CN101025573B - 光刻装置及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光刻投影装置，它具有带极化元件的照明系统。多个定向元件将入射束的不同子束反射到可调节的且独立可控的方向上。利用再定向光学器件，可在辐射束的横截面平面内产生任何所需要的极化空间强度分布。

Description

光刻装置及器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻装置及器件制造方法。
背景技术
光刻装置将所需的图案施加到基底上，通常是施加到基底的靶部上。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，或者可称为掩模(mask)或中间掩模(reticle)，可用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一个或者多个芯片模(die))上。这种图案的转移通常是通过成像到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般地，单个基底包含由被相继构图的相邻靶部构成的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描器，在步进器中，对每一靶部的辐照是通过一次性将整个图案曝光到该靶部上；在扫描器中，对每一靶部的辐照是通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案穿过一辐射束，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描该基底。还可以通过将图案压印到基底上而把图案从构图部件转移到基底上。
光刻装置一般包括一个照明系统，下面称它为照明器。照明器从源(如激光器)接收辐射，并产生照明束来照射构图部件。在典型的照明器内，该束被成形和控制为使得该束在光瞳平面处具有所需的空间强度分布(也称为照明模式)。照明模式的类型有：普通型、偶极型、反对称型、四极型、六极型和环形照明模式。在该光瞳平面处的空间强度分布实际上起产生照明束的二次辐射源(secondaryradiation source)的作用。在光瞳平面之后，该辐射通常由光学元件(如透镜)组(下面叫做“耦合光学器件”)聚焦。此耦合光学器件将已被聚焦的辐射耦合到积分器(如石英杆)内。该积分器(integrator)的作用是改善该照明束的空间强度分布和/或角强度分布。因为光瞳平面基本上与耦合光学器件的前焦面重合，因此，在该光瞳平面处的空间强度分布在被耦合光学器件照射的物体处转化成角强度分布。通过控制光瞳平面处的空间强度分布，可以改善在被照射物体的图像投影到基底上时的处理范围。特别是，已经提出了具有偶极型、环形、或四极型离轴照明模式的空间强度分布，以提高分辨率和/或其它投影参数，诸如对投影透镜象差的敏感度、曝光范围和聚焦深度。
另外，该束可以被极化。采用正确极化的束可以增加图像对比度和/或改善曝光范围。这些效果可以改善成象特征部的尺度均匀性。这最终将改善产品的生产率。在具有高数值孔径(NA)的光刻装置中尤其需要极化束，这种光刻装置用来对宽度远小于所用辐射束波长的密集特征部进行成像。
传统的光刻装置可能有一个缺点，即极化照明模式(其中光瞳的不同区域有不同的极化方向)不能灵活地产生。虽然极化器可置于照明器的光瞳平面内，但这需要昂贵且大体积的极化元件。这些板所需的操纵装置也很大。此外，对于若干极化照明模式要求有专门的极化元件，这使得在光刻装置正常运转期间快速切换照明模式很困难，甚至不可能。
发明内容
因而，最好能提供一种光刻装置和器件制造方法，以便更灵活地产生各种极化照明模式。
按照本发明的第一方面，提供了一种光刻投影装置，包括：
照明系统，包括：
反射元件阵列，其按照照明模式来确定辐射束的强度分布，和
极化元件，其在该辐射束路径上处于该反射元件阵列之前，
该极化元件用于向该辐射束提供极化；
支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于按照所需图案对该辐射束进行构图；
基底台，用于保持基底；
投影系统，用于将该图案化辐射束投影到该基底的靶部上。
在一个实施例中，该极化元件包含至少两个区域，第一区域与从该反射元件选出的第一组相关联，第二区域与从该反射元件选出的第二组相关联，该第一组不同于该第二组，并且，至少一个区域包含光学单元，以在通过该至少一个区域的一部分束中获得极化，由此，第一组和第二组反射元件选择成可获得一种极化照明模式。可使用一种装置来移动该极化元件，以改变该第一组和第二组中对反射元件的选择，从而获得另一种极化照明模式。该光学单元可以是圆极化器或线极化器。
在另一个实施例中，该极化元件包括区域阵列，至少一个区域的尺寸使得这些反射元件处于该第一组内。
在另一个实施例中，该光刻装置还包括辐射系统，用来产生线极化辐射束。在这个实施例中，该光学单元是1/4波片，半波片或光楔。
在另一个实施例中，该极化元件的第一区域和第二区域被组合成单个光学结构。
在另一个实施例中，该照明系统还包括会聚光学器件，用来将一部分束会聚到一个或多个反射元件上。该会聚光学器件包括：一具有抛物线或双曲线横截面形状的反射表面区域，或双曲线或抛物线型反射表面阵列。该会聚光学系统可包括微型透镜阵列。
