CN101227103A - 电能储存装置及方法 - Google Patents

电能储存装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101227103A
CN101227103A CNA200710151597XA CN200710151597A CN101227103A CN 101227103 A CN101227103 A CN 101227103A CN A200710151597X A CNA200710151597X A CN A200710151597XA CN 200710151597 A CN200710151597 A CN 200710151597A CN 101227103 A CN101227103 A CN 101227103A
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic area
electrical energy
storing electrical
bipolar
energy according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200710151597XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101227103B (zh
Inventor
赖锜
汤姆·艾伦·阿甘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Northern Lights Semiconductor Corp
Original Assignee
Northern Lights Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Northern Lights Semiconductor Corp filed Critical Northern Lights Semiconductor Corp
Publication of CN101227103A publication Critical patent/CN101227103A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101227103B publication Critical patent/CN101227103B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
    • H01F27/36—Electric or magnetic shields or screens
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H01G4/306—Stacked capacitors made by thin film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/015—Special provisions for self-healing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

一种用以储存电能的装置，此种装置具有一第一磁性区，一第二磁性区以及配置于第一磁性区及第二磁性区之间的一介电区。其中本装置，是利用介电区来储存电能以及利用第一磁性区和第二磁性区的双极来防止电能的泄漏。

Description

电能储存装置及方法
技术领域
本发明涉及一种电能储存装置及方法，特别涉及一种用以储存电能的磁性设备。
背景技术
能源的储存部件在我们的生活之中占了重要的一部分，例如用于电路中的电容以及用于可携式装置的电池的类的组件，电能储存部件影响了电子装置的执行效能以及作业时间。
然而，现有的能源储存部件具有一些问题。举例而言，电容具有因为漏电流而降低整体效能的问题，而电池则具有因为部分充/放电的记忆效应而降低整体效能的问题。
巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance Effect，GMR)是一种能够自具有薄磁性或薄非磁性区的结构中，所观测到的量子物理效应。巨磁阻效应显现出了电阻对外加电场产生反应，从零场(zero-field)高阻抗状态至高场(high-field)低阻抗状态时的显着变化。
因此，可以利用巨磁阻效应来作成高效能绝缘体，如此具有巨磁阻效应的装置能够被用来储存电能。从上述理由看来，对于此种具有巨磁阻效应的电能储存装置是有着实际的需求。
发明内容
因此本发明的一目的在于提供一种电能储存装置及方法。
依据本发明的一种实施例，本装置具有一第一磁性区，一第二磁性区以及配置于第一磁性区及第二磁性区之间的一介电区。其中本装置是利用介电区来储存电能以及利用第一磁性区和第二磁性区的双极来防止电能的泄漏。
依据本发明的另一实施例，本电能储存装置具有多个磁性区以及多个分别配置于两相邻的磁性区之间的介电区，其中这些介电区被用来储存电能，而具有双极的磁性区则是被用来防止电能泄漏。
和一般所理解的相同，前述的概略性说明以及下述的细节性说明皆是以范例说明的方式进行，并且是用以对本发明中宣告申请专利范围的部分提供更进一步的解释。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的一实施例的一电能储存装置；
图2为本发明的装置在依据本发明的一实施例充电时的状态；
