JP2018146263A - 光検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】光の検出感度の向上及びパッケージの破損の抑制の両方を実現することができる光検出器を提供する。【解決手段】光検出器１Ａは、支持基板２と、光透過基板３と、画素部４と、第１下地層５と、第２下地層６と、半田層７と、補強部８と、を備える。光透過基板３は、支持基板２とで収容空間Ｓ１を画定する。光検出素子１０は、収容空間Ｓ１に位置する。光検出素子１０は、ボロメータ層を有する。第１下地層５は、第１角部５ａを有し、第２下地層６は、第２角部６ａを有している。半田層７は、第１下地層５と第２下地層６との間に配置され、支持基板２及び光透過基板３を互いに固定すると共に収容空間Ｓ１を気密に封止する。補強部８は、半田層７と同一の材料によって半田層７と一体的に形成されている。補強部８は、第１角部５ａ及び第２角部６ａの内側において第１表面２ａ側及び第２表面３ａ側の少なくとも一方に至っている。【選択図】図８

Description

本発明は、マイクロボロメータ等の光検出素子を備える光検出器に関する。

収容空間を形成する支持基板及び光透過基板と、収容空間に位置するように支持基板に設けられたマイクロボロメータ等の光検出素子と、支持基板及び光透過基板を互いに固定すると共に収容空間を気密に封止する半田層と、を備える光検出器が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特表２０１３−５４３２６８号公報

上述したような光検出器では、光の検出感度を向上させるために、光透過基板を薄くすることで光透過率を高めたり、収容空間の真空度を高めることで光検出素子を外部から熱的に絶縁したりすることが考えられる。しかし、光透過基板を薄くすると光透過基板が変形しやすくなる。そのため、収容空間の真空度を高めることによる収容空間の内外の気圧差や外部からの応力によって、半田層と光透過基板との接合部や光透過基板に負荷が掛かって破損が生じ、収容空間の気密性が損なわれるおそれがある。

そこで、本発明は、光の検出感度の向上及びパッケージの破損の抑制の両方を実現することができる光検出器を提供することを目的とする。

本発明の光検出器は、支持基板と、支持基板上に配置され、支持基板とで収容空間を形成する光透過基板と、収容空間に位置するように支持基板に設けられ、光透過基板を介して光が入射した際に生じる熱に応じて電気抵抗が変化するボロメータ層を有する光検出素子と、支持基板の厚さ方向から見た場合に光検出素子を囲むように、支持基板における光透過基板側の第１表面に設けられた第１下地層と、支持基板の厚さ方向から見た場合に光検出素子を囲み且つ第１下地層に重なるように、光透過基板における支持基板側の第２表面に設けられた第２下地層と、第１下地層と第２下地層との間に配置され、支持基板及び光透過基板を互いに固定すると共に収容空間を気密に封止する半田層と、半田層と同一の材料によって半田層と一体的に形成された補強部と、を備え、第１下地層は、第１角部を有し、第２下地層は、支持基板の厚さ方向から見た場合に第１角部に重なる第２角部を有し、補強部は、支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部及び第２角部の内側において、第１表面側及び第２表面側の少なくとも一方に至っている。

この光検出器では、半田層と一体的に形成された補強部が、第１下地層の第１角部及び第２下地層の第２角部の内側において、支持基板の第１表面側及び光透過基板の第２表面側の少なくとも一方に至っている。これにより、光の検出感度を向上させるために光透過基板を薄くしつつ収容空間の真空度を高めたとしても、半田層と光透過基板との接合部や光透過基板に負荷が掛かることに起因してパッケージが破損するようなことが抑制される。よって、この光検出器によれば、光の検出感度の向上及びパッケージの破損の抑制の両方を実現することができる。

本発明の光検出器は、複数の光検出素子を備え、複数の光検出素子は、二次元マトリックス状に配置されていてもよい。この構成では、光検出素子が１つである場合に比べて、支持基板及び光透過基板が大きくなり、収容空間の内外の気圧差によって光透過基板が変形し易くなる。そのため、半田層と一体的に形成された補強部が、第１下地層の第１角部及び第２下地層の第２角部の内側において、支持基板の第１表面側及び光透過基板の第２表面側の少なくとも一方に至っていることは、特に重要である。

本発明の光検出器では、補強部は、少なくとも第２表面側に至っていてもよい。この構成によれば、半田層と光透過基板との接合部が補強部によって補強されるため、パッケージの破損をより確実に抑制することができる。

本発明の光検出器では、第１下地層は、支持基板の厚さ方向から見た場合に収容空間を挟んで互いに対向する一対の第１角部を有し、第２下地層は、支持基板の厚さ方向から見た場合に一対の第１角部にそれぞれ重なる一対の第２角部を有し、補強部は、支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる一方の第１角部及び一方の第２角部の内側、並びに、支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる他方の第１角部及び他方の第２角部の内側のそれぞれに、配置されていてもよい。この構成によれば、補強部の数の増加を抑制しつつ、光透過基板をバランス良く補強することができる。

本発明の光検出器では、補強部の内縁は、支持基板の厚さ方向から見た場合に凹状に湾曲していてもよい。この構成によれば、補強部の形成範囲がコントロールされるため、光透過基板の開口率（支持基板の厚さ方向から見た場合に、光透過基板において、光が透過し得る領域が占める割合）の低下を抑制することができる共に、収容空間の真空度及び光透過基板の補強の程度に個体差が生じるのを抑制することができる。

本発明の光検出器は、支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部及び第２角部と光検出素子との間に位置するように、第１表面及び第２表面の少なくとも一方に設けられた誘導部を更に備え、補強部を形成する材料に対する誘導部の濡れ性は、補強部を形成する材料に対する支持基板及び光透過基板の濡れ性よりも高く、補強部は、誘導部に至っていてもよい。この構成によれば、補強部の形成範囲がコントロールされるため、光透過基板の開口率の低下を抑制することができる共に、収容空間の真空度及び光透過基板の補強の程度に個体差が生じるのを抑制することができる。

