CN101276154B - 光刻设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光刻装置及其方法。本发明还公开了一种器件制造方法，所述方法包括采用照射系统调节辐射束。所述调节包括：控制照射系统的独立可控的元件的阵列和相关的光学部件，以将辐射束转换成所需的照射方式，所述控制包括将不同的独立可控元件根据分配方案分配给所述照射方式的不同部分，所述分配方案被选择用于对照射方式、辐射束或照射方式与辐射束两者的至少一个属性提供所需的修正。所述方法也包括：以图案在辐射束的横截面上对辐射束进行图案化，以形成图案化的辐射束；以及将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。

Description

光刻设备和方法
技术领域
本发明涉及一种光刻设备和方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成对应于IC的单层的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上，所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单独的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过沿给定方向(“扫描”方向)的辐射束扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。
US6,737,662描述一种光刻设备，在所述光刻设备中，反射镜阵列被用于将所需的角强度分布应用于辐射束，所述辐射束随后被用于将图案投影到衬底的目标部分上。
例如，需要提供一种克服或减缓在US6,737,662中所述的设备的至少一个缺点的光刻设备。
发明内容
根据本发明的实施例，提供一种方法，所述方法包括：提供衬底；采用照射系统提供辐射束；采用图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；以及将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中所述照射系统包括：独立可控的元件阵列以及相关的光学部件，所述独立可控的元件阵列以及相关的光学部件被设置用于将辐射束转换成所需的照射方式；分配方案，所述分配方案用于将不同的独立可控的元件分配给所述照射方式的不同部分，所述分配方案被选择用于提供所述照射方式或所述辐射束的至少一种属性的所需修改。
根据本发明的另一个实施例，提供一种方法，所述方法包括：提供衬底；采用照射系统提供辐射束；采用图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；以及将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中所述照射系统包括：独立可控的元件阵列以及相关的光学部件，所述独立可控的元件阵列以及相关的光学部件被设置用于将辐射束转换成所需的照射方式。所述方法还包括：采用所述独立可控的元件阵列将所述辐射束转换成第一照射方式，然后采用所述独立可控的元件阵列将所述辐射束转换成第二照射方式；采用分配方案，以使得将辐射引导到第一照射方式下的位置上的所述独立可控的元件被用于将辐射引导到第二照射方式下的位置上，选择所述位置，以使得所需的、在两种方式之间转换的独立可控的元件的运动少于如果采用随机的分配方案时所需的运动。
根据本发明的另一个实施例，提供一种方法，所述方法包括：提供衬底；采用照射系统提供辐射束；采用图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；以及将图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中所述照射系统包括：独立可控的元件阵列以及相关的光学部件，所述独立可控的元件阵列以及相关的光学部件被设置用于将辐射束转换成所需的照射方式。所述方法还包括：采用检测器检测辐射束的指向的变化；以及调整所述独立可控的元件以至少部分地修正所述束的指向的变化。
根据本发明的另一个实施例，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括：照射系统，所述照射系统配置用于提供辐射束；支撑结构，所述支撑结构配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；衬底台，用于保持衬底；以及投影系统，所述投影系统配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述照射系统包括独立可控的元件阵列和相关的光学部件，所述独立可控的元件阵列和相关的光学部件设置用于将辐射束转换成所需的照射方式，所述照射系统还包括：控制器，设置用于根据分配方案将不同的独立可控的元件分配给所述照射方式的不同部分，所述分配方案被选择以提供所述照射方式的至少一种属性的所需的修改。
根据本发明的实施例，提供一种器件制造方法，所述方法包括：采用照射系统调节辐射束，所述调节包括控制照射系统的独立可控的元件阵列和相关的光学部件，以将辐射束转换成所需的照射方式，所述控制包括根据分配方案将不同的独立可控的元件分配给照射方式的不同部分，所述分配方案被选择用于提供照射方式、辐射束或照射方式和辐射束两者中的至少一种属性的所需的修改；以图案在辐射束的横截面上对辐射束进行图案化，以形成图案化的辐射束；以及将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
根据本发明的实施例，提供一种器件制造方法，所述方法包括：采用照射系统调节辐射束，所述调节包括控制照射系统的独立可控的元件阵列，以根据分配方案将辐射束转换成第一照射方式和第二照射方式，以使得将辐射引导到在第一照射方式下的位置上的独立可控的元件被用于将辐射引导到在第二照射方式下的位置上，所述位置被选择，以使得所述独立可控的元件的运动当在第一和第二照射方式之间转换时少于随机的分配方案所需的运动；以图案在辐射束的横截面上对辐射束进行图案化，以形成图案化的辐射束；以及将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。
