CN101221363A - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了光刻设备和器件制造方法。该光刻设备包括:用于支撑图案形成装置支架,图案形成装置;用于保持衬底的衬底台;液体供给系统,用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;投影系统,用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及控制器,适于在穿过衬底的管芯线的成像过程中协调衬底台和支架的运动,通过在投影系统下仅沿着基本与第一方向平行的方向向后和/或向前的管芯线的运动实现衬底台和支架的运动。所述第一方向处于基本上平行于顶部表面的平面中。该器件制造方法包括:用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,通过管芯线的运动对穿过衬底的管芯线进行成像。

Description

光刻设备和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻设备和一种制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案涂敷到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成器件用于产生在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或几个管芯的部分)。典型地,经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常,单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓步进机,在所述步进机中,通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓扫描器,在所述扫描器中,通过沿给定方向(“扫描”方向)用辐射束扫描所述图案、同时与该方向平行或反向平行地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上,将所述图案从所述图案形成(patterning)装置转移到所述衬底。
已经提出了这样的方案,将所述衬底浸入投影光刻设备中具有相对较高折射率的液体中(例如,水),以便填充所述投影系统的最终元件和所述衬底之间的空隙。由于曝光辐射在液体中会有更短的波长,因而这样做的关键是能够实现较小部件的成像。(液体的作用也可以当作增加了系统的有效的数值孔径(NA),或者也可以当作增加了焦深。)已经提出了其他的浸没液体,包括其中悬浮固体颗粒(例如,石英)的水。
然而,将衬底,或衬底及衬底台浸没在液体槽中(例如,见专利号为US4,509,852的美国专利)意味着在扫描曝光过程中,必须要对液体的庞大的本体进行加速。这需要附加的或更有力的电机,并且液体中的湍流可能导致不期望的和无法预见的后果。
所提出的解决方案之一是采用液体封闭系统液体供给系统仅将液体提供到衬底的局部区域和在投影系统的最终元件和衬底之间的区域(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)。已经被提出进行这种布置的方式在专利申请公开号为WO99/49504的PCT专利申请中公开。如图2和3所示,通过至少一个进口IN优选沿着衬底相对于最终元件的运动方向将液体提供到衬底上,并且由至少一个出口OUT在液体已经在投影系统下方通过后去除液体。也就是,当衬底在元件下方沿-X方向被扫描时,液体在元件的+X侧供给并在-X侧吸取。图2示意性示出经由进口IN供给液体、由连接到低压源的出口OUT在元件的另一侧吸取液体的配置。在图2中,沿着衬底相对于最终元件的运动方向供给液体,但是并非一定如此。能够在最终元件周围布置各种方位和数量的进口和出口,在如图3所示的一个例子中,在最终元件周围以规则的图案,设置在每一侧都具有出口的四个入口组。
图4中示出又一个具有局部液体供给系统的浸没式光刻解决方案。液体由投影系统PL每一侧的两个沟槽进口IN供给,由配置在进口IN径向外部的多个离散的出口OUT去除。所述进口IN和出口OUT能够配置在中心有孔的板上,并且投影束通过该孔投影。液体由投影系统PL的一侧的一个沟槽进口IN供给,并由在投影系统PL的另一侧的多个离散的出口OUT去除,造成在投影系统PL和衬底W之间的液体薄膜流。可依赖于衬底W的运动方向选择所使用的进口IN和出口OUT的组合(进口IN和出口OUT的其他组合不起作用)。
在第EP1420300号欧洲专利申请和第US2004-0136494号的美国专利申请中,(每个专利申请文件都以引用的方式整体并入本文中),公开了孪台或双台浸没式光刻设备的方案。这种设备提供有两个用于支撑衬底的台。台在无浸没液的第一位置的情况下,进行水平测量,而台在存在浸没液的第二位置的情况下进行曝光。可替代的方案是,所述装置仅有一个台。
浸没式光刻的问题在于由于在衬底的顶部表面使用浸没液,而在产品中引入了成像缺陷。这些成像缺陷大多数通过浸没液中的颗粒引入。
发明内容
本发明旨在减少在浸没式投影光刻设备中由使用浸没液引入的缺陷。在实施例中,可减少导致液体斑点的成像后剩余的颗粒印迹(particleprinting)和液滴。
根据本发明的一个方面,所提供的光刻设备包括:
支架,配置用于支撑图案形成装置,图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;衬底台,配置用于保持衬底;液体供给系统,配置用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;投影系统,配置用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及控制器,适于在横跨衬底的管芯线或从衬底的一边到另一边的管芯线的成像过程中协调衬底台和支架的运动,以使得通过在投影系统下仅沿着基本与第一方向平行的方向向后和/或向前的管芯线的运动实现所述衬底台和支架的运动,其中第一方向处于基本上平行于顶部表面的平面中。
根据本发明的另一个方面,提供一种光刻设备,包括:
支架,配置用于支撑图案形成装置,图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;衬底台,配置用于保持衬底;液体供给系统,配置用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;投影系统,配置用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及控制器,适应于控制支架和衬底台的运动,以使得在衬底上的管芯线的成像过程中,衬底台沿着与顶部表面基本上平行的平面中的第一方向移动,并且支架移动以致在每个管芯的曝光过程中沿着第一方向扫描衬底。
根据本发明的另一个方面,提供一种光刻设备,包括:
支架,配置用于支撑图案形成装置,图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;衬底台,配置用于保持衬底;液体供给系统,配置用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;投影系统,配置用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及控制器,适于控制支架和衬底台的运动,以使得在衬底的中心部分的成像过程中,扫描运动基本上垂直于步进运动,而在衬底的外部区域的成像过程中,步进运动和扫描运动是相结合的,或是基本上反平行的。