在另一个实施例中，该极化元件处于该会聚光学器件之前。该极化元件可处在该会聚光学器件和该反射元件之间。
在另一个实施例中，反射器板用来支撑一个或多个反射元件，设定板包含与反射元件相关联的销，用来设定该反射元件的方位。
在另一个实施例中，照明模式包括下面任意一种：普通型、偶极型、反对称型、四极型、六极型和环型。
在另一个实施例中，提供了一种用在光刻投影装置中的极化元件，它包括极化区域阵列。
按照本发明的第二方面，提供了一种器件制造方法，包括：
将辐射束分成多个子束；
利用极化元件将至少一个子束极化为极化模式；
将每一子束与多个反射元件中的反射元件相关联；
通过反射元件将各子束指向构图部件，以获得一种极化照明模式；
利用该构图部件将图案赋予该辐射束的横截面；及
将该图案化束投影到基底的照射敏感材料的至少一部分上。
附图说明
现在参考所附示意图通过示例对本发明各实施例加以说明，附图中相同的参考符号表示相同的零件，其中：
图1表示按照本发明一个实施例的光刻装置；
图2表示本发明第一个实施例的照明系统；
图3a表示按本发明另一实施例的反射元件阵列和包含一个极化区域的极化元件；
图3b表示按本发明另一实施例的一个光瞳平面，其照明模式包含一个极化的偶极(dipole)和一个未极化的普通小σ部分；
图4a表示按本发明另一实施例的反射元件阵列和包含两个极化区域的极化元件；
图4b表示按本发明另一实施例的具有极化四极照明模式的光瞳平面；
图5a表示按本发明另一实施例的反射元件阵列和包含两个极化区域的极化元件；
图5b表示按本发明另一实施例的具有另一种极化四极照明模式的光瞳平面；
图6a表示按本发明另一实施例的反射元件阵列和包含由八个极化区域构成的阵列的极化元件；
图6b表示按本发明另一实施例的具有极化环形照明模式的光瞳平面；
图7a表示按本发明另一实施例的反射元件阵列和包含由八个极化区域构成的阵列的极化元件；
图7b表示按本发明另一实施例的光瞳平面，其照明模式包含一个线极化四极部分和一个圆极化普通小σ部分；
图8表示按本发明另一实施例的照明系统；
图9a表示按本发明另一实施例的单个反射元件及其在第一工作模式下的支撑件和致动器；
图9b表示按本发明另一实施例的单个反射元件及其在第二工作模式下的支撑件和致动器。
具体实施方式
图1示意性地示出了根据本发明一个实施例的光刻装置。该装置包括：
照明系统(照明器)IL，其构造成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA并与第一定位装置PM连接，该第一定位装置PM构造成依照某些参数精确定位该构图部件；
基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与第二定位装置PW连接，该第二定位装置PW构造成依照某些参数精确定位该基底；
投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其构造成将由构图部件MA赋予辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个芯片模)上。
该照明系统可以包括各种类型的光学部件来引导、成形或者控制辐射，这些光学部件诸如是：折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者它们的任意组合。
该支撑结构保持该构图部件，其对该构图部件的保持方式取决于该构图部件的方位、光刻装置的设计以及其它条件，例如该构图部件是否保持在真空环境中。该支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持该构图部件。该支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述掩模支撑结构可根据需要而是固定的或者是活动的。该支撑结构可以确保构图部件例如相对于该投影系统位于所需位置。在这里，术语“中间掩模”或者“掩模”的任何使用均可认为与更上位的术语“构图部件”同义。
这里所使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够向辐射束的截面中赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给该辐射束的图案可以并不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给该辐射束的图案对应于在靶部中形成的器件(如集成电路)内的特定功能层。
