CN101274419B - GaN基板的研磨方法 - Google Patents

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Abstract

在本发明的GaN基板的研磨方法中，包括：第1研磨工序，一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用所述第1平台及所述研磨液来研磨Ga面和N面在表面被配置成条状的GaN基板；第2研磨工序，在所述第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板；表面加工工序，在所述第2研磨工序前，对所述第2平台进行切削加工以使得平坦度为10μm以下；加料工序，在所述表面加工工序后、所述第2研磨工序前，将用于形成所述第2研磨材的第3研磨材埋入所述第2平台。

Description

GaN基板的研磨方法 
本申请是申请号为2005800017073、申请日为2005年12月28日、发明名称为GaN基板的研磨方法的发明专利申请的分案申请。 
技术领域
本发明涉及GaN基板的研磨方法。 
背景技术
作为磁头滑块的研磨方法，已知例如有专利文献1所载的方法。另外，作为用于研磨磁头滑块的研磨液，已知例如有专利文献2所载的精研磨用精研油组成物。 
而作为非磁头滑块的GaN基板(氮化镓基板)的研磨方法，已知例如有非专利文献1所载的方法。在此方法中，利用粒径为0.1μm的金刚石研磨膏与仿鹿皮型垫研磨GaN基板后，利用KOH与NaOH的混合液化学地研磨GaN基板。 
另外，作为另一GaN基板的研磨方法，已知例如有专利文献3所载的方法。在此方法中，利用供应至平台上的游离磨粒研磨GaN基板。具体地说，使游离磨粒的粒径渐渐变小，一边减慢研磨速度，一边研磨GaN基板。 
专利文献1：日本特开2001-205556号公报 
专利文献2：日本特开2004-58220号公报 
专利文献3：日本特开2001-322899号公报 
非专利文献1：J.L.Weyher等3人着“Chemical polishing of bulk andepitaxial GaN”、Journal ofCrystal Growth杂志第182期17～22页，1997年出版 
但是，利用游离磨粒研磨GaN基板时，游离磨粒彼此会凝聚在平台上而粗大化，GaN基板会因粗大化的粒子而发生擦伤。 
本发明的目的在于提供可抑制擦伤的发生的GaN基板的研磨方法。 
发明内容
为解决上述课题，本发明的GaN基板的研磨方法包含：第1研磨工序，一边将含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用第1平台及研磨液研磨GaN基板；与第2研磨工序，在第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有第2研磨材的第2平台研磨GaN基板。 
在此，作为第2平台，既可使用第1平台，也可使用与第1平台不同的平台。另外，作为第2研磨材，既可使用第1研磨材，也可使用与第1研磨材不同的研磨材。例如，作为“埋入有第2研磨材的第2平台”，既可使用埋入第1研磨材的第1平台，也可使用与埋入有第1研磨材不同的研磨材的第1平台，且也可在异于第1平台的平台使用埋入异于第1研磨材的研磨材的平台。 
在本发明的GaN基板的研磨方法中，在第2研磨工序中将第2研磨材埋入第2平台。因此，第2研磨材彼此不会凝聚。从而，在第2研磨工序中，可一边抑制擦伤的发生，一边研磨GaN基板。 
另外，第1平台的圆周速度及第2平台的圆周速度优选为7m/min以上57m/min以下。 
该情况，在第1及第2研磨工序中，与圆周速度低于7m/min的情况相比，可增大GaN基板的研磨速度。另外，与圆周速度大于57m/min的情况相比，可使第1平台的旋转及第2平台的旋转容易稳定。 
另外，第1研磨材优选为金刚石磨粒。藉此，可提高第1研磨工序中的GaN基板的研磨效率。 