根据本发明的另一个方面,提供一种光刻设备,包括:
支架,配置用于支撑图案形成装置,图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;衬底台,配置用于保持衬底;液体供给系统,配置用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;投影系统,配置用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及控制器,配置用于控制支架和衬底台的运动,以使得在衬底的顶部表面的至少一部分的成像过程中,衬底台的扫描运动和步进运动,至少部分地结合成一种运动或是基本平行的单独运动。
根据本发明的另一个方面,提供一种光刻设备,包括:
支架,配置用于支撑图案形成装置,图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;衬底台,配置用于保持衬底;液体供给系统,配置用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;投影系统,配置用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及控制器,适于控制支架和衬底台的运动,以使得在成像过程中,所有扫描运动沿一个方向。
根据本发明的另一个方面,提供一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中通过在投影系统下仅沿着基本与第一方向平行的方向向后和/或向前的管芯线的运动,对横跨衬底的管芯线进行成像,其中第一方向处于与衬底顶部表面基本平行的平面中。
根据本发明的另一个方面,提供一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中通过沿着在基本上平行于衬底的顶部表面的平面中的第一方向移动衬底,并控制带图案的辐射束以使得在每个管芯的曝光过程中沿第一方向扫描衬底,对管芯线进行成像。
根据本发明的另一个方面,提供一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中在衬底的中心部分的成像过程中,扫描运动基本上垂直于步进运动,而在衬底的外部区域的成像过程中,步进运动和扫描运动是相结合的,或是基本上反平行的。
根据本发明的另一个方面,提供一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中衬底的扫描运动和步进运动,至少部分地结合成一种运动或基本平行的单独运动。
根据本发明的另一个方面,提供一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中在成像过程中,所有扫描运动沿一个方向。
附图说明
现在仅作为示例并参照示意性附图描述本发明的实施例,其中相应的附图标记表示相应的部分,并且其中:
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备;
图2和3示出用于投影光刻设备中的液体供给系统;
图4示出用于投影光刻设备中的另一个液体供给系统;
图5是能够用于本发明的实施例的液体供给系统的剖面图;
图6是可与本发明的实施例一起使用的另一种类型的液体供给系统的剖面图;
图7是示意图,示出在成像过程中在投影系统下的衬底的现有路线;
图8示出根据本发明的一个实施例的成像路线;
图9示出根据本发明的另一个实施例的成像路线;
图10示出根据本发明的另一个实施例的成像路线;
图11示出根据本发明的另一个实施例的成像路线;
图12示出根据本发明的另一个实施例的成像路线;
图13示出根据本发明的另一个实施例的成像路线;
图14示出根据本发明的另一个实施例的成像路线;以及
图15示出根据本发明的另一个实施例的成像路线。
具体实施方式
图1示意性示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括:
照射系统(照射器)IL,配置用于调节辐射束B(例如,紫外线或极紫外(DUV)线);
支撑结构(例如,掩模台)MT,配置用于支撑图案形成装置(例如,掩模)MA,并且与第一定位器PM相连,所述第一定位器PM配置用于根据一定的参数对所述图案形成装置进行精确地定位;
衬底台(例如,晶片台)WT,配置用于保持衬底(例如,涂有抗蚀剂的晶片)W,并且与第二定位器PW相连,所述第二定位器PW配置用于根据一定的参数对所述衬底进行精确地定位;以及
投影系统(例如,折射式投影透镜系统)PS,配置用于通过图案形成装置MA将被赋予所述辐射束B的图案投影到所述衬底W的目标部分C(例如,包括一个或更多管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合,以对辐射进行导引、整形、或控制。
所述支撑结构按照依赖于所述图案形成装置的方位、所述光刻设备的设计、以及诸如例如是否将图案形成装置保持在真空环境中的其他条件的方式,来支持所述图案形成装置。所述支撑结构可以使用机械、真空、静电、或其他夹持技术以支持所述图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台子,例如,框架或台子可以根据需要是固定的或是可移动的。所述支撑结构可以确保所述图案形成装置,例如相对于所述投影系统的处于所需位置。这里术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以认为与更通用的术语“图案形成装置”同义。
应该将这里使用的术语“图案形成装置”宽范围地解释为能够用于赋予辐射束横截面图案、以便在所述衬底的目标部分中创建图案的任意装置。应该注意的是,例如,如果所述图案包括相移特征或相移部件,或所谓的辅助特征或辅助部件,被赋予所述辐射束的所述图案可能不完全地与所述衬底的目标部分中的所需图案相对应。通常,被赋予所述辐射束的所述图案与在所述目标部分中创建的器件中的具体功能层相对应,例如集成电路。
所述图案形成装置可以是透射式的或是反射式的。图案形成装置的示例包括:掩模、可编程反射镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的,并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵排列,可以独立地倾斜每一个小反射镜,以便沿不同方向反射入射辐射束。所述倾斜的反射镜赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束中的图案。
应该将这里使用的术语“投影系统”广泛地解释为包括任意类型的投影系统,包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合,只要适于所使用的曝光辐射、或诸如使用浸没式液体或使用真空之类的其他因素。这里任意使用的术语“投影透镜”可以认为是与更通用的术语“投影系统”同义。
如这里所示的,所述设备是透射型的(例如,采用透射掩模)。替代地,所述设备可以是反射型的(例如,采用如上所述类型的可编程反射镜阵列,或采用反射掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中,可以并行地使用附加的台,或可以在一个或更多台上执行预备步骤,而可以将一个或更多其他台用于曝光。
