CN101268420A - 曝光装置 - Google Patents

曝光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101268420A
CN101268420A CNA2006800349340A CN200680034934A CN101268420A CN 101268420 A CN101268420 A CN 101268420A CN A2006800349340 A CNA2006800349340 A CN A2006800349340A CN 200680034934 A CN200680034934 A CN 200680034934A CN 101268420 A CN101268420 A CN 101268420A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
exposure
photomask
light
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800349340A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101268420B (zh
Inventor
梶山康一
渡边由雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Publication of CN101268420A publication Critical patent/CN101268420A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101268420B publication Critical patent/CN101268420B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7035Proximity or contact printers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • G02F1/133516Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供一种曝光装置,包括:承载并搬运滤色基板1的载物台5;以与滤色基板1邻接相对置的方式保持光掩膜14的掩膜载物台6;在曝光过程中持续点亮并对光掩膜14照射曝光用光的光源7;使照射在光掩膜14上的曝光用光的亮度分布均匀的光积分仪8;使照射在光掩膜14上的曝光用光成为平行光的聚光透镜9;在聚光透镜9的靠前侧形成光积分仪8的端面像的成像透镜10;设置在成像透镜10的成像位置附近,并与多个曝光区域2随着滤色基板1的移动而依次通过光掩膜14的下侧同步,进行曝光用光的照射及遮断切换的光闸11。由此,能够防止在被曝光体上沿其搬运方向设定的多个曝光区域的外部彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光。

Description

曝光装置
技术领域
本发明涉及一种曝光装置,其在按规定方向搬运被曝光体的同时,针对在被曝光体的表面上沿搬运方向以规定间隔设定的多个曝光区域,隔着光掩膜形成规定的曝光图案列;详细地说,能够防止在上述多个曝光区域的外部彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光。
背景技术
现有的曝光装置使承载基板的载物台和对应于需曝光层的光掩膜相对移动,在上述基板的多个曝光区域的每一个曝光区域曝光一层掩膜图案,该曝光装置包括:位置获取装置,其对各区域分别测量上述载物台相对于在上述多个曝光区域曝光时的光掩膜的位置,同时以相对于基板上的规定识别用掩膜而定位的状态的光掩膜为基准,获取曝光时的上述载物台相对于上述多个曝光区域的相对位置;相对移动装置,其检测上述位置识别用标记,定位上述光掩膜,以此时的光掩膜为基准,在测量上述载物台相对于光掩膜的位置的同时使上述载物台和光掩膜相对移动,从而再现上述取得的相对位置;在使载物台和光掩膜相对移动,对基板上的多个曝光区域分别定位,曝光形成第一层图案时,以一个曝光区域为基准,存储其它曝光区域的上述相对位置的数据,在曝光形成第二层图案时,根据上述相对位置数据而相对移动并定位上述载物台和光掩膜,从而进行曝光(例如,参照专利文献1)
专利文献1:JP特开2004-246025号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,在这种现有的曝光装置中,分步移动基板,逐个切换设定在基板上的多个曝光区域来曝光光掩膜的掩膜图案,而不能在与形成在光掩膜上的多个掩膜图案的排列方向正交的方向上以规定速度搬运与光掩膜邻接相对设置的基板的同时,对多个曝光区域进行曝光。
另一方面,如图11所示,在能够在与形成在光掩膜上的多个掩膜图案的排列方向正交的方向上以固定速度搬运基板的同时对多个曝光区域进行曝光的曝光装置中,例如,在滤色基板1的搬运方向(箭头A方向)上设定的多个曝光区域2的中,可能会在第1曝光区域2a和第2曝光区域2b之间的部分3a,或在第2曝光区域2b和第3曝光区域2c之间的部分3b,因上述多个掩膜图案而形成曝光图案列4,导致产品的外观品质下降。
因此,本发明针对上述问题,目的在于提供一种能够防止在曝光体上沿其搬运方向设定的多个曝光区域的外部彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光的曝光装置。
