JPS63266821A - 紫外線露光装置 - Google Patents

紫外線露光装置

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JPS63266821A
JPS63266821A JP62100166A JP10016687A JPS63266821A JP S63266821 A JPS63266821 A JP S63266821A JP 62100166 A JP62100166 A JP 62100166A JP 10016687 A JP10016687 A JP 10016687A JP S63266821 A JPS63266821 A JP S63266821A
Authority
JP
Japan
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shutter
projection lens
light
lens
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP62100166A
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English (en)
Inventor
Kiichi Takamoto
喜一 高本
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPS63266821A publication Critical patent/JPS63266821A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体集積回路などの製造において微細なパ
タンを露光するのに用いる紫外線露光装置に関するもの
である。
(従来技術及び発明が解決しようとする問題点)紫外線
を利用した露光装置として、エキシマレーザ光を利用し
た露光装置がある。g線(波長λ= 436nm )、
あるいはi線(波長λ−365nm )を用いた紫外線
露光装置と比較して、エキシマレーザでは波長360n
m以下の遠紫外線を発生ずるため、エキシマレーザ光を
用いた露光装置は、微細パタンを形成する上で有利であ
る。
従来の遠紫外線露光装置の構成を第3図に示す。
図において、1はエキシマレーザ、2は反射鏡、3は拡
散板、4は照明レンズ、5は絞り、6はレチクル、7は
投影レンズ、8はウェハ、9はXYステージ、10はシ
ャッタである。エキシマレーザ1からは、使用するガス
の種類によって波長157〜359 nmの遠紫外線を
発生する。第3図の装置の場合、エキシマレーザ1から
は、波長λ−249nmのレーザ光を発生している。こ
のレーザ光を利用して、レチクル6に形成したパタンを
投影レンズ7により縮小してウェハ8上に結像し、パタ
ン露光する。−回の露光でパタン露光ができるフィール
ドは限られるため、ウェハ8の全面へのパタン露光は、
XYステージ9によりウェハ8を移動して行う。ここで
、ウェハ8上へのパタン露光に際しては、レーザ光をオ
ン・オフする必要がある。
このために、エキシマレーザ1の発振を制御する回路に
より、エキシマレーザ光の発振をオン・オフする方法と
、シャッタ10を利用する方法とがあ□る。
ところで、露光装置に用いられるエキシマレーザとして
、波長λ−249nmのレーザ光を発生するKrFエキ
シマレーザ、あるいは、波長λ−193nmのレーザ光
を発生するArFエキシマレーザがある。
これらのエキシマレーザ光に対して透過率が高く、硝材
として適した材料は石英ガラス、弗化カルシュラム、弗
化マグネシュウムなどに限定される。
エキシマレーザ露光装置用投影レンズはこれらの硝材で
製作される。しかしながら、波長λ−249na+用に
製作された投影レンズにおいて、レーザ光の透過率は6
0〜80%である。波長がλ−193nmになると投影
レンズの透過率がさらに低下する。このように、エキシ
マレーザ露光装置用投影レンズのレーザ光に対する透過
率が低いため、投影レンズを構成している各レンズがレ
ーザ光の一部を吸収して発熱し、投影レンズの焦点距離
などの特性が変化する。従来の装置では、この結果とし
て、パタン寸法・位置、レーザ光照射量などが安定なパ
タン露光を実現し難いという欠点があった。以上は、エ
キシマレーザを光源とする紫外線露光装置についてであ
ったが、14IiIを用いた紫外線露光装置においても
、投影レンズにおける紫外線の吸収が大きく、同様の問
題を生じていた。
(発明の目的) 本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、その目的は、波長450nm以下の光を用いる紫外線
露光装置において、投影レンズの温度をほぼ一定に保つ
ことにより、高精度なパタン露光ができる装置を提供す
ることにある。
(問題点を解決するための手段) 上記の目的を達成するため、本発明は紫外線を利用して
