CN101175978B - 红外线传感器及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 208
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 20
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 2
- 206010045178 Tunnel vision Diseases 0.000 description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 42Ni Chemical class 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000031481 Pathologic Constriction Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 102000054766 genetic haplotypes Human genes 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 208000037804 stenosis Diseases 0.000 description 1
- 230000036262 stenosis Effects 0.000 description 1
- 208000011908 tetrasomy Diseases 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0271—Housings; Attachments or accessories for photometers
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/068—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling parameters other than temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0801—Means for wavelength selection or discrimination
- G01J5/0802—Optical filters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0875—Windows; Arrangements for fastening thereof
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J2001/0276—Protection
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
本发明提供了一种不需要复杂的构造或复杂的制造工序,可提高光学滤光器和封装的接合可靠性的红外线传感器,以及电磁屏蔽性能优异的红外线传感器。在光学滤光器(3)的周边部的、与封装(2)的开口部(2a)的周边区域相面对的区域,以围绕光学滤光器的周边部的方式形成槽(80)。另外,作为光学滤光器(3)使用电阻为1MΩ/cm以下的光学滤光器,作为封装使用以金属材料构成主要部分的封装,作为使光学滤光器(3)和封装(2)接合的粘接剂使用导电性粘接剂(7)。另外,在使用由滤光器本体以及在该滤光器本体的表面形成有由绝缘性材料构成薄膜的光学滤光器时,形成:形成有由绝缘性材料构成的薄膜的面到滤光器本体这样深度的槽。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有将红外线传感器元件收纳在封装中的构造的红外线传感器及其制造方法,更详细地说,是涉及具有将红外线传感器元件收纳在由起到封盖作用的光学滤光器和封装所形成的密封空间内的构造的红外线传感器及其制造方法。
背景技术
在以往的红外线传感器中具有下述的红外线传感器,如图16(a)、(b)所示,在由封装本体51和基座(stem)52形成的密封空间53中收纳红外线元件54,而且在封装本体51的上面侧具有配置了滤光器(窗口材料)57的构造,该滤光器57在该基板55的表里两主面具备使规定的波长的红外线通过的红外线滤光器56a、56b(参照专利文献1)。
而且,在该红外线传感器中,如图16(b)所示,在滤光器57的下面侧的周边部设置阶梯部57a,以将该阶梯部57a与封装本体51的上面侧的开口部58接合的状态,通过焊锡60将在滤光器57的阶梯部57a的表面由溅射法形成的金属薄膜59和封装本体51的开口部58接合,由此将滤光器57安装在封装本体51的开口部58。