用于解决问题的方法
为了达成上述目的,第1发明的曝光装置包括:载物台,将多个曝光区域至少排成一列而设定的被曝光体承载在上表面上,沿着上述多个曝光区域的设定方向搬运上述被曝光体;掩膜载物台,设置在上述载物台的上方,以与上述被曝光体接近并对置的方式保持光掩膜;光源,在上述被曝光体的曝光过程中持续点亮,对保持在上述掩膜载物台上的光掩膜照射曝光用光;聚光透镜,设置在上述掩膜载物台和光源之间,使照射在上述光掩膜上的曝光用光成为平行光;该曝光装置的特征在于,包括:成像透镜,设置在上述光源和聚光透镜之间,在上述聚光透镜的靠前侧形成上述光源的像;光闸,设置在上述成像透镜所成像的上述光源的像的成像位置附近,并与上述多个曝光区域随着搬运上述被曝光体而依次通过上述光掩膜的下侧同步,切换曝光用光的照射及遮断。
根据这样的结构,将多个曝光区域至少排成一列而设定的被曝光体承载在上表面上,沿着上述多个曝光区域的设定方向搬运上述被曝光体,掩膜载物台以与上述被曝光体接近并对置的方式保持光掩膜,光源在上述被曝光体的曝光过程中持续点亮,对保持在上述掩膜载物台上的光掩膜照射曝光用光。此时,成像透镜在上述聚光透镜的靠前侧形成光源的像,并且通过聚光透镜使照射在上述光掩膜上的曝光用光成为平行光。此时,与上述多个曝光区域随着搬运上述被曝光体而依次通过上述光掩膜的下侧同步,切换曝光用光的照射及遮断。
此外,第2发明的曝光装置包括:载物台,将多个曝光区域至少排成一列而设定的被曝光体承载在上表面上,沿着上述多个曝光区域的设定方向搬运上述被曝光体;掩膜载物台,设置在上述载物台的上方,以与上述被曝光体接近并对置的方式保持光掩膜;光源,在上述被曝光体的曝光过程中持续点亮,对保持在上述掩膜载物台上的光掩膜照射曝光用光;光积分仪,设置在上述掩膜载物台和光源之间,使照射在上述光掩膜上的曝光用光的亮度分布变得均匀;聚光透镜,设置在上述掩膜载物台和光积分仪之间,使照射在上述光掩膜上的曝光用光成为平行光;该曝光装置的特征在于,包括:成像透镜,设置在上述光积分仪和聚光透镜之间,在上述聚光透镜的靠前侧形成上述光积分仪的端面像;光闸,设置在上述成像透镜所成像的上述光积分仪的端面像的成像位置附近,并与上述多个曝光区域随着搬运上述被曝光体而依次通过上述光掩膜的下侧同步,切换曝光用光的照射及遮断。
根据这种结构,载物台将多个曝光区域至少排成一列而设定的被曝光体承载在上表面上,沿着上述多个曝光区域的设定方向搬运上述被曝光体,掩膜载物台以与上述被曝光体接近并对置的方式保持光掩膜,光源在上述被曝光体的曝光过程中持续点亮,对保持在上述掩膜载物台上的光掩膜照射曝光用光。此时,光积分仪使照射在上述光掩膜上的曝光用光的亮度分布变得均匀,成像透镜在上述聚光透镜的靠前侧形成上述光积分仪的端面像,并且聚光透镜使照射在上述光掩膜上的曝光用光成为平行光。此时,设置在上述成像透镜所成像的上述光积分仪的端面像的成像位置附近的光闸与上述多个曝光区域随着搬运上述被曝光体而依次通过上述光掩膜的下侧同步,切换曝光用光的照射及遮断。
而且,在第3发明中,上述光闸能够向与上述被曝光体的搬运方向相反的方向移动,沿着该移动方向形成有与上述被曝光体的多个曝光区域相同数量的狭缝。由此,使沿移动方向形成有与被曝光体的多个曝光区域相同数量的狭缝的光闸向与被曝光体的搬运方向相反方向移动,利用该光闸,与多个曝光区域随着被曝光体的移动而依次通过光掩膜的下侧同步进行曝光用光的照射及遮断的切换。
发明效果
根据上述第1发明,能够防止在被曝光体上沿其搬运方向排成一列设定的多个曝光区域的外部,彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光。因此,能够提高产品的外观品质。此外,由于在成像透镜的光源的像的成像位置附近设置光闸,能够使光闸变小,从而能够避免与周边构成部件相干涉。
此外,根据上述第2发明,能够防止在被曝光体上沿其搬运方向排成一列设定的多个曝光区域的外部,彼此邻接的曝光区域之间的部分被曝光。因此,能够提高产品的外观品质。此外,由于在成像透镜的光积分仪的端面像的成像位置附近设置光闸,能够使光闸变小,从而能够避免与周边构成部件相干涉。
并且,根据上述第3发明,能够利用狭缝的部分对被曝光体的曝光区域照射曝光用光,能够利用邻接的狭缝之间的部分遮断曝光用光,防止对被曝光体的邻接的曝光区域之间的部分照射曝光用光。
附图说明
图1是表示本发明的曝光装置的实施方式的概略结构的主视图。
图2是表示设定在上述曝光装置中使用的滤色基板上的多个曝光区域的一个例子的俯视图。
图3是表示在上述曝光装置中使用的光掩膜的一个结构例的俯视图。
图4是表示在上述曝光装置中使用的滤色基板的一个结构例的俯视图。
图5是表示在上述曝光装置中使用的光闸的一个结构例的俯视图。
图6是表示上述光掩膜和滤色基板的对位的说明图。
图7是说明使用上述曝光装置进行的曝光步骤的流程图。
图8是说明与上述滤色基板的多个曝光区域依次通过光掩膜的下侧同步的光闸的时序图。
图9是表示在上述曝光装置的曝光工作中,针对滤色基板的第1非曝光区域的防止曝光工作的说明图。
图10是表示通过上述曝光装置在滤色基板的多个曝光区域形成曝光图案例的状态的俯视图。
图11是表示在设定在滤色基板的搬运方向上的多个曝光区域的外部邻接的曝光区域之间的部分形成曝光图案列的状态的俯视图。
附图标记说明
1…滤色基板(被曝光体)
2…曝光区域
2a~2c…第1~第3曝光区域
3a…第1非曝光区域
3b…第2非曝光区域
5…载物台
6…掩膜载物台
7…光源
8…光积分仪
9…聚光透镜(聚光透镜)
10…成像透镜
11…光闸
14…光掩膜
17…掩膜图案
