JPH05215600A - サーミスタチップ素子およびその素子を用いた赤外線検出器 - Google Patents
サーミスタチップ素子およびその素子を用いた赤外線検出器Info
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- JPH05215600A JPH05215600A JP4792492A JP4792492A JPH05215600A JP H05215600 A JPH05215600 A JP H05215600A JP 4792492 A JP4792492 A JP 4792492A JP 4792492 A JP4792492 A JP 4792492A JP H05215600 A JPH05215600 A JP H05215600A
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- chip element
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的特性の経年変化が少なく、かつ安価な
サーミスタチップ素子およびその素子を用いた赤外線検
出器を提供する。 【構成】 ２枚の抵抗体チップ８Ａ，８Ｂ間に信号取り
出し用の出力取り出し電極12の中央検出電極４Ａ，４Ｂ
を挟み込み、抵抗体チップ８Ａ，８Ｂを例えば焼成して
一体化し、中央検出電極４Ａ，４Ｂを一体化した抵抗体
チップ８に埋設する。出力取り出し電極12の外側にリー
ド線３を接続し、また、抵抗体チップ８の外面に赤外線
吸収層13を設ける。これにより、電気的特性の経年変化
の少ないサーミスタチップ素子15を得る。
サーミスタチップ素子およびその素子を用いた赤外線検
出器を提供する。 【構成】 ２枚の抵抗体チップ８Ａ，８Ｂ間に信号取り
出し用の出力取り出し電極12の中央検出電極４Ａ，４Ｂ
を挟み込み、抵抗体チップ８Ａ，８Ｂを例えば焼成して
一体化し、中央検出電極４Ａ，４Ｂを一体化した抵抗体
チップ８に埋設する。出力取り出し電極12の外側にリー
ド線３を接続し、また、抵抗体チップ８の外面に赤外線
吸収層13を設ける。これにより、電気的特性の経年変化
の少ないサーミスタチップ素子15を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度によって抵抗値が変
化する抵抗体を用いたサーミスタチップ素子およびその
素子を用いた赤外線検出器に関するものである。
化する抵抗体を用いたサーミスタチップ素子およびその
素子を用いた赤外線検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９には従来の赤外線検出器に用いられ
るサーミスタチップ素子の主要部構成の斜視説明図が示
されている。このサーミスタチップ素子１には温度によ
って抵抗値が変化するセラミック抵抗体素子８の両端上
面側に一対の信号取り出し用の検出電極４が外気に曝さ
れた状態で設けられ、これら検出電極４にはそれぞれリ
ード線３が半田等によって接続されている。
るサーミスタチップ素子の主要部構成の斜視説明図が示
されている。このサーミスタチップ素子１には温度によ
って抵抗値が変化するセラミック抵抗体素子８の両端上
面側に一対の信号取り出し用の検出電極４が外気に曝さ
れた状態で設けられ、これら検出電極４にはそれぞれリ
ード線３が半田等によって接続されている。
【０００３】また、一般に赤外線検出器には上記サーミ
スタチップ素子１が２個所用いられており、一方の素子
は赤外線が入射する位置に配設して赤外線検出用サーミ
スタチップ素子22として用いられ、他方は赤外線が当た
らない位置に配設して温度補償用サーミスタチップ素子
32として用いられている。
スタチップ素子１が２個所用いられており、一方の素子
は赤外線が入射する位置に配設して赤外線検出用サーミ
スタチップ素子22として用いられ、他方は赤外線が当た
らない位置に配設して温度補償用サーミスタチップ素子
32として用いられている。
【０００４】これら、赤外線検出用サーミスタチップ素
子22および温度補償用サーミスタチップ素子32を用いた
赤外線検出器では、赤外線検出用サーミスタチップ素子
22への赤外線入射によってチップ温度が変化し、これに
伴ってチップ両端に形成された検出電極４間の電気抵抗
が変化する。このため、赤外線検出用サーミスタチップ
素子22の電気抵抗と温度補償用サーミスタチップ素子32
の電気抵抗との間に抵抗差が生じ、この抵抗差が電圧差
に変換され、この電圧差を検出することで、赤外線の検
出が可能となる。
子22および温度補償用サーミスタチップ素子32を用いた