另外，第1平台的构成材料及第2平台的构成材料优选为含有锡50质量％以上的合金。由于含有锡50质量％以上的合金并不柔软，故在第1平台的第1研磨材的突出量及在第2平台的第2研磨材的突出量均小。因此，在第1研磨工序后的GaN基板的表面粗度及在第2研磨工序后的GaN基板的表面粗度均可变小。另外，可抑制擦伤的发生。 
另外，优选上述GaN基板的研磨方法还包含：表面加工工序，在第2 研磨工序之前，将第2平台切削加工成平坦度10μm以下；及加料工序，在表面加工工序之后、第2研磨工序之前，将形成第2研磨材用的第3研磨材埋入第2平台。 
在此，所谓“平坦度”，意味着测定对象物的厚度的最大值与最小值的差。另外，表面加工工序及加料工序既可在第1研磨工序之前实施，也可在第1研磨工序之后、第2研磨工序之前实施。另外，表面加工工序在第1研磨工序之前实施，加料工序也可在第1研磨工序之后、第2研磨工序之前实施。 
另外，作为第2平台，使用与第1平台不同的平台的情况，例如，可通过将第3研磨材埋入该平台，以获得“埋入第2研磨材的第2平台”。作为第2平台，使用第1平台，且在第1研磨工序后实施加料工序的情况，例如，可通过将第3研磨材埋入第1平台，以获得“埋入有第2研磨材的第2平台”。作为第2平台，使用第1平台，且在第1研磨工序前实施加料工序的情况，例如，可藉将第3研磨材埋入第1平台后实施第1研磨工序，以获得“埋入有第2研磨材的第2平台”。 
此情况，由于实施表面加工工序，故可提高在第2研磨工序后的GaN基板的平坦度。另外，由于实施加料工序，故可降低第2研磨材的突出量的面内误差。因此，可降低在第2研磨工序的GaN基板的研磨速度及表面粗度的面内误差。 
另外，第1润滑剂及第2润滑剂优选是以乙二醇及水为主成分。此情况，在第1研磨工序的GaN基板及第1平台等、以及在第2研磨工序后的GaN基板及第1及第2平台等的洗净较为容易。另外，因第1润滑剂及第2润滑剂含有乙二醇，故在第1研磨工序中可抑制第1润滑剂的蒸发，可实现第1平台的防锈。另外，在第2研磨工序中可抑制第2润滑剂的蒸发，可实现第2平台的防锈。 
另外，在第2研磨工序中，作为第2平台，优选使用第1平台。此情况，在第1平台与第2平台之间，不需考虑个体差，故在第2平台上研磨在第1平台上研磨过的GaN基板时，GaN基板的表面形状与第2平台的表面形状相适合。因此，可抑制擦伤的发生。 
另外，在第2研磨工序中，作为第2平台，使用第1平台的情况，上述 GaN基板的研磨方法优选还含有清洁工序，在第1研磨工序之后、第2研磨工序之前，除去第1平台上的异物。由此，在第2研磨工序中，可降低起因于第1平台上的异物的擦伤的发生及表面粗度。 
根据本发明的GaN基板的研磨方法，可抑制擦伤的发生。 
本发明的技术方案为： 
1.一种GaN基板的研磨方法，其中，包括： 
第1研磨工序，一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用所述第1平台及所述研磨液来研磨Ga面和N面在表面被配置成条状的GaN基板； 
第2研磨工序，在所述第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板。 
2.根据1所述的GaN基板的研磨方法，其中， 
所述第1平台的圆周速度及所述第2平台的圆周速度在7m/min以上但在57m/min以下。 
3.根据1所述的GaN基板的研磨方法，其中， 
所述第1研磨材是金刚石磨粒。 
4.根据1所述的GaN基板的研磨方法，其中， 
所述第1平台的构成材料及所述第2平台的构成材料是含有50质量％以上的锡的合金。 
5.根据1所述的GaN基板的研磨方法，其中， 
还包括： 
表面加工工序，在所述第2研磨工序前，对所述第2平台进行切削加工以使得平坦度为10μm以下； 
加料工序，在所述表面加工工序后、所述第2研磨工序前，将用于形成所述第2研磨材的第3研磨材埋入所述第2平台。 
6.根据1所述的GaN基板的研磨方法，其中， 
所述第1润滑剂及所述第2润滑剂中乙二醇及水的总含有量为95质量％以上。 
7.根据1所述的GaN基板的研磨方法，其中， 
在所述第2研磨工序中，使用所述第1平台作为所述第2平台。 
8.根据7所述的GaN基板的研磨方法，其中， 
