JP3191540B2 - 赤外線センサ - Google Patents
赤外線センサInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動ドア、トイレの自
動水洗装置、照明機器、空調機器、セキュリティー機器
等の人体検知や、防災用の炎検知あるいは温度計測等に
用いられる赤外線センサに関するものである。
動水洗装置、照明機器、空調機器、セキュリティー機器
等の人体検知や、防災用の炎検知あるいは温度計測等に
用いられる赤外線センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の赤外線センサを示す側断面
図であり、これは焦電型である。図７において、外部導
出ピン１を貫通固定させた絶縁性の回路基板２に電界効
果型トランジスタ（以下ＦＥＴと略す）３、抵抗４、及
び赤外線検知素子５を固着し、その回路基板２を外部導
出ピン１に取り付ける。そして、赤外線を受け入れる孔
６ａを有する金属ケース６をハーメチックベース７にシ
ールする。金属ケース６の孔６ａには、所望の波長領域
のみを透過する光学フィルター８が設けられる。
図であり、これは焦電型である。図７において、外部導
出ピン１を貫通固定させた絶縁性の回路基板２に電界効
果型トランジスタ（以下ＦＥＴと略す）３、抵抗４、及
び赤外線検知素子５を固着し、その回路基板２を外部導
出ピン１に取り付ける。そして、赤外線を受け入れる孔
６ａを有する金属ケース６をハーメチックベース７にシ
ールする。金属ケース６の孔６ａには、所望の波長領域
のみを透過する光学フィルター８が設けられる。
【０００３】ハーメチックシールを用いた金属ケース６
は、電気的シールド効果が高く、また優れた気密性を有
するという特徴を有する。
は、電気的シールド効果が高く、また優れた気密性を有
するという特徴を有する。
【０００４】しかしながらパッケージコストが高く、ま
た連続的な物作りが困難であり製品としても高価なもの
となる。更にはリードの取り出しが限定される等の課題
を有していた。これらの課題を改善した構成として実開
昭５５−４２１９６号公報に記載される樹脂材料を基本
にしたケースを利用したものが提案されている。
た連続的な物作りが困難であり製品としても高価なもの
となる。更にはリードの取り出しが限定される等の課題
を有していた。これらの課題を改善した構成として実開
昭５５−４２１９６号公報に記載される樹脂材料を基本
にしたケースを利用したものが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記樹脂
材料を基本としたケースを用いた場合、ノイズが発生す
る割合が多くなり、特性が劣化するという問題点があっ
た。更に長期間使用することにより、やはり特性の劣化
を生じるという問題点があった。
材料を基本としたケースを用いた場合、ノイズが発生す
る割合が多くなり、特性が劣化するという問題点があっ
た。更に長期間使用することにより、やはり特性の劣化
を生じるという問題点があった。
【０００６】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
で、短期的または長期的特性劣化を防止することができ
る赤外線センサを提供することを目的としている。
で、短期的または長期的特性劣化を防止することができ
る赤外線センサを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、インピーダンス整合用のＦＥＴ，抵抗の電子部品群
と電子部品群と接続された複数の外部導出リードとを有
する回路部と、回路部を覆うように設けられた絶縁性保
護体と、絶縁性保護体の上に設けられた導電性保護体
と、導電性保護体に設けられ、絶縁性保護体まで達した
凹部と、凹部に表出し、回路部と導通した出力端子と、
凹部内に収納され、出力端子と接合した赤外線検知素子
と、凹部を塞ぐように設けられたフィルターを備え、複
数の外部導出リードはＦＥＴのドレイン及びソースとそ
れぞれ接続された第１，第２の外部導出リードを含んで
おり、絶縁性保護体において、第１，第２の外部導出リ
ードが絶縁性保護体から突出する部分を他の部分よりも
高く突出させた成形段を設け、しかも成形段の高さと同
じかあるいは低くなるように導電性保護体を設けること
で前記第１，第２の外部導出リードと導電性保護体を非
接触とし、かつ外部導出リードと出力端子の少なくとも
一つの前記絶縁性保護体との界面において、その界面が