赤外線検出器では、赤外線検出用サーミスタチップ素子
22への赤外線入射によってチップ温度が変化し、これに
伴ってチップ両端に形成された検出電極４間の電気抵抗
が変化する。このため、赤外線検出用サーミスタチップ
素子22の電気抵抗と温度補償用サーミスタチップ素子32
の電気抵抗との間に抵抗差が生じ、この抵抗差が電圧差
に変換され、この電圧差を検出することで、赤外線の検
出が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の赤外線検出用サーミスタチップ素子22および温度補
償用サーミスタチップ素子32は外部雰囲気に曝されてい
るため、例えば電極部分４の酸化等による劣化や、電極
４と接しているセラミック抵抗体の一部が劣化する等に
より電気的特性が経年変化するという問題があった。そ
のため、電気的特性の経年変化を低減する目的で、図８
に示されるように前記サーミスタチップ素子22，32をハ
ーメチックケース５内に収納し、内部を真空状態にした
り、不活性ガス等を注入して密封封止する方法が一般化
されている。このハーメチックシールした赤外線検出器
９は基台10上にハーメチックケース５が被さっており、
このケース５の下端側円周面と基台10とがハーメチック
シールされ外部雰囲気と検出電極部とが遮断されてい
る。また、ケース５の天井中央部には赤外線を選択的に
入射する窓７が設けられ、サーミスタチップの検出電極
４はリード線を介して引き出し端子６と接続され、基台
10の外側に引き出されている。しかし、このハーメチッ
クシールを施した赤外線検出器を作製するには、封止ケ
ース５の封止部分に精度の高い加工を施す必要がある
上、真空装置等の大がかりの装置や不活性ガス注入など
の面倒な作業等の理由から、赤外線検出器を安価に提供
できないという問題があった。
来の赤外線検出用サーミスタチップ素子22および温度補
償用サーミスタチップ素子32は外部雰囲気に曝されてい
るため、例えば電極部分４の酸化等による劣化や、電極
４と接しているセラミック抵抗体の一部が劣化する等に
より電気的特性が経年変化するという問題があった。そ
のため、電気的特性の経年変化を低減する目的で、図８
に示されるように前記サーミスタチップ素子22，32をハ
ーメチックケース５内に収納し、内部を真空状態にした
り、不活性ガス等を注入して密封封止する方法が一般化
されている。このハーメチックシールした赤外線検出器
９は基台10上にハーメチックケース５が被さっており、
このケース５の下端側円周面と基台10とがハーメチック
シールされ外部雰囲気と検出電極部とが遮断されてい
る。また、ケース５の天井中央部には赤外線を選択的に
入射する窓７が設けられ、サーミスタチップの検出電極
４はリード線を介して引き出し端子６と接続され、基台
10の外側に引き出されている。しかし、このハーメチッ
クシールを施した赤外線検出器を作製するには、封止ケ
ース５の封止部分に精度の高い加工を施す必要がある
上、真空装置等の大がかりの装置や不活性ガス注入など
の面倒な作業等の理由から、赤外線検出器を安価に提供
できないという問題があった。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、その目的は、電気的特性の経年変化が少な
く、かつ安価なサーミスタチップ素子およびその素子を
用いた赤外線検出器を提供することにある。
ものであり、その目的は、電気的特性の経年変化が少な
く、かつ安価なサーミスタチップ素子およびその素子を
用いた赤外線検出器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明のサーミスタチップ素子は温度によって抵抗値が変
化する抵抗体チップ内に信号取り出し用の検出電極が埋
設され、抵抗体チップの外面には赤外線吸収層が設けら
れていることを特徴として構成されている。また、本発
明のサーミスタチップ素子は温度によって抵抗値が変化
する抵抗体チップ内に信号取り出し用の検出電極が埋設
され、抵抗体チップの外面には赤外線遮蔽層が形成され
ていることを特徴として構成されている。さらに、本発
明の赤外線検出器は、前記赤外線吸収層が設けられてい
るサーミスタチップ素子を赤外線検出素子とし、赤外線
遮蔽層が設けられているサーミスタチップ素子を温度補
償用素子として組み合わされていることを特徴として構
成されている。
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明のサーミスタチップ素子は温度によって抵抗値が変
化する抵抗体チップ内に信号取り出し用の検出電極が埋