还含有清洁工序，在所述第1研磨工序后、所述第2研磨工序前，除去所述第1平台上的异物。 
附图说明
图1是表示适合使用于本实施方式的GaN基板的研磨方法的研磨装置的一例的概略立体图。 
图2是图1所示的研磨夹具的概略立体图。 
图3是沿着图2所示的III-III线的纵剖面图。 
图4是表示构成GaN基板的GaN结晶的结晶构造的模式图。 
图5是表示本实施方式的GaN基板的研磨方法的一例的流程图。 
图6是说明表面加工工序用的概略立体图。 
图7是说明第1及第2研磨工序用的概略立体图。 
图8是说明第1及第2研磨工序用的概略剖面图。 
图9是表示第1及第2研磨工序后的GaN基板的表面粗度Ra与研磨材的平均粒径的关系的曲线图。 
图中：1-GaN基板； 
21-第3研磨材； 
23-第1研磨材； 
25-第1润滑剂； 
27-研磨液； 
29-第2研磨材； 
31-第2润滑剂； 
101-第1及第2平台。 
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边详细说明本发明的实施方式。另外，在附图的说明中，在同一或同等的要素附以同一符号，而省略重复的说明。 
(GaN基板的研磨装置) 
图1是表示适合使用于本实施方式的GaN基板的研磨方法的研磨装置的一例的概略立体图。图1所示的研磨装置100具有：配置于台113上的平台101；与载置于平台101的表面101a上的研磨夹具10。在研磨装置100中，在平台101与研磨夹具10之间配置GaN基板，利用转动平台101及研磨夹具10，以施行GaN基板的研磨。GaN基板例如适合使用于LED及LD等的装置。 
平台101例如是具有中心点O及半径r的圆板。平台101是以圆周速度v例如向逆时针方向旋转。在平台101连接有冷却平台101的冷却机111。使用冷却机111时，可将平台101的温度控制于与室温同等的温度(例如20℃)。此情况，可防止研磨时的平台101的发热及变形。 
在研磨夹具10上，连接有使研磨夹具10旋转及摆动的马达103。马达103是配置于台113上。研磨夹具10优选向与平台101的旋转方向同一方向，例如向逆时针方向旋转。 
在台113上，配置有：用于切削加工平台101的表面101a的表面加工机构109；将研磨液27滴下于平台101的表面101a的滴下装置(分散器)105；将润滑剂31滴下于平台101的表面101a的滴下装置(分散器)107。滴下装置105、107分别具有滴下喷嘴105a、107a。从滴下喷嘴105a、107a滴下研磨液27及润滑剂31。研磨液27例如是浆泥状。研磨液27及润滑剂31例如是水溶性。 
图2是图1所示的研磨夹具10的概略立体图。图3是沿着图2所示的III-III线的纵剖面图。研磨夹具10具有：贴附GaN基板1的板17；与包围板17的驱动环15。在板17上，依次配置重块13与支撑棒11。 
板17例如是由陶瓷所构成。GaN基板1优选是利用蜡等接着剂贴附于板17。GaN基板1通过重块13经由板17而均等地按压于平台101上。在驱动环15的下面15a，例如以放射状形成有槽15b。研磨夹具10是被配置成可使GaN基板1的表面1a接触平台101的表面101a(参照图1)。 
图4(a)及4(b)是表示构成GaN基板1的GaN结晶的结晶构造的模式图。GaN结晶如图4(a)所示，具有六方晶系的纤锌矿型结晶构造。此种GaN结晶构成的GaN结晶体如图4(b)所示，具有(0001)面及(000-1)面。(0001)面是Ga面，(000-1)面是N面。Ga面的维氏硬度为1250kg/mm2，N面的维氏硬度为1150kg/mm2。另外，Ga面对KOH的耐药品性强于N面。 
GaN基板1是条状磁心基板的情况，在GaN基板1的表面1a(参照图3)，Ga面及N面被配置成条状。另外，GaN基板1并不限定于条状磁心基板。在此，所谓“条状磁心基板”，是指直线状延伸而具有特定宽度的低结晶缺陷区域、与直线状延伸而具有特定宽度的高结晶缺陷区域在表面上交互配置的基板。有关条状磁心基板的详细情况，例如揭示于日本特开2004-335646号公报等。 
(GaN基板的研磨方法) 