但是,在上述的专利文献1的方法的情况下,如图16(b)所示,滤光器57的周边部形成阶梯部57a之后,进一步需要通过溅射法等方法在阶梯部57a的表面形成金属薄膜59,存在制造工序复杂,导致成本增大的问题。
另外,在通过焊锡60将在滤光器57的阶梯部57a形成的金属薄膜59和封装本体51的开口部58接合时,难以使焊锡60围绕封装本体51的开口部58全面地遍及而使滤光器57和封装本体51可靠地接合,另外,当阶梯部57a和封装本体51的开口部58之间的间隙发生偏差时,存在焊锡60流入滤光器57下面侧的红外线滤光层56b侧(即,红外线滤光层56a 的中央区域)的顾虑,并存在遮挡视野等,可靠性降低的问题。
另外,如图17所示,提出了具有如下构造的红外线传感器方案:即在陶瓷封装61的开口部62的周边所形成的阶梯部63中,在下面侧安装红外线传感器元件64,并在上面侧以仅一部分(窗口部)67通过红外线的方式嵌入封盖构件65,该封盖构件65在窗口部67以外的区域配置由红外线遮断膜68,通过在封盖构件65和陶瓷封装61的开口部62的间隙填充聚酯树脂等填充材料66,将封盖构件65安装在陶瓷封装61。
但是,在该专利文献2的方法的情况下,存在不能使填充材料66充分地遍及封盖构件65和陶瓷封装61的相面对的面而难免无法进行充分稳定的封固的问题。
另外,还存在如下问题:即若想要使填充材料66遍及到封盖构件65和陶瓷封装61的相面对的面,则会担心填充材料66流入到封盖构件65的下面侧中央区域。
专利文献1:特开平6-201454号公报;
专利文献2:特开平10-318829号公报。
发明内容
本发明申请解决了上述问题,提供了一种不需要复杂的构造或复杂的制造工序,不会产生粘结剂流入到对光学滤光器的视野进行遮挡的区域这样的弊端,具备可以提高光学滤光器和封装的接合可靠性的构成、可靠性高的红外线传感器及其制造方法,进一步,提供一种电磁屏蔽性能优异,耐电磁波特性良好的红外线传感器及其制造方法。
为了解决上述问题,本发明第1项的红外线传感器的特征在于,具备:
红外线传感器元件;
与表面安装相对应的封装,其具有一个面开口的箱形形状,从而将上述红外线传感器元件收纳于内部;以及
光学滤光器,其以使规定波长的红外线通过的方式构成,并以覆盖上述封装的开口部的方式配置,周边部通过粘结剂与上述封装的上述开口部的周边区域接合,同时发挥使上述红外线传感器元件接收规定波长的红外线的功能以及作为封盖密封上述开口部的功能,
在上述光学滤光器的周边部的、与上述封装的上述开口部的周边区域相面对的区域,形成围绕上述光学滤光器的槽,该围绕上述光学滤光器的槽的端到达光学滤光器的端部。
本发明第2项的红外线传感器的特征在于,在上述的上述本发明第1项的发明的构成中,
上述光学滤光器是阻抗为1MΩ/cm以下的光学滤光器,
上述封装使用金属材料构成主要部分,
接合上述光学滤光器和上述封装的粘结剂是导电性粘结剂,上述光学滤光器和上述封装通过该导电性粘结剂实现电连接。
本发明第3项的红外线传感器的特征在于,在上述的上述本发明第1项或第2项的发明的构成中,
上述光学滤光器具备:滤光器本体,其同时实现使上述红外线传感器元件接收规定波长的红外线的功能和作为封盖而密封上述开口部的功能;以及薄膜,其形成在该滤光器本体的表面并由绝缘性材料构成,
围绕上述光学滤光器的槽,以从形成有由上述绝缘性材料构成的薄膜的面到达上述滤光器本体的方式形成。
本发明第4项的红外线传感器的特征在于,在上述的上述本发明第1项~第3项中的任何一项的发明的构成中,
上述封装的上述开口部的周边区域,嵌入在围绕上述光学滤光器的槽中。
本发明第五项的红外线传感器的特征在于,在上述的上述本发明第1~第3项中任一项所述的发明的构成中,
具备:
在一片即包括多个红外线传感器的光学滤光器的母光学滤光器中进行分割后,形成槽的工序,其中所述槽成为围绕上述光学滤光器的槽;
对上述槽及其附近附与粘接剂的工序;
以上述开口部的周边区域与附加在上述槽及其附近的粘接剂相接触的方式,将收纳有上述红外线传感器元件的多个上述封装载置于上述母光学滤光器上,并借助于上述粘接剂而粘接固定于上述母光学滤光器的工序;以及
以规定的位置分割上述母光学滤光器,而成为各个红外线传感器的工序。
本发明第6项的红外线传感器的特征在于,在上述的上述本发明第4项的发明的构成中,
在一片即包含多个红外线传感器的光学滤光器的母光学滤光器上进行分割后形成槽的工序,所述槽成为围绕上述光学滤光器的槽;
以上述开口部的周边区域,嵌入在形成于上述母光学滤光器并成为围绕上述光学滤光器的槽的槽的状态,将收纳了上述红外线传感器元件的、多个上述封装搭载于上述母光学滤光器上,并通过粘接剂在该状态下将多个上述封装粘接固定于上述母光学滤光器的工序;以及