附图说明
在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中：
图1示意性地示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示意性地示出根据现有技术的布置、从角强度分布到空间强度分布的变换；
图3更详细地示出如图1所示的光刻设备的部分；
图4示出光瞳平面上的空间强度分布；
图5a-b示意性地示出可以形成如图1所示的光刻设备的一部分的反射镜阵列的反射镜；
图6至8、10和11示出根据本发明的实施例的反射镜分配方案；
图9示出根据本发明的实施例的用于补偿光瞳变迹的反射镜分配方案的效果；
图12至14a-b示出根据本发明的实施例的采用反射镜分配方案的聚焦远心和方式强度调整；以及
图15和16示出根据本发明的实施例的用于降低入射到反射镜阵列的反射镜上的辐射量的设备。
具体实施方式
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器、薄膜磁头的制造等。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种可替代的应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、度量工具或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底目标部分上所需的图案完全相对应。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束；以这种方式，所述被反射的辐射束被图案化。
支撑结构保持图案形成装置。其以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械夹持、真空的或其他夹持技术(例如在真空条件下的静电夹持)保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的，所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以被认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统和反射折射型光学系统，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以被认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
所述照射系统也可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型和反射折射型的光学部件，以引导、成形、或控制辐射束，且这些部件也可以在下文被统称为或特别地称为“透镜”。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其他台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
所述光刻设备可以是允许在两个或更多个掩模之间(或在设置在可控的图案形成装置上的图案之间)进行快速转换的类型，例如，如US2007-0013890A1中所述。
所述光刻设备也可以是其中衬底被浸在具有相对高折射率的液体(例如水)中的类型，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空隙。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统的第一元件之间)。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域中是公知的。
图1示意性地示出根据本发明的特定的实施例的光刻设备。所述设备包括：照射系统(照射器)IL，用于调整辐射束PB(例如，紫外辐射或极紫外辐射)；支撑结构MT，用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与用于相对于PL精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与用于相对于PL精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；以及投影系统(例如折射式投影透镜)PL，所述投影系统PL配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束PB的图案成像到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列)。
所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
以下对照射器IL进行进一步描述。
所述辐射束PB在离开照射器IL之后，入射到保持在支撑结构MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束PB通过透镜PL，所述PL将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束PB的辐射路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束PB的辐射路径精确地定位。通常，可以通过形成所述定位装置PM和PW的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现载物台MT和WT的移动。然而，在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案形成装置MA和衬底W。
可以将所述设备用于以下优选模式中：