、レチクルに形成したパタンを投影レンズにより試料面
上に投影してパタンを露光する紫外線露光装置において
、前記投影レンズと試料と一3= の間にシャッタを設けることを特徴とする紫外線露光装
置を発明の要旨とするものである。
しかして従来の紫外線露光装置では、光源を制御する回
路、あるいは、光源と投影レンズとの間の適当な個所に
設けたシャッタを利用して、試料面に照射する光をオン
・オフしていた。本発明による紫外線露光装置は、従来
の紫外線露光装置が備えている光をオン・オフするため
の手段のほかに、投影レンズと試料との間にシャッタを
備えていることを最も主要な特徴とする。
次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例は
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまでも
ない。
本発明の実施例として、波長249nmのエキシマレー
ザ光を用いた投影露光装置に本発明を適用した場合につ
いて説明する。
第1図は、本発明の実施例によるエキシマレーザ露光装
置の構成を示す。図において、100はエキシマレーザ
、110は反射鏡、120は拡散板、130は照明レン
ズ、140は絞り、150はレチクル、160は投影レ
ンズ、170はウェハ、180はXYステージ、190
,200はシャッタ、201はシャッタ200のシャッ
タ駆動機構である。シャッタ200は投影レンズ160
とウェハ170との間に設置している。シャッタ駆動機
構201は、シャッタ200を直進運動あるいは回転運
動させる。シャッタ200が投影レンズ170からの光
を遮ることにより、ウェハ170を照射する光をオフす
る。シャッタ200の構成を第2図に示す。第2図(a
)は断面図、(b)は平面図である。図において、21
0は商品名BK−7などの硝材で製作した円板、211
は円板210の表面に被着した無反射膜、212は円板
210の裏面に被着した全反射膜である。光は無反射膜
211の側から円板210に入射する。ウェハ170を
照射する光をオフする場合、投影レンズ160より出射
した光は、円板210の無反射膜211を被着した側に
入射する。
BK−7などの一般的な硝材は、波長が280 nm以
下の光に対する透過率が極めて低い。このため、円板2
10の厚さを0.5〜1 +nmにすると、円板210
に入射した波長λ−249rvの光は、円板210によ
りほとんど吸収される。全反射膜212は、光がウェハ
180を照射するのを完全に防ぐための膜であり、アル
ミニウム膜、誘電体多層膜などで形成する。
エキシマレーザ100から発生する光は、パルス光であ
り、ウェハ170にパタン露光する際には、投影レンズ
160のフィールド毎に、100〜200パルスのレー
ザ光を照射する。レーザ光が投影レンズ160を通過す
る際に、投影レンズ160を構成している各レンズにお
いてレーザ光の一部が吸収されて熱となり、各レンズの
温度が上昇する。ここで、ひとつのフィールドへのパタ
ン露光が終わると、XYステージ180でウェハ170
を移動し、つぎのフィールドについて、重ね合わせ露光
のためのウェハ170の位置の検出や補正をしたのちに
、パタン露光する。このため、フィールドからフィール
ドへのパタン露光にはある時間間隔があり、従来の装置
では、投影レンズ160内の温度が上昇と下降とを繰り
返し、投影レンズ160の温度は一定にならない。さら
に、従来の装置では、パタン露光を行わないときには、
投影レンズ160の温度は室温に近く、パタン露光を始
めるとともに、投影レンズ160の温度が上昇と下降を
繰り返す。
ところで、エキシマレーザ100からのパルス光が投影
レンズ160に連続的に入射する状態にしておくと、投
影レンズ160の温度は、最初は上昇を続けるが、ある
一定の温度になると、熱が加わる分と逃げる分との釣り
合いがとれて、投影レンズ160の温度はほぼ一定とな
る。本発明では、この現象を利用する。まず、エキシマ
レーザ露光装置によりパタン露光を開始する前には、シ
ャッタ200により投影レンズ160からの光を遮る状
態にして、パタン露光時と同じ特性にしたエキシマレー
ザ100からのパルス光が投影レンズ160に連続的に
入射するようにする。このようにして、パタン露光の開
始時には、投影レンズ160の温度がパルス光の照射に
対してほぼ一定になるようにする。ウェハ170にパタ
ン露光するときには、ひとつのフィールドへの露光が終
了し、つぎのフィールドへのパタン露光を開始する直前
までは、上のシャッタ190は開状態とし、エキシマレ
ーザ100からのパルス光が投影レンズ160に連続的
に入射し、その温度を熱平衡状態ゆえに一定に保つよう
にしておく。
ただし、この場合、ウェハにエキシマレーザ光が到達し
て露光されるのを防ぐため、下のシャッタ200は閉じ
ておく。さらに、ウェハを交換する時などにも、同様に
シャッタ200により投影レンズ160からの光を遮る
状態にしておいて、かつ上のシャッタ190は開いてお