本発明の光検出器では、第１表面及び第２表面の少なくとも一方には、支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部及び第２角部と光検出素子との間を通るように溝が形成されていてもよい。この構成によれば、補強部の形成範囲がコントロールされるため、光透過基板の開口率の低下を抑制することができる共に、収容空間の真空度及び光透過基板の補強の程度に個体差が生じるのを抑制することができる。

本発明の光検出器では、光透過基板には、収容空間の一部を構成する凹部が形成されており、補強部は、凹部内に至っていてもよい。この構成によれば、光透過基板のうち光が透過する領域を薄くして、光透過基板の光透過率を高めることができる。しかも、光透過基板のうち光が透過する領域を補強することができる。

本発明によれば、光の検出感度の向上及びパッケージの破損の抑制の両方を実現することができる光検出器を提供することが可能となる。

第１実施形態の光検出器の平面図である。 図１に示されるII−II線に沿っての断面図である。 図１に示される光検出器の画素部の平面図である。 図３に示される画素部の光検出素子の斜視図である。 図４に示される光検出素子の平面図である。 図４に示される光検出素子の断面図である。 図４に示される光検出素子における光共振構造の原理を示す図である。 図１に示されるVIII−VIII線に沿っての断面図である。 図１に示される光検出器の一部の底面図である。 第２実施形態の光検出器の一部の断面図である。 図１０に示される光検出器の一部の底面図である。 第３実施形態の光検出器の一部の底面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［第１実施形態］
［光検出器の構成］

図１及び図２に示される光検出器１Ａは、ボロメータとしての機能により光（例えば赤外線）を検出する熱型の光検出器であり、赤外イメージャ、サーモグラフィー等に用いられる。図１及び図２に示されるように、光検出器１Ａは、支持基板２と、光透過基板３と、画素部４と、第１下地層５と、第２下地層６と、半田層７と、補強部８と、誘導部９と、ゲッター１１と、を備えている。

支持基板２は、例えば、（数ｍｍ〜数十ｍｍ）×（数ｍｍ〜数十ｍｍ）程度の外形、及び数百μｍ程度の厚さを有する矩形板状のＳｉ基板である。支持基板２内には、信号処理回路部（不図示）が形成されている。信号処理回路部は、画素部４と電気的に接続されている。なお、信号処理回路部は、支持基板２上に形成されていてもよい。

光透過基板３は、支持基板２の厚さ方向（すなわち、支持基板２の第１表面２ａに垂直な方向）から見た場合に支持基板２に重なるように、支持基板２上に配置されている。光透過基板３は、例えば、（数ｍｍ〜数十ｍｍ）×（数ｍｍ〜数十ｍｍ）程度の外形、及び数百μｍ程度の厚さを有する矩形板状のＳｉ基板である。光透過基板３は、光（例えば赤外線）を透過させる。光透過基板３は、支持基板２とで収容空間Ｓ１を形成している。つまり、光透過基板３及び支持基板２は、内部に収容空間Ｓ１が形成されたパッケージを構成している。

光透過基板３における支持基板２側の第２表面３ａには、凹部３ｂが形成されている。凹部３ｂは、例えばドライエッチング又はウェットエッチングによって四角錘台状に形成されている。凹部３ｂの深さは、例えば十数μｍ〜数百μｍ程度である。凹部３ｂは、収容空間Ｓ１の一部を構成している。

画素部４は、収容空間Ｓ１に位置するように、支持基板２における光透過基板３側の第１表面２ａに設けられている。画素部４は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、凹部３ｂに含まれている。画素部４は、例えば、（数十μｍ〜数十ｍｍ）×（数十μｍ〜数十ｍｍ）程度の外形を有している。画素部４は、第１表面２ａに沿って二次元マトリックス状に配置された複数の光検出素子１０（図３参照）によって構成されている。各光検出素子１０は、光透過基板３を介して光が入射した際に生じる熱に応じて電気抵抗が変化するボロメータ層を有している。

第１下地層５は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に画素部４を囲むように、支持基板２の第１表面２ａに設けられている。第１下地層５は、例えば、矩形環状に形成されており、４つの第１角部５ａを有している。各第１角部５ａにおける第１下地層５の内縁は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に角となっている。

第２下地層６は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に画素部４を囲み且つ第１下地層５に重なるように、光透過基板３の第２表面３ａに設けられている。第２下地層６は、例えば、矩形環状に形成されており、４つの第２角部６ａを有している。４つの第２角部６ａは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、４つの第１角部５ａにそれぞれ重なっている。各第２角部６ａにおける第２下地層６の内縁は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に角となっている。

第１下地層５及び第２下地層６のそれぞれの幅は、例えば数十μｍ〜数百μｍ程度である。第１下地層５及び第２下地層６のそれぞれの厚さは、例えば数十ｎｍ〜数μｍ程度である。第１下地層５及び第２下地層６は、それぞれ、例えば、Ａｌ、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＳｉＴｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉ_２、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ及びＣｕの少なくとも１つを含む積層膜である。第１下地層５及び第２下地層６は、それぞれ、例えば、上述した材料のいずれか１つを含む単層膜であってもよい。

半田層７は、第１下地層５と第２下地層６との間に配置されている。半田層７は、共晶接合によって、支持基板２及び光透過基板３を互いに固定すると共に収容空間Ｓ１を気密に封止する。半田層７は、矩形環状に形成されており、４つの角部７ａを有している。４つの角部７ａは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、４つの第１角部５ａにそれぞれ重なっている。

半田層７の幅は、例えば数十μｍ〜数百μｍ程度である。半田層７の厚さは、例えば数μｍ程度である。半田層７の材料は、例えば、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｂｉ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎ／Ｂｉ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｉｎ／Ｂｉ、Ｓｎ／Ｚｎ／Ａｌ、Ｎｉ／Ｓｎ、Ａｕ／Ｓｎ、Ａｇ／Ｓｎ、Ｃｕ／Ｓｎ、Ａｕ／Ｉｎ、Ｃｕ／Ｉｎ、Ａｇ／Ｉｎ、Ｉｎ、Ａｌ／Ｇｅ、Ａｌ／Ｚｎ、Ｂｉ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ｂｉ、Ｓｎ／Ｉｎ、Ａｕ／Ｇａ、Ａｕ／Ｓｉ、Ａｕ／Ｇｅ、Ａｕ／Ｓｉ、Ａｌ／Ｓｉ又はＡｌ／Ｃｕ／Ｇｅ等である。なお、半田層７の材料が、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎ／Ｂｉ又はＳｎ／Ｃｕである場合には、当該材料に、例えば、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｃｏ及びＳｉ等が添加されていてもよい。

