JPH02177317A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH02177317A
JPH02177317A JP63328829A JP32882988A JPH02177317A JP H02177317 A JPH02177317 A JP H02177317A JP 63328829 A JP63328829 A JP 63328829A JP 32882988 A JP32882988 A JP 32882988A JP H02177317 A JPH02177317 A JP H02177317A
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JP
Japan
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exposure
shielding member
shutter
wafer
warm
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Pending
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JP63328829A
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English (en)
Inventor
Takasumi Yui
敬清 由井
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パルス光を露光光源とする露光装置に関し、
特に、露光光路中に露光光を遮閉する手段を設けること
により装置のスルーブツトを向上させた露光装置に関す
る。
[従来の技術] 従来、光りソグラフィにおける露光装置にはg線やi線
等の連続光を発生する水銀ランプ等が多く使用されてい
た。しかし、近年、半導体素子の微細化が進むにつれて
、g線やi線よりも波長の短い光を露光に用いる装置が
開発されている。この場合の光源としては、例えば、エ
キシマレーザ等のように、パルス状に発光するものが多
く使用されている。
第3図および第4図はこのようなパルス光を発生する光
源としてエキシマレーザを使用した装置およびその動作
フローの従来例を示す。
第3図において3−1は露光光源であるところのエキシ
マレーザで、これから出た光束はビーム整形光学系3−
2を経てから全反射ミラー3−3で全反射し、ハーフミ
ラ−3−4で露光制御における露光量積算のためのディ
テクタ3−5と全反射ミラー3−7の2方向に分岐し、
全反射ミラー3−7で全反射した光束は照明光学系3−
8を通って回路素子の原版であるレチクル3−9を照明
し、レチクル3−9に描かれている回路パターンを投影
レンズ3−10を介してウェハ3−11に転写する。
次に、第3図の装置の動作を第4図の動作フローに従フ
て説明する。
露光を開始すると、まずステップ401においてはスタ
ート待ち状態であり、シーケンスコントローラ3−17
はアイドリング状態にある。そして、入力装置3−18
からスタート指令なる命令が人力されるとステップ40
2においてその旨が判断され、ステップ403のウェハ
搬入処理へ遷移し、ウェハ搬送系3−12からウェハ3
−11がθZステージ3−13上へ渡される。その後、
ステップ404においてステージ制御部3−16はXス
テージ3−14およびYステージ3−15を駆動して退
避位置へウェハ3−11を退避させる。ステップ405
においては、シーケンスコントローラ3−17はエキシ
マレーザ3−1に発振命令を出力し、光路中の各部分の
ウオームアツプ動作を行なう。ウオームアツプが完了し
た後、ステップ406においてはXステージ3−14お
よびYステージ3−15を駆動して第1シヨツトの位置
ヘウエハ3−11を移動して露光を開始する。そしてス
テップ407〜409においてウェハ3−11の全ショ
ットの露光が終了するまでステップアンドリピート動作
を行ない、その後、ステップ410において、ウェハ搬
送系3−12によってウェハが搬出されるが、ステップ
411での判断結果、処理すべきウェハがあれば再びス
テップ403に戻って以上の動作を繰り返す。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述従来例においては、最近の知見では
、露光初期において照明系および投影光学系の光学特性
や積算露光のためのディテクタおよびその周辺の緒特性
が変化することから、実際の露光に入る前にレーザを発
振させ、露光光路に光を通して各部をウオームアツプさ
せる必要があることがわかっている。その際、第4図の
ステップ404における如く、ウェハ上への誤露光を避
ける目的で予めXYステージを露光位置以外の別の位置
へ移動させておいてからレーザを発振させてウオームア
ツプを行なう方法が考えられているが、この方法ではつ
オームアップ後に露光位置へウェハを送り込むため、そ
の移動に要する時間分だけ装置のスルーブツトを低下さ