1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束PB的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将支撑结构MT和所述衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束PB的图案投影到目标部分C上的同时，对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PL的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束PB的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AM。这可以允许对例如所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL通常包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。所述积分器(例如可以是石英棒)改善辐射束的均匀性。
在辐射束入射到图案形成装置(例如掩模)MA之前，所述辐射束在照射器的光瞳平面上的空间强度分布被转换成角强度分布。换句话说，在照射器的光瞳平面和图案形成装置MA(图案形成装置在场平面上)之间存在傅里叶关系。这是因为照射器光瞳平面基本上与耦合光学元件CO的前焦面一致，所述耦合光学元件将辐射束聚焦到图案形成装置MA上。
在光瞳平面上的空间强度分布的控制可以被用于提高图案形成装置MA的图像被投影到衬底W上所具有的精度。尤其，具有双极、环形或四极离轴照射轮廓的空间强度分布可以被用于增强对图案进行投影所具有的分辨率，或者改善其他参数(例如对于投影透镜的像差的敏感度、曝光宽容度和焦深)。
图2更详细地示出辐射束PB的对应的角强度和空间强度分布的原理。根据现有技术的布置，辐射束的外部和/或内部径向范围(分别为σ-外部和σ-内部)可以采用衍射元件4的阵列进行设定。每个衍射元件4形成光线的发散光锥5。每个光线光锥5对应于辐射束PB的一部分或子束。光锥5将在聚焦透镜6入射。在聚焦透镜6的后焦面8上，每个光锥5对应于一个照射区域。所述区域的尺寸依赖于光锥5的光线传播的方向的范围。如果所述方向范围小，则在后焦面8上的照射区域的尺寸也小。如果所述方向范围大，则在后焦面8上的照射区域的尺寸也大。进而，所有相同方向的光锥5，即相互平行的所有光线对应于在后焦面8上的相同的特定点(假定采用理想光学条件)。
已知在具有环形的辐射束PB的横截面中(尤其是在辐射束的光瞳平面中)产生空间强度分布。这被公知为环形照射方式。所述环形的示例在图4中由两个同心圆示出。环形的内部径向范围(σ-内部)对应于强度为0或接近0的中心区域，并可以通过采用合适的衍射光学元件阵列进行设定。例如，参照图2，衍射元件4的阵列可以被选择，配置所述衍射元件4的阵列，以使得没有光线光锥5将在所述中心区域上入射，而替代地仅仅在环形区域上入射(尽管在实际中，由于诸如色散等效应而在所述中心区域上存在大于0的强度)。通过衍射元件阵列4的合适的选择，在横截面区域上可以产生其他的空间强度分布，例如双极或四极照射。诸如变焦透镜或轴棱镜等附加的光学元件(未示出)可以被用于将其他修改方案应用于辐射束的角分布上。
图3示意性地示出替代的现有技术的布置。源31(相当于图1中的LA)输出相对窄的经过准直的辐射束，所述辐射束通过快门11。然后，辐射束通过束发散光学元件32，所述束发散光学元件32将辐射束扩展为具有与反射元件33a、33b、33c、33d和33e的阵列33的尺寸相对应的尺寸。理想地，所述辐射束发散光学元件32应当输出经过准直的辐射束。优选地，经过扩展的辐射束的尺寸足够大，以使得辐射束在所有反射元件33a至33e上入射。在图3中，通过示例，示出经过扩展的辐射束的三个子束。
第一子束入射到反射元件33b上。类似于阵列33的其他反射元件33a、33c至33e，反射元件33b可以被控制用于调整其取向，以使得所述子束沿着所需的预定方向被反射。转向光学元件16可能包括聚焦透镜，所述转向光学元件16使所述子束转向，以使得其入射到辐射束的横截面18中的所需点或小区域上。横截面18可以与光瞳平面一致，所述横截面18用作对于照射器的其他部分(图3中未示出)的虚拟辐射源。如图3所示的其他子束被反射元件33c、33d反射，并由转向光学元件16转向，以便在横截面18的其他点上入射。通过控制反射元件33a至33e的取向，可以在横截面18上产生几乎任何空间强度分布。
尽管图3仅示出五个反射元件33a-e，但是阵列33可以包括更多的反射元件，例如以两维栅格设置的反射元件。例如，阵列33可能包括1024(例如32×32)个反射镜，或者4096(例如64×64)个反射镜或者其他任何合适数量的反射镜。多于一个的反射镜阵列可以被使用。例如，可以使用一组四个具有32×32个反射镜的反射镜阵列。在下面的文字中，术语“阵列”可以表示单个阵列或一组反射镜阵列。
阵列33的每个反射镜的取向可以被独立地调整。反射镜的取向可以由控制器CT所控制(见图1)。
图4示出在由光刻设备的照射器产生的光瞳平面中的空间强度分布。图4可以被理解为示出采用多个子束产生空间强度分布的原理的示意图。图4的纸平面与辐射束的横截面(例如图3的横截面18)一致。图4示出十五个圆形区域23，所述十五个圆形区域23表示具有大于阈值的照射强度的区域。如图4所示的强度分布具有近似平行四边形的形状。由于辐射束的子束可以被引导到横截面区域的任意所需位置上，所以可以产生几乎任何强度分布。然而，也可能产生可以被考虑成常规的强度分布(例如具有环形、具有双极形状、四极形状等)的强度分布。在图4中，在内圆和外圆之间的区域21可以被填满圆形区域23。可以通过将子束引导到在内圆和外圆之间的对应位置来调整σ-外部和σ-内部。
图5a-b示意性地示出反射元件的示例，所述反射元件例如可以形成如图3示意性地示出的反射元件的阵列的一部分。反射元件的阵列可以包括例如超过1000个这种反射元件，所述反射元件可以例如被设置在辐射束经过的面上且以栅格形状构造。如图5a-b所示的反射元件，在图5a中是所述反射元件的俯视图，在图5b中是所述反射元件的立体图。为了便于表示，在图5a中示出的一些细节没有被包括在图5b中。反射元件包括具有矩形反射表面区域的反射镜61。通常，所述反射镜可以具有任意所需的形状，例如方形、矩形、圆形、六角形等。反射镜61经由旋转连接件65被连接到支撑构件63。反射镜61可以相对于支撑构件63旋转，所述旋转围绕第一轴线X(由虚线表示)进行。支撑构件63以旋转方式连接到支脚67，所述支脚67由衬底(未示出)支撑。所述支撑构件可以围绕第二轴线Y(由虚线表示)旋转。因此，能够将反射镜61设定成沿着一定的方向取向，所述方向需要X轴和Y轴旋转的组合确定。
