JP5323504B2 - 2次元位置合わせ測定構成及び2次元位置合わせ測定方法を有したリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
放射ビームB(たとえば、紫外(UV)線)を調整するように構成された照明システム(照明器)ILと、
パターン形成デバイス(たとえば、マスク)MAを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決め器PMに接続された支持構造(たとえば、マスク・テーブル)MTと、
基板(たとえば、レジスト被覆ウェハ)Wを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め器PWに接続された基板テーブル(たとえば、ウェハ・テーブル)WTと、
パターン形成デバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの対象部分C(たとえば、1つ又は複数のダイを含む)上に投射するように構成された投射システム(たとえば、屈折投射レンズ・システム)PSと
を含む。
1.ステップ・モード:
マスク・テーブルMT、及び基板テーブルWTが、基本的に静止状態に保たれ、その間に放射ビームに付与されたパターン全体が、対象部分C上に1回で投射される(すなわち、1回の静的露光)。次に、基板テーブルWTが、異なる対象部分Cを露光することができるように、X及び/又はY方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の静的露光で写像される対象部分Cのサイズが限定される。2、走査モード:
マスク・テーブルMT、及び基板テーブルWTが、同期して走査され、その間に放射ビームに付与されたパターンが、対象部分C上に投射される(すなわち、1回の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、倍率(縮小率)、及び投射システムPSのイメージ反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の動的露光中の対象部分の幅(非走査方向)が限定され、一方走査運動の距離によって、対象部分の高さ(走査方向)が決定される。
3、他のモード:
マスク・テーブルMTが、基本的に静止状態に保たれてプログラム可能なパターン形成デバイスを保持し、放射ビームに付与されたパターンが対象部分C上に投射されている間、基板テーブルWTが、移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス化された放射源が使用され、プログラム可能なパターン形成デバイスが、基板テーブルWTの移動の後毎に、又は走査中の連続した放射パルスの間の中で、必要に応じて更新される。この動作のモードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン形成デバイスを利用した、マスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
W1=L1=4μm
P1=8μm
S1=4μm
P2=20μm
Ws=2μm
Ls=70μm
BD ビーム転送システム
IL 照明器、照明システム
IN インテグレータ
CO コンデンサ
WT 基板テーブル、ウェハ・テーブル
B 放射ビーム
AD 調節器
MT 支持構造、マスク・テーブル
PS 投射システム、屈折投射レンズ・システム
W 基板、レジスト被覆ウェハ
PW 第2の位置決め器
IF 位置センサ
MA パターン形成デバイス、マスク
PM 第1の位置決め器
M1、M2 マスク位置合わせマーク
P1、P2 基板位置合わせマーク
2 レーザ源
4 検出器
6 プロセッサ
8 アクチュエータ
10 ミラー
12 半透過型ミラー、第2のミラー
14 ミラー
16 レーザ・ビーム
16’ 回折放射
16’(i) 位置合わせ放射の回折パターン、回折次数
16x’(i) 回折次数
16y’(i) 回折次数
17 位置合わせビーム・スポット、スポット
18 位置合わせビーム
19 正方形形状構造、構造
1911 左側最低部の正方形形状構造
19ru 右側最高部の正方形形状構造
20 ホール
21 プレート
22 ホール
20’ ホール
21’ プレート
22’ ホール
24 位置合わせビーム・スポット、スポット
24x 位置合わせビーム・スポット部分、第1のスポット部分、スポット部分
24y 位置合わせビーム・スポット部分、第2のスポット部分、スポット部分
26 アクチュエータ
26’ アクチュエータ
29 プレート
31、33、35、37 ホール
30 レチクル・スクライブレーン
32 レチクル領域
M3 マーク
M4 粗いマーク、マーク
M5 粗いマーク、マーク
W1 幅
L1 長さ
S1 間の距離
Ws 幅
Ls 長さ
P1 ピッチ
P2 ピッチ
Lx x方向のマークM3の長さ、長さ
Ly y方向のマークM3の長さ、長さ
A 矢印
Px1 他の隣接した列間の他のピッチ
Px2 異なるピッチ、ピッチ
Py y方向のピッチ
Py1 y方向の他のピッチ
Py2 ピッチ
MP 1つ又は複数のマーク・パターン
MA1 レチクル
Claims (6)
- 少なくとも1つのマーク・パターンを設けられたレチクルであって、
前記マーク・パターンが、m行及びn列(m、nは2以上の自然数)の形で配列された複数の構造を有し、
前記m行は、少なくとも1つの行ピッチが残りの行ピッチとは異なり、前記残りの行ピッチは等しくなるよう配列され、
前記n列は、少なくとも1つの列ピッチが残りの列ピッチとは異なり、前記残りの列ピッチは等しくなるよう配列され、
使用において、前記マーク・パターンには、位置合わせビーム・スポットが照射されるものであり、前記位置合わせビーム・スポットは、第1の方向に延在した第1の位置合わせビーム・スポット部分、及び前記第1の方向に実質的に直角の第2の方向に延在した第2の位置合わせビーム・スポット部分を有し、前記第1の位置合わせビーム・スポット部分が、前記複数の構造の列の長さの略2倍の第1の長さを有し、前記第2の位置合わせビーム・スポット部分が、前記複数の構造の行の長さの略2倍の第2の長さを有し、かつ前記第1及び第2の位置合わせビーム・スポット部分が互いに中央で交差するものであり、