该构图部件可以是透射型的或者反射型的。构图部件的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，其类型诸如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰减相移型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小型反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向对入射辐射束进行反射。这些倾斜的反射镜可以在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反射折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，这适合于所用的曝光辐射，或者适合于其它方面，如浸液的使用或真空的使用。在这里，术语“投影透镜”的任何使用均可以认为与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所指出的，该装置是透射型(例如采用透射掩模)。或者可替换地，该装置也可以是反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。
该光刻装置可以具有两个(双平台)或者更多个基底台(和/或两个或更多个支撑结构)。在这种“多平台式”装置中，可以并行使用这些附加的台，或者可以在一个或多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台或支撑件用于曝光。
该光刻装置还可以是这样一种类型，其中，至少部分基底由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以填充投影系统和基底之间的空间。浸液也可以应用于光刻装置中的其它空间，例如应用于掩模和投影系统之间。本领域中众所周知，浸液技术可以用于增大投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸液”并不意味着诸如基底的结构必须浸没在液体中，而只是表示在曝光期间液体位于投影系统和基底之间。
参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是分立的机构，例如当该辐射源是准分子激光器时。在这些情况下，不把辐射源看成是构成了该光刻装置的一部分，辐射束借助于束输送系统BD从辐射源SO传输到照明器IL，所述束输送系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，该辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当该辐射源是汞灯时。该辐射源SO和照明器IL(如果需要可以连同该束输送系统BD一起)可以被称作辐射系统。
照明器IL可以包括调节装置AD，用于调节辐射束的角强度分布。一般地，至少可以调节照明器光瞳平面内强度分布的外径向范围和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。该照明器可以用于调节辐射束，从而使该辐射束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。
该辐射束B入射到保持在该支撑结构(如掩模台)MT上的构图部件(如掩模)MA上，并由构图部件进行构图。穿过该构图部件MA后，辐射束B通过该投影系统PS，该投影系统将该辐射束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动该基底台WT，从而例如将不同的靶部C定位在辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库中机械取出构图部件MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)来相对于辐射束B的路径精确定位该构图部件MA。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)，可以实现该支撑结构MT的移动，所述长行程模块和短行程模决构成第一定位装置PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT的移动，其中该长行程模块和该短行程模块构成第二定位装置PW的一部分。在步进器的情况下(这与使用扫描装置的情况相反)，该支撑结构MT可以只与短行程致动装置连接或者可以被固定。可以使用构图部件对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2来将该构图部件MA与该基底W对准。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，但是它们也可以设置在各个靶部之间的空间中(这些空间被称为划片线(scribe-lane)对准标记)。类似地，在有超过一个的芯片模设在构图部件MA上的情况下，可以将该构图部件对准标记设在这些芯片模之间。
所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用：