以规定位置分割上述母光学滤光器而成为各个红外线传感器的工序。
本发明第1项的红外线传感器,具备:红外线传感器元件;与表面安装相对应的封装,其具有一个面开口的箱形形状,从而将上述红外线传感器元件收纳于内部;以及光学滤光器,其以使规定波长的红外线通过的方式构成,并以覆盖上述封装的开口部的方式配置,周边部通过粘结剂与上述封装的上述开口部的周边区域接合,同时发挥使上述红外线传感器元件接收规定波长的红外线的功能以及作为封盖密封上述开口部的功能,在上述光学滤光器的周边部的、与上述封装的上述开口部的周边区域相面对的区域,形成围绕上述光学滤光器的槽。因此,借助于保持在槽中粘接剂,光学滤光器的周边部可靠地粘接在封装开口部的周边区域。
另外,以围绕光学滤光器的周边部的方式形成的槽,起到保持粘接剂的功能,由此能够可靠地抑制并防止粘接剂从光学滤光器的周边部流入到中央区域。
因此,能够得到如下那样的红外线传感器;即不需要复杂构造或复杂的制造工序,且能够防止粘接剂流入光学滤光器的不期望的区域而使视野变狭窄,同时可以使光学滤光器和封装可靠地粘接,经济性优异,且可靠性高。
另外,如本发明第2项的红外线传感器那样,在本发明第的发明构成中,使用电阻为1MΩ/cm以下的光学滤光器作为光学滤光器,作为封装使用金属材料构成封装的主要部分,使用导电性粘接剂作为接合光学滤光器和封装的粘接剂,光学滤光器和封装通过该导电性粘接剂电连接时,红 外线传感器元件收纳在由互相电连接的电光学滤光器和封装构成的密封空间中。因此可以得到电磁屏蔽性能优异,耐电磁波特性良好的红外线传感器。
另外,如本发明第3项的红外线传感器那样,在本发明第1或2项的发明构成中,上述光学滤光器具备:滤光器本体,其同时实现使上述红外线传感器元件接收规定波长的红外线的功能和作为封盖而密封上述开口部的功能;以及薄膜,其形成在该滤光器本体的表面并由绝缘性材料构成,围绕上述光学滤光器的槽,以从形成有由上述绝缘性材料构成的薄膜的面到达上述滤光器本体的方式形成。即使在此种情况下,也能够通过槽中所保持粘接剂,使光学滤光器周边部与封装的开口部的周边区域可靠地接合。
因此,能够得到如下那样的红外线传感器:即使使用在滤光器本体的表面形成有由绝缘性材料构成的薄膜的光学滤光器的情况下,也不需要复杂的构造或复杂的制造工序,且防止粘接剂流入到光学滤光器不期望的区域而使视野狭窄,并可使光学滤光器和封装可靠地接合,经济性优异且可靠性高。
另外,由于从形成有由绝缘性材料构成的薄膜的面到达滤光器本体的深度的槽中可以保持足够的导电性粘接剂,因此可以通过导电性粘接剂可靠地使光学滤光器与封装电连接,并在由互相电连接的光学滤光器和封装构成的密封空间中收纳红外线传感器元件,因此,可以得到电磁屏蔽性能优异、可靠性高的红外线传感器。
另外,本发明申请中所使用的滤光器本体的材质,例示了单晶硅、石英或蓝宝石、氟化钡、尖晶石等。但是在本发明申请中,也可以使用其他的材质作为滤光器本体的材质。
另外,在本发明申请中,例如可以使用ZnS、Ge等作为构成上述薄膜的绝缘性材料。
另外,如本发明第4项的红外线传感器那样,在本发明第1~3项中的任一项发明的构成中,做成将封装的上述开口部的周边区域嵌入围绕光学滤光器的槽的结构,由此可以提高将光学滤光器安装到封装时的位置精度,而且可以防止安装后的光学滤光器的错位,从而提高可靠性。
另外,本发明第5项所述的红外线传感器的制造方法的特征在于,在一片即包括多个红外线传感器的光学滤光器的母光学滤光器中进行分割后,形成槽,其中所述槽成为围绕上述光学滤光器的槽,对上述槽及其附近附与粘接剂,以上述开口部的周边区域与附加在上述槽及其附近的粘接剂相接触的方式,将多个上述封装载置于上述母光学滤光器上,并借助于上述粘接剂而粘接固定于上述母光学滤光器后,以规定的位置分割上述母光学滤光器,而成为各个红外线传感器。因此在制造工序中,母光学滤光器起到用于搬运封装的托盘或基板而发挥作为,在封装的粘接固定后,通过分割母光学滤光器,以所谓的多个处理的方法,高效地制造红外线传感器。
另外,本发明第6项的红外线传感器的制造方法,是用于制造本发明第4项所述的红外线传感器的方法,在一片即包含多个红外线传感器数量的光学滤光器的母光学滤光器进行分割后,形成槽,该槽成为围绕光学滤光器的槽;以开口部的周边区域嵌入形成于母光学滤光器的、围绕光学滤光器的槽的状态,将多个封装搭载于母光学滤光器上,在该状态下将多个封装粘接固定于母光学滤光器后,在规定位置分割母光学滤光器,因此在制造工序中,母光学滤光器起到作为搬运封装的托盘或基板的作用,在封装的粘接固定后,通过将母光学滤光器分割,用所谓多个处理的方法,可以高效地制造红外线传感器。
另外,封装的开口部的周边区域,以嵌入在形成于母光学滤光器、并成为围绕光学滤光器的槽的的槽方式,将多个封装搭载于母光学滤光器上,因此在之后的处理工序中难以发生封装的错位,因此可以作为所谓的多个处理的方法,更加高效地制造可靠性高的红外线传感器。