图3为本发明的装置在依据本发明的一实施例放电时的状态；
图4为本发明的另一实施例的一电能储存装置。
其中，附图标记
110、120：磁性区
115、125：双极
130：介电区
140、150：金属组件
260：电源
370：负载组件
110a、110b、110c、110d：磁性区
115a、115b、115c、115d：双极
130a、130b、130c：介电区
具体实施方式
下面参照本发明的较佳实施例的详细说明，其中所提到的范例会连同附图一同进行说明。在任何可能的情况之下，附图及说明中所使用的相同的参考数标都代表了相同的或类似的部件。
在本说明中，是以能够简明地解释本发明的基本原理作为出发点来绘示当中所有的附图，而自本说明中的附图，从用以组成本发明实施例的各个部件的数量、位置、关联性及尺寸等观点来看，所引伸而出的各种概念将会于本说明当中解释，或亦能在了解了本发明说明的内容之后，为本发明相关技术领域的技术人员所理解。
图1为本发明的一实施例的电能储存装置，此种电能储存装置具有一第一磁性区110、一第二磁性区120以及配置于第一磁性区110及第二磁性区120之间的一介电区130。介电区130具有储存电能的作用，而具有双极(如标记115及125所示)则具有防止电能泄漏的作用。
介电区130为一层薄膜，并且其由介电材料所构成，如钛酸钡(BaTiO3)或二氧化钛(TiO3)。然而，介电材料并非完美的绝缘体，所以此时仍会有少量的电流流经介电区130。
因此，必须利用第一磁性区110及第二磁性区120来产生能够防止电流流失(即电能泄漏)的绝缘效应。第一磁性区110和第二磁性区120都是一层薄膜，并且这两个具有双极的磁性区有着防止电能泄露的效用。
本装置更具有配置于第一磁性区110周围的一第一金属组件140，其中此第一金属组件140具有控制第一磁性区110的双极115的作用。另外本装置亦更具有配置于第二磁性区120周围的一第二金属组件150，其中此第二金属组件150具有控制第二磁性区120的双极125的作用。设计者或使用者可以利用这些第一金属组件140及第二金属组件150来施加外加电场以控制第一磁性区110及第二磁性区120的双极。
第一金属组件140及第二金属组件150于图1中所绘示的位置并非用以限制金属组件的实际位置，设计者可以依据实际的需求来配置这些金属组件。
上述内容可知，设计者可以利用第一金属组件140及第二金属组件150来控制第一磁性区110的双极115及第二磁性区120的双极125，并且在利用介电区130配合双极115及125之后，能够储存电能并且防止电能泄漏。当本装置储存着电能时，第一磁性区110的双极115(→)及第二磁性区120的双极125(→)是相同的。因此，第一磁性区110及第二磁性区120防止了电能的泄漏，并且介电区130亦储存着电能。
也就是说，当第一磁性区110的双极115和第二磁性区120的双极125为相同时，介电区130的电子的旋转方向会指向一个方向，为此也解决了电流泄漏的现象。在解决了电流泄漏的现象之后，电能的储存时间能够更长，电能的损失也能够更少。
值得注意的是，符号‘→’仅是用来表示磁性区的双极，并非用来限制双极的方向。
图2为本装置在依据本发明的一实施例进行充电时的状态。当本装置在充电时，第一磁性区110和第二磁性区120会耦接至一电源260，此时电能会自电源260输入介电区130。
图3为本装置在依据本发明的一实施例进行放电时的状态。当本装置在放电时，第一磁性区110和第二磁性区120会耦接至一负载组件370，此时电能会自介电区130往负载组件370输出。
电源或负载组件能够容易地对磁性区110及120的双极造成影响，使得磁性区110及120无法具有很好的绝缘效应，让电流能够穿透这些磁性区。
本发明的装置可被视为具有大容量的电容，甚至可将本装置当做一个电池来使用，而且本装置虽具有电池的功能但却没有电池的记忆效应的问题。也就是说，在对本装置进行完整性或部分性充电/放电时，不会有效能上的损失。
除此之外，亦可以利用本装置来建立一个大型的平行组件数组以得到一个更加庞大的能量储存体。进一步来说，可将多个本发明的装置如图4所示一般堆栈起来以得到一个更加庞大的能量储存体。
图4所示的实施例中使用了四个磁性区110a、110b、110c、110d以及三个介电区130a、130b和130c。本电能储存装置具有数个磁性区110a、110b、110c、110d以及分别配置于两个邻近的磁性区中间的数个介电区130a、130b和130c。举例来说，介电区130a会被配置在磁性区110a及110b之间，而介电区130b则会被配置在磁性区110b及110c之间。这些介电区130a、130b及130c是被设计用来储存电能，而具有双极115a、115b、115c及115d的磁性区110a、110b、110c及110d则是被设计用来防止电能泄漏。
本装置更具有分别被配置在磁性区周围，用以控制磁性区的双极的数个金属组件(未绘示于图式中)。
当本装置中储存着电能的时候，磁性区110a、110b、110c及110d的双极115a、115b、115c及115d都会是相同的。
当对本装置进行充电的时候，会有部分的磁性区与一电源耦接，而当对本装置进行放电的时候，则会有部分的磁性区与一负载组件耦接。也就是说，当对本装置进行充电或放电的时候，磁性区110a及110d会与电源或负载组件耦接，或是所有的磁性区110a、110b、110c及110d皆与电源或负载组件耦接。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (18)