反射镜61的取向可以采用静电致动器71控制。静电致动器71包括预定电荷所应用的板。电荷通过静电吸引力吸引反射镜61，并被改变成调整所述反射镜的取向。传感器可以被设置用于给出反射镜61的取向的反馈控制。传感器可以例如是光学传感器，或者可以例如是电容反馈传感器。被用作静电致动器的板也可能用作电容反馈传感器。尽管仅仅两个静电致动器71在图5a-b中示出，但是可以使用多于两个的静电致动器。可以采用任何其他适当形式的致动器。例如可以使用压电致动器。
反射镜61的取向可以被调整以便将入射的辐射束反射到任何所需的半球方向上。关于如图6所示类型的反射元件的其他细节以及其他类型在例如US6,031,946中公开。
阵列33的反射镜分配可能采用简单的途径完成。例如，图6示意性地示出反射镜33的阵列以及环形21，所述环形21通过反射镜经由合适的辐射方向而形成。在典型的简单的现有技术反射镜分配方案中，第一反射镜A被用于将辐射引导到环形的最上区域上。被引导到该位置的辐射被表示为圆形区域A。阵列的第二反射镜B被用于将辐射引导到环形的相邻位置B。阵列的第三反射镜C被用于将辐射引导到另一个相邻位置C等等。由此可见，反射镜分配方案是很简单的。应当理解，图6是示意性的。在实际中可以使用更多的反射镜。在相邻的照射区域之间存在更多的交叠。所述照射区域可以更小。
在本发明的实施例中，如下所述，不是仅仅以诸如关于图6的上述方式分配反射镜，而是设置反射镜的分配，以使得其提供有益效果。这可能包括例如对光刻设备的不希望的属性的补偿以及为改善光刻而对辐射束的属性进行的调整等。
参照图7，示出反射镜分配方案，所述反射镜分配方案可以被用于提高在环形21中的辐射强度的均匀性。在图7中，当形成所述环形的给定部分时，使用反射镜阵列33的不同部分。在所述示例中，采用在阵列33的左上角的第一反射镜A形成第一圆形区域A(如图6所示)。采用位于反射镜阵列33的下半部分的反射镜D形成所述环形的相邻的圆形区域B。采用也位于所述反射镜阵列的下半部分的反射镜形成不同的相邻的圆形区域C。采用位于所述阵列的上半部分的反射镜形成相邻的圆形区域D、E。以这种方式，用于形成环形21的圆形区域被从反射镜阵列33的上半部分和下半部分中选出。以这种方式结合来自反射镜阵列33的不同部分的辐射可以帮助减小构成环形21的辐射强度的变化。
有时会出现形成反射镜阵列的反射镜的反射率不均匀的情况。例如，在阵列的上部处的反射镜具有比在阵列下部处的反射镜更高的反射率。这例如可能由于被用于形成反射镜的涂层的材料的变化而出现。典型地，反射镜的反射率的变化具有低的空间频率，即，所述反射率在相邻的反射镜之间没有明显的变化，但是替代地，穿过所述阵列的表面逐渐变化。
除了反射镜反射率的变化之外或者没有反射镜反射率的变化，还可以看到辐射束穿过其横截面的强度变化。
在阵列的反射率(或辐射束的强度)从阵列的上部到下部逐渐增加的情况下(如图7所示)，以如图6所示的方式进行的反射镜的分配将导致采用反射镜所形成的在环形21中的辐射强度的相应变化。也就是说，环形的强度将从上到下逐渐增加(如图7所示)。然而，如果采用如图7所示的反射镜分配方案，则所述强度的变化由于被反射镜分配方案平均而无法看到。
如图7所示的反射镜分配方案是反射镜分配方案的简单示例，所述反射镜分配方案可以被用于本发明的实施例，以去除或减少采用所述反射镜所形成的形状中的强度变化。其他反射镜分配方案可以出于相同目的而被使用。
在本发明的可替代的实施例中，反射镜阵列可以例如被考虑成四个区域或八个区域等。每个区域将一些辐射提供给采用反射镜形成的形状的每一个部分。这例如可以去除或减少强度变化，所述强度变化例如可能由如图7所示的反射镜的反射率从左到右的逐渐增加而产生，或者由如图7所示的反射镜的反射率从左上角到右下角的逐渐增加而产生。
通常，反射镜可以从阵列的不同部分分配，以便减少强度变化，或者减少或缓解一些其他效应。所述部分的尺寸及其间隔通常将依赖于待减少或缓解的效应的空间频率(或一些其他属性)。因此，在本文中，对于阵列的不同部分的提及不能被解释为被限制于所述阵列的不同的半部、所述阵列的不同的四分之一部分等。通常，对于在阵列的不同部分中的反射镜的引用可以被解释为表示反射镜不相邻排列。
在另一个替代的实施例中，反射镜的分配可以被随机地完成。换句话说，阵列33的任何反射镜可以被用于形成第一圆形区域A，而任何其他的反射镜可以被用于形成第二圆形区域B。然后，任何未使用的反射镜可以被用于形成圆形区域C等等。所述反射镜被随机地选择。随机的反射镜分配可能减少或去除由于反射镜阵列的反射镜之间的反射率差异所造成的强度变化。随机反射镜分配也将减少或去除由于由源SO生成的辐射束的(横截面中的强度的)不均匀性所产生的强度变化。这在下文中进行进一步的解释。
本发明的上述实施例以图6示意性地示出以很小的交叠彼此相邻的辐射的圆形区域A-E的方式被简化。然而，在一些情况下，环形(或其他形状)的构造可以以一定的布置实现，在所述布置中，几个圆形区域在任意给定位置处上下堆叠。经过简化的示意性示例如图8所示。位于环形21内的五个圆形区域中的每一个接收由所述阵列的八个不同的反射镜所引导的辐射(所述区域标记为8)。四个圆形区域(标记为2)中的每一个接收来自阵列的两个反射镜的辐射。如此的配置例如可以在例如需要逐渐降低形成所述环形的辐射的强度的情况下使用。这是简化的示例，且在实际中，所述圆形区域可能变小，并存在多得多的交叠区域，由此提供强度的平滑降低(或平滑器)。在像这样的、辐射的多个圆形区域上下堆叠或彼此相邻的情况下，所采用的反射镜分配方案可以以上述方案为基础。可选地，所述反射镜分配方案可能不同。
在本发明的实施例中，当确定哪些反射镜用于照射特定的圆形区域时，当确定反射镜分配时，可以考虑反射镜的反射率。例如，可以确定平均的反射镜的反射率。具有比平均的反射镜反射率高15％的反射率的反射镜可以与比平均的反射镜反射率低15％的反射率的反射镜配对。然后所述两个反射镜可以被用于照射将接收来自所述阵列的两个反射镜的辐射的圆形区域。以这样的方式，解决了反射镜的反射率与平均值的偏差。