另外,在该技术方案6的红外线传感器的制造方法的情况下,以封装的开口部的周边区域嵌入在形成于母光学滤光器的、成为围绕光学滤光器的槽的槽的方式,搭载于母光学滤光器上,因此难以产生错位,在搭载封装之前供给粘接剂当然不用说,也可以构成为在搭载封装之后供给粘接剂而将封装粘接固定母光学滤光器,由此能够提高制造工序的自由度,推进制造方法的合理化,实现成本降低。
附图说明
图1(a)是示意性地表示本发明的一实施例(实施例1)所涉及的红外线滤光器剖面图,(b)是其立体图。
图2(a)是表示实施例1的红外线传感器中所使用的光学滤光器的构成的立体图,(b)是表示其主要部分放大的图。
图3是本发明的一实施例(实施例1)所涉及的红外线传感器的主要部分构成的图。
图4(a)是示意性地表示本发明其他实施例(实施例2)所涉及的红外线传感器的剖面图,(b)是其立体图。
图5(a)是表示实施例2的红外线传感器中所使用的光学滤光器的构成的立体图,(b)是表示其主要部分的放大图。
图6是表示本发明的实施例2所涉及的红外线传感器的主要构成的图。
图7是表示本发明的实施例3所涉及的红外线传感器的制造方法的一工序的图。
图8是表示本发明的实施例3所涉及的红外线传感器制造方法的另一工序的图。
图9是表示本发明的实施例3的所涉及的红外线传感器的制造方法的又一另一工序的图。
图10(a)是示意地表示本发明的一实施例(实施例4)所涉及的红外线传感器剖面图,(b)是其立体图。
图11(a)是表示实施例4的红外线传感器中所使用的光学滤光器的构成的立体图,(b)是其立体图。
图12是表示本发明的一实施例(实施例4)所涉及的红外线传感器的主要部分的构成的图。
图13是表示本发明的本发明实施例5所涉及的红外线传感器的制造方法的一工序的图。
图14是表示本发明实施例5所涉及的红外线传感器的制造方法的另一工序的图。
图15是表示本发明的实施例5所涉及的红外线传感器的制造方法的 又一另一工序的图。
图16(a)、(b)是表示现有红外线传感器的构成的图。
图17是表示现有的另一红外线传感器的构成的图。
图中:1-红外线传感器元件,1a-热电元件,2-封装,2a-封装的开口部,2b-内部(密封空间),3-光学滤光器,3-绝缘性材料,5-外部连接端子(外部电极),6-绝缘体(玻璃),7-导电性粘接剂,8(8a、8b、8c、8d)-槽,10a、10c-电极(受光电极),11-布线图案,12-支撑部(基座),13-旁路电容器,14-FET,15-电阻,22-开口部的周边区域(前端部),33-滤光器本体,34-由绝缘性材料构成的薄膜,43-母(mother)光学滤光器,80-环状的槽,80a-槽,D1、D2、D3-槽的深度,L-光学滤光器长度,L1、L2、L3-从光学滤光器的端部到槽的宽度方向的中心的距离,T-光学滤光器的厚度,W-光学滤光器的宽度,W1、W2、W3-槽的宽度。
实施方式
以下,表示本发明的实施例,进一步详细说明本发明的特征之处。
实施例1
图1(a)是示意地表示本发明的一实施例(实施例1)所涉及的红外线传感器的剖面图,图1(b)是其立体图,图2(a)是表示该实施例1的红外线传感器中所使用的光学滤光器的构成的立体图,图2(b)是表示其主要部分的放大图。
该红外线传感器,具有;红外线传感器元件1;与表面安装相对应的金属制封装2,其将红外线传感器元件1收纳于其内部空间(密封空间)2b,并具有一个面(在图1(b)中上面侧)开口的箱形的形状,且内部具备布线图案11,将红外线传感器元件收纳在其内部;光学滤光器3,其以覆盖封装2的开口部2a的整体的方式配置,同时实现使红外线传感器元件1接收规定波长的红外线的功能和作为盖子密封封装2的开口部2a的功能。
作为红外线传感器1使用所谓的双体型(デユアルタイプ)的红外线传感器元件,构成为:将在厚度方向分极的热电元件1a的表面配置的两 个电极(受光电极)10a、10b串联且反极性连接,使同时输入到两个受光电极10a、10b的外部噪声(周围环境的温度变化等)抵消。
另外,作为封装2是箱形,使用上面的大致全部开口的金属制(例如,42Ni、磷青铜、黄铜、锌白铜(洋はく)、铁等金属制成)的封装,封装2的内侧和外侧的一部分,例如用玻璃或LCP树脂(液晶聚合体)等绝缘性材料4作内衬。而且在该绝缘性材料4的表面,形成红外线传感器构成所需要的布线图案11。
另外,封装2的开口部2a的平面形状做成长方形。进而,在封装2的底面,配置用于支撑红外线传感器元件1的支撑部(基座)12,红外线传感器元件1被支撑在支撑部(基座)12上。
在封装2的内部还按与没有特别图示的电极或布线导通的方式,配置有构成红外线传感器所需要的旁路电容13、FET14、电阻15。