1.一种电能储存装置，其特征在于，包含：
一第一磁性区；
一第二磁性区；以及
一介电区配置于该第一磁性区及该第二磁性区之间，
其中该介电区被用以储存电能，以及具有数个双极的该第一磁性区及该第二磁性区被用以防止电能泄漏。
2.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该介电区为一薄膜。
3.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该介电区为介电材料所构成。
4.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该第一磁性区为一薄膜。
5.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，该第二磁性区为一薄膜。
6.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，更包含一第一金属组件配置于该第一磁性区周围，用以控制该第一磁性区的双极。
7.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，更包含一第二金属组件配置于该第二磁性区周围，用以控制该第二磁性区的双极。
8.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置储存着电能时，该第一磁性区及该第二磁性区的双极相同。
9.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于充电时，该第一磁性区及第二磁性区与一电源耦接。
10.根据权利要求1所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于放电时，该第一磁性区及第二磁性区与一负载组件耦接。
11.一种电能储存装置，其特征在于，包含：
数个磁性区；以及
数个介电区分别配置于两相邻的该些磁性区之间，
其中该些介电区被用以储存电能，以及具有数个双极的该些磁性区被用以防止电能泄漏。
12.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，该些介电区为数个薄膜。
13.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，该些介电区为介电材料所构成。
14.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，该些磁性区为数个薄膜。
15.根据权利要求11所述的电能储存装置，更特征在于，含数个金属组件分别配置于该些磁性区周围，用以分别控制每一该些磁性区的双极。
16.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置储存着电能时，该些磁性区的双极相同。
17.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于充电时，部分的该些磁性区与一电源耦接。
18.根据权利要求11所述的电能储存装置，其特征在于，当该电能储存装置于放电时，部分的该些磁性区与一负载组件耦接。
CN200710151597XA 2007-01-19 2007-09-28 电能储存装置及方法 Expired - Fee Related CN101227103B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/624,738 US20080174936A1 (en) 2007-01-19 2007-01-19 Apparatus and Method to Store Electrical Energy
US11/624,738 2007-01-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101227103A true CN101227103A (zh) 2008-07-23
CN101227103B CN101227103B (zh) 2011-04-06

Family

ID=38461647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200710151597XA Expired - Fee Related CN101227103B (zh) 2007-01-19 2007-09-28 电能储存装置及方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080174936A1 (zh)
JP (1) JP4694552B2 (zh)
CN (1) CN101227103B (zh)
DE (1) DE102007033252A1 (zh)
FR (1) FR2913282A1 (zh)
GB (1) GB2445811B (zh)
TW (1) TWI395241B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683007A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 詹前疆 储电元件
CN101800445B (zh) * 2009-02-05 2013-02-13 北极光股份有限公司 一种具有以磁电容作为能量储存单元的电源的电子元件
CN105071545A (zh) * 2015-08-05 2015-11-18 国润金华（北京）国际能源投资有限公司 一种量子物理蓄电池及其制备方法
CN115548564A (zh) * 2022-11-30 2022-12-30 国能世界(北京)科技有限公司 一种量子芯片电池储能模块