本实施方式的GaN基板的研磨方法是利用上述研磨装置100适当地实施。 
图5是表示本实施方式的GaN基板的研磨方法的一例的流程图。在此GaN基板的研磨方法中，例如，依次实施表面加工工序(工序S1)、加料工序(工序S2)、第1研磨工序(工序S3)、清洁工序(工序S4)、及第2研磨工序(工序S5)。另外，在本实施方式中，作为使用于第2研磨工序的平台，设为使用在第1研磨工序中所使用的平台101。 
以下，一边参照图6～图8，一边详细说明各工序S1～S5。图6是用于说明表面加工工序的概略立体图。图7(a)及图7(b)是分别用于说明第1及第2研磨工序的概略立体图。图8(a)及8(b)是分别用于说明第1及第2研磨工序的概略剖面图。 
(表面加工工序) 
也可依照需要，如图6所示，将平台101的表面101a切削成平台101的平坦度(TTV：Total Thickness Variation)为10μm以下。使用此平台101时，例如可适当地研磨2英寸φ的GaN基板1。平台101的表面101a的形状，被转印于GaN基板1的表面1a。另外，更优选将由平台101的中心点O至外周的部分(半径部分)的平坦度切削加工成为5μm以下。特别是使用平均粒径小的研磨材施行研磨的情况，优选缩小平台101的平坦度。 
切削加工时，优选使用金刚石刀具109a。金刚石刀具109a构成表面加工机构109(参照图1)的主要部。金刚石刀具109a从平台101的中心点O向外周沿着径方向X移动。一边使平台101旋转，一边使金刚石刀具109a移动，由此施行切削加工。平台101的旋转速度例如为400rpm。在图6中，平台101的表面101a由已被切削加工的面101b与未被切削加工的面101c所构 成。优选在切削加工后，根据需要洗净平台101的表面101a。 
(加料工序) 
也可根据需要，如图7(a)所示，将研磨材21(第3研磨材)埋入平台101中。具体地说，例如，一边将含研磨材21与润滑剂(未图示)的研磨液(未图示)供应至平台101的表面101a上，一边使未贴附GaN基板1的研磨夹具10(参照图2及图3)及平台101旋转。在本实施方式中，研磨材21如后所述，是用于形成第2研磨工序的研磨材29。 
以下，揭示加料条件的一例。 
研磨液的滴下量：5cc/min 
驱动环15的转速：60rpm 
重块13的负载：1.96×104Pa(200g/cm2) 
加料时间：60min以上 
(第1研磨工序) 
如图7(a)所示，一边将含研磨材23(第1研磨材)与润滑剂25(第1润滑剂)的研磨液27供应至平台101的表面101a上，一边利用平台101及研磨液27研磨GaN基板1。研磨时，优选使平台101及研磨夹具10旋转。研磨液27优选从滴下装置105的滴下喷嘴105a滴在平台101的表面101a上。在第1研磨工序中，GaN基板1如图8(a)所示，被研磨材21、23所研磨。另外，在GaN基板1与平台101之间填充有润滑剂25。 
研磨材21的几乎大部分是被埋入固定于平台101的磨粒(以下称固定磨粒)，研磨材23的几乎大部分是未被埋入于平台101的游离的磨粒(以下称游离磨粒)。但，既可通过研磨材21的一部分的脱落而成为游离磨粒，也可通过将研磨材23的一部分埋入平台101而成为固定磨粒。研磨材21、23的突出量tw1如图8(a)所示，会因作为游离磨粒的研磨材23而变大。 
以下，揭示第1研磨工序的研磨条件的一例。 
GaN基板1：直径(φ)50.8mm、厚400μm的GaN单晶基板 
研磨液27的滴下量：5cc/min 
研磨材23的最大粒径：1μm以下 
平台101的直径(φ)：450mm 
平台101构成材料：锡 
驱动环15的转速：30rpm 
驱动环15的摆动速度：10次/min 
摆动行程：30mm 
重块13的负载：1.96×104Pa(200g/cm2) 
研磨时间：60min 
在第1研磨工序中，利用研磨材21、23研磨GaN基板1后，根据需要除去附着于板17及驱动环15(参照图2及图3)的研磨液27，以洗净研磨夹具10。作为洗净方法，例如可列举使用超纯水的超声波洗净。 
(清洁工序) 