当确定哪些反射镜用于照射例如接收来自八个反射镜的辐射的圆形区域或接收来自多于一个的反射镜的辐射的任何其他圆形区域时，可以使用类似的方法。在一些情况下，传感器或其他测量装置可以被用于测量每个反射镜的反射率，所测量到的反射率被储存。然后这将允许当确定反射镜分配时，考虑每个独立的反射镜的反射率。在替代的布置中，不是测量独立的反射镜的反射率，而是测量反射镜阵列的一部分的反射率。再者，可以在确定所述反射镜分配时，存储并考虑所述信息。
在本发明的实施例中，当确定多少反射镜被用于将辐射引导到给定的位置上时，可以使用阵列的反射镜的反射率。可以实现以上方法的一种方式是通过针对给定的圆形区域记录所需的辐射强度。每次反射镜被分配给所述位置时，由所述反射镜传递的辐射强度被从所需的总量中减去。以这种方式，反射镜继续被分配给所需的位置，直到提供所需的辐射强度为止。当采用该反射镜分配方案时，可以例如通过将总的所需功率除以反射镜的数量，来采用归一化，以便确定每个反射镜所需的功率量。
尽管本发明的实施例的以上描述已经提及采用反射镜分配方案补偿反射镜的反射率的差异，但是可以以相同的方式对于光刻设备的其他缺陷或属性提供补偿。例如，反射镜分配可以被用于补偿被用于照射阵列的辐射束的强度的不均匀性。例如，所述补偿可能涉及之前已经被测量的属性，所述属性是已知的或假定成恒定的。替代地，例如，所述补偿可能基于所述光刻设备的属性的周期性测量而随时间变化。
在一些情况下，光刻设备可能遭受聚焦远心偏移。当聚焦远心偏移出现时，反射镜阵列33的每个反射镜可以被旋转过预定的角度，这提供对所述聚焦远心偏移的补偿。反射镜的所述旋转随后被作为反射镜的零位置。反射镜为形成所需的辐射束形状的所有后续转动被从所述零位置的起点进行。由此，阵列的反射镜对光刻设备的聚焦远心偏移进行补偿。
一些光刻设备受到被称为束指向误差的误差的困扰。被用于生成辐射束的激光(或其他光源)生成辐射束，所述辐射束的指向可以随时变化。在一些现有技术的光刻设备中，通过提供修正辐射束的方向的所谓导向反射镜，对束指向误差进行修正。所述导向反射镜由控制器控制，所述控制器配置用于检测指向误差并用于确定束指向反射镜的合适取向，以对其进行修正。在本发明的实施例中，诸如在图3中所示的阵列33等阵列的反射镜可以被用于对所述误差进行修正，由此消除对于提供导向反射镜的需求。通过采用控制器检测所述束指向误差，可以进行修正，且然后计算被应用于阵列的反射镜的合适角偏移。
在本发明的实施例中，反射镜分配方案可以被用于补偿有时会出现在光刻设备中的、称为光瞳变迹的效应。光瞳变迹表示通过光刻设备的投影透镜进行的辐射的透射具有角度依赖性。换句话说，当考虑进入投影系统之前的辐射束时，接近所述投影系统的边缘的辐射束部分以比通过所述投影系统的中心区域的所述辐射束部分的强度低的强度由投影系统透射通过。图9示意性地示出如何采用例如在图3中所示的阵列的反射镜补偿光瞳变迹。图9示意性地示出在辐射束进入投影系统之前、在光瞳平面上的辐射束的横截面的强度。反射镜阵列已经被配置，以使得被引导到辐射束的外部(在光瞳平面上)的辐射多于被引导到辐射束的中心部分的辐射。辐射束的强度遵循被选择用于补偿投影系统的光瞳变迹的曲线。这可以例如通过采用比用于将辐射引导到辐射束的中心部分(在光瞳平面上)的反射镜更多的反射镜将辐射引导到辐射束的外部(在光瞳平面上)而实现。光瞳变迹通过反射镜分配方案来进行补偿。
当相干源(例如激光)被用于生成辐射束时，所述源的相干性可能产生横跨辐射束的横截面的强度波动。这可以被考虑成散斑的形式。辐射束中的强度波动通常将随时间保持静止。在一些情况下，所述强度波动可能造成被投影到衬底上的图案的恶化。在本发明的实施例中，反射镜分配方案可以被用于减少所述效应。在辐射源是脉冲源(例如脉冲激光器)的情况下，这可以通过改变在辐射脉冲之间的反射镜的分配或者中途通过一系列脉冲对其进行改变来实现。这如图10所示。
在如图10所示的示例中，需要三个辐射脉冲，以便将足够的脉冲强度传递给圆形区域A。配置反射镜阵列33，以使得第一反射镜A1被用于传递第一辐射脉冲。不同的反射镜A2被用于传递第二辐射脉冲。第三反射镜A3被用于传递第三和最终的辐射脉冲。由于被传递给圆形区域A的辐射来自辐射束的横截面的不同区域，所以在辐射束中存在的任何强度变化将被平均化或显著地减小。反射镜A1-A3的选择可以是随机的，可以基于强度变化的空间频率，和/或可以考虑在强度脉冲之间的反射镜的运动的所需范围。
在实施例中，可以通过选择性地改变与预定的反射镜组相对应的光路长度来减弱散斑效应。通过改变第一反射镜相对于相邻第二反射镜的光路长度的光路长度，改变入射到各个第一和第二反射镜上的两个子束之间的相位关系。通过改变相位关系，散斑效应背减弱。对应于反射镜的光路长度可以通过引入反射镜的平移运动而被改变。所需的平移运动是光波长量级的，并由此比照射束的相干长度小，所述照射束的相干长度为0.30m量级。这样，仅仅子束的相位关系被调制而不涉及其相干属性。反射镜的平移运动可以通过在脉冲之间的静电致动器71的驱动电压的预定改变而产生，所述改变以在反射镜沿着垂直于X-Y平面的方向出现位移的同时不改变反射镜的倾角的方式进行。这可以通过将静电致动器电压之间的电压差保持恒定、同时将它们都增加小电压而实现。
如果需要传递高强度的辐射束，则在大多数情况下，对于每个辐射脉冲即使不需要采用阵列的全部反射镜，也需要采用阵列的大多数反射镜。所述辐射脉冲可以在时间上相隔很近。这可能意味着，被用于照射在环形(或其他形状)中的一个位置处的圆形区域的给定反射镜可能没有足够的时间旋转，以使得对于后续脉冲，其可以被用于照射在环形的相对侧的圆形区域。出于所述原因，反射镜分配方案可以被选择，在所述反射镜分配方案中，给定的反射镜从不需要旋转超过在辐射脉冲之间的小的预定角度范围。换句话说，反射镜可以被用于将辐射引导到圆形区域，所述圆形区域都落在环形(或其他形状)的相同部分之内。
通常，可能是阵列33的反射镜具有受限的使用寿命。所述使用寿命可能部分地依赖于所述反射镜被旋转的次数和这些旋转的角度大小的结合。在本发明的实施例中，反射镜分配方案被用于减小反射镜转角的平均大小。