せるという欠点があった。また、ウオームアツプ中はX
Yステージの移動範囲が制限されるため、露光シーケン
ス上必要な動作、例えばグローバルアライメント計測等
の動作は不可能であり、さらに著しく装置のスルーブツ
トを低下させるという欠点があった。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
露光装置において、ウオームアツプに起因するスルーブ
ツトの低下をなくすことにある。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため本発明では、露光光源がパルス
状に発光する露光装置において、露光光路を遮閉する遮
閉部材、該遮閉部材を露光光路中に投入しおよび抜取す
るための、あるいはそれと等価な動作をさせるための遮
閉部材駆動手段、および該遮閉部材駆動手段を制御する
遮閉部材駆動制御手段を備えるようにしている。
遮閉部材の光源側の面は平面でないのが好ましいが、平
面である場合は光源方向に反射しないような角度で光路
が遮閉される。
また、遣閉位置は、露光量積算用のディテクタの方向に
露光光を分岐させた直後、照明光学系の直後、あるいは
投影レンズの直後などの適当な位置が選ばれる。
[作用] この構成において、全露光に先立つウオームアツプ時に
はつオームアップのための露光光が遮閉部材によって遮
ぎられるので、クエへ等が誤露光されるおそれはない。
したがって、ウェハ等を退避させる必要がなく、ウェハ
等の移動も制約されないので、ウオームアツプ期間中に
グローバルアライメント等の露光シーケンス上必要な動
作が行なわれ、その分、より高いスルーブツトで露光処
理が行なわれる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る露光装置の構成図であ
る。同図において、1−1は光源であるところのエキシ
マレーザ、1−2はエキシマレーザ1−1が発するレー
ザビームの形状を整えるためのビーム整形光学系、1−
3°は全反射ミラー 1−4はコヒーレンシーをなくす
ためのインコヒーレント光学系、1−5は第1コンデン
サレンズ、1−6はレーザビームを2方向へ分岐させる
ためのハーフミラ−117は露光量積算のためのディテ
クタ、18はディテクタ1−7の出力を積算するための
露光制御部、1.−9は第2コンデンサレンズ、1−1
Oは全反射ミラー、1−11はコリメータレンズ、 !
、−12は回路パターンの原版であるところのレチクル
、1−13は投影レンズ、1−14は露光光路を開閉す
るためのシャッタ、1−15はシャッタ1−14を駆動
して制御するためのシャッタ制御部、1−16は回路パ
ターンが焼き付けられるウェハ、1−17はウェハ1−
16をウェハ平面内で回転させ、また、ウェハに垂直な
方向に移動させる、いわゆるθおよびフォーカス駆動の
ための02ステージ、1−18および1−19はそれぞ
れウェハ1−16をウェハ平面内でX方向およびY方向
に移動させるためのXステージおよびYステージ、1−
20は前記3つのステージ1−17〜1−19を制御す
るステージ制御部、1−21はθZステージ1−16上
に対してクエへの供給および回収を行なうウェハ搬送部
、1−22は装置各部の動作を統轄制御するシーケンス
コントローラ、1−23はシーケンスコントローラ1−
22に対して命令を入力するための入力装置である。
上記構成において、装置がどのように動作するかを第2
図の動作フローに従って説明する。露光開始後のステッ
プ201のスタート待ちにおいては、装置はアイドリン
グ状態にあり、シャッタ1−14は閉じている。この状
態で入力装置1−23からスタート指令なる命令が入力
されると、ステップ202においてその旨が判断されて
ステップ203へ6行しシーケンスコントローラ1−2
2はエキシマレーザ1−1に発振命令を出し光路上の光
学部材およびディテクタl−7等のウオームアツプを開
始する。ステップ204においてはシーケンスコントロ
ーラ1−22はウェハ搬送部1−21にウェハ衆人命令
を出力してウェハ1−16をθZステージ1−17の上
に載せ、さらにステップ205においてステージ制御部
1−20に第1ショット送り込み命令を出力してXステ
ージ1−18お”よびYステージ1−1’lを駆動する
ことにより、ウェハ1−16を投影レンズ1−13直下
の焼付位置へ移動する。このとぎ、シャッタ1−14は
閉じているのでウオームアツプのための発光によってウ
ェハ1−16が誤露光されることはない。また同様に、
この後の装置の動作に必要なステップ206における例
えばθZステージ1−17によるフォーカス駆動や不図
示のアライメントgm鏡によるグローバルアライメント
計測等の前処理の実行が可能である。ステップ206前
処理が終了し、ステップ207においてウオームアツプ
の終了が判断されるとステップ208でシーケンスコン
トローラ1−22はエキシマレーザ!−1に発振停止命
令を出力して発光を停止してから、シャッタ制御部1−
15にシャッタ開放命令を出力しシャツタ1−14を駆