補強部８は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａの内側に配置されている。誘導部９は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａと画素部４との間に配置されている。より具体的には、誘導部９は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａと凹部３ｂとの間に位置するように、光透過基板３の第２表面３ａに設けられている。補強部８及び誘導部９の詳細については、後述する。

ゲッター１１は、収容空間Ｓ１に配置されている。より具体的には、ゲッター１１は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に画素部４を囲むように、凹部３ｂの底面に設けられている。ゲッター１１は、例えば矩形環状に形成されている。ゲッター１１の幅は、例えば数十μｍ〜数ｍｍ程度である。ゲッター１１の厚さは、例えば数μｍ程度である。ゲッター１１は、収容空間Ｓ１において気体を吸収することで、収容空間Ｓ１の真空度を維持する。ゲッター１１は、例えば収容空間Ｓ１が数ｋＰａ程度まで減圧された状態を維持する。ゲッター１１の材料は、例えば、Ｚｒ（ジルコニウム）を主成分とする合金である。
［光検出素子の構成］

図３に示されるように、画素部４は、二次元マトリックス状に配置された複数の光検出素子１０によって構成されている。図４に示されるように、各光検出素子１０は、支持基板２（正確には、支持基板２の一部）と、光反射層１２と、一対の電極プラグ１３，１４と、膜体２０と、を有している。

光反射層１２は、支持基板２の第１表面２ａに形成されている。光反射層１２は、後述する光吸収層３４と対向しており、光吸収層３４と共に光共振構造を構成している。光反射層１２の厚さは、例えば数百ｎｍ程度である。光反射層１２の材料は、例えば、Ａｌ等の光（例えば赤外線）に対する反射率が大きい金属材料である。

一対の電極プラグ１３，１４は、支持基板２の第１表面２ａ上に形成されている。各電極プラグ１３，１４は、例えば円柱状に形成されている。各電極プラグ１３，１４の高さは、例えば数μｍ程度である。各電極プラグ１３，１４の材料は、例えばＴｉ等の金属材料である。一対の電極プラグ１３，１４は、支持基板２の第１表面２ａと膜体２０との間に空隙Ｓ２が形成されるように、支持基板２の第１表面２ａ上に膜体２０を支持している。膜体２０は、支持基板２の第１表面２ａと略平行に配置されている。膜体２０と支持基板２の第１表面２ａとの距離は、例えば数μｍ程度である。

図４及び図５に示されるように、膜体２０は、受光部２１と、一対の電極部２２，２３と、一対の梁部２４，２５と、を有している。受光部２１は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、各電極プラグ１３，１４を避けるように広がっている。電極部２２は、電極プラグ１３上に配置されている。電極部２３は、電極プラグ１４上に配置されている。梁部２４は、受光部２１の一方の側において受光部２１の外縁に沿って延在している。梁部２５は、受光部２１の他方の側において受光部２１の外縁に沿って延在している。梁部２４の一端は、電極部２２と接続されており、梁部２４の他端は、電極部２３の近傍の位置で受光部２１と接続されている。梁部２５の一端は、電極部２３と接続されており、梁部２５の他端は、電極部２２の近傍の位置で受光部２１と接続されている。膜体２０は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、例えば矩形状を呈している。一対の電極部２２，２３は、膜体２０の対角のそれぞれに設けられている。

受光部２１、一対の電極部２２，２３、及び一対の梁部２４，２５は、一体的に形成されている。受光部２１と電極部２２との間、及び受光部２１と梁部２４との間には、スリット２０ａが一続きに形成されている。受光部２１と電極部２３との間、及び受光部２１と梁部２５との間には、スリット２０ｂが一続きに形成されている。各梁部２４，２５の幅は、例えば数μｍ程度であり、各梁部２４，２５の長さは、例えば数十μｍ程度である。各スリット２０ａ，２０ｂの幅は、例えば数μｍ程度である。

図６は、光検出素子１０の断面図である。図６のＡ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅは、それぞれ、図５のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線、Ｅ−Ｅ線に沿っての断面図である。図６に示されるように、膜体２０は、第１配線層３１及び第２配線層３２と、抵抗層であるボロメータ層３３と、光吸収層３４と、分離層３５と、を有している。

図５及び図６に示されるように、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、第１配線層３１及び第２配線層３２は、受光部２１において、ギャップＧを介して互いに対向している。ギャップＧは、ラインＬに沿って延在している。ラインＬは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、例えば電極部２２と電極部２３とを結ぶように蛇行状に延在している。具体的には、ラインＬは、蛇行部Ｌ１を有している。蛇行部Ｌ１は、複数の曲線部Ｌ２を含んでいる。蛇行部Ｌ１は、受光部２１において、受光部２１の一方の側に延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、受光部２１の他方の側に延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、再び受光部２１の一方の側に伸びることを繰り返すことによって構成されている。

本実施形態では、一方の側とは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、電極部２２と電極部２３とを結ぶ直線に対して一方の側（例えば梁部２４が存在する側）をいい、他方の側とは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、電極部２２と電極部２３とを結ぶ直線に対して一方の側とは反対の側（例えば梁部２５が存在する側）をいう。また、一方の側とは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、膜体２０の重心を通る直線に対して一方の側（例えば梁部２４が存在する側）であり、他方の側とは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、膜体２０の重心を通る直線に対して一方の側とは反対の側（梁部２５が存在する側）であってもよい。つまり、一方の側とは、光吸収層３４における第１領域３４ａ側をいい、他方の側とは、光吸収層３４における第２領域３４ｂ側をいう。