在一些情况下，可能需要在两种照射方式之间变换，例如具有环形的方式和具有四极形状的方式。这在图11中示意性地示出。为了帮助在所述方式之间进行比较，点划线22表示sigma＝1。在本发明的实施例中，可以选择反射镜分配方案，以使得被用于照射环形的给定部分的反射镜被用于照射位于相同的普通区域中的四极形状的一部分。在图11中，在环形的左上部分中的三个圆形区域A-C被照射。被用于照射这些圆形区域的反射镜被用于照射最接近环形的区域的四极部分(即四极的左上部分)。类似地，圆形区域D、E被以由特定的反射镜引导到其上的辐射所照射。这些相同的反射镜被用于将辐射引导到最接近环形的相关部分的四极形状的部分(即右下角)。当确定哪些反射镜用于照射位于相同的普通位置上的四极形状的部分时，反射镜分配方案考虑被用于照射环形的给定部分的反射镜的位置。这样做减小所述反射镜需要被转过的角度，并由此可以延长反射镜的使用寿命。尽管本发明的实施例表示在环形方式和四极方式之间的转换，但是本发明的实施例可以被应用于在任何方式之间的转换。
在一些情况下，可以感到需要被设置在阵列33中的反射镜的数量太大。例如，这可能是因为提供所述反射镜的成本可能随着阵列中的反射镜的数量的上升而显著增加。在反射镜阵列中所需的反射镜的数量依赖于需要形成照射方式所具有的分辨率。换句话说，如果需要形成在其外边缘上具有很光滑的圆形曲线的环形，则将需要比可接受沿着环形的边缘具有一些不平整的情况所需要的反射镜更多的反射镜。
在本发明的实施例中，为获得具有给定分辨率的环形(或其他形状)所需的反射镜数量可以通过在辐射脉冲之间(或在一系列辐射脉冲之间)移动反射镜而被减少。例如，如果在衬底上的给定位置的曝光需要四个辐射脉冲，则反射镜的有效数量可以通过在每个脉冲之间移动反射镜而增加四倍。换句话说，可以采用给定的反射镜照射四个不同的位置(每个脉冲一个位置)，而不是仅仅照射一个位置。这允许获得相当于由多达四倍的反射镜所提供的分辨率。在替代的示例中，反射镜可以在第二和第三脉冲之间被移动，以使得反射镜的数量被有效地增加到两倍，而不是增加四倍。在另一个示例中，脉冲数量可以是五十，并在每十个脉冲之后移动反射镜，由此提供相当于将阵列中的反射镜的数量增加五倍的分辨率。
在公知的光刻设备中，已知采用具有大于1的sigma的照射方式。这可能允许第一衍射级或更高衍射级的辐射被用于照射图案形成装置(例如掩模)MA。大于1的sigma可以通过阵列33的反射镜的合适取向而获得。
在本发明的实施例中，至少一种反射镜分配方案可以被用于处理辐射束的参数，例如通过场的(在光瞳平面上的)椭圆率、极平衡和高能聚焦远心。椭圆率或聚焦远心处理可以被考虑成能量不平衡处理的示例。
图12示意性地示出光刻设备任何可以造成聚焦远心误差，以产生被引导到掩模(或其他图案形成装置)MA的辐射。所述聚焦远心误差可能是有害的，这是由于其可能劣化被光刻设备投影到衬底上的图案。本发明的实施例可以采用反射镜阵列33对所述聚焦远心误差进行修正。这可能被描述为辐射束的至少一个属性的修改，而不是照射方式的至少一个属性的修改。
通常，本发明的实施例可以被描述为采用反射镜分配方案提供照射方式或辐射束的至少一个属性的所需修改。术语“修改”表示在辐射束入射到反射镜阵列之前的照射方式或辐射束与被反射镜阵列反射之后的照射方式或辐射束之间的比较。尽管本发明的实施例采用反射镜阵列被描述，但是可以采用其他形式的独立可控的元件的阵列。
参照图12，辐射束由反射镜阵列33经由聚光透镜50朝向场限定元件51反射。图12是示意性的，且应当理解，在实际中，在反射镜阵列33、聚光透镜50和场限定元件51的两两之间存在很大的间距。聚光透镜50可以包括一系列透镜。
设置反射镜阵列33的反射镜，以使得辐射束被分离到两个区域上，所述两个区域在聚光透镜50处彼此间隔开(例如双极方式)。辐射束的每个区域被从聚光透镜50朝向场限定元件51引导。离开聚光透镜时的辐射束区域52a、52b与光轴OA成夹角。
辐射束区域52a、52b通过一组透镜53(在此表示为单个透镜)，所述透镜组53将辐射束聚焦到图案形成装置(例如掩模)MA上。图案形成装置(例如掩模)MA被位于所述透镜组53的出射焦面上。因此，图案形成装置(例如掩模)MA被辐射束照射，所述辐射束包括具有不同的角分布的两个区域52a、52b(双极方式)。
在图案形成装置(例如掩模)MA上的总辐射强度在图案形成装置(例如掩模)的整个表面上是恒定的。然而，辐射束52a的第一区域和辐射束52b的第二区域的比例横跨图案形成装置(例如掩模)而变化。例如，在图案形成装置(例如掩模)的顶部上(如图12所示)，辐射束52a的第一区域的比例小于辐射束52b的第二区域的比例。因为入射到场限定元件51上的辐射不与光轴平行，所以产生所述差别。在图案形成装置(例如掩模)MA的底部，来自辐射束的第一区域52a的辐射的比例大于来自辐射束的第二区域52b的辐射的比例。再者，因为入射到场限定元件51上的辐射不与光轴平行，所以产生所述差别。在图案形成装置(例如掩模)MA的中间，来自辐射束的第一区域52a和第二区域52b的辐射比例是相等的。
用于表示横跨掩模的辐射的变化的另一种方式是说辐射的聚焦远心变化。在图12中，x方向已经被表示，并可能被用于帮助描述聚焦远心变化。在x的值小时(在图的底部)，聚焦远心是负的，如曲线55所示。聚焦远心增加，并在图案形成装置(例如掩模)的中心上过零。随着x的值增加，聚焦远心逐渐增加为正。如图55所示，聚焦远心的变化横跨图案形成装置(例如掩模)是线性的。
聚焦远心也被表示在示意图54中，所述示意图54示出在横跨掩模的不同位置处的等价的光瞳平面。在这些图示中，“+”表示超过50％的辐射来自辐射束的特定极，而“-”表示低于50％的辐射来自所述辐射束的特定极。在x的值小时(在图的底部)，大部分辐射来自辐射束的第一区域52a，而少量的辐射来自辐射束的第二区域52b。在图案形成装置(例如掩模)的顶部上，大部分辐射来自辐射束的第二区域52b，而少量辐射来自辐射束的第一区域52a。在图案形成装置(例如掩模)的中心上，接收来自辐射束的第一区域52a和第二区域52b的等量辐射。
在本发明的实施例中，在反射镜阵列33处的反射镜分配方案可以被用于调整辐射的聚焦远心(例如在光刻设备中)。例如，反射镜分配方案可能被用于从辐射束中去除或减小如图12所示的聚焦远心误差。例如，反射镜分配方案可以被用于为所有的x值在图案形成装置(例如掩模)MA上提供等比例的辐射束的第一区域52a和第二区域52b(在现有的光刻设备中，聚焦远心误差不会在y方向上产生)。
结合图13对关于聚焦远心的反射镜分配效果进行描述。
图13示意性地示出在三种不同的配置下的反射镜阵列63a、b、c，每种所述配置被用于生成所谓C四极照射方式(C-quadrupole)60。所述C四极照射方式包括(在光瞳平面上)四个束区域，每个所述束区域相互分隔开。