動して光路を開放状態にする。そして、ステップ209
においてエキシマレーザ1−1に発掘命令を出力して露
光に入り、以後全ショットの露光を終了するまでステッ
プ209〜211のステップアンドリピートを繰り返す
、ステップ210において全ショット露光が終了したと
判断されると、シーケンスコントローラ1−22はステ
ップ212においてシャッタ制御部1−15にシャッタ
閉成命令を出力してシャッタ1−14により光路を遮閉
する。さらに次のステップ213においてウェハ搬送部
1−21にウェハ搬出命令を出力すると、ウェハ1−1
6は回収されるが、ステップ214において処理すべき
ウェハがあると判断されれば再びステップ203に戻っ
て以上の動作を繰り返す。
なお、前述においては、シャッタ1−14を投影レンズ
1−13の後に配置したが、例えばウオームアツプの対
象がディテクタ1−17のみでよい場合はハーフミラ−
1−6の直後にシャツ、り1−14’  として配置し
てもよく、またディテクタおよび照明系をウオームアツ
プ対象とする場合はコリメータレンズ1−11の直後に
シャッタ1−14″を配置すればよい(第1図中に破線
で示す)、すなわち、ウオームアツプの対象物の後にシ
ャッタを配置すれば上述と同様な効果が得られる。
[発明の効果] 以上説明したように木゛発明によれば、露光光学系の適
当な位置にシャッタを設けるようにしたため、装置のス
ルーブツトを低下させることなくウオームアツプするこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の構成図、 N2図は、第1図の装置の動作を示すフローチャート、 第3図は、従来例に係る露光装置の構成図、そして、 第4図は第3図の装置の動作を示すフローチャートであ
る。 1−1:エキシマレーザ、 1−7:ディテクタ、 1−12 ニレチクル、 1−13 :投影レンズ、 1−14.1−14’ 、 1−1.41 :シャツタ
、1−15 :シャッタ制御部、 1−16 :ウエハ、 1−22 ニジ−ケンスコントローラ。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)露光光源がパルス状に発光する露光装置であって
    、露光光路を遮閉する遮閉部材、該遮閉部材を露光光路
    中に投入しおよび抜取するための、あるいはそれと等価
    な動作をさせるための遮閉部材駆動手段、および該遮閉
    部材駆動手段を制御する遮閉部材駆動制御手段を具備す
    ることを特徴とする露光装置。
  2. (2)前記遮閉部材が露光光路に投入された時、あるい
    はそれと等価な動作がなされた時、該遮閉部材は光学的
    にみて光源側となる面が平面状であって、その平面と露
    光光軸とのなす角度が垂直ではない、請求項1記載の露
    光装置。
  3. (3)前記遮閉部材が露光光路に投入された時、あるい
    はそれと等価な動作がなされた時、該遮閉部材が光学的
    にみて光源側となる面が平面ではない、請求項1記載の
    露光装置。
  4. (4)露光量積算のためのディテクタを備え、前記遮閉
    部材を投入する位置、あるいは前記遮閉部材の設置され
    ている位置が、該ディテクタに露光光の一部を照射する
    目的で露光光路に設けられた部材に対して光学的にみて
    光源と反対の側である、請求項1〜3いずれかに記載の
    露光装置。
  5. (5)照明光学系を備え、前記遮閉部材を投入する位置
    、あるいは前記遮閉部材の設置されている位置が、該照
    明光学系に対して光学的にみて光源と反対の側である、
    請求項1〜3いずれかに記載の露光装置。
  6. (6)投影レンズを備え、前記遮閉部材を投入する位置
    、あるいは前記遮閉部材の設置されている位置が、該投
    影レンズに対して光学的にみて光源と反対の側である、
    請求項1〜3いずれかに記載の露光装置。
JP63328829A 1988-12-28 1988-12-28 露光装置 Pending JPH02177317A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6411368B1 (en) 1997-07-22 2002-06-25 Nikon Corporation Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus
WO2007049436A1 (ja) * 2005-10-25 2007-05-03 V Technology Co., Ltd. 露光装置

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JP2007121344A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 V Technology Co Ltd 露光装置

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