参照图1,所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是单独的实体(例如,该源为准分子激光器时)。在这种情况下,不会认为所述源形成所述光刻设备的部分,并且通过包括例如合适的引导镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助,将所述辐射束从所述源SO传到所述辐射器IL。在其他情况下,所述源可以是所述光刻设备的整体部分,例如所述源是汞灯时。可以将所述源SO和所述辐射器IL称作辐射系统、如果需要所述束传递系统BD可以将所述源SO和所述辐射器IL与所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述辐射器IL可以包括调节器AD,用于调整所述辐射束的角强度分布。通常,可以对所述辐射器的光瞳面中的强度分布的至少外部和/或内部的径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外,所述辐射器IL可以包括各种其他部件,例如整合器或积分器IN和聚光器CO。可以将所述辐射器用于调节所述辐射束,以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在所述支撑结构(例如,掩模台)MT的所述图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经横穿所述图案形成装置MA之后,所述辐射束B通过所述投影系统PS,所述投影系统PS将所述束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位器PW和定位传感器IF(例如,干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助,可以精确地移动所述衬底台WT,例如以便将不同目标部分C定位于所述辐射束B的路线中。类似地,例如在来自掩模库的机械检索之后,或在扫描期间,可以将所述第一定位器PM和另一个定位传感器(图1中未明确示出)用于将所述图案形成装置MA相对于所述辐射束B的路线精确地定位。通常,可以通过形成所述第一定位器PM的部分的长程模块(粗定位)和短程模块(精定位)来实现所述支撑结构MT的移动。类似地,可以通过形成所述第二定位器PM的部分的长程模块和短程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反),所述支撑结构MT可以仅与短程致动器相连,或可以是固定的。可以使用图案形成装置对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的所述衬底对齐标记占据了专用目标部分,但他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)。类似地,在将多于一个管芯设置在所述图案形成装置MA上的情况下,所述图案形成装置对齐标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少之一:
1.在步进模式中,将所述支撑结构MT和所述衬底台WT保持为基本静止,而将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即,单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动,使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中,曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中,在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C的同时,将所述支撑结构MT和所述衬底台WT同步地进行扫描(即,单一的动态曝光)。所述衬底台WT相对于所述支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中,曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分(沿非扫描方向)的宽度,而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分(沿所述扫描方向)的高度。
3.在另一个模式中,将保持可编程图案形成装置的所述支撑结构MT保持为基本静止状态,并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C的同时,对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中,通常采用脉冲辐射源,并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间,按照要求更新所述可编程图案形成装置。这种操作的模式易于应用于利用可编程图案形成装置的无掩模光刻中,例如,如上所述类型的可编程反射镜阵列。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体,或完全不同的使用模式。
另一个已经提出的利用局部液体供给系统方案的浸没式光刻解决方案是为液体供给系统提供阻挡部件(barrier member),所述阻挡部件沿着投影系统的最终元件和衬底台之间的空隙的边界的至少一部分延伸。图5以剖视图的形式示出,这种能够用于以液体填充投影系统PS和衬底W之间的空隙11的液体供给系统IH。这种液体供给系统仅为示例,并且能够替代地采用将液体提供给衬底的局部区域(即在任何一次都不遍及衬底的整个顶部表面)的多种其它类型的液体供给系统,尤其是不具有气刀(gas khife)和依赖于弯液面束缚特性(meniscus pinning features)保持液体的液体供给系统
参考图5,所述阻挡部件12至少部分保持或容纳投影系统PL的最终元件和衬底W之间的空隙11内的液体。阻挡部件12围绕投影系统PS的底部边缘。尽管所述阻挡部件沿Z方向(沿光轴方向)可能有一些相对运动,但相对于投影系统在XY平面中基本静止。在实施例中,在面对衬底的顶部表面的阻挡部件的底表面和衬底表面之间形成密封,并且该密封可为非接触式密封,例如,气封(gas seal)。对于衬底的无接触式密封16可以在投影系统的成像区域周围形成,以使得将液体限定在衬底表面和投影系统的最终元件之间的空隙内。所述空隙至少部分地由位于投影系统的最终元件PL下方并围绕着投影系统的最终元件PL的阻挡部件12形成。液体通过液体进口13进入投影系统下方的和阻挡部件12之内的空隙中,并可以通过液体出口13去除。所述阻挡部件12可以延伸到投影系统的最终元件上方少量距离,并且液面升到所述最终元件上方,以便提供液体的缓冲区域。在实施例中,所述阻挡部件12具有内周,该内周在上端与投影系统或其最终元件的形状接近相符,例如,可以是圆形的。在底部,该内周与成像区域的形状接近相符,例如,可为矩形,但是可以不是这样。
液体由气封16保持在空隙11中,在使用中,气封16在阻挡部件12的底部和衬底W的表面之间形成。所述气封由气体形成(例如,使用空气或合成气体(synthetic air),但是,在实施例中,使用氮气或另一种惰性气体),气体在压力下经由进口15提供给阻挡部件12和衬底之间的间隙,并经由出口14抽出。配置气体进口15上的过压、出口14上的真空度(vacuum level)以及间隙的几何形状,以使得具有向内的限制液体的高速气流。这些进口/出口可以是环绕空隙11的环形沟槽,并且气流16有效将液体保持在空隙11中。这种系统在第US2O04-0207824号的美国专利申请公开中公开,在此以引用的方式整体并入本文中。
图6示出另一种类型的液体供给系统IH。阻挡部件12围绕投影系统PS的最终元件的外周延伸,以使得所述阻挡部件(有时称作密封部件)为例如整体上基本成环形。