反射镜阵列63a、b、c包括大约1000个反射镜。每个反射镜给出表示反射镜引导辐射的方式的阴影。例如，如果反射镜是白的，则这表示反射镜将辐射引导到C四极照射方式的左极60a。如果反射镜是黑的，则这表示反射镜将辐射引导到C四极照射方式的上极60b等。
在图13a中，反射镜按行分配。第一行163a将辐射引导到C四极照射方式的左极60a和右极60c，而第二行163b将辐射引导到C四极照射方式的上极60b和下极60d。在每行内，所分配的反射镜在极间更替。所述反射镜分配方案将去除或减小由于反射镜反射率变化或者辐射束的不均匀性所导致的强度变化。然而，将不修改在图案形成装置(例如掩模)MA所看到的辐射束的聚焦远心。因此，如果光刻设备产生聚焦远心误差，则该反射镜分配方案将不会去除或减小所述误差。
在图13b中，分配所述反射镜，以使得被引导到C四极的最上极60b的所有辐射来自反射镜阵列63b的最上面的四分之一164a。入射到C四极的最下极上的所有辐射被从反射镜阵列的最下面的四分之一164c接收。设置反射镜分配方案，以使得在四极方式的中间两级上接收的辐射被从反射镜阵列的中心部分164b的所有部分等同地接收。所述反射镜分配方案引入在入射到图案形成装置(例如掩模)MA的辐射的x方向上的显著的聚焦远心变化。所述反射镜分配方案在y方向上不产生聚焦远心变化。
图13b示出在x方向上的聚焦远心变化如何被应用于辐射束。所述变化的幅度可以通过改变哪些反射镜被分配给上极60b和下极60d而被减小。例如，在反射镜阵列63b的最上面四分之一164a中的80％的反射镜可能被分配给上极60b，而不是在反射镜阵列63b的最上面四分之一164a中的所有反射镜都被分配给上极60b。剩余的20％的反射镜可以被分配给下极60b。类似地，在反射镜阵列63b的最下面四分之一164c中的80％的反射镜被分配给下极60d，而剩余的20％的反射镜被分配给上极60b。以这种方式，减小的聚焦远心变化被应用于辐射束。由反射镜分配方案所采用的聚焦远心的符号可以通过逆转所述反射镜分配方案而被逆转。
通过调整被分配给上极60b和下极60d的反射镜的比例，采用如图13b所示的方案，可以根据需要调整在辐射束的x方向上的聚焦远心的变化。可以使用与所不希望的聚焦远心相反的聚焦远心，所述所不希望的聚焦远心被光刻设备的其他部分所应用。在完成调整的情况下，由反射镜所应用的聚焦远心将抵消(或减弱)所述所不希望的聚焦远心，以使得入射到图案形成装置(例如掩模)MA上的辐射对于在掩模上的所有x值具有零聚焦远心(或减小的聚焦远心变化)。例如，这可以以迭代方式通过采用传感器测量掩模上(或衬底水平面上)的聚焦远心并调整反射镜分配方案，然后重新测量聚焦远心等来实现。
参照图13c，在替代的反射镜分配方案中，四极方式的上极60b和下极60d接收来自反射镜阵列33c的上半部165a的辐射，而左极60a和右极60c接收来自反射镜阵列的下半部165b的辐射。
所述反射镜分配方案可以在与被引导到上极60b和下极60d的辐射的比例相比，需要控制被引导到左极60a和右极60c的辐射的比例时使用。被引导到上极60b和下极60d的辐射比例可以例如通过增加将辐射分配给这些极的反射镜的数量而被增加。例如，这可以通过重新分配反射镜行、以使得它们将辐射引导到上极60b和下极60d而不是将辐射引导到左极60a和右极60c而实现。例如，这可以是与反射镜阵列63c的上半部164a相邻的反射镜行。被重新分配的反射镜的数量可以被基于一定的程度进行选择，在所述程度上与存在于上极60b和下极60d中的辐射的比例相比，需要修改存在于左极60a和右极60c中的辐射的比例。
例如，如果采用光刻设备将水平线和垂直线(即沿着x和y方向延伸的线)投影到衬底上，则结合图13c所述的调整是有用的。可能是这种情况，在没有调整的情况下，例如由于辐射束的偏振，与垂直线相比，更多的辐射被传递给水平线。这可能造成在衬底上形成比垂直线粗的水平线(反之亦然，依赖于在衬底上提供的抗蚀剂的性质)。与上极60b和下极60d相比较，被传递给左极60a和右极60c的辐射比例的调整可以被用于去除或减小所述差异。于是，反射镜分配的调整可以被用于减小被投影到衬底上的水平和垂直线之间的强度(以及随后的厚度)变化。
反射镜分配方案可以被以相同的方式用于除去单极或双极方式之外的照射方式。例如，参照图14，引导来自反射镜阵列的不同部分的辐射的反射镜分配方案可以被用于形成环形照射方式。在实现环形照射方式的情况下，边界66将在采用反射镜阵列的不同部分而形成的照射方式的不同部分67之间出现。如果需要，接近反射镜阵列上的相对应边界68的一些反射镜可以被分配给相邻的照射方式的区域。在以上步骤完成的情况下，在照射方式的不同区域之间的边界可能被抹掉(如图14a所示)。在边界未被抹掉的情况下，在照射方式的不同区域之间将看到“硬”边界(如图14b所示)。
在一些情况下，可能需要在x方向上比y方向上长的反射镜阵列。这可能允许照射方式的属性(例如聚焦远心)的更显著的修改。
如上所述，反射镜分配方案可以被修改，以使得反射被从一极转移到另一极。这可以被用于去除或降低极间的不希望的强度差。将辐射引导到强度更大的极的至少一个反射镜可以被重新定向，以使得其将辐射引导到强度较低的极。被重新定向的反射镜的数量依赖于所述极的强度之差。
在一些情况下，所测量到的极间强度之差大到足以被考虑成所不希望的，但是也可能足够小，以使得从一极到另一极的辐射转换不能被用于修正所述差别，这是因为由每个反射镜所反射的辐射量大于所述两极之间的差别。在这种情况下，在本发明的实施例中，至少一个反射镜可以被设置，以使得它们将更少的辐射量引导到所述方式。例如，参照图15，衰减片70位于反射镜阵列33和用于将辐射束聚焦到反射镜阵列上的(可选的)光学元件71之间。例如衰减片70可以将辐射衰减50％，以使得两个反射镜将强度为正常强度的50％的辐射引导到所述照射方式。这些反射镜可以被用于例如对某种方式的特定的极的强度进行小的调整，或者对其他方式进行另外的强度调整。
尽管所示的衰减片具有50％的衰减，但是也可以采用提供其他衰减性的衰减片。衰减片可以被提供给一个反射镜、两个反射镜或任何其他数量的反射镜。反射镜可以被置于彼此相邻的位置上，或可以位于反射镜阵列33上的不同位置上。