1.在步进模式中，支撑结构MT和基底台WT保持基本不动，而赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动该基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，支撑结构MT和基底台WT被同步扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上(即单次动态曝光)。基底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描运动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在另一模式中，支撑结构MT保持基本不动，并且保持一可编程构图部件，而基底台WT被移动或扫描，同时，赋予辐射束的图案被投影到靶部C上。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且，在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间相继的辐射脉冲之间，根据需要更新该可编程构图部件。这种工作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列类型。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者也可以采用完全不同的使用模式。
图2所示为照明器的一个例子。该照明器依次包括辐射源11(如汞灯或激光器)，束发散光学器件12，极化元件13，反射元件阵列14和再定向光学器件15。工作时，该辐射源产生准直束，该准直束经由该束发散光学器件和该极化元件而指向该反射元件阵列。该束发散光学器件将该束扩展为多个子束，各子束与反射元件阵列14的反射元件14a、14b、14c、14d、14e相关联。该束发散光学器件对该准直束进行处理。该扩展束的横截面足以让该束入射到反射元件14a至14c的全部或一部分上面。作为例子，图2显示了该扩展束的三个子束。该束发散光学器件还可额外包含一个正透镜或透镜阵列，用以设置各子束的发散度。该极化元件将该束极化到某种极化状态下，并且，该极化元件处于或靠近反射元件阵列14的光学共轭平面。该极化状态可以是线极化或圆极化。该极化元件可包含任何数量的极化单元，例如一个或多个吸收极化器或分束极化器。
图2示出了入射在反射元件14b上的第一个子束。和该阵列14中的其它反射元件14a和14c-14e一样，该反射元件14b通过再定向光学器件15将该子束反射至中间平面16。该再定向光学器件15(例如聚焦透镜)将该子束定向至该照明器的中间平面内的期望区域。该横截面平面16可以与用作二次辐射源(如前所述)的光瞳平面重合。此外，反射元件14c、14d通过该再定向光学器件15将所示的其它两个子束反射到平面16的其它区域。通过调整反射元件14a至14e的方位，并因而确定子束入射在平面16上的区域，可以在该横截面平面16内产生几乎任意的空间强度分布。
该光刻装置可以具有一个装置17，用以将极化元件13移入或移出这些子束。该装置可以例如是直线电机，从而可以快速改变照明模式。参看图3a，在此实施例中，该极化元件30只部分地插入该多个子束中，故只使一部分子束极化。图3a表示，该束被分为第一组子束和第二组子束，第一组子束具有线极化并基本平行于X轴，第二组子束未被极化。
图3b示出了光瞳平面33，其照明模式包含已极化的偶极部分(或极点)31a和31b以及未极化的常规小σ部分32，这种模式可利用图3a所示的结构来获得。这些反射元件14中的一个或多个将经过极化元件13的子束指向光瞳平面33内的一些位置，以形成极点31a和31b。这些反射元件14中的一个或多个将并未经过极化元件13的子束指向光瞳平面33内的一些位置，以形成未被极化的中央极点32。
该极化元件可包含多个极化区域，以形成具有一个以上极化方向和/或极化型式的各种类型极化照明模式，例如，这些照明模式可包含水平极化和竖直极化两种极点。
图4a表示包含两个极化区域41和44的极化元件例子。其中，该极化区域41包含基本只让在第一方向极化的辐射通过的极化器，该极化区域44包含基本只让在第二方向极化的辐射通过的极化器。该第二方向可以与第一方向垂直。或者，第一和第二方向之间的角度可以是45度。图4b所示为在极化四极照明模式下的光瞳平面33，这种模式可以利用图4a所示的结构得到。该反射元件14的方位取成可让经过极化区域41的子束指向光瞳平面内极点42a和42b的区域，并让经过极化区域44的子束指向极点43a和43b的区域。
图5a示出的极化元件50的极化区域的设置与前面的实施例相同。在此实施例中，极化元件的位置发生了变化，以便相对于图4a而言增加了穿过具有第一极化方向的区域51的子束数量，并相对于图4a而言减少了穿过具有第二极化方向的区域55的子束数量。图5b表示在极化四极照明模式下的光瞳平面33，这种模式可以利用图5a所示的结构得到。在保持这些极点内规定区域中的强度分布与图4b的情况基本相同的条件下，可以得到不同的极化照明极点，其中，极点52a和52b比图4b所述的实施例更大，极点53a和53b比图4b的实施例更小。