阻挡部件12的功能是至少部分地将液体保持或限制在投影系统PS和衬底W之间的空隙中,以使得投影光束可以通过液体。液体的顶部平面因阻挡部件12的存在而被简单地保持,并且在空隙中的液面也被保持,以使得所述液体不从阻挡部件12的顶部溢出。在阻挡部件12底部和衬底W之间设置密封。在图6中,所示密封为无接触式密封,并由多个部件构成。提供延伸入所述空隙(但是不延伸到投影束的路线中)的(可选的)流盘或流板(flow plate)50,该流盘或流板50在从投影系统PS的光轴径向向外的地方起作用,所述流盘50帮助保持浸没液并行流出进口20,穿过空隙,然后通过与入口在同一水平面并与入口相对的出口(未示出)流出(以使得所述浸没液流过投影系统的最终元件和衬底之间的空隙)。流体控制盘其中具有一个或更多个通孔55以减小对阻挡部件12相对于投影系统PS和/或衬底W的光轴方向的运动的阻力。其次,提供进口60,所述进口60提供液流,该液流沿着与光轴基本平行的方向朝衬底流动并且沿阻挡部件12的底部径向向外运动。该液流用于帮助填充衬底W边缘和支撑衬底的衬底台WT之间的任何间隙。如果这个间隙不被液体填充,当衬底W的边缘在阻挡部件12下方通过时,在投影系统PS和衬底W之间的空隙中的液体更可能包含液泡。由于液泡会导致成像质量的恶化,因此这种情况是不希望出现的。
在出口60径向向外的位置,设置抽取器组件70,抽取器组件70配置用于从阻挡部件12和衬底W之间抽取液体。下面将更详细地描述抽取器70,并且抽取器70形成在阻挡部件12和衬底W之间产生的无接触式密封的部分。
在抽取器组件径向向外的位置设置凹部(recess)80,所述凹部80通过出口82与大气相同,并经由进口84与低压源相通。在凹部80的径向向外的位置设置气刀90。在第US2006-0158627号的美国专利申请公开中详细地公开了抽取器、凹部和气刀的配置,第US2006-0158627号申请在此以引用的方式并入本文中。然而,在该第US2006-0158627号申请中,抽取器组件的配置是不同的。
抽取器组件70包括液体去除装置或抽取器或出口95,例如在第US2006-0038968号的美国专利申请公开中公开的一个方案,在此以引用的方式将第US2006-0038968号的美国专利申请并入本文中。可以使用任何类型的液体抽取器。在实施例中,液体去除装置95包括覆盖在多孔材料96中的出口,多孔材料96用于将液体与气体分隔开,以实现单一液相液体提取。位于多孔材料96下游处的腔97保持轻微的负压力,并被液体填充。腔97中的负压力使得在多孔材料的孔中形成的弯液面(meniscus)阻止周围的气体(例如,空气)抽入液体去除装置95的腔97。然而,当多孔材料96与液体相接触时,没有弯液面限制流动,并且液体能自由地流入液体去除装置95的腔97中。多孔材料96沿着阻挡部件12(也在空隙周围)径向向内延伸,而且它的抽取率根据有多少多孔材料96被液体覆盖的数量而变化。
盘或板200设置于液体去除装置95和衬底W之间,以使得液体抽取功能和弯液面控制功能能够互相分开,并且阻挡部件12能够针对其中每个功能进行优化。
盘或板200是分隔器或具有将液体去除装置95和衬底W之间的空隙分成两个通道——上通道220和下通道230的功能的任何其他元件,其中上通道220位于盘或板200的上表面和液体去除装置95之间,而下通道230位于盘或板200的下表面和衬底W之间。每个通道在其径向最内端对于所述空隙都是开放的。
可以将负压力施加在上通道220中,而不是使上通道220处于通过一个或更多的气孔250(例如,通过一个或更多个通孔250)对大气开放的状态。以这种方式,能够使上通道220更宽。
因此,利用盘或板200,有两个弯液面310、320。第一弯液面310位于盘或板200之上并在多孔材料96和盘或板200的顶部表面之间延伸;第二弯液面位于盘或板200之下,并在盘或板200和衬底W之间延伸。以这样的方式,例如,抽取器组件70能配置用于为优化液体抽取的第一弯液面的控制和第二弯液面320的位置控制,以使得第二弯液面320的粘滞阻挡(viscous drag)长度得以减小。例如,尤其在盘或板200中,该特征能够被优化成使之积极地利于弯液面320保持附着于盘或板200,以使得能够增加在阻挡部件10下方的衬底W的扫描速度。作用在第二弯液面320上的毛细作用力方向向外,并且由与所述弯液面相邻的液体中的负压力相平衡,以使得所述弯液面处于静止。弯液面上加载越高(例如由粘滞阻力和惯性),会导致所述弯液面与表面的接触角越小。
如上所述,一个或更多的气孔250可以设置在盘或板200的径向最外端,以使得第一弯液面310在多孔材料96之下自由地向内和向外移动,以使得液体去除装置95的抽取率能根据多少多孔材料96被液体覆盖而变化。如图6所示,第二弯液面320附着于盘或板200的下部的最内的边缘处。在图6中,盘或板200的最内的下边缘设置有锐利的边缘,以便在位置上束缚住第二弯液面320。
尽管未在图6中具体示出,但是所述液体供给系统具有处理液面变化的装置。这使得建立在投影系统PS和阻挡部件12之间的液体能被处理而不溢出。这种液体的构建可以在下面所述的阻挡部件12相对于投影系统PS的相对运动的过程中出现。处理这种液体的一种方法是提供阻挡部件12,使其很大,以使得在阻挡部件12相对于投影系统PS的运动中,在阻挡部件12的外周上几乎没有任何压力梯度。在一种替代的或附加的配置中,可以采用例如诸如类似于抽取器96的单相抽取器的抽取器,将液体从阻挡部件12的顶部去除。
因此,可以看出,有多种从投影系统的最终元件和衬底之间的空隙中去除浸没液的方法。这些包括浸没液从进口20流出,流过空隙,并流进与进口20相对的出口(出口未示出)。依何时激活投影束PB,浸没液可以被辐射或可以不被辐射。浸没液由抽取器70去除,并且这些浸没液可作为单相抽取。其他未被抽取器70抽取的浸没液能被凹部80和气(或流体-惰性气体)刀90的组合收集。任何这种抽取到的浸没液可能是液体和气体的混合。最后,液体也能够被从空隙中、从衬底W的边缘和衬底台WS之间、通过衬底台WS去除。液体中也可能具有大量的气体。已经与衬底(即抗蚀剂)的顶表面相接触的液体也可能被滤取(1eaching)污染,以致液体可以按如下所述以不同于其他液体的特定方式进行最佳的处理。
第US11/472,566号和第US11/404,091号的美国专利(在此以引用的方式整体并入本文中),也公开了液体供给系统。那些液体供给系统中任何一种可以用于本发明的实施例中,尤其是那些致动阻挡部件12(即改变高度和/或X或Y位置,或者相对于投影系统PS围绕那些轴中的任一根或两根轴转动)的系统。
在衬底W成像的过程中(包括例如扫描运动期间衬底的顶表面实际被照射的时间和例如步进运动期间衬底W为了到达能够开始成像的位置所花费的移动时间),衬底W通过路线移动,所述路线大体在与衬底W的顶表面基本上平行的平面中。然而,为了考虑衬底高度上的改变,衬底也可以沿着光轴方向向上和向下移动,并且也可以围绕基本上垂直于光轴的轴转动以考虑衬底W的顶表面的高度的改变。但是,主运动在基本上平行于衬底的顶表面的平面中进行。本发明的实施例涉及到主运动,但考虑上述衬底的不光滑的顶表面的其它的辅运动也可以进行。
通常,衬底W在成像过程中移动的路线优化用于使对衬底的整个顶表面进行成像所花费的时间量最小。在所谓的步进和扫描方法中,典型的路线可以如图7所示的路线。如图所示,衬底W以多个矩形的管芯覆盖,所述管芯根据它们的曝光次序编号。因此,编号为“1”的管芯首先曝光,接着是编号为“2”的管芯曝光,再接下来是编号为“3”的管芯,等等。在描述中,“向上”和“向下”表示相对于附图的方向。实际上,例如方向可能是+/-X方向。