另外,在该实施例1的红外线传感器中,在金属制的封装2的规定位置,以与封装2不导通的方式,设置由绝缘体(该实施例1中为玻璃)6绝缘的外部连接端子(外部电极)5。而且,配置在封装2内的红外线传感器元件1,构成为通过配置在封装2内的布线图案或外部连接端子(外部电极)5与外部电连接。
另外,作为光学滤光器3使用由阻抗为1MΩ/cm以下且使规定波长的红外线通过的单晶硅构成光学滤光器,该光学滤光器3具有与封装2的上表面的开口部2a大致对应的长方形的平面形状。另外,在该实施例1中使用的光学滤光器3的尺寸,长度(L)=8.8mm,宽度(W)=6.8mm,厚度(T)=0.5mm。
而且,如图2(a)、(b)所示,在光学滤光器3的周边部的、与封装2的开口部2a的周边区域相面对的区域,与光学滤光器3的各边平行地形成槽8(8a、8b、8c、8d),并通过从各个槽8的两端部与其他的槽8交叉的部分起将外侧除去后(两端侧)的部分(内侧的部分),形成围绕光学滤光器3的周边部的环状的槽80。
另外,在该实施例中,使用厚度为0.30mm的切割刀,而半切割光学滤光器3,从而形成各个槽8。
另外,关于槽8(80),深度(D1)=0.1mm,宽度(W1)=0.30mm (刀刃宽度),自光学滤光器3的端部开始到槽8(80)的宽度方向的中心为止的距离(L1)为0.24mm。
而且,如图3所示,在该实施例1的红外线传感器中,光学滤光器3的周边部的、与封装2的开口部2a相面对的面的、包含环状的槽80的区域,与封装2的开口部2a的周边区域,通过导电性粘接剂7机械地接合,封装2的开口部2a被光学滤光器3可靠地密封,且光学滤光器3和封装2通过导电性粘接剂7可靠地电连接。
在上述那样构成的红外线传感器中,光学滤光器3的周边部的、与封装2的开口部2a的周边区域相面对的区域,形成围绕光学滤光器3的周边部而配置的环状的槽80,通过以围绕光学滤光器3的周边部的方式配置保持在环状的槽80上的导电性粘接剂7,光学滤光器3的周边部与封装2的开口部2a的周边区域接合,光学滤光器3和封装2可靠地实现机械和电学上的连接。
因此,可以提供一种红外线传感器,其不必需要复杂的构造或复杂的制造工序,并提高了光学滤光器3和封装2的接合可靠性,而且,红外线传感器元件1,被收纳在由互相电连接的光学滤光器3和封装2构成的密封空间2b内、电磁屏蔽性高、并具有良好的耐电磁波特性。
另外,在该实施例1的红外线传感器中,围绕在光学滤光器3的周边部的环状槽80,实现保持导电性粘接剂7的功能,因此可以防止和抑制导电性粘接剂从光学滤光器3的周边部流入到中央区域的问题,并确保足够的视野,且实现较高的检测可靠性。
另外,在该实施例1中,作为光学滤光器3所使用的光学滤光器本体,使用由低电阻材料构成的光学滤光器本体,但是在使用绝缘性材料构成的光学滤光器本体时,也能够不需要复杂的制造工序,可靠地连接光学滤光器3和封装2,且可以抑制、防止导电性粘接剂7从光学滤光器3的周边部流入中央区域,从而确保足够的视野(即、在中央区域使规定波长的红外线可靠地通过),从而可以得到可靠性高的红外线传感器这样的本发明的基本效果。
即,本发明与光学滤光器的构成无关,也可以适用在使用各种光学滤光器的情况,例如,
(1)光学滤光器由低电阻构成的情况(实施例1的情况),
(2)光学滤光器为在由绝缘性材料构成的滤光器本体(层)的表面配置低电阻材料(层)的情况,
(3)光学滤光器为在低电阻材料构成的滤光器本体(层)的表面配置低电阻材料的情况,
(4)光学滤光器为在低电阻材料构成的滤光器本体(层)的表面配置绝缘性材料的情况(后述的实施例2的情况)
上述当中的任一种情况均可适用。
另外,该实施例1的红外线传感器,因为封装2具备布线图案11,因此可以减少在其他部件中应该形成的布线图案,实现产品的小型化或部件数目的削减。
另外,因为可以将光学滤光器3不通过其他部件而与封装2接合,因此可以实现产品的小型化,且简化制造工序,谋求降低成本。
进一步,因为封装2具备支撑红外线传感器元件1的支撑部(基座)12,所以不需要其他的支撑部件,可以进一步谋求部件数目的削减或部件的小型化。
另外,封装2的底部因为起到了以往的红外线传感器的基座的功能,所以在这一点也可以谋求产品小型化。
实施例2
图4(a)是示意地表示本发明的其他实施例(实施例2)所涉及的红外线传感器的构成的剖面图,图4(b)是其立体图,图5(a)是在该实施例2的红外线传感器中所使用的光学滤光器的构成的立体图,图5(b)是其主要部分放大图。
该实施例2的红外线传感器,
(a)光学滤光器3具有如下那样的双层构造,即具备:阻抗为1MΩ/cm以下且使规定波长的红外线通过的滤光器本体33:在与形成于封装2的开口部2a的周边区域接合的侧的表面(图4(b)中的下表面)通过蒸镀形成的由绝缘性材料构成的薄膜34,