图6a表示另一个实施例，其中，该活动极化元件包括多个极化区域形成的阵列，其中每个区域包含一极化单元，该极化单元将该多个子束的一部分子束或全部子束设定成某种极化状态。在此示例中，该极化元件60包含八个极化区域61至68，排成4行2列。该极化元件包括四个区域61-64，每个区域均具有圆极化器，还包括四个区域65-68，每个区域均具有线极化器，其中，第一区域65具有第一极化方向，第二区域66具有垂直于第一极化方向的第二极化方向，第三区域67具有与第一和第二极化方向成45度的第三极化方向，第四区域68具有垂直于第三极化方向的第四极化方向。在一个实施例中，每个区域的尺寸允许将全部反射元件14分别与一个区域相关联。因此，由区域61-68所提供的全部可用的极化方向都能供所有子束选用。在一个实施例中，各区域61-68的尺寸都相等。或者，至少两个外极化区域的尺寸小于将所有反射元件与这些区域关联起来所需的尺寸，而不限制可能的极化照明模式的数量。图6b表示在极化环形照明模式69下的光瞳平面33，这种模式可利用图6a所示的结构得到。此照明模式包括4个极化方向，接近于一种具有切向极化的照明模式。反射元件14的方位取成能让经过极化区域65-68的子束指向该环形照明区域的特定区域，以形成具有近似切向极化的环形照明模式。
图7a和7b是该照明器的另一个实施例，其中，该极化元件60的位置不同于前一个实施例，且反射元件14的四组分别与各自区域61、62、65和66相关联。图7b表示在一种极化照明模式下的光瞳平面33，该极化照明模式可利用本实施例得到。此照明模式包含一个具有线极化极点71a、71b、72a和72b的四极部分、以及一个圆极化的常规小σ部分73。通过改变反射元件的方位，或者改变该极化元件的位置，或改变这两者，可以得到不同的极化照明模式。例如，若改变图7a中极化元件60的位置，使得更多的反射元件与线极化区域关联起来，则可加大图7b中的这四个外极点，但中央极点却相应减小。或者，与上述那样作同样的位置改变，可在牺牲中央极点的强度的条件下增加图7b中四个外极点的强度，同时保持该极点的尺寸不变。这个实施例的一个优点是能为极化照明模式提供较大的灵活性，并可从第一极化照明模式快速转换为第二极化照明模式。
虽然在上面各实施例中，该辐射是未极化的，而该辐射束则是利用包含一个或多个极化器的极化元件来极化的，但是，在光刻中的许多场合下，该辐射源可以提供线极化辐射束，如准分子激光器。因此，不能使用极化器来改变各子束的极化。所以，在用准分子激光器作辐射源的另一个实施例中，该极化元件包含光学延迟器(opticalretarder)，以改变该多个子束中的一个或多个子束的极化状态和方向。可能的延迟器的示例有：改变线极化辐射束的极化方向的半波片，将辐射束的极化改变成圆极化状态的1/4波片，和使辐射束的极化产生变化的光楔(wedge)。
图8是另一个实施例，其中，该照明系统80和图2具有同样的结构，但还包含会聚光学器件81，以将部分辐射束会聚到一个或多个反射元件上。在此实施例中，该会聚光学器件包括微型透镜阵列，其中，每个微型透镜与一个反射元件相关联。或者，该会聚光学器件可包括具有抛物线或双曲线横截面形状的反射表面区域，或者包括双曲线或抛物线型的反射表面阵列。该会聚光学器件将这些子束分开，并将每个子束聚焦在相关的反射元件上，子束的聚焦将减少入射在该反射元件阵列14上但处于各元件14a-14e外面的辐射量，从而限制了辐射损失量。此外，每个反射元件输送一个包含小角度分布的子束，这导致在光瞳平面内得到较大横截面的子束，从而在光瞳平面内形成更均匀的强度分布。在此实施例中，极化元件13的位置是在该会聚光学器件和反射元件阵列14之间。或者，该极化元件可处于或靠近该辐射源和该会聚光学器件之间的场平面处。或者，该极化元件13也可以定位成紧邻该反射元件14，使得这些子束穿过该极化元件两次。在这个实施例中，极化元件13构造成使得穿过该极化元件两次的子束按照预定的极化状态极化。
图9a和9b是反射元件阵列14的另一个实施例，其中提供了反射器板RP，各反射元件R用弹性元件S支撑在该反射器板上。在此实施例中，该反射器板具有一个或多个与各反射元件相关联的孔A1、A2和A3，通过将该反射元件与插在相应孔内的长度可变的一个或多个销P1、P2和P3相接合，可对该反射元件进行定向。这类装置可从美国专利申请US2004-0108467中获知。换一种方式或者作为补充，可以用静电或微机械致动器来设定反射元件R的方位。
在一个实施例中，该极化元件的一个或多个极化区域组合在单个光学结构内。这种布置可防止入射在这些区域之间的边缘上的辐射引起散射和辐射损失。对于包含半波片和1/4波片的极化区域的例子，可借助于对光学材料的选择性刻蚀等来达到此目的。
在一个实施例中，该光刻装置包含一个交换机构，用来用另一极化元件或模型元件(dummy member)交换该极化元件。利用这种装置，对于需要将这些极化区域不同地集成到一个极化元件以形成各种极化模式来说，可以有更大的灵活性。另外，用不会影响辐射束的极化状态的中性光学元件来替代该极化元件，则可按常规方式来使用该光刻装置。
尽管在本申请中可以具体参考该光刻装置在IC制造中的使用，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“芯片模(die)”的使用应认为分别可以与更上位的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如匀胶显影机(track，通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其它基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。