くことによってエキシマレーザ100からのパルス光が
投影レンズ160に連続的に入射するようにする。この
ように、ウェハ170にパタン露光する時だけでなく、
それ以外の場合にも投影レンズ160にエキシマレーザ
100からのパルス光を連続的に入射すると、投影レン
ズ160を構成する各レンズの温度をほぼ一定に保つこ
とができるので、投影レンズ160の温度が変動するこ
とによる焦点距離の変化などを避けることができる。
なお、投影レンズ160のフィールドへのパタン露光に
おいて、ウェハ170への露光量の制御は、シャッタ1
90、シャッタ200、エキシマレーザ100の制御回
路、のいずれかを用いて行えばよい。本発明の実施例で
は、パタン露光開始前、フィールド毎のパタン露光の間
、ウェハを交換する間などにシャッタ200で光を遮り
、エキシマレーザ100のパルス光が投影レンズ160
に入射するようにしているが、パタン露光時以外におけ
る投影レンズ160へのパルス光の入射は適宜行えばよ
い。シャッタ200の構造を第2図に示したが、これ以
外の構造のシャッタも種々考えられることはあきらかで
ある。
以上の説明は、波長249nmのエキシマレーザ光を用
いた投影露光装置を対象としたが、その他の波長の光を
利用した投影露光装置においても、投影レンズにおける
光の吸収が大きい場合に、本発明を適用すると、投影レ
ンズの焦点距離などの安定化に有効である。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、投影しンズとウ
ェハとの間にシャッタを設け、パタン露光時以外におい
ても投影レンズに光を入射することができるようにして
いるので、投影レンズの温度がほぼ一定に保たれ、この
ために投影レンズの焦点距離、結像位置などの特性の変
化が非常に小さくなり、パタン寸法や位置などを高精度
に保ってパタン露光ができる、という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例によるエキシマレーザ露光装置
、第2図は本発明の実施例におけるシャッタの構成、第
3図は従来の遠紫外線露光装置を示す。 1.100  ・・・エキシマレーザ 2.110 ・・・反射鏡 3.120 ・・・拡散板 4.130 ・・・照明レンズ 5.140  ・ ・ ・絞り 6.150  ・・・レチクル 7.160 ・・・投影レンズ 8.170 ・・・ウェハ 9.180  ・・・XYステージ 10、190.200・・シャッタ 201  ・・・・・シャッタ駆動機構210  ・・
・・・硝材で製作した円板211  ・・・・・無反射
膜 212 ・・・・・全反射膜 =12−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)紫外線を利用して、レチクルに形成したパタンを
    投影レンズにより試料面上に投影してパタンを露光する
    紫外線露光装置において、前記投影レンズと試料との間
    にシャッタを設けることを特徴とする紫外線露光装置。
  2. (2)投影レンズと試料間に設けたシャッタ以外に、少
    なくとも投影レンズの入射面以前に別のシャッタを設け
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の紫外線
    露光装置。
JP62100166A 1987-04-24 1987-04-24 紫外線露光装置 Pending JPS63266821A (ja)

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JP62100166A JPS63266821A (ja) 1987-04-24 1987-04-24 紫外線露光装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1441257A3 (en) * 2003-01-27 2006-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus, projection exposure apparatus, and device fabricating method
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US20130128243A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-23 Shanghai Huali Microelectronics Corporation Temperature balancing device of projection objective of lithography machine and method thereof

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