23…狭缝
23a~23c…第1~第3狭缝
30a…第1遮光区域
30b…第2遮光区域
具体实施方式
下面,根据附图详细地说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的曝光装置的实施方式的概略结构的主视图。该曝光装置在按规定方向搬运被曝光体的同时,针对在被曝光体的表面上沿搬运方向以规定间隔设定的多个曝光区域,隔着光掩膜而形成规定的曝光图案列,该曝光装置包括:载物台5、掩膜载物台6、光源7、光积分仪8、聚光透镜9、成像透镜10、光闸11和拍摄装置12。在下面的说明中,详细地说明被曝光体涂敷了彩色保护膜的滤色基板1的情形。
如图2所示,在上述载物台5的上表面5a上承载滤色基板1,在该滤色基板1上设定有以间隔G1为间隔至少排成一列的多个曝光区域2(该图中以二列表示),该载物台5在上述多个曝光区域2的设定方向上搬运滤色基板1,借助于搬运装置13,按图1中箭头A所示的方向以固定的速度(V)移动。此外,在图2中,附图标记2a表示第1曝光区域,附图标记2b表示第2曝光区域,附图标记2c表示第3曝光区域。并且,附图标记3a表示第1及第2曝光区域2a、2b之间的部分(以下记为“第1非曝光区域”),附图标记3b表示第2及第3曝光区域2b、2c之间的部分(以下记为“第2曝光区域”)。
在上述载物台5的上方设置有掩膜载物台6。该掩膜载物台6保持光掩膜14,使该光掩膜14与滤色基板1隔着规定的间隙而接近对置,例如隔着100~300μm的间隙。
在此,上述光掩膜14将通过照射曝光用光而其上形成的掩膜图案复制在滤色基板1上的彩色保护膜上,如图3所示,上述光掩膜14由透明基材15、遮光膜16、掩膜图案17、观察孔18和掩膜侧对准标记19构成。
上述透明基材15是高效透过紫外线及可见光的透明的玻璃基材,例如由石英玻璃构成。
如图1所示,在上述透明基材15一侧的表面15a上形成有遮光膜16。该遮光膜16是遮挡曝光用光的膜,用不透明的例如铬(Cr)的薄膜形成。
如图3所示,在上述遮光膜16上,按一个方向排列形成多个掩膜图案17。该多个掩膜图案17是通过曝光用光的规定形状的开口,能够使曝光用光照射在相对置搬运的滤色基板1上,并复制在形成在图4所示的滤色基板1上的黑色矩阵20的拾取单元21上。并且,例如,做成宽度与上述拾取单元21的宽度大致相同并且长度方向与上述排列方向正交的矩形形状,按与上述拾取单元21的3个间距间隔一致的间隔形成。此外,如图3所示,例如,预先将位于中央部的掩膜图案17a的左端边缘部设定为基准位置R1。
如图3所示,在上述遮光膜16上,接近上述多个掩膜图案17而在其排列方向的侧方形成观察孔18。此观察孔18用于对形成在相对置搬运的图4所示的滤色基板1上形成的基板侧对准标记22及黑色矩阵20的拾取单元21进行观察,例如图4所示,利用后述的拍摄装置12能够检测出预先设定在上述基板侧对准标记22的位置及基准位置R2,其中,该基准位置R2预先设定在黑色矩阵20的位于中央部的拾取单元21a的左上端角部。并且,如图3所示,平行于上述多个掩膜图案17的排列方向,从中央侧向一侧的端部14a延伸,形成为矩形形状。
如图3所示,在上述遮光膜16上,在上述观察孔18的一端部侧方从中央侧向另一侧的端部14b排列形成多个掩膜侧对准标记19。该多个掩膜侧对准标记19用于对上述掩膜图案17上预先设定的基准位置R1和在上述滤色基板1的拾取单元21上预先设定的基准位置R2进行对位,从而按照上述掩膜图案17而形成。并且,该形成位置使在图3中掩膜侧对准标记19的左侧边缘部与所对应的掩膜图案17的左侧边缘部一致。并且,例如,将在遮光膜16的中央部侧形成的掩膜侧对准标记19预先设定为基准标记19a。由此,通过位置调整使得上述基准标记19a和上述滤色基板1的基板侧的对准标记22成为规定的位置关系,从而能够使上述掩膜图案17的基准位置R1和滤色基板1的基准位置R2对齐。
而且,如图1所示,将形成有上述遮光膜16的一侧作为下方,将上述光掩膜14保持在掩膜载物台16上。
在上述掩膜载物台6的上方,设置有光源7。该光源7在对滤色基板1的曝光期间持续点亮,对保持在上述掩膜载物台6上的光掩膜照射曝光用光,是一种放射含有紫外线的曝光用光的光源,例如超高压水银灯、氙气灯或紫外线发光激光器。
在上述掩膜载物台6和光源7之间,设置有光积分仪8。该光积分仪8使照射在光掩膜14上的曝光用光的亮度分布均匀,例如是万花筒(kaleidoscope)或复眼透镜(fly eye lens)等。此外,在本实施方式中,用万花筒表示,其端面8a形成为长方形,能够仅对光掩膜14的多个掩膜图案17形成区域照射曝光用光。此外,在覆盖光掩膜14的观察孔18及掩膜侧对准标记19,形成反射或吸收紫外线并透过可见光的滤光片的情况下,也可以使曝光用光照射光掩膜14整体。
在上述掩膜载物台6和光积分仪8之间设置有聚光透镜9。该聚光透镜9是一种聚光透镜,使其前焦点位于后述的成像透镜10所成像的上述光积分仪8的端面8a的像的成像位置附近,使曝光用光成为平行光而垂直地照射在光掩膜14上。
在上述光积分仪8和聚光透镜9之间设置有成像透镜10。该成像透镜10是凸透镜,用于暂且在上述聚光透镜9的靠前侧形成光积分仪8的端面像。