尽管在上文已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻环境中的应用，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的构形限定了在基底上形成的图案。该构图部件的构形可以被压入到施加于基底上的抗蚀剂层中，并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合来使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，355，248，193，157或者126nm的波长)。
在本申请允许的地方，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任意一种或组合，包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解，可以以不同于所描述的其它方式来实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含描述了上面所公开方法的一个或多个序列的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
上面的描述是为了说明性的而非限制性的。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。

Claims (18)

1.一种光刻投影装置，包括：
照明系统，包括：
反射元件阵列，其按照照明模式来确定辐射束的强度分布，和
极化元件，其在该辐射束路径上处于该反射元件阵列之前，该极化元件用于向该辐射束提供极化；
支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于按照所需图案对该辐射束进行构图；
基底台，用于保持基底；
投影系统，用于将该图案化辐射束投影到该基底的靶部上，
其中，该极化元件包含至少两个区域，第一区域与从该反射元件选出的第一组相关联，第二区域与从该反射元件选出的第二组相关联，该第一组不同于该第二组，并且，至少一个区域包含光学单元，以在通过该至少一个区域的一部分束中获得极化，由此，第一组和第二组反射元件选择成可获得一种极化照明模式。
2.如权利要求1所述的装置，包括一种用于移动该极化元件的装置，以改变该第一组和第二组中对反射元件的选择，从而获得另一种极化照明模式。
3.如权利要求2所述的装置，其中，该极化元件包括一区域阵列，所述阵列中的每一区域的尺寸允许将全部反射元件分别与所述阵列中的一个区域相关联。
4.如权利要求1所述的装置，其中，该光学单元包括圆极化器或线极化器。
5.如权利要求1所述的装置，还包括辐射系统，用来产生线极化辐射束。
6.如权利要求5所述的装置，其中，该光学单元是1/4波片，半波片或光楔。
7.如权利要求1所述的装置，其中，至少是该极化元件的第一和第二区域被组合成单个光学结构。
8.如权利要求1所述的装置，其中，该照明系统还包括会聚光学器件，用来将一部分束会聚到一个或多个反射元件上。
9.如权利要求8所述的装置，其中，该会聚光学器件包括：一具有抛物线或双曲线横截面形状的反射表面区域，或双曲线或抛物线型反射表面阵列。
10.如权利要求8所述的装置，其中，该会聚光学器件包括微型透镜阵列。
11.如权利要求8所述的装置，其中，该极化元件在该辐射束路径上处于该会聚光学器件之前。
12.如权利要求8所述的装置，其中，该极化元件置于该会聚光学器件和该反射元件之间。
13.如权利要求1所述的装置，还包括：
用来支撑一个或多个反射元件的反射器板，所述反射器板设置有一个或多个与各反射元件相关联的孔，能够通过将所述反射元件与插在相应孔内的长度可变的一个或多个销相接合，来对所述反射元件进行定向。
14.如权利要求1所述的装置，其中，该照明模式包括下面任意一种：普通、偶极、反对称、四极、六极和环形。
15.一种用于光刻投影装置中的极化元件，所述光刻投影装置包括按照照明模式来确定辐射束的强度分布的反射元件阵列，其中，该极化元件包含至少两个区域，第一区域与从该反射元件选出的第一组相关联，第二区域与从该反射元件选出的第二组相关联，该第一组不同于该第二组，并且，至少一个区域包含光学单元，以在通过该至少一个区域的一部分束中获得极化。
16.一种器件制造方法，包括：
将辐射束分成多个子束；
利用极化元件将至少一个子束极化为极化模式；
将每一子束与多个反射元件中的反射元件相关联；
通过反射元件将各子束指向构图部件，以获得一种极化照明模式；
利用该构图部件将图案赋予该辐射束的横截面；及
将该图案化束投影到基底的照射敏感材料的至少一部分上，
其中，该极化元件包含至少两个区域，第一区域与从该反射元件选出的第一组相关联，第二区域与从该反射元件选出的第二组相关联，该第一组不同于该第二组，并且，至少一个区域包含光学单元，以在通过该至少一个区域的一部分束中获得极化，由此，第一组和第二组反射元件选择成可获得一种极化照明模式。
17.如权利要求16所述的方法，还包括移动该极化元件，以改变在该第一组和第二组中对反射元件的选择，从而获得另一种极化照明模式。
18.如权利要求16所述的方法，其中，该极化元件包含一区域阵列，所述阵列中的每一区域的尺寸允许将全部反射元件分别与所述阵列中的一个区域相关联。
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