使使用在型腔部不设置流入模压树脂的流入口和作为空气的排出通路的通气孔部的上部金属模(参照上述的图4(a)和图6(a))和在型腔部只在型腔部的1处角部设置有流入模压树脂的流入口但未设置通气孔部的下部金属模(参照上述的图4(b)和图6(b)),也可以利用在引线框架的流通腔部66形成的通气孔68和在树脂积存部70形成的通气孔69,将残留在由型腔部形成的模内的空气排出。因此,可以取得与上述具有Y字形吊挂装置的引线框架同样的效果。
以上,根据实施方式具体地说明了由本发明人完成的发明,但本发明并不限定于上述实施方式,在不脱离其主旨的范围内当然可以进行各种变更。
例如,在上述实施方式1中如图6所示,在下部金属模设有使模压树脂流入由型腔部形成的模内的流入口,但也可以设在上部金属模、或设在上部金属模和下部金属模的两个面上。
本发明的半导体器件的制造方法可以广泛地应用于按照传递模压方式对特别是QFP、L-QFP(Low profile(小外形)-QFP)和T-QFP(Thin(薄型)-QFP)规格等矩阵型引线框架进行树脂密封的半导体器件的制造方法。
Claims (29)
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:
工序(a),准备包括第一金属模和第二金属模的模压金属模,其中,上述第一金属模具有多个第一型腔部和设在上述第一型腔部的1处角部的第一流入口,上述第二金属模具有多个第二型腔部;
工序(b),准备焊接有半导体芯片的引线框架;
工序(c),将上述引线框架安装在上述第一金属模和上述第二金属模之间并以第一夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧,经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的排气路径和上述第一流入口,对由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内进行减压;
工序(d),在以上述第一夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧的状态下,停止由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的减压,从加料腔部经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的树脂流入路径和上述第一流入口,使用于密封上述半导体芯片的树脂流入到由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内;
工序(e),在上述工序(d)之后,以比上述第一夹紧压力低的第二夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧,从上述加料腔部经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的上述树脂流入路径和上述流入口,使上述树脂流入到由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内;以及
工序(f),在上述工序(e)之后,以比上述第一夹紧压力大的第三夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在上述工序(e)中,排出由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的残留空气。
3.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:
工序(a),准备包括第一金属模和第二金属模的模压金属模,其中,上述第一金属模具有多个第一型腔部和设在上述第一型腔部的1处角部的第一流入口,上述第二金属模具有多个第二型腔部;
工序(b),准备焊接有半导体芯片的引线框架;
工序(c),将上述引线框架安装在上述第一金属模和上述第二金属模之间并以第二夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧,经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的排气路径和上述第一流入口,对由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内进行减压;
工序(d),在以上述第二夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧的状态下,停止由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的减压,从加料腔部经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的树脂流入路径和上述第一流入口,使用于密封上述半导体芯片的树脂流入到由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内;以及
工序(e),在上述工序(d)之后,以比上述第二夹紧压力大的第三夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧。
4.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在上述第一型腔部和第二型腔部上没有形成用于排出由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的空气的通气孔部。
5.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在上述第二金属模具有的上述第二型腔部的1处角部,在与上述第一金属模具有的上述第一型腔部的角部所设有的上述第一流入口对应的位置上设置有第二流入口。
6.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在以上述第二夹紧压力将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧的状态下,在上述第二金属模的下表面的引线框架压紧面与上述引线框架的上表面之间形成间隙。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述间隙的距离为2μm~5μm。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
夹持上述引线框架的上述第一夹紧压力为55MPa~155MPa。
9.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
夹持上述引线框架的上述第二夹紧压力为1MPa~55MPa。
10.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
夹持上述引线框架的上述第三夹紧压力为155MPa以上。
11.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的上述排气路径与减压剔料部连接,在上述工序(b)中,通过用杆抬起用柱塞使上述减压剔料部所具有的减压开闭驱动杆上下驱动,使上述排气路径开闭。
12.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的上述树脂流入路径与上述加料腔部连接,在上述工序(d)中,投入到上述加料腔部内的上述树脂被柱塞压出至上述树脂流入路径。
13.根据权利要求1或3所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的上述排气路径,使用通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的上述树脂流入路径的一部分。
14.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:
工序(a),准备包括第一金属模和第二金属模的模压金属模,其中上述第一金属模具有多个第一型腔部和设在上述第一型腔部的1处角部的第一流入口,上述第二金属模具有多个第二型腔部;
工序(b),准备具有设在单位框架的封装区域的第一角部上的流入口部和设在位于以上述封装区域的中心为原点而与上述第一角部对称的位置上的第二角部上并形成有第一通气孔的流通腔部,并在上述封装区域的中央焊接有半导体芯片的引线框架;
工序(c),使上述第一金属模的上述第一流入口与上述引线框架的上述流入口部的位置相对应来将上述引线框架安装在上述第一金属模和上述第二金属模之间;以及
工序(d),从加料腔部经由通过将上述第一金属模和上述第二金属模夹紧而形成的树脂流入路径和上述第一流入口,使用于密封上述半导体芯片的树脂流入到由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内,并从在上述引线框架的上述流通腔部所形成的上述第一通气孔排出由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的空气。
15.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔的深度为上述引线框架的板厚的50%左右。
16.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔仅形成在上述引线框架的表面。
17.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔仅形成在上述引线框架的背面。
18.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔形成在上述引线框架的表面和背面这两个面。
19.根据权利要求14所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述引线框架还具有树脂积存部,该树脂积存部在与上述单位框架的上述封装区域的上述第一角部和上述第二角部不同的其他角部形成有孔,并形成有与上述孔连接的第二排气孔,
在上述工序(d)中,从在上述引线框架的上述流通腔部形成的上述第一通气孔和在上述引线框架的上述树脂积存部形成的上述第二通气孔,排出由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的空气。
20.根据权利要求19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在上述流通腔部形成的上述第一通气孔的截面积与在上述树脂积存部形成的上述第二通气孔的截面积相同。
21.根据权利要求19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔和第二通气孔的深度为上述引线框架的板厚的50%左右。
22.根据权利要求19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔和第二通气孔仅形成在上述引线框架的表面。
23.根据权利要求19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔和第二通气孔仅形成在上述引线框架的背面。
24.根据权利要求19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
上述第一通气孔和第二通气孔形成在上述引线框架的表面和背面这两个面。
25.根据权利要求14或19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在上述第一型腔部和第二型腔部没有形成用于排出由上述第一型腔部和上述第二型腔部形成的模内的空气的通气孔部。
26.根据权利要求14或19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在上述第二金属模具有的上述第二型腔部的1处角部,在与上述第一金属模具有的上述第一型腔部的角部设有的上述第一流入口对应的位置上设置有第二流入口。
27.根据权利要求14或19所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在上述引线框架的上述封装区域的上述第一角部和第二角部形成有吊挂装置。
28.根据权利要求27所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:上述吊挂装置为Y字形。
29.根据权利要求27所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:上述吊挂装置为十字形。
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Cited By (2)
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Families Citing this family (5)
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JPH10189630A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-21 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104385534A (zh) * | 2014-11-18 | 2015-03-04 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种塑封模具结构 |
CN104385534B (zh) * | 2014-11-18 | 2017-06-16 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 | 一种塑封模具结构 |
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CN108074884B (zh) * | 2016-11-14 | 2021-06-04 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体器件封装结构 |
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