在上述成像透镜10所成像的上述光积分仪8的端面像的成像位置附近设置有光闸11。该光闸11与通过滤色基板1移动而使多个曝光区域2依次通过上述光掩膜14的掩膜图案7的下侧同步,进行曝光用光的照射及遮断的切换,按与图1箭头A所示的滤色基板1的移动方向相反的方向(箭头B方向)移动及停止,能够防止对邻接的上述滤色基板1的第1及第2非曝光区域3a、3b照射曝光用光。并且,如图5所示,沿箭头B所示的移动方向形成有与上述滤色基板1的第1~第3曝光区域2a~2c相同数量的狭缝23。此外,与上述滤色基板1的第1~第3曝光区域2a~2c对应的狭缝23分别是第1狭缝23a、第2狭缝23b、第3狭缝23c。此外,与第1及第2非曝光区域对应的第1及第2狭缝23a、23b之间的部分是第1遮光区域30a,第2及第3狭缝23b、23c之间的部分是第2遮光区域30b。
此情况下,对于图5所示的上述光闸11的狭缝23的尺寸(w×d),在设聚光透镜9的倍率为M,图3所示的光掩膜14的多个掩膜图案17的总宽度为W及掩膜图案17的长度为D时,上述尺寸(w×d)形成为至少w=W/M及d=D/M。此外,在设图2所示的滤色基板1的邻接的曝光区域2的间隔为G1时,邻接的狭缝23的间隔G2设定为G2=G1/M。此外,在设滤色基板1的搬运速度为V时,向光闸11的箭头B方向的移动速度v为v=V/M。此外,在图5中,用斜线表示的区域是曝光用光的照射区域31。
而且,构成这样的曝光光学系统24,即,该曝光光学系统包含上述光源7、光积分仪8、成像透镜10、聚光透镜9、掩膜载物台6及光闸11。
在上述载物台5的上方设置有拍摄装置12。该拍摄装置12通过反射镜25分别将在滤色基板1上形成的基板侧对准标记22和在光掩膜14上形成的掩膜侧对准标记19捕获在同一视野内进行拍摄,其包括:线阵CCD26,其具备排列为一条直线状的多个进行受光的受光元件;拍摄透镜27,其设在上述线阵CCD26的前方,在滤色基板1上形成的基板侧对准标记22及拾取单元或在光掩膜14上形成的掩膜侧对准标记19分别在上述线阵CCD26上成像。
并且,如图1所示,在上述拍摄装置12的光路上,在上述线阵CCD26和拍摄透镜27之间设置有光学距离修正装置28。该光学距离修正装置28使拍摄装置12的线阵CCD26和滤色基板1之间的光学距离及拍摄装置12的线阵CCD26和光掩膜14之间的光学距离几乎一致,由具有比空气的折射率大的规定的折射率的透明部件构成,例如可以是玻璃板。具体地说,该光学距离修正装置28设置在这样的光路上,即,该光路经由在光掩膜14上形成的观察孔18而连接拍摄装置12的线阵CCD26和滤色基板1。由此,能够在上述线阵CCD26上同时形成位于偏向拍摄装置12的光轴方向的滤色基板1的基板侧对准标记22等的图像,和光掩膜14的掩膜侧对准标记19的图像。
接着,说明这种结构的曝光装置的工作。
在此,如图4所示,所使用的滤色基板1这样形成:在透明的玻璃基板的一面上形成由铬(Cr)等构成的不透明膜,如该图所示在曝光区域2内以矩阵状形成多个拾取单元21。而且,在其一端部1a侧的大致中央部,形成一个细长状的基板侧对准标记22,用于修正在上述光掩膜14上预先设定的基准位置R1和在上述滤色基板1上预先设定的基准位置R2之间的位置偏移而进行对准。此外,在上述基板侧对准标记22的侧方,按照与拾取单元21排列的3个间距间隔一致的间隔形成多个对准确认标记29,并且使这些对准确认标记29从中央向一侧的端部1b排列而与拾取单元21对应。此外,这样形成上述基板侧对准标记22和对准确认标记29:使在图4中各标记的左侧缘部分别与对应的拾取单元21的左侧缘部一致。
将这样形成的滤色基板1,在上表面涂覆规定的彩色保护膜,使形成了上述基板侧对准标记22的端部1a侧位于图4中用箭头A示出的搬送方向的前方,从而使滤色基板1载置在载物台5的上表面5a上,并利用搬运装置13按照规定的速度向箭头A方向搬送。
另一方面,如图4所示,使光掩膜14上形成了观察孔18的端部14c位于用箭头A示出的搬送方向的前方,使如图1所示地形成了遮光膜16的面朝下,从保持在掩膜载物台6上。并且,使其靠近并与被搬送的滤色基板1的上表面对置。
在这样的状态下,利用拍摄装置12,通过光掩膜14上形成的观察孔18拍摄滤色基板1上的基板侧对准标记22、对准确认标记29和拾取单元21。该情况下,由于在通过光掩膜14上形成的观察孔18连结拍摄装置12的线阵CCD26和滤色基板1的光路上配置有光学距离修正装置28,使得其光学距离与拍摄装置12的线阵CCD26和光掩膜14之间的光学距离大致一致,因此,在拍摄装置12的光轴方向偏移的滤色基板1上的基板侧对准标记22等的像和光掩膜14的掩膜侧对准标记19的像同时成像在拍摄装置12的线阵CCD26上。从而,用图示省略的图像处理部同时处理由拍摄装置12同时拍摄到的基板侧对准标记22等的图像和掩膜侧对准标记19的图像。
该情况下,首先如图6所示,利用拍摄装置12同时拍摄通过光掩膜14的观察孔18进行观察的滤色基板1的基板侧对准标记22和光掩膜14的掩膜侧对准标记19。这时,读取检测出基板侧对准标记22的线阵CCD26的受光元件的单元号和检测出上述光掩膜14的基准标记19a的线阵CCD26的受光元件的单元号,在图示省略的运算部中计算其距离L。然后,与预先设定并存储的规定距离L0进行比较。
在此,如图6所示,光掩膜14向箭头X、Y方向移动,使得基板侧对准标记22与基准标记19a的距离L成为L0或L0±x(x是容许值)。这样,光掩膜14的基准位置R1和滤色基板1的基准位置R2变得在规定的容许范围内相一致。
接着,利用拍摄装置12,通过光掩膜14的观察孔18拍摄滤色基板1的对准确认标记29。然后,读取检测出各对准确认标记29的线阵CCD26的受光元件的单元号和检测出光掩膜14的各掩膜侧对准标记19的线阵CCD26的受光元件的单元号,在运算部中计算各单元号的平均值。将该平均值与在对准调整之后检测出上述滤色基板1的基板侧对准标记22的线阵CCD26的受光元件的单元号进行比较,在两者在规定的容许范围内一致的情况下,判断为已进行可靠对准,进而向光掩膜14照射曝光用光。这样,光掩膜14的掩膜图案17的像复制到滤色基板1的拾取单元21上。此外,在上述平均值与单元号不一致的情况下,判断为例如滤色基板1是其他种类的,或者黑矩阵12的形成不合格,在该情况下停止曝光并报警。