衬底W在投影系统下以步进运动从编号为1的管芯在曝光后的结束位置移动到编号为2的管芯开始曝光的位置。在曝光过程中,扫描遍及衬底W上的每个单独的管芯。在扫描运动过程中,例如,衬底W在投影系统PS下移动,并且图案形成装置MA通过上述支撑结构MT在投影系统上方移动。
在图7的示例中,扫描方向(即衬底W相对于投影系统移动的方向)以相应的管芯的阴影示出。于是,当编号为1的管芯曝光时(投影系统PS相对于页面静止),衬底W沿着页面向下移动,以使得管芯1的底部在顶部之前曝光。因此,管芯1扫描完毕(灰阴影)。一旦编号为1的管芯的顶部完成曝光,曝光停止,并且衬底W向左步进以使得编号为2的管芯的顶部处于投影系统下。然后,衬底W沿着页面向上移动,以使得在该管芯(无阴影)的曝光过程中,沿着向下的方向对编号为2的管芯扫描衬底。一旦到达了编号为2的管芯的底部,衬底W向左步进以使得编号为3的管芯的底部位于投影系统下。这些运动一起构成衬底成像(即曝光时段和曝光未发生的时段)。
图7中标出的点线100示出衬底W的整个路线(仅仅步进运动)并且扫描运动未在线100中示出,但由每个单独的管芯的阴影表示。如图所示,已经为最小成像时间优化的所谓的蜿蜒路线的扫描和步进方向互相基本上垂直。
原理上,一种相似类型的蜿蜒路线能用于浸没式光刻中,并且事实上通常已经这样做了。这可能不一定是最好的途径,并且用于优化蜿蜒路线的更好的途径不仅针对生产量,而且针对减少产生的缺陷的数量。
不幸的是,浸没液中携带的杂质颗粒比耦合在投影系统PS和衬底W之间的通常气体更多,并且液滴也可能成为问题。所述颗粒可能是衬底上的物质的颗粒或来自液体供给系统IH的物质的颗粒。液体供给系统可能直接留下液体痕迹(trail of liquid)。当衬底的顶表面在液体供给系统下面通过时,液体供给系统留下的液滴可能产生液体斑点(liquid mark)。这些液滴留下得越长久,由于液滴与衬底W的顶表面的抗蚀剂的相互作用的时间越长,液体斑点就可能变得越差。在图7的路线中,从前面的管芯的成像可能留下颗粒和/或液体斑点,颗粒和/或液体斑点影响后面管芯的成像。附加地或替换地,在衬底W的顶表面上的衬底W的转向过程中,可能生成缺陷(液体斑点和/或印制颗粒(printed particle))。图7的路线导致在液体供给系统下面的衬底的X和Y两个方向的运动,所述液体供给系统能够造成更高的矢量速度/离心力,所述更高的矢量速度/离心力可能导致更大的颗粒沉积的机会或更大的留下液滴的机会。在这里公开了与浸没式光刻一起使用的具体的蜿蜒路线和扫描方向,由此可能减轻一个或多个问题或其它的问题。理想地,蜿蜒路线使得液滴和颗粒已经留下很长时间并已经有机会变干和/或与抗蚀剂相互作用的衬底的一个或多个部分不必在液体供给系统IH下面通过。
衬底台WT和支撑结构MT的位置控制由能以选择的蜿蜒路线进行预编程的控制器协调。在本发明的实施例中,蜿蜒路线同时针对生产量和减少缺陷进行优化。
图8示出本发明的一个实施例。整个路线110以点线示出并且与图7中一样,每个单独的管芯的阴影表示扫描每个单独的管芯的方向。可以立刻明显看出,每个管芯的扫描方向为基本上平行于衬底运动的第一方向(即步进方向)的方向。衬底处于投影系统之下时的所有运动仅仅处于在或沿着基本上平行于第一方向的方向向后或向前的方向上(基本上平行于第一方向的或基本上反平行于第一方向的或在第一方向内的方向)。这意味着衬底W将移动,以使得管芯1的底部处于曝光能够开始的位置。一旦曝光已经开始,衬底W将相对于假想的静态投影系统沿着页面向下运动,并且同时,图案形成装置MA从一极端扫描到另一极端。一旦管芯1的顶部已经到达并接受完曝光,曝光将停止,然后图案形成装置将移动回其开始位置,然后能够开始第二个管芯的曝光。可以或可以不在管芯1的结束和管芯2的起始之间存在小步进(step)。以这样的方式,衬底以列方式成像(即横跨衬底的管芯(直)线在衬底仅在一个方向上移动的情况下成像)。对多个平行的管芯列成像,以使得能对衬底的所有顶表面成像。衬底的移动方向能在相邻的列之间方便地改变。可看出,衬底的步进和扫描运动已经被组合了。
衬底上和液体供给系统IH下的蜿蜒路线的转向可通过在衬底外部执行那些转向而完全避免(并且那些转向可在衬底台WT的顶表面上有效地进行),即如点线110所示,当衬底不在投影系统下时进行转向。一旦管芯112的第一条线已经成像,衬底W运动反向旋转180°并且管芯114的第二条线进行成像。在管芯114的第二条线的情况下,因为衬底W的整体运动的方向已经改变,所以扫描方向也将改变,以使得扫描和步进方向都是相同的。在图8中考虑蜿蜒路线的一种方式是仅在每个管芯112、114线的末端进行步进。然而,在一个管芯的曝光结束和曝光下一个管芯的起始之间必需发生小步进。
确保一旦所有的管芯已经被曝光,衬底台WT定位在投影系统下,以使得位于衬底台WT上的封闭板(closing plate)在近旁(即在衬底W的成像结束时,与液体供给系统IH位于相同的衬底台WT的一侧),这是有利的。这将缩短生产时间。封闭板能够看作假衬底,为了在衬底交换过程中密封阻挡部件12,以使得液体供给系统IH能保持满液体以防止投影系统PS的最终元件变干,该假衬底位于液体供给系统IH的下侧,例如在图5或图6的阻挡部件12的中心孔的范围。这种确保成像停止在方便的位置的想法也能对其他原因实现。例如,能够在需要被束B照射的传感器附近或在直接进行衬底台交换的边缘附近(例如,随着原衬底台移出,新衬底台通过在原衬底台后面、在投影系统之下移入,简单地替代原衬底台)完成成像。
就所花费的时间量而言,图8的蜿蜒路线比图7所示的标准的蜿蜒路线大约降低了30%的效率。这部分地由于对管芯线中的连续的管芯进行成像的过程中,将图案形成装置MA移动回其开始位置的需要,以及为了蜿蜒路线的转向能发生在衬底W区域的外部,将衬底在管芯线的末端进一步移动一点的需要。生产量的损失能够通过加速图案形成装置的移动得以降低。
图9示出另一个实施例的蜿蜒路线120。在本实施例中,将被曝光的管芯的次序确保衬底W的顶部首先被曝光,并且所有的扫描运动都是向下的。只要颗粒还没有机会变干,液体供给系统IH能随着衬底在其下行进,将颗粒移出液体供给系统IH的路线。因此,该实施例的思想是每次扫描的向下的扫描运动应该导致衬底顶表面的清扫动作,以使得颗粒被朝向衬底的底部推出到衬底的任一侧。当然,扫描和步进可以是向上的(例如,如果衬底台的几何形状与此相适应)。在实施例中,在最后的管芯已经被曝光后,衬底不在液体供给系统IH下方通过。
尽管未在图9中示出,衬底W可由控制器控制,以使得如上述实施例一样仅仅当所述的衬底台WT而不是衬底W位于投影系统下时进行蜿蜒路线的转向。
在图10所示的实施例中,在与相对于图8所述的实施例中的路线相同的路线上来回行进。然而,仅仅每隔一个管芯在蜿蜒路线的第一趟(pass)131曝光,并且还进行第二趟132,没有在第一趟131曝光的那些管芯在第二趟132进行曝光(每次都沿着与步进方向相同的方向扫描)。因此,管芯1通过扫描曝光,跨过将成为管芯31的位置,并且通过扫描曝光管芯2,等等。本实施例中的思想是:由于当衬底W正越过不曝光的管芯移动时,可将图案形成装置沿着与步进方向相同的方向,移动回到下一次扫描的开始位置,所以生产量应该获得提高。在本实施例中,尤其在下一个实施例中,衬底台的速度在一条管芯线成像过程中保持基本上恒定(或者至少台保持运动),以使得步进和扫描运动在相同的速度下进行,且在转换或过渡中没有速度变化。在步进期间,图案形成装置移回开始位置。
另一个类似于相对于图10描述的实施例的实施例如图11所示。从图11可以看出,来回行进蜿蜒路线三趟141、142、143,并且仅仅每隔两个管芯被曝光。其它方面的原理与相对于图10所描述的实施例的原理相同。