設され、抵抗体チップの外面には赤外線吸収層が設けら
れていることを特徴として構成されている。また、本発
明のサーミスタチップ素子は温度によって抵抗値が変化
する抵抗体チップ内に信号取り出し用の検出電極が埋設
され、抵抗体チップの外面には赤外線遮蔽層が形成され
ていることを特徴として構成されている。さらに、本発
明の赤外線検出器は、前記赤外線吸収層が設けられてい
るサーミスタチップ素子を赤外線検出素子とし、赤外線
遮蔽層が設けられているサーミスタチップ素子を温度補
償用素子として組み合わされていることを特徴として構
成されている。
【０００８】
【作用】信号取り出し用の検出電極を抵抗体チップ内に
埋設することにより、検出電極を外部雰囲気と遮断し、
直接接触を回避して、検出電極の酸化防止や検出電極近
傍の抵抗体の劣化防止を図る。これにより電気的特性の
経年変化の少ないサーミスタチップ素子を得る。
埋設することにより、検出電極を外部雰囲気と遮断し、
直接接触を回避して、検出電極の酸化防止や検出電極近
傍の抵抗体の劣化防止を図る。これにより電気的特性の
経年変化の少ないサーミスタチップ素子を得る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省
略する。図１には第１の実施例に係わるサーミスタチッ
プ素子の主要部構成の説明図が示されている。本実施例
の特徴的なことは温度によって抵抗値が変化するセラミ
ック抵抗体の内部に信号取り出し用の検出電極を埋設
し、この検出電極が直接外部雰囲気と接触しない構成と
したことである。
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省
略する。図１には第１の実施例に係わるサーミスタチッ
プ素子の主要部構成の説明図が示されている。本実施例
の特徴的なことは温度によって抵抗値が変化するセラミ
ック抵抗体の内部に信号取り出し用の検出電極を埋設
し、この検出電極が直接外部雰囲気と接触しない構成と
したことである。
【００１０】図１において、温度によって抵抗値が変化
する２枚のセラミック抵抗体８Ａ，８Ｂの間にこの抵抗
体８Ａ，８Ｂの両端側から山形状を呈した左右一対の信
号取り出し用の出力取り出し電極12の山形状の中央検出
電極部４Ａ，４Ｂを挟み込み、例えば、前記抵抗体８
Ａ，８Ｂを焼成して一体化し、抵抗体チップ素子８を形
成する。これにより、検出電極４の中央検出電極部４
Ａ，４Ｂは抵抗体チップ素子８内に埋設され、出力取り
出し電極12の外側にはリード線３が接続されている。ま
た、抵抗体チップ８の上部外面には電気絶縁性の例えば
黒色樹脂からなる赤外線吸収層13が形成されている。
する２枚のセラミック抵抗体８Ａ，８Ｂの間にこの抵抗
体８Ａ，８Ｂの両端側から山形状を呈した左右一対の信
号取り出し用の出力取り出し電極12の山形状の中央検出
電極部４Ａ，４Ｂを挟み込み、例えば、前記抵抗体８
Ａ，８Ｂを焼成して一体化し、抵抗体チップ素子８を形
成する。これにより、検出電極４の中央検出電極部４
Ａ，４Ｂは抵抗体チップ素子８内に埋設され、出力取り
出し電極12の外側にはリード線３が接続されている。ま
た、抵抗体チップ８の上部外面には電気絶縁性の例えば
黒色樹脂からなる赤外線吸収層13が形成されている。
【００１１】本実施例によれば、電気的特性の経年変化
を受け易い検出電極４Ａ，４Ｂはセラミック抵抗体チッ
プ８の内部に埋設されており、直接外部雰囲気と接触し
ない構成としたので、電極部分４Ａ，４Ｂの酸化等によ
る劣化や電極４Ａ，４Ｂ近傍の抵抗体８の劣化がなく、
長期間に亘って電気的特性が安定したサーミスタチップ
素子15を得ることができる。
を受け易い検出電極４Ａ，４Ｂはセラミック抵抗体チッ
プ８の内部に埋設されており、直接外部雰囲気と接触し
ない構成としたので、電極部分４Ａ，４Ｂの酸化等によ
る劣化や電極４Ａ，４Ｂ近傍の抵抗体８の劣化がなく、
長期間に亘って電気的特性が安定したサーミスタチップ
素子15を得ることができる。
【００１２】図２には第２の実施例に係わるサーミスタ
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。同図
において、チップ素子15の上部外面には絶縁層14が形成
され、この絶縁層の外側にニッケル−クロム等からなる
電気伝導性の赤外線吸収層13が形成されている。その他
の構成は第１の実施例と同様である。
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。同図
において、チップ素子15の上部外面には絶縁層14が形成
され、この絶縁層の外側にニッケル−クロム等からなる
電気伝導性の赤外線吸収層13が形成されている。その他