之后,将由拍摄装置13拍摄到的图像数据与省略图示的存储部中存储的滤色基板1的基准位置R2的检查表(LUT)进行比较,来检测基准位置R2。然后,将检测出上述基准位置R2的线阵CCD26的受光元件的单元号与检测出光掩膜14的基准标记19a的线阵CCD26的受光元件的单元号进行比较,将光掩膜14向箭头X、Y方向微动,使得两者的距离L成为L0或L0±x。此外,根据需要,使光掩膜14以其面的中心为中心轴转动。这样,即使滤色基板1在正交于箭头A所示的搬送方向的方向上偏移的同时被搬送,光掩膜14也会随之移动。这样一来,对被搬运的滤色基板1复制光掩膜14的掩膜图案17,从而能够在滤色基板1的规定的拾取单元21上高精度地形成条纹状曝光图案列4。
接着,参照图7的流程图,说明使用本发明的曝光装置进行的曝光步骤。
首先,图5所示的光闸11在使其第1狭缝23a的中心与曝光用光的光轴中心一致的状态下停止。此外,此时熄灭光源7。在这样的状态下,将滤色基板1承载在载物台5的上表面5a上,以规定的速度V向图1示出的箭头A方向进行搬运。
然后,当滤色基板1的基板侧对准标记22到达光掩膜14的观察孔18的下侧时,在步骤S1中利用拍摄装置12检测基板侧对准标记22。
接着,在步骤S2中,当检测出基板侧对准标记22时,将其作为触发器,启动省略图示的计时器,计时为时间t1。
在步骤S3中,如图8(b)所示,检测出基板侧对准标记22后,经过时间t1时,点亮光源7。由此,使曝光用光通过光闸11的第1狭缝23a而照射在光掩膜14上,开始曝光。此外,检测出基板侧对准标记22后,在经过t1时间后,只要设定搬运速度V,使得滤色基板1的第1曝光区域2a的搬运方向(箭头A方向)前方端部大致与光掩膜14的掩膜图案17的搬运方向(箭头A方向)前方端部,则如图(c)所示,能够与滤色基板1的第1曝光区域2a通过光掩膜14的掩膜图案17的下侧的定时一致而开始曝光。
在步骤S4中,利用计时器对曝光开始后经过t2时间进行计时。此时,如果恰当地设定时间t2的话,在曝光开始后经过t2时间后,则如图9(a)所示,滤色基板1向箭头A方向的移动,从而使得第1曝光区域2a的搬运方向后端部和光掩膜14的掩膜图案17的搬运方向后端部几乎一致。此外,在上述第1曝光区域2a及掩膜图案17的搬运方向后端部一致的同时,光闸11以速度v开始向箭头B方向移动。
在步骤S5中,根据检测出基板侧对准标记22后的经过时间,在省略图示的判定部判定对最末尾的曝光区域2的曝光是否结束,例如判定对图2中第3曝光区域2c的曝光是否结束。在此,例如,在还只是对第1曝光区域2a的曝光结束的情况下,判定为“否”,进入步骤S6。
在步骤S6中,如图8(c)、(d)所示,与第1曝光区域2a和第2曝光区域2b之间的第1非曝光区域3a通过光掩膜14的掩膜图案17的下侧相配合,光闸11以速度v向图9(b)箭头B方向移动。由此,如该图所示,光闸11的第1狭缝23a和第2狭缝23b之间的第1遮光区域30a,与滤色基板1向第1非曝光区域3a的箭头A方向移动同步进行移动,从而上述第1遮光区域30a遮挡住曝光用光,防止对上述第1非曝光区域3a的曝光。
在步骤S7中,用计时器对光闸11开始移动并经过t3时间进行计时。此情况下,当经过t3时间时,如图9(c)所示,光闸11进一步向箭头B方向移动,第2狭缝23b的中心定位在曝光用光的光轴中心。同时,向箭头A方向搬运滤色基板1,使第1非曝光区域3a在光掩膜14的掩膜图案17的下方通过,从而第2曝光区域2b的搬运方向前方端部与上述掩膜图案17的搬运方向前方端部一致。
在步骤S8中,如图8(d)所示,停止移动光闸11,返回步骤S4,执行对第2曝光区域2b的曝光。然后,重复进行步骤S4~S8,对在滤色基板1的搬运方向上设定的所有曝光区域2进行曝光。
如上所述,结束对最末尾的曝光区域2的曝光时,在步骤S5为“是”判定,进入步骤S9。
在步骤S9中,如图8(b)所示,配合结束对最末尾的曝光区域2的曝光,例如配合对第3曝光区域2c的曝光(参照该图(c))而熄灭光源7。由此,结束在滤色基板1的搬运方向上设定的一列的曝光区域2的曝光。
此外,在与载物台5的上表面5a平行的平面内,如果在与搬运方向(箭头A方向)正交的方向上例如设置排列2台曝光用光学系统24,则对于第1~第3的曝光区域2a~2c相邻的曝光区域2也能够同时进行曝光,如图10所示,能够对于整个曝光区域2形成曝光图案列4。
在以上说明中,虽然说明了在光源7和成像透镜19之间设置光积分仪8的情况,但本发明不限于此,也可以没有光积分仪8。此情况下,可以设置成像透镜10,在聚光透镜9的前侧的位置使光源7成像。
此外,在上述说明中,虽然这样的情况进行了说明,即,在曝光开始前,光闸11在其第1狭缝23a的中心与曝光用光的光轴中心一致的状态下停止,熄灭光源7,此后点亮光源7开始曝光,但本发明不限于此,也可以使光源7从曝光开始就一直保持点亮,在曝光开始前,光闸11在被其第1狭缝23a的移动方向前头侧的遮光区域遮挡住曝光用光的光路的状态下停止,此后,当用拍摄装置11检测出滤色基板1的基板侧对准标记22时,开始移动,当其第1狭缝23a的中心定位在曝光用光的光轴中心时,开始曝光。
此外,在上述说明中,虽然对光闸11沿其移动方向而形成有与滤色基板1的多个曝光区域2相同数量的狭缝23的情形进行了说明,但本发明不限于此,光闸11也可以由1片遮光板构成。此情况下,光闸11可以与多个曝光区域2反复通过光掩膜14的下侧同步而进行开关。
