CN101197284B - 高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，它可以保证有源区和沟道的导通，从而保证了整个非对称高压横向结构扩散型场效应管的有效性。它包括如下步骤：第一步，多晶硅刻蚀；第二步，N型低掺杂源漏注入；第三步，P型低掺杂源漏光罩及P型低掺杂源漏注入；第四步，P型低掺杂源漏光刻胶去除；第五步，侧墙生长及刻蚀；第六步，N型或P型源漏注入；第七步，自对准硅化物阻挡层生长；第八步，自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀；第九步，自对准硅化物阻挡层光刻胶去除。

Description

高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法
技术领域
本发明涉及一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法。
背景技术
现有的高压横向结构扩散型场效应管一般都采用如图1-3所示的工艺，图1-图3是现有高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法的制作工艺示意图；其中图1.a-图3.a为高压非对称横向结构扩散型N型场效应管的制作方法，图1.b-图3.b为高压非对称横向结构扩散型P型场效应管的制作方法。一般先对多晶硅进行刻蚀，如图1所示；然后先完成侧墙的生长和侧墙刻蚀，如图2所示；然后对N型高压横向结构扩散型场效应管进行N型源漏注入，如图1.a所示；对P型高压横向结构扩散型场效应管进行P型源漏注入，如图1.b所示。
但现有的非对称高压横向结构扩散型场效应管目前通常会出现以下两个问题：
1、由于源区和器件的沟道区有一个侧墙隔离，如果源区的扩散不够，就会导致源区和沟道无法导通，从而整个非对称高压横向结构扩散型场效应管就会失效。
2、如果在栅极上加较高的高压，其产生的强电场，可能会导致源区和栅极的击穿电压小于整个非对称高压横向结构扩散型场效应管的击穿电压，从而整个非对称高压横向结构扩散型场效应管就会失效。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，它可以保证有源区和沟道的导通，从而保证了整个非对称高压横向结构扩散型场效应管的有效性。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，该方法中提供了高压非对称横向结构扩散型N型场效应管或高压非对称横向结构扩散型P型场效应管的制作，在进行多晶硅刻蚀之后；包括如下步骤：第一步，在高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域或高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行N型低掺杂源漏注入，形成N型低掺杂源漏注入区；第二步，采用P型低掺杂源漏光罩光刻使光刻胶覆盖住所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域，对所述高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型低掺杂源漏注入，形成P型低掺杂源漏注入区；第三步，步骤二中所述光刻胶去除；第四步，在所述多晶硅两侧形成侧墙；第五步，在所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域进行N型源漏注入，形成N型源漏区；而在高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型源漏注入，形成P型源漏区。
它还包括以下步骤：第六步，进行自对准硅化物阻挡层的生长；第七步，自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀；第八步，自对准硅化物阻挡层光刻胶去除。
因为本发明在多晶硅刻蚀之后，先普注一次N型低掺杂源漏(light doped drain，简称“LDD”)，再用P型LDD的光罩，将高压P型器件的区域打开，使其成为P型，然后在侧墙工艺之后，再进行源漏注入，这样使得有源区和沟道区之间有低掺杂源漏接通，保证器件的有效性。另外，用自对准硅化物阻挡层在源区和侧墙之间形成一个窄条，从而保证源区和栅极之间有足够强的击穿电压，避免器件出现源区和栅极之间的电压击穿失效。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1-图3是现有高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法的制作工艺示意图；其中图1.a-图3.a为高压非对称横向结构扩散型N型场效应管的制作方法，图1.b-图3.b为高压非对称横向结构扩散型P型场效应管的制作方法。
图4-图12是本发明高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法的制作工艺示意图；其中图4.a-图12.a为高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域的制作方法，图4.b-图12.b为高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域的制作方法。
具体实施方式
如图4-图12所示，它们是本发明高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法的制作工艺示意图；其中图4.a-图12.a为高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域的制作方法，图4.b-图12.b为高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域的制作方法。
本发明的制备方法为在进行多晶硅刻蚀之后，如图4所示，它是经过刻蚀后的示意图。此时，在图4.a中是高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域，高压非对称横向结构扩散型N型场效应管的底部是P型衬底，在P型衬底上有N型外延，在N型外延上部设有高压P阱和N型扩散区，在高压P阱和N型扩散区的上部设有三处场氧，而在位于高压P阱上，并位于高压P阱和N型扩散区之间的场氧一侧，依次生长有栅氧、多晶硅和硅化钨。在图4.b中是高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域，与N型场效应管的不同在于，在N型外延上部设有高压N阱和P型扩散区。本发明的制作方法包括如下步骤：
第一步，在高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域和高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域均进行N型低掺杂源漏注入形成N型低掺杂源漏注入区，。在图5.a中，在高压N型器件区域分别在高压P阱和N型扩散区注入形成N型LDD。在图5.b中，在高压P型器件区域分别在高压N阱和P型扩散区注入形成N型LDD。
第二步，采用P型低掺杂源漏光罩光刻使光刻胶覆盖住所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域，对所述高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型低掺杂源漏注入，形成P型低掺杂源漏注入区，如图6.a所示，高压N型器件区域被光刻胶覆盖，图而图6.b所示，高压P型器件区域分别在高压N阱和P型扩散区注入形成P型LDD。
第三步，步骤二中的光刻胶去除，即覆盖高压N型器件区域的光刻胶，如图7.a和图7.b所示。
第四步，在多晶硅两侧形成侧墙，包括侧墙的生长及刻蚀，最终形成如图8.a和图8.b所示的侧墙。
第五步，在所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域进行N型源漏注入，形成N型源漏区；而在高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型源漏注入，形成P型源漏区，图9.a为在高压N型器件区域进行N型源漏注入后的结构，图9.b为在高压P型器件区域进行P型源漏注入后的结构。
第六步，进行自对准硅化物阻挡层的生长，如图10.a和图10.b所示。
第七步，自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀，如图11.a和图11.b所示。
第八步，自对准硅化物阻挡层光刻胶去除，如图12.a和图12.b所示。

Claims (2)

1.一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，提供了高压非对称横向结构扩散型N型场效应管或高压非对称横向结构扩散型P型场效应管的制作，在进行多晶硅刻蚀之后，其特征在于，它还包括如下步骤：
第一步，在高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域或高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行N型低掺杂源漏注入，形成N型低掺杂源漏注入区；
第二步，采用P型低掺杂源漏光罩光刻使光刻胶覆盖住所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域，对所述高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型低掺杂源漏注入，形成P型低掺杂源漏注入区；
第三步，步骤二中所述光刻胶去除；
第四步，在所述多晶硅两侧形成侧墙；
第五步，在所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域进行N型源漏注入，形成N型源漏区；而在高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型源漏注入，形成P型源漏区。
2.如权利要求1所述的高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，其特征在于，它还包括以下步骤：
第六步，进行自对准硅化物阻挡层的生长；
第七步，自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀；
第八步，自对准硅化物阻挡层光刻胶去除。
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