前記位置合わせビーム・スポットを、前記第1、第2の位置合わせビーム・スポット部分の交点が前記複数の構造の対角線に実質的に沿うように移動させることにより、前記少なくとも1つのマークの前記構造の列を横切って前記第1の位置合わせビーム・スポット部分を走査するとともに、前記少なくとも1つのマークの前記構造の行を横切って前記第2の位置合わせビーム・スポット部分が走査するように形成されている、レチクル。 - 前記構造が、四角形又は正方形のどちらかで形作られる、請求項1に記載のレチクル。
- 位置合わせマークを設けられた対象物であって、
前記位置合わせマークが、m行及びn列(m、nは2以上の自然数)の形で配列された複数の構造を有し、
前記m行は、少なくとも1つの行ピッチが残りの行ピッチとは異なり、前記残りの行ピッチは等しくなるよう配列され、
前記n列は、少なくとも1つの列ピッチが残りの列ピッチとは異なり、前記残りの列ピッチは等しくなるよう配列され、
使用において、前記位置合わせマークには、位置合わせビーム・スポットが照射されるものであり、前記位置合わせビーム・スポットは、第1の方向に延在した第1の位置合わせビーム・スポット部分、及び前記第1の方向に実質的に直角の第2の方向に延在した第2の位置合わせビーム・スポット部分を有し、前記第1の位置合わせビーム・スポット部分が、前記複数の構造の列の長さの略2倍の第1の長さを有し、前記第2の位置合わせビーム・スポット部分が、前記複数の構造の行の長さの略2倍の第2の長さを有し、かつ前記第1及び第2の位置合わせビーム・スポット部分が互いに中央で交差するものであり、
前記位置合わせビーム・スポットを、前記第1、第2の位置合わせビーム・スポット部分の交点が前記複数の構造の対角線に実質的に沿うように移動させることにより、前記少なくとも1つのマークの前記構造の列を横切って前記第1の位置合わせビーム・スポット部分を走査するとともに、前記少なくとも1つのマークの前記構造の行を横切って前記第2の位置合わせビーム・スポット部分が走査するように形成されている、対象物。 - 前記構造が、四角形又は正方形のどちらかで形作られる、請求項3に記載の対象物。
- 前記対象物が、リソグラフィ装置によって露光される上部側と、底部側とを有した基板である、請求項3に記載の対象物。
- 前記位置合わせマークが、前記底部側上に配置される、請求項5に記載の対象物。
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JP5006889B2 (ja) | 2008-02-21 | 2012-08-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 粗ウェーハ位置合わせ用マーク構造及びこのようなマーク構造の製造方法 |
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WO2012144905A2 (en) | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer |
US9395635B2 (en) | 2011-04-22 | 2016-07-19 | Mapper Lithography Ip B.V. | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark |
WO2012158025A2 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
KR102042212B1 (ko) * | 2012-10-26 | 2019-11-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피에서 기판의 위치 결정 |
US9030661B1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-05-12 | Kla-Tencor Corporation | Alignment measurement system |
KR102330321B1 (ko) | 2014-12-12 | 2021-11-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 모델 파라미터를 계산하고 리소그래피 처리를 제어하기 위한 방법 및 장치 |
KR102385453B1 (ko) * | 2017-06-26 | 2022-04-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 비간섭성 조명 블렌딩을 통한 정렬을 위한 이미지 개선 |
US11536760B2 (en) * | 2017-11-28 | 2022-12-27 | Ase Test, Inc. | Testing device, testing system, and testing method |
CN111867754B (zh) * | 2018-02-20 | 2022-10-28 | Slm方案集团股份公司 | 用于使多束照射系统对准的方法 |
US10636688B2 (en) * | 2018-06-22 | 2020-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for alignment, process tool and method for wafer-level alignment |
US10599055B1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Self aligning systems and methods for lithography systems |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4871257A (en) * | 1982-12-01 | 1989-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical apparatus for observing patterned article |
JPH0722097B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 投影露光方法 |