支持基板２の厚さ方向から見た場合に、蛇行部Ｌ１は、第１区間Ｌ３と、第２区間Ｌ４と、第３区間Ｌ５と、第４区間Ｌ６と、を含んでいる。第１区間Ｌ３は、第１振れ量で一方の側に振れている。第２区間Ｌ４は、第２振れ量で一方の側に振れている。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、電極部２２と電極部２３とを結ぶ直線に沿った方向において、第２区間Ｌ４は２つの第１区間Ｌ３によって挟まれている。第３区間Ｌ５は、第１振れ量で他方の側に振れている。第４区間Ｌ６は、第２振れ量で他方の側に振れている。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、電極部２２と電極部２３とを結ぶ直線に沿った方向において、第４区間Ｌ６は２つの第３区間Ｌ５によって挟まれている。第１振れ量は、所定量よりも大きい。第２振れ量は、所定量よりも小さい。第１振れ量は、例えば十数μｍ程度である。第２振れ量は、例えば数μｍ程度である。

具体的には、受光部２１において、第１区間Ｌ３は、受光部２１の一方の側に第１振れ量延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、受光部２１の他方の側に第１振れ量延びている。これに続いて、第４区間Ｌ６は、受光部２１の他方の側に第２振れ量延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、受光部２１の一方の側に第２振れ量延びている。これに続いて、第２区間Ｌ４は、受光部２１の一方の側に第２振れ量延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、受光部２１の他方の側に第２振れ量延びている。これに続いて、第３区間Ｌ５は、受光部２１の他方の側に第１振れ量延び、曲線部Ｌ２において、例えば１８０°折り返して、受光部２１の一方の側に第１振れ量延びている。蛇行部Ｌ１は、このようなことを繰り返すことによって構成されている。なお、第１区間Ｌ３、第２区間Ｌ４、第３区間Ｌ５及び第４区間Ｌ６のそれぞれは、曲線部Ｌ２を含んでいる。

第１配線層３１及び第２配線層３２は、受光部２１において、ラインＬに沿った方向において細長く形成されている。つまり、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、受光部２１において、ラインＬに沿った方向における第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの長さは、ラインＬに垂直な方向における第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの幅よりも大きい。ラインＬに垂直な方向とは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、ラインＬの各位置における接線に垂直な方向をいう。曲線部の各位置においては、ラインＬに垂直な方向はそれぞれ相違する。

具体的には、第１配線層３１は、受光部２１において、第１縁部３１ａと、第３縁部３１ｂと、を有している。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、第１縁部３１ａ及び第３縁部３１ｂのそれぞれは、ラインＬに沿って延在している。第１縁部３１ａは、ラインＬ側において延在している。第３縁部３１ｂは、ラインＬとは反対側において延在している。第２配線層３２は、受光部２１において、第２縁部３２ａと、第４縁部３２ｂと、を有している。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、第２縁部３２ａ及び第４縁部３２ｂのそれぞれは、ラインＬに沿って延在している。第２縁部３２ａは、ラインＬ側において延在している。第４縁部３２ｂは、ラインＬとは反対側において延在している。

支持基板２の厚さ方向から見た場合に、第１縁部３１ａと第２縁部３２ａとはラインＬを介して互いに対向している。つまり、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、ギャップＧは、第１縁部３１ａと第２縁部３２ａとによって画定されている。

基板の２の厚さ方向から見た場合に、第１配線層３１におけるラインＬ側の第１縁部３１ａ及びラインＬとは反対側の第３縁部３１ｂ、並びに、第２配線層３２におけるラインＬ側の第２縁部３２ａ及びラインＬとは反対側の第４縁部３２ｂは、それぞれ、連続的に延在している。縁部が連続的に延在しているとは、縁部が角部を有しておらず、滑らかに形成されていることをいう。つまり、連続的に延在している縁部は、曲率半径が無限小の部分を含まない。例えば、第１縁部３１ａ、第２縁部３２ａ、第３縁部３１ｂ及び第４縁部３２ｂのそれぞれの曲率半径の最小値は、０．０１μｍよりも大きい。

支持基板２の厚さ方向から見た場合に、受光部２１において、ラインＬに沿った方向における第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの長さは、例えば、数十〜数百μｍ程度である。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、ラインＬに垂直な方向における第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの幅は、例えば数μｍ程度である。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、ラインＬに垂直な方向におけるギャップＧの幅は、例えば数μｍ程度である。第１配線層３１及び第２配線層３２の厚さは、例えば数十〜数百ｎｍ程度である。

第１配線層３１は、受光部２１から梁部２４を介して電極部２２に延在している。第１配線層３１は、電極部２２において電極プラグ１３上に形成されている。第１配線層３１は、電極プラグ１３と電気的に接続されている。第２配線層３２は、受光部２１から梁部２５を介して電極部２３に延在している。第２配線層３２は、電極部２３において電極プラグ１４上に形成されている。第２配線層３２は、電極プラグ１４と電気的に接続されている。第１配線層３１及び第２配線層３２の材料は、例えばＴｉ等の金属材料である。

ボロメータ層３３は、受光部２１においては、支持基板２の反対側から第１配線層３１及び第２配線層３２を覆うように形成されている。ボロメータ層３３は、受光部２１においては、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれにおける支持基板２の反対側の表面、並びに、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれの側面を覆っている。つまり、ギャップＧには、ボロメータ層３３が配置されている。ボロメータ層３３は、電極部２２，２３及び梁部２４，２５においては、第１配線層３１及び第２配線層３２における支持基板２の反対側の表面上に形成されている。ボロメータ層３３は、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれと電気的に接続されている。ボロメータ層３３の厚さは、例えば数十〜数百ｎｍ程度である。ボロメータ層３３は、温度に依存する電気抵抗を有している。ボロメータ層３３の材料は、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等の温度変化による電気抵抗率の変化が大きい材料である。

光吸収層３４は、受光部２１において、支持基板２の第１表面２ａと対向している。光吸収層３４は、ボロメータ層３３に対して支持基板２の反対側に配置されている。光吸収層３４は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、受光部２１のほぼ全領域に広がっている。光吸収層３４の厚さは、例えば十数ｎｍ程度である。光吸収層３４の材料は、例えばＷＳｉ_２又はＴｉ等である。