而且,在以上说明中,虽然说明了被曝光体是滤色基板1的情形,但本发明不限于此,只要是在多个曝光区域2形成条纹状的曝光图案列4的基板,则任何基板都可以。

Claims (3)

1.一种曝光装置,包括:
载物台,将多个曝光区域至少排成一列而设定的被曝光体承载在上表面上,沿着上述多个曝光区域的设定方向搬运上述被曝光体;
掩膜载物台,设置在上述载物台的上方,以与上述被曝光体接近并对置的方式保持光掩膜;
光源,在上述被曝光体的曝光过程中持续点亮,对保持在上述掩膜载物台上的光掩膜照射曝光用光;
聚光透镜,设置在上述掩膜载物台和光源之间,使照射在上述光掩膜上的曝光用光成为平行光;
该曝光装置的特征在于,包括:
成像透镜,设置在上述光源和聚光透镜之间,在上述聚光透镜的靠前侧形成上述光源的像;
光闸,设置在上述成像透镜所成像的上述光源的像的成像位置附近,并与上述多个曝光区域随着搬运上述被曝光体而依次通过上述光掩膜的下侧同步,切换曝光用光的照射及遮断。
2.一种曝光装置,包括:
载物台,将多个曝光区域至少排成一列而设定的被曝光体承载在上表面上,沿着上述多个曝光区域的设定方向搬运上述被曝光体;
掩膜载物台,设置在上述载物台的上方,以与上述被曝光体接近并对置的方式保持光掩膜;
光源,在上述被曝光体的曝光过程中持续点亮,对保持在上述掩膜载物台上的光掩膜照射曝光用光;
光积分仪,设置在上述掩膜载物台和光源之间,使照射在上述光掩膜上的曝光用光的亮度分布变得均匀;
聚光透镜,设置在上述掩膜载物台和光积分仪之间,使照射在上述光掩膜上的曝光用光成为平行光;
该曝光装置的特征在于,包括:
成像透镜,设置在上述光积分仪和聚光透镜之间,在上述聚光透镜的靠前侧形成上述光积分仪的端面像;
光闸,设置在上述成像透镜所成像的上述光积分仪的端面像的成像位置附近,并与上述多个曝光区域随着搬运上述被曝光体而依次通过上述光掩膜的下侧同步,切换曝光用光的照射及遮断。
3.根据权利要求1或2所述的曝光装置,其特征在于,上述光闸能够向与上述被曝光体的搬运方向相反的方向移动,沿着该移动方向形成有与上述被曝光体的多个曝光区域相同数量的狭缝。
CN2006800349340A 2005-10-25 2006-10-04 曝光装置 Expired - Fee Related CN101268420B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP309205/2005 2005-10-25
JP2005309205A JP5382899B2 (ja) 2005-10-25 2005-10-25 露光装置
PCT/JP2006/319853 WO2007049436A1 (ja) 2005-10-25 2006-10-04 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101268420A true CN101268420A (zh) 2008-09-17
CN101268420B CN101268420B (zh) 2010-10-27

Family

ID=37967554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800349340A Expired - Fee Related CN101268420B (zh) 2005-10-25 2006-10-04 曝光装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5382899B2 (zh)
KR (1) KR101306917B1 (zh)
CN (1) CN101268420B (zh)
TW (1) TWI446124B (zh)
WO (1) WO2007049436A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102365589A (zh) * 2009-04-03 2012-02-29 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN102428394A (zh) * 2009-04-28 2012-04-25 凸版印刷株式会社 彩色滤光片、液晶显示装置、彩色滤光片的制造方法
CN102449552A (zh) * 2010-02-24 2012-05-09 恩斯克科技有限公司 曝光装置用光照射装置、曝光装置、曝光方法、基板制造方法、掩模和被曝光基板
CN102834780A (zh) * 2010-04-08 2012-12-19 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN103383525A (zh) * 2012-05-01 2013-11-06 台湾积体电路制造股份有限公司 具有双分划板边部掩蔽组件的光刻装置及其使用方法
TWI485444B (zh) * 2009-02-26 2015-05-21 Toppan Printing Co Ltd 彩色濾光片及彩色濾光片之製法
CN106324892A (zh) * 2016-10-11 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 一种用于制备显示基板的曝光系统及曝光控制方法