另一个实施例如图12所示。在本实施例中,对管芯列进行成像。在向上方向的组合的扫描和步进运动过程中,对除去最下面的管芯(如图所示)的管芯列(线)的每个管芯进行曝光。然后使衬底W的方向反向并且每个管芯在投影系统的下面通过(作为一个步进)直到管芯线的底部管芯到达当被曝光时沿向下方向被扫描的点。这对所有十列管芯进行,并且意味着在投影系统下的衬底的所有区域的最终趟是向下的,而目标是所有颗粒朝向衬底W底部处的衬底台WT的部分被推到液体供给系统IH前面。
另一个实施例如图13所示。在本实施例中,每列管芯在投影系统PS下面通过两次,第一次,沿向上方向而第二次沿向下方向。在每趟,仅仅曝光每隔一个管芯,并且每隔一个管芯通过与衬底W的总体运动方向相同的方向的扫描运动被曝光。因此,在图13中,在第一趟中,通过向上方向的扫描曝光管芯1和2,而跨过将成为管芯4和管芯3的位置。在衬底W已经在投影系统下面通过之后,使衬底的移动方向反向,管芯3和4通过沿向下方向扫描而被曝光。然后,包括管芯5-9的下一条管芯线以相同的方式成像,等等。
另一个实施例如图14所示,在本实施例中,环行两列管芯的环形线在一排中来回行进两次。在环形线的第一趟,第一列管芯在投影系统下面沿向上方向通过,且每隔一个管芯被曝光。于是在第一趟,管芯1和2通过沿向上方向被扫描而被曝光。然后,第二列的管芯3、4、5沿向下方向(在曝光过程中扫描是向下的)在返回路线被曝光(例如,每隔一个管芯被曝光)上。在环形线的第二趟,在环形线的第一趟期间没有曝光的管芯被曝光,因此,管芯6和7通过沿向上方向的扫描曝光,而管芯8和9通过沿向下方向的扫描曝光。
另一个实施例如图15所示。本实施例是包括由长方框180标记的中间部分的混合实施例,所述长方框180标记的中间部分以与图7所示的传统的扫描相同的方式进行扫描。即,扫描和步进方向基本上相互垂直。在中间部分180已经成像之后,接着是清扫路线,在所述清扫路线中,中间部分180之上的颗粒移动到衬底W上方,而在中间部分180下面的颗粒向下移动到衬底W下面。这可通过在中间部分180的外部的管芯的曝光过程中,沿远离衬底中心的方向扫描来实现。
在所有的实施例中,成像可在任意处开始和结束,例如,相对图8所描述的实施例中,成像可分别在顶部右侧或顶部左侧或底部左侧开始,而在顶部左侧或顶部右侧或底部右侧结束。当然,应当理解,任何实施例的任何特征能够与任何其他实施例相结合。
尽管在本文中具体提到将光刻设备用于制造IC,但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用,例如,集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头的制造等。本领域所属技术人员将理解,在这种选择性应用的情况下,可以将这里使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更一般或上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后,在例如显影机(track)(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上,并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、度量工具和/或检验工具中,进行处理。在可应用的情况下,可以将这里公开的内容应用于这些和其他衬底处理工具中。另外,例如为产生多层IC,所述衬底可以处理一次以上,使得这里使用的术语衬底也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射,包括:紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。
在上下文允许的情况下,术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合,包括折射式和反射式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例,应该理解本发明可以用与上述不同的方式实现。例如,本发明可以采取包含一个或更多机器可读指令序列的计算机程序的形式,来描述上述公开的方法,或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如,半导体存储器、磁盘或光盘)。
可以将本发明的一个或更多的实施例应用于任何浸没式光刻设备中,尤其是(但不排除其它情况)上述类型(无论浸没液以池的形式提供还是仅仅位于衬底的局部表面积上)。这里所考虑的液体供给系统应当作广泛地解释。在一定的实施例中,可以是将液体提供给在投影系统和衬底和/或衬底台之间的空隙的装置或结构组合。它可包括将液体提供给空隙的一个或更多个结构、一个或更多个液体进口、一个或更多个气体进口、一个或更多个气体出口,和/或一个或更多个液体出口的组合。在实施例中,空隙的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分,或者空隙的表面可以完全地覆盖衬底和/或衬底台的表面,或者空隙可以包围衬底和/或衬底台。液体供给系统还可以任选地包括一个或更多个控制位置、数量、质量、形状、流量或其他任何液体特征的元件。
以上描述是说明性的,而不是限制。因此,对于本领域普通技术人员显而易见的是,可以在不脱离所附权利要求范围的情况下,对本发明做出修改。

Claims (19)

1.一种光刻设备,包括:
支架,构造成用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;
衬底台,配置成用于保持衬底;
液体供给系统,配置成用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;
投影系统,配置成用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及
控制器,适于在穿过衬底的管芯线的成像过程中协调衬底台和支架的运动,以使得通过在投影系统下仅沿着基本与第一方向平行的方向向后和/或向前的管芯线的运动实现所述衬底台和支架的运动,其中所述第一方向处于基本上平行于顶部表面的平面中。
2.根据权利要求1所述的投影光刻设备,其中,所述控制器还适于在管芯线已经曝光后,当衬底不在投影系统之下时,沿着基本上垂直于第一方向的并在所述平面内的第二方向移动衬底,然后,在穿过衬底的第二条管芯线的曝光过程中,协调衬底台和衬底的运动,以使得通过在投影系统下面仅沿着基本与第一方向平行的方向向后和/或向前的衬底的运动实现所述衬底台和衬底的运动。
3.根据权利要求2所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得当液体供给系统将液体提供到局部区域上时,使衬底进行第二方向的移动。
4.根据权利要求1所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得通过重复对穿过衬底的、一定顺序的多条管芯线的成像而对衬底成像,以使得在最后的管芯线成像以后,定位衬底台,使得衬底台上的封闭板与液体供给系统位于衬底的相同侧,所述封闭板配置成用于关闭液体供给系统的孔。
5.根据权利要求1所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得在管芯线的成像过程中,衬底台仅仅沿一个方向移动。
6.根据权利要求1所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得衬底的整个顶表面通过衬底台仅仅在投影系统下面沿着基本与第一方向平行的方向向后和/或向前运动进行成像。
7.根据权利要求1所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得在管芯线的成像过程中,在投影系统下面移动衬底台,使得每个管芯在投影系统下面通过至少两次。