凹凸形となるように外部導出リードと出力端子の少なく
とも一つに長手方向に沿って凹凸を設けた。
に、インピーダンス整合用のＦＥＴ，抵抗の電子部品群
と電子部品群と接続された複数の外部導出リードとを有
する回路部と、回路部を覆うように設けられた絶縁性保
護体と、絶縁性保護体の上に設けられた導電性保護体
と、導電性保護体に設けられ、絶縁性保護体まで達した
凹部と、凹部に表出し、回路部と導通した出力端子と、
凹部内に収納され、出力端子と接合した赤外線検知素子
と、凹部を塞ぐように設けられたフィルターを備え、複
数の外部導出リードはＦＥＴのドレイン及びソースとそ
れぞれ接続された第１，第２の外部導出リードを含んで
おり、絶縁性保護体において、第１，第２の外部導出リ
ードが絶縁性保護体から突出する部分を他の部分よりも
高く突出させた成形段を設け、しかも成形段の高さと同
じかあるいは低くなるように導電性保護体を設けること
で前記第１，第２の外部導出リードと導電性保護体を非
接触とし、かつ外部導出リードと出力端子の少なくとも
一つの前記絶縁性保護体との界面において、その界面が
凹凸形となるように外部導出リードと出力端子の少なく
とも一つに長手方向に沿って凹凸を設けた。
【０００８】
【作用】この構成によって、回路部を外部導出リード上
に電気的、機械的に接続しているため、従来のセンサで
使用している回路基板を削除できる。また部品の実装及
び組立をリードフレームのフープ上で連続的に行うこと
が可能であり大幅なコスト削減につながる。更には高抵
抗回路を完全に絶縁性樹脂、特にエポキシ樹脂でモール
ドすることにより、水蒸気の影響による高抵抗回路の絶
縁破壊を防ぐことができる。また、絶縁性保護体の外部
を導電性保護体でケースアースすることにより外的な電
磁波によるノイズの発生を抑えることができる。この際
導電性を有するシリコンを母材とした光学フィルターを
使用すればシールド効果が低下することを防ぐことが可
能である。また外部導出ピンは任意の形状にフォーミン
グが可能であり、縦方向横方向いずれにも取り出すこと
が可能となる。
に電気的、機械的に接続しているため、従来のセンサで
使用している回路基板を削除できる。また部品の実装及
び組立をリードフレームのフープ上で連続的に行うこと
が可能であり大幅なコスト削減につながる。更には高抵
抗回路を完全に絶縁性樹脂、特にエポキシ樹脂でモール
ドすることにより、水蒸気の影響による高抵抗回路の絶
縁破壊を防ぐことができる。また、絶縁性保護体の外部
を導電性保護体でケースアースすることにより外的な電
磁波によるノイズの発生を抑えることができる。この際
導電性を有するシリコンを母材とした光学フィルターを
使用すればシールド効果が低下することを防ぐことが可
能である。また外部導出ピンは任意の形状にフォーミン
グが可能であり、縦方向横方向いずれにも取り出すこと
が可能となる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例における赤外線セン
サの回路図で、図１において９は赤外線検知素子、１０
は赤外線検知素子９に並列に設けられた抵抗で、抵抗１
０は電流安定化のために設けられる。１１はＦＥＴであ
る。
サの回路図で、図１において９は赤外線検知素子、１０
は赤外線検知素子９に並列に設けられた抵抗で、抵抗１
０は電流安定化のために設けられる。１１はＦＥＴであ
る。
【００１０】図２は本発明の一実施例における赤外線セ
ンサの分解斜視図であり、図２において、１２はリード
フレームで、リードフレーム１２は、一対の基体１２ａ
と、一対の基体１２ａに渡って設けられた連結部１２
ｂ，１２ｃと、一対の基体１２ａからそれぞれ延設され
た延設部１２ｄ，１２ｅより構成されている。
ンサの分解斜視図であり、図２において、１２はリード
フレームで、リードフレーム１２は、一対の基体１２ａ
と、一対の基体１２ａに渡って設けられた連結部１２
ｂ，１２ｃと、一対の基体１２ａからそれぞれ延設され
た延設部１２ｄ，１２ｅより構成されている。
【００１１】また連結部１２ｂと連結部１２ｃにはそれ
ぞれ互いに向き合う方向に突出した素子取付部１２ｆ，
１２ｇが設けられており、更に素子取付部１２ｆ，１２
ｇにはそれぞれ同一方向に立設された接合部１２ｈ，１
２ｉが設けられている。
ぞれ互いに向き合う方向に突出した素子取付部１２ｆ，
１２ｇが設けられており、更に素子取付部１２ｆ，１２
ｇにはそれぞれ同一方向に立設された接合部１２ｈ，１