(b)光学滤光器3的、由绝缘性材料构成的薄膜34所形成的面的、在与封装2的开口部2a的周边区域相面对的区域,以围绕光学滤光器3 的周边部的方式形成从形成有薄膜34的面开始到达滤光器本体33的、深度为D2(图5(b))的环状的槽80,
上述构成为与上述实施例1不同的构成,但是在其他的方面,具备与上述实施例1的红外线传感器同样的构成。
另外,在该实施例2中,将光学滤光器3中所形成的槽的宽度设为W2,将从光学滤光器3的端部到槽8(80)的宽度方向的中心的距离设为L2。
另外,在图4(a)、(b),图5(a)、(b)和图6中,与图1(a)、(b)、图2(a)、(b)和图3赋予同一符号的部分表示同一或相当的部分。
该实施例2的红外线传感器中,如图4(a)、(b),图5(a)、(b)和图6所示,光学滤光器3的、形成有由绝缘性材料构成的薄膜34的面的周边部的、与封装2的开口部2a的周边区域相面对的区域,以围绕光学滤光器3的周边部的方式,形成:从形成有绝缘性材料构成的薄膜34的面起到达滤光器本体33的环状槽80,与上述实施例1的红外线传感器的情况同样,可以借助于配置在光学滤光器3中的环状的槽80中所保持的导电性粘接剂7,将光学滤光器3的周边部可靠地接合在封装2的开口部2a的周边区域。
另外,在该实施例2的红外线传感器中,作为光学滤光器3使用在表面形成有由绝缘性材料构成的薄膜34的光学滤光器,但是因为上述环状的槽80以从形成有薄膜34的面到达光学滤光器本体33的方式形成,所以借助于在环状的槽80中保持的导电性粘接剂7可以可靠地将光学滤光器3和封装2电连接。因此,红外线传感器元件1,收纳在由互相电连接的光学滤光器3和封装2形成的密封空间2b内,可以得到电磁屏蔽性优异的红外线传感器。
另外,在该实施例2的红外线传感器中,以围绕光学滤光器3的周边部的方式形成的环状的槽80也起到保持导电性粘接剂7的功能,因此可以防止、抑制导电性粘接剂7从光学滤光器3的周边部流入到中央区域,从而确保足够的视野,并实现较高的检测可靠性。
另外,该实施例2的红外线传感器,其他方面,达到与上述实施例1 的红外线传感器同样的效果:即因为封装2具备布线图案11而减少了应该形成在其他部件中的布线图案,从而可以谋求产品的小型化或部件数目的削减;因为不通过其他件而使光学滤光器3与封装接合,因此能够谋求产品小型化、制造工序简化方面;因为封装2具备用于支撑红外线传感器元件1的支撑部(基座)12,而不必需要另外的支撑部件,因此能够进一步谋求产品数量的削减或产品的小型化。
另外,在上述实施例1和2中,以使用热电元件的所谓的双体型的热电型的红外线传感器元件的情况为例说明了红外线传感器元件,但是本发明中,对于红外线传感器元件的类型没有特别的限制,在使用单体型或四体型(クワツドタイプ)或热电堆(サ一モパイル:thermopile)、光电二极管型等各种红外线传感器元件的红外线传感器中也可以使用本发明。
实施例3
图7~9是本发明的其他的实施例(实施例3)所涉及的红外线传感器的制造方法(在该实施例3中为上述实施例1的红外线传感器的制造方法)的图。
该实施例3的红外线传感器的制造方法是涉及如下的红外线传感器的制造方法:即在一片母光学滤光器中搭载收纳红外线传感器元件的多个封装,在粘接固定的状态下,分割成各个红外线传感器,从而可以同时制造多个红外线传感器。
按照该实施例3的方法,首先例如如图7所示,在一片即包括多个红外线传感器的光学滤光器3的母光学滤光器43进行分割后,形成成为围绕光学滤光器3的槽80的槽80a。
然后,对成为围绕光学滤光器3的槽80的槽80a及其附近赋予导电性粘接剂7。
接着,如图8所示,将收纳有红外线传感器元件的多个封装2,以开口部的周边区域与被附加在槽80a及其附近的导电性粘接剂7接触的方式,载置在母光学滤光器43上。
而且,通过使导电性粘接剂7硬化,将多个封装2固定粘接在母光学滤光器43。
然后,以规定的位置分割母光学滤光器43,得到各个红外线传感器(图 9)。
根据实施例3的方法,可以用所谓的多个处理的方法,高效地制造红外线传感器。
实施例4
图10(a)示意性地表示本发明的其他实施例(实施例4)所涉及的红外线传感器的构成的剖面图,图10(b)是其立体图,图11(a)是表示该实施例4的红外线传感器中所使用的光学滤光器的构成的立体图,图11(b)是表示放大其主要部分的图。另外,图12是表示封装的开口部的周边区域嵌入到围绕光学滤光器的槽的状态的图。
该实施例4的红外线传感器,如图10~图12所示,封装2的开口部2a的周边区域(前端部)22嵌入到围绕光学滤光器3的、由槽8a、8b、8c、8d组成的环状的槽80中,封装2的前端部22通过导电性粘结剂7固定粘接在光学滤光器3的槽80。
另外,在该实施例4的红外线传感器中,环状的槽80的宽度按照比封装2的周边区域(前端部)22的宽度大,从而比周边区域(前端部)22的宽度大的方式构成,并以将封装2载置在光学滤光器3上时周边区域(前端部)22嵌入到光学滤光器3的槽80的方式而构成。