图16示出采用分束器72代替衰减片70的布置。设置分束器72，以使得入射辐射在反射镜阵列33的两个反射镜上被接收，而不是在一个反射镜上被接收。一些辐射通过分束器72，到达第一反射镜上。其余的辐射被分束器反射，并被反射镜74引导到相邻的反射镜上。这些反射镜可以被用于将强度被降低的辐射引导成照射方式。所述布置不会向图15所示的布置那样导致辐射损失。在每个反射镜上被引导的辐射的比例可以通过改变分束器的反射率而被修改。
在另一个替代的布置中(未示出)，辐射束的强度分布可能在其边缘上逐渐减小。因此，相比接收来自辐射束的中心的辐射反射镜，接收来自辐射束的边缘的辐射的反射镜接收更少的辐射。接收更少辐射的反射镜可以被用于为供给照射方式的不同区域的辐射强度提供小的调整。
在另一个替代的布置中(未示出)，光学元件71可能包括用于保持滤光片的狭槽。如图15所示，光学元件71包括多个透镜元件，其中每个透镜元件对应于反射镜阵列33的各个反射镜。在至少一个反射镜有故障的情况下，就可能出现问题。有故障的反射镜可能是被卡在固定位置上的反射镜和不再能够围绕X轴和Y轴旋转的反射镜，所述轴如图5a所示。在存在至少一个这种有故障的反射镜的情况下，每个有故障的反射镜将辐射束的子束沿着固定的方向反射。因此，在光瞳平面上的空间强度分布包括不能横跨所述光瞳平面移动的固定辐射斑。为了减轻至少一个有故障的反射镜的问题，滤光片可以被置于所述狭槽中，所述狭槽被设置用于透射用于正常运转的反射镜的辐射，而阻挡用于有故障的反射镜的辐射。在更多的反射镜发生故障的情况下，这种滤光片可以被新的滤光片所替代。有故障的反射镜可以采用本说明书第10页第3段所述的传感器被确定。替代地，所述狭槽可以与光学元件71独立地设置。
涉及采用辐射的环形构造的上述本发明的实施例可以被用于形成任意其他合适形状。换句话说，在描述涉及形成环形照射方式的情况下，这可以被任何其他合适的照射方式(例如双极、四极等)所替代。
如图1所示的控制器CT可以被设置用于控制反射镜阵列的反射镜的取向，例如将所需的反射镜分配方案应用到反射镜上。
在其中可提供本发明的实施例的光刻设备可能是允许在至少两个掩模之间(或者在设置在可控的图案形成装置的图案之间)进行快速转换的类型。每个掩模(或在图案形成装置上的图案)可能需要不同的照射方式。因此，本发明的实施例尤其适用于所述类型的光刻设备，这是因为它们能够在照射方式之间实现快速转换。
尽管涉及反射镜阵列的本发明的实施例已经在上面进行了描述，但是也可以使用任何其他合适的类型的独立可控的元件阵列。
尽管本发明的具体的实施例已经在上面进行了描述，但是应当理解，本发明可以以与上述不同的方式实现。所述描述并不试图限制本发明。

Claims (8)

1.一种光刻方法，所述方法包括：
采用照射系统提供辐射束；
采用图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；以及
采用投射系统将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，
其中所述照射系统包括：独立可控的反射元件阵列以及相关的光学部件，所述独立可控的反射元件阵列以及相关的光学部件被设置用于将辐射束转换成所需的照射方式；以及
其中，分配方案用于确定不同的独立可控的反射元件的位置，所述不同的独立可控的反射元件将辐射引导到照射方式中的不同部分，从而修正或减弱辐射束中的不希望的性质变化的效应，其中，不希望的性质是由源生成的辐射束的不均匀性或辐射束的聚焦远心偏置；
其中分配方案包括使用独立可控的反射元件阵列的不同部分从而将辐射引导到照射方式中的不同区域，所述阵列的所述部分被选择从而应用所述辐射束的能量分布的所需修改；
其中，所述能量分布修改是由源SO生成的辐射束的不均匀性或辐射束的聚焦远心的修改。
2.根据权利要求1所述的方法，通过随机分配独立可控反射元件使由源SO生成的辐射束的不均匀性被修正或减小。
3.根据前面的权利要求1或2所述的方法，其中入射到各个独立可控的反射元件上的辐射被选择性地阻挡。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述独立可控的反射元件被设置用于进行平移运动。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述独立可控的反射元件是反射镜。
6.一种光刻设备，所述光刻设备包括：
照射系统，所述照射系统配置用于提供辐射束，所述照射系统包括：
独立可控的反射元件阵列和相关的光学部件，所述独立可控的反射元件阵列和相关的光学部件设置用于将辐射束转换成所需的照射方式，以及 
控制器，设置用于根据分配方案将不同的独立可控的反射元件分配给所述照射方式的不同部分，其中，所述分配方案用于确定不同的独立可控的反射元件的位置，所述分配方案被选择以修改或减弱所述照射方式或辐射束中的不希望的性质的效应；
支撑结构，所述支撑结构配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；
衬底台，用于保持衬底；以及
投影系统，所述投影系统用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；其中，不希望的性质是由源SO生成的辐射束的不均匀性或辐射束的聚焦远心偏置。
7.根据权利要求6所述的光刻设备，还包括分束器或衰减片，所述分束器或衰减片被设置用于在独立可控的反射元件处引导比例被减弱的辐射。
8.一种利用光刻装置制造器件的方法，所述方法包括：
采用照射系统调节辐射束，所述调节包括：
控制照射系统的独立可控的反射元件阵列和相关的光学部件，以将辐射束转换成所需的照射方式，所述控制包括根据分配方案将不同的独立可控的反射元件分配给照射方式的不同部分，所述分配方案确定被分配的独立可控的反射元件的位置，所述分配方案被选择以修改或减弱所述照射方式、辐射束或两者中的不希望的性质的效应；
用图案在辐射束的横截面上对辐射束进行图案化，以形成图案化的辐射束；以及
采用投射系统将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；
其中，不希望的性质是由源SO生成的辐射束的不均匀性或辐射束的聚焦远心偏置。 
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