CN114252014A (zh) * 2021-12-24 2022-03-29 长飞光纤光缆股份有限公司 一种光掩膜基板标记尺寸测试系统及方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5235061B2 (ja) * 2007-08-30 2013-07-10 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
JP5098041B2 (ja) * 2007-08-31 2012-12-12 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法
JP5256434B2 (ja) * 2008-06-11 2013-08-07 株式会社ブイ・テクノロジー 近接露光装置
JP5495135B2 (ja) * 2008-12-16 2014-05-21 株式会社ブイ・テクノロジー 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク
WO2010125824A1 (ja) 2009-04-30 2010-11-04 凸版印刷株式会社 液晶表示装置
JP5633820B2 (ja) 2009-04-30 2014-12-03 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ及び液晶表示装置、並びに露光マスク
JP5633021B2 (ja) * 2009-06-29 2014-12-03 株式会社ブイ・テクノロジー アライメント方法、アライメント装置及び露光装置
TWI421546B (zh) * 2009-10-02 2014-01-01 Unique Instr Co Ltd A Method for Copying Production of 3D Parallax Gratings
JP5757245B2 (ja) * 2009-12-24 2015-07-29 凸版印刷株式会社 露光方法および露光装置
JP5542456B2 (ja) 2010-01-18 2014-07-09 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ基板の露光方法
JP5549233B2 (ja) * 2010-01-18 2014-07-16 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ基板の露光方法
KR101681143B1 (ko) 2010-07-19 2016-12-02 삼성디스플레이 주식회사 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법
KR101104367B1 (ko) * 2011-07-27 2012-01-16 주식회사 필옵틱스 Led 광원 노광 장치
CN103955088B (zh) * 2014-05-12 2017-02-22 青岛斯博锐意电子技术有限公司 一种液晶光掩膜及其应用
CN103955087B (zh) * 2014-05-12 2017-01-04 青岛斯博锐意电子技术有限公司 一种液晶光掩膜、其应用及制版装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02177317A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Canon Inc 露光装置
JP3348476B2 (ja) * 1993-08-09 2002-11-20 株式会社ニコン 走査型露光装置及び走査露光方法
JPH09199402A (ja) * 1996-01-12 1997-07-31 Canon Inc 走査型露光装置
JPH09274323A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Toppan Printing Co Ltd パターン露光方法
JPH1010745A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Toppan Printing Co Ltd パターン露光方法
JPH1197343A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Canon Inc 露光装置
JP4581262B2 (ja) * 2000-02-18 2010-11-17 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP2002222761A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP4346320B2 (ja) * 2003-02-05 2009-10-21 大日本印刷株式会社 露光方法及び露光装置
JP2005221596A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI485444B (zh) * 2009-02-26 2015-05-21 Toppan Printing Co Ltd 彩色濾光片及彩色濾光片之製法
CN102365589A (zh) * 2009-04-03 2012-02-29 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN102365589B (zh) * 2009-04-03 2014-03-26 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN102428394A (zh) * 2009-04-28 2012-04-25 凸版印刷株式会社 彩色滤光片、液晶显示装置、彩色滤光片的制造方法