分離層３５は、第１配線層３１及び第２配線層３２のそれぞれと光吸収層３４との間に配置されている。具体的には、分離層３５は、受光部２１、梁部２４，２５及び電極部２２，２３において、ボロメータ層３３における支持基板２の反対側の表面上に形成されている。そして、光吸収層３４は、受光部２１において分離層３５の支持基板２の反対側の表面上に形成されている。分離層３５の厚さは、例えば数百ｎｍ程度である。分離層３５の厚さは、第１配線層３１、第２配線層３２、ボロメータ層３３及び光吸収層３４のそれぞれの厚さよりも大きい。分離層３５の材料は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等である。

支持基板２の厚さ方向から見た場合に、光吸収層３４は、第１領域３４ａと、第２領域３４ｂと、を含んでいる。第１領域３４ａは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、第１配線層３１に対して第２配線層３２の反対側に広がっている。第２領域３４ｂは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、第２配線層３２に対して第１配線層３１の反対側に広がっている。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、第１配線層３１及び第２配線層３２の面積の合計は、第１領域３４ａ及び第２領域３４ｂのそれぞれの面積よりも小さい。

なお、光吸収層３４の第１領域３４ａ及び第２領域３４ｂは、分離層３５を介してボロメータ層３３上に形成されている。また、ボロメータ層３３及び分離層３５は、第１領域３４ａ及び第２領域３４ｂを亘って連続的に形成されている。

膜体２０には、貫通孔２０ｃ，２０ｄが形成されている。貫通孔２０ｃ，２０ｄは、犠牲層（不図示）を除去するエッチングガスが通過する孔である。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、貫通孔２０ｃ，２０ｄは、第２区間Ｌ４の一方の側に形成されている。具体的には、貫通孔２０ｃは、第１領域３４ａにおいて、２つの第１区間Ｌ３の間に位置している。貫通孔２０ｄは、第２領域３４ｂにおいて、２つの第３区間Ｌ５の間に位置している。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、貫通孔２０ｃ，２０ｄは、円形を呈しており、その直径は、例えば数μｍ程度である。

以上のように構成された光検出器１Ａでは、以下のように、光が検出される。まず、光が光透過基板３を透過して受光部２１に入射すると、後述する光共振構造を構成する光吸収層３４において熱が生じる。このとき、受光部２１と支持基板２とは、空隙Ｓ２によって熱的に分離されている。また、受光部２１と電極部２２及び梁部２４とは、スリット２０ａによって熱的に分離されている。また、受光部２１と電極部２３及び梁部２５とは、スリット２０ｂによって熱的に分離されている。このため、光吸収層３４において生じた熱が、梁部２４,２５及び電極部２２，２３を介して支持基板２側に逃げるようなことが抑制される。

光吸収層３４において生じた熱は、分離層３５を介してボロメータ層３３に伝わる。そして、ボロメータ層３３は、この熱によって温度が上昇すると共に電気抵抗が上昇する。このような電気抵抗の変化は、信号としてボロメータ層３３と電気的に接続された第１配線層３１及び第２配線層３２、並びに、電極プラグ１３，１４を介して信号処理回路部へ送られる。そして、信号処理回路部では、ボロメータ層３３の電気抵抗の変化が電圧の変化に変換され、この電圧の変化を基に、光が検出される。

次に、光共振構造について詳細に説明する。図７に示されるように、光吸収層３４に入射した入射光Ａ（波長がλである）は、一部が光吸収層３４によって反射光Ｂ１として反射され、他の一部が光吸収層３４を透過する。光吸収層３４を透過した入射光Ａの他の一部は、光反射層１２によって反射光Ｂ２として反射される。そして、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２とは、光吸収層３４の反射面において、互いに干渉して打ち消される。これにより、光吸収層３４の当該反射面において入射光Ａが吸収される。吸収された入射光Ａのエネルギーによって光吸収層３４において熱が生じる。

入射光Ａの吸収率は、光吸収層３４のシート抵抗、及び、光吸収層３４と光反射層１２との間の光学距離ｔによって決められる。光吸収層３４の厚さは、シート抵抗が真空インピーダンス（３７７Ω／ｓｑ）となるように略１６ｎｍ（光吸収層３４の材料が、ＷＳｉ_２である場合）に設定されている。これによれば、光吸収層３４によって反射された反射光Ｂ１の振幅が光反射層１２によって反射された反射光Ｂ２の振幅と一致する。このため、光吸収層３４の反射面において、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２とが効率的に干渉して打ち消される。従って、入射光Ａの吸収率が向上される。

また、光学距離ｔは、ｔ＝（２ｍ−１）λ／４（ｍ＝１、２、３、・・・）となるように設定されている。これによれば、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２との位相が１８０°ずれる。このため、光吸収層３４の反射面において、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２とが効率的に干渉して打ち消される。従って、入射光Ａの吸収率が向上される。このように、光反射層１２は、光吸収層３４と光共振構造を構成している。支持基板２の厚さ方向から見た場合に、光反射層１２及び光吸収層３４の重なっている部分の面積が広ければ広いほど、入射光Ａが効率良く吸収される。
［補強部及び誘導部の構成］

図８及び図９に示されるように、補強部８は、半田層７と同一の材料によって半田層７と一体的に形成されている。補強部８を形成する材料に対する誘導部９の濡れ性は、補強部８を形成する材料に対する支持基板２及び光透過基板３の濡れ性よりも高い。誘導部９は、例えば、Ａｌ、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＳｉＴｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉ_２、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ及びＣｕの少なくとも１つを含む積層膜である。誘導部９は、例えば、上述した材料のいずれか１つを含む単層膜であってもよい。誘導部９の厚さは、例えば数十ｎｍ〜数μｍ程度である。

誘導部９は、第２下地層６の第２角部６ａの内側の隅部を埋めるように、光透過基板３の第２表面３ａに形成されている。誘導部９は、光透過基板３の第２表面３ａにおいて第２下地層６から離れている。誘導部９の内縁９ａは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に凹状に湾曲している（滑らかに湾曲している）。

補強部８は、半田層７の角部７ａから誘導部９に延在し、誘導部９に至っている。つまり、補強部８は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａの内側において、光透過基板３の第２表面３ａ側に至っている。補強部８は、第２下地層６の内側に係合している。補強部８の内縁８ａは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、誘導部９の内縁９ａに重なっており、凹状に湾曲している（滑らかに湾曲している）。

なお、補強部８が光透過基板３の第２表面３ａ側に至っているとは、「補強部８が、第２下地層６の第２角部６ａの内側において、第２表面３ａに形成された膜、層等（例えば誘導部９）に至っている場合」、「補強部８が、第２下地層６の第２角部６ａの内側において、例えば第２表面３ａに膜、層等が形成されておらず、第２表面３ａに至っている場合（第２表面３ａに接触している場合）」及び「補強部８が、第２下地層６の第２角部６ａの内側において、第２表面３ａ側に延在している場合」を含む。

補強部８は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に第２角部６ａと画素部４との間に配置されている。補強部８は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に第２角部６ａとゲッター１１との間に配置されている。補強部８は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に第２角部６ａと凹部３ｂとの間に配置されている。補強部８の厚さは、半田層７から画素部４に向かって漸減している。

支持基板２の厚さ方向から見た場合に収容空間Ｓ１を挟んで互いに対向する一対の第１角部５ａ、並びに、支持基板２の厚さ方向から見た場合に当該一対の第１角部５ａにそれぞれ重なる一対の第２角部６ａに着目すると、補強部８は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる一方の第１角部５ａ及び一方の第２角部６ａの内側、並びに、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる他方の第１角部５ａ及び他方の第２角部６ａの内側のそれぞれに、配置されている。
［作用及び効果］

以上説明したように、光検出器１Ａでは、補強部８は、半田層７と一体的に形成されており、第１角部５ａ及び第２角部６ａの内側において第２表面３ａ側に至っている。これにより、半田層７と光透過基板３との接合部が、補強部８によって補強される。したがって、光の検出感度を向上させるために光透過基板３を薄くしつつ収容空間Ｓ１の真空度を高めたとしても、半田層７と光透過基板３との接合部が破損し難くなる。よって、光検出器１Ａによれば、光の検出感度の向上及びパッケージの破損の抑制の両方を実現することができる。

以下、パッケージの破損の抑制について、より詳細に説明する。半田層７は、例えば、加熱されて溶融することによって、支持基板２及び光透過基板３を互いに固定すると共に収容空間Ｓ１を気密に封止する。半田層７が加熱される際には、光検出器１Ａを構成する各部材において膨張及び収縮が生じ、それによる応力が各部材に発生する。また、半田層７が共晶反応する際には、半田層７自体においても膨張及び収縮が生じ、それによる応力が半田層７に発生する。半田層７の幅、第１下地層５の幅、第２下地層６の幅等が広くなればなるほど、膨張及び収縮時にそれらに発生する応力が大きくなる。

光検出器１Ａでは、半田層７が第１角部５ａ及び第２角部６ａから膨出して補強部８を形成しているため、半田層７に発生する応力を緩和することができる。なお、半田層７に発生する応力が大きくなると、半田材料が収容空間Ｓ１に吹き出し、光検出素子１０が汚染されるおそれがあるが、光検出器１Ａでは、そのようなことも防止することができる。

同様に、誘導部９が第２下地層６から分離されているため、第２下地層６及び誘導部９のそれぞれの幅が狭くなり、膨張及び収縮時に第２下地層６及び誘導部９のそれぞれに発生する応力を緩和することができる。なお、誘導部９が、第１表面２ａに設けられている場合には、第１下地層５及び誘導部９のそれぞれの幅が狭くなり、膨張及び収縮時に第１下地層５及び誘導部９のそれぞれに発生する応力を緩和することができる。

また、半田層７と一体的に形成された補強部８が、第２下地層６の内側に係合しているため、アンカー効果によってパッケージの強度を高めることができる。なお、半田層７と一体的に形成された補強部８が、第１下地層５の内側に係合する場合にも、アンカー効果によってパッケージの強度を高めることができる。

以上により、光検出器１Ａによれば、パッケージを形成する際に各部材に発生する応力を抑制しつつ、パッケージの強度を高めることができ、パッケージの破損を抑制することができる。

また、半田層７と一体的に形成された補強部８が、第１角部５ａ及び第２角部６ａの内側に配置されている。そのため、補強部８が、第１下地層５及び第２下地層６の内縁に沿った領域のうち第１角部５ａ及び第２角部６ａの内側以外の領域に配置されている場合に比べ、補強部８による光透過基板３の開口率（支持基板２の厚さ方向から見た場合に、光透過基板３において、光が透過し得る領域が占める割合）の低下を抑制すると共に、ゲッター１１の配置領域を確保することができる。

また、光検出器１Ａでは、複数の光検出素子１０が二次元マトリックス状に配置されている。この構成では、光検出素子１０が１つである場合に比べて、支持基板２及び光透過基板３が大きくなり、収容空間Ｓ１の内外の気圧差によって光透過基板３が変形し易くなる。そのため、半田層７と一体的に形成された補強部８が、第１下地層５の第１角部５ａ及び第２下地層６の第２角部６ａの内側において、光透過基板３の第２表面３ａ側に至っていることは、特に重要である。

また、光検出器１では、補強部８が光透過基板３の第２表面３ａ側に至っている。この構成によれば、半田層７と光透過基板３との接合部が補強部８によって補強されるため、パッケージの破損をより確実に抑制することができる。また、補強部８が第１表面２ａに設けられた光検出素子１０に接触することで、光検出素子１０が汚染又は破損されるのをより確実に抑制することができる。