另外,关于槽8(80),深度(D3)=0.1mm,宽度(W3)=0.04mm(刀刃的宽度),且从光学滤光器3的前端部到槽8(80)的宽度方向的中心的距离(L3)为0.24。
其他的构成,与上述实施例1的情况相同。
另外,图10(a)、(b),图11(a)、(b)和图12中,附加与图1(a)、(b),图2(a)、(b)和图3相同的符号的部分,表示相同或相当的部分。
该实施例4的红外线传感器,如上所述,具有封装2的开口部2a的周边区域(前端部)22嵌入到围绕光学滤光器3的槽80中的构成,从而可以提高将光学滤光器3安装到封装2时的位置精度,而且可以防止移动后的光学滤光器3的错位,可以得到可靠性高的红外线传感器。
另外,该实施例4的红外线传感器在其他方面也可以得到以在上述实施例1、2的红外线传感器中所得到的效果为基准的效果。
另外,在该实施例4的红外线传感器中,与上述实施例2的情况同样,作为光学滤光器3,可以使用具有滤光器本体和具有由绝缘性材料构成的薄膜的两层构造的光学滤光器。
实施例5
图13~15是表示本发明的另一实施例(实施例5)所涉及的红外线传感器的制造方法(在该实施例5中为上述实施例4的红外线传感器制造方法)的图。
该实施例5的红外线传感器的制造方法是涉及下述的红外线传感器的制造方法:在一片母光学滤光器上载置收纳有红外线传感器元件的多个封装,以粘接固定的状态,分割为各个红外线传感器,从而可以同时制造多个红外线传感器。
根据该实施例5的方法,首先,例如图13所示,对一片即包含有多个红外线传感器的光学滤光器3的母光学滤光器43进行分割后,形成槽80a,该槽80a成为围绕光学滤光器3的槽80。
另外,槽80a形成为具有封装2的开口部2a的周边区域(前端部)22可嵌入的宽度。
然后,对成为围绕光学滤光器3的槽80的槽80a赋予导电性粘结剂7。
接着,如图14所示,将收纳有红外线传感器元件的多个封装2,以开口部的周边区域嵌入槽80a并与槽80a中所附加的导电性粘结剂7接触的方式,载置在母光学滤光器43上。
而且,通过使导电性粘结剂7硬化,将多个封装2粘接固定在母光学滤光器43。
然后,在规定的位置分割母光学滤光器43,得到各个红外线传感器(图15)。
根据该实施例5的方式,能够以所谓的多数获取的方法高效地制造红外线传感器。
另外,对于该实施例5的红外线传感器的制造方法的情况,封装2的开口部2a的周边区域(前端部)22以嵌入在形成于母光学滤光器43的成为围绕光学滤光器的槽的槽80a的方式,搭载在母光学滤光器43上,因此,难以产生错位,在搭载封装2之前供给粘接剂当然不用说,也可以构成为在搭载封装2之后供给粘接剂而将封装2粘接固定在母光学滤光器43,因此可以提高制造工序的自由度,谋求制造方法的合理化。
另外,在上述实施例1~5中,以使用单晶硅构成的光学滤光器的情况为例进行说明,但是作为光学滤光器本体,也可以使用在除了单晶硅以外的例如石英或蓝宝石、氟化钡、尖晶石等使红外线通过的各种材料构成的光学滤光器本体。
另外,在使用石英等绝缘物构成的滤光器本体的情况下,可以通过在本体表面蒸镀金属膜等使之具有导电性。
另外,本发明,进一步在其他方面也不限于上述实施例1~5,关于封装的具体构成或形状、用于对光学滤光器和封装进行接合的粘接剂(导电性粘接剂)的种类等,在发明的范围内可以增加各种应用、变形。
产业上的应用可能性
如上所述,根据本发明,可以不需要复杂的构成或复杂的制造工序,防止粘接剂流入到光学滤光器的不期望的区域而使视野狭窄,同时能够使光学滤光器和封装可靠地接合。
另外,根据本发明,可以容易且可靠地将红外线传感器元件收纳在由互相电连接的光学滤光器和封装形成的密封空间内,从而提高红外线传感器的电磁屏蔽性。
因此,本发明可以广泛地用于在人体检测、防止犯罪机器等中使用的通用的红外线传感器的视野。
Claims (6)
1.一种红外线传感器,其特征在于,具备:
红外线传感器元件;
与表面安装相对应的封装,其具有一个面开口的箱形形状,从而将上述红外线传感器元件收纳于内部;以及
光学滤光器,其以使规定波长的红外线通过的方式构成,并以覆盖上述封装的开口部的方式配置,其周边部通过粘结剂与上述封装的上述开口部的周边区域接合,同时发挥:使上述红外线传感器元件接收规定波长的红外线的功能以及作为密封上述开口部的封盖的功能,
在上述光学滤光器的周边部的、与上述封装的上述开口部的周边区域相面对的区域,形成围绕上述光学滤光器的槽,该围绕上述光学滤光器的槽的端到达光学滤光器的端部。
2.根据权利要求1所述的红外线传感器,其特征在于,
上述光学滤光器是阻抗为1MΩ/cm以下的光学滤光器,
上述封装使用金属材料构成主要部分,