8.根据权利要求7所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得不一个接一个地扫描管芯线上的连续的管芯。
9.根据权利要求1所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得:
i)所有管芯作为管芯线的部分成像,并且
ii)在相应的管芯线的每一末端处成像的管芯中的每一个都通过沿具有从衬底的中心向外的分量的方向在投影系统下通过而成像。
10.根据权利要求9所述的投影光刻设备,其中,所述控制器适于使得:
将在管芯线中成像的、所述管芯线的最后的管芯位于衬底的开始成像的一半,以便在所述管芯线的成像过程中在投影系统下通过。
11.一种光刻设备,包括:
支架,构造成用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;
衬底台,构造成用于保持衬底;
液体供给系统,配置成用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;
投影系统,配置成用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及
控制器,适于控制支架和衬底台的运动,以使得在衬底上的管芯线的成像过程中,衬底台沿着与顶部表面基本上平行的平面中的第一方向移动,并且支架移动以致在每个管芯的曝光过程中沿着第一方向扫描衬底。
12.一种光刻设备,包括:
支架,构造成用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;
衬底台,构造成用于保持衬底;
液体供给系统,配置成用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;
投影系统,配置成用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及
控制器,适于控制支架和衬底台的运动,以使得在衬底的中心部分的成像过程中,扫描运动基本上垂直于步进运动,而在衬底的外部区域的成像过程中,步进运动和扫描运动是相结合的,或是基本上反平行的。
13.一种光刻设备,包括:
支架,构造成用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;
衬底台,构造成用于保持衬底;
液体供给系统,配置成用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;
投影系统,配置成用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及
控制器,适于控制支架和衬底台的运动,以使得在衬底的顶部表面的至少一部分的成像过程中,衬底台的扫描运动和步进运动,至少部分地结合成一种运动或是基本平行的单独运动。
14.一种光刻设备,包括:
支架,构造成用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够赋予辐射束横截面图案,以形成带图案的辐射束;
衬底台,构造成用于保持衬底;
液体供给系统,配置成用于将液体提供到衬底的顶部表面的局部区域;
投影系统,配置成用于将带图案的辐射束通过液体投影到衬底的目标部分上;以及
控制器,适于控制支架和衬底台的运动,以使得在成像过程中,所有扫描运动沿一个方向。
15.一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中通过在投影系统下仅沿着基本与第一方向平行的方向向后和/或向前的管芯线的运动,对穿过衬底的管芯线进行成像,其中所述第一方向处于与衬底顶部表面基本平行的平面中。
16.一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中通过沿着在基本上平行于衬底的顶部表面的平面中的第一方向移动衬底,并控制带图案的辐射束以使得在每个管芯的曝光过程中沿第一方向扫描衬底,以对管芯线进行成像。
17.一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中在衬底的中心部分的成像过程中,扫描运动基本上垂直于步进运动,而在衬底的外部区域的成像过程中,步进运动和扫描运动是相结合的,或是基本上反平行的。
18.一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中衬底的扫描运动和步进运动至少部分地结合成一种运动或基本平行的单独运动。
19.一种器件制造方法,包括:
用投影系统将带图案的辐射束通过提供于投影系统和衬底之间的液体投影到衬底上,其中在成像过程中,所有扫描运动沿一个方向。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104238278A (zh) * 2013-06-10 2014-12-24 佳能株式会社 曝光装置以及制造物品的方法
CN104793467A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置、掩膜板及曝光方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8134685B2 (en) * 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US20090310115A1 (en) * 2008-06-12 2009-12-17 Nikon Corporation Apparatus and method for exposing adjacent sites on a substrate
EP2151717A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-10 ASML Holding N.V. Full wafer width scanning using step and scan system
NL2003226A (en) * 2008-08-19 2010-03-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method.
JP5354339B2 (ja) * 2008-12-18 2013-11-27 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US8953143B2 (en) * 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member
US8610878B2 (en) * 2010-03-04 2013-12-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
NL2006818A (en) 2010-07-02 2012-01-03 Asml Netherlands Bv A method of adjusting speed and/or routing of a table movement plan and a lithographic apparatus.
NL2008157A (en) * 2011-02-22 2012-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and lithographic projection method.