また、光検出器１Ａでは、第１下地層５が、支持基板２の厚さ方向から見た場合に収容空間Ｓ１を挟んで互いに対向する一対の第１角部５ａを有しており、第２下地層６が、支持基板２の厚さ方向から見た場合に一対の第１角部５ａにそれぞれ重なる一対の第２角部６ａを有している。そして、補強部８が、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる一方の第１角部５ａ及び一方の第２角部６ａの内側、並びに、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる他方の第１角部５ａ及び他方の第２角部６ａの内側のそれぞれに、配置されている。この構成によれば、補強部８の数の増加を抑制しつつ、光透過基板３をバランス良く補強することができる。

また、光検出器１Ａでは、補強部８の内縁８ａが、支持基板２の厚さ方向から見た場合に凹状に湾曲している。この構成によれば、補強部８の形成範囲がコントロールされるため、光透過基板３の開口率の低下を抑制することができる共に、収容空間Ｓ１の真空度及び光透過基板３の補強の程度に個体差が生じるのを抑制することができる。

また、光検出器１Ａでは、誘導部９が、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａと画素部４との間に位置するように、光透過基板３の第２表面３ａに設けられている。そして、補強部８を形成する材料に対する誘導部９の濡れ性が、補強部８を形成する材料に対する支持基板２及び光透過基板３の濡れ性よりも高く、補強部８が誘導部９に至っている。この構成によれば、補強部８の形成範囲がコントロールされるため、光透過基板３の開口率の低下を抑制することができる共に、収容空間Ｓ１の真空度及び光透過基板３の補強の程度に個体差が生じるのを抑制することができる。

また、光検出器１Ａでは、光透過基板３に、収容空間Ｓ１の一部を構成する凹部３ｂが形成されている。この構成によれば、光透過基板３のうち光が透過する領域を薄くして、光透過基板３の光透過率を高めることができる。

また、光検出器１Ａでは、第１下地層５、第２下地層６及び半田層７は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なっている。この構成によれば、第１下地層５、第２下地層６及び半田層７のパターニングを同一工程において行い、製造工程を簡素化することができる。
［第２実施形態］

図１０及び図１１に示されるように、光検出器１Ｂは、光透過基板３の第２表面３ａに誘導部９が設けられておらず、光透過基板３の第２表面３ａに溝３ｃが形成されている点で、上述した光検出器１Ａと主に相違している。光検出器１Ｂにおいて、光透過基板３の第２表面３ａには、溝３ｃが形成されている。溝３ｃは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａと画素部４との間を通り、且つ、第１下地層５、第２下地層６及び半田層７と画素部４との間を通るように、矩形環状に形成されている。溝３ｃは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に凹部３ｂを囲んでいる。溝３ｃの幅は、例えば数μｍ〜数百μｍ程度である。溝３ｃの深さは、例えば数十μｍ〜数百μｍ程度である。また、補強部８は、第２下地層６の各第２角部６ａの内側において、第２表面３ａ側に至っており（第２表面３ａに接触しており）、溝３ｃ内でとどまっている。

以上のように構成された光検出器１Ｂでは、上述した光検出器１Ａと同様に、半田層７と一体的に形成された補強部８が、第１下地層５の第１角部５ａ及び第２下地層６の第２角部６ａの内側において、光透過基板３の第２表面３ａ側に至っている。よって、光検出器１Ｂによれば、光の検出感度の向上及びパッケージの破損の抑制の両方を実現することができる。なお、この効果は、補強部８が溝３ｃ内に至っておらず、更には、光透過基板３の第２表面３ａに溝３ｃが形成されていなくても、補強部８が光透過基板３の第２表面３ａ側に至っていれば、奏される。

また、光検出器１Ｂでは、光透過基板３の第２表面３ａに、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａと画素部４との間を通るように溝３ｃが形成されている。この構成によれば、補強部８の形成範囲がコントロールされるため、光透過基板３の開口率の低下を抑制することができる共に、収容空間Ｓ１の真空度及び光透過基板３の補強の程度に個体差が生じるのを抑制することができる。
[第３実施形態］

図１２に示されるように、光検出器１Ｃは、光透過基板３の第２表面３ａに誘導部９が設けられておらず、補強部８が凹部３ｂに至っている点で、上述した光検出器１Ａと主に相違している。光検出器１Ｃにおいて、補強部８は、第２下地層６の各第２角部６ａの内側において、第２表面３ａ側に至っており（第２表面３ａに接触しており）、凹部３ｂ内において凹部３ｂの隅部にとどまっている。

以上のように構成された光検出器１Ｃでは、上述した光検出器１Ａと同様に、半田層７と一体的に形成された補強部８が、第１下地層５の第１角部５ａ及び第２下地層６の第２角部６ａの内側において、光透過基板３の第２表面３ａ側に至っている。よって、光検出器１Ｃによれば、光の検出感度の向上及びパッケージの破損の抑制の両方を実現することができる。なお、この効果は、補強部８が凹部３ｂ内に至っておらず、更には、光透過基板３の第２表面３ａに凹部３ｂが形成されていなくても、補強部８が光透過基板３の第２表面３ａ側に至っていれば、奏される。

また、光検出器１Ｂでは、補強部８は、凹部３ｂ内に至っている。この構成によれば、この構成によれば、光透過基板３のうち光が透過する領域を薄くして、光透過基板３の光透過率を高めることができる。しかも、光透過基板３のうち光が透過する領域を補強することができる。
［変形例］

以上、本発明の第１、第２及び第３実施形態について説明したが、本発明は、上述した第１、第２及び第３実施形態に限定されるものではない。例えば、画素部４は、１つの光検出素子１０によって構成されていてもよい。また、第１下地層５は、１つ又は３つ以上の第１角部５ａを有していてもよい。同様に、第２下地層６は、１つ又は３つ以上の第２角部６ａを有していてもよい。

また、補強部８は、支持基板２の第１表面２ａ側及び光透過基板３の第２表面３ａ側の両方に至っていてもよい。この構成によれば、半田層７と光透過基板３との接合部が補強部８によって補強されるため、パッケージの破損をより確実に抑制することができる。また、アンカー効果によって、支持基板２と光透過基板３とが構成するパッケージの強度が向上される。例えば、支持基板２の厚さ方向において、支持基板２及び光透過基板３に当該両基板が互いに離れる方向に沿った負荷が掛かった際、アンカー効果によって、支持基板２及び光透過基板３が互いに離れ難くなる。また、例えば、支持基板２及び光透過基板３に支持基板２の第１表面２ａに沿った方向に沿った負荷が掛かった際、アンカー効果によって、支持基板２及び光透過基板３が互いに位置ずれし難くなる。