接合上述光学滤光器和上述封装的粘结剂是导电性粘结剂,上述光学滤光器和上述封装通过该导电性粘结剂实现电连接。
3.根据权利要求1或2所述的红外线传感器,其特征在于,
上述光学滤光器具备:滤光器本体,其同时实现使上述红外线传感器元件接收规定波长的红外线的功能和作为密封上述开口部的封盖的功能;以及薄膜,其形成在该滤光器本体的表面并由绝缘性材料构成,
围绕上述光学滤光器的槽,以从形成有由上述绝缘性材料构成的薄膜的面到达上述滤光器本体的方式形成。
4.根据权利要求1或2所述的红外线传感器,其特征在于,
上述封装的上述开口部的周边区域,嵌入在围绕上述光学滤光器的槽中。
5.一种用于制造权利要求1~3中任一项所述的红外线传感器的制造方法,其特征在于,
具备:
在一片即包含多个红外线传感器的光学滤光器的母光学滤光器中进行分割后,形成槽的工序,其中所述槽成为围绕上述光学滤光器的槽;
对上述槽及其附近附与粘结剂的工序;
以上述开口部的周边区域与附加在上述槽及其附近的粘结剂相接触的方式,将收纳有上述红外线传感器元件的多个上述封装载置于上述母光学滤光器上,并借助于上述粘结剂而粘接固定于上述母光学滤光器的工序;以及
以规定的位置分割上述母光学滤光器,而成为各个红外线传感器的工序。
6.一种用于制造权利要求4所述的红外线传感器的方法,其特征在于,
在一片即包含多个红外线传感器的光学滤光器的母光学滤光器上进行分割后形成槽的工序,所述槽成为围绕上述光学滤光器的槽;
以上述开口部的周边区域,嵌入在形成于上述母光学滤光器并成为围绕上述光学滤光器的槽的槽的状态,将收纳了上述红外线传感器元件的、多个上述封装搭载于上述母光学滤光器上,并通过粘结剂在该状态下将多个上述封装粘接固定于上述母光学滤光器的工序;以及
以规定位置分割上述母光学滤光器而成为各个红外线传感器的工序。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005138986 | 2005-05-11 | ||
JP138986/2005 | 2005-05-11 | ||
JP2006043010 | 2006-02-20 | ||
JP043010/2006 | 2006-02-20 | ||
PCT/JP2006/308341 WO2006120862A1 (ja) | 2005-05-11 | 2006-04-20 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101175978A CN101175978A (zh) | 2008-05-07 |
CN101175978B true CN101175978B (zh) | 2011-01-26 |
Family
ID=37396375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006800163591A Active CN101175978B (zh) | 2005-05-11 | 2006-04-20 | 红外线传感器及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7566874B2 (zh) |
EP (1) | EP1887331A4 (zh) |
JP (1) | JPWO2006120862A1 (zh) |
CN (1) | CN101175978B (zh) |
WO (1) | WO2006120862A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1884754B1 (en) * | 2005-05-11 | 2015-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared sensor |
JP4107347B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2008-06-25 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサおよび赤外線センサの製造方法 |
US20100013041A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imager packages with covers having non-planar surface features |
KR101311322B1 (ko) * | 2009-06-25 | 2013-09-25 | 파나소닉 주식회사 | 적외선식 가스 검지기 및 적외선식 가스 계측 장치 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant |