CN101160733A - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

在一种高频模块中,构成使用第一频带的第一无线系统的电路元件的至少一部分与构成使用第二频带的第二无线系统的电路元件的至少一部分形成整体。高频模块设置有:多层基板(3),其中层叠多个介电层;第一端子群(31),它被排列在多层基板(3)的第一表面上并具有沿着构成该第一表面的四条侧边中的第一侧边(15)的多个端子(21,25a-25d);以及第二端子群(32),它被排列在多层基板(3)的第一表面上并具有沿着不同于第一侧边(15)的第二侧边(16)的多个端子(22,25d,26a,26b)。第一端子群(31)包括第一无线系统的第一天线端子(21),而第二端子群(32)包括第二无线系统的第二天线端子(22)。

Description

高频模块
技术领域
本发明一般涉及高频模块,尤其涉及包括包含形成于其中的电阻和线圈的多层基板的高频模块。
背景技术
近年来,诸如蜂窝电话和无线LAN(局域网)的无线装置变得越来越高性能,并且无线装置的尺寸变小。在这些高性能的装置中,包括已开发出的可处理多个频带内的信号的无线装置。为了减小可处理多个频带内的信号的无线装置的尺寸,将无线模块研制成无线系统的一些部件、特别是前端部件被集成为一个组件。
例如,日本未经审查专利申请公开No.2000-349586描述了包括两个双工器和用于将双工器连接到外部电路的一个接线端子群的天线双工器。接线端子群包括用于将双工器连接到外部天线的天线端子子群、发送端子子群以及用于将双工器连接到外部电路的接收端子子群。在这种天线双工器中,其中设置天线端子子群的区域与其中设置发送端子子群和设置接收端子子群的区域被设置成在平面内分隔开,以便彼此不交叉。天线双工器包括用于800MHz频带的天线端子和用于1.9GHz频带的天线端子。天线端子子群被设置成从俯视图上观看为矩形的一侧边的附近彼此紧靠。日本未经审查专利申请公开No.2000-349586中描述了这种在一个外壳中合并了两个双工器的天线双工器的尺寸可被减小,同时保持卓越的频率特性。还描述了可使这种天线双工器的制造更容易。
[专利文献1]日本未经审查专利申请公开No.2000-349586
发明内容
本发明要解决的问题
在日本未经审查专利申请公开No.2000-349586所描述的天线双工器中,与两个不同频带相对应的两个天线端子被沿着平面内矩形的一侧边设置在天线双工器的表面上。在这种天线双工器中,与不同频带相对应的两个天线端子之间的物理距离很小,因此这两个天线端子之间的分离特性(隔离特性)退化。即,天线端子之间存在串扰,并且引入了噪声。
另外,因为多个天线端子之间的距离很小,所以模块基板中连接到各个天线端子的配线之间的物理距离很小。因此,模块基板中的配线之间的分离特性退化。因而,配线之间存在串扰。
此外,模块基板中的配线被形成为在与其中形成天线端子的区域的一侧边垂直的方向上延伸。因此,连接到各个天线端子的配线所延伸的方向基本上彼此平行。因而,模块基板中的配线之间易于产生串扰。
另外,上述天线双工器被设置在诸如印刷电路板的模块安装基板的表面上。天线端子通过例如焊接连接到形成于模块安装基板的端子上。这时,形成于模块安装基板的表面上的配线之间的物理距离变小,因此分离特性退化。
解决问题的手段
本发明提供了一种可解决上述问题的高频模块。该高频模块包括多个天线端子并具有卓越的分离特性。
根据本发明,高频模块由形成使用第一频带的第一无线系统的至少一部分电路元件与形成使用第二频带的第二无线系统的至少一部分电路元件整体构成。高频模块包括具有基本上为平行六面体的主体并在电路元件中包含有源元件和无源元件的至少之一的基板;设置在基板的第一表面上的第一端子群,其中该第一端子群包括沿形成第一表面的四条侧边的第一侧边排列的多个端子;以及设置在基板的第一表面上的第二端子群,其中该第二端子群包括沿形成第一表面的四条侧边的第二侧边排列的多个端子。在高频模块中,第一端子群包括第一无线系统的第一天线端子,而第二端子群包括第二无线系统的第二天线端子。通过使用这种结构,可提供具有卓越分离特性的高频模块。
在上述发明中,较佳地,基板包括具有基本上为平行六面体的形状并包括多个叠层介电层的多层基板。通过使用这种结构,用作电路元件的无源元件可三维地排列在基板内部,因此可获得紧致且高密度的高频模块。
在上述发明中,较佳地,第二端子群沿着与第一侧边直接相邻的第二侧边设置。通过使用这种结构,连接到第一和第二天线端子的配线所延伸的方向基本上彼此垂直。因此,可在配线之间获得卓越的分离特性。
在上述发明中,较佳地,第二天线端子被设置成与第一侧边相比,在第二侧边所延伸的方向上更靠近面对第一侧边的第三侧边。通过使用这种结构,可增加第一天线端子与第二天线端子之间的距离,因此,分离特性可被改进。
在上述发明中,较佳地,在第一天线端子与第二天线端子之间的第一表面上形成腔体。通过使用这种结构,不同于基板的层-例如空气层-可被设置在第一天线端子与第二天线端子之间,因此,分离特性可被进一步改进。
在上述发明中,较佳地,接地端子被设置在第一天线端子与第二天线端子之间的第一表面上。通过使用这种结构,接地点、即用作电磁屏蔽的电极可被设置在第一天线端子与第二天线端子之间,因此,分离特性可被进一步改进。
在上述发明中,较佳地,形成无源元件和有源元件之一的表面安装元件被设置在与第一表面相对的第二表面上,并且在不使用垂直于层叠介电层的方向延伸的面内导体的情况下,实质上经由在层叠介电层的方向上穿过多层基板的通孔导体将第一天线端子和第二天线端子的至少之一连接到设置于多层基板的表面上的表面安装元件。通过使用这种结构,连接到第一天线端子和第二天线端子的配线不需要设置在多层基板的内部,因此,分离特性可被进一步改进。
优点
本发明可提供一种包括多个天线端子并具有卓越分离特性的高频模块。
附图说明
图1是示出了根据第一实施例的第一高频模块和印刷电路板的横截面视图的示意图;
图2是示出了根据第一实施例的第一高频模块的俯视图的示意图;
图3是根据第一实施例的高频模块的仰视图;
图4是示出了当移除外壳时,根据第一实施例的高频模块的俯视图的示意图;
图5是根据第一实施例的第一无线系统的配置的示意图;
图6是根据第一实施例的第一介电层的立体图;
图7是根据第一实施例的第二介电层的俯视图;
图8是根据第一实施例的第三介电层的俯视图;
图9是示出了根据第一实施例的第四介电层的俯视图的示意图;
图10是示出了根据第一实施例的第五介电层的俯视图的示意图;
图11是示出了根据第一实施例的第六介电层的俯视图的示意图;
图12是示出了根据第一实施例的第七介电层的俯视图的示意图;
图13是根据第一实施例的第二无线系统的配置的示意图;
图14是示出了根据第一实施例的第二高频模块的立体图的示意图;
图15是示出了当移除外壳时,根据第二实施例的高频模块的俯视图的示意图;
图16是示出了根据第二实施例的高频模块的仰视图的示意图;
图17是示出了根据第三实施例的高频模块的横截面视图的示意图;以及
图18是示出了根据第三实施例的高频模块的仰视图的示意图。
附图标记
1印刷电路板
2a-2g介电层
3多层基板
4内部元件
5,6a,6b外部元件
7外壳
8丝状电极
10焊料
11,11a,11b高频模块
15第一侧边
16第三侧边
17第三侧边
21第一天线端子
22第二天线端子
25a-25d,26a,26b,27-30端子
31第一端子群
32第二端子群
41第一天线配线
42第二天线配线
51a-51g,52a-52g  通孔导体
61a第一天线
62a,62b  第二天线
63a第一前端单元
64a,64b  第二前端单元
71a第一无线系统(蓝牙(BlueTooth))
72a第二无线系统(FM无线电)
72b第二无线系统(W-LAN)
81,87多层基板
82a,82bIC芯片
83a-83b外部元件
84,98第一天线端子
85,99第二天线端子
86,89,90端子
88空腔
91外壳
92接地端子
93-97箭头
101,102中心线
具体实施方式
第一实施例
以下将参考图1到14描述根据本发明第一实施例的高频模块。
图1是根据本实施例的高频模块当安装在模块安装基板上时的横截面视图的示意图。图2是示出了高频模块当安装在模块安装基板上时的俯视图的示意图。如图1和2所示,形成于高频模块11的第一表面上的多个端子通过诸如焊料10的连接材料电连接到形成于用作模块安装基板的印刷电路板1的表面上的丝状电极8的上表面。从而固定高频模块11。
高频模块11包括作为主体的多层基板3。多层基板3包括叠层介电层2a到2g。介电层2a到2g的每一个都包括作为内部元件4的诸如电阻、电容和线圈的无源元件。内部元件4形成于介电层2a到2g的每一个的表面上,并且被排列在介电层2a到2g的每一个的表面上。内部元件4由垂直于层的层叠方向延伸的面内导体构成。形成于介电层2a到2g的表面上的内部元件4经由穿过介电层2a到2g而形成的层间连接导体(通孔导体)彼此电连接。多层基板3较佳地由多个叠层介电陶瓷层构成。然而,多层基板3可由多个叠层树脂层构成。另外,多层基板3可包括磁性材料层。此外,多层基板3可以是由陶瓷或树脂制成的单层基板。
具体地,多层基板3较佳地为包括叠层介电陶瓷层的陶瓷多层基板,该叠层介电陶瓷层的每一个都由低温共烧陶瓷(LTCC)材料通过焙烧制成。如本文所使用的,低温共烧陶瓷材料指可在低于或等于1050℃的温度下焙烧并可与低电阻率的银和铜焙烧在一起的陶瓷材料。更具体地,低温共烧陶瓷材料的示例包括:其中硼硅玻璃与诸如铝或镁橄榄石粉末的陶瓷粉末混合在一起的、基于LTCC材料的玻璃复合物;使用MgO-Al2O3-SiO2结晶玻璃的、基于LTCC材料的结晶玻璃;以及使用BaO-Al2O3-SiO2陶瓷粉末或Al2O3-Cao-SiO2-MgO-B2O3陶瓷粉末的、基于LTCC材料的非玻璃。通过使用低温共烧陶瓷材料作为用于多层基板3的材料,诸如银或铜的具有低电阻率的低熔点金属材料可被用作与陶瓷材料同时焙烧的面内导体和通孔导体的材料。因而,多层基板3、面内导体和通孔导体可同时在低于或等于1050℃的相对较低的温度下焙烧。
多层基板3包括具有基本上为平行六面体形状的叠层介电层2a到2g。表面安装元件被安装在作为多层基板3的主表面之一的第二表面上。第一表面与印刷电路板1相邻,而第二表面与第一表面相对。在此实施例中,外部元件5、6a和6b被设置在该表面上。外部元件5、6a和6b的每一个通过焊料或导电粘合剂连接并固定到形成于多层基板3的第二表面上的端子。在此实施例中,诸如电阻、线圈或电容的无源元件被设置成外部元件6a或6b。另外,诸如IC(集成电路)芯片的有源元件被设置成外部元件5。
根据此实施例,高频模块包括固定到多层基板3的外壳7。外壳7被形成为盒状并罩住外部元件5、6a和6b。用作电极焊片(electrode pad)的多个端子21形成于多层基板3与印刷电路板1面对的第一表面上。在此实施例中,端子21以薄膜形式制成。端子21通过焊料10连接到形成于印刷电路板1的表面上的丝状电极8。
如图2所示,根据此实施例,丝状电极8被设置在印刷电路板1的表面上,从而基本上从高频模块11径向延伸出。丝状电极8由例如金属箔以薄膜形式形成于印刷电路板1的表面上。
图3是根据此实施例的高频模块的仰视图。用于与印刷电路板电连接的第一端子群31和第二端子群32形成于多层基板3与印刷电路板1面对的第一表面上。在此实施例中,端子沿着多层基板3的底表面的外边缘排列。第一端子群31包括端子21以及端子25a到25d。第二端子群32包括端子22、25d、26a和26b。另外,在此实施例中,高频模块的底表面为四边形,并且更具体地为具有四条侧边的矩形,即第一侧边15、与该第一侧边相邻的第二侧边16、与该第一侧边面对的第三侧边17以及与该第二侧边面对的第四侧边。
第一端子群31包括沿着第一侧边15基本上排列成一条直线的多个端子,该第一侧边为形成矩形底表面-即多层基板3的第一表面-的四条侧边之一。即,端子21以及端子25a到25d被排列成基本上与第一侧边15平行。另外,端子21以及端子25a到25d被排列在多层基板3外边缘的附近,并且与外边缘相隔微小的间隙。
第二端子群32包括沿着第二侧边16基本上排列成一条直线的多个端子,该第一侧边为形成矩形底表面-即多层基板3的第一表面-的四条侧边之一。即,端子22、25d、26a和26b被排列成基本上与第二侧边16平行。另外,端子22、25d、26a和26b被排列在多层基板3外边缘的附近,并且与外边缘相隔微小的间隙。因而穿过第二端子群32的端子的中心的虚线基本上与穿过第一端子群3 1的端子的中心的虚线垂直。
在此实施例中,端子21、22、25a-25d、26a和26b的每一个从俯视图上观看基本上为矩形。端子21、22、25a-25d、26a和26b的每一个以薄膜形式制成。端子21、22、25a-25d、26a和26b的每一个被电连接到形成于多层基板3内部的外部元件4之一或形成于多层基板3外部的外部元件5、6a和6b之一(参见图1)。端电极的形状可以是从俯视图上观看为矩形、方形或基本上圆形。另外,这些端子可由金属薄膜制成,如上所述。或者,形成于多层基板3中的通孔导体的外露表面可用作端子。
根据此实施例,高频模块包括集成方式的使用第一频带内的信号的第一无线系统部分和使用第二频带内的信号的第二无线系统部分。
图5是根据此实施例的无线系统的配置的示意图。在此实施例中,第一无线系统71a是蓝牙(商标)无线系统。第二无线系统72a是FM无线电。
第一无线系统71a包括第一天线61a和连接到该第一天线61a的第一前端单元63a。第二无线系统72a包括第二天线62a和连接到该第二天线62a的第二前端单元64a。在此实施例中,无线系统的每一个可包括除前端单元之外的算法处理单元和存储器单元,以便处理高频信号。前端单元、信号计算单元以及存储器单元由无源元件(诸如电容和电感)和有源元件(诸如IC芯片)构成。
如箭头93和94所示,第一无线系统71a使用第一天线61a和第一前端单元63a发送和接收第一频带内的信号。另外,如箭头95所示,第二无线系统72a使用第二天线62a和第二前端单元64a接收第二频带内的信号。
如图5中所示,高频模块11a包括第一前端单元63a和第二前端单元64a。如上所述,根据此实施例的高频模块可发送和接收两个不同频带内的信号。
如图3中所示,根据此实施例,第一端子群31包括第一无线系统的第一天线端子21。第一天线端子21被连接到第一天线61a。第二端子群32包括第二无线系统的第二天线端子22。第二天线端子22被连接到第二天线62a。
在此实施例中,第一天线端子21和第二天线端子22被设置在第一表面的外周边并靠近第一表面的不同侧边。在此实施例中,多层基板的底表面是矩形。第一天线端子21被设置在此矩形的第一侧边15的附近。第二天线端子32形成于与第一侧边15相邻的第二侧边16的附近。
另外,根据此实施例,第二天线端子32被设置成与其上设置第一天线端子21的第一侧边15相比,在第二侧边16所延伸的方向上更靠近第三侧边17。即,第二侧边16的中心线101将第一表面划界成两个区域,天线端子22位于其中不设置第一天线端子21的区域中。在图3中,当中心线101均匀地将多层基板3的底表面划分成两个区域时,第一天线端子21被设置在上部区域中,而第二天线端子22被设置在下部区域中。
图4是示出了当移除外壳时,根据此实施例的高频模块的俯视图的示意图。外部元件5以及6a-6d被设置在多层基板3的表面上。
图6到12示意性地示出了多层基板的各个介电层的俯视图。如图1所示,多层基板3包括从与印刷电路板1相邻的一侧开始按顺序层叠的介电层2a、介电层2b和介电层2c。
图6是从顶部观看到的介电层2a的立体图。第一天线端子21和第二天线端子22被设置在介电层2a的表面上。通孔导体51a形成于其中设置第一天线端子21的位置上,从而穿过介电层2a。另外,通孔导体52a形成于其中设置第二天线端子22的位置上,从而穿过介电层2a。
图7到12是包括在多层基板中的各个介电层的俯视图。在此实施例中,形成无源元件的面内导体和通孔导体形成于介电层2b到2g的每一个的表面上。穿过介电层2b到2g的通孔导体51b到51g分别形成于第一天线端子21的正上方。另外,穿过介电层2b到2g的通孔导体52b到52g分别形成于第二天线端子22的正上方。通孔导体51a到51g以及52b到52g的每一个由导电树脂或金属制成。
如图6到12所示,通孔导体51a到51g穿过对应介电层,从而设置在多层基板的底表面上的端子21和22(参见图6)电连接到设置于多层基板的顶表面上的端子27和28(参见图12)。
在不使用面内导体的情况下,第一天线端子21实质上经由穿过多层基板并彼此连接的通孔导体51a到51g电连接到多层基板的表面上的表面安装元件。面内导体在每个介电层的表面上形成一条直线。此面内导体可电连接到另一个无源元件。即,在一些情形中,第一天线端子21经由平行于多层基板的主表面延伸的面内导体连接到设置于多层基板的表面上的表面安装元件。
然而,实质上仅使用通孔导体51a到51g来将根据此实施例的第一天线端子21连接到安装在多层基板的表面上的远离该第一天线端子21的表面安装元件。类似地,实质上仅使用通孔导体52a到52g来将根据此实施例的第二天线端子22连接到安装在多层基板的表面上的远离该第二天线端子22的表面安装元件。即,在不使用于同一介电层的表面上彼此平行的面内导体的情况下,天线端子的每一个在多层基板中布线。
在此实施例中,高频模块包括第一端子群和第二端子群。第一端子群被设置在基本上为平行六面体的多层基板的第一表面上,并且包括沿着形成第一表面的四条侧边的第一侧边排列的多个端子。第二端子群包括沿着四条侧边的不同于第一侧边的第二侧边排列的多个端子。第一端子群包括第一无线系统的第一天线端子,而第二端子群包括第二无线系统的天线端子。在这样的结构中,可增加第一天线端子与第二天线端子之间的距离。此外,设置在印刷电路板上的丝状电极可被配置成使连接到第一天线端子的丝状电极不与连接到第二天线端子的丝状电极平行,并且不与连接到第二天线端子的丝状电极相邻。另外,可减小经由电磁场传播通过各个天线端子及各个布线端子的信号之间的干扰。结果,传播通过各个天线端子的信号的分离特性(隔离特性)可被改进。
另外,根据此实施例,第二端子群沿着与俯视图中的第一侧边相邻的第二侧边形成。在这样的结构中,形成于多层基板中的配线线路的方向与形成于模块安装基板的表面上的丝状电极延伸的方向在各个天线端子的附近基本上彼此不平行。因此,可减少形成于多层基板内部的面内导体之间、或者模块安装基板上的丝状电极之间的电磁耦合的发生。结果,分离特性可被进一步改进。
例如,如图2中所示,当高频模块11被设置在印刷电路板1上时,连接到高频模块11的丝状电极8被设置成从高频模块11径向且向外延伸出。因为第一天线端子21和第二天线端子22被分别设置在不同的相连侧边上,所以在根据此实施例的高频模块中,第一天线配线41延伸的方向基本上不与第二天线配线42延伸的方向平行。因而,可减小第一天线配线41与第二天线配线42之间的串扰,因此,分离特性可被改进。
此外,在此实施例中,第二天线端子被设置成与第一侧边相比,在第二侧边所延伸方向上更靠近面对第一侧边的第三侧边。在这样的结构中,可进一步增加第一天线端子21与第二天线端子22之间的距离、以及因此设置在印刷电路板上并连接到第一天线端子的丝状电极与设置在印刷电路板上并连接到第二天线端子的丝状电极之间的距离。因此,另一个端子可容易地设置在天线端子之间,从而进一步提高分离特性。
另外,在此实施例中,在不使用面内导体的情况下,实质上使用穿过多层基板的通孔导体将第一天线端子与第二天线端子的每一个连接到设置在多层基板的表面上的表面安装元件。在这样的结构中,设置在多层基板内部介电层的表面上的面内导体可被排列成这些面内导体延伸的方向基本上彼此不平行。因而,可减小多层基板内部的串扰。结果,分离特性可被进一步改进。
在此实施例中,仅使用通孔导体将第一天线端子和第二天线端子的每一个连接到设置于多层基板的表面上的表面安装元件。然而,本发明的实施例并不限于此。可实质上仅使用穿过多层基板的通孔导体将第一天线端子和第二天线端子的至少之一连接到设置于多层基板的表面上的表面安装元件。如本文所用的,术语“实质上”表示设置于多层基板内部的介电层上的面内导体允许延伸自通孔导体,从而具有这种不产生串扰的长度。
另外,在此实施例中,第一无线系统是蓝牙(频率:2402-2480MHz)系统,而第二无线系统是FM无线电(频率:76-108MHz)系统。然而,本发明的实施例并不限于此。本发明可被应用到使用不同频带的任意系统。
例如,本发明可被应用到集成了以下系统的任意两种的部件的高频模块中:用于无线LAN的802.11b/g(频率:2400-2483.5MHz)系统、CDMA(频率:800MHz频带)系统、GSM(频率:800MHz频带、900MHz频带、1.8GHz频带或1.9GHz频带)系统、PDC(800MHz或1.5GHz)系统以及Felica(商标,频率:13.56MHz)系统。此外,在此实施例中,两种无线系统的部件被集成到高频模块中。然而,本发明并不限于此。本发明可被应用到其中集成了三种或多种系统的高频模块中。
图13是根据本实施例的另一种无线系统的示意图。如图13中所示,蓝牙系统用作第一无线系统71a,而W-LAN系统用作第二无线系统72b。第二无线系统72b包括第二前端单元64b和第二天线62b。高频模块11b包括第一前端单元63a和第二前端单元64b。第二无线系统72b可不仅如箭头96所示接收信号,也如箭头97所示发送信号。即,两个无线系统的每一个可发送和接收信号。
尽管在本实施例中,已示出形成于多层基板上的端子,并参照多层基板的第一表面上隔离的端子(诸如电极焊片)进行了描述,但是可使用沿着多层基板的侧表面彼此通信的端子。即,根据本发明,包括天线端子的端子可以是除岸面栅格阵列(LGA)端电极之外的折叠端子电极。
图14是示出了根据本实施例的另一种高频模块的立体图的示意图。此高频模块包括折叠端子29和30。折叠端子29和30的每一个被形成为从多层基板3的侧表面向上延伸。如上所述,端子可延伸跨越多层基板的两个或多个表面。
第二实施例
以下将参考图15和16描述根据本发明的第二实施例的高频模块。
图15是示出了当移除顶盖时,根据本实施例的高频模块的俯视图。图16是根据本实施例的高频模块的仰视图。根据本实施例,高频模块包括多层基板81。两个IC芯片82a和82b以及外部元件83a到83c(诸如叠层电容或叠层电感)被设置在远离模块安装基板的多层基板81的表面上,其中该模块安装基板被连接到多层基板81。
多个端子86形成于多层基板81的底表面上。多个端子86包括第一天线端子84和第二天线端子85。当从其底部观看时,多层基板81为矩形。第一天线端子84形成于矩形的四条侧边之一的附近,而第二天线端子85形成于与该侧边面对的一侧边的附近。中心线102是其附近设置着第一天线端子84的侧边的中垂线。
在本实施例中,第一天线端子84形成于由中心线102构成的一区域中,而第二天线端子85形成于由中心线102构成的另一区域中。即,第一天线端子84位于一角落的附近,而第二天线端子85位于与该角落相对的角落的附近。在这种结构中,可增加第一天线端子84与第二天线端子85之间的距离,由此改进分离特性。
其它结构、操作和特征与第一实施例相同,因此不再重复这些描述。
第三实施例
以下将参考图17和18描述根据本发明的第三实施例的高频模块。
图17是示出了根据本实施例的高频模块的横截面视图的示意图。图18是根据本实施例的高频模块的仰视图。
根据本实施例,高频模块包括多层基板87和设置于该多层基板87表面上的外部元件82a、83a和83b。外部元件82a是有源元件(诸如IC芯片)。外部元件83a和83b是无源元件(诸如叠层电容)。另外,根据此实施例的高频模块包括被形成为罩住外部元件82a、83a和83b的外壳91。
根据本实施例,空腔88形成于多层基板87的面对模块安装基板的第一表面上。外部元件82b被设置在空腔88的内部。在此,外部元件82b是IC芯片。外部元件82b通过焊料连接并固定到形成于多层基板87的表面上。外部元件82b被电连接到设置于多层基板87内部的内部元件(未示出)。
如图18所示,多层基板87面对印刷电路板的表面为矩形。多个端子86形成于此表面上,并且组合成端子群。端子群的每一个沿着矩形的一侧边形成。端子86中的第一天线端子98被包括在第一无线系统中。端子86中的第二天线端子99包括在第二无线系统中。第一天线端子98和第二天线端子99被设置在矩形的不同侧边的附近。
在本实施例中,空腔88形成于第一天线端子98与第二天线端子99之间。空腔88被形成为从多层基板87的表面弯曲成凹陷。空腔88基本上位于多层基板87的底表面的中间,并且从俯视图上观看为矩形。另外,空腔88被形成为延伸跨越第一天线端子98与第二天线端子99之间的虚线。
此外,根据本实施例,接地端子92沿着空腔88的一侧边形成。接地端子92被形成为从俯视图上观看为线形。接地端子92被连接到接地点。不同于天线端子,接地端子92被形成为不平行于第一天线端子98与第二天线端子99之间的虚线的线(平行六面体)形。接地端子92被设置成延伸跨越第一天线端子98与第二天线端子99之间的虚线。
因为空腔形成于第一天线端子与第二天线端子之间,如上所述,所以空气层可形成于第一天线端子与第二天线端子之间。因此,分离特性可被进一步改进。另外,因为接地端子被设置于第一天线端子与第二天线端子之间,所以分离特性可被改进。注意:空腔和接地端子并非必须设置成跨越天线端子之间的线。仅要求空腔和接地端子屏蔽天线端子周围产生的电磁场的至少一部分。
其它结构、操作和特征与第一实施例相同,因此不再重复这些描述。
应当注意,类似附图标记被用于与上述实施例相关的附图中的相同或类似元件。
应当清楚地理解,上述实施例仅是示意性的,而非旨在限制本发明的范围。
本发明的范围应当根据以下权利要求来确定。因此,本文所述本发明的实施例的等效方案被认为包括在本发明的范围内。

Claims (7)

1.一种由形成使用第一频带的第一无线系统的电路元件的至少一部分与形成使用第二频带的第二无线系统的电路元件的至少一部分构成整体的高频模块,包括:
具有基本上为平行六面体的主体的基板,所述基板包括所述电路元件中的有源元件和无源元件的至少之一;
设置在所述基板的第一表面上的第一端子群,所述第一端子群包括沿着形成所述第一表面的四条侧边的第一侧边排列的多个端子;以及
设置在所述基板的所述第一表面上的第二端子群,所述第二端子群包括沿着形成所述第一表面的所述四条侧边的第二侧边排列的多个端子;
其中所述第一端子群包括所述第一无线系统的第一天线端子,而所述第二端子群包括所述第二无线系统的第二天线端子。
2.如权利要求1所述的高频模块,其特征在于,所述基板包括具有基本上为平行六面体的形状并包含多个叠层介电层的多层基板。
3.如权利要求1或2所述的高频模块,其特征在于,所述第二端子群沿着与所述第一侧边直接相邻的所述第二侧边形成。
4.如权利要求3所述的高频模块,其特征在于,所述第二天线端子被设置成与所述第一侧边相比,在所述第二侧边所延伸的方向上更靠近面对所述第一侧边的第三侧边。
5.如权利要求1到4的任一项所述的高频模块,其特征在于,空腔形成于所述第一天线端子与所述第二天线端子之间的所述第一表面上。
6.如权利要求1到5的任一项所述的高频模块,其特征在于,接地端子被设置在所述第一天线端子与所述第二天线端子之间的所述第一表面上。
7.如权利要求2到6的任一项所述的高频模块,其特征在于,形成所述无源元件和所述有源元件之一的表面安装元件被设置在与所述第一表面相对的第二表面上,并且其中在不使用垂直于层叠所述介电层的方向延伸的面内导体的情况下,所述第一天线端子与所述第二天线端子的至少之一经由在层叠所述介电层的方向上穿过所述多层基板的通孔导体连接到设置在所述多层基板的所述表面上的所述表面安装元件。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103155427A (zh) * 2010-09-29 2013-06-12 株式会社村田制作所 高频模块
CN104602366A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 太阳诱电株式会社 通信模块
CN105097713A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 三星电机株式会社 用于无线电通信的半导体封装件及其制造方法
US10498361B2 (en) 2016-04-20 2019-12-03 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Methods and apparatuses for group transmissions
CN114450853A (zh) * 2019-09-27 2022-05-06 松下知识产权经营株式会社 天线装置

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090102579A1 (en) * 2006-12-29 2009-04-23 Broadcom Corporation Frequency division coupling circuit and applications thereof
JP5344736B2 (ja) * 2008-02-20 2013-11-20 太陽誘電株式会社 基材、通信モジュール、および通信装置
US8811922B2 (en) * 2011-04-18 2014-08-19 Apple Inc. LTE/1X dual-standby with single-chip radio
TWI535371B (zh) * 2012-09-28 2016-05-21 西凱渥資訊處理科技公司 用於提供模組內射頻隔離之系統及方法
CN103889149B (zh) * 2012-12-21 2017-07-14 华为终端有限公司 电子装置和栅格阵列模块
JP5838978B2 (ja) * 2013-01-24 2016-01-06 株式会社村田製作所 セラミック積層部品
EP3140838B1 (en) * 2014-05-05 2021-08-25 3D Glass Solutions, Inc. Inductive device in a photo-definable glass structure
US9852941B2 (en) * 2014-10-03 2017-12-26 Analog Devices, Inc. Stacked conductor structure and methods for manufacture of same
KR102479144B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-20 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 3d 커패시터 및 커패시터 어레이 제작용 광활성 기재
US11161773B2 (en) 2016-04-08 2021-11-02 3D Glass Solutions, Inc. Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler
CA3058793C (en) 2017-04-28 2021-12-28 3D Glass Solutions, Inc. Rf circulator
JP2019016618A (ja) * 2017-07-03 2019-01-31 株式会社村田製作所 インダクタ及び電力増幅モジュール
JP6995891B2 (ja) 2017-07-07 2022-01-17 スリーディー グラス ソリューションズ,インク パッケージ光活性ガラス基板内のrfシステムのための2d及び3dのrf集中素子デバイス
JP7008824B2 (ja) 2017-12-15 2022-01-25 スリーディー グラス ソリューションズ,インク 接続伝送線路共振rfフィルタ
JP7226832B2 (ja) 2018-01-04 2023-02-21 スリーディー グラス ソリューションズ,インク 高効率rf回路のためのインピーダンス整合伝導構造
JP6888105B2 (ja) 2018-04-10 2021-06-16 スリーディー グラス ソリューションズ,インク3D Glass Solutions,Inc Rf集積電力調整コンデンサ
EP3645476B1 (en) 2018-05-29 2023-06-14 3D Glass Solutions, Inc. Low insertion loss rf transmission line
JP7053084B2 (ja) 2018-09-17 2022-04-12 スリーディー グラス ソリューションズ,インク グランドプレーンを備えた高効率のコンパクトなスロット付きアンテナ
CA3107810C (en) 2018-12-28 2024-05-14 3D Glass Solutions, Inc. Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates
CA3107812C (en) 2018-12-28 2023-06-27 3D Glass Solutions, Inc. Annular capacitor rf, microwave and mm wave systems
CA3172853A1 (en) 2019-04-05 2020-10-08 3D Glass Solutions, Inc. Glass based empty substrate integrated waveguide devices
KR102473256B1 (ko) 2019-04-18 2022-12-05 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 고효율 다이 다이싱 및 릴리스