の構成は第１の実施例と同様である。
【００１３】この実施例によれば、赤外線吸収層13と抵
抗体８とは絶縁層14によって絶縁が確保され、検出電極
４Ａ，４Ｂがセラミック抵抗体チップ８の内部に埋設さ
れているので、第１の実施例と同様の効果がある。
抗体８とは絶縁層14によって絶縁が確保され、検出電極
４Ａ，４Ｂがセラミック抵抗体チップ８の内部に埋設さ
れているので、第１の実施例と同様の効果がある。
【００１４】図３には第３の実施例に係わるサーミスタ
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。この
実施例は、サーミスタチップ素子15の外面全体に絶縁性
の赤外線吸収層13を被覆したものであり、その他の構成
は第１の実施例と同様である。
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。この
実施例は、サーミスタチップ素子15の外面全体に絶縁性
の赤外線吸収層13を被覆したものであり、その他の構成
は第１の実施例と同様である。
【００１５】図４には第４の実施例に係わるサーミスタ
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。この
実施例は、サーミスタチップ素子15の外面全体に絶縁層
14を被覆し、その外面に赤外線吸収層13を形成したもの
であり、その他の構成は第１の実施例と同様である。
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。この
実施例は、サーミスタチップ素子15の外面全体に絶縁層
14を被覆し、その外面に赤外線吸収層13を形成したもの
であり、その他の構成は第１の実施例と同様である。
【００１６】第３，第４の実施例によれば、サーミスタ
チップ素子15の外面全体を赤外線吸収層で被覆したの
で、出力取り出し電極12はもちろんのこと、セラミック
抵抗体チップ８もほとんど全周に亘って外部雰囲気と直
接接触することがなくなるので、第１の実施例よりも電
気的特性の安定に更に効果がある。
チップ素子15の外面全体を赤外線吸収層で被覆したの
で、出力取り出し電極12はもちろんのこと、セラミック
抵抗体チップ８もほとんど全周に亘って外部雰囲気と直
接接触することがなくなるので、第１の実施例よりも電
気的特性の安定に更に効果がある。
【００１７】図５には第５の実施例に係わるサーミスタ
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。同図
において、このサーミスタチップ素子16は第１の実施例
と同様にセラミック抵抗体チップ８の内部に検出電極４
Ａ，４Ｂが埋設されている。また、抵抗体チップ８の上
部外面には絶縁層14が形成され、この絶縁層14の外側に
赤外線遮蔽層17を形成したものである。
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。同図
において、このサーミスタチップ素子16は第１の実施例
と同様にセラミック抵抗体チップ８の内部に検出電極４
Ａ，４Ｂが埋設されている。また、抵抗体チップ８の上
部外面には絶縁層14が形成され、この絶縁層14の外側に
赤外線遮蔽層17を形成したものである。
【００１８】図６には第６の実施例に係わるサーミスタ
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。同図
において、このサーミスタチップ素子16は第１の実施例
と同様にセラミック抵抗体チップ８の内部に検出電極４
Ａ，４Ｂが埋設されており、抵抗体チップ８の外側全体
に絶縁層14が形成され、この絶縁層14の外側に赤外線遮
蔽層17を素子16全体を覆う形で形成したものである。
チップ素子の主要部構成の説明図が示されている。同図
において、このサーミスタチップ素子16は第１の実施例
と同様にセラミック抵抗体チップ８の内部に検出電極４
Ａ，４Ｂが埋設されており、抵抗体チップ８の外側全体
に絶縁層14が形成され、この絶縁層14の外側に赤外線遮
蔽層17を素子16全体を覆う形で形成したものである。
【００１９】図７には本実施例に係わるサーミスタチッ
プ素子を用いた赤外線検出器の主要部構成の説明図が示
されている。この実施例では、基板18上に真空封止等を
施こさないケース11が被さっており、このケース11の天
井中央部には赤外線の入射窓７が設けられている。この
ケース11内には第１〜第４の実施例のいずれかに示した
サーミスタチップ素子15が赤外線入射窓７の対向位置に
配設されて、赤外線検出用サーミスタチップ素子15とし
て用いられ、第５または第６の実施例に示されるサーミ
スタチップ素子16が赤外線検出用サーミスタチップ素子
15の隣り側に配設されて、温度補償用サーミスタチップ
素子16として用いられ、この素子15，16は適宣態様で接
続されている。また、素子15，16はリード線３を介して
それぞれ引き出し端子６に接続され、基板18の外側に引
き出されている。
プ素子を用いた赤外線検出器の主要部構成の説明図が示
されている。この実施例では、基板18上に真空封止等を
施こさないケース11が被さっており、このケース11の天
井中央部には赤外線の入射窓７が設けられている。この
ケース11内には第１〜第４の実施例のいずれかに示した
サーミスタチップ素子15が赤外線入射窓７の対向位置に
配設されて、赤外線検出用サーミスタチップ素子15とし
て用いられ、第５または第６の実施例に示されるサーミ
スタチップ素子16が赤外線検出用サーミスタチップ素子
15の隣り側に配設されて、温度補償用サーミスタチップ
素子16として用いられ、この素子15，16は適宣態様で接
続されている。また、素子15，16はリード線３を介して
それぞれ引き出し端子６に接続され、基板18の外側に引
き出されている。
【００２０】赤外線入射窓７を通って入射した赤外線は
赤外線検出用サーミスタチップ素子15に照射する。セラ
ミック抵抗体８の表面に赤外線吸収層13を設けた赤外線
検出用サーミスタチップ素子15は赤外線を吸収し、温度
が上昇するが、表面に赤外線遮蔽層を設けた温度補償用
サーミスタチップ素子16は赤外線を遮断するので、殆ど
温度上昇しない。このため、赤外線検出用サーミスタチ
ップ素子15の電気抵抗と温度補償用サーミスタチップ素
子16の電気抵抗との間に抵抗差が生じる。この抵抗差を
検出して電気信号（電圧）に変換し、この電圧差を検出
することで赤外線の検出が可能となる。
赤外線検出用サーミスタチップ素子15に照射する。セラ
ミック抵抗体８の表面に赤外線吸収層13を設けた赤外線
検出用サーミスタチップ素子15は赤外線を吸収し、温度
が上昇するが、表面に赤外線遮蔽層を設けた温度補償用
サーミスタチップ素子16は赤外線を遮断するので、殆ど
温度上昇しない。このため、赤外線検出用サーミスタチ
ップ素子15の電気抵抗と温度補償用サーミスタチップ素
子16の電気抵抗との間に抵抗差が生じる。この抵抗差を
検出して電気信号（電圧）に変換し、この電圧差を検出
することで赤外線の検出が可能となる。
【００２１】この実施例によれば、信号取り出し用の検
出電極４Ａ，４Ｂはセラミック抵抗体８内に埋設されて
いるため、長期間に亘って電気的特性が安定に確保さ
れ、また、サーミスタチップ素子15，16をケース11内に
ハーメチックシールする必要がなく、大がかりな真空装
置が不要となり、不活性ガス注入やハーメチックシール
等の面倒な作業が省けるので、安価な赤外線検出器を製
造することができる。
出電極４Ａ，４Ｂはセラミック抵抗体８内に埋設されて
いるため、長期間に亘って電気的特性が安定に確保さ
れ、また、サーミスタチップ素子15，16をケース11内に
ハーメチックシールする必要がなく、大がかりな真空装
置が不要となり、不活性ガス注入やハーメチックシール
等の面倒な作業が省けるので、安価な赤外線検出器を製
造することができる。
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記
実施例では抵抗体にセラミック抵抗体８を用いたが、温
度によって抵抗変化する物質であれば例えば金属抵抗体
でもよく、その材質は問わない。
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記
実施例では抵抗体にセラミック抵抗体８を用いたが、温
度によって抵抗変化する物質であれば例えば金属抵抗体
でもよく、その材質は問わない。
【００２３】また、図７に示す赤外線検出器では、ケー
ス11を省略してもよい。
ス11を省略してもよい。
【００２４】さらに、本実施例のサーミスタチップ素子
は赤外線検出器以外の様々な分野の用途にも使用できる
ものである。
は赤外線検出器以外の様々な分野の用途にも使用できる
ものである。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、信号取り出し用の検出電極を
抵抗体チップ内に埋設した構造としたので、この検出電
極は外部雰囲気と直接接触することがなく、電極部分の
酸化等による劣化や電極近傍の抵抗体の劣化がなく、長
期間に亘って電気的特性が安定したサーミスタチップ素
子を得ることができる。
抵抗体チップ内に埋設した構造としたので、この検出電