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2466840B (en) * 2009-01-12 2011-02-23 Northern Lights Semiconductor A parallel plate magnetic capacitor and electric energy storage device
US20090095338A1 (en) * 2007-10-11 2009-04-16 James Chyl Lai Solar power source
US20090257168A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Northern Lights Semiconductor Corp. Apparatus for Storing Electrical Energy
US20100193906A1 (en) * 2009-02-05 2010-08-05 Northern Lights Semiconductor Corp. Integrated Circuit Package for Magnetic Capacitor
JP2011003892A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Northern Lights Semiconductor Corp Ｄｒａｍセル
TW201135766A (en) * 2010-04-01 2011-10-16 Chien-Chiang Chan Energy storage device
US9607764B2 (en) * 2010-10-20 2017-03-28 Chun-Yen Chang Method of fabricating high energy density and low leakage electronic devices
JP4996775B1 (ja) 2011-08-18 2012-08-08 幹治 清水 薄膜キャパシタ装置
US9263189B2 (en) 2013-04-23 2016-02-16 Alexander Mikhailovich Shukh Magnetic capacitor
WO2015050982A1 (en) 2013-10-01 2015-04-09 E1023 Corporation Magnetically enhanced energy storage system and methods
CN105514508A (zh) * 2015-12-10 2016-04-20 连清宏 一种薄片电池及使用这种电池的电力供应器
TWI665690B (zh) 2017-10-24 2019-07-11 財團法人工業技術研究院 磁性電容元件