２ｉが設けられている。
【００１２】抵抗１０は素子取付部１２ｇと連結部１２
ｂの双方に半田等で接合されており、またＦＥＴ１１は
連結部１２ｃの素子取付部１２ｇを形成している部分
と、延設部１２ｄ，１２ｅそれぞれに同様に半田等で接
合されている。
ｂの双方に半田等で接合されており、またＦＥＴ１１は
連結部１２ｃの素子取付部１２ｇを形成している部分
と、延設部１２ｄ，１２ｅそれぞれに同様に半田等で接
合されている。
【００１３】次に図２に示す点線に沿ってリードフレー
ム１２を切断する。すなわち、連結部１２ｂの両端部を
切断し、更に連結部１２ｃはその中央部のみを残すよう
に切断し、更に延設部１２ｄ，１２ｅのそれぞれの両端
部を切断する。このように不要部分を切断した半完成品
の電子部品を搭載した部分を耐候性等を有する材料によ
り覆う。この作業は例えば図３に示すような形状にトラ
ンスファー成形機により絶縁性保護体１４で一体成形す
る。このときリードフレーム１２の一部である外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃ及び赤外線検知素子９に
接続される一対の出力端子１３は絶縁性保護体１４で被
覆しない。
ム１２を切断する。すなわち、連結部１２ｂの両端部を
切断し、更に連結部１２ｃはその中央部のみを残すよう
に切断し、更に延設部１２ｄ，１２ｅのそれぞれの両端
部を切断する。このように不要部分を切断した半完成品
の電子部品を搭載した部分を耐候性等を有する材料によ
り覆う。この作業は例えば図３に示すような形状にトラ
ンスファー成形機により絶縁性保護体１４で一体成形す
る。このときリードフレーム１２の一部である外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃ及び赤外線検知素子９に
接続される一対の出力端子１３は絶縁性保護体１４で被
覆しない。
【００１４】この時外部導出リード１５ｃは図２に示す
連結部１２ｂを切断して構成されたものであり、更に外
部導出リード１５ａ，１５ｂはそれぞれ延設部１２ｅ，
１２ｄを切断して構成されている。また一対の出力端子
１３は、それぞれ図２に示す半完成品の接合部１２ｈ，
１２ｉと同じである。
連結部１２ｂを切断して構成されたものであり、更に外
部導出リード１５ａ，１５ｂはそれぞれ延設部１２ｅ，
１２ｄを切断して構成されている。また一対の出力端子
１３は、それぞれ図２に示す半完成品の接合部１２ｈ，
１２ｉと同じである。
【００１５】また外部導出リード１５ａ，１５ｂ，１５
ｃのうちドレインリードとなる外部導出リード１５ａ及
びソースリードとなる外部導出シード１５ｂには根元に
成形段１６をそれぞれ設けられている。
ｃのうちドレインリードとなる外部導出リード１５ａ及
びソースリードとなる外部導出シード１５ｂには根元に
成形段１６をそれぞれ設けられている。
【００１６】このとき絶縁性保護体１４としてアクリロ
ニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂，ポリエチレンテ
レフタラート樹脂，ポリブチレンテレフタラート樹脂，
ポリカーボネイト樹脂，エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を
使用することができる。
ニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂，ポリエチレンテ
レフタラート樹脂，ポリブチレンテレフタラート樹脂，
ポリカーボネイト樹脂，エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を
使用することができる。
【００１７】しかしながら絶縁性保護体１４としてエポ
キシ樹脂を用いることが最も好ましい。絶縁性保護体１
４にエポキシ樹脂を使用することにより高湿中で使用し
た場合に空気中の水蒸気の拡散による回路の絶縁破壊に
よる性能の低下を防ぐ効果がより向上する。また、エポ
キシ樹脂は成形時の温度を１７０℃程度に抑えることが
可能であり、半田付けされた回路部品のはずれを防ぐこ
とができ、また樹脂の耐水性が高く、熱膨張係数が金属
に近いため温度サイクル等による気密性破壊を防ぐこと
ができ、また耐熱性が高く外部に射出成形による樹脂層
を形成することが可能である。更に絶縁性保護体１４と
してエポキシ樹脂を用いた場合、部品の導通不良が全く
発生しなかった。
キシ樹脂を用いることが最も好ましい。絶縁性保護体１