也可根据需要除去平台101上的异物，以洗净平台101的表面101a。作为此种异物，例如，可列举在第1研磨工序后的GaN基板1的研削屑及游离磨粒等。在洗净时，优选使用不生尘埃或碎片的弧刷与超纯水。但，使用此弧刷洗净，有时游离磨粒也会残存于平台101的表面101a上。此情况，为将游离磨粒埋入平台101，也可一边使平台101旋转，一边使未贴附GaN基板1的研磨夹具10在平台101上旋转。第1研磨工序的研磨时间为短时间的情况及研磨液27所含的研磨材23的浓度较淡的情况，也可省略清洁工序。 
在第1研磨工序后，第2研磨工序前实施清洁工序时，可减少第1研磨工序中所生的异物引起的擦伤的发生及表面粗度Ra。 
(第2研磨工序) 
如图7(b)所示，一边将润滑剂31(第2润滑剂)供应至埋入有研磨材29(第2研磨材)的平台101，一边利用埋入有研磨材29的平台101研磨GaN基板1。在研磨时优选使平台101及研磨夹具10旋转。在第2研磨工序中，GaN基板1如图8(b)所示，被研磨材29研磨。在GaN基板1与平台101的间填充着润滑剂31。 
研磨材29是在上述的研磨材21、23中被埋入平台101的研磨材，故为固定磨粒。另外，在加料工序中，也可使用埋入平台101的研磨材21作为研磨材29。研磨材29为固定磨粒，故如图8(a)及图8(b)所示，研磨材29的突出量tw2小于研磨材21、23的突出量tw1。在此研磨材的突出量越小时，表面粗度Ra也越小。故第2研磨工序后的GaN基板1的表面粗度Ra也小于第1研磨工序后的GaN基板1的表面粗度Ra。另外，设平台的硬度为HP、加工对象物的硬度为HW、研磨材的平均粒径为φd时，研磨工序后的加工对象物的表面粗度Ra例如可以由下列式(1)表示： 
Ra＝φd×HP/4HW    ...(1) 
图9是表示第1及第2研磨工序后的GaN基板的表面粗度Ra与研磨材的平均粒径的关系的曲线图。图9中的区域P1内的点，表示第1研磨工序后的GaN基板1的表面粗度Ra，区域P2内的点，表示第2研磨工序后的GaN基板1的表面粗度Ra。表面粗度Ra的值是用原子间力显微镜(AFM)测定的值。由此曲线图可以知悉：在第2研磨工序后的GaN基板1中，其表面粗度Ra及表面粗度Ra的误差小于第1研磨工序后的GaN基板1。 
以下，揭示第2研磨工序的研磨条件的一例。 
润滑剂31的滴下量：5cc/min 
平台101的圆周速度：28m/min 
重块13的负载：1.96×104Pa(200g/cm2) 
研磨时间：60min 
如以上所说明，在本实施方式的GaN基板的研磨方法中，在第2研磨工序中，研磨材29被埋入于平台101中。因此，研磨材29彼此不会凝聚。另外，在第2研磨工序中，研磨材29的突出量tw2小且均匀。因此，在第2研磨工序中，可一边抑制擦伤的发生，一边研磨GaN基板1。此外，可缩小第2研磨工序后的GaN基板1的表面粗度Ra，且可降低表面粗度Ra的面内误差。另一方面，在第1研磨工序中，因为可增大GaN基板1的研磨速度，故可通过在第1研磨工序前，施行切片及研削等的前加工，由此高效率地除去形成于GaN基板1的加工变质层。通过使用本实施方式的GaN基板的研磨方法，可适当地制造可抑制擦伤的发生的GaN基板。 
另外，在第1及第2研磨工序中，图1所示的平台101的圆周速度v优选在7m/min以上57m/min以下。圆周速度v在7m/min以上的情况，与圆周速度v低于7m/min的情况相比，可增大GaN基板1的研磨速度v，所以生产性高。另外，圆周速度v在57m/min以下的情况，可使平台101及研磨夹具10的旋转容易稳定。具体地说，可抑制造成擦伤的原因的推力方向(研磨夹具10的支撑棒11的轴方向)的摇晃。因此，与比圆周速度v为57m/min大的情 况相比，可降低擦伤的条数。 
另外，在第1及第2研磨工序中，平台101的旋转速度优选在5rpm以上40rpm以下。旋转速度在5rpm以上的情况，与旋转速度低于5rpm的情况相比，可增大GaN基板1的研磨速度，故生产性较高。另外，旋转速度在40rpm以下的情况，可使平台101的旋转容易稳定，故与旋转速度为比40rpm大的情况相比，可降低擦伤的条数。 