JPS6258628A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 位置合わせ方法および位置合わせ装置 |
JPS6298725A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Canon Inc | 信号検出装置 |
JPH0810126B2 (ja) * | 1986-09-16 | 1996-01-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法 |
JP3040845B2 (ja) * | 1991-05-08 | 2000-05-15 | オリンパス光学工業株式会社 | アライメントマーク |
JPH05335211A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Nec Yamagata Ltd | 半導体製造用露光装置 |
KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3326455B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2002-09-24 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
JP3477838B2 (ja) * | 1993-11-11 | 2003-12-10 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
JPH07249558A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
JPH07260424A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-13 | Nikon Corp | プロキシミテイ露光装置のアライメント方法 |
JPH085319A (ja) * | 1994-06-14 | 1996-01-12 | Nikon Corp | アライメント装置 |
US6160622A (en) * | 1997-12-29 | 2000-12-12 | Asm Lithography, B.V. | Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device |
US6228538B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Mask forming methods and field emission display emitter mask forming methods |
US6481003B1 (en) * | 1998-09-30 | 2002-11-12 | Nikon Corporation | Alignment method and method for producing device using the alignment method |
JP2001093820A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | マーク、アライメントマーク、合わせずれ測定用マーク、フォトマスク、及び、半導体ウェーハ |
JP2001284233A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Nec Corp | 縮小投影露光装置及び縮小投影露光方法 |
JP2002198303A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
WO2002033351A1 (fr) * | 2000-10-19 | 2002-04-25 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de detection de position, procede et systeme d'exposition, programme de commande et procede de production de dispositif |
US6768539B2 (en) * | 2001-01-15 | 2004-07-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1324136A1 (en) | 2001-12-28 | 2003-07-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
EP1336899A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment method and device manufacturing method |
JP3962648B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | ディストーション計測方法と露光装置 |
EP1400859A3 (en) | 2002-09-20 | 2009-07-01 | ASML Netherlands B.V. | Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths |
TWI227814B (en) * | 2002-09-20 | 2005-02-11 | Asml Netherlands Bv | Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths |
CN1573554A (zh) * | 2003-01-14 | 2005-02-02 | Asml蒙片工具有限公司 | 用于接触孔掩模的光学逼近校正设计的方法 |
EP1455235A3 (en) * | 2003-03-07 | 2009-04-22 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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