なお、補強部８が支持基板２の第１表面２ａ側に至っているとは、「補強部８が、第１下地層５の第１角部５ａの内側において、第１表面２ａに形成された膜、層等（例えば誘導部９）に至っている場合」、「補強部８が、第１下地層５の第１角部５ａの内側において、例えば第１表面２ａに膜、層等が形成されておらず、第１表面２ａに至っている場合（第１表面２ａに接触している場合）」及び「補強部８が、第１下地層５の第１角部５ａの内側において、第１表面２ａ側に延在している場合」を含む。

また、補強部８は、支持基板２の第１表面２ａ側のみに至っていてもよい。この構成によれば、半田層７が膨張する際に生じる力が半田層７の角部７ａにおいて解放されるため、半田層７の角部７ａにおいて光透過基板３に負荷が掛かり難くなる。

また、誘導部９は、第１表面２ａに設けられていてもよい。具体的には、誘導部９は、第１表面２ａ及び第２表面３ａのうち、少なくとも補強部８が至っている表面に設けられている。

また、支持基板２の第１表面２ａに設けられた誘導部９は、第１下地層５と一体的に形成されていてもよい。この際、誘導部９は、第１下地層５の一部として構成されていてもよい。また、光透過基板３の第２表面３ａに設けられた誘導部９は、第２下地層６と一体的に形成されていてもよい。この際、誘導部９は、第２下地層６の一部として構成されていてもよい。また、誘導部９は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に光検出素子１０（画素部４）を囲むように形成されていてもよい。例えば、誘導部９は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に、互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａと画素部４との間を通り、且つ、第１下地層５、第２下地層６及び半田層７と画素部４との間を通るように、環状に形成されていてもよい。

また、溝３ｃは、第１表面２ａに形成されていてもよい。具体的には、溝３ｃは、第１表面２ａ及び第２表面３ａのうち、少なくとも補強部８が至っている表面に形成されている。

また、溝３ｃは、支持基板２の厚さ方向から見た場合に互いに重なる第１角部５ａ及び第２角部６ａと画素部４との間において形成されていれば、支持基板２の厚さ方向から見た場合に画素部４を囲んでいなくてもよい。また、光検出器１Ｂでは、溝３ｃが形成されていなくてもよい。また、補強部８は、溝３ｃ内に至っていなくてもよい。

また、各第１角部５ａにおける第１下地層５の内縁は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に凹状に湾曲していてもよい（滑らかに湾曲している）。また、各第２角部６ａにおける第２下地層６の内縁は、支持基板２の厚さ方向から見た場合に凹状に湾曲していてもよい（滑らかに湾曲している）。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…光検出器、２…支持基板、２ａ…第１表面、３…光透過基板、３ａ…第２表面、３ｂ…凹部、３ｃ…溝、５…第１下地層、５ａ…第１角部、６…第２下地層、６ａ…第２角部、７…半田層、８…補強部、８ａ…内縁、９…誘導部、１０…光検出素子、３３…ボロメータ層、Ｓ１…収容空間。

Claims (8)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上に配置され、前記支持基板とで収容空間を形成する光透過基板と、
   前記収容空間に位置するように前記支持基板に設けられ、前記光透過基板を介して光が入射した際に生じる熱に応じて電気抵抗が変化するボロメータ層を有する光検出素子と、
   前記支持基板の厚さ方向から見た場合に前記光検出素子を囲むように、前記支持基板における前記光透過基板側の第１表面に設けられた第１下地層と、
   前記支持基板の厚さ方向から見た場合に前記光検出素子を囲み且つ前記第１下地層に重なるように、前記光透過基板における前記支持基板側の第２表面に設けられた第２下地層と、
   前記第１下地層と前記第２下地層との間に配置され、前記支持基板及び前記光透過基板を互いに固定すると共に前記収容空間を気密に封止する半田層と、
   前記半田層と同一の材料によって前記半田層と一体的に形成された補強部と、を備え、
   前記第１下地層は、第１角部を有し、
   前記第２下地層は、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に前記第１角部に重なる第２角部を有し、
   前記補強部は、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる前記第１角部及び前記第２角部の内側において、前記第１表面側及び前記第２表面側の少なくとも一方に至っている、光検出器。
2. 複数の前記光検出素子を備え、
   複数の前記光検出素子は、二次元マトリックス状に配置されている、請求項１に記載の光検出器。
3. 前記補強部は、少なくとも前記第２表面側に至っている、請求項１又は２に記載の光検出器。
4. 前記第１下地層は、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に前記収容空間を挟んで互いに対向する一対の前記第１角部を有し、
   前記第２下地層は、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に一対の前記第１角部にそれぞれ重なる一対の前記第２角部を有し、
   前記補強部は、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる一方の前記第１角部及び一方の前記第２角部の内側、並びに、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる他方の前記第１角部及び他方の前記第２角部の内側のそれぞれに、配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光検出器。
5. 前記補強部の内縁は、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に凹状に湾曲している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光検出器。
6. 前記支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる前記第１角部及び前記第２角部と前記光検出素子との間に位置するように、前記第１表面及び前記第２表面の少なくとも一方に設けられた誘導部を更に備え、
   前記補強部を形成する材料に対する前記誘導部の濡れ性は、前記補強部を形成する材料に対する前記支持基板及び前記光透過基板の濡れ性よりも高く、
   前記補強部は、前記誘導部に至っている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光検出器。
7. 前記第１表面及び前記第２表面の少なくとも一方には、前記支持基板の厚さ方向から見た場合に互いに重なる前記第１角部及び前記第２角部と前記光検出素子との間を通るように溝が形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光検出器。
8. 前記光透過基板には、前記収容空間の一部を構成する凹部が形成されており、
   前記補強部は、前記凹部内に至っている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の光検出器。

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