作为实施例，在第1研磨工序中，分别测定平台101的圆周速度v、平台101的旋转速度及擦伤的条数的结果如表1所示。在表1中，“擦伤的条数”是表示在直径(φ)50.8mm的GaN基板的面内产生的擦伤的条数。另外，擦伤的条数是在聚光灯下利用目视检查所测定。 
[表1] 
  平台的圆周速度(m/min)   平台的旋转速度(rpm)   擦伤的条数(条)
  7   5   2
  28   20   5
  57   40   7
  84   60   17
  140   100   30
其次，作为实施例，在第2研磨工序中，分别测定平台101的圆周速度v、平台101的旋转速度及擦伤的条数的结果如表2所示。在表2中，“擦伤的条数”是表示在直径(φ)50.8mm的GaN基板的面内产生的擦伤的条数。另外，擦伤的条数是在聚光灯下利用目视检查所测定。 
[表2] 
  平台的圆周速度(m/min)   平台的旋转速度(rpm)   擦伤的条数(条)
  7   5   0
  28   20   0
  57   40   0
  84   60   5
  140   100   10
另外，研磨材21、23、29的维氏硬度优选比GaN的维氏硬度(1300 kg/mm2)大。故作为研磨材21、23、29的构成材料，例如，优选金刚石、SiC等的碳化物、Al2O3等的氧化物、cBN、Si3N4等氮化物等。其中，从分级精度、价格、加工效率、加工精度等的观点出发，特别优选金刚石。例如研磨材21、23使用金刚石磨粒的情况，可提高第1研磨工序的GaN基板1的研磨效率。另外，研磨材29使用金刚石磨粒的情况，可提高第2研磨工序的GaN基板1的研磨效率。 
另外，平台101的构成材料优选为含有锡50质量％以上的合金。另外，平台101也可具有含有锡50质量％以上的合金构成的包覆层。含有锡50质量％以上的合金因并不比铜等金属柔软，故在平台101的研磨材21、23的突出量tw1及研磨材29的突出量tw2(参照图8)均小。因此，在第1及第2研磨工序后的GaN基板1的表面粗度Ra均可变小，且可抑制擦伤的发生。 
在此，作为实施例，在第2研磨工序中，分别测定平台101的构成材料、GaN基板1的表面粗度Ra、及擦伤的条数的结果如表3所示。在表3中，“擦伤的条数”是表示在直径(φ)50.8mm的GaN基板的面内产生的擦伤的条数。另外，擦伤的条数是在聚光灯下利用目视检查所测定。表面粗度Ra是利用AFM(原子间力显微镜)所测定。 
[表3] 
  平台的构成材   GaN基板的表面粗度Ra(nm)   擦伤的条数(条)
  锡99质量％以上   1   0
  锡70质量％，铅30质量％   2   0
  锡50质量％，铅50质量％   5   0
  锡30质量％，铅70质量％   10   10以上
  锡95质量％，铋5质量％   1.5   0
  锡97质量％，锑3质量％   1.5   0
如表3所示，平台101的构成材料优选为含有锡50质量％以上的合金。表面粗度Ra在5nm以下且擦伤的条数为0条的GaN基板适合使用于LED及LD等装置。另外，为防止环境污染，与铅相比优选使用铋或锑。 
另外，平台101为锡制时，在研磨材21、23、29为金刚石磨粒的情况，可将研磨材21、23、29牢固地保持、固定于平台101上。 
另外，在本实施方式的GaN基板的研磨方法中，由于实施如上述的表 面加工工序，故可提高第1及第2研磨工序后的GaN基板1的平坦度。在表面加工工序中，优选在平台101的表面101a形成以中心点O为中心的螺旋状或同心圆状的槽(未图示)。因此，在第1及第2研磨工序中，可降低GaN基板1与平台101的摩擦阻抗，并容易将研磨液27或润滑剂31供应至GaN基板1与平台101之间。 
另外，在本实施方式的GaN基板的研磨方法中，由于实施如上述的加料工序，故可减轻研磨材29的突出量tw2的面内误差。因此，可降低第2研磨工序的GaN基板1的研磨速度及表面粗度Ra的面内误差。另外，也可抑制擦伤的发生。另外，在第1研磨工序前实施加料工序时，可使第1研磨工序的研磨速度从开始研磨时起就保持稳定。 