４にエポキシ樹脂を使用することにより高湿中で使用し
た場合に空気中の水蒸気の拡散による回路の絶縁破壊に
よる性能の低下を防ぐ効果がより向上する。また、エポ
キシ樹脂は成形時の温度を１７０℃程度に抑えることが
可能であり、半田付けされた回路部品のはずれを防ぐこ
とができ、また樹脂の耐水性が高く、熱膨張係数が金属
に近いため温度サイクル等による気密性破壊を防ぐこと
ができ、また耐熱性が高く外部に射出成形による樹脂層
を形成することが可能である。更に絶縁性保護体１４と
してエポキシ樹脂を用いた場合、部品の導通不良が全く
発生しなかった。
【００１８】次に絶縁性保護体１４の上に更に射出成形
機を用いて絶縁性保護体１４の外周部を導電性保護体１
７で被覆する。導電性保護体１７としてはポリカーボネ
ートを主成分とし、これに導電性を有するカーボン繊維
を含有するとともに比抵抗が１０ー1Ωｃｍの樹脂等の導
電性樹脂を使用した。図４に導電性保護体１７を形成し
た後の形状を示す。この際、導電性保護体１７に外部導
出リード１５ａ，１５ｂを接触させると出力が得られな
いので、導電性保護体１７が外部導出リード１５ａ，１
５ｂに接触しないように構成しなければならない。
機を用いて絶縁性保護体１４の外周部を導電性保護体１
７で被覆する。導電性保護体１７としてはポリカーボネ
ートを主成分とし、これに導電性を有するカーボン繊維
を含有するとともに比抵抗が１０ー1Ωｃｍの樹脂等の導
電性樹脂を使用した。図４に導電性保護体１７を形成し
た後の形状を示す。この際、導電性保護体１７に外部導
出リード１５ａ，１５ｂを接触させると出力が得られな
いので、導電性保護体１７が外部導出リード１５ａ，１
５ｂに接触しないように構成しなければならない。
【００１９】本実施例では外部導出リード１５ａ，１５
ｂのそれぞれの根元部分に絶縁性保護体１４の成形段１
６を形成しておくことによって、絶縁性保護体１４上に
導電性保護体１７を成形段１６の高さと同じかまたは低
い程度となるように形成することによって、図４に示す
ように導電性保護体１７と外部導出リード１５ａ，１５
ｂは接触しない。
ｂのそれぞれの根元部分に絶縁性保護体１４の成形段１
６を形成しておくことによって、絶縁性保護体１４上に
導電性保護体１７を成形段１６の高さと同じかまたは低
い程度となるように形成することによって、図４に示す
ように導電性保護体１７と外部導出リード１５ａ，１５
ｂは接触しない。
【００２０】尚、導電性保護体１７としてＡＢＳ、ポリ
スチレン等の樹脂に銅やステンレンレス等の繊維を含有
させたものが使用可能であるが、これらの金属繊維を用
いた樹脂では均一な導電性を得るために十分な肉厚が必
要なため赤外線センサで均一なシールド効果を得るため
には製品としてかなり大型なものとなる、ゆえにカーボ
ン繊維を導体とした導電性保護体１７を使用すれば小型
化が可能である。また、導電性保護体１７は射出成形に
依らず、ペーストや塗料状のものを塗布やスプレーする
ことで可能であるが、導電性を与えてはならない部分に
対するレジストの困難性や樹脂層の機械的強度が劣る等
の問題から、射出成形により導電性保護体１７を形成す
ることが好ましい。
スチレン等の樹脂に銅やステンレンレス等の繊維を含有
させたものが使用可能であるが、これらの金属繊維を用
いた樹脂では均一な導電性を得るために十分な肉厚が必
要なため赤外線センサで均一なシールド効果を得るため
には製品としてかなり大型なものとなる、ゆえにカーボ
ン繊維を導体とした導電性保護体１７を使用すれば小型
化が可能である。また、導電性保護体１７は射出成形に
依らず、ペーストや塗料状のものを塗布やスプレーする
ことで可能であるが、導電性を与えてはならない部分に
対するレジストの困難性や樹脂層の機械的強度が劣る等
の問題から、射出成形により導電性保護体１７を形成す
ることが好ましい。
【００２１】また導電性保護体１７は絶縁性保護体１４
の出力端子１３が配置されている部分上には設けられて
おらず、しかも出力端子１３を取り囲むように設けられ
ている。すなわち導電性保護体１７には凹部２０が設け
られており、その凹部２０の中に出力端子１３が表出し
ている。
の出力端子１３が配置されている部分上には設けられて
おらず、しかも出力端子１３を取り囲むように設けられ
ている。すなわち導電性保護体１７には凹部２０が設け
られており、その凹部２０の中に出力端子１３が表出し
ている。
【００２２】次に赤外線検知素子９を凹部２０内におい
て、出力端子１３に赤外線検知素子９を導電性接着剤を