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3350180A (en) * 1967-10-31 Magnetic device with alternating lami- na of magnetic material and non-mag- netic metal on a substrate
US3397085A (en) * 1962-12-27 1968-08-13 Union Carbide Corp Thin film capacitors
DE1252739B (de) * 1964-03-17 1967-10-26 Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München Speicherelement mit gestapelten magnetischen Schichten
US3535602A (en) * 1969-05-07 1970-10-20 Nasa Capacitor and method of making same
US4312025A (en) * 1978-12-06 1982-01-19 Rca Corporation Magnetic variable capacitor
US4547866A (en) * 1983-06-24 1985-10-15 Honeywell Inc. Magnetic thin film memory with all dual function films
US4981838A (en) * 1988-03-17 1991-01-01 The University Of British Columbia Superconducting alternating winding capacitor electromagnetic resonator
US5110793A (en) * 1989-02-22 1992-05-05 International Superconductor Corp. Ultra high energy capacitors using intense magnetic field insulation produced by high-Tc superconducting elements for electrical energy storage and pulsed power applications
SU1688210A1 (ru) * 1989-06-26 1991-10-30 Предприятие П/Я М-5619 Чувствительный элемент
US5173873A (en) * 1990-06-28 1992-12-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High speed magneto-resistive random access memory
US5434742A (en) * 1991-12-25 1995-07-18 Hitachi, Ltd. Capacitor for semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same
JPH0745477A (ja) * 1993-07-26 1995-02-14 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
US5414588A (en) * 1993-09-20 1995-05-09 The Regents Of The University Of California High performance capacitors using nano-structure multilayer materials fabrication
JPH07169651A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Tdk Corp 積層チップフィルタ
US6741494B2 (en) * 1995-04-21 2004-05-25 Mark B. Johnson Magnetoelectronic memory element with inductively coupled write wires
JPH08316100A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層複合部品
CN1056939C (zh) * 1995-06-08 2000-09-27 西安九元高压电容器厂 交流安全陶瓷电容器及其制造方法
US5757591A (en) * 1996-11-25 1998-05-26 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read/inductive write magnetic head assembly fabricated with silicon on hard insulator for improved durability and electrostatic discharge protection and method for manufacturing same
US5898612A (en) * 1997-05-22 1999-04-27 Motorola, Inc. Magnetic memory cell with increased GMR ratio
US6111784A (en) * 1997-09-18 2000-08-29 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic thin film memory element utilizing GMR effect, and recording/reproduction method using such memory element
JP3679593B2 (ja) * 1998-01-28 2005-08-03 キヤノン株式会社 磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
KR19990087860A (ko) * 1998-05-13 1999-12-27 이데이 노부유끼 자성물질을이용한소자및그어드레싱방법
EP0959475A3 (en) * 1998-05-18 2000-11-08 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic thin film memory and recording and reproducing method and apparatus using such a memory
WO2000042614A1 (de) * 1999-01-13 2000-07-20 Infineon Technologies Ag Schreib-/lesearchitektur für mram
US20070188168A1 (en) * 1999-08-26 2007-08-16 Stanley James G Magnetic sensor
US7190161B2 (en) * 1999-08-26 2007-03-13 Automotive Systems Laboratory, Inc. Magnetic sensor
US6911710B2 (en) * 2000-03-09 2005-06-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-bit magnetic memory cells
JP4020573B2 (ja) * 2000-07-27 2007-12-12 富士通株式会社 磁性メモリデバイス、および磁性メモリデバイスにおけるデータ読み出し方法
JP2002084018A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Canon Inc 磁気デバイス及びその製造方法、並びに固体磁気メモリ
JP3892736B2 (ja) * 2001-03-29 2007-03-14 株式会社東芝 半導体記憶装置
US6690251B2 (en) * 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US6760249B2 (en) * 2001-06-21 2004-07-06 Pien Chien Content addressable memory device capable of comparing data bit with storage data bit
KR100386455B1 (ko) * 2001-06-30 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 복합 반도체 메모리소자의 제조방법
US6483734B1 (en) * 2001-11-26 2002-11-19 Hewlett Packard Company Memory device having memory cells capable of four states
US6750491B2 (en) * 2001-12-20 2004-06-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory device having soft reference layer
US6735112B2 (en) * 2002-02-06 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Magneto-resistive memory cell structures with improved selectivity
US6746411B2 (en) * 2002-02-06 2004-06-08 The University Of Medicine And Dentistry Of New Jersey Exitable lumen guide wire sheath and method of use
US20030161180A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Bloomquist Darrel R. Shared bit lines in stacked MRAM arrays
US6927566B2 (en) * 2002-05-22 2005-08-09 Ab Eletronik Gmbh Device for generating output voltages
JP3833145B2 (ja) * 2002-06-11 2006-10-11 Ｔｄｋ株式会社 積層貫通型コンデンサ
JP3571034B2 (ja) * 2002-06-18 2004-09-29 独立行政法人 科学技術振興機構 磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置
US6885576B2 (en) * 2002-08-13 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Closed flux magnetic memory
JP2004096388A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波積層デバイス
US7075774B2 (en) * 2002-09-10 2006-07-11 Tdk Corporation Multilayer capacitor
KR100471151B1 (ko) * 2002-09-19 2005-03-10 삼성전기주식회사 적층형 ｌｃ 필터
US6858899B2 (en) * 2002-10-15 2005-02-22 Matrix Semiconductor, Inc. Thin film transistor with metal oxide layer and method of making same
US6919233B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-19 Texas Instruments Incorporated MIM capacitors and methods for fabricating same
TWI229878B (en) * 2003-03-12 2005-03-21 Tdk Corp Multilayer capacitor
US6958933B2 (en) * 2003-07-07 2005-10-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory cell strings
US6961263B2 (en) * 2003-09-08 2005-11-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memory device with a thermally assisted write
US6865105B1 (en) * 2003-09-22 2005-03-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermal-assisted switching array configuration for MRAM
US7027320B2 (en) * 2003-10-21 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Soft-reference magnetic memory digitized device and method of operation
KR100594266B1 (ko) * 2004-03-17 2006-06-30 삼성전자주식회사 소노스 타입 메모리 소자
JP4589092B2 (ja) * 2004-12-03 2010-12-01 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US7092236B2 (en) * 2005-01-20 2006-08-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
EP1911145A4 (en) * 2005-08-05 2015-11-04 Retti Kahrl COMPOSITION AND METHOD FOR MULTI-LAYER SOLAR ENERGY STORAGE, BUCKMINSTERFULLERENE OF SOLAR ENERGY ACCUMULATION, INDUCTIVE COUPLING DEVICE; VEHICLE CHASSIS; HYDROGEN ENGINE WITH ATMOSPHERIC ADMISSION; TIRE GENERATING ELECTRICAL ENERGY; AND DEVICE FOR ACCUMULATING MECHANICAL ENERGY
US7269061B2 (en) * 2005-10-17 2007-09-11 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic memory
US7397277B2 (en) * 2005-10-17 2008-07-08 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic transistor circuit with the EXOR function
US7745893B2 (en) * 2005-10-17 2010-06-29 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic transistor structure
US7400176B2 (en) * 2005-10-17 2008-07-15 Northern Lights Semiconductor Corp. Magnetic OR/NAND circuit
ES2478217T3 (es) * 2006-06-22 2014-07-21 Cooper Tire & Rubber Company Generación de potencia remota magnetoestrictiva/piezoeléctrica, batería y método
JP4537981B2 (ja) * 2006-07-11 2010-09-08 株式会社東芝 磁気記憶装置
US20080174933A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Western Lights Semiconductor Corp. Apparatus and Method to Store Electrical Energy

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800445B (zh) * 2009-02-05 2013-02-13 北极光股份有限公司 一种具有以磁电容作为能量储存单元的电源的电子元件
CN102683007A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 詹前疆 储电元件
CN105071545A (zh) * 2015-08-05 2015-11-18 国润金华（北京）国际能源投资有限公司 一种量子物理蓄电池及其制备方法
CN115548564A (zh) * 2022-11-30 2022-12-30 国能世界(北京)科技有限公司 一种量子芯片电池储能模块

Also Published As

Publication number Publication date
US20080174936A1 (en) 2008-07-24
GB2445811A (en) 2008-07-23
GB2445811B (en) 2009-01-07
FR2913282A1 (fr) 2008-09-05
GB0713771D0 (en) 2007-08-22
CN101227103B (zh) 2011-04-06
JP2008177536A (ja) 2008-07-31
JP4694552B2 (ja) 2011-06-08
DE102007033252A1 (de) 2008-07-31
TW200832464A (en) 2008-08-01
TWI395241B (zh) 2013-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101227103B (zh) 电能储存装置及方法
CN101227104B (zh) 电能存储装置
CN101557125B (zh) 电能储存装置
KR101108582B1 (ko) 전기 에너지 저장 장치
US20100046122A1 (en) Fault protection device
Moss et al. Study of capacity fade of lithium-ion polymer rechargeable batteries with continuous cycling
CN101594007B (zh) 用于可携电子装置的可扩充式能量储存系统
CN215580553U (zh) 高能量子电池
CN107612059A (zh) 可折叠的电池及应用其的电子装置
CN209728698U (zh) 一种可实时读取电磁笔电量的手写输入装置
TWI221046B (en) DC power source test instrument
KR100966528B1 (ko) 전기 에너지를 저장하기 위한 자기 커패시터
KR100982455B1 (ko) 전기 에너지 저장 장치
CN218958539U (zh) 一种数据保存处理电路和电子设备
CN106787228A (zh) 电能储存装置及系统
CN206363896U (zh) 一种集合式电容器
CN215071704U (zh) 一种锂电池系统
CN104124670B (zh) 一种锂电池的双重保护电路
TW201018932A (en) Power system and detecting method thereof
CN106847506A (zh) 一种集合式电容器及其制作方法
CN117712502A (zh) 电池、电池系统、电子设备、电池的充电方法、装置
CN107196378A (zh) 充放电电路与充放电底座
TW201010224A (en) Fault protection apparatus
CN101728872A (zh) 电源供应集成电路
TW201010240A (en) Power apparatus with self-protection function

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110406

Termination date: 20150928

EXPY Termination of patent right or utility model