KR20220164800A (ko) 2020-04-17 2022-12-13 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 광대역 인덕터

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3382764B2 (ja) * 1995-10-27 2003-03-04 松下電器産業株式会社 無線移動機
JPH10150395A (ja) * 1996-11-20 1998-06-02 Hitachi Ltd スイッチ回路およびスイッチならびに無線装置
JP3403669B2 (ja) 1999-06-04 2003-05-06 富士通株式会社 アンテナ分波器
JP2001119201A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nec Kansai Ltd 高周波切り替え回路ic
JP3519666B2 (ja) * 2000-03-30 2004-04-19 シャープ株式会社 Pcカード型無線通信装置
JP4399755B2 (ja) * 2000-06-09 2010-01-20 日立金属株式会社 高周波スイッチモジュール
JP2002064400A (ja) * 2000-06-09 2002-02-28 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール
JP2002270762A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Sony Corp 半導体装置
JP2003179515A (ja) * 2002-08-30 2003-06-27 Toshiba Corp 携帯無線機
JP3710445B2 (ja) 2002-11-14 2005-10-26 富士通株式会社 アンテナ分波器
JP4184776B2 (ja) 2002-12-16 2008-11-19 大日本印刷株式会社 Icカード
JP2004297456A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kyocera Corp 高周波モジュール
JP3734807B2 (ja) * 2003-05-19 2006-01-11 Tdk株式会社 電子部品モジュール
JP2004350068A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 New Japan Radio Co Ltd アンテナスイッチ半導体集積回路
JP3642062B2 (ja) * 2003-07-03 2005-04-27 日立金属株式会社 高周波スイッチ
US7245882B1 (en) * 2003-07-17 2007-07-17 Atheros Communications, Inc. Method and apparatus for a signal selective RF transceiver system
JP2006014102A (ja) 2004-06-29 2006-01-12 Hitachi Metals Ltd 高周波積層モジュール部品及びこれを用いたデュアルバンド通信装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103155427A (zh) * 2010-09-29 2013-06-12 株式会社村田制作所 高频模块
CN103155427B (zh) * 2010-09-29 2015-11-25 株式会社村田制作所 高频模块
CN104602366A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 太阳诱电株式会社 通信模块
CN105097713A (zh) * 2014-05-09 2015-11-25 三星电机株式会社 用于无线电通信的半导体封装件及其制造方法
US10498361B2 (en) 2016-04-20 2019-12-03 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Methods and apparatuses for group transmissions
CN114450853A (zh) * 2019-09-27 2022-05-06 松下知识产权经营株式会社 天线装置
CN114450853B (zh) * 2019-09-27 2024-05-03 松下知识产权经营株式会社 天线装置

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