用いて電気的、機械的に接続し、最後にシリコン製の光
学フィルター１８の底面１８ｂと導電性保護体１７の内
面１７ｂをエポキシ系の接着剤で、また光学フィルター
１８の端面１８ａと導電性保護体１７の内面１７ａを導
電性接着剤で接着しこれをケースのキャップとする。こ
の時赤外線検知素子９として、熱電対型、焦電型、半導
体型等を用いることができる。図５にこの組立後の断面
図を示す。尚、光学フィルター１８の材質はカルコゲン
系ガラスや高密度ポリエチレン等の赤外線を透過する材
料であれば使用できるが、これら導電性の低い材料では
シールド性能が低下することが考えられるのでシリコン
製の光学フィルター１８が最も好ましい。
て、出力端子１３に赤外線検知素子９を導電性接着剤を
用いて電気的、機械的に接続し、最後にシリコン製の光
学フィルター１８の底面１８ｂと導電性保護体１７の内
面１７ｂをエポキシ系の接着剤で、また光学フィルター
１８の端面１８ａと導電性保護体１７の内面１７ａを導
電性接着剤で接着しこれをケースのキャップとする。こ
の時赤外線検知素子９として、熱電対型、焦電型、半導
体型等を用いることができる。図５にこの組立後の断面
図を示す。尚、光学フィルター１８の材質はカルコゲン
系ガラスや高密度ポリエチレン等の赤外線を透過する材
料であれば使用できるが、これら導電性の低い材料では
シールド性能が低下することが考えられるのでシリコン
製の光学フィルター１８が最も好ましい。
【００２３】次に、絶縁性保護体１４としてアクリロニ
トリル−ブタジエン−スチレン樹脂，ポリエチレンテレ
フタラート樹脂，ポリブチレンテレフタラート樹脂，ポ
リカーボネイト樹脂，エポキシ樹脂の絶縁材料を用い
て、その他の構成は同じ構成を有した赤外線センサを作
製し、８５℃、８５％ＲＨの耐湿試験を実施したが、前
記４種の樹脂を使用した場合１００時間程度でセンサの
感度が低下し始めるがエポキシ樹脂を使用した場合、５
００時間経過しても感度の低下は認められない。
トリル−ブタジエン−スチレン樹脂，ポリエチレンテレ
フタラート樹脂，ポリブチレンテレフタラート樹脂，ポ
リカーボネイト樹脂，エポキシ樹脂の絶縁材料を用い
て、その他の構成は同じ構成を有した赤外線センサを作
製し、８５℃、８５％ＲＨの耐湿試験を実施したが、前
記４種の樹脂を使用した場合１００時間程度でセンサの
感度が低下し始めるがエポキシ樹脂を使用した場合、５
００時間経過しても感度の低下は認められない。
【００２４】また、図６に示すように外部導出リード１
５ａ，１５ｂ，１５ｃそれぞれにくびれ部１９を設ける
ことによって、耐湿性を更に向上させることができる。
すなわちくびれ部１９を設けることによって、外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃと絶縁性保護体１４の界
面に沿って進入して来る水分の進入路を長くすることが
できるので、内部の回路や素子に水が進入しにくくな
り、長期間安定した特性を得ることができる。尚、出力
端子１３に同様なくびれ部１９を設けても同様な効果を
得ることができる。
５ａ，１５ｂ，１５ｃそれぞれにくびれ部１９を設ける
ことによって、耐湿性を更に向上させることができる。
すなわちくびれ部１９を設けることによって、外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃと絶縁性保護体１４の界
面に沿って進入して来る水分の進入路を長くすることが
できるので、内部の回路や素子に水が進入しにくくな
り、長期間安定した特性を得ることができる。尚、出力
端子１３に同様なくびれ部１９を設けても同様な効果を
得ることができる。
【００２５】更に本実施例では、くびれ部１９を設け
て、水の進入路の距離を長くしたが、外部導出リード１
５ａ，１５ｂ，１５ｃや出力端子１３に曲げ加工等を施
して波型形状や矩形形状としても良いし、また外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃの厚さ自身を異ならせて
もよい。更に、本実施例では、外部導出リード１５ａ，
１５ｂ，１５ｃ及び出力端子１３にくびれ部１９等を設
けて水分の進入路の距離を長くしたけれども、外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃ及び出力端子１３の少な
くとも一つに設けることで従来よりは耐湿性が向上す