US8906599B2 (en) 2012-05-17 2014-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Enhanced scanner throughput system and method
JP2016154241A (ja) * 2013-07-02 2016-08-25 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JP5960198B2 (ja) 2013-07-02 2016-08-02 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
US9760027B2 (en) * 2013-10-17 2017-09-12 United Microelectronics Corp. Scanner routing method for particle removal
BR112020007450A2 (pt) 2017-11-21 2020-10-27 Nouryon Chemicals International B.V. microesferas termicamente expansíveis, processo de fabricação das microesferas, microesferas expandidas e processo de fabricação de microesferas expandidas

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US6118515A (en) * 1993-12-08 2000-09-12 Nikon Corporation Scanning exposure method
JPH10303126A (ja) * 1997-02-28 1998-11-13 Nikon Corp 移動シーケンスの決定方法
AU2746799A (en) * 1998-03-09 1999-09-27 Nikon Corporation Scanning exposure method, scanning exposure apparatus and its manufacturing method, and device and its manufacturing method
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000021702A (ja) 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光装置ならびにデバイス製造方法
US6734117B2 (en) * 2002-03-12 2004-05-11 Nikon Corporation Periodic clamping method and apparatus to reduce thermal stress in a wafer
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100446179C (zh) * 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
JP2005072132A (ja) 2003-08-21 2005-03-17 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
DE60319087T2 (de) 2003-10-16 2009-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographische Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
KR100585108B1 (ko) * 2003-11-14 2006-06-01 삼성전자주식회사 스캔 방식의 노광 장치를 이용한 웨이퍼 노광 방법
US7244534B2 (en) 2004-04-23 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method
JPWO2005106930A1 (ja) 2004-04-27 2008-03-21 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4003885B2 (ja) * 2004-08-23 2007-11-07 Tdk株式会社 露光方法および露光装置
JP4625673B2 (ja) 2004-10-15 2011-02-02 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
DE602006012746D1 (de) * 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
US7462429B2 (en) 2005-10-12 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Method and arrangement for correcting thermally-induced field deformations of a lithographically exposed substrate
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7666576B2 (en) * 2006-06-07 2010-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exposure scan and step direction optimization
US7656502B2 (en) 2006-06-22 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104238278A (zh) * 2013-06-10 2014-12-24 佳能株式会社 曝光装置以及制造物品的方法
CN104238278B (zh) * 2013-06-10 2017-01-11 佳能株式会社 曝光装置以及制造物品的方法
US9557657B2 (en) 2013-06-10 2017-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method of manufacturing article
CN106444300A (zh) * 2013-06-10 2017-02-22 佳能株式会社 曝光装置以及制造物品的方法
CN106444300B (zh) * 2013-06-10 2018-08-14 佳能株式会社 曝光装置以及制造物品的方法
CN104793467A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置、掩膜板及曝光方法
CN104793467B (zh) * 2014-01-20 2017-05-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置、掩膜板及曝光方法

Also Published As

Publication number Publication date
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