極は外部雰囲気と直接接触することがなく、電極部分の
酸化等による劣化や電極近傍の抵抗体の劣化がなく、長
期間に亘って電気的特性が安定したサーミスタチップ素
子を得ることができる。
【００２６】また、上記素子を用いた赤外線検出器の作
製の際には大がかりの真空装置やハーメチックシール等
の面倒で複雑な作業が不要となるので、安価でかつ電気
的特性の安定した赤外線検出器の作製が可能となる。
製の際には大がかりの真空装置やハーメチックシール等
の面倒で複雑な作業が不要となるので、安価でかつ電気
的特性の安定した赤外線検出器の作製が可能となる。
【図１】第１の実施例に係わるサーミスタチップ素子の
主要部構成の説明図である。
主要部構成の説明図である。
【図２】第２の実施例に係わるサーミスタチップ素子の
主要部構成の説明図である。
主要部構成の説明図である。
【図３】第３の実施例に係わるサーミスタチップ素子の
主要部構成の説明図である。
主要部構成の説明図である。
【図４】第４の実施例に係わるサーミスタチップ素子の
主要部構成の説明図である。
主要部構成の説明図である。
【図５】第５の実施例に係わるサーミスタチップ素子の
主要部構成の説明図である。
主要部構成の説明図である。
【図６】第６の実施例に係わるサーミスタチップ素子の
主要部構成の説明図である。
主要部構成の説明図である。
【図７】本実施例に係わる赤外線検出器の主要部構成の
説明図である。
説明図である。
【図８】従来の赤外線検出器の斜視説明図である。
【図９】従来の赤外線検出器に用いられるサーミスタチ
ップ素子の斜視説明図である。
ップ素子の斜視説明図である。
３ リード線 ４ 検出電極 ７ 赤外線入射窓 ８ 抵抗体 12 出力取り出し電極 13 赤外線吸収層 14 絶縁層 17 赤外線遮蔽層
Claims (3)
- 【請求項１】 温度によって抵抗値が変化する抵抗体チ
ップ内に信号取り出し用の検出電極が埋設され、抵抗体
チップの外面には赤外線吸収層が設けられているサーミ
スタチップ素子。 - 【請求項２】 温度によって抵抗値が変化する抵抗体チ
ップ内に信号取り出し用の検出電極が埋設され、抵抗体
チップの外面には赤外線遮蔽層が形成されているサーミ
スタチップ素子。 - 【請求項３】 請求項１記載のサーミスタチップ素子を
赤外線検出素子とし、請求項２記載のサーミスタチップ
素子を温度補償用素子として組み合わされている赤外線
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4792492A JPH05215600A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | サーミスタチップ素子およびその素子を用いた赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4792492A JPH05215600A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | サーミスタチップ素子およびその素子を用いた赤外線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05215600A true JPH05215600A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=12788926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4792492A Pending JPH05215600A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | サーミスタチップ素子およびその素子を用いた赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05215600A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009133825A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4792492A patent/JPH05215600A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009133825A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子およびその製造方法 |
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