CN102428394B (zh) * 2009-04-28 2014-09-03 凸版印刷株式会社 彩色滤光片、液晶显示装置、彩色滤光片的制造方法
CN102449552B (zh) * 2010-02-24 2015-04-08 恩斯克科技有限公司 曝光装置用光照射装置、曝光装置、曝光方法、基板制造方法、掩模和被曝光基板
CN102449552A (zh) * 2010-02-24 2012-05-09 恩斯克科技有限公司 曝光装置用光照射装置、曝光装置、曝光方法、基板制造方法、掩模和被曝光基板
CN102834780A (zh) * 2010-04-08 2012-12-19 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN102834780B (zh) * 2010-04-08 2016-08-03 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN103383525A (zh) * 2012-05-01 2013-11-06 台湾积体电路制造股份有限公司 具有双分划板边部掩蔽组件的光刻装置及其使用方法
CN103383525B (zh) * 2012-05-01 2016-03-30 台湾积体电路制造股份有限公司 具有双分划板边部掩蔽组件的光刻装置及其使用方法
US9709904B2 (en) 2012-05-01 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus having dual reticle edge masking assemblies and method of use
CN106324892A (zh) * 2016-10-11 2017-01-11 武汉华星光电技术有限公司 一种用于制备显示基板的曝光系统及曝光控制方法
CN106324892B (zh) * 2016-10-11 2019-08-02 武汉华星光电技术有限公司 一种用于制备显示基板的曝光系统及曝光控制方法
CN114252014A (zh) * 2021-12-24 2022-03-29 长飞光纤光缆股份有限公司 一种光掩膜基板标记尺寸测试系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007121344A (ja) 2007-05-17
JP5382899B2 (ja) 2014-01-08
TWI446124B (zh) 2014-07-21
CN101268420B (zh) 2010-10-27
KR20080059546A (ko) 2008-06-30
TW200731033A (en) 2007-08-16
WO2007049436A1 (ja) 2007-05-03
KR101306917B1 (ko) 2013-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101268420B (zh) 曝光装置
CN101258448B (zh) 曝光装置
JP4132095B2 (ja) 走査型露光装置
JP5224341B2 (ja) 露光装置及びフォトマスク
TWI467345B (zh) 曝光裝置及光罩
KR101674131B1 (ko) 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치 및 노광 장치
TWI481971B (zh) 曝光方法及曝光裝置
US20090029270A1 (en) Projection exposure device and method of separate exposure
JP5235061B2 (ja) 露光装置
CN102269934A (zh) 曝光装置
JP4764237B2 (ja) 露光装置
KR101660918B1 (ko) 노광 장치 및 포토 마스크
CN101273302B (zh) 光掩模和使用该光掩模的曝光方法
JP4971835B2 (ja) 露光方法及び露光装置
TWI512388B (zh) 光罩、使用該光罩之雷射退火裝置及曝光裝置
TWI472885B (zh) 校準方法、校準裝置及曝光裝置
JP5495135B2 (ja) 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク
KR102026107B1 (ko) 노광 장치 및 노광재 제조 방법
JP5499398B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2656204B2 (ja) マスク交換装置
TWI548947B (zh) 曝光裝置及光罩
WO2020213341A1 (ja) レンズユニット及びこのレンズユニットを備える光照射装置
JP2011203152A (ja) 形状欠陥検査方法およびその装置
JPS63135932A (ja) マ−ク写し込み装置
JP2656204C (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101027

Termination date: 20201004