JP2007227918A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Abstract
【解決手段】アレイ14の反射素子14bはリダイレクト光学系15を介して中間面16に向けてサブビームを反射する。リダイレクト光学系(たとえば集束レンズ)は該サブビームをイルミネータの中間面の所望の領域に向ける。断面16は二次的放射ソースとして機能する瞳面と一致してよい。さらに、反射素子14c、14dは、図示されている他の2つのサブビームを、リダイレクト光学系15を介して面16の他の領域に向けて反射する。反射素子14aないし14eの配向を調整してサブビームが入射する面16の領域を決定することにより、該断面におけるほとんどすべての空間強度分布を生成することができる。
【選択図】図2
Description
[0036] パターニングデバイス(たとえば、マスク)MAを支持するよう構成され、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置づけするよう構成された第1の位置決め装置に接続された支持構造体(たとえば、マスクテーブル)MT、
[0037]基板(たとえば、レジストコートウェーハ)Wを保持するよう構成され、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置づけするよう構成された第2の位置決め装置に接続された基板テーブル(たとえば、ウェーハテーブル)WT、
[0038] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(たとえば、1つまたは複数のダイ)に投影するよう構成された投影システム(たとえば、屈折型投影レンズシステム)PS、
[0039] 照明システムとしては、放射を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
Claims (20)
- 照明モードに従って放射ビームの強度分布を定義するよう構成された反射素子のアレイと、
該ビームの経路上の反射素子のアレイの前に配置され、該放射ビームに偏光を与えるよう構成された偏光部材と、
を備える照明システム、
パターニングデバイスを支持するよう構成された支持構造体であって、該パターニングデバイスは所望のパターンに従って該ビームにパターン付けするよう構成されている支持構造体、
基板を保持するよう構成された基板テーブル、および、
パターン付けされたビームを該基板のターゲット部分に投影するよう構成された投影システム、
を備えるリソグラフィ装置。 - 偏光部材は少なくとも2つの領域を備え、第1の領域は反射素子から選択された第1のセットと関連付けられ、第2の領域は反射素子から選択された第2のセットと関連付けられ、第1のセットは第2のセットと異なっており、これらの領域のうちの少なくとも1つが該少なくとも1つの領域を通過するビームの一部に偏光をもたらすための光学素子を備えており、偏光照明モードが得るために反射素子の第1および第2のセットが選択される、請求項1に記載の装置。
- 第1および第2のセットにおける反射素子の選択を変更し、さらなる偏光照明モードを得るために偏光部材を移動させるデバイスを備える、請求項2に記載の装置。
- 偏光部材は領域のアレイを備え、少なくとも1つの領域は、反射素子が第1のセット内にある程度の大きさを有する、請求項3に記載の装置。
- 光学素子は円偏光子または直線偏光子を備える、請求項2に記載の装置。
- 直線偏光した放射ビームを生成するよう構成された放射システムをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 光学素子は、4分の1波長板、半波長板、またはウェッジである、請求項6に記載の装置。
- 偏光部材の少なくとも第1および第2の領域は1つの光学構造体に組み込まれている、請求項2に記載の装置。
- 照明システムは1つ以上の反射素子上に該ビームの一部を集中させるよう構成された集光光学系をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 集光光学系は、放物線状もしくは双曲線状の断面形状を有する反射面領域、または放物線状もしくは双曲線状の反射面のアレイを備える、請求項9に記載の装置。
- 集光光学系はマイクロレンズのアレイを備える、請求項9に記載の装置。
- 偏光部材は該ビームの経路上の集光光学系の前に配置されている、請求項9に記載の装置。
- 偏光部材は集光光学系と反射素子との間に配置されている、請求項9に記載の装置。
- 1つ以上の反射素子を支持するよう構成された反射板と、反射素子の配向を設定するよう構成された各反射素子に関連付けられたピンを含む設定板と、をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 照明モードは、従来型、双極型、非対称型、四重極型、六重極型および輪帯型のいずれかである、請求項1に記載の装置。
- 請求項7において使用されるリソグラフィ投影装置で用いられるための偏光領域アレイを備える偏光部材。
- 放射ビームを複数のサブビームに分割することと、
偏光部材を使用して該サブビームのうちの少なくとも1つを偏光させて偏光モードすることと、
各サブビームを複数の反射素子のうちの一つの反射素子と関連付けることと、
サブビームを、それぞれ反射素子を介してパターニングデバイスに向け、偏光照明モードを得ることと、
該パターニングデバイスを使用してビームの断面にパターンを付与することと、
パターンが付与されたビームを基板の放射感応性材料の少なくとも一部に投影することと、
を含むデバイス製造方法。 - 偏光部材は少なくとも2つの領域を備え、第1の領域は反射素子から選択された第1のセットと関連付けられ、第2の領域は反射素子から選択された第2のセットと関連付けられ、第1のセットは第2のセットと異なっており、これらの領域のうちの少なくとも1つが該少なくとも1つの領域を通過するビームの部分に偏光をもたらすための光学素子を備えており、偏光照明モードが得るために反射素子の第1および第2のセットが選択される、請求項17に記載の方法。
- 第1および第2のセットにおける反射素子の選択を変更し、さらなる偏光照明モードを得るために偏光部材を移動させることをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 偏光部材は領域のアレイを備え、少なくとも1つの領域は、反射素子が第1のセット内にある程度の大きさを有する、請求項17に記載の方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007227918A true JP2007227918A (ja) | 2007-09-06 |
JP4668218B2 JP4668218B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=37944720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007035613A Expired - Fee Related JP4668218B2 (ja) | 2006-02-23 | 2007-02-16 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7525642B2 (ja) |
EP (1) | EP1826616B1 (ja) |
JP (1) | JP4668218B2 (ja) |
KR (1) | KR100855076B1 (ja) |
CN (1) | CN101025573B (ja) |
SG (1) | SG135130A1 (ja) |
TW (1) | TWI332118B (ja) |
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- 2007-02-15 TW TW096105766A patent/TWI332118B/zh not_active IP Right Cessation
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EP1826616A2 (en) | 2007-08-29 |
EP1826616A3 (en) | 2007-10-10 |
KR20070087507A (ko) | 2007-08-28 |
TWI332118B (en) | 2010-10-21 |
EP1826616B1 (en) | 2017-09-27 |
US20070195305A1 (en) | 2007-08-23 |
KR100855076B1 (ko) | 2008-08-29 |
JP4668218B2 (ja) | 2011-04-13 |
US7525642B2 (en) | 2009-04-28 |
TW200734800A (en) | 2007-09-16 |
SG135130A1 (en) | 2007-09-28 |
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Date | Code | Title | Description |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
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