る。要は外部導出リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃや出力
端子１３の少なくとも一つに凹凸を設けることによって
絶縁性保護体１４または導電性保護体１７の少なくとも
一方との界面の長さを長くすることができるので、水が
進入するのを抑え、長期的に安定な特性を得ることがで
きる。
て、水の進入路の距離を長くしたが、外部導出リード１
５ａ，１５ｂ，１５ｃや出力端子１３に曲げ加工等を施
して波型形状や矩形形状としても良いし、また外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃの厚さ自身を異ならせて
もよい。更に、本実施例では、外部導出リード１５ａ，
１５ｂ，１５ｃ及び出力端子１３にくびれ部１９等を設
けて水分の進入路の距離を長くしたけれども、外部導出
リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃ及び出力端子１３の少な
くとも一つに設けることで従来よりは耐湿性が向上す
る。要は外部導出リード１５ａ，１５ｂ，１５ｃや出力
端子１３の少なくとも一つに凹凸を設けることによって
絶縁性保護体１４または導電性保護体１７の少なくとも
一方との界面の長さを長くすることができるので、水が
進入するのを抑え、長期的に安定な特性を得ることがで
きる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、インピーダンス整合用のＦＥＴ，抵抗の電子部品群
と電子部品群と接続された複数の外部導出リードとを有
する回路部と、回路部を覆うように設けられた絶縁性保
護体と、絶縁性保護体の上に設けられた導電性保護体
と、導電性保護体に設けられ、絶縁性保護体まで達した
凹部と、凹部に表出し、回路部と導通した出力端子と、
凹部内に収納され、出力端子と接合した赤外線検知素子
と、凹部を塞ぐように設けられたフィルターを備え、複
数の外部導出リードはＦＥＴのドレイン及びソースとそ
れぞれ接続された第１，第２の外部導出リードを含んで
おり、絶縁性保護体において、第１，第２の外部導出リ
ードが絶縁性保護体から突出する部分を他の部分よりも
高く突出させた成形段を設け、しかも成形段の高さと同
じかあるいは低くなるように導電性保護体を設けること
で前記第１，第２の外部導出リードと導電性保護体を非
接触とし、かつ外部導出リードと出力端子の少なくとも
一つの前記絶縁性保護体との界面において、その界面が
凹凸形となるように外部導出リードと出力端子の少なく
とも一つに長手方向に沿って凹凸を設けたことを特徴と
することで外的な電磁波によるノイズの発生が少なく水
蒸気に対して安定で、且つ低コストで効率的な物作りが
可能な赤外線センサを得る。
は、インピーダンス整合用のＦＥＴ，抵抗の電子部品群
と電子部品群と接続された複数の外部導出リードとを有
する回路部と、回路部を覆うように設けられた絶縁性保
護体と、絶縁性保護体の上に設けられた導電性保護体
と、導電性保護体に設けられ、絶縁性保護体まで達した
凹部と、凹部に表出し、回路部と導通した出力端子と、
凹部内に収納され、出力端子と接合した赤外線検知素子
と、凹部を塞ぐように設けられたフィルターを備え、複
数の外部導出リードはＦＥＴのドレイン及びソースとそ
れぞれ接続された第１，第２の外部導出リードを含んで
おり、絶縁性保護体において、第１，第２の外部導出リ
ードが絶縁性保護体から突出する部分を他の部分よりも
高く突出させた成形段を設け、しかも成形段の高さと同
じかあるいは低くなるように導電性保護体を設けること
で前記第１，第２の外部導出リードと導電性保護体を非
接触とし、かつ外部導出リードと出力端子の少なくとも
一つの前記絶縁性保護体との界面において、その界面が
凹凸形となるように外部導出リードと出力端子の少なく
とも一つに長手方向に沿って凹凸を設けたことを特徴と
することで外的な電磁波によるノイズの発生が少なく水
蒸気に対して安定で、且つ低コストで効率的な物作りが
可能な赤外線センサを得る。
【図１】本発明の一実施例における赤外線センサの回路
図
図
【図２】本発明の一実施例における赤外線センサの分解
斜視図
斜視図
【図３】本発明の一実施例における赤外線センサの分解
斜視図
斜視図
【図４】本発明の一実施例における赤外線センサの分解
斜視図
斜視図
【図５】本発明の一実施例における赤外線センサの側断
面図
面図
【図６】本発明の一実施例における赤外線センサを示す
部分拡大図
部分拡大図