另外，润滑剂25、31例如优选以聚乙二醇、单乙二醇等乙二醇及水为主成分。具体地说，例如对润滑剂的全量的乙二醇及水的合计含量优选在95质量％以上。另外，例如也可使用聚乙烯醇、甘油、乳糖醇、山梨糖醇等取代乙二醇。具体地说，例如对润滑剂的全量的聚乙烯醇、甘油、乳糖醇或山梨糖醇及水的合计含量优选在95质量％以上。 
上述的情况，由于润滑剂25、31为水溶性，故在第1及第2研磨工序后的GaN基板1及平台101等的研磨装置100的洗净较为容易。由于GaN不与水起反应，故可使用水溶性的润滑剂。因此，可提高洗净的作业性，且降低洗净成本。另外，润滑剂25、31含有乙二醇、聚乙烯醇、甘油、乳糖醇或山梨糖醇时，在第1及第2研磨工序中，可抑制润滑剂25、31的蒸发，实现平台101的防锈。 
另外，在本实施方式中，由于使用在第1研磨工序中使用的平台101作为使用于第2研磨工序中的平台，因此，不需要考虑平台的个体差(例如表面形状的差异等)。因此，将在第1研磨工序中在平台101上研磨的GaN基板1，在第2研磨工序中在平台101上进行研磨时，GaN基板1的表面1a形状与平台101的表面101a形状相适合。因此，可抑制第2研磨工序后的擦伤的发生。 
以上，已详细地说明了本发明的适当的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式。 
例如，在上述实施方式中，也可省略表面加工工序、加料工序及清洁 工序中的1种以上的工序。省略加料工序时，在第1研磨工序中，不将研磨材21埋入平台101。此时，在第1研磨工序中施行研磨时，研磨材23会渐渐被埋入平台101，故被埋入的研磨材23会变成固定磨粒。此固定磨粒在第2研磨工序中会变成研磨材29。 
另外，也可在第1研磨工序后、第2研磨工序前，实施表面加工工序及加料工序。另外也可在第1研磨工序前实施表面加工工序，在第1研磨工序后、第2研磨工序前，实施加料工序。两种情况皆可获得与上述实施方式同样的作用效果。另外，这些情况，研磨材21会变成研磨材29。 
另外，在上述实施方式中，使用在第1研磨工序使用的平台101作为在第2研磨工序使用的平台，但在第1研磨工序使用的平台(第1平台)与在第2研磨工序使用的平台(第2平台)也可不同。此情况，表面加工工序及加料工序既可在第1研磨工序前对第1平台实施，也可在第2研磨工序前对第2平台实施。两种情况皆可获得与上述实施方式同样的作用效果。 

Claims (7)

1.一种GaN基板的研磨方法，其中，包括：
第1研磨工序，一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用所述第1平台及所述研磨液来研磨Ga面和N面在表面被配置成条状的GaN基板；
第2研磨工序，在所述第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板；
表面加工工序，在所述第2研磨工序前，对所述第2平台进行切削加工以使得平坦度为10μm以下；
加料工序，在所述表面加工工序后、所述第2研磨工序前，将用于形成所述第2研磨材的第3研磨材埋入所述第2平台。
2.根据权利要求1所述的GaN基板的研磨方法，其中，
所述第1平台的圆周速度及所述第2平台的圆周速度在7m/min以上但在57m/min以下。
3.根据权利要求1所述的GaN基板的研磨方法，其中，
所述第1研磨材是金刚石磨粒。
4.根据权利要求1所述的GaN基板的研磨方法，其中，
所述第1平台的构成材料及所述第2平台的构成材料是含有50质量％以上的锡的合金。
5.根据权利要求1所述的GaN基板的研磨方法，其中，
所述第1润滑剂及所述第2润滑剂中乙二醇及水的总含有量为95质量％以上。
6.根据权利要求1所述的GaN基板的研磨方法，其中，
在所述第2研磨工序中，使用所述第1平台作为所述第2平台。
7.根据权利要求6所述的GaN基板的研磨方法，其中，
还含有清洁工序，在所述第1研磨工序后、所述第2研磨工序前，除去所述第1平台上的异物。
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