【図７】従来の赤外線センサを示す側断面図
９ 赤外線検知素子 １０ 抵抗 １１ 電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ） １３ 出力端子 １４ 絶縁性保護体 １５ａ，１５ｂ，１５ｃ 外部導出リード １７ 導電性保護体 １８ 光学フィルター １９ くびれ部 ２０ 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−118917（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196196（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−125699（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−118524（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01J 1/02 G01J 5/02 G01J 5/04 H05K 9/00
Claims (1)
- 【請求項１】インピーダンス整合用のＦＥＴ，抵抗の電
子部品群と前記電子部品群と接続された複数の外部導出
リードとを有する回路部と、前記回路部を覆うように設
けられた絶縁性保護体と、前記絶縁性保護体の上に設け
られた導電性保護体と、前記導電性保護体に設けられ、
前記絶縁性保護体まで達した凹部と、前記凹部に表出
し、前記回路部と導通した出力端子と、前記凹部内に収
納され、前記出力端子と接合した赤外線検知素子と、前
記凹部を塞ぐように設けられたフィルターを備え、前記
複数の外部導出リードは前記ＦＥＴのドレイン及びソー
スとそれぞれ接続された第１，第２の外部導出リードを
含んでおり、前記絶縁性保護体において、前記第１，第
２の外部導出リードが前記絶縁性保護体から突出する部
分を他の部分よりも高く突出させた成形段を設け、しか
も前記成形段の高さと同じかあるいは低くなるように前
記導電性保護体を設けることで前記第１，第２の外部導
出リードと前記導電性保護体を非接触とし、かつ前記外
部導出リードと前記出力端子の少なくとも一つの前記絶
縁性保護体との界面において、その界面が凹凸形となる
ように前記外部導出リードと前記出力端子の少なくとも
一つに長手方向に沿って凹凸を設けたことを特徴とする
赤外線センサ。
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|---|---|---|---|
| JP32903893A JP3191540B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32903893A JP3191540B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 赤外線センサ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07190852A JPH07190852A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3191540B2 true JP3191540B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=18216912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32903893A Expired - Fee Related JP3191540B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 赤外線センサ |
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|---|---|
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-
1993
- 1993-12-24 JP JP32903893A patent/JP3191540B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07190852A (ja) | 1995-07-28 |
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